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Nombre:

Diego Enrique Javier

Matrícula:

2020-0655

Asignatura:

Introducción a la electrónica

Trabajo:

Estructura Atómica y Dopaje

Docente:

Silenny Vasquez

ESTRUCTURA ATOMICA Y DOPAJE DIEGO JAVIER

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Introducción

El átomo se compone de un núcleo, el cual es la parte central, allí se encuentran los

protones y los neutrones. Es la parte con mayor masa y posee una densidad de 10 13 a

1014𝑔/𝑐𝑚3

Por mucho tiempo se pensó que el átomo era indivisible, pero las diferentes teorías
que se desarrollaron a lo largo de los años dejaron en claro que esto no era así.

La corona electrónica es la parte exterior del núcleo en donde se encuentran orbitando

los electrones alrededor del centro. Ocupan la mayor parte del volumen del átomo. El
diámetro de la corona electrónica siempre es superior al núcleo, aunque el núcleo posee
mayor masa.

Los electrones y los protones determinan las propiedades químicas de los elementos.
Los neutrones no participan en las reacciones químicas en condiciones normales.

No todos los materiales permiten el paso de la corriente eléctrica. Hay materiales por
los que los electrones no pueden circular y otros por los que los electrones fluyen con
mucha facilidad. Conocer estos materiales va a serte útil para fabricar componentes
eléctricos.

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1. Explique la estructura atómica de los aislantes, conductores y

semiconductores

Aislantes

Son materiales que no conducen la corriente eléctrica, es decir, no permiten que los
electrones se desplacen a través de ellos. Esto se debe a que en estos materiales todos
los electrones se encuentran fuertemente ligados a sus átomos respectivos, ya que
forman parte de los enlaces atómicos que configuran su estructura interna. En
consecuencia, los electrones no se pueden mover, es decir, no existen electrones libres,
y esto impide que pueda pasar la corriente eléctrica a través del material aislante.

Un átomo de un aislante posee dos o más órbitas, con cada una de ellas completada
con la cuota de electrones. Por ejemplo, si un átomo tiene un núcleo de 10 protones,
tendrá 10 electrones. En la primera capa tendrá 2 electrones, y en la segunda 8. Como
la segunda órbita está completa, es muy difícil desalojar a un electrón fuera del átomo.

Conductores

Son materiales que conducen la corriente eléctrica con facilidad. Generalmente son
metales (cobre, aluminio...). Los metales son materiales sólidos constituidos por un
bloque interior muy compacto, formado por núcleos atómicos, rodeados por una especie
de «nube» de electrones. Los electrones que configuran esta nube se encuentran
desligados de sus átomos, es decir, se trata de electrones «libres» que pueden moverse
fácilmente. Esta facilidad de movimiento es la razón por la que los metales son buenos
conductores de la corriente eléctrica, pues los electrones se pueden desplazar fácilmente
a través de ellos.

El grado de conductividad de un elemento viene dado por la cantidad de electrones

de la última órbita del átomo.

Semiconductores

Los materiales se comportan de modo diferente según su capacidad para transportar

la corriente eléctrica. Basándose en este comportamiento, los diferentes tipos de

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materiales existentes se pueden clasificar en conductores, aislantes y semiconductores,

que constituyen la base de los dispositivos electrónicos.

Son materiales que presentan unas características intermedias entre los conductores
y los aislantes. En condiciones normales son aislantes y no dejan pasar la corriente
eléctrica, pero bajo ciertas circunstancias, si reciben energía externa, pueden pasar a ser
conductores. Los materiales semiconductores pueden ser intrínsecos o extrínsecos.

Semiconductores intrínsecos

Los principales materiales que presentan propiedades semiconductoras son

elementos simples, como el silicio (Si) y el germanio (Ge).

Estos elementos son tetravalentes, es decir, tienen cuatro electrones de valencia, y

forman enlaces covalentes en los que comparten estos electrones con los átomos
vecinos. El enlace covalente mantiene «anclados» a los electrones e impide su
desplazamiento, por lo que da lugar a materiales que no pueden conducir la corriente
eléctrica.

Semiconductores extrínsecos

Los semiconductores intrínsecos presentan una conductividad muy baja, por lo que
se han buscado métodos para aumentar su valor. Esto ha dado lugar al desarrollo de los
semiconductores extrínsecos. También podemos conseguir que un material
semiconductor se convierta en conductor aportándole las cargas eléctricas necesarias
para que pueda conducir la corriente eléctrica. Esto se logra introduciendo impurezas en
el material, mediante un proceso denominado dopado, y en este caso hablamos de
conducción extrínseca.

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2. ¿Por qué el material semiconductor es el más utilizados en dispositivos

electrónicos?

Un material semiconductor es aquel que bajo unas determinadas circunstancias

permite el paso de corriente eléctrica, mientras que si se dan otras diferentes impide esa
trasmisión de corriente eléctrica y actúa como un aislante.

Los semiconductores son especialmente útiles en la industria de la electrónica, dado

que permiten conducir y modular la corriente eléctrica de acuerdo a los patrones
necesarios.

Después del descubrimiento del diodo en 1939 y posterior mente en 1949 el transistor,
se usaba el germanio ya que de cierto modo era fácil de encontrar y estaba disponible
en grandes cantidades. La técnica con la que se refinaba era relativa mente fácil y se
obtenían niveles de pureza muy altos, sin embargo, posteriores investigaciones arrojaron
evidencia que diodos y transistores construidos con germanio eran poco confiables,
sobre todo a los cambios de temperatura.

Los científicos de aquel entonces conocían otro material, el silicio, tenía mejor
sensibilidad a la temperatura, pero el proceso de refinado para conseguir niveles altos
de pureza se encontraba aun en una fase investigativa. Finalmente, en 1954 se presentó
el primer transistor de silicio y este de inmediato se convirtió en el material semiconductor
preferido, ya que no solo era sensible a temperaturas, sino que este se encuentra en
grandes cantidades en la tierra, por lo que cualquier preocupación sobre su disponibilidad

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acabo. Durante las décadas venideras este nuevo material abrió las compuertas y la
tecnología de diseño y fabricación evolucionando hasta un alto nivel de complejidad.

El campo de la electrónica se volvió mucho más sensible, ya que los computares

operaban cada vez más a velocidades mucho más altas, entonces se tenía que encontrar
otro material semiconductor que cumpliera con estas necesidades. El resultado de años
de investigación fue el GaAS, este fue el primer transistor creado en la década de los
70`s, que operaba a velocidades cinco veces la del Si. No obstante, el problema fue por
los años de diseño e investigación en el proceso con el Si, las redes de transistores de
Si para la

mayoría de aplicaciones eran más baratas de fabricar y ofrecían la ventaja estratégica

de diseño altamente eficiente, mientras tanto el GaAs era más difícil de fabricar a altos
niveles de prueba y mucho

más caro, también, tenía poco apoyo de diseño en los primeros años de su desarrollo.
Con el tiempo la demanda de mayor velocidad dio resultado, se dieron más fondos a la
investigación del GaAs, al punto que se usa de manera consiente como material base
para nuevos diseños de circuitos integrados a gran escala.

or otro lado, el GaAs no será el único material apropiado en la construcción de estado

sólido. Se siguen fabricando dispositivos con germanio, en un número limitado de
aplicaciones. Aun cuando es sensible a la temperatura este tiene características que
encuentra aplicación en diferentes áreas, dada su disponibilidad y los bajos costos para
su fabricación. El Si sigue siendo el material líder para componentes electrónicos y
circuitos integrados (CI). El GaAs es más caro, pero en cuanto van mejorando los
procesos de fabricación también mejoran y las demandas de mayores velocidades se
incrementan, comenzara a desafiar al Si como el semiconductor dominante de la
industria.

3. Explique en que consiste el proceso de dopado, materiales tipo n y tipo p.

Se le denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un

semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (también referido como

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intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas
dependen del tipo de semiconductores a dopar.

El dopaje es una técnica utilizada para variar el número de electrones y huecos en

semiconductores

Dopaje crea material de tipo N cuando los materiales semiconductores del grupo IV
se dopan con los átomos del grupo V. materiales de tipo P se crean cuando los materiales
semiconductores del grupo IV se dopan con los átomos del grupo III.

Materiales de tipo N aumentan la conductividad de un semiconductor mediante el

aumento del número de electrones disponibles; materiales de tipo P aumentar la
conductividad al aumentar el número de orificios presentes.

Es posible cambiar el equilibrio de electrones y huecos en una red cristalina de silicio

por "dopaje" con otros átomos.

Los átomos con un electrón más de valencia que el silicio se utilizan para producir
material semiconductor "de tipo n". Estos materiales de tipo n son elementos del grupo
V de la tabla periódica, y por lo tanto sus átomos tienen 5 electrones de valencia que
pueden formar enlaces covalentes con los electrones de valencia 4 que tienen átomos
de silicio. Debido a que sólo 4 electrones de valencia se necesitan de cada átomo (silicio
y de tipo n) para formar los enlaces covalentes alrededor de los átomos de silicio, el
electrón de valencia adicional presente (porque los materiales de tipo n tienen 5
electrones de valencia) es libre de participar en la conducción cuando los dos átomos se
enlazan. Por lo tanto, se añaden más electrones a la banda de conducción y por lo tanto
aumenta el número de electrones presentes.

Los átomos con uno menos de los electrones de valencia resultan en material "tipo p".
Estos materiales de tipo p son elementos del grupo III de la tabla periódica. Por lo tanto,
el material de tipo p tiene sólo 3 electrones de valencia con los que interactuar con
átomos de silicio. El resultado neto es un agujero, ya que no hay suficientes electrones
para formar los 4 enlaces covalentes que rodean los átomos. En el material de tipo p, el
número de electrones atrapados en enlaces es mayor, aumentando así efectivamente el
número de agujeros. En materiales dopados, siempre hay más de un tipo de portadores

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que el otro y el tipo de portadores con la concentración más alta se llaman "portador
mayoritario", mientras que el portador de menor concentración se llama un "portador
minoritario."

Conclusión

Hemos aprendido que La diferencia importante entre conductores y aislantes, es que

en un conductor hay uno o dos electrones en la capa externa, por lo tanto, no están
ligados con fuerza al núcleo, mientras que los aislantes tienen su última órbita completa
o casi completa.

Los semiconductores son elementos fabricados, que no se hallan en la naturaleza.

Los elementos utilizados en la producción de semiconductores (mayoritariamente

silicio), no poseen ninguna propiedad que sea de utilidad para conducir electrones, pero
mediante un proceso conocido como doping, se adicionan átomos de impureza
(antimonio, fósforo, boro, galio, etc.) logrando dispositivos que permiten paso de carga
eléctrica bajo determinadas condiciones.

Bibliografía.

• https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)#:~:text=En%20la
%20producci%C3%B3n%20de%20semiconductores,tipo%20de%20semicondu
ctores%20a% 20dopar

• https://www.vistronica.com/blog/post/semiconductores.html
• https://www.radiation-dosimetry.org/es/que-es-el-dopaje-de-los-

semiconductores- definicion/

• https://deisysegura.wordpress.com/fisica-electrica/1-corte/electricidad- 2/atomo-
conductor-y-aislante/.

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