PRACTICAS DE LABORATORIO

Carrera: Ingeniería Materia: Electrónica de

Alumno: Jose Angel Lomas Quintanilla Mecatronica Potencia Aplicada

Semestre: 6 Grupo: A

Fecha: 25/02/2022 Calificación:

Practica #: 3 “Curva
característica del diodo”

CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO.

1. Objetivo

En esta práctica se caracteriza el comportamiento estático y dinámico de diferentes

diodos de potencia. Comparando los resultados se podrán obtener conclusiones en
cuanto a los rangos de funcionamiento para polarizaciones directa e inversa, así como
del tiempo de respuesta de cada uno de los dispositivos.

2. Material necesario

· Voltímetro digital
· Fuente de alimentación regulada
· Osciloscopio digital
· Resistencias: 100Ω, 1K,| 100K, 1MEG
· Diodo de red: 1N4007 o similar
· Diodo Schottky de potencia: MBR735 o similar
· Diodo de potencia: BYW29-200 o similar

3. Introducción

En esta práctica se pretende, en primer lugar, medir la característica estática de los

diodos de potencia, obtenida punto a punto en un circuito rectificador simple (R-D). Se
comparan los resultados obtenidos con medidas realizadas con diodos de red, potencia
y Schottky respectivamente.
En segundo lugar, se mide el comportamiento dinámico de los diferentes diodos
ensayados, sometiéndolos a conmutaciones rápidas, resaltando los problemas en el
corte asociados a la recuperación inversa para aquellos componentes con respuesta
temporal lenta.

Marco teórico

Un diodo rectificador recoge unos parámetros muy importantes para definir una curva
característica. Esta gráfica nos sirve para analizar la región de polarización de un diodo y
cuál es la corriente umbral a la que opera el dispositivo.
Con estos parámetros podemos evitar daños en el dispositivo y deterioro de su vida útil si lo
que queremos es mantener el dispositivo.

Tensión umbral de codo o de partida

Para que esta tensión de umbral se de, inicialmente el diodo debe estar en polarización
directa. Esta tensión debe coincidir en valor, con el voltaje de la zona de carga espacial del
diodo no polarizado.
Al momento de aplicar polarización directa al diodo, la barrera de potencial inicial empieza a
reducirse y se empieza a incrementar ligeramente la corriente.
Si el voltaje externo supera el voltaje umbral, la barrera de potencial desaparece de tal
forma que para pequeños incrementos de voltaje se produzcan grandes variaciones en la
corriente.

Corriente máxima

Es básicamente la corriente máxima que puede conducir el diodo sin que este se queme por
el efecto Joule. En conclusión, es la cantidad de calor que puede disipar el diodo en función
de la corriente eléctrica.

Corriente inversa de saturación

Es una cantidad pequeñísima de corriente que se da al momento de polarizar inversamente

el diodo debido a la formación de pares de electrón-hueco en función de la temperatura.

Corriente superficial de fugas

Es una pequeña corriente que circula por la estructura del diodo en polarización inversa.
Esta corriente se encuentra en función del voltaje aplicado al diodo con lo que al aumentar
el voltaje aumenta la corriente superficial de fugas.

Voltaje de ruptura

Es un voltaje inverso máximo que el diodo puede soportar antes de que se presente el
efecto avalancha (muy común en los diodos Zener). Lo que ocurre es que, al polarizar el
diodo de forma inversa, por medio de este habrá una circulación de corriente inversa de
saturación (condiciones teóricas). En condiciones reales a partir de un determinado valor de
voltaje, en el diodo normal o de unión abrupta la ruptura se debe al efecto de avalancha; sin
embargo, hay otro tipo de diodos como por ejemplo el Zener en los que las rupturas se
deben a dos efectos que son: el efecto avalancha y el efecto Zener.

Efecto avalancha

Cuando el diodo es polarizado inversamente se generan pares electrón-Hueco que

ocasionan una corriente inversa de saturación; Si el voltaje inverso es elevado los
electrones entran en aceleración incrementando de esta forma su energía cinética de tal
forma que al chocar con electrones de valencia provocan un salto a la banda conductiva.
Esos electrones que son liberados se aceleran por efecto del voltaje chocando con más
electrones de valencia y liberándolos al tiempo. Lo que sigue es una avalancha de
electrones que provoca una corriente bastante grande. Este efecto solo ocurre cuando los
voltajes aplicados son superiores a 6 voltios.

Efecto zener

Entre más dopado esté el material, menor será el ancho de la zona de carga, esto se debe a
que el campo eléctrico puede expresarse como el cociente de la tensión o voltaje (V) entre
la distancia (d), cuando el diodo presente un dopado muy alto y el valor de «d» sea muy
pequeño.
Bajo estas condiciones, el campo eléctrico es capaz de arrancar electrones de valencia
incrementando de esta forma la corriente eléctrica. Este efecto se produce para voltajes de
4V o menores y para tensiones inversas de entre 4 y 6 voltios, la ruptura de estos diodos
especiales como, por ejemplo: Los Zener, pueden producir ambos efectos.
 PRACTICAS DE LABORATORIO

4. Realización de la práctica

5.1 Caracterización estática

5.1.1 Polarización directa

Montar el circuito de la figura 1, con los diodos polarizados directamente. Variando la

tensión de alimentación Vi de 0 a 10V, en incrementos de 0.5V, anotar en cada caso el
punto de trabajo (Id, Vd) que permitirá trazar la característica estática para cada tipo
de diodo. El valor de R1 ha de ser 100Ω.

Diodo de red 1N4007

 V 𝑽𝑫 𝑰𝑫
0.5 V 471.138 mV 288.623 µA
1V 606.439 mV 3.936 mA
1.5 V 646.669 mV 8.533 mA
2V 669.836 mV 13.302 mA
2.5 V 686.089 mV 18.139 mA
3V 698.611 mV 23.014 mA
3.5 V 708.882 mV 27.912 mA
4V 717.401 mV 32.826 mA
4.5 V 724.884 mV 37.752 mA
5V 731.410 mV 42.686 mA
5.5 V 737.288 mV 47.627 mA
6V 742.611 mV 52.574 mA
6.5 V 747.479 mV 57.525 mA
7V 751.996 mV 62.480 mA
7.5 V 756.129 mV 67.439 mA
8V 760.013 mV 72.400 mA
8.5 V 763.656 mV 77.363 mA
9V 767.087 mV 82.329 mA
9.5 V 770.330 mV 87.297 mA
10 V 773.407 mV 92.266 mA
Diodo Schottky de potencia MBR735
 V 𝑽𝑫 𝑰𝑫
0.5 V 178.282 mV 3.217 mA
1V 206.999 mV 7.930 mA
1.5 V 222.256 mV 12.777 mA
2V 232.671 mV 17.673 mA
2.5 V 240.587 mV 22.594 mA
3V 246.978 mV 27.530 mA
3.5 V 252.341 mV 32.477 mA
4V 256.965 mV 37.430 mA
4.5 V 261.032 mV 42.390 mA
5V 264.664 mV 47.353 mA
5.5 V 267.947 mV 52.321 mA
6V 270.944 mV 57.291 mA
6.5 V 273.703 mV 62.263 mA
7V 276.259 mV 67.237 mA
7.5 V 278.641 mV 72.214 mA
8V 280.873 mV 77.191 mA
8.5 V 282.973 mV 82.170 mA
9V 284.957 mV 87.150 mA
9.5 V 286.837 mV 92.132 mA
10 V 288.624 mV 97.114 mA
Diodo de potencia BYW29-200
 V 𝑽𝑫 𝑰𝑫
0.5 V 447.080 mV 529.202 µA
1V 532.198 mV 4.678 mA
1.5 V 559.509 mV 9.405 mA
2V 575.758 mV 14.242 mA
2.5 V 587.318 mV 19.127 mA
3V 596.288 mV 24.037 mA
3.5 V 603.616 mV 28.964 mA
4V 609.811 mV 33.902 mA
4.5 V 615.178 mV 38.848 mA
5V 619.912 mV 43.801 mA
5.5 V 624.147 mV 48.759 mA
6V 627.980 mV 53.720 mA
6.5 V 631.481 mV 58.685 mA
7V 634.703 mV 63.653 mA
7.5 V 637.688 mV 68.623 mA
8V 640.468 mV 73.595 mA
8.5 V 643.071 mV 78.569 mA
9V 645.518 mV 83.545 mA
9.5 V 647.827 mV 88.522 mA
10 V 650.012 mV 93.50 mA

Adicionalmente, si dispone de tiempo, puede obtener la característica estática

también para el diodo de potencia siguiendo el mismo procedimiento.
5.1.2 Polarización inversa: corriente inversa de saturación

Determinar la resistencia interna equivalente para polarización inversa para cada uno de
los diodos midiendo la corriente en inversa para dos tensiones de 10V y 20V en el
esquema de la figura 1.

Debido al reducido valor de Io (corriente inversa de saturación), realizar la medida

ensayando con resistencias serie de alto valor (100K, 1M). Anotar también el valor de
Io. Comprobar la variación de Io con la temperatura calentando el diodo con un dedo.

Diodo de red 1N4007

Diodo Schottky de potencia MBR735
Diodo de potencia BYW29-200
5.2 Caracterización dinámica: tiempo de recuperación inversa

Utilizando el generador de señal, seleccionar forma de onda cuadrada de amplitud 10Vpp

y montar el circuito de conmutación de la figura 2. Representar las formas de onda de la
tensión en la resistencia para los diferentes diodos para frecuencias de10 kHz y 100 kHz.

Diodo de red 1N4007

Diodo Schottky de potencia MBR735
Diodo de potencia BYW29-200
 Conclusión

De acuerdo a la experiencia realizada se colocó en funcionamiento el diodo, como

elemento fundamental de la electrónica. Se observó el fenómeno de polarización directa
e inversa y la respuesta del diodo a estas operaciones, se comprobó que el diodo en
polarización directa una vez superado el valor voltaje de ruptura de funcionamiento, este
deja circular corriente. Lo cual demuestra el comportamiento del diodo como switch. Y se
rectifica cuando un diodo normal, genera una ampliación de la región de agotamiento, lo
cual produce un flujo nulo de portadores mayoritarios, lo cual se visualiza en la no
conducción de corriente en polarización inversa

Bibliografía

 Figueroa, F. (2021, 5 julio). DIODO: CURVA CARACTERÍSTICA. SENSORICX.

Recuperado 25 de febrero de 2022, de https://sensoricx.com/electronica-basica/diodo-

curva-caracteristica/

 Diodos. Curva característica y tensión umbral. (2014, 28 octubre). Ingelibre. Recuperado

25 de febrero de 2022, de https://ingelibreblog.wordpress.com/2014/10/27/diodos-curva-

caracteristica-y-tension-umbral/

 Zapata, J. G. M. (2012, 1 agosto). El diodo, curva caracteristica del diodo. Slideshare.

Recuperado 25 de febrero de 2022, de https://es.slideshare.net/juliannegrace/el-diodo-

curva-caracteristica-del-diodo-13831464