Soluciones del capítulo 1 de física de circuitos de Boylestad

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Physics & Mathematics
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Practica Electronics For puntos 1.4 al 1.9 Arduino
Principiantes de Dummies libro electrónica Essentials
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Universidad Técnica de Cotopaxi

Cotopaxi
Facultad de Ciencias de la Ingeniería y Aplicadas
SOLUCIONARIO DEL CAPÍTULO # 1 DE BOYLESTAD
Cruz A.D1 Changoluisa J.D2 Gallo M.D 3 Chonata A.F 4
Facultad de Ciencias de la Ingeniería y Aplicadas,

Universidad Técnica de Cotopaxi, Cotopaxi
E-mail: dxny-lion@hotmail.com
E-mail: josechangoluisa2013@hotmail.com
E-mail: mar.es.rbn@gmail.com
E-mail: chonataalex1h@gmail.com
PROBLEMAS PROPUESTOS
ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS
1. B osquej
osquejee la estr
estructur
uctura
a ató
atómmi ca de
del cobre
cobre y explique
pli que por
por qué es un buenbuen conducto
en qué forma su estrestructur
ucturaa es
es dif
difer ente de la de
del ge
g er manio,
anio, el sili
si lici
cioo y el
el arse
ar seni
niur
ur
gali
gali o.
El cobre tiene 20 electrones en órbita con solo un electrón en la capa más externa.
ex terna.
El hecho de que la capa más externa con su electrón 29 es incompleta y su penúltim
capa puede contener 2 electrones) y distante del núcleo revela que este electrón es
débilmente ligado a su átomo padre. La aplicación de un campo eléctrico externo de
polaridad correcta
cor recta puede dibujar fácilmente
f ácilmente esto sin apretar electrones unidos desde
estructura atómica para la conducción.
Tanto el silicio intrínseco como el germanio tienen conchas externas completas debido
intercambio (covalente unión) de electrones entre átomos. Electrones que son parte d
una estructura de caparazón completa requieren mayores niveles de fuerzas atractiv
aplicadas para ser eliminados de su átomo padre.
2. Con sus

sus propi
ropi as palab
labr as, defina
fi na un materi al intríns
intrí nse
eco,
co, coe
coeficie
fi cient
nte
e de temperat
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Cotopaxi
3. Consu
Consultlte
e su bibliot
ibliote eca de refe
referr enci
nci a y haga
haga una lista
lista de tres
res materi ales
les que teng
un coef
coefi cie
ci ente de
de te tempe
mper atur
aturaa negativo
negativo y dede tre
tres que teng
tengan
an un coef
coefi cie
ci ente
tem
temper
per atur
aturaa posi
posititivo.
vo.
TEMPERATURA POSITIVA TEMPERATURA NEGATIVA
Plata = 3.8×10−3 ºC Carbón = -0.5×10−3 ºC
Cobre = 3.9×10 −3 ºC Germanio = -48×10−3 ºC
Oro = 3.4×10 −3 ºC ×10−3 ºC ºC Silicio = -75×10−3 ºC
NIVELES DE ENERGÍA
4. ¿ C uánta energí
nerg í a en
en joule
j ouless se re
requie
quier e par
par a mov
move
er una carga
carg a de
de 6 C a través
través de
diferencia de potencial de 3 V?
W = QV = (6 C)(3 V) = 18 J
5. Si se req
requier
uier en 48 eV de
de ener
ner gía
gí a para mover una
una carg
cargaa a travé
ravés de una di fere
ferenc
nc
po
potencial
ncial de 12 V , de
deter mine la car
car ga implica
implicad
da.
48 eV = 48(1.6 × 10 −19 J) = 76.8 × 10−J

 
 =  = . −
 = 6.40x10 C es la carga asociada con 4 electrones.
6. C onsulte su bibli
bi bliot
ote
eca de
de r ef er encia
nci a y de
deter
ter mi ne el
el ni vel
vel de E g para GaP
G aP y ZnS
ZnS
materiales semiconductores de valor práctico. Además, determine el nombre escri
pa
par a cad
cada materi al.
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que tienen más electrones de valencia de los necesarios para establecer el enla
covalente. El portador mayoritario es el electrón mientras que el portad
minoritario es el hoyo
 Un material semiconductor de tipo p se forma dopando un material intrínseco co
aceptor átomos que tienen una cantidad insuficiente de electrones en la capa d
valencia para completar el covalente unión creando así un agujero en la estructu
covalente. El operador mayoritario es el agujero mientras que el portad
minoritario es el electrón.
8. Describa la diferencia entre impurezas de donadores y aceptores.

Las impurezas de donadores son difundidos con 5 electrones de valencia.
Las impurezas de aceptores son difundidos con 3 electrones de valencia.
9. Descri ba la diferencia entre portadores mayoritarios y minoritarios.
Los portadores mayoritarios son los portadores de un material que superan con
abundancia el número de portadores en cualquier otro material.
Los portadores minoritarios son aquellos de un material que son menos en nú-
mero que cualquier otra portadora del material.
10. Bosqueje la estructura atómica del silicio e inserte una impureza de arsénico co
se demostró para el silicio en la figura 1.7.
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12. Consulte su biblioteca de referencia y busque otra explicación del flujo de hueco
contra el de electrones. Con ambas descripciones, describa con sus propias palabr
proceso de conducción de huecos.
Al estar una temperatura por encima del cero absoluto habrán electrones que están
excitados causando la banda y entrando a la banda de conducción donde podrán
producir corriente al cruzar el electrón deja un puesto vacante o hueco en
estructura cristalina del silicio tanto el electrón como el hueco pueden moverse a
través del material.
DIODO SEMICONDUCTOR
13. Describa con sus propias palabras las condiciones establecidas por condiciones d
polari zación en directa y en inversa en un diodo de unión p_n y cómo se ve afecta
corriente resultante.
 El terminal positivo conectado al material tipo n y el negativo conectado al tipo
p, ya que el número de iones positivos en la región de empobrecimiento del
material tipo n se incrementara para la gran cantidad de electrones libre atraídos
por el voltaje aplicado.
 La aplicación de un potencial de polarización en directa VD presionara a los

electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se
recambien con los iones próximos al límite y reducirá el ancho de la regio de
empobrecimiento.
14. Describa cómo recordará los estados de polarización en directa y en inversa d

diodo de unión p_n. E s decir, ¿cómo recordará cual potencial (positivo o negativo
aplica a cual terminal?
En la región tipo p positivo y el región tipo n negativo, para conectar d e forma inversa
invierte la polaridad se puede saber cuál es positivo y negativo basándonos en la band
de color que tienen los diodos.
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 = (/ 1)=50 . /∗.  1

 =7.16≅7.2
16. R epita el problema 15 con t = 100 °C (punto de ebulli ción del agua) suponga q
 se a incrementado a 50 uA.
=273+°=273+100=373
 1.3810 − /373
 =  = 1.610− =32.1712
 = (/ 1)=50. /.  1
 =0.56=56
17. a. Con la ecuación (1.1) determine la corriente a 20°C en un diodo de silicio con
= 0.1 uA con un potencial de polarización en inversa de -10 V .
 = 273 + ° = 273 + 20 = 293 

 1.3810 − /293
 =  = 1.610− =25.2712
−
 = (/ 1)=0.1. 1=0.1
b. ¿E s el resultado esperado? ¿Por qué?

v
Con valores negativos de D el término exponencial se reduce con rapidez por debajo

del nivel de I y la ecuación resultante para  es:
 ≅ 
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18. a. G rafique la función  = ⅇ con x de 0 a 10. ¿Por qué es difí cil hacerlo?
Rango Y = e^x
e^x
0
25000
1 2,71828182
2 7,38905609
20000
3 20,0855369
4 54,5981
5 148,41315
15000 6 403,428793
7 1096,63315
8 2980,95798
10000
9 8103,08391
10 22026,4657
5000
0
0 2 4 6 8 10 12
b. ¿Cuál es el valor de  = ⅇ con x = 0?

El valor dado que es elevado a una potencia la cual es cero su valor drásticamente es 1
c. Basado en los resultados de la parte (b), ¿por qué es importante el factor de -1 en

la ecuación (1.1)?
Observe en la figura 1.15 que con valores negativos de VD la corriente en esencia es
horizontal al nivel de Is. Con V = 0 V, la e cuación (1.1) se vuelve
 =   1 = 1  1 = 0 
19. E n la región de polarización en inversa la corriente de saturación de un diod

silicio es de alrededor de 0.1 uA (T = 20°C). Determine su valor aproximado s
temperatura se incrementa 40°C.
T = 20 °C  = 0.1 
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20. Compare las características de un diodo de silicio y uno de germanio y determi

cuál preferiría utilizar en la mayorí a de las aplicaciones prácticas. D é algunos deta
Consulte la lista del fabricante y compare las características de un diodo de silicio y d
uno de germanio de características nominales máximas similares.
El diodo de silicio es el que brinda mayores prest aciones ya que soporta niveles altos
de tolerancia mientras que un diodo de germanio está limitada
21. D etermine la caída de voltaje en dir ecta a través del diodo cuyas característ
aparecen en la figura 1.19 a temperaturas de -75° C, 25°C, 125° C y una corriente de
mA. Determine el nivel de corriente de saturación para cada temperatura. Compar
valores extremos de cada una y comente sobre la relación de las dos.
-75 °C 25 °C 125 °C
1.1 V 0.85 V 0.6 V
0.1 pA 1 pA 1.05 uA
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El significado de la palabra ideal básicamente consiste en un elemento el cual es

perfecto y no posee ninguna irregularidad.
23. Describa con sus propias palabras las caracterí sticas del diodo ideal y có
determinan los estados de encendido y apagado del dispositivo. E s decir, describa
qué los equivalentes de cortocir cuito y circuito abierto son corr ectos.
Un diodo ideal al no poseer perdidas al conectarse en directa, es decir que la parte
positiva se conecta al cátodo y la negativa al ánodo esta se comportara como un corto
circuito dado que los materiales n y p dejan pasar fácilmente la corriente; pero si la
conexión es en inversa se comportara como un circuito abierto dado que los elementos
que contiene el diodo no dejaran pasar los electrones dado que todos sus huecos han
sido llenados.
24. ¿C uál es la diferencia importante entre las caracterí sticas de un interr uptor sim
y las de un diodo ideal?
La diferencia más importante que tiene un interruptor con respecto a un diodo es la
siguiente:
Un interruptor puede transferir corriente tanto en inversa como en directa, mientras qu

un diodo solo conduce en directa, en tanto que en inversa el diodo se comporta como u
corto circuito.
1.8 Niveles de resistencia

25. Determine la resistencia estática o de cd del diodo comercialmente disponible
la figura 1.15 con una corriente en directa de 2 mA.
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vD = 0.66 V
ID = 0.2 mA
 = 0.65
2
 = 325 Ω
26. Repita el problema 25 con una corri ente en dir ecta de 15 mA y compare l
resultados.
 = 15 
 = 0.82 
 = .
 
 =.Ω
27. Determine la resistencia estática o de cd del diodo comercialmente disponible
figura 1.15 con un voltaje en inversa de 10 V. ¿Cómo se compara con el v
determinado con un voltaje en inversa de =30 V?
 = 10 
 =  = 0.1 
 =  = 100.1 =100Ω
 = 30 
 =  = 0.1 
 =  = 300.1 =300Ω
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  = ∇ = 0.790.76 = 3Ω
∇ 155
b)  =  =  =2.6Ω
  C) totalmente cerrado
29. Calcule las resistencias de cd y ca del diodo de la figura 1.27 con una corr ient
directa de 10 mA y compare sus magnitudes.
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vD = 0.76 V
ID = 10 mA
 =  = 0.76
10
 =76Ω
 = ∇ = 0.790.76 = 0.03 = 3Ω

∇ 155 10
 >> 
30. Con la ecuación (1.4) determine la resistencia de ca con una corri ente de 1 m
15 mA del diodo de la fi gura 1.27. C ompare las soluciones y desarr olle una conclu
general con respecto a la resistencia de ca y niveles crecientes de la corr iente e
diodo.
ID = 1mA
∇ 0.720.61
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31. Con la ecuación (1.5), determine la resistencia de ca con una corr iente de 1 m
15 mA del diodo de la figura 1.15. Modifique la ecuación como sea necesario pa
niveles bajos de corriente del diodo. Compare con las soluciones obtenidas en
problema 30.
 = 1mA
 = ∆
∆ = 2  = 226 = 52ℎ    55ℎ

 = 15mA
 = ∆ =  =  = 1,73ℎ    55ℎ
∆  
32. Determine la resistencia de ca promedio para el diodo de la figura 1.15 en la re

entre 0.6 V y 0.9 V.
 = ∆ = ,−, =24,4ℎ

∆ ,−,
33. Determine la resistencia de ca para el diodo de la figura 1.15 con 0.75
compárela con la resistencia de ca promedio obtenida en el problema 32.
 = ∆ = ,−, =22,5ℎ

∆ −
su valor promedio está cerca de los 24,4ohm
1.9 Circuitos equivalentes del diodo

34. Determine el circuito equivalente lineal por segmentos del diodo de la figura 1.1
Use un segmento de línea recta que intersecte el eje horizontal en 0.7 V y aproxime l
mejor que se pueda la curva correspondiente a la región mayor que 0.7 V.
 = ∆ = ,−, =14,29ℎ

∆ −
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1.10 Capacitancias de difusión y transición

36. (a) Recurr iendo a la figura 1.33, determine la capacitancia de transición
potenciales de polarización en inversa de -25 V y 10 V. ¿C uál es la relación del ca
de capacitancia al cambio de voltaje?
≅
V R = −25 V: C T 0.75 pF ≅
V R = −10 V: C T 1.25 pF
∆ = ,−, = , =0,033/V

∆ − 
(b) Repita la parte (a) con potenciales de polarización en inversa de -10 V y -1
Determine la relación del cambio de capacitancia al cambio de voltaje.
≅
V R = −10 V: C T 1.25 pF V = R −1 ≅
V: C T 3 pF
∆ = ,− = , =0,194/V

∆ − 
( c) ¿Cómo se comparan las relaciones determinadas en las partes (a) y (b)? ¿Qué
dice esto con respecto a qué campo puede tener más áreas de apli cación práctica?
0.194 pF/V: 0.033 pF/V = 5.88:1 ≅ 6:1
aumento de la sensibilidad cerca VD = 0V
37. Recurriendo a la figura 1.33, determine la capacitancia de difusión con 0 V

0.25V.
VD = 0 V, C D = 3.3pF
VD=0.25V,CD = 9F
38. Describa con sus propias palabras cómo difieren las capacitancias de difusión
transición.
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39. Determine la reactancia ofrecida por un diodo descrito por las características d
la figura 1.33, con un potencial en dir ecta de 0.2 V y un potencial en inversa de -20
si la frecuencia aplicada es de 5 MH z.
VD = 0.2 V, C D = 7.3 pF
 = 
Xc =
 , =3,64ℎ
VD = −20 V, C T = 0.9 pF
 = 
Xc =
 , = 29,47ℎ
1.11 Tiempo de recuperación en inversa
40. Trace la forma de onda de i de la red de la figura 1.66 si tt = 2ts y el tiempo de
recuperación en inversa es de 9 ns.
10 V
I f = = 1 mA
10 k Ω
t s + t t = t rr = 9 ns
t s + 2 t s = 9 ns
t s = 3 ns
t t = 2 t s = 6 ns
41. Trace
 
 contra  utilizando escalas lineales para el diodo de la figura 1.37. Observe que
gráfica provista emplea una escala logarítmica para el eje vertical (las esc
logarítmicas se abordan en las secciones 9.2 y 9.3).
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42. Comente sobre el cambio de nivel de capacitancia con el i ncremento del potenci
de polarización en inversa para el diodo de la fi gura 1.37.
A medida que aumenta la magnitud del potencial de polarización inversa, la capacitan-
cia cae rápidamente desde un nivel de aproximadamente 5 pF sin sesgo. Para potencia-
les de polarización inversa superiores a 10 V, la capacitancia se nivela a aproximada-
mente 1.5 pF.
43. ¿C ambia significativamente la magnitud de la corr iente de saturación en inve
del diodo de la figura 137 con potenciales de polarización en inversa en el intervalo
de -25 V a -100 V?
≅
En VD = -25 V, ID = -0.2 nA y en VD = -100 V, ID -0.45 nA. Aunque el cambio
IR es más del 100%, el nivel de IR y el cambio resultante es relativamente pequeño pa
la mayoría de las aplicaciones.
44. Para el diodo de la figura 1.37 determine el ni vel de I g a temperatura ambiente
(25°C) y al punto de ebullición del agua (100°C). ¿ E s significativo el cambio? ¿Se d
plica el nivel por cada 10°C de incremento de la temperatura?
Escala de registro:
TA = 25 ° C, IR = 0.5 nA
TA = 100 ° C, IR = 60 nA
El cambio es significativo.
60 nA: 0.5 nA = 120: 1
Sí, a 95 ° C la IR aumentaría a 64 nA comenzando con 0.5 nA (a 25 ° C)
(y el doble del nivel cada 10 ° C).
45. Para el diodo de la figura 1.37 determine la resistencia de ca (dinámica) máxim
con una corriente en directa de 0.1, 1.5 y 20 mA. Compare los niveles y comente si l
resultados respaldan las conclusiones derivadas en las primeras secciones de este c
pítulo.
IF = 0.1 mA: r d≅ 700 ohm
I = 1.5 mA: r ≅ 70 ohm
F d
I = 20 mA: r ≅ 6 ohm

F d
46. Con las características de la figura 1.37, determine los niveles de disipación d
potencia nominal máximos para el diodo a temperatura ambiente (25°C) y a 100
Suponiendo que Vf permanece fijo en 0.7 V, ¿C ómo cambia el nivel máximo de I f
los dos niveles de temperatura?
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T = 25°C: Pmáx = 500 mW.
T = 100°C: Pmáx = 260 mW.
Pmax = VfIf
If =
á =  W = 714,29 mA.
 , 
If =
á =  W = 371,43 mA.
 , 
714.29 mA: 371.43 mA = 1.92:1 ≅ 2:1
47. Con las características de la figura 1.37, determine la temperatura a la cual
corriente en el diodo será 50% de su valor a temperatura ambiente (25°C).
Usando el gráfico inferior derecho de la figura 1.37.
IF = 500 mA @ T = 25°C.
At IF = 250 mA, T 104°C≅
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49. ¿A qué temperatura el diodo Zener de 10 V de la figura 1.47 tendrá un volta

nominal de 10,75 V? (Sugerencia: Observe los datos de la tabla 1.7).
Tc = +0,072% =
Δ z × 100 %
z  −  
0,072 =
,  × 100 %
   −  
0,072 =
,
− 
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Tc =
  × 100 %
  −  
Tc =
  −,   × 100 % = 0,053 %
 ° − °  °
51. Con las curvas de la figura 1.48a, ¿qué nivel de coeficiente de temperat
esperarí a para un diodo de 20 V? Repita para un diodo de 5 V. Considere una esca
lineal entre los ni veles de voltaje nominal y un nivel de corr iente de 0.1 mA.
  − ,  × 100% = 77%.

  − , 
El Diodo Zener de 20 V es por lo tanto ≅ 77% de la distancia entre 6,8 V y 24 V en
medida desde la característica de 6,8 V.
At Iz = 0,1 mA, TC ≅ 0,06 °%

El Diodo Zener de 5 V es por lo tanto ≅ 44% de la distancia entre 3,6 V y 6,8 V medid
a partir de la característica de 3,6 V.
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53. Compare los niveles de impedancia dinámica para el diodo de la figura 1.48 c
niveles de corriente de 0.2, 1 y 10 mA. ¿Cómo se relacionan los resultados con la for
de las características en esta región?
24 V Zener :
0,2 mA:≅ 400 Ω
1 mA: ≅ 95 Ω
10 mA: ≅ 13 Ω
Cuanto más pronunciada es la curva (mayor dI / dV), menor es la resistencia dinámica.
1.16 Diodos emisores de luz
54. Recurr iendo a la figura 1.53e, ¿qué valor de Vg parecería apropiado para e
dispositivo? ¿Cómo se compara con el valor de Vg para silicio y germanio?
VT ≅ 2.0 V, que es considerablemente más alta que el germanio (≅ 0.3 V) o el silicio (
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≅ 13 mA.
Figura 1.53 (f) If
Figura 1.53 (e) Vf ≅ 2.3 V.
56. a. ¿Cuál es el incremento en porcentaje de la eficiencia relativa del dispositivo

la figura 1.53 si la corriente pico se incrementa de 5 mA a 10 mA? b. Repita la par
(a) con 30 mA a 35 mA (el mismo incremento de corr iente). c. Compare el i ncrem
en porcentaje de las partes (a) y (b). ¿E n qué punto de la curva diría que hay poco q
ganar con un incremento adicional de la corri ente pico?
(a) Eficiencia relativa @ 5 mA ≅ 0,82
@ 10 mA ≅ 1,02
, − , × 100% = 24,4 % incrementa
,
Proporción:
, = 1,24.
,
(b) Eficiencia relativa 30 mA ≅ 1,38
35 mA ≅ 1,42
, − , × 100% = 2,9 % incrementa

,
Proporción:
, = 1,03.
,
(c) Para corrientes superiores a aproximadamente 30 mA, el aumento porcentual

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(b)
(b) 0.5 ⇒ < = 40 °
58. Trace la curva de reducción de la corri ente en dir ecta promedio del LE D r ojo
alta eficiencia de la figura 1.53 determinada por la temperatura. (Considere la
cantidades nominales máximas absolutas).
Para la unidad roja de alta eficiencia de la figura 1.53:
,  =  
° x
 
X = ,  = 100 °C
°

Soluciones del capítulo 1 de física de circuitos de Boylestad

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Universidad Técnica de Cotopaxi

SOLUCIONARIO DEL CAPÍTULO # 1 DE BOYLESTAD

Cruz A.D1 Changoluisa J.D2 Gallo M.D 3 Chonata A.F 4

Facultad de Ciencias de la Ingeniería y Aplicadas,

ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS

2. Con sus

Universidad Técnica de Cotopaxi

Plata = 3.8×10−3 ºC Carbón = -0.5×10−3 ºC

Cobre = 3.9×10 −3 ºC Germanio = -48×10−3 ºC

Oro = 3.4×10 −3 ºC ×10−3 ºC ºC Silicio = -75×10−3 ºC

48 eV = 48(1.6 × 10 −19 J) = 76.8 × 10−J

Universidad Técnica de Cotopaxi

8. Describa la diferencia entre impurezas de donadores y aceptores.

Las impurezas de aceptores son difundidos con 3 electrones de valencia.

9. Descri ba la diferencia entre portadores mayoritarios y minoritarios.

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 La aplicación de un potencial de polarización en directa VD presionara a los

14. Describa cómo recordará los estados de polarización en directa y en inversa d

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 = (/ 1)=50 . /∗.  1

 = 273 + ° = 273 + 20 = 293 

b. ¿E s el resultado esperado? ¿Por qué?

Universidad Técnica de Cotopaxi

b. ¿Cuál es el valor de  = ⅇ con x = 0?

c. Basado en los resultados de la parte (b), ¿por qué es importante el factor de -1 en

19. E n la región de polarización en inversa la corriente de saturación de un diod

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20. Compare las características de un diodo de silicio y uno de germanio y determi

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El significado de la palabra ideal básicamente consiste en un elemento el cual es

Un interruptor puede transferir corriente tanto en inversa como en directa, mientras qu

1.8 Niveles de resistencia

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 = ∇ = 0.790.76 = 0.03 = 3Ω

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32. Determine la resistencia de ca promedio para el diodo de la figura 1.15 en la re

 = ∆ = ,−, =24,4ℎ

 = ∆ = ,−, =22,5ℎ

1.9 Circuitos equivalentes del diodo

 = ∆ = ,−, =14,29ℎ

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1.10 Capacitancias de difusión y transición

∆ = ,−, = , =0,033/V

∆ = ,− = , =0,194/V

37. Recurriendo a la figura 1.33, determine la capacitancia de difusión con 0 V

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I = 20 mA: r ≅ 6 ohm

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T = 25°C: Pmáx = 500 mW.

T = 100°C: Pmáx = 260 mW.

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49. ¿A qué temperatura el diodo Zener de 10 V de la figura 1.47 tendrá un volta

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  − ,  × 100% = 77%.

At Iz = 0,1 mA, TC ≅ 0,06 °%

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0,2 mA:≅ 400 Ω