INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA

DISPOSITIVOS

PRACTICA 4

Multiplicación de Voltaje

Integrantes:

Francisco Lecona José Raymundo

Mendoza Alonso Rebeca

Ortiz Osorio Evelyn

Ríos Gómez Sebastián

Fecha de realización: 25/11/2022

5CM1

OBJETIVOS:

Analizar el transistor, hacer las mediciones correspondientes para ver como se

comporta este.

Material por utilizar:

 Puntas Banana-Caimán
 Diodo BC547C
 Protoboard
 Fuente de corriente.
 Fuente de voltaje.
 Resistencias de 470Ω y 1kΩ

IPN – ESIMEZ – ICE EQUIPO 5

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DESARROLLO:

Desarrolle el siguiente circuitos.

1. Tomar el transistor y probarlo con un probador de diodos, y ver la

ganancia de este.

2. Medimos la fuente de corriente.

IPN – ESIMEZ – ICE EQUIPO 5

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3. Medimos la fuente de voltaje

IPN – ESIMEZ – ICE EQUIPO 5

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4. Medimos el transistor con el óhmetro.

C B E VALOR

+ - 4.865MΩ

- + 4.774MΩ

+ - Circuito
abierto

+ - Circuito
abierto

- + Circuito
abierto

- + Circuito
abierto

Una vez que se conectan la fuente de corriente y de voltaje.

Se mide la Ib=15µA y Ic=12.04mA

El transistor en estado activo:

La corriente Ic=2.02mA

Rc=470Ω

Ib=6µA

Rb=1k Ω

VBE=0.06

VCE=5.5V

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Ganancia:

β =333.33

El transistor en saturación

VCE tiende a cero

Ib= 0.89mA

Ic=12.92mA

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El transistor en corte

Vfuente=6.60V

VCE=Vfuente

Ib=0A

Ic=5µA que es corriente de fuga.

Conclusiones:

Se tomo el transistor y se hicieron las mediciones correspondientes en

activa y saturación se pudo observar que el voltaje de colector-emisor
tiende a cero y en activa este voltaje es de 5.5V y al tener la ganancia
vimos que si estaba entre rango según la hoja de datos.

IPN – ESIMEZ – ICE EQUIPO 5