Circuitos de aplicación con diodos

Introducción
Por sus características electrofísicas la materia puede ser dividida en tres grupos: metales,
semi conductores y aislantes para diferenciarlos entre sí es necesario considerar el grado de
resistividad eléctrica que los caracteriza [1]. Los aislantes tienen una resistividad eléctrica
mayor entre 1014 𝑦 1022 𝑜ℎ𝑚𝑠 ∙ 𝑐𝑚 (por ejemplo, a 200°C la resistividad del vidrio se ubica
entre 108 y 1015 𝑜ℎ𝑚𝑠 ∙ 𝑐𝑚), esto significa que la capacidad para conducir electricidad es
muy baja. Los metales son todo lo contrario, poseen una resistividad baja entre 10−6 y
10−4 𝑜𝑚ℎ𝑠 ∙ 𝑐𝑚 lo que los hace excelentes conductores [2].

Los metales son buenos conductores debido al enlace metálico, este enlace está formado por
electrones libres o apareados en movimiento, permitiendo así que en un momento dado se
puedan formar enlaces iónicos o covalentes, o estar entrelazados y después ya no. Como
consecuencia de esta inestabilidad de electrones y lo débil de su enlace, los electrones se
desprenden fácilmente, dando como resultado que sean buenos conductores. Los
semiconductores tienen una resistividad intermedia entre los conductores y aislantes, se
encuentran entre 10−4 y 1010 𝑜𝑚ℎ𝑠 ∙ 𝑐𝑚, de ahí que generen interés para ser aplicados en la
tecnología, en los semiconductores la resistencia eléctrica disminuye al aumentar su
temperatura.

La energía que requiere un electrón para pasar de la banda de valencia a la banda de

conducción nos sirve también para diferenciar entre un conductor, un aislante y un
semiconductor. El esquema de la Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..1
muestra las posiciones relativas de las bandas de energía en los conductores, semiconductores
y aislantes, nótese que en los conductores casi no hay separación entre la banda de valencia

1 1 Zamudio Radilla Antonia

y la de conducción, lo que significa que un electrón requiere poca energía para moverse de
la banda de valencia a la de conducción. En cambio, en un aislante la energía que requiere
un electrón para pasar de la banda de valencia a la banda de conducción es muy grande,
𝑣𝑜𝑙𝑡𝑠
aproximadamente 6 × 106 𝑚𝑒𝑡𝑟𝑜𝑠 [3]. En los semiconductores la separación entre las dos

bandas aumenta por lo tanto un electrón necesita mayor energía para moverse a la banda de
conducción.

Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..1 Esquema de niveles de energía en materiales
conductores, semiconductores y aislantes.

Para construir un dispositivo electrónico de estado sólido1 se necesita un material

semiconductor de la más alta calidad. Los materiales semiconductores pueden ser
clasificados en: de un solo cristal y compuesto. Los semiconductores de un solo cristal como
el germanio (Ge) y el silicio (Si) tienen una estructura cristalina repetitiva, los compuestos
como son el arseniuro de galio (GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de Galio (GaN)
y el fosfuro de galio y arsénico (GaAsP) se componen de dos o más materiales
semiconductores de diferentes estructuras atómicas.

1
Estructura de cristal duro

2 2 Zamudio Radilla Antonia

Los semiconductores típicos son el silicio (Si) y el germanio (Ge), ambos se encuentran en
la tabla periódica en el grupo IV A sus propiedades están relacionadas con su estructura
atómica. En ellos la última capa de valencia son iguales, ambos tienen 4 electrones. El
germanio tiene 32 electrones distribuidos de la siguiente manera:
𝐺𝑒 (32) (1𝑠 2 2𝑠 2 2𝑝6 3𝑠 2 3𝑝6 3𝑑10 4𝑠 2 4𝑝2 ) , en el silicio sus 14 electrones están repartidos de
la siguiente manera: 𝑆𝑖 (14) (1𝑠 2 2𝑠 2 2𝑝6 3𝑠 2 3𝑝2 ), estos lo podemos ver gráficamente en la
Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..2.

Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..2 Estructura atómica del a) silicio y b)
germanio.

Los electrones que se encuentran en la última capa reciben el nombre de electrones de

valencia, dependiendo del número de electrones de valencia serán nombrados los átomos,
por ejemplo, el silicio y germanio que tienen cuatro electrones de valencia se llaman
tetravalentes, los de tres se llaman trivalentes, los átomos con cinco electrones de valencia
se llaman pentavalentes. Se utiliza el termino valencia para indicar que el potencial de
ionización necesario para remover cualquiera de estos electrones de la estructura atómica es
significativamente más bajo que el necesario para cualquier otro electrón en la estructura.

Uno de los principales dispositivos electrónicos de estado sólido es el diodo. El diodo

semiconductor es construido a partir de la unión de un material tipo N y un material tipo P
(véase Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..3), es decir, es la unión de
un material que tiene más electrones con un material con mayor cantidad de huecos c

3 3 Zamudio Radilla Antonia

 0

Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..3 Unión P-N: Símbolo de diodo, con la
polaridad definida y la definición de corriente.

Actividades o evidencias de desempeño

Ejercicios propuestos y/o resueltos

Aplicaciones de los temas desarrollados

Recursos electrónicos de apoyo (Vídeo, Power Point, Prezy y otros)

1.1. Polarización y recta de carga.

La conducción de la corriente en el diodo semiconductor es en una sola dirección. Si la región
P experimenta un voltaje más alto en comparación con la región N, se dice que el diodo tiene
polarización directa y una corriente podrá fluir a través del diodo, en un circuito la terminal
positiva de la fuente de voltaje está conectado al semiconductor tipo P del diodo y la terminal
negativa está conectada al semiconductor tipo N como se muestra en la Figura ¡Error! No hay
texto con el estilo especificado en el documento..4a. En esta configuración de polarización directa la
tensión de la barrera de potencial es muy pequeña (0.7 V para silicio y 0.3 V para Germanio)
por lo tanto se requiere muy poca cantidad de voltaje para la eliminar la barrera, esta
eliminación completa constituye el camino de baja resistencia para el flujo de la corriente, al
eliminar la barrera la corriente comienza a fluir a través de la unión.

4 4 Zamudio Radilla Antonia

 )

Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..4 Unión P-N: a) polarización directa y b)
polarización indirecta.

En cambio, cuando la región N tiene un voltaje más alto en comparación con la región P, se
dice que el diodo tiene polarización inversa, la corriente no fluye a través del diodo [4], en
el circuito la terminal negativa de la fuente de voltaje está conectado al semiconductor tipo
P y la terminal positiva de la batería está conectado a la terminal tipo N como se muestra en
la Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..4b. En la polarización inversa el
voltaje del cátodo es mayor que en el ánodo, el potencial de barrera se fortalece y la capa de
agotamiento es más gruesa.

5 5 Zamudio Radilla Antonia

 ( )

0 ( )

Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..5 Circuito del diodo en serie y curva
característica.

En la Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..5 se presenta la forma más
sencilla de las configuraciones del diodo, la cual es utilizada para el análisis de un circuito
con un diodo usando sus características reales. La “presión” establecida por la fuente de
voltaje 𝐸 es establecer una corriente convencional en la dirección indicada por la flecha en
el sentido de las manecillas del reloj. El hecho de que la dirección de esta corriente sea la
misma que la de la flecha que aparece en el símbolo del diodo revela que éste está
“encendido” y que conducirá un alto nivel de corriente. El voltaje aplicado produce provocó
una situación de polarización directa. La dirección de la corriente establecida, las polaridades
del diodo y el resistor se pueden suponer (véase Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado
en el documento..5).

Con la dirección de la corriente de 𝐼𝐷 y la polaridad de 𝑉𝐷 podemos determinar que el diodo

se encuentra en estado de polarización directa, lo que produce un voltaje a través del diodo
de aproximadamente 0.7 V y una corriente de 10 mA o más.

Comúnmente se reemplazan las características por un modelo aproximado del diodo, de la

Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..5 se toma el circuito y se determinan
los niveles de corriente y voltaje que satisfagan, al mismo tiempo tanto las características del
diodo como los parámetros seleccionados para el circuito.

La recta de carga como se muestra en la Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el
documento..6 se construye colocando las características del diodo en el mismo sistema de ejes
como una línea recta definida por los parámetros del circuito o red, recibe el nombre de recta

6 6 Zamudio Radilla Antonia

de carga porque la carga R define la intersección en el eje vertical. El análisis que se utiliza
se llama análisis por medio de la recta de carga, la intersección de las dos curvas definirá la
solución para el circuito, así como los niveles de corriente y voltaje.

El cruce entre rectas que se observa en la recta de carga con las características (véase Figura
¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..6), se determinan aplicando ley de voltajes
de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj, lo que resulta en

𝐸 − 𝑉𝐷 − 𝑉𝑅 0

𝐸 𝑉𝐷 𝑉𝑅

Ecuación ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..1

Las intersecciones de la recta de carga con las características se determinan fácilmente

sabiendo que en cualquier parte del eje horizontal 𝐼𝐷 0 𝐴, y que en cualquier parte del eje
vertical 𝑉𝐷 0 𝑉. Estableciendo que 𝑉𝐷 0 𝑉 en la Ecuación ¡Error! No hay texto con el estilo
especificado en el documento..1 despejando 𝐼𝐷 , podemos calcular la magnitud de 𝐼𝐷 en el eje vertical.
Por consiguiente, con 𝑉𝐷 0 𝑉, la Ecuación ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el

documento..1 se vuelve

𝐸 𝑉𝐷 𝐼𝐷 𝑅
0𝑉 𝐼𝐷 𝑅

𝐸
𝐼𝐷 |
𝑅 𝑉𝐷 =0 𝑉

Ecuación ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..2

como se muestra en la ¡Error! No se encuentra el origen de la referencia.. Estableciendo

que 𝐼𝐷 0 en la Ecuación ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..1 y despejamos
para calcular 𝑉𝐷 , obtenemos la magnitud de 𝑉𝐷 en el eje horizontal. Sustituyendo en Ecuación
¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..1 𝐼𝐷 0 tenemos

7 7 Zamudio Radilla Antonia

 𝑉𝐷 𝐸|𝐼𝐷=0 A

Ecuación ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..3

como se muestra en la Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..6, como
podemos observar una línea recta trazada entre los dos puntos definirá la recta de carga. Si
cambia el nivel de R (la carga), la intersección con el eje vertical también lo hará. El resultado
será un cambio de la pendiente de la recta de carga y un punto de intersección diferente entre
ésta y las características del dispositivo.

( )

( )

Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..6 Recta de carga y determinación del punto de
operación.

La recta de carga queda definida por la curva del circuito (red) y la curva de las características
definidas por el dispositivo. En punto de intersección entre las dos es el punto de operación
del circuito, el punto de operación se llama punto quiescente (“punto 𝑄”). La solución
obtenida en la intersección de las dos curvas es la misma que se obtendría mediante la
solución matemática simultanea de

𝐼𝐷
𝐸
𝑅
𝑉𝐷
− (𝑑𝑒𝑟𝑖𝑣𝑎𝑑𝑎 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝐸𝑐𝑢𝑎𝑐𝑖 𝑛 ¡ 𝑬𝒓𝒓𝒐𝒓! 𝑵𝒐 𝒉𝒂𝒚 𝒕𝒆𝒙𝒕𝒐 𝒄𝒐𝒏 𝒆𝒍 𝒆𝒔𝒕𝒊𝒍𝒐 𝒆𝒔𝒑𝒆𝒄𝒊𝒇𝒊𝒄𝒂𝒅𝒐 𝒆𝒏 𝒆𝒍 𝒅𝒐𝒄𝒖𝒎𝒆𝒏𝒕𝒐. .1)
𝑅

8 8 Zamudio Radilla Antonia

 𝑉𝐷
𝐼𝐷 𝐼𝑠 (𝑒 𝑛𝑉𝑇 − 1)

Ejemplo ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..1

Para la configuración del diodo en serie de la Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en
el documento..7 a) que emplea características de la Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado
en el documento..7 b).

0.

) )

Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..7 Ejemplo 1.1: a) Circuito; b) características.

Calcule:

a) 𝑉𝐷 𝑄 y 𝐼𝐷𝑄

b) 𝑉𝑅

Solución:

a) Usando la Ecuación ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..2: 𝐼𝐷

𝐸 10V
| 20
𝑅 𝑉𝐷 =0 V 0.5 kΩ

Usando la Ecuación ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..3: 𝑉𝐷

𝐸|𝐼𝐷=0 A 10 V

9 9 Zamudio Radilla Antonia

 ( )

20

18.
18

( )

10

0 0. 0.78 V 10 (V)

Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el documento..8 Solución ejemplo 1.1.

La recta de carga resultante aparece en la Figura ¡Error! No hay texto con el estilo especificado en el
documento..8. La intersección entre la recta de carga y la curva de las características define el
punto 𝑄 como

𝑉𝐷𝑄 ≅ 0.78 V

𝐼𝐷𝑄 ≅ 18.

b) 𝑉𝑅 𝐼𝑅 𝑅 𝐼𝐷𝑄 𝑅 (18. )(1 Ω) 18. V.

Actividades o evidencias de desempeño

Ejercicios propuestos y/o resueltos

Aplicaciones de los temas desarrollados

Recursos electrónicos de apoyo (Vídeo, Power Point, Prezy y otros).

Actividad 1.

Lee y analiza la siguiente información sobre la estructura y el comportamiento de la unión

de un material tipo P con uno N, la diferencia de potencial que se crea en la juntura, así como
el símbolo del diodo de unión, su ecuación característica y curvas de comportamiento de
voltaje y corriente en tres condiciones:

10 10 Zamudio Radilla Antonia

a) cuando no se aplica una fuente de tensión externa en las terminales del diodo.

b) cuando se polariza directamente por medio de una fuente de voltaje externa

c) cuando se polariza inversamente por medio de una fuente de voltaje externa

Hacer un informe de manera escrita, que contenga los conceptos, formulas, curvas de
operación, los circuitos electrónicos, las ecuaciones.

Elaborar a manera de conclusión un mapa conceptual.

EVIDENCIA: Archivo escaneado en pdf del informe escrito en el cuaderno.

Archivo pdf del mapa mental realizado en cualquier programa.

Medianamente Regular: Insuficiente

Criterios y puntos Suficiente suficiente 50% 0%
100% 75 %
Contenido Cumple con No cumple con un No cumple No cumple con
Atributos: construye los todos los atributo. con dos ninguno de los
conceptos requeridos: atributos. atributos. atributos.
estructura, comportamiento
de la unión de un material
tipo P con uno N, zona de
transición en la juntura,
símbolo del diodo de unión,
ecuación característica y
curvas de comportamiento de
voltaje y corriente en las tres
condiciones:
Valor 5 %

11 11 Zamudio Radilla Antonia

Contenido Cumple con No cumple con un No cumple No cumple con
Atributos: El documento del todos los atributo. con dos ninguno de los
organizador gráfico muestra atributos. atributos. atributos.
un orden lógico,
completo y la relación de un
componente con otro de
forma clara.
Valor 5 %
Actitudinal Cumple con No cumple con un No cumple No cumple con
Atributos: utiliza fuentes de todos los atributo. con dos ninguno de los
información confiable. Aplica atributos. atributos. atributos.
Normas IEEE
Originalidad (creación
propia). Honestidad aplica
Normas IEEE (si existe plagio
se anulan todos los
criterios) y cumple en la fecha
establecida en el calendario
de entregas. Valor 5 %.
Valor total 15 % Valor total 15 Valor total 10.75 Valor total Valor total 0%
15 % % 7.5 %

12 12 Zamudio Radilla Antonia