UNIVERSIDAD DE NARIÑO

LABORATORIO DE FÍSICA
ELECTRONICA I
PRACTICA No. 8
CONFIGURACION DE DIODOS CON ENTRADAS DC
OBJETIVOS
 Aplicar la segunda aproximación del diodo semiconductor a diferentes circuitos con diodos
en serie y paralelo
MATERIALES.

 Caja de conexiones para diodos

 Fuente de voltaje regulada 0 – 30 VDC
 Multímetro digitales
 Resistencias de carbón: 270Ω, 330 Ω, 470Ω,
 Diodos de Silicio y germanio
 cables
CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS (MODELOS)
El circuito equivalente para un diodo consiste en aproximar la curva característica del
dispositivo mediante segmentos lineales. El circuito equivalente que resulta se le llama
circuito equivalente de segmentos lineales.
A partir de la figura No.1 debe resultar obvio que los segmentos lineales no resultan ser
una duplicación exacta de las características reales, sobre todo en la región de inflexión de
la curva de respuesta. Sin embargo, los segmentos resultantes son lo suficientemente cercanos a la curva reales para establecer un circuito equivalente
una buena aproximación al comportamiento real del diodo en el circuito
Rav representa la resistencia promedio en estado encendido
Para un diodo de silicio el estado de conducción se alcanza hasta cuando VD alcanza aproximadamente 0.7 V con una polarización directa (Ver figura
1), debe aparecer una batería VT que se opone a la conducción en el circuito equivalente (Ver Fig.2)
VT en el circuito equivalente no es una fuente de voltaje independiente. Si se coloca un voltímetro a través de un diodo aislado, no se obtendrá una
lectura de 0.7 V. La batería solo representa un desfasamiento horizontal en la curva característica del diodo que se debe exceder para que se
establezca la conducción
Ejercicio

∆V d
De la figura 1, demuestre que r av = = 11.1 Ω
∆ Id
RESUMEN DE LAS APROXIMACIONES DE LOS DIODOS
 PROCEDIMIENTO

En general un diodo esta “encendido” si la corriente establecida por las fuentes aplicadas es tal que se dirección coincide con la flecha del símbolo del
diodo y VD ≥ 0.7V (Si) y VD ≥ 0.3V (Ge)

Armar cada uno de los circuitos, resolverlos teóricamente, es decir encontrar los valores pedidos en forma teórica y luego encontrar los valores
experimentales anotando sus datos en la HOJA DE DATOS hacerlas las respectivas comparaciones y obtener sus propias conclusiones acerca de la
validez del modelo propuesto

1. CIRCUITO 1

Para la configuración de diodos (Si) de la figura 3, hallar V D, VR e ID.

Utilice la segunda aproximación del diodo VT = 0.7V.
Resuelva teóricamente el circuito antes de armarlo y registrar los datos

3. CIRCUITO 3

Para la configuración de diodos de la figura 5, hallar V 0. Utilice la

segunda aproximación del diodo VT = 0.7V
Resuelva teóricamente el circuito antes de armarlo y registrar los datos

2. CIRCUITO 2

Para la configuración de diodos de la figura 4, hallar V 0 e ID. Utilice

la segunda aproximación del diodo VT = 0.7V
Resuelva teóricamente el circuito antes de armarlo y registrar los datos
 Resuelva teóricamente el circuito antes de armarlo y registrar los datos

4. CIRCUITO 4

Encontrar la corriente I1, el voltaje V2, la corriente I2 y por último la

corriente en el diodo ID2 para el circuito de la figura 6
PROBLEMAS

1. Dos diodos de Si se conectan en oposición como se muestra en la Figura 7 y se alimenta con una batería de 5 voltios a una
temperatura de 18°C. Utilizando el modelo matemático del diodo encontrar los voltajes V 1 y V2 (Nota. Utilice el modelo de la

( ) donde V T
VD
ecuación teórica del diodo ηVT (V )= yη=2
I D =I S e −1 T
11600
2. Encontrar la corriente I para el circuito de la Figura 8 (utilice 2ª aproximación del diodo)
 HOJA DE DATOS

CONFIGURACION DE DIODOS CON ENTRADAS DC

CIRCUITO 1

VALORES TEORICOS

R(Ω) = _______________

E(V) VD(V) VR(V) = E - VD ID(mA) =IR=VR/R

Polar. Directa 8.0

Polar. Inversa 8.0

Polar. Directa 0.5

VALORES EXPERIMENTALES

E(V) VD(V) %Error VR(V) %Error ID(mA) %Error

Polar. Directa 8.0

Polar. Inversa 8.0

Polar. Directa 0.5

Que conclusiones puede deducir acerca de la segunda aproximación del diodo

CIRCUITO 2

VALORES TEORICOS
R(Ω) = _______________

E(V) VD Si (V) VD Ge (V) V0(V) = E – (VD Si + VD Ge) ID(mA) =V0/R

Diodos directos 9.0

Diodo de Ge invertido 9.0

VALORES EXPERIMENTALES

E(V) VD Si (V) VD Ge (V) V0(V) %Error ID(mA) %Error

Diodos directos 9.0

Diodo de Ge invertido 9.0

Que conclusiones puede deducir acerca de la segunda aproximación del diodo

CIRCUITO 3

VALORES TEORICOS
R(Ω) = _______________

E(V) VD Si (V) VD Ge (V) V0(V) = E – VD Ge ID(mA) =V0/R

9.0

10

VALORES EXPERIMENTALES

E(V) VD Si (V) VD Ge (V) V0(V) %Error ID(mA) %Error

9.0

10

Que conclusiones puede deducir acerca de la segunda aproximación del diodo

CIRCUITO 4

VALORES TEORICOS
R1 = _____1KΩ__________ R2 = _______470Ω________

E(V) VD1 (V) VD2 (V) I1(mA) =VD2/R1 V2(V) =E-VD1-VD2 I2(mA) = V2/R2 ID2(mA) = I2 – I1

15

VALORES EXPERIMENTALES

E(V) VD1 (V) VD2 (V) I1(mA) %Error V2(V) %Error I2(mA) %Error ID2(mA) %Error

15

Que conclusiones puede deducir acerca de la segunda aproximación del diodo

Fecha: _________________
Nombre 1: ___________________________________ Nombre 2: ___________________________________
Nombre 3: ___________________________________ Nombre 4: ___________________________________

Profesor: _______________________________________
Carlos Arturo Rosales