UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PUEBLA

Organismo Público Descentralizado Del Gobierno Del

Estado De Puebla

PRODUCTO ACADEMICO NÚMERO 3:

MATERIALES SEMICONDUCTORES

TÉCNICO SUPERIOR UNIVERSITARIO EN ENERGÍAS RENOVABLES, ÁREA SOLAR

PRESENTAN:
LAURA IVON MENDEZ MOLINA
ALDO LÓPEZ CORDOBA
IRAM EDUARDO SANCHEZ BRETÓN
CHRISTOPHER EDSON HERNANDEZ REYES

PROFESOR:
ALFONSO BARONA ROSALES

MATERIA:
ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES

4° CUATRIMESTRE, GRUPO A

FECHA:
LUNES 22 DE NOVIEMBRE DEL 2021
ÍNDICE

TIPOS Y CARACTERÍSTICAS DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES . 3

APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES .............................................. 3
ESTRUCTURA ATÓMICA DE LOS SEMICONDUCTORES ............................... 3
CARACTERÍSTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS ............. 5
• SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO N (DONADORES) ................ 5
• SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO P (ACEPTORES). ................ 5
DOPAJE EN MATERIALES SEMICONDUCTORES ........................................... 6
ELEMENTOS DOPANTES .................................................................................. 7
SEMICONDUCTORES DE GRUPO IV................................................................ 7
TIPOS DE MATERIALES DOPANTES ................................................................ 7
TIPO N ................................................................................................................. 7
TIPO P ................................................................................................................. 8
BIBLIOGRAFÍA ...................................................................................................... 9

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MATERIALES SEMICONDUCTORES
TIPOS Y CARACTERÍSTICAS DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son materiales capaces de actuar como conductores

eléctricos o como aislantes eléctricos, dependiendo de las condiciones físicas en
que se encuentren. Estas condiciones usualmente involucran la temperatura y la
presión, la incidencia de las radiaciones o las intensidades del campo eléctrico o
campo magnético al cual se vea sometido el material.
Los semiconductores están compuestos por elementos químicos muy variados
entre sí, que de hecho provienen de regiones distintas de la Tabla Periódica, pero
que comparten ciertos rasgos químicos (generalmente son tetravalentes), que les
confieren sus particulares propiedades eléctricas. En la actualidad, el
semiconductor más empleado es el silicio (Si), particularmente en la industria
electrónica y de la computación.
Junto con los materiales aislantes, los semiconductores fueron descubiertos en
1727 por el físico y naturalista inglés Stephen Gray (1666-1736), pero las leyes que
describen sus comportamientos y propiedades fueron descritas mucho después, en
1821, por el célebre físico alemán Georg Simon Ohm (1789-1854).

APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son especialmente útiles en la industria de la electrónica, dado

que permiten conducir y modular la corriente eléctrica de acuerdo con los patrones
necesarios. Por esa razón, es usual que se empleen para:
• Transistores
• Circuitos integrados
• Diodos eléctricos
• Sensores ópticos
• Láseres de estado sólido
• Moduladores de transmisión eléctrica (como un amplificador de guitarra
eléctrica)

ESTRUCTURA ATÓMICA DE LOS SEMICONDUCTORES

Visión de conjunto
1. Los semiconductores son compuestos de átomos unidos juntos para formar
una estructura uniforme.

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 2. Cada átomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia que son
compartidos, que forma un enlace covalente con los cuatro átomos de Si
circundantes.
3. La comprensión de cómo se organizan estos átomos es de vital importancia
en la comprensión de las propiedades de los materiales de diferentes
semiconductores, y la mejor manera de aplicar ingeniería ellos.

Semiconductores, como el silicio (Si) se componen de átomos individuales unidos

entre sí en una estructura regular y periódica para formar un entramado por el cual
cada átomo está rodeado por 8 electrones. Un átomo individual se compone de un
núcleo formado por un núcleo de protones (partículas con carga positiva) y
neutrones (partículas que no tienen carga), rodeado por electrones. El número de
electrones y protones es igual, de tal manera que el átomo es eléctricamente neutro,
en general. Los electrones que rodean a cada átomo en un semiconductor son parte
de un enlace covalente. Un enlace covalente se compone de dos átomos
“compartiendo” un solo electrón. Cada átomo forma 4 enlaces covalentes con los 4
átomos circundantes. Por lo tanto, entre cada átomo y sus 4 átomos circundantes,
8 electrones se comparten. La estructura de un semiconductor se muestra en la
siguiente figura.

Ilustración 1: Representación esquemática de los enlaces covalentes en una red cristalina de silicio. Cada línea que une los
átomos representa un electrón que se comparte entre los dos. Los dos electrones que se comparten forman el enlace
covalente.

Los semiconductores pueden ser de dos tipos distintos, dependiendo de su

respuesta al entorno físico en que se encuentren:

CARACTERÍSTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS

Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante

porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energía
térmica.

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Están conformados por un único tipo de átomos, dispuestos en moléculas
tetraédricas (o sea, de cuatro átomos con valencia de 4) y sus átomos unidos por
enlaces covalentes.

Esta configuración química impide el movimiento libre de los electrones alrededor

de la molécula, excepto ante un aumento de temperatura: entonces los electrones
toman parte de la energía disponible y “saltan”, dejando un espacio libre que se
traduce como una carga positiva, que a su vez atraerá nuevos electrones. Dicho
proceso se llama recombinación, y la cantidad de calor requerida para ello depende
del elemento químico del que se trate.

En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque

la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por acción de la energía
térmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto, hay
tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero.

CARACTERÍSTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS

Estos materiales permiten un proceso de dopaje, es decir, permiten que se incluyan

en su configuración atómica algún tipo de impurezas. Dependiendo de estas
impurezas, que pueden ser pentavalentes o trivalentes, los materiales
semiconductores se dividen en dos:

• SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO N (DONADORES). En este

tipo de materiales, los electrones superan en número a los huecos o
portadores de carga libre (“espacios” de carga positiva). Cuando se aplica
una diferencia de potencial al material, los electrones libres se mueven hacia
la izquierda del material y los huecos entonces hacia la derecha. Cuando los
huecos llegan al extremo derecho, los electrones del circuito externo entran
al semiconductor, y se produce la transmisión de corriente eléctrica.
• SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO P (ACEPTORES). En estos
materiales, la impureza añadida, en lugar de aumentar los electrones
disponibles, aumenta los huecos Así, se habla de material aceptor añadido,
ya que hay mayor demanda de electrones que disponibilidad y cada “espacio”
libre en donde debería ir un electrón sirve para facilitar el paso de la corriente.

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DOPAJE EN MATERIALES SEMICONDUCTORES

Ilustración 2; Esquema del campo eléctrico creado en una célula fotovoltaica mediante la unión pn entre dos capas de

semiconductores dopados.

En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional

de agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente
puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades
eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar.
A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como
extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como
un conductor que, como un semiconductor, es llamado degenerado.
El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las
capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeño. Cuando se
agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1 cada
100 000 000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando
se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10 000 átomos) entonces
se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la
nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.

1. El dopaje es una técnica utilizada para variar el número de electrones y

huecos en semiconductores.
2. Dopaje crea material de tipo N cuando los materiales semiconductores del
grupo IV se dopan con los átomos del grupo V. materiales de tipo P se crean
cuando los materiales semiconductores del grupo IV se dopan con los
átomos del grupo III.
3. Materiales de tipo N aumentan la conductividad de un semiconductor
mediante el aumento del número de electrones disponibles; materiales de
tipo P aumentar la conductividad al aumentar el número de orificios
presentes."

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ELEMENTOS DOPANTES

SEMICONDUCTORES DE GRUPO IV

Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de silicio,
los dopantes más comunes son elementos del Grupo III o del Grupo
V. Boro, Arsénico, Fósforo, y ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar
al Silicio.

TIPOS DE MATERIALES DOPANTES

TIPO N

Se llama material tipo N (o negativo) al que posee átomos de impurezas que

permiten la aparición de electrones (de ahí su denominación de negativo o N)
sin huecos asociados a los mismos semiconductores. Los átomos de este tipo se
llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones.
Suelen ser de valencia cinco (Grupo VA de la tabla periódica), como el Arsénico y
el Fósforo. De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad eléctrica, ya que
el átomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrón no ligado,
a diferencia de los átomos que conforman la estructura original, por lo que la energía
necesaria para separarlo del átomo será menor que la necesitada para romper una
ligadura en el cristal de silicio (o del semiconductor original).
Finalmente, existirán más electrones que huecos, por lo que los primeros serán los
portadores mayoritarios y los últimos los minoritarios. La cantidad de portadores
mayoritarios será función directa de la cantidad de átomos de impurezas
introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fósforo (dopaje N). En el caso
del Fósforo, se dona un electrón.

Ilustración 3; Dopaje de tipo N

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TIPO P

Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten la formación
de huecos (de ahí que se denominen P o positivos) sin que aparezcan electrones
asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los átomos de este
tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrón. Suelen ser
de valencia tres (grupo III de la tabla periódica), como el Aluminio, el Indio o
el Galio. Nuevamente, el átomo introducido es neutro, por lo que no modificará la
neutralidad eléctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su
capa de valencia, aparecerá una ligadura rota, que tenderá a tomar electrones de
los átomos próximos, generando finalmente más huecos que electrones, por lo que
los primeros serán los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios. Al
igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores mayoritarios será función
directa de la cantidad de átomos de impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (dopaje P). En el caso
del boro le falta un electrón (de acuerdo con la regla del octeto) y, por tanto, se dona
un hueco de electrón.

Ilustración 4; Dopaje de tipo P

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BIBLIOGRAFÍA

DESCONOCIDO. (2017). CONCEPTO. Obtenido de SEMICONDUCTORES:

https://concepto.de/semiconductores/
DESCONOCIDO. (2020). DOPADO DE UN SEMICONDUCTOR. Obtenido de
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina
5.htm
HONSBERG. (2 de 7 de 2020). PVEDUCACIÓN. Obtenido de ESTRUCTURA
SEMICONDUCTORA:
https://www.pveducation.org/es/fotovoltaica/estructura-semiconductora
WIKIPEDIA. (s.f.). SEMICONDUCTORES. Obtenido de WIKIPEDIA:
https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)