El Diodo semiconductor, principio de funcionamiento:

Practica 1

José David Abril Vera

Facultad de Ingeniería en Electrónica y Telecomunicaciones, Universidad de Cuenca, Av.
12 de Abril, Cuenca, Ecuador
david.abril@ucuenc.edu.ec

Resumen. En la practica 1 está basado en el funcionamiento del diodo, que es un

semiconductor, el cual se determinara mediante la su curva característica V-I,
obtenida a partir de las mediciones experimentales, para ello debemos emplear el
cátalo del Diodo 1N4148 para obtener los parámetros característicos, de esta
manera se puede proceder a polarizar el diodo de manera directa o con una
polarización inversa, después dando algunos valores de voltaje en el circuito se
puede obtener valores para construir la curva característica en polarización
directa y en polarización inversa. Para esta práctica también se procede a utilizar
un simulador de circuitos electrónicos, el simulador que será utilizado es
Multisim, este simulador nos permite realizar el Análisis DC, con ello
obtendremos la curva característica, para ello se realizara un pequeño tutorial en
el que indicamos como realizar el Análisis DC.

Palabras Clave: Diodo, Polarización, Curva, Análisis.

1 Introducción

Las décadas que siguieron a la introducción del transistor en los años cuarenta han
atestiguado un cambio sumamente drástico en la industria electrónica. La
miniaturización que ha resultado nos maravilla cuando consideramos sus límites. En la
actualidad se encuentran sistemas completos en una oblea miles de veces menor que el
más sencillo elemento de las primeras redes. Las ventajas asociadas con los sistemas
semiconductores en comparación con las redes con tubos de los años anteriores son, en
su mayor parte, obvias: más pequeños y ligeros, no requieren calentamiento ni se
producen pérdidas térmicas (lo que sí sucede en el caso de los tubos), una construcción
más resistente y no necesitan un periodo de calentamiento. La miniaturización de los
últimos años ha producido sistemas semiconductores tan pequeños que el propósito
principal de su encapsulado es proporcionar simplemente algunos medios para el
manejo del dispositivo y para asegurar que las conexiones permanezcan fijas a la oblea
del semiconductor.
Tres factores limitan en apariencia los límites de la miniaturización: la calidad del
propio material semiconductor, la técnica del diseño de la red y los límites del equipo
de manufactura y procesamiento. [1]

Es el más sencillo de los dispositivos semiconductores, pero desempeña un papel vital

en los sistemas electrónicos, la capacidad de dejar pasar en un sentido la corriente y no
en el sentido opuesto, además de otras propiedades que podemos encontrar en diodos
"especiales", hacen que sea un elemento imprescindible y que podamos encontrarlo en
prácticamente todos los circuitos electrónicos. Los diodos se usan comúnmente en
puentes rectificadores, como protección para corrientes inversas, como reguladores de
tensión (diodos zener) o como indicadores luminosos (diodos led), aunque existen
muchas más aplicaciones y podemos encontrarlos formando partes de circuitos más
complejos, como puede ser un multiplicador de tensión. Aparte de los detalles de su
construcción y características, los datos y gráficas muy importantes que se encontrarán
en las hojas de especificaciones también se estudiarán para asegurar el entendimiento
de la terminología empleada y para poner de manifiesto la abundancia de información
de la que por lo general se dispone y que proviene de los fabricantes.[2]
2 Marco Teórico

Ahora que los materiales tanto tipo n como tipo p están disponibles, podemos
construir nuestro primer dispositivo electrónico de estado sólido. El diodo
semiconductor, con aplicaciones demasiado numerosas de mencionar, se crea uniendo
un material tipo n a un material tipo p, nada más que eso; sólo la unión de un material
con un portador mayoritario de electrones a uno con un portador mayoritario de huecos.
La simplicidad básica de su construcción refuerza la importancia del desarrollo de esta
área de estado sólido.[3]

2.1 Sin polarización aplicada (𝑽 = 𝟎 𝑽)

En el momento en que los dos materiales se “unen”, los electrones y los huecos en
la región de la unión se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la
región próxima a la unión, como se muestra en la figura 1. Observe en la figura 1 que
las únicas partículas mostradas en esta región son los iones positivos y negativos que
quedan una vez que los portadores libres han sido absorbidos.

Fig. 1. Distribución interna de la Cara en polarización interna.

Esta región de iones positivos y negativos revelados se llama región de

“empobrecimiento”, debido a la disminución de portadores libres en la región.

2.2 Condición de polarización en inversa (𝑽𝑫 < 𝟎 𝑽)

Si se aplica un potencial externo de V volts a través de la unión p-n con la terminal

positiva conectada al material tipo n y la negativa conectada al material tipo p como se
muestra en la figura 2, el número de iones positivos revelados en la región de
empobrecimiento del material tipo n se incrementará por la gran cantidad de electrones
libres atraídos por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por las mismas razones, el
número de iones negativos no revelados se incrementará en el material tipo p. [3]
El efecto neto, por consiguiente, es una mayor apertura de la región de
empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado grande para que los portadores
mayoritarios la puedan superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios se reduce
efectivamente a cero, como se muestra en la figura 2. La corriente en condiciones de
polarización en inversa se llama corriente de saturación en inversa y está representada
por Is.

Fig. 2. Distribución interna de la carga en condiciones de polarización en Inversa.

2.3 Sin Condición de polarización en directa (𝑽𝑫 > 𝟎 𝑽)

La condición de polarización en directa o “encendido” se establece aplicando el

potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al tipo n como se muestra
en la figura 3.

La aplicación de un potencial de polarización en directa VD “presionará” a los

electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se
recombinen con los iones próximos al límite y reducirá el ancho de la región de
empobrecimiento como se muestra en la figura 3. [3]

Fig. 3. Distribución interna de la carga en condiciones de polarización en Directa.

 3 Desarrollo de la Practica

3.1 Materiales

 Fuente variable de corriente continua (CC)

 Protoboard - Voltímetro CC
 Miliamperímetro CC
 Diodo 1N4148
 Resistencia 220Ω
 Cables de conexión

3.2 Procedimiento

a) Completar los valores de la Tabla 1, de acuerdo a las especificaciones de la hoja

característica del diodo semiconductor 1N4148

Tabla 1. Parámetros Característicos del Diodo 1N4148.

Diodo 1N4148
VF 1V
IF 300 mA
IS 5 µA
VZ 100 V

b) Armar el circuito de la figura 4

Fig. 4. Diodo en polarización Directa.

c) Variar el voltaje de la fuente de acuerdo a los valores sugeridos de la Tabla 2.

Emplear el voltímetro y amperímetro en la escala adecuada para completar la tabla.

Tabla 2. Parámetros Característicos del Diodo 1N4148.

V1 (V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 1 2 3 4 5
V1 real (V) 0.1 0.2 0.305 0.42 0.5 0.601 0.715 0.78 1 2 3 4 5
VD (V) 0.1 0.2 0.305 0.397 0.484 0.544 0.581 0.606 0.638 0.7 0.73 0.76 0.78
ID (mA) 0 0 0 0 0 0.33 0.54 0.72 2 6 11 15 20
d) Armar el circuito de la figura 5, realizar las mediciones y completar la tabla 3 con
los datos experimentales.

Fig. 5. Diodo en polarización Indirecta.

Tabla 3. Valores Medidos en el Circuito de Polarización Inversa.

VS (V) 1 2 3 4 5
VD(V) 1 2 3 4 5
IS (mA) 0 0 0 0 0

e) Graficar la curva característica del diodo de acuerdo a los valores obtenidos en las
mediciones en los puntos c (figura 6) y d (figura 7).

Curva Característica
Polarización Directa
0,25
Corriente del DIodo (ID)

0,2

0,15

0,1

0,05

0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
-0,05
Voltaje del Diodo (VD)

Fig. 6. Grafica de la Curva Característica de los datos obtenidos de la tabla 2. Curva

característica en polarización directa.
 Curva caracteristica
Polarización Indirecta
1
Coriente del Diodo (A)

0,8

0,6

0,4

0,2

0
0 1 2 3 4 5 6
Voltaje del Diodo

Fig. 7. Grafica de la Curva Característica de los datos obtenidos de la tabla 3. Curva

característica en polarización indirecta.

f) Investigar y seleccionar un software de simulación para circuitos electrónicos.

Fig. 8. Software utilizado para la simulación de esta práctica.

g) Replicar los puntos b, c, d y obtener la curva característica del diodo mediante la

herramienta de simulación seleccionada y realizar un breve tutorial de los pasos
desarrollados.

1) Primero se arma el circuito en Multisim como se muestra en la figura 9.

2) Una vez armado el circuito se procede a simular, para ello nos dirigimos a
Simular en la barra de opciones, posteriormente seleccionaremos Analyses
and Simulation, como se muestra en la figura 10.
3) Al seleccionar la opción nos aparecerá varias opciones, pero para nuestra
practica nos interesa la curva característica del diodo en DC, por lo tanto,
vamos a seleccionar Barrido en CD figura 11, esta opción nos permite
realizar graficar el circuito en un cierto intervalo, así se puede observar el
comportamiento del circuito gráficamente.

Fig. 9. Circuito armado en Multisim.

Fig. 10. Opción para poder hacer el análisis DC.

 Fig. 11. Barrido de CD.

4) Una vez dado el valor inicial y el valor final figura 11, seleccionamos la
pestaña Salida, en esa pestaña podemos elegir las variables para el análisis del
circuito, es decir, la gráfica de corriente respecto al voltaje, el cual a nosotros
nos interesa la corriente respecto al voltaje del diodo en polarización directa
I(D1[ID]) y la corriente respecto al voltaje del diodo en polarización inversa
I(D2[ID])) figura 12.

Fig. 12. Selección de Variables para análisis.

5) Una vez hecho ello le damos a Run, y observamos cómo nos devuelve el
análisis en DC, figura 13.
 Fig. 13. Selección de Variables para análisis.
6) Luego de simular y obtener las gráficas, editamos estéticamente las gráficas
para una mejor visualización y presentación. Se muestra en la figura 14 y
figura 15.

Fig. 14. Grafica de la Curva Característica obtenida por el análisis en DC. Curva
característica en polarización directa.
 Fig. 15. Grafica de la Curva Característica obtenida por el análisis en DC. Curva
característica en polarización Inversa.

Fig. 16. Considerable aumento a la Gráfica de la Curva Característica obtenida por el

análisis en DC. Curva característica en polarización Inversa.

4 Conclusiones y trabajos futuros

En esta práctica podemos concluir el comportamiento del diodo, el cual funciona como
un interruptor, si le polarizamos en corriente directa funciona como un circuito cerrado,
pero si le polarizamos de manera inversa, funciona como un circuito abierto.
En la práctica la polarización inversa nos muestra la corriente es 0 A, esto en la parte
experimental, pero si observamos en la simulación figura 16, nos muestra una corriente
inversa, muy pequeña que nos muestra en la escala de pA, esto no quiere decir que sea
un error, en la simulación nos muestra una gráfica con cálculos teóricos, es decir sin
perdidas e ideales, pero en la parte experimental nos muestra un valor de 0 mA , si
tuviéramos un instrumento con una escala en pA nos mostraría que si hay corriente
muy pequeña. Debido a que es un semiconductor.
Referencias

[1] «INTRODUCCIÓN A LOS DIODOS Y DIODO IDEAL». [En línea]. Disponible en:
http://alerce.pntic.mec.es/~hmartin/electr%F3nica/componentes/diodo.htm. [Accedido:
07-oct-2019].
[2] «Zona Maker - El Diodo». [En línea]. Disponible en:
https://www.zonamaker.com/electronica/intro-electronica/componentes/el-diodo.
[Accedido: 07-oct-2019].
[3] «Diodos Semiconductores». BOYLESTAD, NASHELSKY. “Teoría de circuitos y
dispositivos electrónicos”, 10 ed. PEARSON EDUCATION, México, 2009.