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dispositivos

electronicos
TOMO

Margarita Garcia Burciaga de Cepeda


Arturo Cepeda Salinas

..

d ispositivos
electronicos
1

TOMO II
4a. edicin

Margarita Garcia Burciaga de Cepeda


Arturo Cepeda Salinas
(Egresados de la Escuela Superior de
Ingenieria Mecnica y Elctrica)

INSTITUTO 'S

Mexico, 1985

O NACIONAL

A NUESTROS PADRES:
Maria de la Luz Burciaga R. Maria de los Angeles Salinas
Edmundo Cepeda de la G.
E. Gabriel Garcia G.
For los valores, sacrificios y omor con que no: form aron.
A NUESTROS HIJOS:
Martha Lucia,

Csar Arzuro y

Mario del Mar.

Con la esperanza de que alcancen la realizacin y la pat de


espfrizu que la human Idad pers1,ue.
A NUESTROS HER MANOS:
Desendoles bienestar, felicidad y xito.

A NUESTROS MA ES TR OS:
Ing. Mario Vzquez Reyna,
Ing. Rodolfo Romero Carrera,
Dr. Hector Nava Jaimes,
Dr. Harold S. Dutton,
Frofr. J. Guadalupe Godoy Gonzalez, y
Profr. Federico Nava Garcia.
Quienes ihiminaron con su saber nuestro entendimiento y
no: mostraron con sus ensefianzas que solo es posible apren.
der lo que estd semidormido en el intelecto, mediante el
esfuerso y voluntad propias.
A NUESTROS COMFA1EROS:
Con u n cordial y profundo respeto.
A NUESTRA ESCUELA.
For su tradicin y escuela.
Matgarira y Arturo.
Mexico D. F., 1985.

EROLOGO

Cada dia se tiene notici de nuevos dispositivos eiectrnicos, que aumen tan las
posibilidades de aplicacin, y as( la incursion de a eiectrOnica en todas las dreas
de la ingenierla. Los dispositivos electrOnicos se dividen en tres grandes dreas,
que son la de los dispositivos semiconductores o de estado slido; la de los
dispositivos al vaci'o y la de los dispositivos gaseosos. En el presente trabajo se
pretende dar los fundamentos fz'sicos y elctricos que permiten comprender el
comportamiento de los dispositivos electrOnicos, de manera que los que sur/an
en cualquiera de estas tres grandes areas enunciadas puedan ser fcilmente
asimilados y10 aplicados. Se presen tan los dispositivos electrnicos mds cominmente empleados, poniendo dnfasis en ci estudio de su comportamiento fisico
y elctrico, y en las aplicaciones tIpicas y los modelos lineales de los mismos.
En la presente ediciOn se ha uniformizado ci tratamiento de los distintos
dispositivos, y se han resuelto ejemplos e incluido una reiaciOn de preguntas y
pro blemas en cada uno de los cap i'tulos.
En la escuela y en la vida, el estImulo mds importante del trabajo es el
placer en ci mismo; placer en su desarrollo, en su resultado y en el conocirniento del valor de este resultado para la comunidad. Si la ciencia es ci esfuerzo
secular por presentar con/untamente, POT medio de la reflexin sistemdtica, los
fenomenos perceptibles de este mundo dentro de una asociacin lo mds cornpieta posible, * recomendamos al lector que los conceptos aqui' vertidos sean
cuidadosa y cri'ticamente reflexionados, pues a travs de a reflexiOn sistemtica
se logran los conocimienros duraderos y fructiferos.
La explosiva participacin de la electrOnica en las actividades del ser humano modifica su comportamiento social en la actualidad; esto es debido al bajo
costo de los dispositivos semiconductores (que en los zfltimos 30 aos se ha
*

Albert Einstein, De mis ltimos afios. Aguilar, S.A., Esp-aa 1951.

reducido cuando menos 100 veces) y a la diversidad de funcionamientos que se


pueden lograr, manejando en forma verstil las corrientes y seales elctricas.
Estas virtudes de los dispositivos electrnicos incitan a la creatividad del ingeniero y generan productos novedosos que invaden el mercado, cada vez, con
imis funciones y mayor agresividad.
Consideramos que el conocimiento profundo del comportamiento de los
principales disposirivos electrdnicos permitir al lector la generacin de productos, propuestas, proyectos y soluciones ingenierilmente viables, econOmicos y
confkibles, que le colocarn en un lugar destacado den tro de la comunidad.
RECONOCIMIENTOS
Esta cuarta edicin de Dispositivos ElectrOnicos satisface una necesidad bibliogrdfica en la formacin de todo ingeniero en comunicaciones y electrnica o
rama afin. Reconocemos la progresista vision de la Direccin de Publicaciones
del IPN en apoyar la realizacin de la misma.
AGRADECIMIENTOS:
Toda obra requiere de la integraciOn de ideas, esfuerzos, constancia, dedicaciOn
y esmero. Estos atributos fueron administrados generosamente por el Ing. Martiniano Espinosa Rodriguez en la redacciOn y correccin de estilo; y los Sres,
alumnos de la carrera de ICE en la ESIME-IPN, Julio Islas Lpez, Luis Javier
Vargas, Raymundo Pulido y Alan BuitrOn, en diseo grdfico, a quienes extendemos un testimonio degratitudy hacemospatente nuestra msalraconsideracin.

Atentamente:
Margarita Garcia Burciaga de Cepeda y Arturo Cepeda Salinas.
Mexico D.F., 1985.

CONTENIDO

Pgina
CAPITULO VI
6.1
6.1 .1
6. 1 .2
6.1.3.

6.1.4
6.1.5
6.1.6
6.1.7
6.1.8
6.2
6.2.1
6.2.2

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO


Introduccin
Transistor de efecto de canipo de union (FET
deuniOn)
Conduccin en una barra semiconductora
Barra semiconductora con uniones P-N
Caracterfsticas elctricas
Capacidad de la compuerta
Voltaje de ruptura del transistor de efecto
de canipo de uniOn
Impedancia de entrada del FET de uniOn
SImboloempleado
Modelos empleados
Modelo dinmico
Modelo dinrnico a altas frecuencias
Caracterfsticas generales o parmetrosgenerales
VariaciOndeparmetros
VariaciOn de 'DSS con la temperatura
Mtodos fundamentales de polarizar
Circuitos de autopolarizaciOn
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METALOXIDO-SEMICONDUCTOR (MOS-FET)
Estructura fundamental
Anlisisdel transistor
Transco nductancia en La regiOn de triodo
Conductancia del canal para la region del triodo
Capacidad total de La compuerta

15
15
16
16
17
28
36
36
37
38
38
40
41
41
43
43
45
46
46
47
48
56
57
57

6.2.3
6.2.4
6.2.5
6.2.6
6.2.7
6.2.8

CAPITULO VII
7.1
7.2

7.3
7.4

Figura de Mrito del MOS-FET


MOS-FET de vaciamiento
Curvas caracterIsticas estticas
SImbolos
CaracterIsticas y limitaciones
Variacin de los parmetros
Circuito equivalente
Precauciones que se deben tomar en el manejo
Ejemplos
Preguntas
Problemas
BibliografIa

57
58
60
61
62
64
67
69
71
106
110
117

TRANSISTOR MONOUNION (UJT)


IntroducciOn
ConstrucciOn del transistor
Teoria de operacin
Circuito equivalente del UJT para la region
de corte y de resistencia negativa
Curvas caracterIsticas
SImbolo
CaracterIsticas y limitaciones
Ejemplos
Preguntas

119
119
119
121

Problemas
BibliografIa
CAPITULO VIII
8.1

8.2
8.2.1
8.2.2
8.2.3
8.2.4

DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS


OMASCAPAS
IntroducciOn
AnalogIa con dos transistores de un dispositivo
de cuatro capas
Comportamiento elctrico de un dispositivo de
cuatro capas conectado corno diodo
DIODO CONTROLADO DE SILICTO (SCR)
CaracterIstica esttica del SCR
Circuito equivalente
Caracterfstica y limitaciones
VariaciOn de los parmetros
Caracterfsticas de disparo del SCR
Construccin interna y sImbolo

133
133
134
134
137
155
157
161
163
163
163
167
169
171
172
175
176
180

8.3
8.3.1
8.3.2
8.3.3
8.4
8.4.1
8.4.2
8.4.3
8.5
8.5.1
8.5.2
8.5.3
8.6
8.6.1
8.6.2
8.6.3
8.7

CAPITULO IX
9.1
9.1.1
9.1.2
9.1.3
9.1.4
9.2
9.2.1
9.2.2
9.2.3
9.2.4
9.2.5
9.3

TRIAC
Los cuatro cuadrantes de operacin de un TRIAC
Curvas caracterfsticas estticas
SImbolo
Circuito equivalente
DIAC
Construccin y simbolo
Principio de operacin y curvas caracterfsticas
CaracterIsticas y especificaciones
DIODO INTERRUPTOR BILATERAL (DIB)
ConstrucciOn y sImbolos
Principio de operacin y curvas caracterfsticas
Caracteristicas y especificaciones
INTERRUPTOR DE SILICIO UNILATERALES Y
BILATERALES (SUS, SBS)
Construccin y simbolo
Principio de operacin y caracterfsticas de los
interruptores de silicio
CaracterIsticas
INTERRUPTOR CONTROLADO POR
COMPUERTA,GTO
Ejemplos
Preguntas
Pro blemas
BibliografIa
DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS
DE ESTADO SOLIDO
Introduccin
Celdas fotoconductoras (fo tore sistivas)
Fotoconductividad
Comportamiento elctrico
SImbolo
Parmetros
FOTO-DIODO
Funcionamiento
Caracterlsticas
Simbolos
Parmetros
Circuito equivalente
DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)

182
183
184
184
185
185
185
186
187
187
188
189
189
189
190
191
193
192
194
230
232
237
239
239
241
242
243
246
246
247
247
248
251
252
253
253

9.3.1
9.3.2
9.3.3
9.3.4
9.4
9.5

CAPITULO X
10.1
10.1 .1
10.1.2
10.1 .3
10.1,4
10.2
10.2.1
10.3.
10.3.1
10.4
10.4.1
10.4.2

CAPITULO XI
11.1
11. 1.1
11. 1.2
11.1 .3
11.1.4
11.1.5

Funcionamiento del dispositivo


Comportamiento elctrico
SImbolo
Parnietros
FOTO-TRANSISTOR
DIODO CONTROLADO DE SILICIO ACT! VADO
POR LUZ (LASCR)
Ejemplos
Preguntas
Pro blemas
Bibliografia

253
254
258
258
259

EMISION ELECTRONICA EN SOLIDOS


Introducci6n
EMISION TERMOJONICA
Ecu aciOn de Richardson
Efecto de enfriamiento
Grfica de la ecuacin de Richard so n-Du shman
EFECTO SCHOTFKY
EMISION POR CAMPO
Microscopic de emisin por campo
EMISION SECTJNDARIA
Variacin de la emisin secundaria con el
potencial de los electrones primarios
FOTOEMISION
Efecto fotoelctrico
Eficiencia fotoelctrica
Ejemplos
Preguntas
Problemas
BibliografIa

285
285
288
293
295
295
298
303
305
306

DISPOSITIVOS AL VACIO
Introduccin
DIODOALVACIO
Introduccin
Relacin de voltaje y corriente
SImbolo
Caracterfsticas y limitaciones
Circuito equivalente
VariaciOn de parmetros

339
339
341
341
342
351
35 1
353
355

260
262
277
279
289

307
310
310
313
317
334
337
338

11.2
11.2.1
11.2.2
11.2.3
11.2.4
11.2.5
11.2.6
11.2.7
11.2.8
11.2.9
11.3
11.3.1
11.3.2
11.3.3
11.4
11.4.1
11.4.2
11.4.3
11 .4.4
11.5
11.5.1
11.5.2
11.5.3

APENDICES
A
B
C
D
E
F

TRIODO AL VACIO
Introduccin
SImbolo
Triodo piano paralelo frfo
Triodo termoiOnico
Curvas de corriente de Rejilla para un triodo
termoinico
Caracteristicas y limitaciones
Circuito equivalente
Variacindeparrnetros
Aplicaciones tIpicas del triodo
Potencia de disipacin maxima
TETRODO
Introduccin
SImbolo
CaracterIsticas y limitaciones
Circuito equivalente
PENTODO
Introduccin
Sfmbolo y funcionamiento
CaracterIsticas y liniitaciones
Circuito equivalente
Aplicaciones tipicas
FOTO-TUBOS
Introduccin
CaracterIsticas de la fotoemisin
Celdas fotoemisivas
Fotomultiplicad ores
Ejemplos
Preguntas
Pro blemas
Bib liografia

355
355
356
357
359
362
364
367
371
371
375
376
376
380
380
381
384
384
384
388
389
392
396
396
396
399
402
412
445
447
451
453

Mtodo de WKB para determinar las transparencias


de las barreras de potencial
Constantes fisicas
Cuadipoios
Propiedades de los semiconductores
Propiedades del Ge, Si y GaAs a T = 300'K
Tabla de conversion de factores

455
457
458
475
476
478

G
H
I
J
K
INDICE TEMATICO

Curva normalizada de la funciOn error


Principales dispositivos semiconductores discretos
Clculo de disipadores en funciOn del area de las
placas de alummio
Teorema de circuitos
Disipadores
Bib liografia de apndices

479
480
498
499
509
518
519

CapItulo 6

TRANSISTORES DE EFECTO
DE CAMPO.

INTRODUCCION
Los transistores que se usan en electrnica se dividen en dos grandes clases:
transistores bipolares y transistores unipolares. En el caso de los bipolares se
tiene conduccin elctrica dentro del dispositivo POT electrones y por huecos
a la vez (dos tipos de portadores), de ahi el trmino bi, mientras que en los
transistores unipolares se tiene conduccin elctrica dentro del dispositivo ya
sea por electrones o pot huecos (un solo tipo de portador), y en este caso se
dice que la conduccin dentro del dispositivo se debe inicamente a los portadores mayoritarios.
i
campo de union es un dispositivo unpolarenel
El transistor de efecto
cual la corriente clcjrica es controlada por un campo ectricoglicado an
lasuperficie o en la fro ntera de la uniOn del dispositivo. Este es de los primeros
dispositivos semiconductores que se concibieron para poder controlar un flujo
de corriente elctrica grande mediante sefiales pequeflas. Su concepcin se
remonta a 1930 en los EUA por J. E. Lilienfeld y a 1935 en Inglaterra por
0. Heil, quienes en tales aflos presentaron sendas patentes en sus respectivos
palses. Sin embargo, no fue sino hasta 1952 en que Schockley* propuso un transistor de efecto de campo con un electrodo de control, el cual consistla de un
diodo polarizado inversamente. Este dispositivo demostr tener caracterIsticas
inte:esantes y reproducibles, por lo que rpidamente ocup un importante
lugar dentro de las aplicaciones de la ingenierla electrnica. En fechas ms
recientes (los afios 60) se desarrollaron nuevos tipos de transistores de efecto
de campo, con nuevas geometrIas y nuevas tecnologIas de fabricacin, y actualmente existen transistores de efecto de campo metal-xido-semiconductor
(MOS-FET) y otros tipos ms.
*

Shockley, W.A Unipolar Field Effect Transistor. Proc. IRE, vol. 40 (nov 1952), p. 1365.

6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET


6.1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)
Para entender cmo opera un FET de union, se requiere ci conocimiento de:
a) conduccin elctrica en semiconductores; y
b) comportamiento de la union P-N polarizada inversamente.
Revisaremos brevemente estos puntos para estabiecer luego las relaciones
que gobiernan la operacin del FET de union.
6.1.1. ConducciOn en una barra semiconductora
Cuando se tiene una barra semiconductora y se quiere pasar una corriente elctrica a travs de ella, se encuentra que este material presenta una conductividad
de la forma
0= e(j.tn +
de manera que si ci material semiconductor se presenta en forma de paralelepIpedo rectnguio, como ci que se muestra en la Fig. 6.1, se puede encontrar
que la conductancia del material es:
____
G= crWH = e(np. +p,) WI,
Si la barra es tipo P, es decir, p > n,
G = ej.p WH
L

(6.1.2)

Si la barra es tipo N, es decir, n > p


G = en WI'
L

(6.1.3)

iiv

14

Figura 6.1. Una barra semiconductora como resistencia.

r.

;
]( vI

6. 1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE

Las relaciones (6.1.2) y (6.1.3) nos dan la conductancia de una barra semiconductora cuando la concentracin de impurezas es uniforme a lo largo de
toda la barra.
Sin embargo, si la concentracin no es uniforme, por ejemplo si es uniforme
en el eje z y en el x pero varIa en el eje y (ver Fig. 6.1), se puede establecer que:
H

Gep

p(y)dy.

(6.1.4)

6.1.2. Barra semiconductora con uniones P-N


Para formar el transistor de efecto de campo (FET) segn propuso W. Shockley,
es necesario introducir impurezas en una barra semiconductora mediante la
difusiOn para formar uniones P-N, como se muestra en la Fig. 6.2.
Este dispositivo asI construido constituye un transistor de efecto de campo,
en donde a una terminal se le denomina fuente, la otra recibe el nombre de
drenaje (en los extremos de la barra semiconductora) y a los contactos de las
regiones N cortocircuitados se les denomina compuerta. La region interesante
en cuanto al comportamiento elctrico de nuestra barra semiconductora es
ahora La regiOn entre las uniones semiconductoras, la cual recibe ci nombre de
canal de conduccin. En este momento ya es posible concluir que desde el
punto de vista elctrico es indiferente cul es el drenaje y cul 1a fuente, es
decir, pueden intercambiarse entre si, sin que esto altere el comportamiento del
dispositivo.
Compuerta
G '\

-I

+1

itr .I
Figura 6.2. Barra semiconductora con uniones P.N para formar un FET de unidn.

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Si al construir el dispositivo FET de union se hace que laconcentracinde


donadoresen las regiones N sea mucho mayor que laconcentracin de aceproreTn el canal p; las regiones de vaciamiento de las uniones P-Nformadas estar,j prcticamente den tro del canal y, debido a que en las regiones de vaciamiento no hay portadores libres (ver tratamiento de la union P-N, cap Itulo 3),
el canal de conducciOn se reducir en sus dimensiones fIsicas.
L

.04

LH

1ID

- '

(b)

lk'D =0

H'

IG

Figura 6.3. Canal de conduccidn del FET de union: (a) sin considerar las uniones; (b) consi-

derando las uniones y la reduccin del canal de conduccin.


En la Fig. 6.3 se puede apreciar cmo el canal de conduccin de la barra
semiconductora se reduce debido a las zonas de vaciamiento:
a) antes de introducir las regiones N ci canal de conduccin tiene una altura
H, y
b) al introducir las regiones N y tener las uniones semiconductoras, el canal
tiene una altura efectiva /i, la cual es menor que H, donde:
h=HEn las uniones P-N el espesor de las zonas de vaciamiento es:
X. =

(/O

V) (

NA +ND
'VD

y en el caso en que ND > NA , tenemos:


IN

1/2

6.1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

X,

[ (ii -

H =II

H*

cuando VA =0,

donde H5 es el espesor de la zona de vaciamiento en funcin del voltaje de polarizacin.


El desarrollo original rea]izado por Shockley presenta compLicaciones de
tipo mat emtico que distraen de la finalidad de este trabajo; es por esto que
usaremos en este caso el tratamiento simplificado presentado por R. R. Bockemuehi de la General Motors.* Seg(in este anlisis:
a) la construccin del dispositivo es simtrica respecto del eje horizontal SD
(fuente-drenaje);
imp ureza tanto en laregjn P como en la regn N estn
b) tqdos
ionizado.
c) la zona de vaciamiento dentro de las regiones N es despreciable, es decir,
ND > NA (regios deompuert); y
se
analiza inicainente la region entre las uniones y se considera el resto del
d)
dispositivo como purrnente resistivo.
Antes de iniiar este anlisis es conveniente ver qu sucede fIsicamente dentro del dispositivo cuando circula por l una corriente entre drenaje y fuente;
esto se ilustra en la Fig. 6.4.
El explicarnos la aparicin de la zona de vaciamiento producida por la union
P-N es sendilo despus de ver el anlisis de la propia uniOn P-N (capItulo 3); lo
mismo sucede para la zona de vaciamiento adicional debido a la polarizacin
entre compuerta y fuente V. Sin embargo, para entender la formaciOn de una
zona de vaciamiento debida a la conduccin de corriente elctrica 'DS a travs
del canal de conduccin, es necesario observar la Fig. 6.4-b y ver que, al aplicar
un voltaje VDs con la polaridad indicada en dicha figura, la union formada entre
la compuerta y el canal de conducciOn estar ms inversamente polarizada en el
extremo B de la compuerta que en el extremo A, por lo que Si el ancho de la
zona de vaciamiento aumenta a! aumentar la polarizaciOn inversa (ecuacin
6.1.5) es lgico que la zona de vaciamiento sea mayor en el extremo B que en
el A.
Si se considera la simetrIa establecida, es suficiente con analizar la mitad del
dispositivo para obtener el comportamiento elctrico del FET de uniOn, tal
como se muestra en la Fig. 6.5.
* Bockemuehi, R.R. Analysis of Field Effect Transistors with Arbitrary Charge Distribution, IEEE
Trans. vol. ED-b, pp.31-34, jan. 1963.

19

TRANSISTORLS DL I FECTO DL CAMPO

En la region de cargas fijas el comportamiento est regido por Ia ecuacin


de Poisson, es decir:
V 2 V=p/e.

(6.1.6)

La densidad de portadores Se considera la rnisma que La de Los jones en la


zona de vaciamiento es:
p = ep(y),
2=_

ep(y)

(6.1.7)

Ds

D
VDS

VGSO
(b)

Em

Zona de vaciamiento
en equilibrio.
Zona de vaciamiento

:VDS
VGS 0
VDS *0
'DS 0

U420 cuando VGS*0.


Zona de vaciamiento
cuando VDS

(c)

Figura 6.4. Variacidn del canal de conduccidn al polarizar el dispositivo FET de union: (a) sin
polarizacin; (b) con corriente de drenaje I
0, pero V = 0; (c) con corriente de drenaje
JDS'fOY V0 O.
20

6. 1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

Hs = H5 (x)

ral
D 'S' =L

L
;---* x
z

Figura 6.5. Mitad del FET de union en la region del canal de conduccin para el anlisis del
comportamiento elctrico.
Integrando por primera vez la ecuacin (6.1.7), se tiene:
VV= -

La integral

--

p(y)dy + cte.

(6.1.8)

p(y) dy es el nUmero total de tomos inipureza en una unidad


0

de area medida sobre la superficie que presenta el dispositivo en la frontera


entre las regiones P y N, es decir sobre el piano (x, z):
en donde:
Q(y) = e

p(y) dy.

(6.1.9)

Q(y) es el ndmero total de cargas por unidad de area en la frontera de la


union sobre el piano (x, z). AsI entonces:

Q(h)=eJ p(y-) dy

(6.1.10)

donde Q(h) es La densidad de cargas fijas por unidad de area en la frontera de la


union (en la zona de vaciamiento).
21

TRANSISTORES DE EFECTO DE

Si la condicin de frontera para la ecuacin de Poisson es que dV/dy = 0, e


y = Fi (frontera entre la zona de vaciamiento y el canal de conduccin), y se
sustituye en la ecuaciOn (6.1.8), se obtiene:
O=

entonces: cte

fo

+ cte,

=__J h
p(y) dy,

en donde:

1h]
vv=
d

fpy)d_

e
= j- [Q(v) Q(h)]

(6.1.12)

Integrando por segunda vez y tomando como lfmites de integracin desde


y = 0 hasta y = h, se encuentra el voltaje que aparece en la zona de vaciamiento, el cual ser la suma del voltaje aplicado entre la compuerta y fuente VGS, y
el potencial de contacto de la union P-N:

V(h=-- [/zQ(h)

j Q(y) dy

V(h) = -f

-_f

Q()dY] .

(6.1.13)

Recordando Ia integracin por partes, se tiene:


f udv= uv fvdu,
en donde E/(h) ser:
V(h) =-fjyp(y)d.

(6.1.14)

6. 1. TRANSISTOR DE EFICTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UN

Derivando la ecuaciOn (6.1.14) respecto a h, se obtiene:

1J=hp(h)f.

(6.1.15)

ecuacin que nos dice que el voltaje necesario para mover la frontera entre la
zona de vaciamiento y el canal de conduccin aumenta con la distancia h y
depende de La densidad de carga en La frontera de la misma. De la ecuacin
(6.1.14) y de la ecuacin (6.1.15) es posible obtener la capacidad de la union
por unidad de area, la cual es dada por:

HdV

(6.1.16)

dhdV h

Otra informacin importante que se puede derivar de La expresin (6.1.14)


relacionada con el voltaje necesario para que La zona de vaciamiento supee
rior se toque con la zona de vaciamiento inferior no dejando canal de conduccion para la corriente eIctricJ A este voltaieA le llama voltaje de oclusiOn
(pinch-off en ingles)j
Luego, el voltaje de oclusin ser:
KC/2

H
H
Vp =V(h=--)=V(-2-)=--

yp(y)dy,
fo

expresin que se puede aproxiniar, segn Shockley, si se considera que elpotencial de contacto se desprecia.

e
V=7

t1C12

yp(y)dy;

(6.1.17)

por ejemplo, si p (y) = p0 = cte (densidad de impurezas tipo P constantes, en


la region de conduccin), entonces el voltaje de oclusin queda:

VP

epo (+HcH) - ep0 H 2

- 8

ep0H
8

(6.1.18)

donde /,,, es el potencial de contacto de la union en equilibrio.


23

TRANSIST0R.S DII FtCTO DI CAMPO WIT)

Para evaluar el flujo de corriente en el canal del FET, es neeesario recurrir a


las ecuaciones deducidas para el dispositivo y a la ley de Ohm, la cual establece
que:
a
(6.1.19)
donde la conductividad es La del canal de conduccin (a = e,zp0 ); se supone
que no hay conducciOn elctrica en la zona de vaciamiento.
Asi, la corriente 'DS ser:
HC/2

IDS =

p(y)dy

(6.1.20)

HC/2
dV
dx
'Dsdx=2e-dhwJ
h p(y)dv,

(6.1.21)

donde el factor "2" se debe a Ia contribucin de las dos mitades.


Sustituyendo la ecuaciOn (6.1.15) en la ecuacin (6.1.21) se obtiene:
L

'DS L

= o

1DS dx

= 2 eWi (
jhp(h)dh

fHC12
py)dy, (6.1.2 2)
h

Hc /2

Si

ypara

fp ( y)dy=[Q(H/2)Q(h)] ;
x=0 ,

(6.1.23)

h.H,

x=L , h=HD
entonces:

js

= 2:Wii

HD
[Q (H12) - Q(h)]hp (h)dh.

(6.1.24)

HS
Se puede considerar que si la caida de voltaje VDS est prcticamente en la
region donde estn las compuertas, entonces:
H=H, +H1 (V03),
(6.1.25)
"D' +H2 (VDs VGS),
24

6. 1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

donde H1 ( VGS) es la altura que aumenta la zona de vaciamiento en la terminal


de la fuente debido a la polarizacin entre compuerta y fuente, y H2 ( VS - VGS)
es la altura que aumenta la zona de vaciamiento en el lado del drenaje en funcin de la diferencia de voltajes (VDS - VGS).
Si VGs = 0 y Hrpgxjma = Hc/2 a corriente que se obtiene se llama corrien
te de fuente-drenaje de saturacin DSS Entonces:

'DSS =

2eW

Hcf2

f
eL H,

[Q(Hc/2)Q(h)]hp(h)dh.

(6.1.26)

Sin embargo, en esta expresin se tiene una conclusion paradjica pues si


h = H/2 es el limite superior se puede intuir que. noexic.aiiaLde conducc.iOn., y por lo tanto
deberfa ser c.rn, lo cual no es cierto en l realidad.. La
explicacin de este fenmeno est en que a pesar de que en la ecuaciOn (6.1.25)
tenga el limite H/2, en la realidad HD no puede liegar a este valor aunque para
el clculo la aproxm-iacin propuesta no introduce errores apreciables.
Antes de proseguir con el anlisis de este dispositivo tan interesante, afianzaremos los conocimientos hasta aquf derivados con un ejemplo.
Ejemplo 6.1. Se construye un transistor de efecto de campo de union sobre una
barra de silicio tipo P con las siguientes caracteristicas:
NA = 1022 atm/rn3 ,
Q = 15 zm, H = 8 tm,
e, = 11.8, W = 50,4m
L= 5.0jm, x=3tm,

ND = 1024 atm/rn3 ,

ji1,= 600cm2 /V-seg.

(1 j.tm = 10-6 m)

Figura E.6.1. Brra de siicio tipo P usada en la construccin de un FET de uniOn (JFET)
mostrando la regiOn de la compuerta.

Calcule;
a) el voltaje de oclusin; y
b) La corriente de drenaje-fuente de saturacin.
25

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Solucin:
a) Como primer paso es importante determinar el valor del potencial de contacto de La union P-N, para lo cual se utiliza la expresiOn ya conocida de li,:
KT ND NA
en donde K es la constante de Boltzman y n, es La concentracin intrInseca
del silicio a la temperatura ambiente.
= 0.026 V y

n1 = 1,63 X 1010 atm/cm3 ,

1018 x 1016
2.6569 x 10 20

= 0.0-,6
llIo = 0.81 V.

Para este caso Hc = H - 2x = 21A. De La ecuacin (6.1.18)


ep0
8
J'P=

1.6 x iO' x 1022 x (2.0 x 106)2


0.81,
8x 11.8 x8.854x10'2

VP = 6.847 V.
b) Para calcular La corriente 'DSS primero es necesario calcular Q(H/2) y Q(h),
considerando que p(y) = NA:
y

Q(y)= e

HC/2

1022 dy,

p)dy =
Cf

Q(Hc/2) = eNA(HC/2).
Q(h) = eNA h.
26

6. 1. TRANSISTOR DE. EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

Sustituyendo esto en la ecuacin (6.1.24) tenemos:

'DS

'DS =

2eW
eL

ND

h)hNdh

eN(&

HS

2Wpe2N j (!_hdh_h2dh),
2
eL
HS

2We2N
eL

'DS

HC

Pf--

h2 h3 ]

HD

JH

2Wp.e2N HCHJ 1
4
eL

HH?
4

(E.6.1.1)

Aplicando (6.1.25) tenemos:


Hs[-r-(Vi0+ VGs)]u2
2
CNA (V'0 + VDS + VGs)] 1'2
Si VGS = 0, se encuentra que:
H=H=3.25X 10 1 m,
HD=3.59X 10 1 (V'0

VDS)

I/

Si:

V'0 + VDS = 7.657 V,


entonces:

HD= lx 1cr 6 m

=4

(E.6.1.2)

Sustituyendo la ecuacin (E.6.1.2) en la ecuacin (E.6.1.1) tenemos:


'DSS

2We2 ,z N H + H,
HCH,
(---48
Th- - 4
eL

(E.6.1.3)
27

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

de donde 'DSS queda:


'DSS

10-4
2x 50x 10 6 x (1.6x l0_ 19 )2 X 1044X 600 X
X 0.0156X 8X 10 18
11.Sx 8.854x 10' 2 X5.0X 10 6
'DSS = 3.682 mA.

6.1.3. Caracter(sticas elctricas


Hemos realizado el estudio de unaLbarra semiconductora con uniones P-N, lo
cual fIsicamente constituye un transistor de efecto de campo de uni) En esta
parte del trabajo extenderemos los conceptos anteriores para poder predecir
cmo se comporta un dispositivo de este tipo al variar tanto el voltaje entre
compuerta y fuente VGS como el voltaje entre drenaje y fuente VD.
La ecuacin (6.1.24) nos da la corriente entre drenaje y fuente en funcin
de ]as densidades de carga Q(Hc/2) y Q(h); si se considera que la concentracin de tomos aceptores es uniforme en el canal, entonces p(y) = cte = NA
(todos los tomos aceptores estn ionizados). De acuerdo a las ecuaciones
(6.1.9) y (6.1.10):
Hc

- eNAHC

(6.1.27)

Q(h)=eNAh.

(6.1.28)

Si la concentracin de impurezas del semiconductor tipo P es menor que la


concentracin de impurezas del semiconductor tipo N. se puede considerar que
la zona de vaciamiento est en el lado P y tiene un espesor:
- 1/2

-. 2e ' 'L' + 17Gs)]


H
= eNA

HD= t eN (Ji + VDS + VGS)J


Hq,2e' 1/2
=( e N )

(6. 1 .29)
1/2

(6.1.30)

(6.1.3 1)

Aprovechando la deduccin hecha en el ejemplo 6. 1, ecuacin (E.6.1.3),


tenemos:

6. 1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

2 We2
2 N H JI, H
HH
eL
( 4
+------- 4 ).

'DS

(6.1.32)

Sustituyendo los valores de las ecuaciones (6.1.29). (6.1.30) y (6.1.3 1) se encuentra que:
IDS

VDS_

/ ---.

3/2
[(+ VGS + 11bo) _(o +v
Gs)312 ]!

do nde:

6. 1.33)
g

WPeNJlHc
L

La maxima carriente de drnje a fuent


cuando 11D= 119J2 y se tiene
u1iiir el canal. Esto se obtiene de la ecuacin (6.1.32) haciendo HD = H/2,
y se e ama corriente drenaje-fuente de saturacin.
Si

Hc = 2 [ eNA (11' + V)]"2

entonces:
2We2Hcp
'DS (sat)

48eL

[1

+V
ip.+ v

_11'+
+ vVGS

3/2

(6.1.34)

La jransc.ondctancia puede ser directamente obtenida de la ecuacin


(6.1.33) como:
gm

VDS
DS
GS

de donde laL
scon uctancia ser
tran=

2 Wz
HL (2eeNA )1' 2 E(VDS + V08 + 11')' ( hJ1

V08 )1/2 I . (6.1.35)

De las ecuaciones (6.1.33) y (6.1.34) se pueden obtener las grficas de este


dispositivo; en este caso lo haremos para el transistor propuesto en el ejemplo6.1.
Ejemplo 6.2. Dado el FET del ejemplo 6.1, grafique sus curvas caracterfsticas
VDSJDS dejando como parmetro a! voltaje V0 .

WE

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Para el caso del ejemplo 6.1 se tienen los siguientes datos:


Hc = 2 x 10-6 m,
W = 50 x 10-6 rn,
L = 5 x 106 rn,
e = 1.6 x 1019 coul,
= 0.81 V, u = 6 X 10-2 m2 /V-seg,
= 8.854 x 10-12 f/rn , V, = 6.847 V
f/rn = coul/(V-seg)

e, = 11.8,
A = 1016 atm/cm3 = 1022 atm/rn3 ,

Solucin:
IDS =g{VDs_B[(VDs+VGs+lI1O)

312

-(,D0+

GS)312

donde B es una constante de valor:


B

2
= 311

eNA

)1/2 = 0.2409,

y
g =

W1.LeNAHC
- 1.92X 10
L

(cz)-1

Haciendo los clculos para distintos valores de


expresin (6.1 33) se obtiene la tabla E.6.2.1.

VDS

y de VGS, usando la

Tabla E.6,2.1

s= 0 '"

VGs

1V

VGS

=2 V

VGS =3'"

'ris(')

IDS (A)

IDS ( A )

IDS ( A )

IDS (A)

o
0.5
1.0
1.5
2.0

0.000
0.604
1.131

0.000
0.462
0.868
1.221
1.527
1.788
2.007
2.187
2.329

0.000
0.353
0.659
0.920
1.139
1.319
1.461
1.567
1.639
1.677
1.684
1.659
1.604
1.520

0.000
0.261
0.480
0.660
0.802
0.908
0.980
1.018
1.025
1.000
0.945
0.861
0.748
0.608

2.5

3.0
3.5
4.0
4.5

5.0
5.5
6.0
6.5
30

1.593

1.998
2.352
2.657
2.919
.138
3.318
3.460
3.566

2.435
2.507
2.545

3.637
3.676

2.551
2.526

VGS = 5 V
IDS ( A)
0.000
0.106
0.177
0.216
0.222
0.197
0.142
0.058
-0.054
-0.194
-0361
-0,555
-0.774
-1.019

VGS 7 V
IDS (A)

0.000
-0.025

-0.080
-0.164
-0.276
-0.416
-0.583
-0.777
-0.996
-1.241

6.1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UN

Tabla E.6.2.1 (cont..


s =OV

T'is(')

IDS (A)

7.0
7.5
8.0
9,0
10.0
12.0
14.0

3.682
3.657
3.602
3.406
3.098
2.171
0.856

VGS''

V0s= 2 V

VGS =3V

VGs =5V

i=7V

IDS (A)

IDS (A)

IDS (A)

IDS (A)

IDS (A)

2.471
2.387
2.275
1.967
1.554
0.429
-1.070

1.407
1.267
1.100
0.687
0.173
-1.143

0.441
0.247
0.028
-0.486
-1.097

Y haciendo los ciculos con los valores adecuados en la expresin (6.1.34),


tenemos:
I1O + 1GS +2( 1 3s 3/2
(6.1.36)
) ],
donde:
D=

2W,te2 pHc
48Le

4.9 X 10 A.

(6.1.37)

En esta forma obtenemos Ia tabla E.6.2.2.


labia E.6.2.2
'DS (sat)
(MA)

3.682
3.078
2.551
1.684
1.025
0.5449
0.2233
0.0458
1.46X 10'
-0.0813
-0.278
-0.585
-1,513
-2.829

1GS
(V)
0
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
12.0
14.0
31

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Graficando estos clcuios en el mismo piano VDSIDS, dejando VGs como


parmetro, se obtienen las curvas caracterIsticas de un FET de union.
'DS
No contacto

Contacto
de las zonas de
vacjamjento

de las zonas
de vacianiiento

I'iE1Frotera
-

Vs=OV

-4.

IV

- P

1
/:
'5V

4\6

Figura E.6.2.1. Grfica compuesta de

Regin,
activa:

\,GS =ov

SV

-2V41V_
3V

'

8\. 10\12\14

16

18

20

VDS(V)

's'D8 con VGs como parmetro, y de IDS (nt)

Dejando nicamente las regiones vlidas, se obtienen las curvas caracterfsticas del transistor FET de union, las cuales dan una aproximacin lo suficientemente precisa para que se considere (comparando los resultados tericos con
los experimentales) como vlida La teorla desarrollada hasta este punto. Las
regiones gue se considerari cp reales de las c ashtenidas en esteLcaso son
donde existe contacto entre las zonas de vaciamiento, dentrQd.1 canal de conduccion,esto es, eiifOn denom inada reijo n delrioda.y enJaiegion4enomirida region activa, mientras en la region de impa i I ngthann tien
sentiicBasndose en los clculos de 1D (ut) en trminos de T', es posible determinar que latransconductancia de este dispositivo es no-lineal.
32

6.1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)


41Ds(mA)
VGS=OV

ii I

activa

I
I
I
I I I
I
I
6 8 10 12 14 16 18 20 22
Figura 6.6. Grfica que arroja la teoria para el transistor FET de union propuesto.

$ 'is (mA)

8L

DSS

7
6t

Nocontactode
laszonasde
vaciainieflto.

Contacto de las
zonas de
vacianiiento.

Figura 6.7. Curva de

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
V/2
VP

u- Vs ci")

IDS -VGS que muestra la no lineabilidad de la transconductancia.

Si se analiza la grfica de la Fig. 6.7, se vera que si se pretende utilizar este


jp2sivo_como amplificador, la zona ms a ro
sara traba.jarloesia reonactiva,regi6ffenTiu , si se epji1osefectos
resistencia
de la barra semicohd tora (canal de conduccin), la corriente que circula
eiWddporlaecuacion (6.1.34); sin embargo, es demasiado complicado trabjar con esta ecuacin para alguna aplicaciOn de estos dispositivos, razn por
la cual se ha buscado una aproximacin que permite con mayor facilidad el uso
33

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

del dispositivo. A esta aproximacin se le conoce como la aproximacibn cuadrdtica o parablica y se ilustra en la Fig. 6.8.
b'DS"DSS
1.0k

::_i
0,4

G5

_2

I I LutmL_ I I
0.4
0.2
0.6
1.0
0.8
1.2

10

VGS/Vp

Figura 6.8. Comparacin de Ia grfica de la ecuacin (6.1.34) con la aproximacin parablica.

El error al utilizar esta aproxjmacjn es menor a 3 por ciento en todo el rango


de voltajes de control VGs .
Cuando VGs = 0, a la corriente 'DS (sat) se le denomina IDss , y se considera
que al usar la aproximacin parablica se puede establecer que:
\S(IDSS(1v)j

(6.1.38

Aunque en un sentido ms general, y debido a diferencias en los materiales


empleados, en las tecnologfas de fabricacin, en la cantidad de impurezas, geometrias empleadas y dimensiones fisicas de los dispositivos, la aproximacin
cuadrtica se puede generalizar por induccin a:
IDS (sat)

as + iJo
= 'DSS(1 - VP
V

(6.1.39)

donde n puede tener cualquier valor entero o fraccionario, aunque en la gran


mayorIa de los casos cae entre 1 <n < 3.
Para estos casos se tiene que:
g=
34

nIDss
VP

(1

Vcs+Po n-i
)

(6.1.40)

6.1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

y en el caso de n = 2,
21DS8
g,7

VG + o

6.1.4 1)

y lag maxima es:


21DSS
gmax=gmI

VGS =0

21DSS

Como 'DSS y Vp son de signos contrarios, g, siempre es positiva.


Si se utiliza la expresin (6.1.40) se puede establecer que:
'DS
g= T'[1(VGs+/o)/T]

(6.1.42)

en donde:
IDS--

gm

+--VGS + '
n
n
n

(6.1.43)

esta expresin se grafica contra 1', se obtiene la Fig. 6.9.


De esta forma, Si experimentalmente se encuentran dos puntos de esta recta, es posible obtener los valores del.voltaje de oclusiOn y del exponente n de la
expresin (6.1.39)

y Si

T--

Figura 6.9. Grfica de V0 'DS para ilustrar la obtencin grfica de T y n de Ia ecuacin


g
(6.1.39).
35

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Capacidad de la compuerta
Un clato importante que resulta de este tratamiento es la capacidad de la compuerta CO3 entendindose con este valor la surna de capacidades interelectrdicas (CDG + CGS), y debido a que h = h(x) valor en x de la zona de vaciamiento en la uniOn, C'0 est dada por:

CC, - 2 e

L_h(x)
dx

y sustituyendo los valores encontrados anteriormente. obtenemos finalmente


que la capacidad de la compuerta es:
C'0 -

(6. 1.44)

donde i es la movilidad de los portadores mayoritarios en el canal de conduecin. Este valor de C0 determina la frecuencia de trabajo maxima (frecuencia
de corte del dispositivo) para el FET.
El tratamiento realizado para el transistor de efecto de campo FET de canal
P esvlido para el transistor de canal N.

itaje de ruptura del transistor de efecto de campo de union

Es claro que al aumentar el voltaje entre drenaje y fuente, la zona de vaciamiento en la region cercana al drenaje aumenta pudiendo ocurrir el fenOmeno de
ruptura (ver capftulo de uniones slidas) por lo que siempre se considera que
la ruptura ocurre en La regiOn cercana al drenaje. En este caso, y debido a la
construcciOn y mecanismo de operacin del dispositivo, se puede establecer
que si VR es el voltaje de ruptura del diodo formado entre compuerta y canal de
conducciOn, en general se tiene:
VB = VR + VG S

(6.1.45)

donde l' ser el voltaje de ruptura con polarizaciOn y, como se ye, este dispositivo puede variar su voltaje de ruptura con la polarizacin de compuertan La
Fig. 6.10 se ilustra la variacin.
36

6.1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

-1DS
-2.0 v

2.4 T

=0V

GS
._VC
1.6

0.2Y
canal

0.4V

1 2

0.6 V
0.8
0.8V
1.0V
i.2V

1)4

01

I
15

10

20

25

30

35

- VDS(V)

Figura 6.10. Caracteristica de un PET de union donde se observa la variaciOn del voltaje de
ruptura con la polarizaciOn de la compuerta (FET canal P).

Impedancia de entrada del FET de union


La impedancia de entrada de un FET de union est caracterizada de la, misma
forma que la impedancia que presenta un diodo de uniOn polarizado inversamente, es decir:
I=4(e

'GsmT_

1),

dl =1 eS/mKT _e
dVGS
mKT
I0,, 4-,eV0/mKT

(6.1.46)
(6 1 47)

-j + . 0

en donde:
dVCsR
dl -

mKT
e(I+J0 )

(6148)

Si 4 es del orden de 10b0 A a temperatura ambiente, para I = 0, se tiene


una impedancia del orden de 250 m2 y 6sta aumenta al polarizar inversamente
la union.
37

TRANSISTORES DE EFET0 DE CAMPO (PET)

6.1.4. SImbolo empleado


El sfmbolo empleado para este dispositivo, al igual que la mayorIa de los utilizados para los dispositivos semiconductores, es producto de una similitud con
la construccin tcpica del mismo. Para el caso del transistor FET de union se
ilustra ci sfmbolo en la Fig. 6.11.

D S

S
canal
(a)

canal
(b)

Figura 6.11: (a) detalle de construccin del FET par difusin; (b) sfmbolos empleados para
los transistores FET de union.
6.1.5. Modelos empleados

/ Si se analiza el detalie de construccin del FET (Fig. 6.11-a), y se considera que


material del cual est construido presenta resistencia elctrica, que puede ser
modulada por el voltaje VGS, se puede pensarque estas resistencias producen
cafdas de voltaje al circular corriente por ellas. /

Figura 6.12. Detalle de construccin del FET de union.


38

6.1. TRANSISTOR DL EFFCTO DE CAMPO DE UNION (FET DL UNION)

Se puede establecer el siguiente modelo equivalente esttico para el FET d


union conectado en configuracin de fuente com(n.
D2.

RT

'DS
I
DS

gm

GS
1_os

Figura 6.13. Equivalente esttico para el FET de union.

Para este modelo esttjco del transistor FET se calculan los valores de la siguiente manera:
a) de la curva caracterIstica del transistor, cuando VGs = 0, se toma el valor
donde se tiene la corriente de saturacin IDSS y se traza una ilnea recta al
origen, obtenindose:
RT=

,
1DSS

vP

I
ADSS I VGS

'

( 6.1.49)

b) para la resistencia de entrada se puede hacer el clculo de:


R. mKT
'
e10

(6.1.50)

"DS
Figura 6,14. ObtenciOn de la resistencia entre drenaje y fuente para el FET de union.
mej

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

c) de la pendiente de las curvas del transistor FET en la region activa, se puede


obtener el valor de RDS, que incluye las resistencias Ps + RD de La Fig. 6.12.
Modelo dinmico
Para establecer el modelo dinmico de este dispositivo se requiere:
a) considerar La regiOn donde va a trabajar el dispositivo; y
b) tomar Unicamente el efecto de las fuentes dependientes o bien sus equivalentes incrementales.
Si para este dispositivo trabajamos en La region activa, se ye que al dejar de
conducir el diodo D1 (entrar en la regiOn activa) La corriente de drenaje-fuente
est dada prcticamente por:
I s =IDs

gm

V s +(VDs VP Po)/Rs,

(6.1.51)

de manera que la variaciOn de 'DS respecto a VGS, que serla la variable de entrada, es negativa y de valor g:
dIDS I
dVGS I

= g,

(transconductancia),

(6.1.52)

I VJs = cte

la cual es de signo contrario a la definicin de transconductancia. Esto implica


que la fuente de corriente dependiente de voltaje para el modelo dinmico es en
sentido contrario a como est establecida en el modelo esttico.
G

1]

11

Figura 6.15. Modelo dinrnico del FET a bajas frecuencias (sefiales pequeflas).

Si se quiere considerar el modelo dinmico del FET de union a mds altas


re uencias, es necesario tomar en cuenta La intervencin de Las capacidades
interelectrdicas, quedando:
40

6.1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

CDG

Fil

Figura 6.16. Modelo equivalente dinmico del FET de union a frecuencias altas (seales
pequeflas).
En la nomenclatura usada internaciorialmente para estos dispositivos se
simboliza asf a las capacidades:
Gas = Ciss
(6.1.53)

CDG =
CDS = COSS.

6.1.6. Caracterlsticas generales 0 parmetros generales


labia 6.1.
Parmetro

Valor

Definicin

Voltaje de ruptura
compuerta-fuente

BVGSS

Es el voltaje de ruptura del diodo formado


entre compuerta y fuente, cuando el drenaje se cortocircuita.

Corriente de saturaciOn
compuerta-fuente

1GSS

Comente de raturacin inversa del diodo


entre compuerta y fuente, que se mide con
la fuente y el drenaje en cortocircuito.

Voltaje de oclusin

Voltaje para el cual el canal de conducciOn


se ocluye y la corriente entre drenaje y
fuente es prcticamente nula.

Voltaje de compuerta-fuente

[,Gs

= V0

Voltaje entre compuerta y fuente.


41

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FFT

labia 6.1. (cont.


Parmetro

Valor

Definicin

Corriente de saturacin
para VGS = 0

'DSS

Corriente de saturacin cuando la fuente y


la compuerta se cortocircuitan.

Capacidad de entrada

Ciss

Capacidad de entrada al dispositivo equivalente a la

Capacidad de
transferencia inversa

CrSS

Capacidad de transferencia inversa equivalente a la CDG.


Capacidad entre drenaje y fuente.

Capacidad de salida
Voltaje entre compuertafuente directo

VGSF

Transco nductancia
directa

Resistencia
drenaje-fuente
Corriente de drenaje
Temperatura de la union

FS
RT
'DS

= 'D

Tj

dIDS
dVGS

Resistencia entre drenaje y fuente medida


en la region de triodo.
Corriente de drenaje igual a IDs cuando el
diodo compuerta-fuerite est polarizado.
Temperatura de la union del diodo compuerta-fuente.
Temperatura de operaciOn del canal.

Temperatura de operaciOn
Voltaje entre
drenaje-fuente

Voltaje entre compuerta y fuente con el


diodo polarizado directo.

VDS = VD

Voltaje entre drenaje-fuente.

Voltaje entre
drenaje-compuerta

VD r,

Voltaje entre drenaje-compuerta.

Potencia de disipaciOn

PD

Potencia que puede disipar el dispositivo


sin que se dafle.

Figura de ruido

NF

Figura de ruido cuya definicin es:


NF= 202og[(S/R)/(S/R)0 ].

Corriente de fuga
compuerta-drenaje

IDr,.

Corriente de fuga del diodo compuertadrenaje con la fuente abierta.

Corriente de fuga
compuerta-fuente

42

Corriente de fuga del diodo compuertafuente con el drenaje abierto.

6.1. TRANSISTOR D1 EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

6.1.7. Variacin de parmetros


Al igual que en la mayorIa de los dispositivos semiconductores, la variacin de
parmetros del transistor de efecto de campo FET se debe principalmente a
la temperatura, pues la movilidad de portadores, el potencial de contacto, la
concentracin intrInseca, la zona de vaciamiento y otras caracterIsticas de los
semiconductores varfan al variar la temperatura.

6-1os

Variacin de 'DSS con la temperatura


Utilizando la ecuacin (6.1.37), en la que se establece la corriente IDss en funcion de la movilidad, de las impurezas y de las dimensiones fIsicas del dispositivo, tenemos:
'DSS

2 W/.Le2 N H
48

( 6.1.54)

Si recordamos que la movilidad se comporta en funcin de la temperatura,


de la siguiente forma, tenemos:
-3/2

de manera que se puede considerar que:


(6.1.5 5)

/2 =

es la movilidad a la temperatura 7 (temperatura ambiente).


donde
Considerando que en la ecuaciOn (6.1.54) nicamente p es la que varla con
la temperatura, la variacin de la corriente 'DSS con la temperatura ser:
3We2NH
dIDss dT -- 48cL
dIDss
dT -

p0

T03 ' 2 T

_ IDSS(Ta)TTaT

(6.1.56)

(6.1.57)

A continuacin se muestran las variaciones de 'DSS 'D r y g


tYf8 I COfl
la temperatura para un transistor de efecto de campo canal N (2N5 I 63 de Fairchild).

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO


20
16
:.

12

IflURRI!fl
,a_
AJ

LLL

16

<

C
20
16

VGS9

- - 1
090.51V
12
-v 1.oV
B
-3.0
-1.5V
V
-2.0V
2.5Vj

12

TA =1000 C

L14I

Ji

__
0.5v'

YA
VDS ()

Figura 6.17. Efecto de la temperatura sobre las caracterIsticas de drenaje de un


JFET de silicio de canal n, tipo 2N5163
(cortesia de Fairchild Semiconductor).

44

VGS (V )

Figura 6.18. Efecto de la temperatura sobre (a) la corriente de drenaje ID; (b) la
resistencia de drenaje a fiiente (o de canal)
Rr, y (c) la transconductancia directam de
un MET de silicio de canal n tipo 2N5 163
(cortesfa de Fairchild Semiconductor).

6.1. TRANSISTOR DE EFICTO DF. CAM P0 DE UNION (FET DE UNION)

6.1.8. Mtodos fundamentales de polarizar un transistor de efecto de campo


de union MET

VDD

VGG

1 DL)

VG(

Canal
Fuente comin.

Canal P
Fuentc comn.

Canal N
Drenaje comn.

Canal P
Drenaje comn.

DD

DL)

G6

Canal N
Compuerta comn.

Canal P
Compueita com(ln.

Figura 6.19. Mtodos fundarnentales de polarizar un JFET.

45

TRANSISTORES DE [FECTO DE CAMPO (FET)

Adems existe un mtodo adicional bsico que se denomina autopolarizadon y que se ha pensado para usar una sola fuente para operar el dispositivo, en
lugar de dos como en todos los casos de la Fig. 6.19. En la Fig. 6.20 se muestra
cOmo quedan los circuitos anteriores con autopolarizacin para el caso del
canal N, y anlogamente se pueden obtener para el FET canal P.

VDD

Fuente cOmn

Drenaje comn
r

DD

Compuerta comOn

Figura 6.20. Circuitos de autopolarizacin con un transistor FET de union canal N.


6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXIDO
SEMICONDUCTOR (MOS-FET)
El transistor de efecto de campo metal-Oxido-semiconductor (el cual designaremos en lo sucesivo como MOS-FET) ha sido el desarrollo tecnolgico ms significativo en dispositivos electrOnicos desde que se introdu/o el transistor bipolar
en 1948. Estos transistores se empezaron a desarrollar en forma comercial
46

6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

desde 1964, a raIz del desarrollo de circuitos integrados cada vez ms complejos. El transistor MOS-FET tiene cada vez mayor importancia debido a que
ofrece caracterz'sticas de simplicidad en los circuitos, conflabilidad y facilidad
en la con cepcin y diseflo de los mismos, razn POT la cual es de suma importancia estudiar cuidadosamente este dispositivo en sus variantes ms comunes.
6.2.1. Estructura fundamental
La estructura fundamental del MOS-FET es La que se muestra en la Fig. 6.21,
estructura que surgi posteriormente al desarrollo de la tecnologfa planar.
Observe que el dispositivo consiste de dos regiones semiconductoras de tipo P,
las cuales constituyen La fuente y el drenaje, regiones que estn separadas por
una region semiconductora tipo N, la cual es parte del subestrato.
En la parte superior de la region N que separa la fuente del drenaje, se crece
una capa de dixido de silicio delgada ( de aproximadamente 1000 A de espesor), La cual separa La compuerta del semiconductor, compuerta que normalmente es de aluminio.
compuerta

metal
semiconductor

fULfltc

P
Drenaje

Subestrato

Fuente 6.21. Estructura fundamental de un transistor MOS-FET de canal P.

Cuando en la compuerta se aplica un voltaje negativo respecto del subestrato, debido a que se tiene un condensador entre compuerta y subestrato, se
inducen cargas positives entre el drenaje y la fuente, propiciando un canal de
conduccin entre estos dos electrod7Se puede ver que por la construccin del
dispositivo el funcionamiento es iiiitrico respecto a la forma en que se conectan la fuente y el drenaje, es decir que se pueden intercambiar, y el transistor
funciona de igual manera. La teorfa del funcionamiento de este dispositivo se
desarrolla en base a la teorfa de la union PN y a La conducciOn de partfculas
cargadas en semiconductores.
47

TRANSISTORES DE EFEcTO DE CAMPO (FET)

6.2.2. Anlisis del transistor


Se asegura un anlisis en base a la estructura fundamental de un transistor MOSFET de canal P (Fig. 6.21) tendiente a obtener las curvas caracterfsticas de
comportamiento eldctrico de estos dispositivos. Se pondr especial nfasis en lo
que ocurre dentro del subestrato cerca de la superficie de contacto entre el
semiconductor y el SiO2 .
Considere un MOS-FET de canal P como se muestra en la Fig. 6.22, en donde se representa el dispositivo ensamblado y los niveles de energIa antes de que
se ensamblaran, para estabiecer algunas definiciones que nos sern de utilidad
en el desarrollo subsecuente.
f. Nivet de vaclo

k
.-

Drenaje

Compuerta

I xs I

EFM

Ec
._!'
8eV - _.__.._E,
Ev

Subestrato

Sr02

x Silicio

Mcta

(a)

(b)

Figura 6.22: (a) configuracin del MOS-FET canal P, considerando todos sus electrodos
aterrizados; (b) consideracion sobre las bandas de energIa del metal-xico-semiconductor.
Se define como:
MS

(6.2.1)

y se le denomina funcin de trabajo metal-semiconductor, y es la diferencia de


las funciones de trabajo del metal y del semiconductor.
= EFS - E1

6.2.2)

a 45F se le denomina funciOn de trabajo intrinseca y es la diferencia entre ci


nivel de Fermi real en ci semiconductor y ci nivel de Fermi intrmnseco que
tendrIa el mismo material semiconductor.

k')(
'
6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DL CAMPO METAL OXIDO SFMICONDUCTOR (MOS-FIT)

Tambin se define:
Qss como la carga en La frontera del silicio con el dixido de silicio, del ]ado
del xido. (Depende de la pureza del xido, de su tcnica de crecimiento y
de la orientacin cristalina del semiconductor.)
Qox como la carga en la frontera del metal de la compuerta y el diOxido de
silicio, del lado del xido.
Analizaremos primero el caso de bandas planas, lo cual se logra invariablemente cortocircuitando todos los electrodos como lo muestra la Fig. 6.22, pues
al tener todos aterrizados, no existe movimiento o acumulacin de cargas en
algunos de elLos, logrndose que los diagramas de bandas de energia no se deformen. A esta condicin se le llama condiciOn de bandp.pkflas
Si se observa el diagrama de bandas presentado en la Fig. 6.22-b, se puede
ver que ste es un diagrama bidireccional pues se considera la direccin de x en
ci sentido perpendicular al xido de silicio y hacia el semiconductor, considerando el origen precisamente en la frontera del xido-semiconductor.
Si se aplica un voltaje entre la compuerta y la tierra. y se dejan aterrizados
los electrodos de la fuente, drenaje y subestrato, este voltaje produce un campo
elctrico sobre el semiconductor, que empieza a doblar las bandas de energIa en
La proximidad de la frontera Si02 -5i. obtenindose segn La polaridad y magnitud de este voltaje distintas condiciones, ]as cuales se ilustran en la Fig. 6.23.

'GB =
(e)

Ev
Figura 6.23: (a) acumulacin; (b) vaciamiento; (c) intrInseco; (d) inversion (V1 es el voltaje
mtrmnseco).

rKANsIsT0RIs DI I -Il Ci() 1)1 (AMI'O (I:IT)

Para lograr deformar las bandas hasta que se tenga en la frontera SiO2-Si un
semiconductor aparentemente intrinseco. se requiere aplicar un voltaje V1 al
que se le denomina voltaje intrinseco, a partir del cual si se sigue disminudo
el voltaje aplicado en la cDffi-pueffa,se tiene una inversion; es decir, si el semi10 tipo P y viceversa. Sin
conductor originalmente es tipo N. se comporta
embargo, se considera efectivamente presente cuando en la frontera la posicin
del nivel de Fermi respecto del nivel intrInseco est a la misma distancia que en
la condicin de bandas planas pero invertido. Esto se logra cuando la deformaciOn de las bandas total
est dada por:
4=24 F .

(6.2.3)

Cuandoe_satisfct laondiciOn (6.2.3) se considergc se establ!.4


y fuente.
canal d condm-c-QiQae-utre d!e
Para mayor corn prehension de los fenmenos que vamos a estudiar, definimos:
1, la superficie del silicio, corno la regiOn del lado del semiconductor en que
las bandas no son planas; y
2. la front era SiO2 -Si, como la regiOn pequefia entre la red cristalina del silicio
y el SiO2 amorfo.
Caso 1.
Analizaremos el caso de la deformacin de las bandas en la superficie del silicio
para el caso de MS = 0 y Q,ss = 0, con objeto de obtener ms claridad acerca
del funcionamiento de este dispositivo. Como Las bandas se deforrnan a! aplicar
Un voltaje extemo VGB se puede pensar que el voltaje aplicado se reparte de la
forma siguiente:
VGB

= Vox +

(6.2.4)

donde:
VOx es La cafda de voltaje en ci xido de silicio; y
es el voltaje a travs de Ia superficie de silicio (equivalente al
potencial de contacto).
Si se considera que ci efecto de doblamiento de las bandas en la superficie
del silicio induce una cantidad de cargas Q9 (coul/cm2 ), el campo elctrico en la
superficie del silicio ser:
-*
Es
50

Qs
s EO

(6.21. 5)

6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO \IET.AL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

El signo menos indica que va en sentido negativo del eje x para este transistor (canal P).
Si se considera que el vector de desplazamiento elctrico sat isface las condiciones de continuidad, se debe cumplir que:
(6.2.6)
donde Eox es el campo elctrico en el xido, el cual se considera constante y
de valor:
vox
E0 =
aox

(6.2.7)

Luego, sustituyendo esto en la ecuaciOn (6.2.5) se obtiene:


Q d0
VOA = 0X S

(6.2.8)

donde dox es ci espesor de la capa de Oxido en la regiOn de la compuerta.

Semiconductor

Oxido

Ill

Metal
+ 41+1

Subestrato
CompueTta

+1

P14

d0

01

Lv

x0

d0 .

x0

Figura 6.24. Region de la compuerta y definiciOn de espesor de xido y zona de vaciamiento.

Si se considera que la capacidad por unidad de area en la region de la compuerta est dada por:
Co =

0X 0

aox

(6.2.9)
51

TRANSISTORES DE EFE:cTo DE CAMPO

y Si

se considera un capacitor de placas paralelas, esto es,


Vox

Q
Co

(6.2.10)

sustituyendo esto en la condicin (6.2.4) se obtiene:


Q +-41S ,
Vos =C- e

(6.2.11)

El total de carga inducida en el semiconductor es por definicin la suma


de los tomos donadores que permanecen ionizados (cargas fijas) y los huecos
que existen en la region de inversiOn. AsI:
(6.2.12)

Qs = Qj + Qp

Considerando que ci espesor de la zona de vaciamiento (superficie del silldo) depende del voltaje VGB aplicado, se puede encontrar el valor de este espe-

sor cuando se considera que se tiene inversiOn, es decir:


=

Recordando el espesor de la zona de vaciamiento del capItulo 3, se puede


concluir que:
2E s E0 I 2 FI )1I2
X. = (
(6.2.13)
e2 /
Para encontrar el voltaje entre compuerta y subestrato necesario para asegurar la inversiOn, y de esta forma asegurar un canal de conduccin para el
MOS-FET bajo estudio, se puede establecer que:
QS=QB'

Q=0,

en donde:
QB

= Qs = eND x0 = ( 2ESeoPvI245F1)"2

(6.2.14)

y sustituyendo este valor en (6.2.11) se obtiene:


2ese0i\I2I
Co
52

+ 2/ .

(6.2.15)

6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO MFTAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

Caso 2
Se considera que Q
0 y que IMS 0 0.
En este caso es irnportante aclarar que se encuentra que Qss siempre es p0sitiva (no importa si el dispositivo es canal p o canal N) y depende bsicamente
de la orientacin cristalina del semiconductor en el plano de Ia frontera. En la
tabla 6.2 se presentan los valores promedios observados de Qss en funciOn de
la orientacin cristalina.
Tabla 6.2.

Orientacin cristalina en
la frontera SiO2-Si

Q88

QSS

110

8 X 10_8 coul/cm2
3.2 X 10_8 coul/ cm2

2 X 1011 (1/cm2 )

100

1.4 X 10-8 coul/crn2

9 X 10' (1/cm2)

111

5 X 10I (1/em')

El origen de la carga Qss aUn no se conoce con exactitud, por lo que resta
mucha investigacin por hacer en este rengln.
Debido a la presencia de la carga Qss en Ia frontera SiO2-Si y que sta siempre es positiva, para contrarrestar su efecto y Ilevar el anlisis al caso 1, se requiere de un cierto voltaje negativo enla compuerta, voltaje al cual se Ic denomina voltafe de bandas pl.anas y se puede establecer corno:
= (Qss/Co)
Si MS =
- s' enonces se debe aplicar en la compuerta un voltaje
igual a I,S/C para que el anlisis se realice en iguales condiciones al caso I.
Considerando ambos casos, el voltaje de bandas planas queda:
Vw' = (Q23 /c0 ) + (4Ms/e) .

(6.2.16)

Considerando todo lo anterior se tiene que aplicar un voltaje VGB que Se


denomina wltajede umbra!, ci cual establece ci roltaie que se daplicar
entie compurta i sith trt.Qpgaquc el dipo5zt1J0 empuce q cqjjucirente
drenaje i jwntr (es decir, que se Ileve al dispositivo al caso de tener una region
de inversion). Luego:
QS

- -

(6.2.17)
53

TRANSISTORES DE Ffl:CTO DI CAMPO

Para desarrollar las ecuaciones de comportamiento del MOS-FET aquf propuesto, se deben hacer algunas consideraciones adicionales que permiten que ci
tratamiento matemtico Sc simplifique: a saber:
a) el dispositivo est sin conducir entre drenaje y Juente, hasta que se aplica
suficiente volta/c enfre conipuerta v subestrato para inducir una zona de
in version en la super/lcie del siiicio prOxfma al xido;
b) el subestrato se cortocircuita a la fuente, es decir V = 0; y VGS = VGS;
c) para el tratamiento se considera queya Sc tiene la zona de inversiOn inducida;
d) QE se considera constante a lo largo del canal de conduccin; v
e) la caida de voltaic en ci canal de conduccin es lineal, es decir:
V(y) = (VD/L)y.

SO

MMAMAMMAMMAN

I
V

P'Qp(r)
y = L

0
Subestrato

Figura 6.'S. Corte del MOS-FET trabajando normalmente.


La corriente que circula del drenaje a la fuente seri constante a lo largo del
canal, de manera que se puede estabiecer:
1V= IDs IR,

(6.2.18)

donde AR es un valor diferencial de la resistencia del canal, valor que estar


dado por:
(6.2.19)
A=xW.
A
donde W es el ancho del canal de conduccin.
54

6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXEDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

Si Ia resistividad de un semiconductor est dada por:


(6.2.20)

= eP(v)
ep(y)x=Qp

si:

(6.2.21)

IDS AY

'DS Al .

ep(y).LWx

QpW

(6.2.22)

Si Qs = QE + Q , , sustituyendo la ecuaciOn (6.2.12) en la ecuacin (6.2.22)


queda:
(6.2.23)
IDS AY = (Qs - Q8)L WV.
De las expresiones (6.2.11) y (6.2.17) se puede encontrar que:
Q

(y) =

00

(6.2.24)

[V, - VBP - "'S (Y)

sustituyendo esto en la ecuacin (6.2.23), se obtiene:


'DS &v =
Si:

r=

CO VG S - v

- IDS W

I i.i h' V - Qa i.p Wi.X V, (6.2.25)

Cc
integrando la ecuacin (6.2.25) desde cero hasta L, se tendr:

I.

(6.2.26)

dY_zWCoJ [VGs+y)IdV(y),

Jo

donde V(y) = sy)/e es la diferencia de potencial en cada punto del canal de


conduccjn con respecto a la fuente (para la fuente aterrizada).
IDSL14 Wo[(VGsVu)VDs

].

(6.2.28)

Sustituyendo ci valor de CO3 se obtiene:


- ,.te0e0W

IDS

d0 L

[(V -

)V - 2

(6.2.29)
55

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

expresin que nos da el comportarniento del MOS-FET en la regiOn de triodo.


Para obtener el comportamiento en la region activa es necesario derivar la
ecuacin (6.2.29) y encontrar el mximo asi:
dIDS
!2p ox o W
dVDS = 0 = d0L

(VGS - VU

VDS)

6.2.30)

ecuaciOn de la cual obtenemos:


VD

= VG

V .

(6.2.3 1)

Sustituyendo la ecuacin (6.2.3 1) en la ecuaciOn (6.2.29) se obtiene:


IDS (sat)=

At, ox 0 W
d0 L

(VGS

l.L E.e0 w
d0 L

Si al trmino

(6.2.32)
(6.2.33)

le liamamos t, entonces:
= E( VGS

- T) V

VDS
---] (regiOn de triodo o regiOn Ohmica), (6.2.34)

e
'DS (sat)

= --(VGS -

(regiOn activa).

(6.2.35)

Derivando la ecuacin (6.2.34), se define la transconductancia en la regiOn del


triodo como:
aIDS

=g., =IVDs L

(6.2.36)

VDsCte

En la expresin (6.2.36) se considera el valor absoluto entre el voltaje de


drenaje a fuente VDS debido a que ga.,, debe ser positiva tanto para transistores
de canal N como de canal P.
La transconductancia del canal para la region activa se obtiene derivando la
expresiOn (6.2.3 5). AsI:
aIDS

FV-

=g 5

VDS

=IV0 FI,

= cte

y Ia conductancia del canal para la region del triodo es:


56

(6.2.37)

6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MO

aIDS
aVDS

=gDS

=ls -

- V,s I.

(6.2.38)

Se puede demostrar que la respuesta en frecuencia de un dispositivo MOSFET est dada por:*
gms

(6.2.39)

= 2ITCG

donde CG es la capacidad total de la compuerra, de manera que sustituyendo


(6.2.33) y (6.2.37) en (6.2.39) se tendr:
f

= 27r CG

27r[(e0e0/d0)WL]

(6.2.40)

de donde se obtiene:
1.LP IVGS _ V.
2irL2

(6.2.41)

Normalmente a la relacin g. ICG se le conoce como figura de mrito del transistor, y a medida que sta sea mayor el dispositivo puede trabajar en mds altas
frecuencias.
Si se considera que entre subestrato y fuente existe un voltaje diferente de
0), se ye modificada la diferencia entre el nivel de Fermi y el nivel
cero (V
intrInseco E1 (ver Fig. 6.23), equivaliendo esto a la modificacin de las cargas
acumuladas o vaciadas en la superficie de silicio del lado del semiconductor, de
manera que la expresin (6.2.14) se modifica a:
QB

= [ 2ESEOeND

donde:
V50

VBS

I2

(6.2.42)

e +

- VGS

cie manera que, seg(in Ia expresin (6.2.27), el voltaje de umbral se modifica a:


12SCO ND [(12c1811e) + VBS ]J
2'1F
VU'=VBp+----Co
*

1/2

(6.2.43)

C. T. Sah, IEEE, Electron Devices, ED-1 1: 324 (1964).

57

6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

cion, el cual se va acrecentando a medida que se polariza la compuerta del dispositivo. Sin embargo, es posible construir un dispositivo que ya tenga un canal
sin voltaje de compuerta y que ste se pueda modular con la polarizaciOn de la
compuerta, como se ilustra en la Fig. 6.26.
A este dispositivo se le conoce como MOS-FET de vaciamiento y sus leyes
de comportamiento son similares a las ya deducidas pah el MOS-FET de acrecentamiento, cambiando nicamente el voltaje de umbral V.
Se pueden concebir cuatro tipos distintos de MOS-FET, tal como se muestra en la Fig. 6.27.
G

MOS-FET de acrecentamiento
canal P.

Figura

MOS-FET de acrecentamierito
canal N.

MOS-FET de vaciamiento
canal P.

MOS-FET de vaciamiento
canal N.

6.27. Configuraciones bsicas de los cuatro transistores MOS-FET que se pueden

lograr.
59

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

A continuacin se establecen las curvas caracterIsticas estticas para eStos


cuatro dispositivos, asI como una tabla en la que se estableceri, a manera de
resumen, los principales parmetros usados en el comportamiento fisico del dispositivo MOS-FET y sus valores respecto a! origen.
-IDS(mA)

IDS (mA)

90 RegiOn
de
triodo
70

VGS=_8V

90

70

i
o

50
30
10

-3V
8 10 12 14

9V

VG-8V

_____
a :i7
activa

-6V

lafl

Region
de
tnodo

_VDS (V)

MOS-FET de acrecentanijento
canal P.

5V

4V
__________3 V

4 6

8 10 12 14

VDS(V)

MOS-FET de acrecentainjento
canal N.

Ds (MA)

90 RegiO n
de
odo
70

2V

90RegiOn

-2V

tn do,'_L_g'O
70 j
VGS = 0 V

50

-lv

1V
30
10
0i

_
2 4 6 8 10 12 14
MOS-FET de vaciainiento
canal P.

30

2V
3V
4V

-2V

10
-VDS(V)

-3V
I

2 4 6

8 10 12 14

s)

MOS-FET de vaciamiento
canal N.

Figura 6.28. Curvas caracterIsticas estticas tIpicas de los transistores MOS-FET ms em


pleados.
60

6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO MFTAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

Tabla 6.3,
Parmetro
Tipo de subestrato
Polaridad de ]as terminaTes

VGS. VDS

Voltaje de umbral

QB

Carga de los tomos ionizados en


la superficie del silicio

Qss Carga en el xido en la frontera Si-SiO2


F

EnergIa potencial del nivel de Fermi


intrinseco con respecto al nivel de Fermi

Deformacin de las bandas en la frontera


para el caso de inversion IDS 24 F

s Diferencia de energa potencial entre el metal


el semiconductor, usualmente aluminio-silicio

Canal P

Canal N

+
+
-

+
+

+
-

6.2.4. SImbolos
A continuacin, en la Fig. 6.29, se ilustran los simbolos ms empleados para los
cuatro MOS-FET bsicos.
j

JD
B

G ..-

G
acrecentainiento

S
canal

canal

B
vac jam jento
S

Figura 6.29. SImholos ms ernp!eados para los MOS-FET.

TRANSISTORES DE EFECT0 DE CAMPO (FET)

Como se observa, en los MOS-FET de acrecentamiento se simbolizan todos


los electrodos separados, mientras que en el caso de los de vaciamiento se une
la fuente con el drenaje tratando de representar la construccin ffsica del dispositivo (ver Fig. 6.29).

6.2.5. CaracterIsticas y limitaciones


Tabla 6.4.
Parmetro
Voitaje do umbral

Voltaje de ruptura
entre drenaje y fuente

Valor
V,, @ IDs

Es ci voltaje que se necesita aplicar entre compuerta y subestrato para ilevar el dispositivo al caso de
bandas planas y formar in region de inversion.

BVDSn

Es el voltaje de ruptura entre drenaje y fuente con


in compuerta cortocircuitada a in fuente.

Factor do conducciOn

Transconductancia
inicial en la regiOn
activa

Definicin

Es una constante quo depende de las concentracions de impurezas en ci subestrato y de Ins dimensiones fisicas del dispositivo.
9M

Es in transconductancia (6.237) cuando VGs = 0.

Temperatura de
operacin

T.

Es In temperatura a in cual puede operar ci dispositivo sin danarse.

Temperatura de
ahnacenamiento

Ts

Es in temperatura a in que so puede almacenar el


dispositivo, sin que 6ste sufra daflo.

Potencia de disipacin

PD

Es In potencia maxima que puede disipar ci dispositivo en forma continua sin que este so dafle.

Frecuencia maxima
de operacin

f0

Es In frecuencia ms grande que ci fabricante recomienda para usar el dispositivo.

CO

Es in capacidad por unidad de area que presenta la


capa de xido entre ci subestrato y In compuerta.

Capacidad del xido

Resistencia de
conduccidn

62

RON

Es in resistencia eictrica que so presenta entre


drenaje-fuente cuando VGS> IV,, I.

6.2, TRANSISTOR DI: EFECTO DL CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

Tabia 6.4. (cont.


Parmetro

Valor

Defmicin

Corriente de fuga

'DSS

En el caso de los transistores de acrecentamiento.


esta corresponde a unk pequefla corriente del
orden de nA, pero para el caso de los transistores
de vaciamiento es del orden de mA y es la corriente entre drenaje y fuente cuando VGs = 0.

Capacidad entre
compuerta y fuente

CGS

Es la capacidad entre la compuerta y la fuente.

Capacidad entre
compuerta y drenaje

CG

Es la capacidad entre la compuerta y el drenaje.

Capacidad entre
drenaje y fuente

CDs

Es la capacidad entre ci drenaje y la fuente.

Resistencia del xido

R0x

Es la resistencia entre la compuerta y ci subestrato


(es decir del xido entre ellos), normalmente es del
orden de 1010 Q o mayor.

Tiempo de subida o
o encendido

t.,.

Es el tiempo que tarda un dispositivo MOS-FET en


pasar de corte a saturacin (10% a 90%) al excitarlo
con un puiso abrupto.

Tiempo de bajada o
apagado

tf

Es el tiempo que tarda un dispositivo MOS-FET en


pasar de saturacin a corte (90% a 10%) al excitarlo
con un pulso abrupto.

Voltaje de compuerta
a fuente

VGS = V

Es ci voltaje entre la compuerta y la, fuente.

Voltaje de drenaje a
fuente

VDS

Es ci voltaje entre ci drenaje y la fuente.

Voltaje entre
subestrato y fuente
Corriente de drenaje
Voltaje de ruptura del
diodo SB o DB

VD

VBS

Es ci voltaje que se tiene entre el subestrato y la


fuente.

'DS = 'D Es la corriente de drenaje.


BVPN

Es ci voltaje de ruptura entre ci drenaje o fuente y


ci subestrato.

63

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

6.2.6. Variacin de los parmetros


Los parmetros del transistor MOS-FET se yen afectados principalmente con la
temperatura, debido a que la movilidad, la concentracin intrinseca, la funcin
de trabajo, el nivel de Fermi y el voltaje de umbral dependen de la temperatura
a la cual est operando el dispositivo. Para ilustrar esto se presentan una serie de
grficas que muestran las variaciones de algunos de estos parmetros.

- VG

6.08

L.WDS

Figura 6.30. Conductancia del canal al variar la temperatura.


64

6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS.FET)

250
(110) orientacin/
(110) diieccin

isotropica

150
(110) orientaci6n
10)01
(100)
direcci6n

IOU
50

(100 orientaci6n
isotropica
1

T=297 K

10

15

20

25

I
30

35

40

-("GS

V) V

Figura 6.31 Variacin de la movilidad de los portadores segin la orientacin del piano del
siicio a temperatura ambiente.

1.6
1.4
C
'C

1.2

11.0
0.8
0.6
0.4
-55 -25

25 50 75

100 125 150

175 TC)

Figura 6.32, Factor de conduccin normalizado en funcin de la temperatura.


65

TRANSISTORES DE EFECTO DE

Procso de fabricacin estndar


0,5

-0.5

-50

50

100

150

200

T(C)

Proceso de fabricacin de bajo V


0.5

-0.5

-50

50 100 150 200

Figura 6.33. Variacin del voltaje de umbral con la temperatura.


66

T( 00

6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

6.2.7. Circuito equivalente


En el caso de los transistores MOS-FET se pueden distinguir dos regiones importantes que se han liamado regiOn de triodo y region activa, las cuales se pueden observar en la Fig. 6.28, luego, propondremos modelos o circuitos equivalentes para estas regiones.
En la region activa los modelos son los de una fuente de corriente dependiente del voltaje VG de manera que se puede proponer:

OD

I _

I VG

DS

so

(a) acrecentamiento

(b) vaciamiento

Figura 6.34. Circuitos equivalentes para el transistor MOS-FET con I = 0 en la region activa.

En este caso:
,
gm = aVG IVDIIVGVUI
RDS=

(6.2.47)
(reginactiva)

.
.0

= cte

(6.2.48)
(region activa)

De acuerdo con (6.2.34), en la regiOn del triodo se tendrIa:


1D[(VG J'j')V(V/2)],
ID =

- V) - (VD/2)} VD

lo que se puede aproximar a:


ID =

- V) V, .

(6.2.49)
67

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Si se ileva esta expresin a un modelo lineal equivalente, se observa que


todavIa se podrIa descomponer en dos trminos:
IDVGVD cVD,

donde Ve es un voltaje equivalente a:


T= V+ (VD /2),
donde VDI2 es el voltaje promedio escogido para la aproxirnacin. AsI el modelo serd:
ID
OD

VG

'c
S0

Figura 6.35. Modelo equivalente del MOS-FET

IVD
IVDI

en in region del triodo,vlido par T'

Para este modelo se cumple que 1a resistencia que se presenta entre el drenaje y la fuente es:
(6.2.48)

Rivv1

y se introduce el concepto defuente dependiente de un producto de dos cant!dades elctricas, es decir:


G

V V2

Figura 6.36. Fuente de corriente dependiente del producto de

68

V1 y V2 .

6.2. TRANSISTOR DE EFEcTO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

6.2.8. Precauciones que se deben tomar en ci uso de los transistores MOS-FET


El metal de la compuerta en el transistor MOS-FET est aislado del resto del
dispositivo por la capa de xido de silicio (Si02 ) que forma el dielctrico entre
la compuerta y el subestrato. El SiO2 , como todos los materiales, soporta un
cierto campo elctrico antes de que se perfore, at cual se le llama campo de perforacin del dielctrico.
Una vez que se produce esta perforacin en el dielctrico, se produce un
daflo irreparable at dispositivo, pues se cortocircuita la compuerta at subestrato
o a alguno de los electrodos (fuente o drenaje).
El campo de perforacion del dielctrico para ci SiO2 es de aproximadamente 10 V/cm, y puesto que los espesores que se emplean entre la compuerta
y el subestrato son del orden de 1000 A- 1600 A, esto nos lieva a un voltaje de:
E critico doX = 101 (V/cm) X 1000 X 10-8 cm,
V= 100 V.
Luego, el voltaje de perforacin flucta entre 100 y 160 V, razn por la
cual los fabricantes de estos dispositivos especifican que no debe aplicarse una
diferencia de potencial mayor de 60-80 V entre la compuerta y cualquier otra
terminal del dispositivo.
El tamaflo pequeo y el hecho que entre la compuerta y el subestrato se
tiene un capacitor casi ideal hace que este dispositivo sea muy susceptible a
dafiarse con descargas electrostticas tales como las que se generan cuando se
usa ropa de fibras sintticas (nylon, poliester, rayon, etc).
Para evitar que se perfore ci dielctrico del MOS-FET, se deben tener en
cuenta los siguientes puntos:
a) tomar precauciones especiales para que la compuerta nunca est expuesta a
descargas electrostticas; y
b) incorporar en el transistor dispositivos de proteccin que automticamente
eviten la perforacin del dielctrico.
Para el caso a) las medidas tIpicas son:
1) usar cautines con las puntas aterrizadas para que las fuentes con que se aumentan estos dispositivos no produzcan transitorios at prenderse o apagarse;
2) verificar que las mesas de trabajo y los chasises de todos los aparatos (osciloscopios, generadores de sefial, fuentes, etc) estn aterrizadas;
3) cuando el operario maneje el MOS-FET, deber hacerlo con una sola mano
y con la otra deber estar haciendo tierra;
4) cuando se manejen los dispositivos MOS-FET, se debern tener cortocircuitadas todas las terminates.

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

5) el personal que maneje estos dispositivos no deber usar ropa de nylon.


Para el caso b) se requiere tener algn dispositivo adicional, lo que necesariamente reduce la impedancia de entrada del dispositivo. A continuacin se
vern algunos de los ms empleados.
Dlnpuerta

(C)

Figura 6.37. Circuitos de protecciOn: (a) vista superior; (b) corte transversal por lmnea XX de
(a); (c) equivalente.
En el caso de la Fig. 6.37 se tiene en realidad entre la entrada y tierra un
dispositivo que tiene un voltaje de ruptura del orden de 60 V (en este caso
negativos), lo que protege en caso de tener un voltaje negativo de 60 V de magnitud, y para el caso de voltajes psitivos se presenta la caIda de un simple
diodo (union P-N, entrada-subestrato).

70

EJ EM PLO S

EJEMPLOS
Ejemplo 6.3.
a) Demuestre que la transconductancia g de un FET de union est dada por
la expresin:
g

= j?p (1DssIDs)"2 .

b) Si V=-5V e I s =lOmA,grafiqueg enfunciondeIDs .


SoluciOn:

a) Usando la expresin (6.1.38) se obtiene:


dIDsI
gm

= dV08 I

21DSS
VDS = cte

VP

(1

fJ

I1

);

(E.6.3.1)

de la misma ecuacin (6.1.38) se tiene:


0

VGS

O)

( IDS )1/2

(E.6.3.2)

Sustituyendo la ecuacin (E.6.3.2) en la ecuacin (E.6.3.1), obtenemos:


2
DS)
1/2 ;
VP
como gm debe ser positwa seg(in su definicin, entonCeS:
1/2
(.IDssIDs)
gm = -rr
g =-

b) Para graficar g en funcin de I


1/2,
g. = 0.04 O'Ds)
entonceS:

'DS = 625g.

(E.6.3.3)

(E.6.3.4

se procede de la siguiente forma:


(E.6.3.5)

(E.6.3.6)
71

TNS1STORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Graficando esta parabola en el piano (gm -IDs), so obtiene:


4 1DS (mA)
54 ---------

'DS
(mA)

gm
(m

5.0
4.0
3.0
2.0
1.0

2.8
2.5
2.19
1.79
1.26
01

Figura E.6.3.X Grfica de (g,-IDS) para un transistor de efecto de campo FET.

Ejemplo 6.4. Demuestre quo:


a) 'Ds Inss -

b) 'DS =

-'DSS
GS +
VP (V

Wi2eN.Hc
[1
L

Si

Gs + i,1i
VP

Vos < VP
1/2

I VDS

Para Ia region de triodo.

Solucin:
a) Dc la ecuaciOn (6.1.38) tenemos:

Si

VGs+o 2

( E.6.4,1)

) ,

IDS

'DSS (1 -

'DS

'DSS [I - 2

VGs/o + VGS+/O 2
)

I.

(E.6.4.2)

VGS << Vi,. entonces:

CS + l,11f
VP

VG

(E.6.4,3)

VP

luego:

IDS IDSS( 11
72

V -)

(E.6.4.4)

EJEMPLOS

'DS = 'DSS + 9 0

E.6.4.5)

donde:
g,, 0

=g,
VGS = 0

b) Para este caso se tiene:


Hh=2H, =2x0 2[

eNA

GS 00)1112.
(1'+

(E.6.4.6)

La ecuacin (E.6.4.6) se obtiene utiizando la ecuacin (6.1 .5) y la Fig. 6.3.


Haciendo uso de la ecuacin (6.1.18), se tiene:
eNA Hc2

(E.6.4.7)

De la ecuacin (E.6.4.6) tenemos:


2
H (1 -

h
Hc

8
= h- (
e

+ 'o),

(E.6.4.8)

sustituyendo la ecuacin (E.6.4,7) en la ecuacin (E.6.4.8) obtenemos:


h 2
(VGs+lo)=VP(1--j --) ;

(E.6.4.9)

despejando h de esta expresin, tenemos:


h=H[1 -

GSO )112]

(E.6.4.9)

VP

Si se considera que el voltaje entre drenaje y fuente VDS es pequeflo (regiOn


de triodo), se puede pensar que el canal de conduccin es uniforme, es decir
h = cte a lo largo del canal, para un Vrs dado. Asf:
'DS = RDS VDS,
donde:

RDS = hWepl'IA

(E,6.4.1O)
(E.6.4.1 1)

73

TRANSISTORES DE EFECrO DE CAMPO (FET)

Sustituyendo el valor de h de la ecuacin (E.6.4.9) en la ecuacin (E.6.4.10)


se obtiene:
'DS

WeP.NAHC [1 (VGS+10 )
1/2 1 VDS
L
VP

Ejemplo 6.5.
a) Obtenga los modelos equivalentes esttico y dinmico del transistor de efecto de campo 2N5263 de las Figs. 6.17 y 6.18, si ste opera en T= 25C y
-9
en VGS --2.OV, VDS = 8V e
= lox 10 A.
b) ZC6mo se modifican los modelos en las mismas condiciones de voltajes pero
a T= 100C?
SoluciOn:
a) Para obtener g1,, en T= 25C, se observan las curvas de (J's. IDs) en el punto de operacin que marcan los voltajes y se obtiene:
AIDS

g =

V8

- (
VDS = cte

6-2)mA =4.0rn(Z1.
(l.52.5)V
8V
(E.6.5.1)

Si se considera la constante de fabricacin m = 2, de la expresin (6.1 .50)


para R se obtiene:
2(0.26)
mKT
e10 = 10 10

'

(E.6.5.2)

R1 = 5.2 x 10 6
De la Fig. 6.18 se puede obtener que RT = 500 92.
El valor de RDS que se tiene de las figuras con que se cuentan en este caso
es prcticamente mfmito.
'DSS = 14.0 mA.
b) Para T=100C;
gm =

74

2.0 mA 1
l.OV

'DS
GS

VDS = cte

=2.0m(1Y1 .
8V

( E.6.5.3)

EJEMPLOS

Si la corriente de fuga de un diodo de union varfa de acuerdo a la temperatura, segn:


(E.65.4)

Jo = C1 T6 ee'G0 /mKT

donde para el siicio, 6 = 1.5, m = 2, VGO = 1.21 V. Entonces a T= 25 C se


puede encontrar el valor de C1 para el diodo de compuerta-fuente, de manera que:
1GS p e
=

VGOImKT

(E.6.5.5)

716

= 2.455 x 10 A/(' K)3/2.


Luego, la corriente a T = 1000 C ser:
'GSQ

(E.6.5.6)

= 1.33 x 10A

De la ecuaciOn (6.1.50) R. ser


R1=

0.0647

&=z486K7.
1.333 x 10'

De la Fig. 6.19-b, tenemos:


RT=8007, eID9=8mA.
Asf los modelos que se obtienen son mostrados en la figura E.6.5.

GOi4ii.t
4X io- v0s
D1

2M
R
So

( J DSS
I

IgmVGS

a) Modclo esttico a T = 25C

Figura E.6.5.a. Modelos dinrnicos y estticos del transistor FET 2N5163 en lascondiciones
establecidas.
75

TRANSISTORES DE EFEO DE CAMPO (FET)

800 c

________
GO

D
X 10
D1

kn
486 j

so-

8 mA

gm VGS

oS

b) Modelo esttico a T = 100C

GO-

512Mn

4X 10 -3 VGS

So
C)

Modelo dinmico a T = 25C

Go

01)

486k 92

2X10

So

VGS
pS

d) Modelo dinmico aTlOOC


Figura E.6.5 .b.cd.
diciones establecidas.

Modelos dinmicos y estticos del transistor FET 2N5163 en ]as con

Ejemplo 6.6. Sea el amplificador con FET de union mostrado en la Fig. E.6.6.1,
que se pretende emplear en frecuencia,s altas obtenga:
b) la capacidad de entrada y;
a) la relacin del voltaje de salida al de entrada (ganancia en voltaje); y
c) ,cOmo varIa la ganancia en funciOn de la frecuencia?
76

EJEMPLOS

Figura E.6.6.1. Diagrama del amplificador de


fuente-comin.

Solucin:
a) Se hace el anlisis din.mico del amplificador, para lo cual se sustituye el
transistor por su equivalente en altas frecuencias, obtenidndose:

Ve

CGDD

cs

I
I
TC

GS

RD1 vs
m VGS

7DS

RDS

Figura E.6.6.2. Diagrama equivalente del amplificador de fuente comin en altas frecuencias

Aplicando el teorema de Norton al circuito de la figura E.6.6.2 se obtiene la


impedancia entre las terminales de drenaje y fuente, cortocircuito V y abriendo
gm VGS
- =Y=L+YDS +i_+YoD ,
RDS
ZN
RD

( E.6.6. l )

donde:
DS = jWCDS

GD =/WCGD

(E.6.6.2)

Si se cortocircuita Ia salida entre drenaje y fuente, se obtiene que la corriente que circula por el cortocircu.ito es:
77

TRANSISTORES DE EFECr0 DE CAMPO

1= g VGS + )'GDVe = (gm + YGD) 1

(E.6.6.3)

luego la ganancia en voltaje ser:


V ZN!

A =-- =

(E.6.6.4)

y sustituyendo (E.6.6.1,) (E.6.6.2) (E.6.6.3). Se obtiene:


g,, + IWCGD
(1/RD ) + (1/RDS ) + jw os + /WCGD

A=

b) Si la corriente que suministra la fuente de voltaje


de establecer que:

(E.6.6.5)
ye

se divide en dos, se pue-

(E.6.6.6.)
1e = YOS V. + (vDS + 'GS ) GD

(E.6.6.7)

61
V

VDS =AV

SVe

entonces:
+ (1 - A) 'cDe

(E.6.6.8)

dedonde:
=

GS

(E.6.6.9)

+ (1 A) YGD =--Ve

expresin que se conoce como la admitancia de Miller y manifiesta que la


admitancia de entrada se incrementa con la ganancia del amplificador, es
decir:
(E.6.6.1O)
Ce =Cos + ( 1 A)CGD
Para frecuencias bajas la expresin de la ganancia se puede aproximar a:
A = A0 = gm RD IIRDS =

RD RDS
RD+RDS

(E.6.6.1 1)

AsI la ecuacin (E.6.6.5) puede quedar como sigue:


A=A0
78

1 jw(C/g)
1 +jw(CDs+CGD) (RD //RDS )

(E.6.6.12)

EJEMPLOS
expresin de la cual se puede concluir que cuando w tiende a infinito, entonces:
COD
A = CGD+ CDS ;

(E.6.6.13)

(1 .A)CGD
A

(E.6.6.14)

CDS =

Debido a que CDS < CGD , de la ecuacin (E.6.6.13) vemos que la ganancia
en voltaje tiende a ser unitaria cuando la frecuencia tiende a infinito. Y, por lo
tanto, la admitancia a la salida es aproximadarnente 1wCDS /wC0s .
Ejemplo 6.7. Se tienen dos transistores de efecto de campo FET de union canal
N con idnticas caracterfsticas, es decir gm y RDS iguales (ver Fig. E.6.7.1).
Obtenga el voltaje en funciOn de v1 y v2 en la resistencia RL.
SoluciOn.
Sustituyendo los transistores de efecto de campo por sus equivalentes dinmicos, y considerando R1 grande, se obtiene la Fig. E.6.7.2.

VDD

+ DD
RL

RL

JD2_',
G2

lida

,u

Qi D1

Lr)vi

siSi

salida
2
I

+f

Rj
Equivalente thevenin del FET

Figura E.6.7.1. Amplificador con FETS


en serie.

Figura E.6.7.2. Sustitucin de Q1 por su


equivalente de Thevenin en C.A.

TRANSISTORES DE EFECO DE CAMPO (FET)

Si sustituiinos Q2 por su equivalente Thevenin en C.A., se obtiene la figura


E.6.7.3:

RDS2

D1

RL

RDSI

12

I
gR DS1 I. GS1

"GS1

S1

Figura E.6.7.3. Circuito equivalente del amplificador con FETS en serie.

Dc la Fig. E.6.7.1 tenemos:


VGS

V1

(E.6.7.1)

y de la Fig. E.6.7.2 se obtiene:


= v2 + gm I RDs1 V1

RDSI

(E.6.7.2)

1;

adems se tiene:
gR 1 =u

g,RDS 2

( E.6.7.3)

=U2. y

de la Fig. E.6.7.3 tenernos:


(RL + RDS1 + R0

) j - /1 1 GS2 +111 'GS1

=0.

(E.6.7.4)

Sustituyendo las ecuaciones (E.6.7.1 ) y (E.6.7.2) en la ecuacin (E.6.74).


se obtiene:

[RL + RDS I (I + 92) + RDS, ] I =

r, + 9 1 (1 + p )r 1

E.6.7.5)

EJEMPLOS

Despejando i de la ecuacin (E.6.7.5), queda:


+ Mi (1 + j1 2 )v 1
= 'L + RDS I (1 + 112) + RDs2
!22

(E.6.7.6)

y finalmente el voltaje en la reistencia de carga RL es:


112w2+J21(1+!.L2)Vi

iRL

R,,+ RDS1 (1 + 112) + RD

RL

(E667)

De la ecuacin (E.6.7.5) se puede Ilegar al circuito equivalente mostrado en


la Fig. E.6.7.4.
Si se compara el circuito equivalente final de la Fig. E.6.7.4 con, el de la Fig.
E.6.7.2, se ye que tanto la fuente de voltaje u I V 1 como la resistencia R,,
que se encuentran en la fuente del transistor Q2 se multiplican por un factor
(1 + 112) para construir el circuito equivalente final. Esta regla es vlida para el
anlisis de circuitos lineales con transistores JFET's, independientemente de
que el circuito conectado a la fuente sea activo o pasivo.
Para nuestro caso, en que los JFET's son idnticos, se tiene que el voltaje en
I a carga R L es:
VRL

MV2

--T

+ A (1 + 9) V1
+(2+jA)RDS

(E.6.7.8)

y el circuito equivalente es mostradoen la Fig. E.6.7.5.

RI

D2

+
D,

V2

-r fR
'DD

GG1

+9)

Figura E.6.7.4. Equivalente final del amplificador de transistores JFET's en seric, en forma
de equivalente de Thevenin.

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FED

IVRL

Figura E.6,7.5. Circuito equivalente de la Fig. E.6.7.1 cuando 1osJFET's son idnticos.
Ejemplo 6.8. Se tiene el circuito de la Fig. E.6.8. 1, el cual se quiere que tenga
una ganancia de voltaje de 20 y que se polarice en 'DS = 5.0 mA, VDS = 4.0 V. El
transistor empleado tiene: 'DSS = 10 mA, RDS =30Kg y g = 3.0 m()'.
9 + DD
I

canal IN

+
)ve

iIS

Rs

VS
.JCsj_

Figura E.6.8. I. Circuito amplificador de fuente - comiin autopolarizado.


Solucin:
Si se quiere que 'Ds = 5.0 mA y se considera g,,, constante, entonces en el caso
esttico tenemos:
'DS ='DSS + g,, V g + VDs/RDS

(E.6.8.1)

Despejando VGS, se tiene:


VG
82

-- 'DS - 'DSS - VDRIRDS


gm

(E.6.8.2)

EJEMPLOS

Sustituyendo valores obtenemos:


VQ5
VGS

5x 10 lox 10 (4/30X 10)


V
3x10-3
= - 1.71 V

lo cual permite que se disefle el valor de R3, en la siguiente forma:


R

( E.6.8.3)

VGS/RDS ,

R5 = 1.71/5 X lO 2
RS =3402.
Al hacer el anlisis en corriente alterna C5 se comporta como corto-circuito,
por lo tanto, es posible tener el equivalente mostrado en la Fig. E.68.2.
De la Fig. E.6.8.2 obtenemos:
= g (RDS //RD ) VGS,

(E.6.8.4)

en donde:
VS
A=---- = gm (RDs//RD ),
GS
A=g

(E. 6.8.5)

RDS RD

(E6.8.6)

RDS + RD

Si se quiere que la ganancia sea de 20 se tendr que:


in

in_

(E.6.8.7)

20=3 x lO
.)UA1J

n
1
F

R DS

VGS

RD

Figura E.6.8.2. Equivalente en CA del amplificado.


RN

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (PET)

en donde:
RD = 8571.5 E2.

(E.6.8.8)

Asi, en el punto de operacin se tendr una calda en RD de:


VRD = RD IDS

(E.6.8.9)

VRD =8571.5x 5.0X10 3 V,


=42.86 V.
Luego:

VDD =

VRS +

VDS + VRD

VDD = (1.71 + 4.0 +

(E.8.i0)

42.86) V,

VDD =48.57 V.
Ejemplo 6.9. Para ci circuito que se muestra en la Fig. E.6.9.1, obtenga:
a) el punto de operacin:
b) la ganancia si se introduce una variacin ye entre compuerta y tierra: y
c) la ganancia Si se aplica la seflal en serie con
Caracteristicas del FET:
'DSS = 5.0 mA, g,

2.0 m(2), RDS = 5.0 K2. R1 =

00,

R T = 0.

R =4OKc7
1GG = -5 V

Figura E.69.1. Circuito amplificador con polarizacin a 2 fuentes y resistencia de drenaje a


compuerta.

M
.

EMPLOS

Solucin:
a) Para obtener el punto de operacin se sustituye el modelo esttico y se
consideran las fuentes de seflal en cero, obtenindose:

100 K

DD

Figura E.6.9.2. Circuito equivalente esttico del amplificador de la Fig. E.6.9.1.


Como la impedancia que se ye entre drenaje y tierra por el camino de R 1
y R 2 es mucho mayor que por el camino de RDS //RD (140 Kn > 3.3 K n) se
puede modificar el circuito como se muestra en la Fig. E.6.9.3, el cual se
puede analizar en forma sencilla.

RD

R//Rs
G

47\__
VQ0 'DSS

:R5 VDD
R DS +R

VGS

VDDT
S

Is

Figura E,6.9.3. Circuito equivalente modificado en base a las impedancias presentes.


85

TRANSISTORES DE EFECFO DE CAMPO (FET)

Luego:

R 1 '7GG

R 2 VDS

= - R1 + R2 + R 1 + R2

( E.6.9.1 I)

'

(E.6.9.2)

''DSS +gJ'

en donde:
RDS VDD
- ( RD//RDs)I.
VDS RDS + RD

(E.6.9.3)

Entonces:
-

DS -

RDSVDD

(RD//RDS) (JDsS + g V0).

RDS + RD

(E6.9.4)

Sustituyendo la ecuacin (E.6.9,1) en (E.6,9.4) y despejando J', obtenemos:


RDS VDDI(RDS + RD ) (RD //RDS) ['Dss gR j VGG/(Rl +R2) J
VDS=

I + (RD //R)[gR 2 /(R l +R2 )]

(E.6.9.5)

Sustituyendo valores en la ecuacin (E.6.9.5) se tiene:


5x103x20
15 + 10

50

06
103
is x

5X103 2x10r3x105x5)
140 X 103

i + 50x 10 6
(2X 10
15X103

V,

40x iO
140X 10 3

VDS =4.76 V.

Luego:

VDD - VDS
ID

RD

ID 20-4.76 A

lOx i0
ID = i.52mA.

(E.6.9.6)

EJEMPLOS

Empleando la ecuacin (E.6.9. 1) tenemos:


VGS =-2.21 V.
Si se introduce un voltaje de entrada entre la compuerta y tierra, y se aplican los resultados obtenidos en el ejemplo 6.6 acerca del Efecto Miller esto
es, las ecuaciones (E.6.6. 10) (E.6.6.12), se puede obtener el circuito mostrado en la Fig. E.6.9.4.
D

G
0

~R 2

RDs

91'e

~RD

RiAjS

Figura E.6.9.1: Equivalente dinmico para el caso del inciso (a)en don de VGS

b) En este caso:
v
A1

g,

Ve

5 (E.6.9.7)
(l/RDS) + (1/RD) + (1 A 1 )/A 1 R 1

Despejando A I se obtiene:
gm

(l/R1 )
(E.6.9.8)

(1/RDS) + (1/RD) (1/R 1)


-

Sustituyendo datos en la ecuacin (E.6.9.8), tenemos:

2 x 10

A1

A1

[1/5 + 1/10
=

10 /100
1/100] X lO

6.93
87

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

c) Para este inciso se debe considerar el voltaje de entrada en serie con R 2 , por
lo que basta encontrar el voltaje VGS, usar la formula de la ganancia (E.6.9.7)
y hacer una relaciOn en cadena:
VG S
A2

V3

= ______

______ =

Ve

VG s

Ve

E.6.9.9)

R1 /(1 - A 1 )
A2

(E.6.9.10)

A1

R2

R1 /(l A 1 )
lO /(1+ 6.93)

A 2 =[

]6.93
0-4 + 10 + 10/(1 + 6.93)

A2 =

1.66

Ejemplo 6.10. Para el circuito de la Fig. E.6.1 0.1 obtenga las expresiones de
ganancia en corriente alterna en los puntos 1 y 2, considerando que hfe > 1,
gRn3 > l,YhieRD

RD

RD
'

it
(a)

Il j(>

h, !

V2

(h)

Figura 6.10. (a) amplificador de muy alta impedancia de entrada y ganancia indepen.
diente de los elernentos activos: (b) su equivalente dinmico.
88

Solucin:
Para resolver este problema, lo primero que debe hacerse es sustituir cada uno
de los elementos por su equivalente dinmico, lo cual nos da el circuito mostrado en la Fig. E.6.l0-b, donde:
VGS =Ve

- iRs .

(E.6.10.1)

i= it - h16j, .

(E.6.10.2)

Si hie << RD, esto implica que la corriente de base de Q2 es igual a la corriente de drenaje de Q1, es decir:

it

(E.6.10.3)

.1=(l+h fe )1l

(E.6.10.4)

luego:

y
VGS

= V6 (1 + h f6 ) i1 R8 .

( E.6.10.5)

Aplicando las leyes de Kirchoff a la malla del FET, tenemos:


/.LVGS = [ h, + RDS + Rs (I + h f6 )] it
multiplicando la ecuacin (E.6.10.5) por el factor u obtenemos:
LLVGS = jiv6

(1 + h 6 )i1 R5 ,

(E,6.10.6)
( E.6.10.7)

Igualando las ecuaciones (E.6.10.6) y (E.6.10.7), es posible despejar a i1 :


1.n
= h + RDS (1 + ) (1 + 16)R8

(E.6.10.8)

Considerando que;
RDS y g,,, =

hQ

RDS

h fe > 1 y p' 1, laecuacin(E.6.10.8)

se reduce a:
grfl 'Ile

11
=

+gm

hfr R

(E.6.10.9)

89

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

luego

V,

Rs i

R8 ht, 1i .

(E.6.10.10)

Sustituyendo (E.6. 10.9) en la ecuacin (E.6.10.10) se obtiene:

gheRs
l+gh1.R3

ye

Si

gh e Rs 1,

entonces

A 1 25 1.0,
V2

V1 + RCi2,

12

= hf

(E.6. 10.11)

( E.6i0.1

i1 ,

gh (Rs +Rc)
= 1 + g, h, R8
Luego, si

2)

(E.6.10.13)

g hf e Rs > I
A2
A2

(E.6.10.14)

Rs
R
R'

(E.6.1015)

La ganancia A2 no depende de los elernentos activos involucrados. Q1 y Q2.


Ejemplo 6.11. Se construye un transistor MOS-FET canal P de acrecentamiento. en un material de silicio orientado en el piano iii y bajo las siguientes
condiciones:
1015 at/cm3 . QSS = 8 x 10 coul/cm 2

0.29

eV,

W 0.1 mm,
e = 25 .
d0 , = 1200 A.
MS = 0.35 eV.
pp =190cm2 /V-seg.
L = 0.025 mm
e0 =8.85X10 2 fIm.

Obtenga las curvas caracterIsticas estticas del transistor MOS-FET.


90

EJEMPLOS

Solucin:
La movilidad se obtiene de las curvas de la Fig. 6.32 como un promeclio, y la
cantidad de cargas superficiales del lado del Oxido en la frontera del Si02 ;
Qss le se obtiene de la tabla 6.4.
Clculo de C0 de la expresin (6.2.9):
C0=

do

25 X 8.85 X 10_ 14
2 ,
= 1200x108 f/cm

(E.6.1l.l)

C,, =0.184j.f/cm2
Clculo de QB:
De la expresin (6.2.14) se obtiene el valor de QB:
QB =(265 60 ND '2F

(E.6.11.2)

1)12 ,

QB=(2X12X 8.85X104X1015X 0.58)1/2 coul/cm2,


en donde:
QB

= 1.40 X 10-8 coul / cm-

Clculo de :
Para el clculo del voltaje de umbral se emplea la expresion (6.2.17), sustituyendo QB = Q; de manera que:
V

cIMS

Qss
C'0

QB+ 2F

C.

(E.6.11.3)

sustituyendo datos, obtenemos


V. -

- 0.35 eV - 8 X 10 V - 1.40 X 10-8 V + 0.58 eV


e
1.84x 10
1.84x 10

I =-1.44V.
91

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Clculo de
Para calcular se emplea la expresin (6.2.33), obtenindose:
/.L

W _190 x 25x 8.85X10-14x


102 cou1/(V -seg),
d0L
- 2.5X 103X1200X10
(E.6.11.4)
0X

= 1.4 X

10-4

cou1/(V -seg),

De manera que, usando (6.2.34) y (6.2.35), se obtiene:


1.4 X 10-4

'D

[(Vo + 1.44) VD -

(E.6.11.5)

La ecuaciOn (E.6.11.5) gobierna la regiOn de triodo del dispositivo y es vlida


para V0 < 1.44 V, pues de otra forma se obtendrIan corrientes negativas, lo
cual en la realidad no Se tiene:
IDs =0.7X 104(P + 1.44

)2,

(E.6.11.6)

La ecuaciOn (E.6.11.6) es vlida para:


T' + 1.44 (region activa).
En este caso, si se observa la tabla 6.5, la polaridad de las terminales es negativa,
por lo cual tanto T4 como VG deben ser negativas.
Graficaremos (E.6,11,5) y (E.6.11.6) en el mismo piano, ya que cuando
una de ellas deja de tener validez, entra la otra. Se considera entonces que el
subestrato est cortocircuitado con la fuente, y se debe recordar que las expresiones (6.2.34) y (6.2.35) se dedujeron considerando VD como voltaje de
polarizacin.
La transconductancia en este caso para la region activa ser:
urns

=2

()hl2(/J/)1'2

= 0.0237 (1IDs I) 2 ('i)-'

Por ejemplo, para


VG =-8V,
ento nces:
g, 8 = 1.3 x
92

IDs = -3.OmA;

10' (n)-'

EJEMPLOS
Tabla E.6.1 1.1. Valores para la ecuacin (E.6.11.5)

VD (V)

J'= -2V

VG =-4.0V

'D (A)

'D (A)

'D (A)

-0.5

-2.17 X 10

-1.60 X 10

4.41 X 10

-1.0

-8.40 X 10-6

-2.88 X 10

-8.48 X i0

-1.5

+3.99 X 10

-3.80 X 10

-1.22 X

-2.0

+1.23 X 10-4

-4.36 X 10

-1.55 X i0

-2.5

+2,40 X IT

-4.58 X 10

-1.85 X IT

-4.45 X 10

-2.12 X 10

-3.13 X 10

-2.55 X i0

+3.69 X 10

-2.99 X 10

-3.0
-4i3

+8.06 X 10

-6.0
-9.0

-2.60 X IT

-12.0

-9.40X10 4

Tabla E.6.11.2. Valores para la ecuacin (E.6.11.6).


VG=_2V

Ij (A)

2.19 X 10

VG= -4V

4.58 X 10

VG= -8V

-3.0 X 10

93

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

'D (mA)

I
Region activa

--

VG 2v

+1

Figura E.6.1l.1. Grfica del comportamiento del transistor MOS-FET propuesto en el ejemplo E.6.11.

Ejemplo 6.12. Si se conecta un transistor MOS-FET, como se ilustra en la Fig.


E.6.12. 1, cu1 es ci comportamiento J/ - 'D para este arreglo?
=1.8X1tY 4 A/V2 ,

V, =-25V.

IDJ VD

Figura E.6.12.1. MOS-FET conectado para que VG = VD

021

MPLOS

SolucjOn:
En este caso se cumple que VO y VD = VG.
Para decidir qu ecuaciOn emplear, es necesario saber si bajo ]as condiciones
establecidas el dispositivo estd trabajando en la regiOn de triodo o en la region
activa. Para poder decidir esto es importante sacar la expresin de la curva frontera entre ambas regiones, para lo cual deber recordarse la condiciOn (6.2.31):
.

VD=VG

(6.2.3 1)

Si V < 0, entonces de la ecuacin (6.2.31) se tiene que J' < VD , lo que


asegura que el MOS-FET se encuentra trabajando en la curia frontera entre ambas regiones (de triodo y activa), por lo que si VG = VD, el MOS-FET se encuentra en la regiOn activa, como se muestra en la Fig. E.6.12.2. En esta forma la
expresin que se requiere usar es:
'D = 'DS

=-4--(v - V)2

(6.2.35)

y ya que VG = VD, entonces para el MOS-FET canal P se tiene:


ID =IDS

=_T (VD _).

(E.6.12.l)

La ecuacin (E.6.12.2) tambin es graficada en la Fig. E.6.12.2.

Cont. Tabla E.6.12.2

Tabla E.6.12.2
V,(V)

ID (A)

-2.5

0.0

2.75

5.60 X 10

3.00

2,50X10 5

3.25

5.06 X10 5

3.50

9.00 )< 10

3.75

1.40 X 10

4,00

2.03 X 10

VD (V)

ID(A)

4.50

3,60X10 4

5.00

5.62X10 4

6.00

1.10X10 3

7.00

1.82 X 10

8.00

2.72 X10 3

10.00

5.10x10_3

12.00

8.10 X 10-3

95

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

1D (mA)

-6
-5

1-.t--

-r

-by

,
/0

Ij

-9V
--8V
--7V
-6V

4
-_

I
-10 -15 -20 -25 -'D'

Figura E.6.12.2. Grfica del comportamiento del transistor MOS-FET de acrecentamiento


del ejemplo 6.12.

Ejemplo 6.13. Dados dos transistores MOS-FET de acrecentamiento canal N,


con un voltaje de umbra! de 3.5 V y curvas caracterIsticas como las que se
muestran en la Fig. E.6.13.1, obtenga la curva de transferencia VeVS para el
circuito inversor de la Fig. E.6.13.2.

EJEMPLOS

VD )

Figura E.6.13.1. Curvas caracterIsticas de los MOS-FET empleados para el anlisis del circulto inversor con carga activa.

VDD =12V
L
G D

TD

Figura E.6.13.2. Circuito inversor con carga activa


y transistores MOS-FET canal N.
Qi

vs

B
V

il
S

97

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

La carga activa del transistor Q2 se puede representar por un comportamiento como el que se ilustra en la grfica de Ia Fig. E.6.13.1 para VG = VD, el
cual se puede considerar en serie con la fuerite, y considerar una ilnea de carga
corno la mostrada en la misma figura; de aquf se puede obtener el comportamiento en forma grafica. Asi:

Tabla E.6.13.2
l'e (V)

(V)

Vcarga ('1)

0.0

8.5

3.5

1.0
2.0

8.5

3.5

8.5

3.5

3.0

8.5

3.5

Vs(V)

3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0

7.0

5.0

6.0

6.0

7.0

5.0

7.0

8.0

4.0

8.0

2.8

9.2

2.2

9.8

V=VJJ-

9.0
10.0
11.0
12.0

Figura E.6.13.3. Tabla y grfica de transferencia para el inversor analizado.


Observe que en este caso La pendiente de la curva de transferencia en la
region activa es (-1), lo cual es significativo por tratarse de MOS-FET idnticos,

EJEMPLOS

Ejemplo 6.14. Dados dos transistores MOS-FET de acrecentamiento, uno canal


N y el otro canal P, conectados en simetrIa complementaria (COS/MOS),
obtenga la curva de transferencia de esta configuracin, silas curvas caracterfsticas tipicas de los dispositivos transistores son las mismas que en el ejemplo
anterior.

Figura E.6.14.1. Inversor en simetrIa complemen


taria COS/MOS.

Para poder obtener la curva de transferencia de este circuito inversor es necesario ver que la corriente que circula es la misma por ambos canales y que Ve =
para Q1. mientras que v - VDD = VG para Q2. I.uego, con estas consideraciones,
se puede realizar la tabulacin y obtener la curia de transferencia.
Tabla E.6.14.2
VG

I'S(V)
1L

Vs

0.0
2.0
3.0
3.5
5.0
6.0

0.0
2.0
3.0
3.5
5.0
6.0

-12.0
-10.0
-9.0
-8.5
-7.0
-6.0

12.0
12.0
12.0
12.0
11.6
6.0

- 7.0
8.0
9.0
12.0

7.0

-5.0

0.4

8.0
9.0
12.0

-4.0
-3.0
0.0

0.1
0.0
0.0

1412

1 E

4tH

t-2 4 6 8 10 12 14

Figura E.6.14.2. Tabla y grafica de transferencia del inversr COS/MOS.


Me

TRANSISTORISDI h1I-CTODI CAMPO (LET)

12
5Or

0
_750

40

40

30

30

20

20

10

10

-8

0 voItajde carga (V)


10

12

Figura E.6.14.3. Construccin para obtener la curva de transferencia del inversor COS/MOS.

Ejemplo 6.15, Obtenga anailticamente la expresin general de Ia ganancia para


el inversor de carga del ejemplo 6.13.
1

DD

JD

GB

S
ID

,S

p.T-

(r

13
Q1

wo

Figura E.6.15.1. Circuito inversor de carga activa


con MOS-FET canal P.

EJ EMPLOS

Solucin.
Recordando la expresin de la corriente de saturacin (6.3.32) y temendo en
cuenta que para este caso 'DSQ =
considerando que ambos transistores
trabajan en la region activa se tendr:
Si

VG2 = VDD - v,

(E.6.15.1)

entonces:
IDSQ1

V)2 ,

!APEOXWI (e

(E.6.15.2)

ox1 1

0 e0 h2
'DSQ2 = /1c

(D

j/ )2
(E.6.15.3)

ox2 2

Igualando (E.6.15.2) con (E.6.15.3) obtenernos:


W2dOX1
,

L1

)112

y la ganancia en voltaje ser:


W1 d02 L
A =--=-(
dv1 ,

(V

- v3

V.

)1J2

(E6.15.4)

(E.6.15.6)

Como Sc puede ver, silos transistores son idnticos la ganancia es unitaria,


coino sucecie en ci caso del ejemplo E.6.13: sin embargo, si Se quiere que ambos
transistores se fabriquen simultneamente, es decir monoliticamente, entonces
se cumple que d01 =d02 . y la expresiOn de la ganancia se transforma en:
W, /L, )12
A1 , = 14//L2

(E.6.15.7)

lo cual iinplica que Ia relacin de ancho a longitud del transistor excitador debe
ser mayor que la misma relacin para el transistor carga.
Ejemplo 6.16. Para tin transistor MOS-FET de acrecentamiento. obtenga:
a) La distorsin en la segunda armnica: y
b) la modulaciOn cruzada en tin amplificador de banda estrecha.
101

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Solucin:
a) Si la expresin que gobierna la corriente de drenaje en un MOS-FET de
acrecentamiento en la region de saturaciOn est dada por:
'D

=4-(VG - V)2

(E.6.16.1)

y se considera una seal entre compuerta y fuente de:


VG = VQQ + Ve Cos wt,

(E.6.16.2)

donde VGQ es el voltaje entre la compuerta y la fuente para el punto de


operacion.
Sustituyendo (E.6.16.2) en (E.6.16.1), y considerando la igualdad trigonomtrica siguiente:
I + cos 2 wt
cos2 wt =
(E.6.16.3)
2
se obtiene:
'D

-[(l'oQ - V)2 +

+ 2 Ve VGQ coswt - 2Ve Vu coswt +

cos 2 wt
2
(E.6.16.4)

El ltimo trmino de (E.6.16.4) representa la contribucin de la segunda


armnica de la seflal de entrada sobre la salida.
Esta contribuciOn puede calcularse, como la relacin en decibeles de la
magnitud de la componente de la segunda armOnica a la componente fundamental, de manera que:

D3 =20 log

D2 =2O lo,g

v /2
2Ve VGQ2Ve l'
ve

4 'GQ - 4 V

(E.6.16.5)

(E.6 16.6)

lo cual en realidad anda aproximadamente entre 30 Db y 60 Db.


b) Si se quiere una sefial de entrada entre compuerta y fuente, de la forma:
102

EJEMPLOS

V0 = VG,, + J' COS w1 t + V2 (I +

in2

cos W m t) cos W2t. ., (E.6.16.7)

donde:
J'

es la amplitud de la portadora que se desea;


14 es la amplitud de la portadora que no se desea;
in2 es la profundidad de modulacin de la senal dos:
W, es la frecuencia angular deseada;
W2 es la frecuencia angular de la seflal no deseada; y
Wm es la frecuencia de la seflal modulada de la portadora no
deseada.
Sustituyendo (E.6.16.7) en (E.6.16.1), y considerando que
2 Cos w1 t cos w2 t= cos (w1 +w2 )t+ COS (WI w2 )t,

(E.6.16.8)

se obtiene:
=

- V) 14 COS WI t +

14

[COS (WI +

w2 )t +

+----14V2 m2 COS Wm t [COS (WI + w2 )t + COS (WI

COS (WI -

w2 ) t] +

w2) t].

Si se disefla la banda del amplificador para que sea capaz de discriminar


seflales como cos (w1 w2 ) t, entonces:
'D =(VGQ 14)T4 COS w1 t,

(E.6.16.9)

y no existe modulacin cruzada o intermodulacin si se emplea un amplificador de banda estrecha y un elemento activo de respuesta cuadrtica como
el MOS-FET.
Ejemplo 6.17. Suponga que se tiene un dispositivo MOS-FET como el que se
ilustra en la Fig. E.6.17.1, en el cual se ha sumergido una compuerta flotante
por donde se inyectan cargas por un proceso de avalancha.
Para una cantidad de cargas Q (coul/cm2 ) inducidas, obtenga el tiempo que
Se tardarla en bajar a la mitad de las cargas.
Solucin:
Para este caso se tendr el espesor del xido, d la distancia entre la capa de
silicio que constituye la compuerta flotante, y la frontera SiO2 -Si. Por lo que la
103

TRANSISTORES DE F.IFCTO DI; CAMPO

.j
S

E.
-

B
Figura 617.1. Construccin de tin MOS-FET de compuerta flotante.

capacidad por unidad de area es:

C1;

cc
=

E.6.17.1

Si la resistividad del Oxido es p0 , y se hace el sImil como se muestra en la


Fig. (E.6.17.2), entonces: R0 = f0 d0 .

Figura E.6.17.2. SIinil elctrico de descarga para

T CO

Ro

en la compuerta flotante.

El voltaje inicial del capacitor ser:

de manera que el voltaje en cualquier tiempo es:


VC

Qi
0

104

(E.6.17.2)

EJEMPLOS

y nos interesa cuando:


Qi
2C0

'

10 cual implica que:


tR0 C0 k n2,

(E.6.17.3)

t=0.69R0 .
Si para un caso tipico se tiene:
= 25, e, = 8.85 X 10' f/rn, d0
entonces

1200 x I

10 m.

p0

= 1.8 x I O1

R0 = 1.8 X 10 (2-m) X 1200 X 10b0 m,


R0 =21.600X 10'm 2 ,
0

25 X 8.85 x 10_12 =1.84X103f/m2,


1200x10'

por lo tanto:
t = 069 x 21.6 x 1010 X 1.84 X 10' seg,
t = 27.4 X 107 seg,
tieinpo que corresponde a:
t = 8.7 aos,
por Jo que puede considerarse que el canal de conduccin estar durante todo
este tiempo. Esto hace a este dispositivo ideal para que Se utilice en sistemas
lgicos en memorias programables EPROM (Electrically Programmable Read
Only Memory), pues existe la manera de descargar la compuerta fiotante mediante una fotocorriente que se produce entre la compuerta y el silicio del
subestrato o fuente o drenaje, al radiar ci dispositivo con luz ultravioleta o con
rayos X, Jo cual permite que se pueda borrar la inforrnacin (Q1 , carga inducida)
almacenada.

105

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

PREGUNTAS
6.1

,Por qu a los transistores de efecto de campo se les conoce como unipolares?

6.2 En un transistor FET de uniOn es ms conveniente que la concentraciOn


de impurezas en el canal sea menor que en la compuerta. Por qu?
6.3

LPor qu en la regiOn de cargas fijas en un FET de uniOn es vlida la


ecuaciOn de Poisson?

6.4 i,COmo se define el voltaje de oclusin de un FET de union?


6.5

LC6mo se define la corriente IDss para el transistor FET de uniOn?

6.6 En la Fig. E.6.2.1. de la grfica de VDS - 'DS' con V como parznetro,


explique en qu regiones son vlidas las ecuaciones (6.1.33) y (6.1.34).

6.7

Explique por qu es posible hacer Ia aprox macion de la ecuaciOn (6.1.33).

6.8 Explique por qu debe aparecer el trmino n en la ecuaciOn (6.1.39).


6.9

,C6mo se define la transconductancia maxima para un FET de union?

6.10 Grafique la ecuacin (6.1.43) y explique cmo es posible encontrar grficamente el voltaje de oclusin Vp y la constante fl.
106

PREGUNTAS

6.11 Explique cOmo se define la impedancia de entrada Ri de un FET de


union.
6.12 Dibuje Los sImboios empleados para ci FET de union.
6.13 Dibuje el circuito equivalente esttico del FET de tinin.
6.14 Dibuje el circuito equivalente dinmico en la regiOn activa para el FET
de union.
6.15 Dibuje el circuito equivalente dinmico en la regiOn activa para altas
frecuencias para el FET de uniOn.
6.16 La capacidad de entrada C 8 es equivalente a:
6.17 La capacidad de transferencia inversa

es equivalente a:

6.18 La capacidad de salida C099 es equivalente a:


6.19 ZQud significa la resistencia RDS?
6.20 ,COmo se define la temperatura de la uniOn T1 para el FET de union?
6.21 COmo se define La figura de ruido NF para el FET de uniOn?
6.22 COmo se define la corriente de fuga de cornpuerta-drenaje

IDGO?

6.23 ,COmo se define la corriente de fuga compuerta-fuente


6.24 Z.C6mo afecta la temperatura a los parmetros del transistor FET de
union?
6.25 Dibuje los mtodos fundamentals de polarizar el transistor FET de union.
6.26 Dibuje los mtodos bsicos de autopolarizacin para ci FET de union.
6.27 El transistor de efecto de campo FET de union se comporta como una
fuente dependiente:
6.28 Mencione aLgunas diferencias bsicas entre ci transistor bipolar y el transistor FET de union.
107

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

6.29 ,Que pasa si la compuerta de un transistor FET de union canal N se polariza positivamente? Explique.
6.30 La frecuencia de operaciOn del transistor FET de uniOn es liniitada fundamentalmente Lpor las capacidades interelectrdicas o por los tiempos
de almacenamiento y recuperaciOn de las zonas de vaciamiento?
6.31 En la Fig. 6.17, cuI debe ser el punto de operaciOn del transistor FET
de union para que ste permanezca inmvil al variar la temperatura?
6.32

- Qu6 significan las siglas MOS-FET?

6.33 Cmo se define la funcin de trabajo (Pms?


6.34 COmo se definen las cargas en la frontera Qss y Qox?
6.35 ,A qu se le llama condiciOn de bandas planas?
6.36 i,Cudndo se dice que se tiene una zona de inversion?
6.37 Cul

CS

el principio de operaciOn de un MOS-FET de acrecentamiento?

6.38 Cul es ci principio de operacin de un MOS-FET de vaciamiento?


6.39 -Por qu en el silicio Qss es constante y depende de la orientacin cristalina?
6.40 (,Cmo se definen la transconductancia en la region del triodo g,.,, y la
transconductancia en la region de saturaciOn g g ?
6.41 i.C6mo se define la conductancia del canal en la region del triodo g?
6.42 Cmo se define la figura de mrito
6.43

del

transistor MOS-FET?

b Cmo se define el voltaje de umbral de un transistor MOS-FET?

6.44 1 Cuntos tipos de MOS-FET se pueden lograr?


6.45 Dibuje los simbolos de los transistores MOS-FET de acrecentamiento y
de vaciamiento.
108

PREGUNTAS

6.46 Dibuje el circuito equivalente dinmico en la region de saturacidn para


un MOS-FET.
6.47 Explique el circuito equivalente propuesto para la region de triodo del
MOS-FET (Fig. 6.35).
6.48 Explique el circuito de protecciOn de la Fig. 6.37.
6.49 Mencione las cinco medidas tfpicas en la manipulacin de los MOS-FET.

109

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

6.29 Qu pasa si Ia compuerta de un transistor FET de uniOn canal N se polariza positivamente? Explique.
6.30 La frecuencia de operacin del transistor FET de union es limitada fundamentalmente Lpor las capacidades interelectrdicas o por los tiempos
de almacenamiento y recuperaciOn de las zonas de vaciamiento?
6.31 En la Fig. 6.17, ZcuM debe ser el pun to de operaciOn del transistor FET
de uniOn para que ste permanezca inmvil al variar la temperatura?
6.32 Qu significan las siglas MOS-FET?
6.33 Cmo se define la funcin de trabajo IMS?
6.34 COmo se definen las cargas en la frontera QsS y Q?
6.35

A qu se le llama condiciOn de bandas planas?

6.36 ( Cu ndo se dice que se tiene una zona de inversion?


6.37 Cui es el principio de operaciOn de un MOS-FET de acrecentamiento?
6.38 ,Cu1 es el principio de operacin de un MOS-FET de vaciamiento?
5.39

Por qu en ci silicio Qss es constante y depende de la orientaciOn cristalina?

.40 (,COmo se definen la transconductancia en la regiOn del triodo g, y la


transconductancia en la regiOn de saturacin g j?
.41

Crno se define la conductancia del canal en la region del triodo g?

42 ,COmo se define la figura de mrito del transistor MOS-FET?


43 Cmo se define el voltaje de umbral de un transistor MOS-FET?
44 ,Cuntos tipos de MOS-FET se pueden lograr?
15 Dibuje los sImbolos de los transistores MOS-FET de acrecentamiento y
de vaciamiento.

PROBLEMAS

2,4

I-

raiiii

2.0
1.6

DC

Ara
all

1.2
0.8
0.4

10 15 20 25 30

35

VD (V)

Figura P.6.5. Grflca del 2N2497 y circuito del amplificador.


6.5

Para el FET de union 2N2497 que se muestra en la figura, y el circuito


amplificador de fuente comn, obtenga;
a) los valores de VDD y Rs para que el dispositivo opere en VDS 15 V,
= 1.0 V;
b) el circuito equivalente dinmico; y
c) la ganancia v

/Ve

en form a grfica.

6.6 Obtenga la diferencia maxima entre la ecuacin (6.1.34) y la aproximacion (6.1.38), en trminos de (V 8/Vp).
6.7 Si para un transistor de union I,
mA para VGS = 3.0 V:

= 10 mA, i,1i , = 0.9 V e 'DS (a) =

obtenga:
a) el valor del exponente n, ecuaciOn (6.1.39); y
b) elvoltaje de oclusiOn Vp.
6.8 Para el transistor del problema 6. 1, obtenga la capacidad de la compuerta
Co .

111

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

PROBLEMAS
5.1

Sobre una barra de silicio tipo P se construye un transistor de efecto de


campo de union, con las siguientes caracterIsticas:
NA =5 x lO' at/cm3 ,

Cr=

L = l0.tm, x = 2.5 .&m,


p,, =600cm2 /V-seg,

11.8,

H= 8Mm,

W= lOUi'm, Q=20Mm,
ND = 1018 at/cm3,

1io =0.82 V.

a) Calcule el voltaje de oclusiOn V;


b) calcule la corriente 'D' Y
C) grafique las curvas caracterIsticas VD8-IDS, con VGs como parmetro.
2 Para el transistor 2N5163, cuyas curvas caracteristicas se muestran en la
Fig. 6.17, obtenga los modelos esttico y dinmico en las temperaturas
de 25C, 100C y 55 C, para el punto de operacin VDS = 12V, VGS =
=-0.5 V.
3 Un FET de uniOn tiene IDsS = 15 mA. Si se tiene 1D5 = 8 m A para V8 =
= 2 V, con qu valor deber polarizarse la compuerta para reducir 'DS a
la mitad (4 mA) y qu valor para que se considere prcticamente cero
(canal ocluido).
Si se tiene un transistor FET de union con un voltaje de oclusiOn Vp
= 6 V, Zqu6 voltaje de VDS se deber aplicar cuando VGs = 4 V para
que el transistor est en la region de saturacin?

PROBLEMAS

VS

P.6.12. Circuito amplificador de emisor comn autopolarizado. (TA =25C).

6.13 Para el circuito de la Fig. P.6.121. obtenga la ganancia del circuito i/ve
(considerando pequea seflal y baja frecuencia).
6.14 Para el circuito de la Fig. P.6.14, los transistores que se emplean tienen
las siguientes caracteristicas:
RDS = 10Kg, g 8 =2m(1)-'
Empleando los circuitos equivalentes dinmicos, calcule:
a) la ganancia v0 /v1 , si v2 = 0 : y
b) la ganancia v0 /v3 , si v1 = 0.
6.1 5 En un material de silicio orientado en el piano 110 se construye un transistor MOS-FET canal P de acrecentamiento, bajo las siguientes condiciones:

Figura 6.14. Circuito con dos transistores FET de union para el problema 6.14.
113

TRANSISTORES DE EFECFO DE CAMPO

DD

igura P.6.9.

S.9

. 10

Aniplificador de drenaje cornCin con transistor FET de unin canal N.

Dibuje el equivalente esttico y dinmico para el circuito mostrado en la


Fig. P.6.9.
Dibuje el circuito equivalente esttico y dinmico para el circuito mostrado en la Fig. P.6.10.

I I Si se usara el transistor 2N5 163 (Figs. 6.17 y 6.18) y se quisiera que el


punto de operaciOn del circuito en el cual se emplee no vane con la ternperatura, i,en dnde conviene pola.rizarlo?
12 Para el circuito que se muestra en la Fig. P.6.12, obtenga el punto do
operaciOn del FET de unin (auxiliese de las grficas de las Figs. 6.17 y
6.18).

fl

RD

VDD
1-

ura P.6.10. Amplificador de conipuerta comc.tn uti]izando un FET de union canal I'.

PROBLEMAS

30 V
vs

Fig. P.6.19. Amplificador autopolarizado empleando MOS.FET canal P de acrecentamiento.

6.19 Usando el MOS-FET 2N4120 de la Fig. P.6.18 en el circuito de La Fig.


P.6.19, obtenga el punto de operacin en T= 25 C. ,Cmo cambia este
punto en T = 125 C?
6.20 Para el amplificador de la Fig. P.6.19. obtenga La ganancia vs/ye en corriente
alt erna.
6.21 Para el circuito de la Fig. P.6.21 se empleatambinel transistor MOS-FET
2N4120, cuyas curvas se dan en la Fig. P.6.18. Obtenga la expresin de
v8 en trminos de v1
i en trminos de v1 y v2 .

30 V
5 Kz

BR = 10V

Fjgura P.6.21. MOS.FET canal P usado corno tetrodo.


115

) TRANSISTOR ES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

0.18 eV, 4MS =O.4eV, W=0.1 mm,


ND = 10's at/cm'
L=0.025mm, d0 = 1500A, e =25, e0 =8.85 X 1O' f/rn,
gp =250cm 2 /V-seg.
Obtenga las curvas caracteristicas del transistor MOS-FET (Vns-ID).
16 Para un transistor de efecto de campo MOS-FET deduzca la ecuacin que
rige la curva limit entre la region del triodo y la regiOn de saturacin.
(Ver ecuaciones 6.2.29, 6.2.30, 6.2.3 1 y 6.2.32).
17 Para el dispositivo del problema 6.15 obtenga sus equivalentes esttico y
dinmico, tanto en la regiOn del triodo como en la region de saturaciOn.
18 Para el transistor 24l20. el cual es mostrado en las grficas de la Fig.
6.18 (MOS-FET de acrecentamiento canal P). obtenga los modelos equivalentes dinmico y esttico tanto en la region del triodo como en la
regiOn de saturacin a las temperaturas en que se dan las caracterfsticas.
10

10

ii: i

12SOC

E
VG

16 V

or

',
r--i--i----

25C'

12

18

24

30

Figura P.6.18. CaracterIsticas de drenaje en


fuente cornn de un MOS-FET de acrecentamiento de canal P tipo 2N4120. Observe que
los voltajes de compuerta y drenaje tienen Ia misma polaridad y son del mismo orden de magnitud (cortesla de Fairchild Semiconductor).
6 12 18 24 30
-VD(V)

BIBLIOGRAI:IA

BIBLIOGRAFIA
CARR and MIZE. MOS-LSI Design and Application. Texas Instruments Electronics Series, McGraw-Hill.
MILLMAN, JACOB y HALKIAS, CHRISTOS C. Dispositivos v circuiros electrnicos. Pirmide.
SEVIN, LEONCE J. Jr. Field Effect Transistors. Texas Instruments Electronics Series, McGraw-Hill Book Co.
SZE, S.M. Physics of Semiconductor Devices. Wiley International Edition.
J. TORKEL WALLMARK HARWICK JOHNSON. Field Effect Transistors.
Physics, Technology and Applications. Prentice Hall.
VAN NOSTRAND REINHOLD COMPANY. MOS Integrated Circuits. Theory,
Fabrication, Design and Systems Applications of MOS-LSI.

117

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

0+

JD

._Jt 4-'

LL

:-

I1:

VDD/2

VS

0
ve

4!

ira P.6.22. Circuitos inversores con cargas activas.


2 Para los circuitos de la Fig. P.6.22 obtenga la curva de transferencia VSVe,
si se emplean transistores cuyas caracteristicas son como las mostradas en
el ejemplo E.6.13 (Fig. E.6.13.1).

CapItulo 7
TRANSISTOR MONOUNION (UJT)

INTRODUCCION
El transistor inonouni6n es un dispositivo de tres terminales que presenta caracterIsticas de impedancia negativa entre sus terininales de emisor y base uno,
cuando una polarizacin positiva se aplica entre base uno y base dos. En algunas de sus caracterIsticas elctricas este transistor se parece al thyratrn, pero
en general sus caracterIsticas elctricas son nicas y no tiene comparacin entre
los dispositivos de estado sOlido. En la mayorIa de Jas aplicaciones del transistor
se hace uso de una o ms de sus cuatro particulares caracterIsticas:
1. Uii voltaic pico estable (el cual es una fracciOn del voltaje aplicado entre
bases):
2. toia corriente pico pequeiia:
3. una caracteristica de impedancia negativa (la cual Cs IIIUY uniforme de unidad a unidad y estahie con la temperatura y el tiempo): y
4. capacidad de manejar alta corrielite en forma pulsante.

7.1. CONSTRUCCION DEL TRANSISTOR


El transistor monouniOn se construye de una barra de silicio de resistividad del
orden (le 20 -'200 (2-cm), la cual se monta sobre un disco de cermica ranurada
cuyo coeficiente de dilatacin trmica es igual al del silicio. Una peilcula de oro
se deposita en ambos lados dc la ranura (de 0.2 a 0.3 mm), tal como se inuestra
en la Fig. 7.1.
La union P-N se forma por un alambre de aluminio de dimetro 005 mm,
rectificante y se muestra en la
uniOn que es del tipo III
Fig. 7.2.
119

TRANSISTOR MONOUNION UJT

Bas

Depslto de oro

UninPN
formada
por el eontacto rectiricante M-SC
Emisor
Aluminjo
SC

Base
uno

I'eerinjca

j:
V%
(a)

Figura 7.1: (a) seccin transversal do Ia construccin de un transistor irionounin (UJT):


(b) detalle de su montaje sobre el disco de cernhim.

- - -. '

nivel de vacio

nivel de vaclo

%77/7?7/
P;/,7,/BM
a

cm
Nivel de Fermi

Nivel do Fermi

9EMEMM

Antes de la
union

semiconductor N
Metal aluminio -

EF

Despus de Ia union

BV

Figure 7.2. Union metal-semiconductor rectificante (diodo de emisor-base uno).

Esta union normalmente se localiza cerca de la base dos (B2 ), asirnetrIa en


la construccin que es necesaria para optirnizar las caracterIsticas eldctricas
en la mayorIa de las aplicaciones.
120

7.2. TEORIA DE OPERACION DEL TRANSISTOR MONOUN1ON

El uso del disco de cermica en la construccin del transistor monounin da


como resultado las siguientes ventajas:
a) la rigidez mecnica del dispositivo se aumenta enormemente;
b) la conduccin de calor entre la barra semiconductora y el encapsulado del
dispositivo se mejora, haciendo posible la disipacin de ms potencia,
c) la posibilidad de falla debida a un ciclo trmico se reduce porque el coeficiente de dilatacin del silicio y La cermica son iguales; y
d) las caracterIsticas elctricas del dispositivo son ms estables y reproducibles,
debido a que la estructura mecnica es uniforme.
7.2. TEORIA DE OPERACION
La operacin del transistor monounin UJT est basada en la modulacin de la
conductividad de la barra de siliclo, entre la union de emisor y la base uno (B1 ).
La conductividad de esta region est dada por la ecuaciOn siguiente:
a= e(un + I.LpP).

(7.2.1)

Para el caso de una barra de semiconductor tipo N se polariza B2 positivamente respecto de B1 , y sta se conecta a tierra; la corriente que circula entre
B1 y B2 hace que en la terminal de emisor aparezca un voltaje positivo con respecto a B1 pero menor que ci voltaje en B 2 , voltaje al que normalmente se le
llama:
77<1.
Este voltaje VEB1 hace que la union P-N de emisor-base uno est polarizada
inversamente para voltajes de emisor menores que 77 1'2B1 y la contribucin de
la corriente inversa del diodo formado entre emisor-base uno ('Eo) es casi
despreciable, comparada con La corriente entre bases. A la 77 se le llama razOn
de apagado intrInseca o interna.
Si ci voltaje aplicado en ci emisor excede al valor de 77 VB.,B, por una canti-

dad igual o mayor a la calda VD de voltaje en el diodo de emisor, esto es:


VEB1 ' 77 B2B1 + VD

(7.2.2)

se tendr entonces una inycccin de huecos en la barra de semiconductor tipo


N. Debido al campo elctrico dentro de La barra, los huecos tendern a moverse
hacia B1 , aumentando asI La conductividad de la barra entre emisor y B1 , cumplindose en general las condiciones siguientes:

TRANSISTOR MONOUNION UJT

Conductividad general

Si

a = e (/l p p + jin)

a= eJJ fl hZ

1EB1

p=

<1 1R2

Si T EB >flin2B1 + T D
1

a = e (IlpP + in)

L/1 1 1?

P-e(

) p + in)

(Cuando el diodo estd polarizado directamente y la corriente de ernisor I


aumenta, ci voltaje VEB1 disminuye, ya que Ia conductividad entre emisor-base
uno presenta una region de inpedancia negarivJ como lo muestra la Fig. 7.3.

'B1 (V)
Punto pico

1IP
RegiOn de
apagado
o de
corte

Regionivde
iinpedai
tiegativa

Region de sat uraein

Pinto valle

= 15V
VBl B2 = 0

aw

'E(TIiA)
Figura 7.3. Caracteristica esttica de emisor de un UJT.

Los puntos ms importantes para la aplicacin de este dispositivo son los


que aparecen en la Fig. 7.3 como punto pico i punto valle, en los que la pendiente a la curva es cero. A in regiOn que estd a la izquierda del punto pico se le
liana regiOn de apagado; a la region que estd entre ci punto pico y ci punto
valle Sc le conoce como region de impedancia negativa: y a la region que estd a
la derecha del punto valle se le llama regiOn de saturaclon.
Otras caracterIsticas importantes en el transistor monouniOn son las caracterfsticas entre bases, en las cuales Sc grafican la corriente ('B2
2B1) para distintos valores de corriente de em isor 'E' tal COillO Sc muestra en la Fig. 7.4.
122

7.2. TEORIA DE OPERACION DEL TRANSISTOR MONOUNION

Figura 7.4. Caracteristicas estticas entre bases para el transistor monounidn UJT.
La corriente de las curvas para una
dinmica entre bases:

'E

cte da como resultado la resistencia

avBI
REB=---

(7.2.3)
1E=etc

De la descripciOn del comportamiento del transistor puedededucirse un


circuito equivalente simple, con resistencias que simulan las dos porciones de la
barra de silicio y un diodo que representa La union P-N del emisor (Fig. 7.5).

BB Figura 7.5. Circuito equivalente esttico del


transistor monounin en la region de corte o
apagado.

1 -~;

0-

B1

En este circuito no se han considerado ni la resistencia negativa ni las limitaciones en frecuencia, por lo que solo resulta vlido en La region de corte o apagado.
Analizando el circuito equivalente propuesto (Fig. 7.5) se puede concluir
lo siguiente:
123

TRANSISTOR MONOUNJON UJT

resistencias entre bases,

RB1 B2 = RB1 + RB 2 ,

R 1
= RB1 +
V=VEB 1

(7.2.4)

R81

(7.2.5)

=fr+ VD

RB1

RB1 -- RB2

(7.2.6)

= 7 7 VB2 +

en donde
17 =

R8
RBI
RB2 = RB2B1

(7.2.7)

Analizando las curvas caracterIsticas de emisor en la regiOn de impedancia


negativa, se ye que a medida que la corriente de emisor aumenta ci voltaje disminuye: asf el equivalente del transistor cuando el diodo emisor-base uno conduce est dado en la Fig. 7.6.
OB2

E IO.8VRB2

VE

_R

T RB1
II

Figura 7.6. Circuito equivalente del UJT


cuando ci diodo emisor base conduce y se
presenta la impedancia negativa.

I
oB1

Debido a que el anlisis con resistencias negativas es fuera de lo comUn,


conviene encontrar un circuito equivalente con elementos activos y pasivos
cuya impedancia de entrada sea negativa. Uno de los circuitos ms simples que
cumple con este propOsito se muestra en la Fig. 7.7.

JE

VF

+R +

Figura 7.7. Circuito equivalente para una resistencia negativa; R2 1 > IRI.

124

7.2. TEORIA DE OPERACION DEL TRANSISTOR MONOUNION

'F = 'E + 11,


T' = R BI I ;
VF=RB1 (l

Ii = ( 1 )IE
)IE

VE
R =---= RB I (I -

R ser negativa para 6 > 1.

Asf entonces, el circuito equivalente del UJT queda finalmente como se


muestra en la Fig. 7.8.

B2
VD

RB2

IE
RS

VIE

B1

o oFigura 7.8. Circuito equivalente del UJT para la region de corte y de resistencia negativa.

La fuente de corriente dependiente de corriente, HE, representa la ganancia


efectiva de corriente entre em isor-base uno, Ia cual resulta de La modulacin en
La conductividad que previamente se describi. Si se supone que 5 es mayor que
uno, La ecuacin para la caracteristica esttica de emisor se define como se mdica enseguida.
Segn el circuito equivalente de La Fig. 7.8:
(7.2.8)

Para determinar la influencia de La corriente de emisor 'E y del voltaje de bases


VBIB2' sobre el voltaje V1 de La ecuacin (7.2.8), aplicamos el teorema de superposicin; esto es:
cuando 'E = 0 y VB1 B 2 = * 0, entonces, del circuito 7.8, tenemos:
V10 =1?VB I B 2

7VBB

125

TRANSISTOR MONOUNION LilT

y cuando 'E 0 Y BjB2 = 0, entonces obtenernos:


'E ='E + 1
= (1
lb

donde:

R1R 2
RB1+RB2 (l

)IE

6 > I (efecto de impedancia negativa.

Yaque J? = Vla

V1

1"ib
R81 RB,

=
+

D
1

B1 +IB,

(1 -

(7.2.9)

Adems. recordando el equivalente del diodo rectificador en la region


directa, podemos escribir:
=

+ Rs IF .

(7.2.10)

donde l' es ci voltaje de umbra] del diodo de ernisor base uno. y Rs es la resistencia que presenta el diodo en esta region, la cual corresponde aproximadamente a la pendiente que se presenta en la regiOn de saturaciOn de las curvas IF
(ver Fig. 7.3).
Sustituyendo las ecuaciones (7.2.9) y (7.2.10) en la (7.2.8), obtenernos:
R B1 RB2
VE=??VB

+ RBI+RB2 ('

) JE

V+RS IE

( 7.2.11)

En la ecuacin (7.2.1 1), Si el valor de 5 es constante, VE se hace cero para


un determinaclo valor de 'E' lo cual prcticamente no Cs cierto ya que las curvas
del UJT presentan un voltaje minimo (voltaje valle), a partir del cual la resistencia quc se presenta Cs positiva. En esta forma, para que las ecuaciones encontradas cuinplan con Ia realidad, se propone una variaciOn lineal de 5 con respecto
al voltaje de emisor: esto es:
=(VERsIE),,

126

(7.2.1 2)

72. TEORIA DE OPERACION DEL TRANSISTOR MONOUNION


I.

donde So corresponde a un valor constante cuyas unidades son (V 1 . En este


caso se ye que 6 depende del voltaje VE y de la corriente. Aunque la dependcncia de la corriente es pequefla, pues comnmente R8 es pequefia, sustituyendo
el valor de 6 (7.2.1 1) en la expresin (7.2.10), se obtiene:

V=

VU+nVB1B2

[(VE

VU RSJE)6O

RB I,.RB,IE
R +Ra2 +RsJE,

RB1 R 2

Si:

RT=

RB1 +RB2

entonces, se puede concluir que:


VE =

V. + -a 1'BB + T6oRTIE + (RT + Rs)IE + RS6ORTJ


I + 6Q RI2
-,

(7.2.13)

ecuacin que se puede reducir a la forma:


T1

VE=

BB +(RT+ Rs ) JE+Rs6oRT4 ,

l+6O RTIE

( 7.2.14)

La expresin (7.2,14) rige el comportarniento del transistor monounin


desde el momento en que el emisor empieza a conducir QE > 0) y para cualquier corriente de emisor.
La pendiente de la curva de (yE - If) estar dada por la derivada de Ia
expresin (7.2.14) y esto nos da informacin sobre ci punto valle y la pendiente en la region de saturaciOn. AsI:

dV
RT
dIE -

+Rs +2Rs 6o RT IE +6RRs InVBB 6ORT

( l+6ORTIE)2

(7.2.15)

Se puede ver que esta expresiOn cumple razonablemente con las caracterIsticas
reales de un transistor monounin, de manera que:
dIE I

00 1/6 6 0 R - R - R).

=-

la cual debe ser negativa, es decir, que siempre se dcbe cumplir quc:
77 VBB

(R1 +R).

(7.2.16)
127

TRANSISTOR MONOUNION UJT

RRs4
tim
= urn
'E4' WE
1E(l + OR7IE)2 =

(7.2.17)

La pendiente para corrientes de ernisor grandes es constante positiva y de


valor R, La cual es la resistenia del diodo de emisor, lo que implica que el dispositivo en corrientes de ernisor grandes se comporta como diodo.
El valor del voltaje de valle se encuentra en el punto en el cual La pendiente
a la curva se hace cero (y aderns se tenga el mInimo). En esta forma, igualando
la ecuacin (7.2.15) a cero, tenernos:
RR5 '+ 2Rso RT IE +RT +Rs

nJ B 5o RT =

0.

Aplicando La solucin cuadrtica a La anterior ecuacin, se tiene:

IE

= Iv

25o RT Rs

- 4RS R6(RT + R 2R.RS

P6ORT) I
(7.21. 18)

Reduciendo y considerando La condicin (7.2.16), la corriente de valle queda:


J(RT/RS) 04VBB60 - 1) 1

Jv=

ORT

(7.2.19)

En este caso sOlo se ha considerado la raIz positiva, pues es la que tiene sentido ffsico. Si adems se considera que:
[(Rr IRS) (nVBBO - 1)}12 ,
entonces:
1
ORRT - &RTRS J1/2 ,
'l?VBB

(7.2.20)

Sustituyendo la ecuacin (7.2.20) en la ecuacin (7.2.14), es posible encontrar


cunto vale el voltaje de valle, quedando:

vvvu+
128

2flVBB + (RT + R5)J + RsRT60I,

l+ORTIv

(7.2.2 11

7.2. TEORIA DE OPERACION DEL TRANSISTOR MONOUNION

Mediante esta teorfa tambin es posible obtener el comportamiento entre


bases cuando la corriente de emisor se considera como parmetro, esto Cs:

IB2 RB2 VBB

14,

(vcr Fig. 7.6)

Si,
R22

entonces:
VBB Vl
'B2 = (1 n)RBB

(7.2.22)

Si
14 = frj. -

RSIE

de la expresin (7.2. 11) se puede obtener:


1)RT IF. ]

VBB [fl VBB (

(l n)RBB
dc clonde

IB - EB
RBB

RTIE

(l)

RBB

(7.2.23)

Para obtener la expresiOn definitiva se requiere sustituir ci valor de 6 segQn


la expresin (7.2.12), y en la 6 sustituir el valor de VE en trminosde la 'E, segun la expresin (7.2.14). obtenindose:
I/BE +

VBB + RSO IE + RSRT154 - I)RTIE


(I + 0 RTIE)(l ??) R8B

(7.2.24)

Esta expresin cia las caracteristicas de bases para ci transistor monounin.


Teniendo 'E como parmetro. se observa que si IE = 0. entonces:
'B2

(7.2.25)

Ejemplo 7.1. Se tienc un dispositivo monouniOn construido con un material


semiconductor tipo N con resistividad de 200 92 cm, de dirnensiones entre
bases de 2 mm, y area transversal de 1 11Im2 . Si ci diodo metal-semiconductor se
forma a 0.8 mm del extremo de la base dos y al polarizar el dispositivo se encuentra que para VBB = 5 V ci voltaje de valic es de 2.0 V e 4 = lox iU- A,
a) calcule losvaiores de REB , RT, R. R131 , RB2 . 6o, y i, Si T' = 0.8 V;y
129

TRANSISTOR MONOUNION UJT

b) grafique ]as curvas del dispositivo de este ejemplo para.


(VE.!E ) Y (VBB JB2 ).
Ruse dos

Solucin:
a)

RBB

=P4_,
2 mm
cm) mm x I mm

RBB = 200(

2 mm

0.8 mi

RBB = 4000 2.
Lmisor

Ll

Base uno

Figura E.7.1.1. Detalle burdo de construccin del dispositivo


del ejernplo 7.1.
Para la determinacin de RB1 y RB2 , se calcula segn las dimensiones en que
estd colocado el diodo metal-semiconductor.
Si:

RBB = 4000 cz,

se establece una regla de tres simple para obtetier RB2 y RBI . AsI:
4000 cl

2 mm
0.8 mm.

x
entonces:
RB2 = 1600 92;
Y:
RB 1
77

RBB - R R , = 2400

RB1
- 2400_s
R
1
- 4000 - .6,
RB1 +

RT = RB1 //RB,,

RT= 960&2.
130

7.2. TEORIA DE OPERACION DEL TRANSISTOR MONOUNION

Luego, sustituyendo la expresion (7.2.20) en (7.2.14), se puede encontrar


que:
Vv

27/ VBB + (RT + RS) + RSRT 8 0 1112

Vu.

(7.2.21)

1 +80 RTIV

Sustituyendo datos, se obtiene:


-6
2.0 = 0.8 + 1 . x 5.0+ (960 +Rs)10X 10-1 + Rs 960 X 5, X 100X 10
1 + 960X 10 X
entonces:

14.4+ 0.01 Rs
6`) 11.51 + 0.096 R s

(E.7.1.1)

11.525 14.4
Rs 0.01 + 0.096 So '

(E.7.1.2)

Sustituyendo el valor de Rs en la expresion (7.2.20) y despejando 50 , se


obtiene la ecuacion cithica skuiente:
1.1 52 1.9584 52 + 0.0360(, + 0.01 = 0.
Resolviendo por tanteos, se obtiene:
5 1.76 (V)31 :

Rs = 32.83 S2 .

Sustituyendo estos valores en la ecuacion (7.2.14), se tiene:


= 0.8 +

0.6 Ill's + 9 9 2.83 4.: + 55.5 X 10' //2.2


1 + 1689.6 ii;

..

(E.7.1.3)

y en la expresiOn (7.2.24
1;3B

pin3
-

4000 +

( 7160 1:13B + Rs50IE + Rskr52 1112. -- 1 RT

0.647 (1113 + 57.78/s + 9.76 x 104

- 1

1 + 1.689 X 10' /E

A continuacion se hacen dos tablas para los distintos valores de /E y 1/

(E.7.1.4)

131

TRANSISTOR MONOUNION

TABLA 7.1

1`;313
0.0000

VBB

VBB

VBB

VBB

litB

2.5000

5,0000

10.0000

15.0000

20.0000

0A

0.8000

2.3000

3.8000

6.8000

9.8000

12.8000

10 AA

0.8098

2.2848

3.7599

6.7101

9.6600

12.6100

100 /.1A

0.8854

2.1686

3.4518

6.0180

8.5850

11.1500

1.0 mA

1.1898

1.7475

2.3000

3.4200

4.5360

5,6514

5.0 mA

1.4723

1.6310

1.7900

2.1000

2.4250

2.7424

10.0 mA

1.6650

1.7487

1.8300

2.0000

2.1600

2.3354

15.0 mA

1.8400

1.8900

1.9530

2.0600

2.1800

2.2379

20.0 mA

2.0000

2.0500

2.0950

2.1800

2.2670

2.3537

30.0 mA

2.3400

2.3700

2.4000

2.4590

2.5170

2.5748

40.0 mA

2.6740

2.6960

2.7180

2.7610

2.8000

2.8488

50.0 mA

3.0000

3.0210

3.0400

3.0750

3.1100

3.1440

100.0 mA

4.6500

4.6580

4.6670

4.6850

4.7030

4.7200

VBB

VBB

I/BB
'

VBB

BB

0.0000

'BB
2.5000

5.0000

7.5000

10.0000

15.0000

OA

0.0000

0.0006

0.0012

0.0018

0.0025

0.0037

5.0 mA

0.0009

0.0029

0.0048

0.0068

0.0087

0.0126

10.0 mA

0.0052

0.0072

0.0093

0.0113

0.0133

0.0173

15.0 mA

0.0124

0.0145

0.0165

0.0186

0.0206

0.0247

20.0 mA

0.0225

0.0246

0.0267

0.0287

0.0308

0.0349

NN
VE

1E

TABLA 7.2

N.N.,....NI:B.N.N
2

'EIE

En las tablas 7.1 y 7.2 los voltajes


corriente /B2 en A.
132

y 1438 estan expresados en V. y la

7.2. TLORIA DE OPFRACION DEL TRANSISTOR MONOUN ION

IE (m

Figura E7.1.2. Grafica de las caracteristicas de emisor, segan la teoria desarrollada para
el UJT.

(N)

Figura E.7.1.3. Grifica de las caraeteristicas entre bases para el UJT propuesto.
133

TRANSISTOR MONOUNION UJT

Si se comparan las eurvas obtenidas en este ejemplo, se podra concluir que


la teoria desarrollada en este capitulo para explicar el comportamiento electrico del transistor monounion en base a los principios fisicos de la conduccion de
cargas en semiconductores es acertada, lo mismo que el model establecido.

7.3. SIMBOLO
En este caso se hizo el an6lisis de un transistor monounion construido a partir
de una barra semiconductora tipo N. pero se puede hacer exactamente lo mismo al construir el dispositivo a partir de una barra setniconductora tipo P. En
la Fig. 7.9 se muestran los simbolos empleadus para el transistor monounion.

1:
FH 8
Barra tipo N

Barra tipo P

Figura 7.9. Simbolos del transistor monouniOn UJT.


Al transistor monounion construido a partir de una barra tipo P se k
cc C01710 transistor monounion completnentario, del UJT barra tipo N.

C0110-

7.4. CARACTERISTICAS Y LIMITACIONES


A continuacion se muestran los principales partimetros, la nomenclatura que se
emplea y la definiciOn de cada uno de ellos para el transistor nionounion UJT.
134

7.4. CARACTERISTICAS Y LIMITACIONES

TABLA 7.3
Parametro

Nomenclatura

Definicien

Voltaje en el
punto pico

VP

or y base uno, para el cual


Es el voltaje entre emisor
la corriente de emisor empieza a aumentar bruscamente; este valor depende del voltaje entre bases.

Voltaje en el
punto valle

Vv

Es el voltaje en el qUe para una curva de VBE = cte,


la dVE/d/E = 0 y se tiene el punto minimo de la
curva.

Voltaje entre
bases

VBB

Es el voltaje que se tiene en cualquier momento


entre las bases del dispositivo.

Voltaje inverso
de emisor

VER

Es el voltaje de ruptura del diodo de emisor-base


uno.

Corriente en el
punto pico

/P

Es la corriente de emisor en el punto pico de la


caracteristica de emisor; depende normalmente de
La temperatura.

Corriente de
valle

iv

Es la corriente de emisor en el punto valle de las


caracteristicas de emisor.

Corriente de
base dos

/ Bi

Es la corriente en la terminal de la base dos.

Corriente de
base uno

/B1

Es la corriente en la terminal de la base uno


'
B1
B1 = B 2 + IE

Razon intrinseca
de apagado

17

Es la relacion de voltaje aproximado de Vp/VEB,


o la relacion de resistencias RBi IRBB '

Resistencia de
base uno

RI31

Es la resistencia electrica que presenta la barra semiconductora entre el diodo metal-semiconductor


y la base uno.

Resistencia de
base dos

R.2

Es la resistencia electrica que presenta la barra Semiconductora entre el diodo metal-semiconductor


y la base dos.

135

TRANSISTOR MONOUNION UJT

TABLA 7.3 (cont. . .)


Parametro

Nomenclatura

Resistencia
entre bases

RRB

Es la suma de las resistencias entre bases


RBB = RBI + RB2' osea la resistencia de la barra
semiconductora.

Resistencia
paralelo

R'T

Es el paralelo de las resistencia entre bases


RT -,--- R B1 IIRB2 .

Resistencia de
satura eion

Rs

Es la resistencia que presenta el dispositivo entre el


emisor y la base uno cuando el voltaje entre bases
es nub.

Corriente de
emisor maxima

'EM

Es la maxima corriente que puede soportar el dispositivo entre emisor y base uno, sin que se dafie,
por un pequefio instante.

Potencia de
disipaciOn
maxima

PD

Es is potencia maxima que puede disipar continuamente el transistor sin que se dafie.

Corriente
promedio de
emisor

IE

Es el valor promedio de la corriente en el emisor.


la cual puede soportar continuamente sin que se
dafie.

Temperatura de
la union

T1

Se refiere a la temperatura de la union del diodo


metal-semiconductor.

Frecuencia
maxima de
trabajo

fju

Es la frecuencia maxima que se recomienda para


trabajar el dispositivo como oscilador de relajacion.

Corriente de fuga
de emisor

IEo

En la corriente entre emisor y base uno con la base


dos abierta en polarizacion inversa.

136

Defuncion

UI EM PLO S

EJEMPLOS
Ejemplo 7.2. Para el circuito mostrado obtenga sus ecuaciones de funcionamiento.
1 .ti.
I p - - - --p-

R1
13' !

I:
L'

__L ,.

- -* - -
l '
I1 R

it

k2
ip

II.
i

Figura E.7.2.1, Circuito oscilador de relajaciOn simple y ciclo de relajacion para un UJT.
Solucion:
Funcionarrziento. El condensador de emisor se carga hasta un valor tal que hace
que el voltaje entre emisor y la base uno sea igual o mayor que el voltaje
logrando con esto que el transistor pase a operar en la region de impedancia
negativa o en la region de saturacion, haciendo que el condensador se descargue
bruscamente, hasta que se Ilegue a un valor en que no pueda suministrar la
corriente que el emisor demande y se pase nuevamente a la regi6n de corte,
repitiendose el ciclo y obteniendose una oscilacion, la cual se denomina en este
caso oscilacion de relajacion.
A ndlisis.
Del circuit de la Fig. E.7.2.1, cuando
= R2 VB /(R2 +

RBB.)

= 0, es decir VE = 0, tenemos:
(E.7.2.1)
137

TRANSISTOR MONOUNION UIT

y et voltaje entre bases sera:


(E.7.2.2)

VBB = RBB VB (R2 + RBB)

For to tanto, para asegurar que el condensador se cargue y logre Ilevar al dispositivo a la region de impedancia negativa, se debe cumplir que:
VB

- Vp - VB1 > Ip,

condicion de disparo:

R,

y para que se apague se debe ciunplir que:


VB

- - R2

R,

<1V , condicion de apagado.

Luego en oscilacion el voltaje del condensador durante la carga variara de


acuerdo a:
(t/RIC)) *Vv
, + R2 Iv (E.7.2.3)
Vv R2 /4(l C
ye = 043
El tiempo que dure la carga del condensador sera hasta que el voltaje en el condensador alcance el valor suficiente para disparar al dispositivo, de manera que:
R, VB
VC =

(E.7.2.4)

+ VD+ RBB R2

es deeir:

R 2 VB
r VBI3 + VD +
R+
BB_ R 2 L _

de donde:

R2Iv) (1

4- + R2/17;
(E.7.2.5)

RB2 VB

D + VD 'Ws Vv R2Iv) e-(tlai IC)

RBB + "2

Despejando el tiempo "t,", tenemos:


.ti =

R, Cfln

Vv

R2/V

n
./.82 vB n.BB -I- R2)

VD

(E.7.2..6)

La descarga del condensador es a traves del emisor, el cual en conduccion


presenta una impedancia Rs , y a traves de R2 de manera que:
R2 VB
VC = ( VP p

138

R2

t/(12B+ ROC ;

(E.7.2.7)

EJEMPLOS

luego, el condensador se descarga hasta que el voltaje alcanza el valor del voltaje
de valle. Asi:
R2 VI?

+ R24 = (V, +

Vc =

)e- t2/(RS ROC

RBB + R2

(E.7.2.8)

Despejando el tiempo "t2" se obtiene:


t2

+ R2 VB (Rga
2v
Vv+ RI

= (RS + R2) CQn

+ R2

(E.7.2.9)

frecuencia de oscilacion f= 11(4 + t2) .

(E.7.2.10)

Las formas de onda que en este caso se obtienen son:


vc

-21
IV

/7

IV
I

Altura de la espiga

R,I i

s
r i r
1
R2 (R, + n RBB) vB
1

i
I
IT 1 , ,
r.:-...4.------.1
1
1

vB,

+ R 2 VD/(RBB + R 2 )

I
I

1
1

(Rs + R2 ) (R2 + RBB)


P_ T/ // J?
.-2

.4..11.2,1
/2 -1

Figura E.7.2.2. Formas de onda en el oscilador de relajacion simple.


Ejemplo 7.3. Con el circuit del ejemplo 7.2 disefie un oscilador de relajaciOn
que tenga una frecuencia de oscilaciOn de 1 KHz y espie.as de 5 V de alto, si se
emplea un transistor 2N492 cuyas caracteristicas son:
RBB

6.0 KS2

/p = 4.0 p A ,
= 2.7 V.

f = O. MHz,
Rs

= 50 ci .
D

= 0.56.
= 19 mA.

PD

FE R

0.5 W.
60 V.

= 0 8 V
139

TRANSISTOR MONOUNION UJT

Soluckin:
Debido a que lo mas importante es la altura de la espiga, se debe satisfacer que:
R2 VB ( R 2 nRBB
(Rs + R2 ) (R2 + RBB)

(E.7.3.1)

Se tiene esta ecuacion con dos incognitas, VB y R2 ; por lo tanto.se puede proponer R2 y calcular cual debe ser VB para la polarizacion del circuito oscilador.
Normalmente R2/v < 5 V, por lo que proponiendo R2 := 82 y sustituyendo datos en la ecuacion (E.7.3.1), obtenemos:
5 (Rs + R2 ) (R2 + Rim) ,
R2 (R2 + nRBB)

);

1/

(E.7.3.2)

v._5 (50 + 82) (82 + 6000) v

87 (82 + 6000 X 0.56)

'

11B = 14.22 V,
R BB VB
R 2 + R BB
l';n3 = 14.03 V.

Vp

n Vas

Vp 7.86 V.
Utilizando las condiciones de oscilacion y apagado se puede establecer que
RI esta acotada entre:
<

R1 >

14.22 7.86 0.19


Q l.542 ML, y
4 X 10-6

14.22 2.7 1.56


19 X 10-3

n=

542.2 < R1 < 1.542 M&2.


140

524.2

: entonces:

EJEMPLOS

Si se propone que t2 = 50 gseg, de (E.7.2.9) se puede calcular C. Asi:


50X 10-6
f
132 kn [(7.86 + 0.19)42.7 + 1.56)]
'

C = 0.6 pf .
Utilizando la ecuaci6n (E.7.2.5), y considerando que el period() de oseilacion es T = I inseg, es posible calcular el valor de R1 ; esto es:
t1 = (1000 50) mseg,
t, = 950 ttseg ;
R=

950 X 10-6
0.6 x 10-6 Qn [(14.68 2.7 1.56)46.37 + 0-8 )]
,

= 2530 f.1
Finalmente, el oscilador queda como se muestra en la Fig. E.7.3.1, con la
demostracion de sus respectivas formas de onda:
Vc (V)
14.68V

8.85

r -

4.26

1 in sci

2 iii scg

(V)

ii

1.56

0.19
1

5011seg

50pscg

Figura E.7.3.1. Oscilador disenado y sus respectivas formas de onda en el condensador y en


la base uno.
141

TRANSISTOR MONOUNION UJT

Por la forma en que opera, en este tipo de oscilador se requiere que el tiempo de descarga sea mucho ms pequerio que el de carga, por lo que si queremos
tener tiempos equiparables es necesario pensar en otro circuito.
Ademas se ve que R2 es mucho ms pequeria que RBB , por lo que la ecuacion (E.7.2.6) puede reducirse a:
=

R i an

VBB VV R2 IV
(1 17) Kr3 VD )

t2 = ( Rs + R2 ) C2n

Vp + R2 VB/RBB
Iry + R2 Iv

(E.7.3.4)

Ejernnlo 7.4. Para el oscilador de relajacion que se muestra explique su funcio-

namiento y obtenga las ecuaciones de su comportamiento.

Figura E.7.4.1. Oscilador de relajacion con


tiempos de conmutaciOn comparables y controlados independientemente.

Solucion:
El condensador C se carga a traves de R I hasta que adquiere suficiente carga
para que el transistor monounion se dispare; en este momento el voltaje entre
emisor y base uno tiende a disminuir, obteniendose en consecuencia que el
diodo D se polariza inversamente y C empieza a descargarse a traves de R2 anicamente, hasta que se alcanza el voltaje de valle del emisor y entonces se apaga
este y se repite el
142

EJEMPLOS

Operacion:
Condicion de disparo: Si el voltaje de conduccion del diodo externo se considera igual al del diodo de emisor base uno, se tiene:
R2 VB

R t + R2

> Vp

7? RBB

pp,

.s.BB R 3

condicion de disparo.

(E.7.4.1)

Ademas la condicion de apagado es que, cuando el emisor este conduciendo, la corriente que circule sea mas pequefia que la de valle, es decir, que el dispositivo trabaje en la region de impedancia negativa. Asf:

Va
, se considera VB > V,, condicion de apagado.
R, < I
Si se denomina con VI el voltaje inicial del condensador, entonces este se
carga desde i hasta Vp, de manera que:

R2 V8

+ R2

g)(1 e tAR ifilimc )

(E.7.4.2)

luego, la carga dura hasta que el voltaje del condensador alcanza el voltaje pico,
es decir:
R, VB
77 RBBVB
tORI/ai2)c)+ FF .
=(
V,) (1
VC = VI)
R, +R2
RBB + R,
(E.7.4.3)
Finalmente, "ti " queda:
t, = (RI IIR2 )C12n

R2 VLAR + R2

irp

4%2

,
'ABB .

(E.7.4.4)
3/

Luego, para la descarga del condensador, se tiene:

=V

e(r/R2C)

y la descarga termina cuando se alcanza el voltaje V1 . Asf:


VP
t2 =

021z

(E.7.4.5)

Para que el circuito quede debidamente caracterizado se necesita encontrar


V1 en funcion de las caracterfsticas del dispositivo y de los elementos externos
involucrados; esto se hace en forma grafica, pues sino resulta muy elaborado.
143

TRANSISTOR MONOUNION UJT

Ejemolo 7.5. Disefie un oscilador de relajacion con una frecuencia de oscilacion


de 7.5 KHz y con ticmpos de conduccion y carte en relacion 3t1 = t2 . Se usara
el transitor UJT 2 N494, cuyas curvas caracteristicas se anexan.
Obtenga los pariurietros de las curvas para despues hacer el diseno y obtener
las formas de onda del circuit.
--r-- = 5C
2]
I I ,
't -----1,
1111
,
=
11 V,BB
Recta de carga
I
10
para ia polarizacion
8 1
1 20
I _l_de cmisor base-uno
74 , 10 7-r
1

18
16 m
>
7.
9
--:
7.0

c.)
-a

'B = j.
02 4 6 8 1Q12 14 16
Corricnte de emision (mA)

20 ! . .
25C /E. = 50 mA
1
g LT
_A=H
-,Z
,di
I I
5 16,
111 40
w 14
3o
jAp
eit10-- - Recta de carga
2 12
10 . r,ve 20 para la polarinciOn
a. _ Aim.......p...---ie, bases
=
1.-- 10 5
'' 8 a
''al link; PI I
II
Pb. 1.
i 4 .a..
0
fl,,LTAXIII..
cd "!.
ow"

00

5 10 15 20 25 30 35 40
Voltaje entre bases (V)
(h)

(a)

Figura E.7.5.1. Curvas caracteristicas del transistor monouniOn LLIT 2N494.

Solucion:
Sc usarti el circuit propuesto en el ejemplo 7.4. Sc propone 17B 40 V. y
4 Kn.
Luego, observanclo la curva de la Fig. E.7.5.1-b, se puede obtener:

R3 =

R80

k= 0 -

25V
2 mA

De la Fig. E.7.5.1-b yea el punto P3 , el cual permite determinar EBB, esto es:
RBB
D
D
rk. 3 -r n BB

2.6
40 --IV=
16.5
Y observando la curva de la Fig. E.7.5.1 se puede ver que para un VBB de aproximadamente 30 V el voltaje pico corresponde a 15.5 V; y considerando VD = 1 V,
tenemos:
VBB

7?
17

144

13B

= 0.48.

MMPLOS

En este transistor se puede considerar que la corriente de vatic es mayor que


16 mA, pues no se ye en las curvas caracteristicas que la pendiente sea positiva.
Asf, se debe cumplir la ecuaciOn (E.7.42).
1'1'3
<I

R,>

'

entonces:

40
16 x 10-3

R, > 2500 S-2


y de la ecuacion ( E.7.4.11 se tiene:
RBB + R3 > 1
R
T/RBR

"

entonces:
(E.7.5.1

.. 1.75 R2 > R, .

Si se propone R, = 5 K. de la grafica de la Fig. E.7.5.1-b se ye que la corriente de emisor esta alrededor de 7.5 mA luego, interpolando en la Fig. E.7.5.1-b
se encuentra que
16.5 V, (ver punto P, ). Llevando nue.vamente el dato
/.7 V (ver
de Vi3r) on sobre Ia curva de la Fig. E.7.5.1-a, se cncuentra que
);
y
tambi6n
de
la
Fig.
E.7.5.1-b
se
observa
clue:
Punto P2
= 30V. (ver punto P3 )

rim off = Ii113

4= 0
-

Para calcular los valores de las resistancias, se hacen varios tanteos, pues a pesar
de que r y t2 pueden vaiiar en forma relativamente independiente, cuando se
.
pide que eumplan con una_rela.cian no es' facit conseguirlo.

De la ecuacion (E.7.4.5), tenemos.:


Si,

/ 2 = 100 Owe, = R2 CQ.,/ 14'5


2.70 7.

entonces:

R2 (= 59.49 X 10-6,.

Primer tanteo:

Si,

R2 = 1.5 Kf2 .

entonces.:

3.97 X 10-9

r:

sustituyendo en (E.7.4.4), se despeja a t,:


t, =-8.48 X IV seg.

-
145

TRANSISTOR MONOUN1ON 111T

Segundo tanteo:
Si,

R2 = 5 Ks7 ,

entonces:

C= 11.9 nf ;
t, = 34.09 llseg.

Finalmente:
133.3 Asee,

t, + t, = 134.09 pseg

valores que cumplen con la


frecuencia propuesta.

Aunque el valor de R2 satisface la condici6n dada, se recomienda que este tipo


oscilador no se use para:

de

ti > 3.

t,

a)

A continuacion Sc muestran las formas de onda y el circuito final.


VE
1
1

15.5V

t
1

I
-_2.7V1
-..--...i

40V
1
I

4K SZ
5K a

SKS-2

1 2nr

/12

/rE

V8 2

_i _ .....,

1
t
1

1
it

1
i
VB, ,--1- - - - 1

2N494

Bi

It

- ,

rr(pseg)
I
- - - ii30V

- - -

i1
-- -

168

268 302

16.5V

402

Figura E.7.5.2. Circuito oscilador de relajacion y formas de onda que se observan.


146

tiscg)

I
I
I 1.7V

(2

34

l(

20V

I. ( ltisegi

ElEMPLOS

Ejemplo 7.6. Analice el circuito que se muestra y de sus ecuaciones de comportamiento, asi como sus formas de onda (generador de diente de sierra). Los
transistores Q1 y Q2 estan apareados, es decir, sus caracteristicas son identicas.

n2
Q3

13 1

Figura E.7.6.1. Oscilador de relajacion


de diente de sierra lineal.

Solucidn:
Analisis: La parte del circuito formado por el condensador y el transistor monouniOn se comporta como el oscilador de relajacion mostrado en el ejemplo
7.2, por lo que unicamente interesa analizar la parte compuesta por Q, Q.2 y
RI . En este caso se tiene que al considerar:
VB VB.
1131 + ICI + IB2

=1,81 + 13 1 1
Si los transistores son iguales y la terminales de base-emisor estdn en paralelo,
entonces VEB I = VEB2 e /Bi = .432 por lo tanto:

It = (0 + 2)/B.,
12 = 131B2

.,

entonces:
12 = 11

A este arreglo de transistores se le conoce como espejo de corriente, y de esta


forma se obtiene:
=

VB 1121 .

(E.7.6.1)
147

TRANSiSTOR MONOUNION WT

Luego. el voltaje en el condensador sera en el estado permanente:


/2 t
'
Vc = Vv +
C '
por to tanto, el tiempo en que el UJT esta en corte es el tiempo en que el voltaje en el condensador alcanza el valor Vp:
tt
Vc = Vp = Vv + C
'
finalmente. el tiempo /*I sera:
Vp

Vv)C
(E7.6.2)

12

y t2 se considera muy pequeno comparado con t, por no tener resistencia en la


base uno. Luego:
1

/2

(E.7.6.3)

= (v Vv) C

Sustituyendo el valor de /2 y de Vp en taTninos del voltaje de polarizacion. se


obtiene:
f

V8 /R 1
(V77 Vv ) C

C (71 VvIVB )

V1)

(E.7.6.4)

Y si
,

entonces:
(E.7.6.5

f = nRI C
La condicion para que este circuito oscile es que:
< R7 <

(E.7.6.6)

Si se quiere un oscilador de frecuencia de oscilacion de 5KHz y se sabe que


= 0.6, V,= 2.5 V. tv = 15 mA, /p = 2014A y VBE = 0.6 V; considerando
que VB = 25 V, la frecuencia de oscilacion estara dada por:
148

EIEMPLOS

f= 5000 Hz = R I C(0.6 0.1) Hz :


f=

Rt C

Hz

Si,
IT= 5 mA,

entonces,

5x 103

Ri

= 5 Krz

C = 80 nf.

Si se tiene un cambio en el volt* a 30 V. i.,ctilinto cambia la frecuencia?


f=

1
5 x 103 X 80 X 10-9 [0.6 (2.5/30)]

Hz

1= 4838.71 Hz.
A continuaciOn se muestra el circuito disenado y las formas de onda que se
obtienen.
+25V

2N3638

5K1

il 1

2N492

I 1

1.5V .- - - - 8Onf

It
It
I1
1

1-
1

2001iscg

(a)

i 1

...

400psq:1
(h)

Figura E.7.6.2: (a) circuito oscilador diente de sierra de 5 Hz; (b) formas de onda en el conde nsador.
149

TRANSISTOR MONOUNION UIT

Ejemplo 7.7. Analice el generador de escalera que se mdestra en el circuito de la


Fitz. E.7.7.1 y disefie un circuito con 10 pasos y una frecuencia de 50 Hz.
+ VB

Tisanda

Figura E.7.7.1. Oscilador de escalera con dos transistores monounion.


Solucion:
Funcionamiento: El generador de espigas compuesto por Q i . C1 , R1 y R2 genera espigas de un voltaic fijo a la frecuencia y duracion que se disefte (circuito
similar al diseilado para el ejemplo 7.3). Cada vez que se tiene la espiga presente, el transistor Q3 se va a saturacion, polarizando con esto el diodo Zener
en la region de regulacion; con esto se establece un voltaje constante entre la
base de Q4 y la fuente, que permite que:
VZ = VBE R5IE, VBE Rs Ic2 ,
entonces:
Rs

VBE

cte

(E.7.7.1)

Se constituye el transistor Q4 en una fuente de eorriente constante durante


el tiempo que dura la espiga.
Asf pues, durante el tiempo que dura la espiga se dice que Q4 bombea corriente al condensador C2 , obteniendose un incremento en el voltaje de C.2 equivalente
t /
A
e2
(E.7.7.2)
150

EJ EMP

El voltaje del condensador se va incrementando hasta que alcanza el voltaje


pico del emisor de Q2 y se descarn bruscamente, iniciandose un nuevo ciclo de
operaci6n. Cada incremento de voltaje constituye un escalOn: t3 es el tiempo
que dura la espiga.
Diseno de 1111 circuito generadoe de escaleru de 10 pasos:
Si se tiene que Q i es igual a Q , con las caracterfsticas siguientes:
n =- 0.6,

Vv = 3.0 V, VD = 0.8 V,

Rs = 20 SI,

RBB

6 K2, /p = 3.014A.

= 15.0 mA;

y que Q 3 = Q4 , con las caracteristicas siguientes:


(3 = 100,

VBE = 0.6 V en conduccion:

y DI con un voltaje de Zener:


Vz = 5.6 V,

/z min = 1 mA,

IzT = 5 mA.

Si se quiere que la serial de escalera tenga 50 Hz, entonces el periodo sera de


20 mseg, y, si se quiere diez pasos, implica que el bombe de corriente debera
repetirse cada 2 mseg, por lo que entonces la frecuencia de oscilacion del generador de espigas debe ser 500 Hz.
Utilizando los conceptos del ejemplo 7.2 y 7.3, y ya que se desea que el
tiempo de duracion de la espiga sea lo mas pequerio posible. se puede proponer
que VB = 20 V. R2 = 47 S7, se propone que la duracion de la espiga sea de
50 pseg. Luego, considerando la expresion (E.7.2.2) y la ecuacion (E.7.2.9), se
encuentra que:
t2

(Rs + R2 )211 [ Vp R2 VBARBB

R2)]A + R2 /01

entonces: CI= 0.632 pf 0.64 $2f.


Y;
R BB VB
VP Q I

RBB R2 =

11.91 V.

De (E.7.2.6) se encuentra el valor de RI , obteniendose, si t= 1950 pseg.


R i = 3757 E2 3900 E2 .
151

TRANSISTOR MONOUNION

y el valortdetvoltaje maxima en la espiga sera: (ver fig. E.7.2.21

l
;

n RBE)
(Rs + R2 ) (R2 + Raa)

V, = 8.46V:
Cuando ta eSpiga estd par terminar se tiene un voltaje de .11/ R2 siendo en este
easo del siguiente valor:

R2 /v = 0.71 V.
Luego, para asegurar que aun asi se tiene el transistor Q3 en saturacian, se necesita que:
R

VB

Z.

VCEQ 3

V,

entonces, 1/R.4 = 15 V, considerando que ./R4


IR4 = 5 m A
de donde:

R, = 15
-- X 103,
5

R, = 3 KO..
= 100.
Y

18Q3mn = 1R4/13

entonces:

113(23 min = 50
R2 Iv

VBE

.18Q3

R3

entonces:

in

= 50 I.LA,

R3 < 0.71 0.6


50 X 10-6
R3 4.

2200 11

R3=

1500c2 .

se propone:

152

'

-ZT

Ya que

)1' 'B424 ;

EJEMPLOS

Si

C2 = 0.1 X 10-6 f,
R6 =

Ka ,

esto implica que el voltaje entre bases se reduce a.


VBBQ

BB VB
= R-

16V.

RBB
luego, el emisor se disparara cuando el condensador
VC 2 = VP427 +VD

-=TIVBBQ

+VD

C2

alcance el voltaje de:

10.40 V,

En esta forma erVoltaje del condensador deberair desde el voltaje valle }last a
VC2 = 10.40 V, es decir, que la excursion total sera de:
V.= 10.40 Vv = 10.40 3.0 = 7.40 V.
Finalmente, el voltaje incremental por escalan sera:
A V,- 2

7.40 V
0.74 V.
10

7,40 V
# pasos

Usando la ecuacion(E.7.7.2) se tiene:


0.74=

SO X 10-6 /
0.1 x 10-6

de donde:
-Le s

Ic = 1.48 X 10-3 A = 1.48 mA.


Luego, usando la ecuacion (E.7.7.1) se obtiene:
R5 =

Vz

VBE

5.6 0.6
=

33782;

1.48X 10'

entonces:
Rs = 3300 2.
con lo que el circuito queda disenado totalmente.
A continuacion se presenta el diagrama general y las formas de onda que se
obtendrian:
153

7 TRANSISTOR MONOUNION UT
+ 20v

= 3.9K17

Kalida
0.64 p

(a)

3.0

1-

2111 seg

10

20 m seg

Figura E.7.7.2: (a) Circuito generador de escalera;(b) formas de onda.

154

PREGUNT

PREGUNTAS
7.1

Explique brevemente cam Sc construye el transistor monouniOn.

7.2

;,Q1i6 t ipo de contact rectificante se forma entre el emisor y Li base uno


del UJT?

7.3

i.Porque el transistor UJT tambien es conocido como transistor de una


sola union?

7.4

Al polarizar directamente el diodo emisor base uno del UJT, se inyectan


portadores a la barra semiconductora lograndose un efecto de impedancia negativa entre estas terminales. Explique esto.

7.5

Dibuie el circuit equivalente estatico del transistor monounion en la


region de corte o apagado.

7.6

Explique la razon de la proposicion de la ecuacion (7.2.12).

7.7

Dip (mill es la ecuacion que riize el comportamiento del transistor monounion desde el moment() en que el emisor empieza a conducir. y para
cualquier corriente.

7.8

Diga cOmo es posible eneontrar el valor del voltaic valle y la corriente Valle para el transistor Ulf a partir de la ecuacion (7.2.15).

7.9

Al gralicar la ecuaciom (7.2.24) es posible encontrar las curvas caracteristicas de: .


155

TRANSISTOR MONOUN ION UJT

7.10 Dibuje los simbolos empleados para el transistor UJT.


7.11 Defina el voltaje pico VP' del UJT.
7.12 Defina el voltaje valle 4 del UJT.
7.13 Defina el voltaje inverso de emisor 1:kri
7.14 Defina la corriente pico /p del UJT.
7.15 Defina la corriente valle 4, del UJT.
7.16 Defina la razon intrinseca de apagado ..r/ del UJT.
7.17 Defina la resistencia de base uno.
7.18 Defina la resistencia de base dos.
7.19 Defina la resistencia entre bases.
7.20 Defina la resistencia paralelo RT.
7.21 Defina la resistencia de saturacion Rs .
7.22 Defina la corriente de emisor maxima.
7.23 Defina la corriente promedio de emisor.
7.24 Defina la temperatura de la union del UJT.
7.25 Defina la frecuencia maxima de trabajofm
7.26 Defina la corriente de fuga de emisor 1E0 .
7.27 Mediante la ayuda del ohmetro, diga como es posible identificar las terminales de un transistor UJT.

156

rROBLI-MAS

I 'I? 0 131.I.:N1.1S
7.1

Proponga un element de dos terminales a base de fuentes de voltaje


dependientes de corriente que tenga una impedancia negativa.

7.2

Sc construye un transistor monounion con un material semiconductor


tipo N cuya re.sistividad es de 250 EL- cm. Las dimensiones de la barra
son: lirea transversal. 1.5 mm: longitud entre bases. 3 mm. El diodo
metal-semiconductor se forma a 1.2 mm del extremo de la base dos. Si al
variar el dispositivo se encuentra que el voltaje de valle es de 2.0 V. para
B = 5.0 V:
a) calcule los valores de RBB , RT , Rs, RB i , RB 2 + 6 0, n consideramio
VD = 0.8 V.
b) Grafique las curvas del dispositivo v i Y VBB IR,

7.3

Si el voltaje de valle para VEE = 5.0 V es de 2.5 V e tif = 5.0 inA, con
, considerando que d/v /dliia = 0. obtenga el
1000 a 6 = 1.8
voltaje de valle para VBB = 15 V.

RT =

la expresi6n (7.2.15), que nos da la impedancia dinamica del transistor monounion, obtenga la pendiente negativa maxima y diga como
depende de /E .

7.4 De

7.5

Con el circuit del ejemplo 7.3, diseiie un oscilador de relajacion simple


con una frccuencia de oscilaciOn de 1.75 KHz, con altura de las espigas
de 5.0 V. (Emplee el transistor 2N492.)

7.6 Para el circuit mostrado obtenga las ecuaciones de funcionamiento y las


formas de onda en los puntos (1) y (2).

157

TRANSISTOR MONOUNION UJT

Figura P.7.6. Oscilador de relajacion simple con resistencia de base dos.

7.7 Para el circuito que se muestra en la Fig. P.7.7, obtenga las ecuaciones de
funcionamiento y las formas de onda en los puntos (1) y (2).

VB

Figura P.7.7. Oscilador de relajacion simple con resistencia en serie con el capacitor.

7.8

Disctie un oscilador de relajacion como el del problema anterior, con una


frecuencia de oscilacion de 2 KHz y altura de las espigas de 4.0 V.

7.9

Disene un oscilador de relajacion similar al del ejemplo 7.4, con una


frecuencia de oscilaciOn de 5.0 KHz y con una relacion de tiempos
3t1 = 0.8 t2 . (Use el transistor 2N494.)

158

PROBLEMAS

7.10 Explique como funciona el circuito de la Fig P.7.10 y obtenga las ecuaciones de funcionamiento y las formas de onda en los pun tos (1) y (2).

Dz
VB

Figura P.7.10. Oscilador de relajacion de rampa lineal.


7.11

Para el circuito oscilador de pedestal y rampa que se muestra en la Fig.


P.7.11, obtenga:
a) las condiciones de oscilacion:
b) las ecuaciones de funcionamiento: y
c) las formas de onda en los puntos (1) y (2).

p1

R2

VB RA

0 _

Vs

R3 +R4
R4

IC

Figura P.7.11. Oscilador de relajacion de pedestal y rampa.

159

TRANSISTOR MONOUN1ON UJT

7.12 El circuit que se muestra en la Fig. P3.12 constituye una sirena electronica. El transistor LUTI oscila en baja frecuencia mientras que el transistor UTT2 barre de frecuencias bajas a frecuencias altas:
a) analice el comportamiento del circuito:
b) establezca las condiciones de oscilacion:
c) obtenga las ecuacionts de funcionamientOfy
d) obtenga las formas de onda en los puntos (1), (2) y (3).

16(.2

Figura P.7.12. Sirena electrOnica con ajustes de baja frecuencia (PI ) y de alta frecuencia (P2 ).
UJ T1 = CJIT2 = 2N494: 01 =132 =133 = 150.

160

B1BLIOGRAFIA

BIBLIOGRAFIA

CRAWFORD R.T., DEAN. The How and Why of Unjunction Transistors,


Texas Instruments, Semiconductor Products Division.

SOWA, WALTER A. & TOOK, JAMES M., Special Semiconductor Devices, Holt Rivehort, Winston.

161

Capitulo 8
DISPOSITIVOS DE CUATRO
0 MAS CAPAS

INTRODUCCION
Los dispositivos de cuatro o mas capas se construyen alternando regiones P y
regiones N y en total tienen cuatro o mas regiones distintas. En este capitulo
se pondra especial enfasis en el diodo controlado de silicio (SCR) y en el intorruptor triodo para corriente alterna (Tr-AC switch o TRIAC), aunque se describen en forma somera otros dispositivos de esta misma familia tales como:
DIAC, SUS, SCS, GTO, PUT, SBS.
Los dispositivos de cuatro o mas capas son elementos que trabajan con ambos tipos de portadores (por lo tanto son bipolares) y su comportamiento se
puede comprender entendiendo los dispositivos bipolares de tres capas (transistores bipolares). Existen analisis complejos para los dispositivos de cuatro o
mas capas; sin embargo, Ebers* desarroll una analogia con dos transistores
bipolares para explicar el comportamiento electrico de estos dispositivos, la
cual da resultados suficientemente cercanos a la realidad y la cual se puede
expander para el caso de dispositivos de cinco o mas capas.
8.1. ANALOGIA CON DOS TRANSISTORES DE UN DISPOSITIVO DE
CUATRO CAPAS
Para un dispositivo de cuatro capas existen tres uniones y cuatro posibles metodos de presentarlo como elemento de circuito, tal como se ilustra en la Fig. 8.1.
El comportamiento electric de un diodo de cuatro capas o diodo Schockley
(sin alimentacion en alguna compuerta) es, como se menciono anteriormente,
*

J. J. 1-bers, Four Terminal PNPN Transistors, Proc. IRE, 40, 1361:1952.

I 63

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

dificil de obtener en forma teorica; sin embargo, es posible justificar los resultados que se obtienen experimentalmente con analoglas relativamente sencillas.
En la Fig. 8.2 se muestran las caracteristicas y las analogias mencionadas.
a2

ce,
dnodo

cd todo

A
M
o

11b.4141114M

!ISM
CI

SI

n
il N K
1

G2

UL

Compuertas

(b)

N 1 P2N
U1

U2 U3

G2

(a)
A
0

N2

Sha N

U2 U3

G1

N2

--0

's

IV3

P1 s

P2

N2

U2

43
.

U3

U1

ti2

L13

G
(c)

(d)

Figura 8.1. Las cuatro posibles presentaciones de un dispositivo de cuatro capas PNI'N como
elemento de circuit electric.

.A

'.4

as
I/

El

N
K

(a)

P2

min
no

IB1

Q1

G2

IC2

N2

N2

C1

.-11, 110
IB2
1G
(b)

Q2
I
.i K
K

Figura 8.2. a) Curva caracterfstica de un diodo de cuatro capas. b) Analogia con dos transistores bipolares de un diodo de cuatro capas.
164

8.1. ANALOG1A CON DOS TRANSISTORES DE UN DISP. DL CUATRO CAPAS

En general, para un transistor bipolar se cumple que:


1B = (1 ce)IE 'Co.

(8.1.1)
(8.1.2)

= cdE

luego para el caso de la analogia.propuesta en la Fig. 8.2-b se observa que:


=

1c 2 = a2

(8.1.3)

/col

(I

(8.1.4)

ICO2

Si para este caso,


IB1

7"" IC2 ,

manipulando estas expresiones algebraicamente se obtiene:


a 2 + Ic02
IA

+1C01

(8.1.5)

(a 1 + a2
donde Ic; es la corriente en la compuerta del dispositivo; a l y a 2 son las relaciones entre la corriente de colector a emisor para los transistores Q1 y Q2 respectivamente; /col e ico2 son las corrientes de fuga de colector-emisor con la
base abierta para los transistores Q1 y Q2 respectivamente.
Si se observa la ecuaciOn (8.1.5), se puede ver que todo el nurnerador es pequefio, pero que sin embargo /A crece en forma desmesurada cuando (a, + a2 )
tienden a la unidad; entonces se dice que el dispositivo ha alcanzado el voltaje
de conmutacion (I') y cambia de no conduccion a conduccion, es decir, pasa de
la region 01 a la region 23 (ver Fig. 8.2-a), pasando obviamente de forma brusca
por la regiOn de impedancia negativa 12.
Para tener una idea mas precisa del comportamiento interno de un dispositivo de cuatro capas es util observar y meditar un momento acerca del diagrama
de bandas de energia de los mismos, el cual se ilustra en la Fig. 8.3.
En el estado de equilibrio cada una de las uniones tiene su propia zona de
vaciamiento (Fig. 8.3-a). Cuando se aplica un voltaje de polarizacion positivo
entre anodo y catodo del dispositivo, la union U2 estar polarizada inversamente hasta quc la inyeccion de portadores debido a la ruptura de la uniOn permita
que las tres uniones queden polarizadas directamente y sobrevenga la conmutaciOn (Fig. 8.3-b), momento en que la caida de potencial entre anodo y catodo
165

DISP. DL CUATRO 0 MAS CAPAS

estard dada por la suma algebraica de Las caidas de potencial en cada una de las
uniones; es decir:
VA K = V1 + V2 +
0A

P1

(1
N1

V3

E
P2 N2 ____K
p

U2

U3

-77-N._ d--7.\___
i

Ec

l
f 1
...

&.r v

flm

+ v,
ill

(a)
Condicion de equilibria

+ v2 _ + v3 (14

A N

4.1Mil N2

CondiciOn de apagado en sentido


direct (polarizacion directa entre
anodo y citodo)

EC

--\-----i p N.--

NI
c,4H

+ VIPI M
-...-\

+ v,_ + v3 _
N1

N1

M P2 M N2 I

de--\21.E F

OK
_

(c)
Condicion de encendido en sentido
directo (polarizaciOn directa entre
anodo y catodo)

Err
Figura 8.3. Diagramas de bandas de energia para un dispositivo de 4 capas.

Para poder tener caracterizado perfectamente el comportamiento de estos


dispositivos se requiere conocer los valores de a, y a, con el voltaje aplicado, o
bien con la corriente que circula entre anodo y catodo. Esto ha sido realizado
previamente por Gentry*, mas sin embargo los resultados son muy complicados, debido principalmente al concurso de tantas uniones y tantas concentraciones de impurezas distintas. En la Fig. 8.4 se muestra el comportamiento electric de un dispositivo de cuatro capas conectado como diodo.
*F. E. Gentry, Turn on Criterion for PNPN devices, IEEE Trans. Electron Devices, ED-l1, 74,1964.

166

8.1. ANALOGIA CON DOS TRANSISTORES DE UN DISP. DE CUATRO CAPAS

aA

AK

Figura 8.4. Comportamiento electric de un dispositivo de cuatro capas conectado como


diodo.
Observandc estas caracterfsticas es posible, mediante el mocedimiento de
prueba y error, proponer una funcion que se acerque a la caracterfstica en sentido direct, ya que en sentido inverso es exactamente igual que un diodo rectificador.
La funcion propuesta es:
VA K = AO/A C - (A /)+

mKT

2n ( + 1); I
Io

0, (8.1.6)

donde el primer t6rmino corresponde a la zona TO (Fig. 8.4) y el segundo termino corresponde al comportamiento de un diodo rectificador polarizado en
sentido directo.
La constante m generalmente es mayor de 2 y depende fundamentalmente de la fabricaciOn del dispositivo. Las constantes Ao, a y n dependen de las
caracterfsticas de las regiones con que se fabrique el dispositivo, es decir, de
la concentracion de impurezas; de si las regiones son abruptas o de otro tipo;
de la seccion transversal del dispositivo y de otras. Estas se pueden obtener
teniendo tres puntos de la curva caracterfstica del dispositivo.
La aproximacion aqui propuesta vale para corrientes de anodo mayores a
cero, pues en caso contrario el primer termino de la expresion 8.1.6 pierde sentido ffsico.
167

D1SP. DE CIJATRO 0 MAS CAPAS

Ejemplo 8.1. Sea un diodo de cuatro capas de silicio del cual se quiere obtener
sus curvas caracteristicas; el diodo se trabajara a temperatura ambiente y las
constantes valen:
KTIe = 0.026V, m = 2.5, 1 = 5X 10-6 A, A0 = 3X 105 ;
a = 4.64 X 10" A, n = 0.9.
Solucion:
Sustituyendo estos valores en la expresion (8.1.6) se obtiene:
TABLA E.8.1 1.1

168

Cont. TABLA E.8.1

.1A

VAX

IA

VAX

mA

mA

0.0

0.0

1.2

34.65

0.1

23.53

1.6

23.20

0.2

37.8

2.0

14.88

0.3

46.08

4.0

1.59

0.4

50.32

6.0

0.64199

0.5

51.8

8.0

0.4851

0.6

51.37

10.0

0.495

0.7

49.71

15.0

0.52

0.8

47.25

/0

0.54

0.9

44.31

30

0.5654

1.0

41.14

50

0.60

100

0.643

8.2. DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Y graficando estos resultados se obtiene la curva caracteristica del diodo de


cuatro capas propuesto.
(n

Is

AK

Figura 8.5. Grafica del diodo de cuatro capas propuesto en el ejemplo 8.1 cuando se trabaja
en sentido direct.

8.2..DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR)


Este dispositivo es un diodo de cuatro capas que tiene un electrodo adicional de
control, como se muestra en la Fig. 8.1-c, al cual se le nombra compuerta y que
modifica la caracteristica electrica del diodo de cuatro capas al circular corriente por el. Para este dispositivo sigue siendo valida la analogia de cuatro capas y
la expresion (8.1.5). La expresi6n (8.1.6) se puede utilizar haciendo algunas
pequelias consideraciones:
VAK = (A0 B1G)1,4e

_ (f A la )

mKT

12n ( + 1),

(8.2.1)

10

donde B puede eventualmente ser una funcion de la corriente.


169

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Ejemplo 8.2. Trazar las curvas caracteristicas estaticas de un SCR que tiene las
siguientes constantes:
m = 3, /0 = 10" A.
a = 1.53 X 10-3 A,

KTIe = 0.026 V. n = 1.5,

A, = 5 x iO 2, B = 107 12/A.

Solucian:
Sustituyendo estos valores en la expresion (8.2.1), para distintos valores de IG,
se encuentra que:
TABLA E.8.2
1G (mA)

10

20

40

50

VA K

VAK

VAK

VAK

(V)

VA K
(V)

(V)

(V)

(V)

(V)

0
VAK

IA

(mA)

0.1

49.53

44.616

39.69

29.86

10.2

0.359

0.2

95.80

86.27

76.72

57.65

19.49

0.413

0.4

175.50

158.00

140.49

105.5

35.47

0.467

0.6

235.32

211.84

188.35

141.4

47.46

0.499

0.8

274.85

247.42

219.98

165.12

55.38

0.521

1.0

295.71

266.19

236.67

177.6

59.57

0.538

1.9

292.93

263.69

234.46

175.98

59.03

2.0

225.80

203.28

180.76

135.7

45.63

0.592

4.0

30.15

27.20

24.25

6.54

0.646

18.34

0.565

8.0

0.727

0.724

0.721

0.716

0.706

0.7010

12.0

0.732

0332

0.732

0.732

0.732

0.732

30.0

0.804

0.804

0.804

0.804

0.804

0.804

60.0

0.858

0.858

0.858

0.858

0.858

0.858

100.0

0.898

0.898

0.898

0.898

0.898

0.898

170

8.2. DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Graficando estos datos se obtiene:


(mA
1:
1(

.0 mA
100

50

200

150

250

VAX (V)

300

Figura 8.6. Curva caracteristica estatica del SCR del ejemplo 8.2

8.2.1. Circuito equivalente


Este dispositivo se usa comimmente como conmutador (interruptor), y por lo
tanto el circuito equivalente que se emplea es la resistencia que presenta cuando
esta abierto y la resistencia cuando esta en conduccion; es decir:
jA

IA

i 1

J,Rc

ieL Ra
/
III 7 1
I-S't

K
(b)

0 VIfV1

-
---- ---Ra

Vs
(a)

VAK

(c)

Figura. 8.7. Circuitos equivalentes empleados en el SCR utilizado como interrumptor: a)


caracterfsticas electricas, y aproximacion segmento lineal, b) equivalente abierto, c)equivalente en conduccion.
171

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Para el caso de este dispositivo se pueden calcular estos valores tomando:

R0 =
R

(8.2.2)

Is
R

(8.2.3)

1,

Para el caso del ejemplo 8.2, tenemos que:

Ra

295

S2 = 295 K

1 X 10-3

Rc

0.804

S2 = 26.80 St ;

/A = 30 mA.

30x 10-3

Observando la diferencia tan grande que existe en los Ordenes de magnitud


de ambas resistencias, se puede concluir que este dispositivo efectivamente
puede trabajar como interruptor.

8.2.2. Caracteristicas y limitaciones


Toda la familia de estos dispositivos que se encuentra en el mercado esti disefiada para que trabajen como interruptores, encontrandose algunos SCR que
pueden trabajar con corrientes del orden de 1000 A, por lo cual es sumamente
importante al usar estos dispositivos el hacer el diselio de los disipadores que
deben acompanarlos y del tipo de SCR que se debe aplicar segnn la necesidad
que se tenga; asimismo se debe decidir si para que el dispositivo vaya a conduccion se le debe introducir corriente en la compuerta o simplemente elevar el
voltaje entre anodo y catodo hasta que este tienda a sobrepasar el valor del
voltaje de conmutacion
y entonces se dispare. En estos dispositivos son importantes los tiempos de conmutacion, pues debido a su propia construccion
los tiempos de almacenamiento y recuperacion de los portadores son grandes.
En la tabla 8.1 se presentan los parametros para el SCR y sus definiciones.

172

8.2, DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

TABLA 8.1. CARACTER1STICAS DE LOS SCR's


Parametro

Literal

Definicion

Voltaje inverso

vi

Es el voltaje instantaneo inverso aplicado al SCR.

Voltaje pico
inverso
repetitivo

V.rp

Es el voltaje maxim() inverso que se puede aplicar


al SCR en forma repetitiva sin que Sc sufra deterioro
(similar al de un diodo rectificador).

Voltaje pico
inverso

VPP

Es el voltaje maxim inverso que se puede aplicar


al dispositivo y una vez aplicado se requiere dejar
descansar el dispositivo.

Voltaje directo

vd

Es el voltaje instantaneo directo.

Voltaje directo
pico

VP

Es el voltajc maximo directo que se puede trabajar


este dispositivo.

Voltaje de
conmutacion

Vs

Es el voltaje maxim de anodo-catodo que se puede


aplicar al SCR sin que conmute el dispositivo.

Voltaje
promedio directo

VD

Es el voltaje promedio directo; depende de la forma


de la onda de la setial y sus variaciones en tiempo.

Corriente directa
de la compuerta

ic

Es la corriente instantanea en la compuerta con


voltaje de compuerta positivo respecto al catodo,

Voltaje directo
de la compuerta

"G

Es el voltaje entre compuerta y catodo instantaneo.

Corriente de disparo
de la compuerta

'CT

Es la corriente minima con la cual se asegura que


invariablemente el dispositivo conmuta.

Voltaje de disparo
de la compuerta

riGT

Es el voltaje minimo entre compuerta y catodo con


el cual el fabricantc asegura que el SCR conduce.

Corriente
promedio directa

ID

Es la corriente promedio directa; depende de la forma de onda o angulo de conduccion.

Corriente
transitoria (surge)

IPP

Es la corriente maxima que se le puede pasar en


sentido direct() al SCR sin quc dste se daiie, pero
dejando descansar el SCR.

173

DISP. DL CUATRO 0 MAS CAPAS

TABLA 8.1 (cont.. .)


Paranaetro

Literal

Definic ion

Funcion Fusible

/2 t

Es una rnedida dc corriente maxima no repetitiva


en sentido direct. cuyo valor permitido depende
del tiempo que esta circule Pt = cte.

Voltaje inverso pico


en la compuerta

VGi
P

Disipacion de la
compuerta

PG

'

Es el voltaje maximo inverso que se puede aplicar a


la compuerta sin que dsta se datie.
Es la potencia promedio que puede disipar el diodo
entre compuerta y ckodo.

t-Coniente de
sustentacion

'H

Es el valor minim() de corriente para el cual se considera que el SCR permanece conduciendo.

Tiempo de retardo

tr

Es el tiempo entre el instante en que se introduce


in pulso en la compuerta y que la corriente del
anodo alcanza el 10 por ciento de su valor final.

Tiempo de elevaciOn

ts

Es el tiempo que transcurre en que la corriente de


anodo pasa del 10 por ciento al 90 por ciento de su
valor final.

Tiempo de encendido

te

Es la suma de t,. + ts.

Tiempo de apagado

ta

Es el intervalo desde el moment en que se tiene


corriente nula y el moment en que aparece el voltaje de apagado.

Resistencia termica

Rth

Temperatura de
la union

T./

RazOn de subida
del voltaje directo

dV

Raz on de subida de
la corricnte directa
174

dt
I

Es la resistencia termica entre la union y el ambiente, o la union y el encapsulado, o el encapsulado y


el ambiente, dependiendo de los subindices que Sc
empleen.
Es la temperatura del dispositivo. No es posible
establecer en cud, uni6n de las tres.
Es la variacion en tiempo maxima del voltaje directo que puede soportar el SCR sin que se conmute.

di
dt

Es la maxima variaciOn permitida de la corriente


directa, sin que se datie ninguna de las uniones.

8.2. DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

8.2.3. Variacion de los parcimetros


Al igual que la mayoria de los dispositivos semiconductores, los parametros del
SCR varian principalmente con la temperatura. A continuacion se muestran
algunas gralicas que demuestran esto.
1000

_
I
Min

900

I
(T./ =

I
125C) 1

Eff/1111A, Max (Tj = 125C)

800
700

giMWMINE

600

VAAUU

E 500

rAMINE111111
AMINE mix (Ti= 15C)

400
300
200
100
0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

VAX

(V)

Figura 8.9. Variacion de las caracteristicas de conduccion con la temperatura.


300

41

.5

cl ii3-

1 Temperatura de la
!-:- 1; j I f - I! '
union (C).
LA I i l .1 I
0:
.1 I 1 1 I li I
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180-

Figura 8.9. RazOn de voltaje de subida dVIdt , que no dispara al SCR al variar la temperatura.

175

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

(V)
1.250 C

VG

corriente de
compuerta
minima
requerida
para disparar
todas las
unidades.

25C
7
/
i 65C
N.., ,%.4.

".1%.

voltaje de compuerta
minimo requerido para
pduairnsiopda
sa rdaer st ojgli
cl aost ala 3
s v.

Region
trec.c _
.-- posibles dis
+

--.\. . ,
F:
-

-v-

10

Mgx.imo voltaje de
compuerta que no
dispara ninguna
unidad.

VG = 10 V (valor pico perrnitido)

Curvas de
maxima disipacion
\ \e"-17::;-"en compuerta

'
-

6.

1.7%,11111111.11.1)

gOr'
(del periodo de la
serial en compuerta)

'"
25%

2.
01

rG (A)

0.15
0.05 \
0.10
Region de No disparo.

121

tf
. r7

\,

----

maxima
corriente de /
compuerta
que no dispara
ninguna
unidad.
t, VG (V)

125C

0.4

1.2

0.8

50%

/G (A)

1.6
2.0
Corriente de compuerta

Figura 8.10. Caracteristicas de disparo tipicas de un SCR


14

7
,r5a) 121

Limite de. prueba

Z.

V:1

20 40

60 80 100 120
Corriente pico directa (A)

Figura 8.11. Variacion del tiempo de apagado ta con la corriente pico, para un SCR.
176

8.2. DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

12

MI

-'
frdi l.

OO
M
el
(0.

8 1.---

'
-

II
0

o...- 4. !.___. !
= to

-EZ, S

-i

1.

'
'----- - i - ' - ',- - - -01
L _1_
_L__;
40
80
120
o

! (Ti (C)

Temperatura de la union

Figura 8.12. Variacion del tiempo de apagado ta con la temperatura de la union Ti.

1000

-- _
.,_
L-.._

1-1. 4... .1
1

1- -1
2001
1001-

'
t-j..i!),- ;

20 !
10!

2
0.2
0.1 0.2

1 2

10 20

100

Tiempo de encendido (11 seg)

Figura 8.13. Tiempo de encendido te en funcion de la corriente maxima permitida en el dispositivo y del voltaje previo de disparo.
177

D1SP. CUATRO 0 MAS CAPAS

70 71111iiiillf -f--i -T-F--. 1

_ i 1 .
I -I .
1
\_ . _ - . I I '
; 180"
120"'
1'
- -- - - 90"
40 inguto de
conduccion
I I I I ; I
_r _r__... . 60"
1
1
1 1 r,. _LI'
3030
i 1
*angulo de
/' 7 .1

conduccipn
20 ---
'
60 1-.
___ ....,
50r

--i'

e
...0
5

.m-0-c)4)
.=
.=: .)

-7

1 Temperatura dela union 1250C '


i #
-I- I- 4- I I. Li I I. 1 ---L0
0 4 8 12 16 20 24 28 32 36
Corriente promedio directa (A)

Cr

10 r

L ,_.. .

.... . ,- - - 4

Figura 8.14. Disipacion de potencia directa en film:ion del angulo de concluccion.

140

FT I I

120 ,
...

13
.0
.-,I
E0
...
e
CI un
Ch CL,

TI

j
, 1, - .ir - 1
, -I

1001
.
N

80 _____
.

1
- !"

., .

'

60.-- -
I.--....

. :__ _ _ _

.
,

_.1

1"

1 I
1'___.__

is ,

*Ingulo de 1
conducciOn ,
_.
i ,
---,

f - i.

1
300* 600*
1
1 : ' 1 , - 907.
180** _...,., 1
1--- 1 120*-111

dp.,

---I

40 1 --L--!-

_i_. _ L
. DC ...1

201

f- .

.- .. - i
07
[1
0

I]
i

.._-

8
12 16 20
24 28
Corricnte promedio directa (A)

32 36 *(ingulo de
conducciOn)

Figura 8.15. Corriente promedio directa en funcion del angulo de conduccion y de la temp.
del encapsulado.
178

8.2. DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR)


, , ---

1001

_._-.
@

I: --ht
-. - -.4 7-t-

t- - I-

_._

-I

4'max (-40C)

-- , --

70

0
x
70
0
,g.
.a
0
_
'A
,

10 .

=h..

1
. ._ ._... _ -7

.__- ----.._ I ..A


. , _
1- I-- ,
7 +- Max (25C)

. ...
i
', - ._
;
i._
. L. ,
..
I
7-...7 _... min (-40C) , t
.
__
I._... .
r
min (25C)
1
8
----t--,--1
c..)
i... i-1--- I

N.LJ

0.11min (110Ce

_
10000
1000
Resistencia que se conecta entre compuerta-catodo (n)
100 200

Figura 8.16. Corriente de sustentacion o de Holding minima y maxima en funcion de la


temp. y de la resistencia que se conecta entre compuerta-catodo.

160
.2
o
._
`A'

1201 - .
I--

I -i
1

. . . ..
I

0
.,,-.: g,,,, 40 1--- Temp. de la uni6n --de -65C - +125C
1
d <,
Op

IIIIIi

10

t
60

Cielos de 60 Hz

Figura 8.17. Corriente transitoria surge, considerando uno o varios medios ciclos de 60 Hz.
179

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

8.2.4 Construccion interrza y simbolo


La construccion interna de estos dispositivos puede ser par cualquiera de los
procesos de fabricacion que se utilizan para los dispositivos semiconductores:
a) aleaciOn-difusion;
b) difusion;
c) proceso planar epitaxial.
Sin embargo se tienen cuatro geometrias para disponer las cuatro capas, las
cuales se ilustran en la Fig. 8.18.
A
N1

RL
(a)
RG

(b)

VAA

VG
2

'

Figura 8.18. a) Estructura basica y polarizaciem tipica de un SCR, b) Equivalente con dos
transistores bipolares cornplementarios.
P.

KG
(a)

N2
(b)

Figura 8.19. a) Estructura de resistencia en emisor y polarizaciOn tipica de un SCR, b) equivalente.

180

8.2. DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

AA

(b)

(a)

Figura 8.20. a) Estructura de un SCR de union en la compuerta (SCR auxiliar) y polarizacion basica (compuerta negativa respect al catodo), b) Equivalente.
RG
N3
A

N1

"2
VAA
2
(a)

(b)

Figura 8.21. a) Estructura de un SCR de compuerta remota y polarizacion tipica, b) Equivalente.


181

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

G
iI

:Wet NV WM,

r
j .1 I

ai
ser
aor
li o'

mazoll0"
aemeslo
;;;;,

'4
food()

(a)

(b)

Figura 8.22. a) Construccion externa, b) Simbolo de un SCR.

8.3. TRIAC
Cuando sg.s.mpez
...emplear_el SCR cada vez mas en el control de potencia
electrica, y debido a que la transmision de la energia electrica es senoidal (corriente alterna, dos polaridades), se requirieron dos SCR para poder tener control sobre todo el ciclo de la seftal. Debido a esto es que los fabricantes se preocuparon por encontrar una configuracion que perrnitiera crear un dispositivo
con las caracterksticas del SCR, pero capaz de met& eficier
_itementalL_
I forma
bidireccional y tenet,- que emplear Imicamente un dispositivo para el control de
Los 360' del _ciclo de corriente alterna. Este dispositivo se logra mezclando las
cuatro configur_aciones FEE
CR's (Figs. 8.18, 8.19, 8.20 y
La Fig. 8.23 se muestra 11-c(
-34
basica del TRIAC.*

Figura 8.23. Estructura basica de un


TRIAC.

Gentry, Scace and Flowers,


april 1965.

182

Bidirectional Triode PNPN Switches.

PROC. IEEE, vol. 53, No 4,

8.3. TR IAC

Este dispositivo Eunciona_en_cuatralamasslistii_


itas, las cuales se pueden
establecer en un piano de cuatro cuadrantes, como se ilustra en la Fig. 8.24.
+ 1,

21

1G (corriente de
compuerta) positiva,
implica entrando;
negativa irnplica
saliendo en el
sentido convencional
de positivo
a negativo.
V21 (voltaje entre
las terminales dos
y uno).

Figura 8.24. Los cuatro cuadrantes de operaci6n del TR1AC.


Analisis de operacion del TRMC en los cuatro cuadrantes
Cuadrante I. En este caso el voltaje en la terminal 2 es positivo respecto a la
terminal 1 y la corriente en la compuerta es entrando, por lo que la. union
P2-N4 esta polarizada negativamente y se tiene PI -N3 -132 -N5 como un SCR convencional, el cual se puede considerar en la estructura de resistencia de emisor
(Fig. 8.19).
Cuadrante II. Para este caso se tiene la corriente en la compuerta entrando, es
decir es positiva, mientras que el voltaje V21 es negativo, es decir, que la terminal 1 es mas positiva que la terminal 2; luego, la union P2 -N, esta polarizada
directamente e inyecta electrones, que son recolectados por la union P2 -N 3 ,
con lo cual el proceso regenerativo comienza en el dispositivo de cuatro capas
formado por P2 -N3 -P1 -N2. Este es un metodo an mas elaborado que el SCR de
compuerta remota.
Cuadrante Ill. Para este caso se tiene V21 negativa e /G negativa, es decir, saliendo del dispositivo. Si /G es negativa, esto implica que la union P2 -N4 esta polarizada directa, lo cual establece el metodo de compuerta remota descrito en la
Fig. 8.21 para el dispositivo de cuatro capas formado por P2 -N3 -P1 -N2 .
183

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Cuadrante IV. Para este caso se tiene V21 positivo e /G negativo, lo cual Ileva al
dispositivo a funcionar como en el caso del SCR de estructura de uni6n en la cornpuerta, o SCR auxiliar, de manera que el SCR auxiliar se forma entre P, -N3 -P,
-N4 , mientras que el SCR de potencia se forma entre PI -N3 -P2 -N5 . Fig. 8.20.
8.3.1. Curvas caracteristicas estaticas
En la realidad un dispositivo TRIAC prcsenta caracteristicas electricas equivalentes a colocar dos SCR encontrados, (Fig. 8.25), es decir:

'21

Fig. 8.25 Curvas

caracteristicas estaticas de un TRIAC. las cuales muestran el concept de

bidireccionalidad.
En las demas caracteristicas que se tienen, las difcrencias basicas con respecto a un SCR son: que erts4. TRIAC se especificitn las corrientes de disparo
is ositi
far en los cuatro cuadrantes en que estec1ysLtuagagjaa.,
"
asi como el volu ra
7tEredYnstu
l s en sentido positivo y 1,1 en sentido ngativo. En cuanto a
VairaZiOn de paramirros se tienerdridamentalmente lo mismo que en el SCR.
8.3.2. Simbolo
El simbolo mas empleado para este dispositivo cuya construed& externa es
igual a la de los diodos controlados de silicio se muestra en la Fig. 8.26.
184

Terminal dos
1T2

+1,r

1121

G
eompuerta

Fig. 8.26 Simbolo del TRIAC.

T1

-/G
Terminal uno

833. Circuit() equivalente

El circuito equivalente del TR


do en cualquier direccion presc
presenta alta resistencia.

mientras que si esti .apagaclo

8.4. DIAC

El DIAC es un dispositivo de dos terminales que se conoce como diodo de conmutacion bidireccional. Este dispositivo se construye basicamente de tres capas
semiconductoras y utiliza el principio de ruptura de un transistor bipolar, aunque se disefia de manera que al suceder la segunda ruptura del transistor el dispositivo no se dee y pueda conducir corrientes considerablemente mayores.
8.4.1. Construccion y simbolo
En la Fig. 8.27 se muestra la construccian fundamental y el simbolo quo se emplea para el DIAC.

An
' P

T,
1-0 <

pi
n

TT

(a)

T2

(b)

Figura 8.27, Construccion tipica del DIAC, (a) Estructura imam' (b) Simbolos.

185

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

En la construccion de estos dispositivos no se requiere que el transistor


tenga una ti (beta) grande, pues esto implica que el ancho de la base sea pequeno (ver capftulo 5), lo que ocasionarfa que al pasar una corriente apreciable esta
se deara. Se requiere precisamente que el area transversal de las tres capas sea
igual y de preferencia grande para que el dispositivo pueda soportar corrientes
grandes y pueda aplicarse como dispositivo de disparo o proteccion.
8.4.2. Principio de operacion y curvas caracteristicas
La operacion del D1AC consiste fundamentalmente en Ilevar la estructura NPN
hasta un voltaje de ruptura equivalente al B I
del transistor bipolar. Debido
a la simetria de construcciOn de este dispositivo, la ruptura puede ser en ambas
direcciones y debe procurarse que sea en la misma mapitud de voltaje. Una
vez que el dispositivo empieza a conducir corriente sucede un decremento en el
voltaje de ruptura BlicE0 , presentando una region de impedancia negativa (si
se sigue aumentando la corriente puede Ilegar hasta la segunda ruptura), entonces se logra que el dispositivo maneje corrientes muy grandes.
En la Fig. 8.28 se ilustran las caracteristicas electricas estaticas tipicas de
un DIAC.

Hiperbola
de maxima
disipaeion

is

jI

Is

Hip6rbola
de maxima
disipacion

Figura 8.28. Caracteristicas est4iticas del DI AC.

Como se ilustra en la Fig. 8.28, en este dispositivo se tiene siempre una pendicnte negativa, por lo cual no es aplicable el concepto de corriente de sustentacion.
186

8.5. DIODO INTERRUPTOR BILATERAL

8.4.3. Caracteristicas y especificaciones


Los fabricantes normalmente dan las siguientes caracteristicas fundamentales
de este dispositivo:
Vs voltaje de ruptura, I Vs I = I -Vs I 10% ;
corriente en el punto de ruptura;
corriente de pico durante un cierto tiempo;por ejemplo 2 A durante 10 Aseg;
ep Voltaje pico de disparo en la salida, a continuacion se explica coin se define este parthnetro:
Por lo general, los fabricantes especifican un circuit de prueba, que para
estos dispositivos es como el que se muestra en la Fig. 8.29:

1A/ln

DIAC

12(

Figura 8.29. Circuito de prueba para establecer el voltaje pico de disparo (ep ) del DIAC.

8.5. DIODO INTERRUPTOR BILATERAL (DIB)


El diodo interruptor bilateral es un dispositivo de dos terrninales, el cual se
construye usando el principio fundamental de un diodo Schockley de cuatro
capas, pero buscando una geometria de fabricacion que permita el flujo de
corriente de conmutacion en ambas direcciones. Norrnahnente este dispositivo
es capaz de manejar corrientes elevadas, pero solamente conmuta cuando el
voltaje entre sus terminales llega a ser igual o mayor al voltaje de ruptura del
mismo.
187

D ISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

8.5.1. ConstrucciOn y slmbolo


En la Fig. 8.30 se muestra la construcci6n tipica y el simbolo empleado mas
comunmente para el diodo interruptor bilateral DIB.

I T:

T2

(a)

(b)

Fig. 8.30 a) Construecion interna del diodo interruptor bilateral D1B, Osimbolo.

Segim se observa en la Fig. 8.30, este dispositivo consiste de dos secciones


NPNP (diodo Schockley de cuatro capas), dispuestas en paralelo pero conectadas en forma invertida. De esta forma se consigue la bilateralidad, es decir, que
pueda conmutar en ambos sentidos.
8.5.2. Principio de operacion y curvas caractertsticas
Este dispositivo puede pasar del estado de corte a conducciOn pot dos metodos:
a) debido a que se exceda la razOn de subida del voltaje directo (dVIdt) que
establece el fabiicante;
b) debido a que se exceda el voltaje de ruptura del diodo de cuatro capas correspondiente.
Cuando la terminal T1 es positiva respecto a la terminal T2 se trabaja con el
diodo de cuatro cgpas P1 -N2-P2-N3 , mientras que cuando la terminal T2 es positiva respecto a la terminal T1 se trabaja con el diodo de cuatro capas P2 -N2 -P1 -N1 .
188

8.6. INTERRUPTORES DE SILICIO UNILATERAL Y BILATERAL

Las curvas caracteristicas para este dispositivo se muestran en la Fig. 8.31.

Fig. 8.31. Curvas caracteristicas del diodo interruptor bilateral y sintbolo.

Como se observa, este dispositivo funciona exactamente como dos diodos


Schockley conectados en paralelo y en forma invertida.
8.5.3. Caracteristicas y especificaciones
Estos dispositivos se especifican en forma idatica que los TRIACs, excepto
que no se habla de ninguna compuerta o voltaje de compuerta o corriente de
compuerta; por lo demas queda igual.
8.6. INTERRUPTORES DE SILICIO UNILATERALES Y BILATERALES
(SUS, SBS)
EtEl interruptor de silicio unilateral (SUS) es en si un_pequelio SCR que utiliza la
compuerta del lado del anodo en lugarvcreE convencional del lado del catodo y
que_tiene un diodo Zener interconstruido entre la compuerta y el catodo que
estado sOlido de bajo voltaje de disparo (5-30 V).
-4> El interruptor de silicio bilateral (SBS). esta constituido. basicamente de dos
interruptores unilaterales (SU) conectados ent
p u:alglo_y_enforina invertida,
de manera que se puede conmutar con voltajes pequerlos en ambas direcciones.
_
_
189

DISP. D. CUA112.0 0 MAS CAPAS

8.6.1. Constniccion y sirnbolo


En la Fig. 8.32 se muestra la construeci(n y los sirnbolos asi como los equiviilentes discretos de los interruptores de silieio unilateral y bilateral.

S'CR

'If)

SCR 2
CO)

Pn /nu/ dm

SBS

Fig. 8.32 Construccidn, sinibolos y equivalentes con SCR y Zeners de los interruptores de
silicio unilateral y bilateral.

190

S. INTERRUPTORES DI SILICIO UNILATERAL 'I BILATERAL

8.6.2. Prineipio de operacion y euracteristicas de los interruptores de silicio

Para el interruptor unilateral de silicio se requiere.. que la union N I P2 tenga un


voltaje de ruptura bajo, pues esta union ademds de formar parte del dis ositivo
de
_____Laixo...ca
et
ve el diodo Zener,.mediante el cua se obtiene un vo taje de ruptura pequeno que normalmente esta entre 5-30 V.
Ademas Sc requiere que el voltaje de ruptura de PI N,P, sea mayor que el
voltaje de ruptura de P., N, de manera que el diodo Zener tenga participacion
en la operacion del dispositivo. Considerando estas dos condiciones fundamentales, se puede explicar ci funeionarniento del SUS como se indica en el siguient e parrafo.
Al aplicar un voltaje posit ivo entre anodo y catodo, y dejar desconectada la
compuerta, la union P1 N1 se polariza directamente mientras que la union N,P,
queda polarizada en forma inversa. Si se sigue aumentando el voltaje se Regar
hasta un valor igual al voltaic de ruptura de la union NI P2 (diodo Zener),
logrando asi que se tenga conduct:ion entre anodo y eatodo. Cuando la corrien1 mA). Sc establece el efecto regenerativo en el dispositivo
te es apreciable
de cuatro capas, reduciendose bruscatnente el voltaje entre anodo y catodo, y
aumentando de igual manera hi corriente de anodo, obteniendose la curva
caracteristica que se muestra en In Fig. 8.33. Para el caso del SBS simplemente
se obtiene lo mismo que !lentos descrito para el SUS, pero en ambas direcciones. La curva caracteristica tambien Sc muestra en In Fig. 8.33.
/A

.....

11, parelde

11,:t

Fig. 8.33 Caracteristicas estaticas para los interruptores de silicio SUS y SBS.
El voltaje de ruptura VR fundamentalmente esta dada por el voltaje de ruptura de la union Pi N t , pues al polarizar inversamente el SUS la union P2111
queda polarizada directa y la union PI N, gobierna el voltaje de ruptura; se aprecia una caracteristica Zener en el momento de la ruptura y antes de la regenera191

D1SP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

cion, lo cual no se observa en un SCR convencional. Esta region normalmente


tiene una altura de unos cuantos miliampers (< 10 mA).
8.6.3. Caracteristicas
Los fabricantes de estos dispositivos establecen las siguientes caracteristicas
tfpicas de estos interruptores, ademds de otras que son comunes a esta familia
de dispositivos.
Vs voltaje de conmutacion;
Is corriente de conmutacion;
Ill corriente de sustentacion;
VII voltaje de sustentacion;
VR voltaje de ruptura inverso;
Vp voltaje pico de salida.
El voltaje Vi,, se mide de la misma forma que el voltaje ep para el DlAC
(Fig. 8.29).
8.7. INTERRUPTOR CONTROLADO POR COMPLTERTA (GTO)
El interruptor controlado por compuerta es un dispositivo de cuatro capas,
semejante en su construccion a un SCR convencional pero con la particularidad
de que con la excitacion en la compuerta se le puede disparar y se-le puede apagar; en-cambio, a -los SCR convencionales sorb se les pue1d-eilispariar-pep4a-coin
pirertaTpero
apagarlos se rcquiere que la corriente de anodo sea menor que
la corriente de sustentacion.
Anodo
A

4 1c2

compuerta
1111.Q2
G
1G

Fig. 8.34 Equivalente de un SCR con dos


transistores bipolares.

K
cdrodo

Para poder justificar el porque es posible que un dispositivo de cuatro capas


se apague utilizando la excitacion en la compuerta, regresaremos al equivalente
de un SCR con dos transistores bipolares (Fig. 8.2), donde se obtuvo la condiciOn:
2 + IC 0 1 4- 'CO2
(8.1.5)

IA =
1 (a' oz,)
192

8.7. INTERRUPTOR CONTROLADO POR COMPUERTA


Si,
'Al

01

1+

02

4_ 0 2

y se considera que la corriente de compuerta es nula, se obtiene:


IA =

(1 + 13)(1 + 02 ) (ico + /co 2)

1 0102

( 8.7.1)

Suponga que en este caso se tiene que (3, = 132. Esto implica que jci = /c2
y que la corriente lc proveniente del transistor Q i (PNP) se puede extraer por
algim medio fuera del dispositivo a traves de la terminal de la compuerta, lo que
hace que el transistor Q2 se corte al no tener corriente de base, obteniendose
asi que se apague el dispositivo. En este caso la corriente que se tiene que
extraer por la compuerta en el momento de apagar el dispositivo, y para garantizar .el apagado, es /A /2 (debido a que 13 = 02 ). Entonces, a la razon de la
corriente de anodo circulando a la corriente necesaria para apagar el dispositivo
se le llama ganancia de apagado:

Si,
entonces:

G rIA
A 'GA

(8.7.2)

01 = 02 ,
IA
GA = 1,411 2.

(8.7.3)

Para que el dispositivo sea mas eficiente en esta aplicacion es necesario


aumentar la ganancia de apagado GA , lo cual se logra haciendo j3 < 1; logrando asi: 1 < IC2. Sin embargo, solo si 132 > 1 se cumple 131132 = 1. Se puede
tener asi en la expresion (8.7.1) el efecto regenerativo del diodo Schockley.
Normalmente se obtienen ganancias de apagado del orden de 10 a 30.
*Los disnositivos GTO norrnalmente operan
_biajas corrientesanodo,
debido a que si se pretende apagar un SCR disefiado para grandes densidades
de corriente I
eccinrinsversales de las capas no permiten que Ta
puerta pueda extraer todos los portadores necesarios para que el dispositivo se
apague. Normalmente los SCR's de corriente de anodo de 1.0 A o menos son
factibles de apagarse utilizando estos principios. Sin embargo, al no estar disciiados especificamente para esta operacion, las ganancias son pequefias, por lo
..que se requiere una corriente negativa grande en la compuerta para convertir_
un SCR en un GTe:--193

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

EJEMPLOS
Ejemplo 8.3. Dado un SCR como el que se grafico en el ejemplo 8.2, y que ademas- tiene las siguientes caracteristicas: Vpp = 400 V, ID = 10 A, IGT = 50 mA,
PG = 1 W, VGT = 3 V, R thj-a= 20 C/W, Rthi _c = 5 C/W,
se requiere construir un circuito que proporcione energla variable a una qu-ga
resistiva, proponiendose el siguiente circuito:
carga
RL = 5052

SCR

Fig. E.8.3.1 Circuito propuesto para gobemar la potencia suministrada a una resistencia
me diante un SCR.

Solucion:
Si de la tabla del ejemplo 8.2 se obtiene la variacion que se tuvo en el voltaje de
conmutacion Vs con la corriente de compuerta IG , es posible obtener la siguiente
ecuacian:

vs '= vs (1

) ,
E.8.3.1)
IGT
donde Vs' es el voltaje de conmutaciOn medido cuando la corriente en la cornpuerta es diferente a cero, para los datos de la tabla del ejemplo 8.2, Vs =
300 V e IG = 50 mA, por lo tanto:
Vs' = 300(1 20 /G).
(E.8.3.2)
194

EJEMPLOS
RL , se puede pensar que antes
Si la suma de las resistencias es R, + P1
que conduzca el SCR, toda la caida esta en las resistencias y circula corriente a
traves de la compuerta.
En este caso el voltaje de anodo esta en fase con el de la compuerta y la
corriente de compuerta tambien esta en fase con el voltaje, de manera que
cuando elyorfaje alcanza su maxim() la corriente tambien lo alcanza; luego,
para cuando se quiere que el SCR se dispare en el maxim voltaje y que se tenga la mas grande resistencia en la compuerta, se debe cumplir que:
150 = 300(1 20/G ),
de donde:
/G = 0.5/20 A,
= 25 mA.
Pero ademas:

150 V

6KS-2
25mA
Si el potenciametro esta al minimo, al conectar el circuito se debe proteger la
compuerta mediante la resistencia R 1. Por lo tanto:
RI + Pi max.

150 PG

R,
VG T

1
3

de donde:
R, > 450 2.
Se puede proponer que R 1 = 680 S2 y P1 = 6.0
metro este en 0 n, se cumplird que:
17e
=
'
RI

Kn. Luego cuando el potencio-

y la conmutaciOn ocurrre cuando V =

Luego, sustituyendo esta relacion en (E.8.3.2) se tiene:


Ve = 300(1 Ve x 20),
,

CL'

entonc.es;
= 300

6000 V,
680

p
K-

= 30.54V.

r-

(P,
LA

(E.83.3)

vo t
r

re, r

690)60vp,A) 4- 3 = 3 7.
( L./0"AD/

;
`i

:195

tib r

D1SP, DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Esto quiere decir que en el presente circuito habra conducciOn desde V, = 30.54V
cuando el potencibmetro esta en OCZ esto es desde un angulo de:
30.54
0 = sen'
= 11.750 cuando F1 = 0 c,
150
hasta I = 150 V cuando Pi max = 5320 2 esto es para un angulo de:
150 90 cuando
Pl ma, = 5320
0 = serf' 150

On es el Angulo de no conduccion del SCR.

Para P1 = 0 y R I = 680 2 se tendra la siguiente forma de onda en la carga:

Fig. 8.3.2 Formas de onda en la carga, cuando el angulo de no conduccion es O n = 11.75


Para Pi = 5320 7 y

R 1 = 680 7 se tendrd la siguiente forma de onda en la carga:


I

... .-- .---i

/
01 On 14

Fig. 8.3.3 Formas de onda en la carga cuando el ingulo de no conduccion es O n = 900 .

Luego, la potencia que se surninistrara a la carga variard desde:


7'
PL. =1 1
2n.
196

(150)2 sen2 OdO

EL

(E.8.3.4)

EJEMPLOS

sen 20
/ 4

(15O) 10

27rRL

7r-0
2

71.62 (

sen 20 n );
4

pLM =

71.62 (1.4682 + 0.0997) ,

Pnw =

112.3W,

PL, = 71.62 (0.7854) W; para

0 = 11.75

= 90 ,

= 56.25 W.
La potencia que el SCR disipa en este caso es pequeila y no excede las
caracteristicas del dispositivo, pues la maxima corriente que circula por el SCR
es de 3 A cuando se tienen 150 V. Por lo tanto, la corriente promedio sera:
3.0 A - 0.954 A.
7r

ID

Si el voltaje promedio es de 0.6 V, entonces:


PD =

0.57 W.

Ejemplo $.4. )Analice el oscilador de relajacion que se presenta en la Fig.


E.8.4.1; obtenga las formas de onda y las variaciones en amplitud y frecuencia
de las mismas.
VA

R1
1000
R

0.1iif

C1

-I- 20V
400V I

VEE

R4=3001.2

12012

100KS2

A
SCR

3K2

13=200

P1
Ro

1.2K fl

Fig. E.8.4.1 Oscilador de relajacion con excitaci6n de fuente de corriente para obtener la frecuencia y amplitud variables.

197

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS


El SCR que se emplea en este ejemplo cumple con las siguientes caracterIsticas:
Vs = 350 V,
VH=l.OV,

'GT = 50 mA,

te 6 pseg,
IDSA.

'H = 6 mA,

Solucin:
Andlisis. Si se considera nula la corriente de compuerta (I(,, = 0), se ye que el
condensador C1 tiende a cargarse a travs de R1 y R2 hasta 400 V. y cuando
pasa par V = 350 V, el SCR se dispara, descargndose el condensador a trayes de R2 . La corriente que circula par R1 en el momento en que el condensador C1 se descarga completamente, es:
iT
rAAK
R1

Yr
7

'Rl
'Rl

- (400-1)V 4
= mA,

la cual es menor que la corriente de sustentacin 'H = 6 mA, par lo cual el SCR
se apagar. Al estar apagado el condensador empezar nuevamente a cargarse en
forma exponencial, obtenindose entonces una oscilacin. Si ahora se considera
que la fuente de corriente suministra una corriente constante en la compuerta,
la cual depende de la posiciOn del potencimetro, se podr tener un voltaje de
conmutacin V5' que variara de acuerdo a la siguiente expresin:
V5 '

(1
IG T

'G ),

(E.8.4.1 )

donde V5 es el voltaje de conmutaciOn para la corriente de compuerta 'G = 0.


Luego: Vs'350(1

20'G)

Debido a que V11 < VA, es decir 1 400; y que R1


que el voltaje de carga del condensador es:
Vcc= VA [l_ettRlc'],

(E.8.4.2)
R2, sepuede considerar
(E.8.4.3)

y el voltaje de descarga en el condensador es:


VCd

198

= V Set/R2C.

(E.8.4.4)

EJEMPLOS

Asf, el tiempo que dura la carga mientras el voltaje del condensador alcanza el
voltaje de conmutacion es:
VA (1 CtilRIC) = Vs '

(E.8.4.5)

entonces:
VA

= R,

(E.8.4.6)

VA Vs '

y el tiempo que dura la descarga es hasta que el voltaje del condensador alcance
el voltaje de sustentaci6n, es decir, VH = 1 V:
vll = vs,e-t2/R2c
entonces:
Vs '
t2 = R2 an
VII
de manera que la frecuencia sera:
=1

(E.8.4.7)
(E.8.4.8)

(E.8.4.9)

R1 an [VA I(VA Vs')] + R,

(Vs'/V11)

La corriente en la compuerta varfa desde /Gm = 0, cuando el transitor Q, esta


en corte debido a que Ram = 120E2, hasta:
I
'GM
GM ='C
C
donde:

entonces:

Vam

VDE

(E.8.4.10)

R4
Ram

RaM+ R

VEE
(E.8.4.11)

Vam

(3120) (20)
V 14.44 V ,
3120+ 1200

'Gm =

14.44 0.6
A = 46.1 mA para Ram = 3120n .
300

Al sustituir el valor de /Gm en la ecuaciOn (E.8.4.2), encontramos que


V'sm = 27.30 V.
199

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

por lo tanto el voltaje de conmutacion varfa desde:

km= 0

V'sm = 350 V,

para Ra = 12O2,

V'sm = 27.30 V,
= 46.1 mA para Ra = 3120 n.
hasta
' m , determinamos la fm la fm respectivamente:
Con Los valores de V'sm y Vs

fm

1
RlCn[VA/(VAA V'sm )] + R 2 C Qn (Fsm IVH )

(E.8.4.12)

Hz;

fm 105 X 10-5 Qn (40010) + 102 X 10-5 Qn (350/1)


entonces fm = 47.95 Hz.

fm -

[VA /(VA V'sm )1 + R2 C (V'sm

(E.8.4.13)

fm = 1351 Hz.
Para la frecuenciafm = 47.95 Hz la amplitud de la sena' en el condensador sera:
Am = Vs 'm VII ,

(E.8.4.14)

A m = (350 1) V,
AM =

349V.

Para la frecuencia de fm, = 1351 Hz la amplitud de la senal en el condensaror sera:


Am =Vs'm Vii ,
Am = (27.3 1) V,
Am = 26.3V.
200

(E.8.4.15)

EJEMPLOS

A continuacian se ejemplifica el caso en qui! V = 100 V y se dibujan las


formas de onda en el condensador.
t i = 2.877 msev,,

t = 46 i.tseg,

f= 342.13 Hz,

A = 99 V.

IC

46pseg

gop seg

Fig. E.8.4.2 Formas de unda del voltaje en el condensador.

Cuando el condensador se descarga a traves de SCR, la maxima corriente que


podra mandarle es:
V:sw
(E.8.4.16)
IAKm R2
350
IAKNI 100 A
IAK M = 3 - 5A
El valor de 'AK

m = 3.5A esta por debajo del valor especificado por el fabricante,

por lo que el SCR podra trabajar en este circuito sin ningiin problema.
201

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAMS

Ejemplo 8.5. Con el circuito mostrado en la Fig. E.8.5.1 se pretende controlar


el angulo de conducci6n del SCR durante los 180 del semiciclo en que este
puede controlar.
a) Obtenga las condiciones para que esto suceda.
b) Obtenga la expresi6n del angulo de conduccion en funcion de la posicion
del potenciometro.

Vpcos wt
w = 2/rf
f = 60F12

P1

377 I'm

Fig. E.8.5.1 Circuit RC diodo simple para controlar 1800 de la serial senoidal.
So/ucion:
Para que el SCR pueda conmutar, debe cumplirse, que el voltaje compuerta-cdtodo sea igual a VG T, la corriente que circula por (R 1 + P1 ) sea suficiente para
dispararlo y el voltaje anodo-catodo sea mayor que el voltaje de sustentaciOn.
Del circuito obtenemos que el voltaje compuerta-catodo esta dado por:
= Vc VD

(E.8.5.1)

Cuando el voltaje que suministra la setial senoidal es negativa, el diodo


carga el condensador C al valor pica de manera que a partir de ese valor en adelante el voltaje del condensador tiende a aumentar, hasta que en algan tiempo
alcance el voltaje necesario para que el SCR se dispare ( VG T).
En realidad se tiene un circuito equivalente, como se muestra en la Fig.
E.8.5.2.
202

t =0

R = R i +Pt +RI_
0

....-.

V
C

Vp COS WI

Fig. E.8.5.2 Circuito equivalente de la situaciOn que prevalece al empe7ar a aumen tar el
voltaje de alimentacion de - VP a + VP.
Si se aplica la ecuaciOn en el tiempo que rige este circuito (para t = 0 se cierra el interruptor Si ). se tendria:
1
Ri(t) + i (t) dt =
1:0

(E.8.5.2)

coswt

derivando se obtiene:
di(t) i(t)
+ = w sen wt ,
dt RC R
Si el factor de integracion es en/RC', entonces:
[e r/Rc

)] _

R
VP

W fetIR C

sen wt dt ,

(E.8.5.3)

La integral se puede obtener por partes y queda:

f wer/R c se n wt dt

e h /RC cos WI

1 + (11wRC)2

er/R c sen wt
wRC [1 + (11wRC)2

+ B,
(E.8.5.4)

donde B es una constante de integracion.


Sustituyendo la ecuaciOn (E.8.5.4) en la (E.8.5.3), obtenemos que i(t) es:
203

DISP. DECUATRO 0

(Vp/R) cos wt
I + (1/wRC)2

Vp/R) sen wt
wRC [1 + ( 1 1wR0 2 ]

Be-tiRc

(E.8.5.5)

Si t = 0, la corriente en la malla debe ser nula pues se tiene igual voltaje de


excitacion que el voltaje al cual esta cargado el capacitor, de manera que:
B

11.1,1R
1 + (11wRC)2

(E.8.5.6)

El voltaje en el condensador es igual al yoltaje aplicado menos la caida en la


resistencia, es decir:
Pic =

Ri(t),

entonces;
Vc =

13-COS WI' +

Vp cos wt
+ (11wRC)2

V sen 141
wRC [1 + (1IwRC)2 I

V e-(tIRC)
1 + (1/wRC)2

(E.8.5.7)
Haciendo reducciones y aplicando identidades trigonometricas se puede obtener:

Vpe
llRC
cos (wt tg-1wRC)
[1 + (wRC)2
1 + (1/wRC)2
V

(E.8.5.8)

ecuacion que concuerda con lo que se esperaba. ya que cuando R = 0 entonces:


Vc = V cos wt
y si R = oo, entonces V. =
esto es, el condensador se queda cargado negativamente.
Si el SCR se dispara para un cierto valor de VGT (norrnalmente del orden
de 0.7 3V). entonces el Angulo de conduccion estara dado por el valor de
VGT que satisfaga la condicion.
La wt para la serial cos wt es igual a (rT/ 2 + n ) ver fig. (E.8.5.3),
entonces:
204

EJEMPLOS

= 7/ 2
donde

+ 0 0 es el angulo de no conduccion del SCR,

On = ir ec

0,
t =3 r _ _
2w w
Ademas del circuito dada sabemos que:
VGT

VGT

(E.8.5.9)

(E.8.5.10)

VD1

Sustituyendo las ecuaciones (E.8.5.9) y (E.8.5.10) en (E.8.5.8) obtenemos:


VP cos [ (37112) c
'C;T

[1

4- (WRO2 j 112

W RC]

pe- ( 37rI2 - Oc )IWR C


I + (WRO2

(E.8.5.1 1)

Fie. E.8.5.3 Angulo de conducciOn y no conduecion de la serial semisenoidal.

Este problema tambien es posible resolverlo empleando transformadas de


Laplace y Las expansiones de Heaviside. (Ver Electric Circuits, Schaum Outlines
Series, problema 17.9).
Para tener una idea mas clara del uso y disefio de este circuito se presentan
las curvas normalizadas de la expresion (E.8.5.11), de donde se pueden interpolar o extrapolar segim el caso.
205

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

wRC

Fig. E,8.5 .4 Grfica normalizada de la expresin E.8.5 .11 para distintas relaciones de V'-/ "
Como se ye de las grficas de la Fig. E.8.5.4, la variacin del ngulo de conduccin es abrupta; entre 0 - 0.2 para wRC lo mismo que para el trmino de la
curva, mientras que en la parte intermedia es bastante lineal. Sin embargo, se
aprecia que teniendo una variacin de wRC de 0 - 4 es factible controlar la p0tencia sobre RL independientemente del voltaje picode la sefial de excitacin. Esto se cumple para la mayorfa de los casos prcticos.
Eem lo8.6 Dado el circuito de la Fig. E.8.5.1 del ejeniplo anterior, y conside
rando un CR con las siguientes caracterIsticas:
F's = 300 V.

VGT = 2.4 V

'GT = 5 mA,
'D = 5 A,
PD = 4W, RC = (resistencia entre nodo ctodo del SCR en conduccin) = 0.32
considerando que se excita con una seflal de 120 V rrns a 60 Hz,
a) disene el circuito para que se tenga control sobre la carga de RL = 50 D,
durante los 1800 del serniciclo;y
b) obtenga la potencia que se suministra a la carga en funcin del ngulo de
conducciOn O..
206

EJEMPLOS

Solucion:
Si DI es de silicio, se eonsidera que VD en conducci6n es de 0.6 V: de manera
que:
VD = (2.4 + 0.6) V = 3 V,
VT
'
= VGT
V,= 1200.7V = 169.71 V.
entonces:
Vp < Vs ,
luego:
VbT _
Vp

3
=00177
169.71

Observando la grafica de la Fig. E.8.5.4, se requiere:


wRC= 4, para asegurar que el circuit controlara los 1 80 del st-mncido.
4 4
RC = = - = 0.0106 seg,
w 2.7rf
RC= 10.6 x 10 seg.
Se requiere que en el momento en que el circuito este controlando para un
angulo de conduccion casi cero, la corriente por la resistencia (R1 + P1 ) sea
mayor o igual a la corriente /GT ; por lo tanto se puede pensar que si se asegura
que el control llegue hasta O. = 10, se considere practicamente controlado
todo el semiciclo.
Luego, en ese momento el voltaje entre el anodo y el catodo del SCR sera:
VAK

= 16931 sen 170V = 29.47 V.

Entonces, para /GT = 5 mA tenemos:


'AK

170

V'G T

"-P9 47 3.0
5x 10-3

R<

5294

R IGT

= 5294 ,

207

D1SP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Si despreciamos el valor de RL podemos proponer:


R = R1 + P1 = 5200

n,

10.6 X 10-3
5.2X 103

2X 10 f,

2,ufLa capacidad debe ser sin polaridad y capaz de soportar entre sus terminales un
voltaje mayor que el voltaje pico,
C= 2 pf @200 V.
Se quiere que la resistencia R1 , la cual sirve como resistencia limitadora,
haga su funci6n y no afecte en mas de 100 el angulo de conducciOn al inicio
del control. Observando la grafica de la Fig. E.8.5.4 vemos que se requiere que:
wR I C= 0.2,
pork) tanto:
R1=
R1 =

.2
0
wC
27rfC

= 265.26 S/,

R, = 265.26 E2.
Se puede entonces colocar una resistencia de

R, = 270 &2 .
y en esta forma tenemos:
R = 270 Et 10 W;

P, =

5 KE2

@ 5 W;

R = 50E2.
C = pf

200 V.

D1 , D2 son diodos de silicio capaces de conducir 0.5 A y un voltaje de ruptura mayor de 300 V.
208

LIEMPLOS

La potencia en la carga estard en funciOn del angulo de conducciOn, dada


por:
PL

.2 sen2 0 de
Pp
RL

71.
On

o n = 7r

if 2
vp

10
27RL 2

IT;
-

0
[

sen 20

Tr

4 1
sen 2(7 Oa)
4

(E.8.6.1)

En este caSo;
c
sen 2 0,
pL = 91.68(T
+
4
).

(E.8.6.2)

Si en este caso aseguramos mediante el diseflo que O vane de 100 a 1700 , la


potencia en la carga puede variar entre:
0.16 W <

< 143.85 W.

Ejemplo 8.7. Se desea disefiar un cargador para acumuladores de automOvil


(12-16 V), siendo la capacidad de estas baterfas de 136 A-h. Se requiere:
a) que el tiempo de carga sea menor de 24 horas considerando completamente
descargada la bateria;
b) que la corriente en la baterfa no exceda de 15 A en promedio, pues se puede dailar el acumulador,
c) que al terminar de cargar la bateria se indique esto en forma luminosa:
d) que el circuito sea totalmente de estado solid.
Suponga que la resistencia interna de la bateria es despreciable.
Suponga que el voltaje de la baterfa esta dado por:
Vcarga X (A-h) cargados
VB
V + capacidad del acumulador (A-h)

(E.8.7.1)

donde 17 es el voltaje de la bateria al iniciar la carga.


209

DISP. D1. CUATRO 0 MAS CAPAS

1.ear1 es el voltaje al cual se considera que el acumulador ya esti cargado.


Esto supone un regimen de carga lineal.
So/ucion:
13.6
(A41)eargados = 1/;) + 0.1 (A-4
(E.8.7.2)
+ 136
1/13

Se considera que un acumulador de plomo-acido tiene un voltaje nominal


por celda de 2.27 V, por lo que en el caso de tener 6 celdas el voltaje nominal
es de 13.6 V.
El circuito que se propane es como el que se muestra en la Fig. E.8.7.1.
D

120 Vrms

60112

Fig. E.8.7.1 Diagrama propuesto del cargador de acumuladores.

Funcionamiento del circuit. En el punto A se tiene una serial senoidal rectificada de onda cornpleta la cual alimenta al SCR,. Si se considera que el SCR2
esta apagado, entonces el SCR, se disparard por la red R4D 3 , similar a lo tratado en el ejemplo 8.3, y de esta forma se introduce corriente al acumulador y este
va cargandose. hasta Ilegar al voltaje de carga (13.6 V) en el cual se tiene
en el acumulador un voltaje que es igual al voltaje de ruptura del interruptor de
silicio unilateral (SUS) mas el voltaje del Zener, circulando corriente a la cornpuerta del SCR, mandando este a conducciOn. Al conducir el SCR,, la lampara
L, eneiende ind lea ndo clue Li bateria esta caraada:pero ademas se presenta entre
R4 y Rs un divisor de voltaje que aplica en la compuerta del SCR, un voltaje que
210

Iii MPLOS

siempre es menor a 13 V. lo que asegura que el SCR, se apague y cese de entrar


carga a la baterfa.
La red de la compuerta del SCR2 con el SUS y diodo Zener (siempre
que:
+ 1 ec; es para que el SCR2 se asegure en conduccion, es decir,
>
que se tenga una hist&esis que garantice que el cargador cese la carga cuando se
detecte que el acumulador ya se cargo.
Disefio:
Pam poder satisfacer los rcquisitos a) y b) se tienen parametros que se deben
interrelacionar. Estos son el voltaje de pico de la serial en el punto A y la
resistencia limitadora R , .
Si se tiene una serial senoidal rcctificada de onda completa el voltaje promedio en el punto A sera igual a:
2 ( Vp VD) 2 Vp
siendo VD el voltaje de conducciOn de los diodos D, yD2 el cual se considera
desprecia b le.
En donde, la corriente promedio que entra a la baterfa cuando esta totalmente descargada (peor de los casos) sera:
2(Vp VD )

2 1'

< 15 A .
RI
Supongamos que se establecc que la corriente maxima sea de 10 A.
Entonces:

2 Vp
(E.8.7.1)

Ri

Para satisfacer el requisito a) debemos establecer que si la carga fuesc de corriente constante (no es el caso) se necesitaria una corriente promedio de:
/=

136 A-li
24h

capacidad
= 5.67 A.
horas de carga

Si de acuerdo con (E.8.7.1)se empieza con 10 A, tenemos:


211

DISP. DL CUATRO 0 MAS CAPAS


I

\I

Corriente promcdio si
carp fuera de corriente constante.

If

2
5.67


I II.
(it)

24

Fig. E.8.7.2 Grafica de la variacion de la corriente promedio de carga si esta se considera


lineal.

Y considerando que las areas bajo la curva de corriente constante y la curva


de carga de corriente variable (este es el caso) deben ser iguales, se tiene que:
(10 If)

entonces;

24 + 24/f = 5.67 x 24= 136,

/I = 1.33 A.

La figura E.8.7.3 muestra en su parte achurada el area efectiva de carga en


la baterfa.

rip -

wt

Fig. E.8.7.3 El area achurada es la caida de voltaje en la resistencia R i y es el area efectiva de

carga.
212

EJEMP
El voltaje del Area achurada se puede aproximar por:
( V p - Videos wt - VB = VB1 ,

O t <wt<

0, ,

(E.8.7.2)

donde:
01 = - ang cos

02 =

ang cos

VB
Vp - VH
VB
Vp - VH

(E.8.7.3)
,

de manera que la corriente promedio en el SCR, sera:


cos-I I va /( vp - vH )]
1
/scRi - .N,-,
, Tr

cos-., 1. 1/81 vp-V)]

[(Vi - VH ) COS W t - V8 ] dw t

1 ,,
-1 V
__B vii )
iscR 3 --= R or r 12- V H ) 2 seri (Cos Y_P

K.,
Ri-Ir (2cos-1

V,
-

VP - 1 11

).

(E.8.7.4)
Sustituyendo el valor de R1 de la ecuacion (E.8.7.1), el valor de
VB = 13.6 V para la carga total, y proponiendo terminar con una corriente de
if = 2.0 A, se tiene:
136
1
136
.
cos..1 13.6
2.0 = 10 sen (cos)1'
Vp
0 .8
VP
P - 0 8
Resolviendo por tanteos para frp", se obtiene:

(E.8.7.5)

Vp = 21.77 V.
y sustituyendo este valor en la expresion (E.8.7.1), queda:
R1 =

2(21.77)
31.416

E2,

R I = 1.386 12,
R 1 = 1.38 SZ @100W.
213

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Tambien debemos conocer el voltaje en el secundario del transformador,


esto es:
Ve

P
(2)1 / 2

21.77

(2)1 / 2 V (rms),

= 15.4 V (rms).
En esta forma el voltaje en el secundario sera de 15.4 V rms a 15 A y los diodos
y D2 deberdn ser capaces de conducir 15 A en corriente directa como, por
ejemplo, diodos de alternador de automovil.
Si queremos que al dispararse el SCR2 no se vuelva a disparar el SCR,, se
debe tener que:
R5

V < 13.6 V.

(E.8.7.6)

R, + Rs

Ademds se debe pedir que R4 sea tal que permita pasar la corriente suflciente a la compuerta del SCR1 con una pequeria diferencia de voltaje entre
dnodo y catodo.
Si se usan los siguientes dispositivos:
SCR,
IGT - 10 mA,

r GT = 2.0 V.

Vs = 100 V;

SCR2 ,
IGT = 3.0 mA,

= 1.0 V,

= 1.0 A.

100V;

SLIS,
= 4 V,

= 2 mA,

= 0.6 V.

ZENER,
= 8 V.
214

izT 5 mA,

= 1052.

FR = 30V;

EJEMPLOS

Determinacion del valor de Ra:


En el peor de los casos, cuando el voltaje de la bateria VB alcanza el valor de
13.6 V, se pide que para una diferencia de voltaje de VAK = (Vp VB )I2=
4.085 V en el SCR,., este pueda dispararse, es decir:
VR4 = VA
K

I VGT,

VD3 ,

VIM = (4.085 2.0 0.6) V = 1.485 V


la corriente debe ser igual o mayor que IGT 1 ,

en donde:

ra4
10 x 10-3 A,
R,
R4 =

148.5 SI

150 S2.

Haciendo uso de la expresiOn


y proponiendo R, = 120 1-2 tenemos:
R s 1 1,
9.67 V < 13.6 V
R4 + R,
En este caso la potencia en R4 sera maxima cuando conduzca el SCR, y se tendra:
1 R4 = [

2(21.77 9.67) 12
77

1
150

Vir -

0.395 W.

Sc puede decir asi:


R4 =

150 2 @1 W,

R5 =

120 12 (6 I W.

La lampara L1 se puede escoger de automOvil como las que se usan para


alumbrar instrumentos, que consumen del orden de 200mA y para tener un
margen de seguridad, suponemos que en la lampara se caen 12 V.

R6

21.77 X 2
12) 200x110-3
3.1416

10 Si 6, 1W_
215

DISP. CUATRO 0 MAS CAPAS

La serie del SUS y el Zener nos dan una curva compuesta que es necesario
graficar para saber cOmo se usa.

2m

(a)

(b)

Fig. E.8.7.4 (a) Curvas superpuestas del SUS y del Zeiler; (b) curva compuesta de los dispositivos en serie.

Debe cumplirse que cuando la baterfa llegue a 13.6 V el punt de operaclan pase de Q, a Q2 para asegurar que SCR2 se dispare.
Si el voltaje en VG7'2 = 1.0 V, /GT2 = 3 mA, y proponemos que por R3 circule I mA, entonces:
R3 = 1000f2,

luego,
(17/3 rsus vz 17R 3 )
R2 =

4;r2 +

13.6 4 8 1.0

1R3

4X 10'

2 = 75

y se asegura que el dispositivo se dispara y permanezca disparado, porque en el


moment en que el SUS conmuta se tiene que:
Si,

1'GT2 = 1.0 V para /(;r = 3.0 mA,

quiere decir que el equivalente de la compuerta es una fuente de 0.7 V en serie


con una resistencia de 100 E2 .
Luego se tiene el siguiente circuito equivalente.
216

EJEMPLOS

75 st

--I.

+100 S2

v-; 1 l'[. 1 () 3 cz.


--:: 07V

...._
Fig. E.8.7.5 Equivalente del circuit de disparo del SCR2

1001/1000 X 1.6
85+ 100//1000

1000//85x 0.7
100+ 1000//85

T/6 = 1.14 V > ITGT2


/
/G =

1.14

0.7

100

A,

4.4 mA > /GT , .

con lo cual se asegura el disparo y queda totalmente diserlado el circuito, obteniendose:


D

117V
0 rms
60117

I 15.4 V rms
10 A

15.4 V rrns

1.38

D. ! u0

l(J

SCR I

W
s2/ I W

D2

12012 /1W
--

Acurnulador

Fig.

seR2

E.8.7.6 Diagrama final del cargador de acumuladores (12 - 16) V.

217

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

pemplo_83.

Dado el circuito de la Fig. E.8.8.1 en el que se tiene un control de


poiencia para la carga en los 360 del ciclo de CA, obtenga:
a) el angulo de conduccion del ciclo en funcion del potenci6metro y el condensador;
b) criterios de diseno de estos circuitos.

(carga)

TRIAC

Fig. E.8.8.1 Circuito cuadrac con TR1AC y DIAC para tenet control sobre los 3600 del ciclo
de CA.
Solucion:
a) Angulo de conduccion
El voltaje en el condensador esta dado por:
VP
=
sen (wt - tg-' vvRC),
- [1 4. (w Ro2 ] i/ 2

(E.8.8.1)

R = R, +P1
donde
En el momento en que el DIAC se dispara se genera un pulso de corriente
que dispara al TR1AC. Para conocer el momento en que el DIAC se dispara es
necesario que el voltaje en el condensador alcance el voltaje Vs de disparo del
DIAC, de manera que, si On = ir -O entonces;
VP

v sen (6 - tg' wRC),


s [ 1 + (wRCr r2
oc. = w

218

Vs V 1 + (wRC)2
+ tj 1 %vRC].
Vp

(E.8.8.2)

(E.8.8.3)

I 11.MPLOS

Graficando esta expresion en terminos de wRC y teniendo como parametros 1.1i/Vp, se obtiene la curva de la Fig. E.8.8.2.

1 80
- 1"8
150e
.

N
100

...

_
V

_
-

. .

0 OS

-1

:,.1:1

0.01

0.1

1.0

' 1'.

10

100

wRC

Fig. E.8.2 Grtifica normalizada del comportamiento en fase del circuit cuadrac de la Fig.

E.8.8.1.

b) Criterios de diseno:
Normalmente el fabricante del D1AC establece un voltaje de conmutacion
minimo ep,
El fabricante del TRIAC establece una corriente IGT de disparo, un tiempo de
encendido y un VGT de disparo.
aiterios:
Para una diferencia de voltaje C'p entre compuerta y terminal uno (T1 ), se tiene
una cierta corriente la eual descarga a C, de manera que:
/Gt

y se pide que si

VG

e /G estan dcntro del area de disparo, se tenga :

(ep - Vr."-)C

> t(

E.8.8.4)

I GT

donde te es el tiempo en el cual debe haber corriente y voltaic suficiente en la


compuerta para que el TRIAC se dispare.
219

DISP DL

CATRO 0 MAS CAPAS

Esto da un criterio sobre el capacitor y en funcion de las graficas de la Fie.


E.8.8.2 se obtienen Los valores de R.
Ejemplo 8.9. Se tiene el circuito que se muestra en la Fig. E.8.9.1, el cual constituye un control de temperatura con angulo de fase sincronizado. Si se tienen
Los siguientes componentes con sus respectivas caracteristicas:
TR EAC-SC4513 de General Electric,
Vs= 200 V,

1D= 10 A,

= 2.0 mA, VG7-= 2V, /GT = 50 mA;

UJT,
= 0.6.

R BB = 5 K2.

1 = 3 - 0 V.

Diodo ZENER,
= 15 V.

r_ = 10 5-2

Pi) =

Termistor,
RT =, 1000 e(T

259/100. 11 (de coeficiente tt:rmico de temperutura


posit ivo

obtenga las ecuaciones de discfio y disefie un control para el rango de 25-300C.


con una carga de 30 2. Si la disipacion del horno estti en funcion de su temperatura, PD = 60 + (T 25C) 0.8W.

acoplados
termicamente
.
----

1..fi

1
IR

Mg
II
120 V 1111N
60 Hz

1);

D., ,

HORNO
1
'carp
I

fiz

12-1

T2

Hi

rI -

(11)TRU('

111
Ti

I
1
I.

Fig. E.8.9.I

220

Circuit propuesto del control de temperatura.

transformador
de pulsos

El EMPLO S
Funcionamiento. La seflal de 120 V, 60 Hz, se rectifica en el puente rectificador formado por D1 , D2 , D3 y D4, y el circuito regulador R1 , Dz1, la recorta
tal como se muestra en la Fig. E.8.9.2.

if

Fig. E.8.9.2 Formas de onda en los puntos A y B.


Se dice entonces que la operacin del circuito de disparo, con ngulo de
fase sincronizado, se debe a que cada medio ciclo el condensador C se descarga
y comienza nuevamente la operacin del circuito de disparo, constituido por
el oscilador de rela/acin con el transistor monounin y el transformador T.
Si se ajusta el potencimetro P1 en un valor, se tendr entre Rr + P1 Ufl
cierto valor de resistencia que establece el tiempo para el cual se obtiene el
primer pulso en el transformador que es el que dispara el TRIAC cada semicido. (Los pulsos que vengan despus durante un semiciclo no influyen en la
operacin del TRIAC.) Debido a que el termistor y la resistencia calentadora
del horno estn acoplados trmica.rnente, entonces la resistencia RT comienza
a aumentar, aumentando tambin el tiempo en que sucede el primer pulso del
semiciclo y reduciendo el ngulo de conducciOn del TRIAC, estabiUzando asi
la temperatura en un cierto valor y obtenindose con esto el control deseado.
Solucin:
Haciendo uso de las ecuaciones deducidas en el capftulo del transistor monounion y considerando que el tiempo empieza a contar en el momento en que el
punto A alcanza 15 V (corresponde a 5.10 en ci semiciclo), se tiene que:
Vc = V (I - c- t/RC)=nv

(E.8.9.1)
221

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Luego,
t1 =R 2

an

(E.8.9.2)

1171 '

donde:
+ P1 ,

R2 =

y el tiempo de conduccin del TRIAC durante ese semiciclo es:


to = (772) - ( t1 +t0),
siento t el tiempo que se invierte en alcanzar en el punto A el voltaje de iS V,
to

= 8.3 X 10 - (t1 + 0.23 X 10),

to

= 8.07 X 10

- t1.

(E.8.9.3)

Para La temperatura de 25C en el control, podemos calcular el valor del


potencimetro P1 de la siguiente manera:
Si

T= 25C, entonces

1000 E2,

y la potencia que debe estar surninistrando al horno para que se mantenga La


temperatura es:
PD = 60W,

de manera que al usar la expresin encontrada en el ejemplo 8.6, aunque en


este caso la potencia de la expresin E.8.6.2 se debe multiplicar por dos debido
a que el TRIAC conduce en ambos sentidos, tenemos:
J

irR

sen 2(7r

- 6)

1 -

En este caso, sustituyendo valores, se obtiene que O, es:


0.1963 =-- +
0c25

222

sen2(ir 6)
4

=0.3439 rad = 11.25.

'

(E.8.9.4)

EJEMPLOS
Si, T/2 = 8.33 mseg y equivale a 1800, 11.25 corresponden a t, = 0.5208 mseg,
por lo tanto el tiempo t1 es:
t j = (8.07 - 0.5208) mseg = 7.549 mseg.
Sustituyendo estos datos en la expresin (E.8.9.2), para T = 25C se obtiene:
R, C=

7.549X 10

seg,

Qn (1/0.4)

R 2 C= 8.21 X 10 seg.

(E.8.9.5)

De manera semejante, si la temperatura es de T = 300'C,. entonces:


RT = 1000 e2751100 12 = 15642.6 7.
y

PD = 280W.
Sustituyendo estos datos en la ecuacin (E.8.9.4), y calculando ci ngulo de
conduccin, se tendr:
____
0.9163= 2

sen2(r

-0)

(E.8.9.6)

en donde,
= 1.8094rad= 103.67.
En esta forma tenemos que:
(8.07

103.67 x 8.33
)mseg,
180

= 3.27 mseg.
Luego para este caso,
T= 300 C,
R 2 C= 3.56 mseg.
223

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Determinacin del valor del potencf?nerro. Si se considera que cuando el potencimetro est en 1000 S2, se tiene la maxima temperatura, entonces:
R 2 =RT +PI = 16642Z,
en donde:
3.56X 10-s
16642
C

0.22 j2f.

Si ahora sustituimos el valor de Cen la expresin (E.8.9.5), se obtiene:


R2 =

8.21 X 10
0.22X j6

R 2 = 37320l.
Pero para este caso Rr = 1000 n, por lo que se requiere P1 > 36320 92.
Para cubrir todo el rango, utilizaremos un potencimetro de 40 KS2 en serie
con una resistencia de 1000 S2.
P1 =4OKca,
C=0.22Mf.
El voltaje de disparo del emisor es aproximadamente:
VpIco=nVBO.6 X I5V=9.0V,
de manera que la energIa que libera el condensador hacia ci transformador es:

E=4-c(v,10_ Vv),
E = 0.5 x 0.22 x 106 x 72,
E = 0.79 X 10-' joules,

lo cual es suficiente para disparar el


TRIAC.

La potencia liberada a la compuerta es igual a la energia almacenada en el


condensador entre el tiempo que sta se libera, Si consideramos que el tiempo
de descarga del condensador es menor o igual a 50 zseg, entonces la potencia
seth;
224

EJEMPLOS

0.79X 10
'1iberada

50X

10-6

W = 0.158W,

la corriente promedio en la compuerta, durante este tiempo de disparo ser:


0.158

A=O.O79A=79mA>IGT

VGT

Ia cual es suficiente para disparar el TRIAC.


Debido a que el ngulo de conduccin resulta una ecuacin trascendente. no
es posible establecer en forma explicita la ecuacin que gobiema la temperatura
en funcin de la posicin del potencimetro. Sin embargo, se obtendrn tres
puntos intermedios para que se pueda trazar la curva, siendo stos T = 125C,
T= 200Cy T= 250C.
a) Para T= 125C,
R = 2718 92,

= 140W,

O. = 0.877 rad = 50.25,

de donde:
50.25 X 8.33
) mseg = 5.74 mseg,
180
5.74X 10-s
= 28359.7Z,

= (8.07 R2

an 2.5

P 1 = 28359.7 Rr,
entonces, P1 25641.7 cz.
b) Para T= 2000 C,
RT

1000e175 25754&2, PD=200W,


= 1.2765 rad = 73.14,

en donde:

t1

(8.07 - 73.14X 8.33


) seg = 4.69 mseg.
180
4.69x 1O
an 2.5

cl= 23148.4c2.
225

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

eritonces;

P1 = ( 23 148.4 5754l = 17394.4 Q.

c) Para T= 250C,
RT

= 1000 -25

a = 9487.7 92,

PD = 240W.

= 1.541 rad= 88.29 .


de donde:

ti = ( 8.07

entonces;

P1

88.29 X 8.33
180

) seg = 3.98 mseg,

= ( 3.98X 10
9487.7) 2 = 10 176.33 ci.
an 2.5
P1 (KZ)

30

25641,7cz

20
17394.4 n

10-

---

10176,33 a

0 250

- -.-+
1000

2000

3000

4000

Fig. E.8.9.2 GrfIca del valor del potcncimetro P 1 contra la temperatura del horno a controlar.

Si la teniperatura del horno es de 25C y se quiere lievar hasta 300 C, el

226

FJEMPLOS

potenciOmetro se va a 1000 S2 y R tiene 1000 Q ; luego la corriente inicial por


el potencimetro es de 7.5 mA y la corriente en las bases del UJT es VB /RBB =
= 15/(5x 10) A = 3 mA. Luego se requiere que en el peor de los casos la corriente que consuma el circuito oscilador sea de 105 mA por lo que se disefiar
para que porR I circulen 12.0 mA cuando se tiene elvoltaje pico; de manera que:
R1

= l2Kc.
(169.7 -15)2

PR

= 2.0W, R1 = 12K 92 @5W.

12x 10

El transformador Tr puede ser I I de pulsos, como por ejemplo SPRAGUE11Z12. Los diodos D, D2 , D3, D4, D5 deben ser capaces de rectificarsefiales
senoidales de 60 Hz, lo que implica un voltaje de ruptura de por lo menos 200 V.
y adems ser capaces de manejar en sentido directo una corriente de 100 mA.
A continuacin se ilustra un caso ficticio de temperatura T = 250C, partiendo
de temeratura del horno igual a 25' C.
ye

It'

81

k k k !
4
2.7

2.8

I I

2.9

h
3.0

3.1

4.1

4.24

4.25
Sc estabiliza

Fig. E.&9.3 Comportarnicnto del control de temperatura en el tiempo. Se observa la variadon del Angulo de conducciOn desde el inicio hasta que la temperatura del home se estabiliza
(esto est exagerado en el ticrnpo).
227

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Ejemplo 8.10.) Se quiere disenar un control de intensidad para una lampara de


a fiusada en la linea de corriente alterna, y se cuenta con un TRIAC
con las siguientes caracterfsticas:
VG =-(1.0+ SOIG)V, VGT= 2.0 V,

'GT= 20mA.

y con un DIAC con las siguientes caracterIsticas:


Is=30V,

Is=1001AA,

e=3.5V.

SoluciOn:
Usando la teorIa desarrollada en el ejemplo 8.8, tenemos:
si i'=e,
IG

- 3.5 1.0 A
50
= SOmA>IG T.

Usando (E.8.8.4), se obtiene:


(3.5-2.0)C> lox 106
50 io
1.5 C >500 x 10
C> 0.33 gf.
Se propone:
C=0.47uf @200V
La relacin
VS/VP
Luego,

30
= 120(2)"
Vs

wCR

VP

de la figura E.8.8.2 se obtiene;


wCR> 5.65;
se propone:
wCR = 6.0,
228

= 0.1768.

t= 10useg;

EJEMPLOS

entonces

60
R= 0.47x

x 2y

R = 33.4 KTZ.
Luego el circuito queda:

120 V
60

Fig. E.8.10.1 Circuito final del etciuplo E.8.I0.

229

[)ISP. D} CUATRO 0 MAS CAPAS

PRE(; u NTAS
8.1

,Qu se entiende por un dispositivo de cuatro a ms capas?

8.2

Los dispositivos de cuatro a ms capas, Lson dispositivos bilateralcs a


unipolares?

8.3

ZPor qu es posible explicar el furicionaniiento de un dispositivo de cuatro capas en trminos de un anlogo con dos transistores bipolares cornpie me ntarios?

8.4

Explique el comportarniento del diagrania de bandas de un dispositivo de


cuatro capas (Fig. 8.3).

8.5

El comportamiento elctrico de un dispositivo de cuatro capas Lpresenta


alguna region de impedancia negativa?

8.6 ZPor qu el modelo de un SCR en conduccin es siniplernente una


resistencia?
8.7
,Qu se entiende por corriente dc dispard de La cornpuerta?
8.8
8.9

LQuCl significa ci parrnetro 12t en el SCR?


Qu se entiende por corriente de sustentacin de un SCR?

8.10 ,Que se entiende par razn de subida de voitaje directo de un SCR


8.11 LQu& se entiende por razOn de suhida de la corriente directa de un SCR?
230

PRLG1INTAS

8.12 i,Por qu en los SCR se tiene un tiempo de encendido relativamente


grande?
8.13 Describa las cuatro estructuras bsicas de un SCR.
8.14 LCui es ci sfmbolo de un SCR?
8.15 ,Cui es la diferencia entre un SCR y un TRIAC?
8.16 Dibujc las curvas caracteristicas de un SCR y de un TRIAC.
8.17 iEl DIAC es un dispositivo de cuatro capas?
8.18 ZCuil es la diferencia fundamental entre un diodo interruptor bilateral
(DIB) y un TRIAC?
8.19 LD6nde se aplica ci DIB en lugar del TRIAC?
8.20 ,Cu1 es el equivalente del SUS y del SBS en trminos del SCR?
8.21 ,Por qu es posible apagar por compuerta un GTO. una vez disparado?

231

DISII.DLCUATROOMASCAPAS

i R ( ) RI. 1i\1 AS
8.1

Sc tienc un SCR para ci cual Sc conoce que: I,. = 2MA, in = 2, y se


encuentra que I = 350 V para J- = 0. I = 225 V para I(; 10 mA.
obtenga:
a) la ecuacin que rige el comportamiento de este dispositivo y
b) la I..

8.2

Para ci SCR del prohlema 8. 1, que aderns tiene las siguientes caracteristicas:
1;r = 3 V,
P = I W. 'D = 10 A.
I = 3 mA.
pf, = 400 V,
Se construye un circuito como ci que se ilustra en la Fig. P.8.2 y se
pide disear los valores de R1 y P 1 , pan que se tenga un control de
cori.
O < 180' sobre ci JI1gUk) dc coniluci

1:, =2O

Fig. P.8.2 ('ircuito tith simple de un control

232

dc potciicki pot iiiedio dc un SCR.

PROBLEMAS
8.3 Se tiene un SCR con V = 100 V. Pam 'G = 0 e 'H = 4.0 mA, obtenga las
formas de onda del oscilador de relajacin que se muestra en la Fig. P.8.3,
en los puntos 1 y 2.
+ 150 V
50K cz

t-k------

too n

SCR

0.22 pf/200 V

Fig. P.8.3 Oscilador de relajaciOn usando el SCR como diodo de cuatro capas.

8.4 Se quiere ejercer un control de potencia sobre una carga de 25 2, con las
siguientes caracteristicas:
semiciclo positivo 0 < O < 180' (variable),
semiciclo negativo
180 (constante),
para Ia que se propone un circuito como el que se muestra en la Fig.
P.M.

121
60

Fig. P.8.4 Circuito RC con diodos para control bajo las condiciones establecidas.
Si

VS =3OOV@IG =O:

'D

5.0 A, VGT = 2.6V,

'GT 5.0mA, Rc = 0.4 S2,

"D' SW

a) obtenga el funcionamiento del circuito; y


b) disene R1 , P1 y C para satisfacer lo ms cerca posible las condiciones
establecidas (yea ejemplo 8.5).
233

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

8.5

Se tiene un circuito como el que se muestra en la Fig. P.8.5, el cual se


excita con un tren de pulsos.
a) Obtenga su funcionamiento;
b) obtenga formas de onda en los puntos 1 y 2; e
c) indique para qu se podrfa emplear este circuito.
+50 V
R1 =1 Kci
tj

1 mseg

VGT3 V
V3 =200 V

Vc,TT11_fl
I-

t2

IL

-.

r=10mseg

Ve

'H4 mA.

+
-

cR28K

Fig. P.8.5 Circuito de autoapagado de un SCR con capacitor en el ctodo.

8.6

Se tiene un circuito como el que se muestra en La Fig. P.8.6, el cual constituye un circuito de apagado de un SCR empleando otro.

V.,

Fig. P.8.6 Circuito de apagado de un SCR utilizando otro SCR.

a) Obtenga el funcionamiento del circuito:


b) obtenga las condiciones de operacin; y
c) diga qu sucede Si V1 =
234

PROBLEMAS

8.7 Para evitar que un SCR se dispare porque la variacin de voltaje en el


nodo respecto al ctodo exceda la caracterIstica d V/dt dada por el fabricante, se conecta una red RC serie en paralelo con el dispositivo ilustrado
en la Fig. P.8.7.
+v
R

SCR

Fig. P.8.7 Red RC serie para suprimir los disparos por dV/dt.

a) Obtenga las caracteristicas de La red RC para la supresin de dV/dt; y


b) disefie una red supresora, si dV/dt = 2.0 V/.tseg y La variacin de La
seflal es de 4 V/pseg en una carga de RL = 15 R.
8.8

Para el circuito de la Fig. P.8.8,


a) describa su funcionamierito;
b) obtenga las ecuaciones de su funcionarniento; y
c) grafIque OC contra R 1 C
AR2

L
A

I,

r. ID1
B2
E

SCR
Vp sen wt

Fig. P.8.8 Circuito de control de potencia por fase donde 00 <0 < 1800.

8.9 Se tiene un TRIAC con las siguientes caracterIsticas:


l= 1.0+60I,

VGT= 1.5V, IGT-2OmA, te = lOj.tseg;


y un DIAC de las siguientes caracterIsticas:
Vs = 25 V,

I = l00j.tA,

e = 4.0 V.

Disene un control de potencia por fase (cuadrac) para una carga excitada
por 120 V rms a 60 Hz, y carga foco de 700W.
235

DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Para ci circuito de la Fig. P.8.9, obtenga:


a) el funcionamiento;
b) el ngulo de conduccin por ciclo en funcin del potencimetro y el
condensador;
c) criterios de diseflo de estos circuitos; y
d) las desventajas que presenta este circuito con respecto al del ejemplo 8.8

'UAC

Fig. P. 89 Circuito de control de potencia por fase en ci que las resistencias (R1 + P ) con.
sumen menos potencia.

8.10 Se tiene ci circuito de la Fig. P.8.10, que tiene un control de potencia en


ci cual ci disparo se hace en uno de los semiciclos: pero debido a la energIa almacenada en el condensador se puede asegurar que habr disparo en
el otro semiciclo.
a) Explique ci funcionamiento:
b) diga si se requiere D1 y, Lpor qu?,
c) obtenga las condiciones de disparo; y
d) obtenga los critenos de diseflo.

RL
VP Sen wt

T,
TRIAC

Ve
SCR

Fig. P.9.10 circuito de disparo esciavo para un TRIAC


236

T2

BIBLIOGRAFIA

BIBLIOGRAFIA
ANKRUN, PAUL D., Electrnica de los se,niconductores, Prentice Hall
International, 1974.
SCR Manual. General Electric, 4th edition, 1967.

237

CapItulo 9
DISPOSITIVOS OPTO ELECTRONICOS
DE ESTADO SOLIDO.

INTR ODUCCION
Muy poca gente en el ramo electrnico conoce que, dentro de los dispositivos
electrmcos que se usan en la actualidad, de los primeros que se tuvo noticia
son algunos de los ilamados optoelectrnicos. En 1603 el aiquimista italiano
Cascariolo obtuvo Sulfato de Bario al que llam lapis solaris (piedra solar) por
las caracterfsticas fosforescentes que present, constituyendo ste el primer
material luminiscente de que se tiene noticia. A mitad del siglo xix se observO
que en las barras de Selenio se producfan cambios en la resistencia, al hacer mcidir luz sobre ellas, obtenindose asi una fotoresistencia.
A partir de 1957 se ha venido desarrollando toda una serie de dispositivos
optoelectronicos de estado slido, los cuales presentan caracterIsticas muy diversas y para muy distintas aplicaciones. En el presente cap Itulo se estudian
algunos de los dispositivos electrnicos ms simples, poniendo especial nfasis
en su funcionamiento en base a las teorIas ya desarrolladas en los capitulos
anteriores.
Para entender cmo funciona un dispositivo optoelectrOnico, es necesario
considerar tanto la naturaleza de la radiacin incidente (intensidad, frecuencia,
etc.) sobre el dispositivo, asi como las propiedades del material de que est
fabricado el mismo (funcin de trabajo, afinidad electrnica, nivel de Fermi,
etc.).
La Luz visible y otras formas de radiacin se comportan como ondas electromagnticas que viajan a la velocidad de la luz (3 X 1010 cm/seg). En La Fig. 9.1
se muestran el espectro visible y algunas zonas cercanas en funcin de La longitud de onda y Ia frecuencia de las ondas radiadas (f A = c = 3 X 10l cm/seg).
239

DISP. OPT0ELFCrR0NIc0S DE ESTADO SOLIDO

10

ondas de mdio

5 X 1012

.L.

infrarrojo

1015

Sol

RayosX
Luz visible uliravioleta

4/

ultravioleta

Rayoscsmlcos

fraojo

, / //
940 - i000
3000 4000 5000 6000 7d00
1

sdoo

Figura 9.1. Espectro de radiaciones electromagnticas.


La unidad bsica para La intensidad de luz radiada es la candela (Se abrevia
cd), la cual es 1/16 de la intensidad luminosa que emite un centImetro cuadrado de radiador "cuerpo negro" a la temperatura en que ci Platino se solidifica.
La unidad bsica para el flujo luminoso es el lumen (2m) y se dice que una
fuente de luz puntual de una candela emite 47rQm, por Jo que en general el
lumen es una medida de flujo luminoso por unidad de ngulo slido.
La unidad para medir la iluminacin es el "lux" y se dice que una superficie
tiene una iluminacin de un lux si sobre ella incide un flujo luminoso de un
lumen por metro cuadrado (x = km/ml). Existen adems Las medidas de
pie-candela (foot-candle, Qm/pie2 ) y phot (km/cm').
El Sol en un dia luminoso da una iluminacin de airededor de 80000 Rx,
mientras que una iluminacin de 350-750 Qx es apropiada para una lectura normal. La iluminacin de luna ilena corresponcle a 0.2 2x.
La luminancia de una superficie es igual al flujo luminoso irradiado, o bien
a la intensidad de luz por unidad de area, y se encuentran distintas unidades
para medir este parmetro: el nit (cd/rn2); el stilb (cd/cm2); la candela por pie
cuadrado (cd/pie2).
Se conoce como temperatura de calor a la temperatura a la cual se tendrIa
que llevar un radiador de "cuerpo negro" para que emita una distribucin espectral similar a la que se est observando. AsI, por ejemplo, un filamento de
Tungsteno a 2 800'K tiene una temperatura de color de 2 870 K.
240

.1. CELDAS FOTOCONDUCTORAS

9.1. CELDAS FOTOCONDUCTORAS (FOTORESISTIVAS)


Las celdas fotoconductoras son elementos que normalmente se construyen a
base de un elemento homogneo el cual modifica la concentracin de portadores o la movilidad de los mismos en funcin de la intensidad luminosa incidente. Estos dispositivos modifican su conductividad por tres mtodos bsicos:
a) generacin de pares electrn-hueco (fotoco nduct ividad intrinseca)
b) generacin de electrones o huecos libres (fotoconductividad extrInseca);
c) variacin de la movilidad de portadores debido a radiacin electromagntica
de longitud de onda grande (incremento de temperatura), es decir, radiacin infrarroja o radio.
En la Fig. 9.2 se muestra la construccin tIpica de una celda fotoconductora, en la cual se puede apreciar que sobre el subestrato aislante se deposita un
material fotoconductor en una capa de algunas micras de espesor (normalmente
menor a lOOji), con elfin de que al ser la pelIcula delgada la radiacin penetre
en toda la muestra, obtenindose un buen efecto fotoconductor. Ya en la presentacidn fisica del dispositivo (Fig. 9,2-b), se depositan en la parte superior del
material fotoconductor los contactos metlicos en forma de peine, con la idea
de abarcar la mayor area posible y que el dispositivo presente una mayor sensibilidad.
Radiacin

metal
15gm

fotoconductor
metal

-r
Subestrato aislante

Figura 9.2. Construccidn tipica de una celda fotoconductora. (a) Detalle amplificado:
(b) presentacin fIsica.

El aumento en la conductividad del material por la incidencia de la radiacin se presenta debido a distintos mtodos de excitacin o generacin de portadores adicionales a los que se disponen Cinicamente por efecto de la temperatura, y tambin a distintos mtodos de recombinacin o atrapamiento de los
portadores libres. En la Fig. 9.3 se ilustran estos efectos.
241

DIS?. OPTOFLECFRONICOS DE ESTADO SOLIDO

Bandideconduccin

Banda
1'rohibida

00

"

6
E6

4
E4

Banch de valencia

Figura 9.3. Mecanismos de generacidn y recombinacin de portadores en un semiconductor.


Mecanismos de generacin y reco.nbinacin de porradores en un semiconductor
1. Excitacin de un electron de la banda de valencia a La banda de conducciOn,
generndose un par electrn-hueco. Se requiere tin fotOn de energIa mayor
oigualaEl .
2. ExcitaciOn de un electron de una imperfeccin a la banda de conduccin,
producindose tin electron libre en la banda de conducciOn y un hueco fijo
ligado a la imperfeccin. Se requiere de una energIa del fotOn excitador
mayor o igual a E2 .
3. TransiciOn de un electron de La banda de valencia a una iinperfecciOn, generndose un hueco libre y un electrOn fijo ligado a la imperfecciOn.
4. Un electron ligado se recombina con un hueco libre, liberndose una energIa E4 .
5. Un electrOn libre se recombina con un hueco ligado, liberndose una energia E5 .
6. Un electron libre se recombina con un hueco libre, liberndose una energla E6 .
9.1.1. Fotoconductividad
La conductividad de un semiconductor est dada por:
an = enz,

semiconductor tipo N.

La carga del electrOn, e, es una constante invariable, de manera que La


variaciOn en conductividad depender nicamente de la variacin de concentracin n y de La moviidad An . AsI:
La fl = ep,n+e,iz,1 ;
242

9. 1. CELDAS FOTOCONDUCTORAS

mci-

luego cualquiera de estas cantidades n, p,1 , que vane por efecto de luz
dente, ocasionar un cambio en la conductividad del dispositivo y por lo tanto
una variacin en la resistencia entre sus terminales. Para mayores detalles en
este tema se recomienda repasar ci capitulo 2 del tomo 1.
9.1.2. Comportamiento elctrico

La mayorfa de estas celdas se construye de peilculas de Sulfuro de Cadmio


(CdS) o de Selenium de Cadmio (CdSe). Para aplicaciones en el espectro visible
y cercano al infrarrojo, estos mateniales tienen un ancho de banda prohibida
grande (del orden de 10eV), por lo que en ocasiones se les denomina scmiaislantes. Estos mateniales son compuestos 11-VI (es decir, que se forman con un elemento de la columna II y un elemento de la columna VI de la tabla peridica) y
solamente se consiguen tipo N.
El comportamiento elctrico de estos dispositivos no se puede precisar
como en el caso de las uniones, debido a que el material se tiene en forma cristalina y adems los centros de atrapamiento y/o recombinacin juegan un papel
sumamente importante en el proceso de conduccin elctrica en el dispositivo,
y esto es difIdil de predecir.
Los centros de atrapamiento producen una ganancia de cargas, lo cual en
consecuencia produce una eficiencia cuntica mayor a la unidad. Por ejemplo,
Si se produce un par electrn-hueco por la incidencia de un fotn, y se tiene un
potencial aplicado entre los electrodos de la celda, es muy factible que el electrn se mueva hacia el nodo, pero sin embargo puede suceder que el hueco sea
atrapado por un centro de atrapamiento (mecanismo 2, Fig. 9.3), lo cual ocasiona que el ctodo introduzca un electron al material Para establecer las condiciones de carga; Si el hueco permanece atrapado un tiempo grande, permite que
entren varios electrones del ctodo que se mueven hacia el nodo, y entonces
por un fotOn incidente se pueden tener varios electrones en el nodo, efecto
que continua hasta que el hueco atrapado se libera, lo cual representa una
ganancia cuntica mayor a la unidad y depende de las imperfecciones del cristal
y de las impurezas que se agregan especialmente Para generar centros de atrapamiento.
Los fabricantes de estos dispositivos reportan un comportamiento representado por el modelo matemtico heuristico que se da en la ecuaciOn 9.1.2:
R=AH,

(9.1.2)

donde R es la resistencia del dispositivo en CD entre SUS terminales; A y a son


constantes, con unidades de 12-(mW/ cm2 ) y sin umdades respectivamente; y
H es la irradiaciOn en mW/cm2 .
243

DISP. OPTOELECRONICOS DE ESTADO SOLMO

En Ia Fig. 9.4 se da el comportamiento de una celda de sulfuro de cadmio


en funcin de la iluminacin tanto para la excitacin en CD como en CA.
I (mA)

1000 mW/cm2

CD
CA(rms)

::

100 mW/cm2

Hiprbob de diipacin
constante 500 mW.

20

10 mW/cm2

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220

Figura 9.4. Comportamiento elctrico de una celda fotoconductora.


1 flO

80

60
I-

. 40

20

0 Loe
4000

6000

8000

(A)

Figura 9.5. Respuesta espectral de una celda de CdS fotoconductora.


244

V(V)

9.1. CELDAS FOTOCONDUCrORAS


Temoeratura de color (2 854'K)

100

LS Temperatura
ambiente = 25C

P!PIII

Periodo de excitaein
2m seg.

--

C Se

--

U.

U1111NT1111

___

_iiui
111111 111111

uiuiiui
111I11

10

100 (m seg)
Tiempo de decaimiento

20

Figura 9.6. Tienipo de decaimiento de celdas de US y CdSe.

Ternperatura de color (2 854K)


200

C,

100
-

100 9-X

:9
CdS

20
l000Qx

10 9-x
10-

lOOQx

0 20 40 60 80 100 120
Temperature (C)
Figura 9.7. Coeficiente de temperatura para in fotoconductividad de celdas de US y CdSe.

245

DISP. OPTOELECTRONICOS DE ESTADO SO LIDO

9.1.3. SImbolo
En Ia Fig. 9.8 se muestran la construccin tIpica y el sImbolo ms empleado
para estos dispositivos.
Terminal uno

T1

(a)

(h)

Terminal dos

T2

Figura 9.8: (a) construccin tpica, vista superior; (b) simbolo de una celda fotoconductora.
9.1.4. Parmetros
TABLA 9.1
Parimetro

Valor

Definicin

Resistencia en la
oscuridad

RN

Es la resistencia que presenta la celda cuando se tiene


a] dispositivo en la ms completa oscuridad; normalmente se establece mayor a un valor de 10 Mfl.

Resistencia en la
luz

RL

Es la resistencia que presenta Ia celda cuando se tiene


en presencia de una iluniinacin; normaimente se
establece 100-300 92 @ 1 000 Rx.

Razn de
recuperacin

rr

Es la variacin de resistencia en el tiempo cuando se


pasa de la luz a la oscuridad y se establece, por ejemplo, rr > 500 K/seg.

Capacitancia de
la celda

C.

Es la capacidad entre las terminaciones del dispositivo.

Potencia de
disipacin

PD

Es la potencia que puede disipar el dispositivo sin que


se dafe.

Voltaje piCo

Longitud dc onda
pico

246

VP

xP

Es ci rnxiino voltaje que se puede aplicar entre los


electrodos sin que se vaya a carbonizar el fotoconductor por arco entre los electrodos.
Es la longitud de onda de la radiacin incidente, para
la cual se tiene la maxima sensibiidad.

9.2. 1OTODIODO

9.2. FOTODIODO
Un fotodiodo consiste en esencia de una union P-N polarizada inversamente, en
Ia cual la corriente inversa de saturaciOn se modula por la generaciOn de pares
electrn-hueco en La vecindad de la zona de vaciamiento o dentro de la zona
misma, debido a La excitaciOn mediante fotones incidentes. Normalmente se
debe alirnentar La uniOn de manera que no suceda La ruptura. Dentro de estos
dispositivos se cuenta con una familia cuyo comportamiento es similar, y estos
son: ci fotodiodo PIN, el fotodiodo PN, el fotodiodo metal-semiconductor, ci
fotodiodo de heterounin. Consideremos brevemente el caso de un fotodiodo,
su respuesta en frecuencia, La variacin de la corriente inversa con la iluminacion, la potencia disponibie (o manejable) y La relacin sefial a ruido de estos
dispositivos.
En la actualidad estos dispositivos se fabrican de silicio o germanic.
9.2.1. Funcionamiento
Para explicar el funcionamiento de este dispositivo recurrimos at diagrama de
bandas de energIa de una union PN, considerando que la regiOn P es bastante
pequea que permite que la generaciOn de pares eiectrOn-hueco ayude a aumentar la corriente inversa. En La Fig. 9.9 se muestra este diagrama.
Zona de vaciarniento

Superficie
Figura 9.9.

Banda tic valencia

Diagrama de bandas de un fotodiodo de uniOn polarizado inversamente.

Si se excita el dispositivo con un fotn de energIa hp y ste produce un par


eiectrOn-hueco, ci hueco ser atraIdo hacia la terminal polarizada negativamente (superficie del dispositivo), mientras que el electrOn generado se resbalar
por la banda de conduccin hacia Ia terminal positiva.
247

DISP. OPTOELECTRONICOS DE

Si se considera que a mayor intensidad de luz incidente Sc tiene una mayor


generacin de pares electrn-hueco y se sabe que auri en ausencia de radiacin
ya existe una corriente de fuga I, y adems se puede prever que al aumentar La
polarizacin inversa la corriente aumentar debido a que se reduce la razn de
recombinacin de los portadores generados, se puede proponer un modelo matemtico que cstablezca el comportamiento de estos dipositivos, como sigue:
I=I0 +kH+HV,

(9.2.1)

donde:
I es la corriente de fuga en la oscuridad;
II es la irradiacin dentro de un rango de frecuencias;
k es una constante de proporcionalidad de iluminacin; y
es una constante que da la variacin de I con el voltaje para
una irradiacin constante.
Los valores de k y
dispositivo.

dependen de la longitud de onda con que se radie el

9.2.2. Caracteristicas
En las siguientes grficas se muestran las caracterIsticas de un fotodiodo tIpico
de union difundida, de silicio.

10

11

12X(103

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

100
'

A)

80
60

40
20
0

Sc considera igual valor dc irradiacin en todas las frecuencias

Figura 9.10. Respuesta espectral de un fotodiodo de siliclo.


248

x (rnicras)

9.2. lOTODIODO

La respuesta espectral de un dispositivo optoelectrnico nos muestra la


respuesta relativa del mismo a distintas longitudes de onda. Por ejemplo, con
igual intensidad de luz incidente en el dispositivo responde al 50 por ciento
tanto en 6000 A como en 9 800 A, es decir, dar la niitad de la corriente para
el mismo voltaje de polarizacin.
400
350

II\bIII_

30C

lrradiacin en un raneo de
0.7 micras a 1.1 micras.
segn filtro CS7-69 de
Corning a T = 25C

MI
4 n,W /cni
50

IIIITT'2
20

10

30

40
50 (V)
voltaje de polarizacin

Figura 9.11. Variacin de la corriente inversa del fotodiodo de union en funcin vertical de
la polarizacin y de la irradiacin L..

La irradiacin dentro de un rango de frecuencia se define comb:


W. 1

(9.2.2)

=
donde W, es la potencia (W/m) radiada en ci pequeflo ancho de banda dX y
normalmente clepende de X, y A es el area sobre la que se est radiando. Por
ejemplo, en el caso de la Fig. 9.11 se tiene una irradiacin entre 7000 A y
11 000 A, lo cual nos da A1 y A2 , y el area es de I cm2 ; por eso las unidades de
Er son mW/cm2 .
249

DISR OPTOELLCTRONICOS DE ESTADO SO LIDO

600

uiiiiiugi

500

400

30(

MEMIN MEMO
MMjAMES
40AM
ME ummommMA

Filarnento de Tutisti') operado


en 2 870K de tetnperatura de color

,,
-i

20(

uuriuuia
MEREERWEEN

IN

WWSMMMIMIMMMI

..iuuuuua

2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
Irradiaejn (mW,'cm 2

Figura 9.12. Variacin de la corriente del fotodiodo con la irradiacidn y con el voltaje de
polarizacin aplicado.
105

102

'
004

o.oiLL I
-100

-50

/
ti
0

50
150
100
Tcmperatura (C)

200

Figura 9.13. Variacin de Ia corriente en la oscuridad con la temperatura.


250

9.2. FOTODLODO

3
4

111111MINHIM11111110
IIIIIIhUIIIIIflhIIIIiG!U
uuInoIuIrnIIIIIuuulIIIIILl
UIIIIIHlIIHIIllhIIllhIIII
IIINIHIIINIII!UUIHhIIi!
kta~ff

j:L.ucnia de la inodulacin lurninosa (ciclos/seg)

Figura 9.14. Respuesta en frecuencia de un fotodiodo de union tipica (frecuencia de corte


20 KHz).

9.2.3. SImbolo
En la Fig. 9.15 se muestra en detalle la construccin de un fotodiodo de union
y el sImbolo mds empleado para representarlo.

Ientt

oT1

I':
LI

sdilado de vjdrjo

K
terfl)inales

(a)

(h)

(c)

Figura 9.15: (a) construccin tIpica de un fotodiodo; (b) srnbo10 del fotodiodo de union
(cuidar polaridad); (c) simbolo del fotodiodo doble (no importa polaridad).
251

DISP. OPTOELECRONICOS DE ESTADO

9.2.4. Parmetros
TABLA 9.2
Parirnetro

Valor

DefInicin

Corriente en La
oscuridad

J,

Se define como La corriente de saturacin inversa del


diodo formado y se mide en completa oscuridad.

Corriente con iuz

IL

Se define como La corriente con una cierta irradiacin


de luz y a un voltaje de polarizacin dado. For ejemplo. 'L = LOO MA, E = 9 mW/cm2 @ 10 V.

Capacidad total

CT

Es La capacidad que se mide entre las terniinales del


dispositivo; se especifica la frecuencia a la cual se mide y el voltaje de polarizacin.

Voltaje de ruptura

Vn

Es el voltaje de ruptura de la union PN que forma el


dispositivo; se mide con la irradiacin nula.

Tiempo de subida

tr

Es el tiempo en que la corriente pasa de la corriente


en la oscuridad a 90 por ciento de Ia corriente final
(seg(in la irradiaciOn).

Tiempo de bajada

If

Es ci tiempo que tarda en pasar de 90 por ciento de


la corriente que tenIa el dispositivo a 10 por ciento
de sta, al suprirnir la irradiaciOn.

Potencia de
disipaciOn

Es La potencia que puede disipar el dispositivo sin


daflarse.

Ganancia de
fotocorricntc

GF

Es La razn de la corriente en voltaje alto a la corriente en voltaje bajo para una misma irradiacin.

Sensibilidad a La
irradiacin

S1

Se define como la variacin de corriente con la irradiacin para un voltaje de polarizaciOn constante.

SI

252

at
=

9.3. DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)

9.2.5. Circuito equivalente


En este caso, para poder establecer un circuito equivalente para este dispositivo,
es necesario trasladar el concepto de corriente por una fuente de corriente
dependiente de la irradiacin, es decir:
(+) K
ctodo

Figura 9.16. Equivalente de un fotodiodo,


dnodo

-)

.4

donde: RFD=
Ercte

9.3. DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)


El dioc3o emisor de luz o LED toma su nombre del idioma mgls (Light Emitting Diode) y, como su nombre lo indica, es un dispositivo que al polarizarse en
sentido directo emite radiacin electromagnetica, que va desde el infrarrojo al
visible, dependiendo del ancho de la banda prohibida de los semiconductores
empleados al hacer La union P-N.
Estos diodos constituyen la primera lmpara de estado slido de que se
tiene noticia y presentan caracteristicas muy interesantes, para que en el futuro
se pueda ahorrar energIa elctrica en La producciOn de energIa luminosa.
9.3.1. Funcionamiento del dispositivo
Al tener una uniOn PN polarizada directatnente, sucede un fenOmeno de conducciOn en el cual se inyectan portadores a travs d la zona de vaciamiento
hacia La region opuesta y al ilegar a sta se recombinan, tal como muestra la
Fig. 9.17.
N

--

Figura 9.17. Una uniOn PN polarizada directamente con una alta razn de rccombinacin.
253

DISP. OPTOELECFRONICOS DE ESTADO SOLIDO

Un electron (portador mayoritario) del lado N (punto A) se mueve hacia el


lado P por la polarizaciOn aplicada. Al difundirse en el semiconductor P es fcil
que se recombine, debido a que en este lado pasa a ser un portador minoritario.
Al suceder la recombinacin se tiene una ernisin espontdnea de radiaciOn de
valor,
hu = E.

(9.3.1)

Si se disefla el semiconductor empleado de manera que la longitud de onda


de la radiacin emitida caiga en el espectro visible, la radiaciOn se podr ver
Asimismo se requiere que en este caso el semiconductor P se encuentre muy
cercano a la superficie para que la radiaciOn pueda salir fuera del dispositivo.
AsI, si se analizan las caracteristicas que dan los fabricantes, se puede concluir que al aumentar la corriente en el dispositivo aumenta la intensidad luminosa de radiaciOn, siguiendo una ley casi lineal, es decir
11=10 + kIF,

(9.3.2)

donde:
k
1
11
Ip

es una constante de proporcionalidad;


es la corriente inicial;
es la intensidad luminosa relat iva: e
es la corriente en sentido directo que pasa por el dispositivo.

Estos dispositivos se yen seriamente afectados por la temperatura, es decir,


que at aumentar sta la intensidad luminosa de salida disminuye, siguiendo una
ley de la forma:

H= H0e

t .250)15

, donde 1J, es medida a T= 25C.

(9.3.3)

La eficiencia de un LED a temperatura de 25C es del orden del 10 por


ciento, por lo que es necesario Ilevar los dispositivos a temperaturas muy bajas
para que la eficiencia aumente y entonces prcticamente toda La energia elctrica se convierta en energIa luminosa.
9.3.2. Comportamiento elctrico
ilustramos el comportamiento elctrico de estos dispositivos mediante grficas
que los fabricantes de los mismos proporcionan..
254

9.3. DIODOS EMSORES DE LIJZ (LED)

1.2

-J-

-1------r-- -.

respuesta

os_

TJ

TungSteno

LED O

21__.4
rf---- 9-\----i---

respuesta de

0.4--

TIL2

0.3

0.4

0.5

0.6

07

de Silicio

1.0

0.9

0.8

111

1.2

(micras)

Figura 9.18. Respuesta espectral relativa del ojo humano, LED visible, LED infrarrojo, fotodiodo de Silicio, y filamento de Tungsteno.

1
0.7

0.6
0.5
O.3

0.2

0.2

0.1
6000

6200
(a)

6400

6600

6800
?(ft.)

7000

--

---fL
-L

v-

05k J
0.4 .,t
.I f
._
-- .
0..3

0.4

:_vIJ__ _

5400

5500

5600

5700

5800

5900

(h)

X(A)

Figtira 9.19. Respuesta espectral relativa de: (a) LED visible rojo;(b) LED visible verde.
255

DISP. OPTOELECTRONICOS DL

rz

0.01
Corriente directa IF (mA)

Figura 9. 20. Intensidad luminosa relativa respecto a la corriente en el diodo (T= 25C).
4

1F'00 mA
1.0

75mA

0
0
0

mA
0.1
10

0
0

0.01
5

125

Temperatura del encapsulado 7 (C)

Figura 9.21. Variacin de la intensiclad Iurninosa relativa (potencia luminosa) en funcin de


la temperatura a distintas corrientes del diodo.
256

9.3. DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)

100

10

0.1
0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

Voltaje directo VF (V)

Figura 9.22. CaracterIsticas en sentido directo de un diodo emisor de kiz (LED) de arseniuto de galio (GaAs) en sentido directo.

1.2
1.0
0.8
0.6

0.4
=
0.2
0
300 200 100 0 100 20 30
Desplazamiento angular 0

LED

Figura 9.23. Intensidad luminosa relativa respecto de la desviacin del eje ptico del dispoSitivo.

257

DISP. OJ'TOELECrRONICOS DE ESTADO SOLIDO

9.3,3. SIwbolo
La construccin tipica y ci sfmbolo ms usado para este dispositivo se muestran
en la Fig. 9.24.

\\

dia cin

t /77

ante

nodo ctodo
(a)

Figura 9.24: (a) construccin tIpica dc un LED; (b) su simbolo ms empleado.


9.3.4. Parmetros
TABLA 9.3
Valor

ParImetro

Definicin
Es el voltaje rnxirno que se puede aplicar inversamente al diodo sin que se dane.

Voltaje inverso
niiximo
Corriente en sentido
directo promedio

I.

Es la corriente promcdio que se puede aplicar continuamente sin que se dane el dispositivo.

Intcnsidad
luminosa

H,

Se especilica en candelas y se da el dato pam una


cierta corricntc. Por ejcmplo:
H=5mcd@ 1F= 25

258

9.4. [OTOTRANSISTOR

TABLA 9.3 (cent...)


Parmetro

Valor

Definicin

Longitud de
onda pico

N J,

Es la longitud de onda para la cual el diodo da mayor


intensidad luminosa.

Corriente inversa

fill

Es la corriente en sentido inverso en el diodo se espe.


cifica para qu voltaje. Pot ejemplo:
IR = lj.zA @ VR = 3.0 V.

Voltaje directo

VF

Es el voltaje tIpico directo y se especifica a qu corriente. Pot ejemplo:


VF=! 1.6V @ IF=2Om1\

Tiempo do
subida del
impulse luminoso

trL

Es el tiempo que tarda el impulse luminoso en ir del


10 por ciento al 90 per ciento del valor final de La
intensidad Iuniinosa.

Tiempo de
caida del
impulso luminoso

tIL

Es el tiempo que tarda el impulse luminoso en decrecer del 90 por ciento al 10 per ciento de La intensidad
a la que estaba funcionando.

Capacidad del LED

CL

Es La capacidad que presenta entre sus terminales.

Corriente pico

Es la maxima corriente que so puede sumin.istrar al


LED sin que ste so dafie. Antes de repetir la dosis so
debe dejar enfriar.

Potencia de
disipacin

PD

Es la potencia que puede disipar el LED sin daarse.

9.4. FOTOTRANSISTOR
El fototransistor es bsicamente un fotodiodo que alimenta la base de un transistor bipolar, conjugando asi las caracteristicas del fotodiodo con la ganancia
de corriente que proporciona el transistor bipolar. En La Fig. 9.25 se ilustra el
equivalente del fototransistor, su construccin interna y su sImbolo.
259

DISP. OPTOELECTRONICOS DE ESTADO

Por lo tanto, comprendiendo cmo funcionan un fotodiodo y un transistor


bipolar, es sencillo entender el comportamiento de este dispositivo: lo niisrno
que entender las hojas de especificaciones y caracterfsticas que dan los fabricantes.

hi
Th

(a)

(c)

(I)

Figura 9.25: (a) equivalente de un fototransistor con un fotodiodo y un transistor bipolar;


(b) sImbolo de un fototransistor con base exterior; (c) sImbolo de un fototransistor sin base
exterior; (d) construccin tIpica de tin fototransistor.

9.5. DIODO CONTROLADO DE SILICIO ACTIVADO POR LUZ (LASCR)


El diodo controlado de silicio activado por luz, o LASCR, toma su nombre del
ingls (Light Activated Silicon Controlled Rectifier) y consiste fundamentalmente de un SCR comUn con un fotodiodo interno que conecta las partes
internas del disposirivo activado por medio de la luz incidente en la compuerta
de ste, llevridolo a saturacin. En la Fig. 9.26 se mustra esta equivalencia. la
construccin interna y el sImbolo de este dispositivo.
Los datos adicionales que da el fabricante en estos dispositivos son: Ia respuesta espectral y la irradiacin minima que asegura el disparo.
260

9.5. DIODO CONTROLADO DE SILICTO ACTIVADO POR LUZ (LASCR)

radacin
comp

kG

ctodo

9 inodo

hi,

F otodiodo

uer1i
'K

Kt0d0

(a)

(b)

(c)

Figura 9.26: (a) construccin interna del LASCR; (b) equivalente del LASCR con dispositivos discietos y fotodiodo; (c) sfmbolo del LASCR.

pm

DISP.O]vFOELECrRONICOSDEESTADOSOLlDO

Li [;MPLOS
Ejemplo 9.1. Se tienc una celda fotoconductora de US que presenta una resistencia de 100 K2 cuando la irradiacin es de 0.5 mW/cm2 . y una resistencia de
20 KR cuando la irradiacin es de 20 mW/cm2 . Obtenga el valor de la resistencia que presentar el dispositivo para cuando la iluminacin sea de 200 mW/cm2 .
Grafique la variacin de Ia resistencia, si la celda puede disipar 750 mW.
Solucin:
Utilizando el modelo matcmtico dado en la expresin (9.1.2) se pueden obtenerA y:
100 K2 = A(0.5)- 2,
20 K&2 = A(2O)-aa.
Entonces:

14

10
(0.5)

sustituyendo, se obtiene:
( 20 -a
0.5 )

20X io

5
=0.44.
n 40

Qfl

sustituyendo el valor de a en 1a ecuacin de .1 obtenernos:

MW

A = 7371346(mW )'.

262

EJEMPLOS

Luego, en general, la resistencia del fotoconductor es:


R = 73 713.46
AsI, para

H0A4

H = 200 mW/cm2
R = 7 162 U.

Tomando distmtos valores se puede obtener Ia grfica de La Fig. E.9.1

Figuza E.9.1. Grfica de La variaciOn de la resistencia con Ia mtensidad de la Iuz incidente


en La celda fotoconductora.
Ejemplo 9.2. Dados La celda fotoconductora del ejemplo anterior y el circuito
que se muestra, calcule La potencia que se disipa en ci foco en funciOn del voltaje
aplicado, considerando que el foco tiene una resistencia hmica de 50 S2 y una
eficiencia de conversion de energIa elctrica a energia luminosa de 10 por cien263

DISP. OFrOELECrRONICOS DE ESTADO SOLIDO

to, que es una fuente puntual de energIa y que la celda est separada 2 cm de la
fuente luminosa.
2 cm

-I-

pi

50 n/800 w
luente puntual

50 K
= 100

(a)

Figura E.9.2.1: (a) diagram a de un regulador luminoso ; (b) esquema ptico siinuLado.
Solucin:
Para obtener La irradiacin sobre la celda se necesita que de la potencia elctrica
que est disipando la lmpara se obtenga la potencia lummnica en W, y de
ahf, en funcin del area de La esfera de 2 cm de radio, se obtenga la irradiacin
en W/cm2 .
Luego:

P= RI2 = 50/ 2

(E.9.2.l)

La potencia luminica ser 10 por ciento de la potencia elctrica, es decir:


PL= 0.1P= 5J2 ;
entonces, la irradiacin H estar dada por:

(E.9.2.2)
(E.9.2.3)

- 12
4irr2 - 47rr2
0.099512 W/cm2 (a r= 2cm,

112
112
264

995/2 mW/cm2 .

( E.9.2.4)

EJEMPLOS
La corriente de base estar dada por:
t;1B4Q

R,h = R//Rx.
/

T Vth

______

R + R Ic

th

de donde:

VRe,,

IB

(E.9.2.5)

RxV/(Rx+ R) V
'B = RR/(R + R)
Vcc
12 = R -

+ -a-) VBE.

(E.9.2.6)

Tomando en cuenta que 1c = 13I I, y que RX = AH


tuyendo en la ecuaciOn (E.9.2.6), obtenemos:

-a

= A(99.512 )-a , y susti-

_______
= j3 -p--vcc
IA(99.512 1a + +113T'E = 1,
P= RI

(E.9.2.7)
(E.9.2.8)

Luego, el procedimiento para obtener I ser utilizar m&odos iterativos en la


ecuacin (E.9.2.7) y sustituir este valor en la ecuacin (E.9.2.8), quedando
resuelto el problema. En esta forma se tienc Ia siguiente tabla:
Vcc(') 1(A) para 2 cm P(W) para 2 cm
10
20
40
60
80
100
150
200

0.20
0.39
0.77
1.15
1.53
1.91
2.86
3.82
=

2.0
7.6
29.64
66.12
117.0
182.4
409.0
729.6

1(A)para 1 cm
0,190
0.370
0.730
1.090
1.460
1.820
2.740
3.660

5f 2 = 397.9 12
mW/em2 @ r= 1 cm.
4.2

P(W) para 1 cm
1.80
6.84
26.64
59.40
106.60
165.62
375.38
669.78
(E.9.2.9)
265

DISP.OP'FOELECrRONICOSDEESTADOSOLIDO

Se aprecia en este sistema que al acercar la celda fotoconductora al foco se


reduce La potencia del mismo.
8

&

rn
4
2(

(V)
10

50

100

150

Figura E.9.2.2. Gthfica del eomportamiento del circuito del ejemplo tratado.

Asiinismo se observa que, si se quiere tener un mejor control, se requiere de


una celda de mayor sensibilidad que la que se est empleando.
Ejemplo 9.3. En un proceso industrial se tiene una mquina de secado de pintura por radiacin, tal como se muestra en la Fig. E.9.3.1:

Placa con
pintura frcca

Figura E.9.3.1. Proceso de secado de pintur4.

Si los operarios dejan la placa durante un tiempo fijo, sucede que en ocasiones no se tiene La misma calidad porque la Ilnea que alimenta La lmpara est
variando mucho. Por tanto, se quiere diseflar un circuito que apague la lmpara
cuando se haya satisfecho la cantidad de irradiacin necesaria para Ia calidad
que se necesita y avise mediante una alarma luminosa. (Los tiempos de secado
varlan de 10 segundos a 60 segundos.)
266

EJEMPLOS
Solucin:
Filosofla del disego. Se sabe que una celda fotoconductora varfa su resistencia
con la irradiacin que Ia excite. La irradiacin cst en funcin cuadrtica de las
variaciones del voltaje de la Ilnea y to que el sistema electrnico deber controtar es el tiempo que dure la irradiacin; es decir, debemos mantener el producto
de irradfacin por tiempo independiente del voltaje de linea. 0 sea:
donde:

I-Ipt = cte,
H es la irradiacin sobre la pintura a secar.

Si la fotocelda se utiliza para cargar el condensador de un oscilador de relajacin UJT, se puede pensar que:

iT
R2

Figura E.9.3.2. Circuito fundamental de un oscilador de relajacin UJT (ver capItulo 7).

Del capltulo 7, considerando que el condensador se carga a partir de 0 V.


podemos escribir:
vc= V(1_eth1 C)

(E.9.3. 1)

Cuando V. = q VBu + VD + VR 2 , entonces t = tc . Por lo tanto, sustituyendo


en la ecuacin (E.9.3.1), obtenemos:
tc = RCQn 1

VB

- 77

- VD -

(E.9.3.2)

es la eficiencia luminica, es decir, qu tanto por ciento de la potencia


Si
elctrica en la Irnpara se convierte en radiacin til sara ci proceso (pudiendo
ser radiacin infrarroja o visible), RI, es hi resistencia de la lmpara al voltaje de
operaciOn i (se considera RL = cte) y aden'is se conoce que Ia intensidad de
irradiacin es inversamente proporcional al cuadrado de la distancia entre la
267

DISP. OPTOELECTRONICOS DE ESTADO SOUDO

fuente lumiriosa y el objeto: entonces. la irradiacin sobre La placa de pintura


sera;
2
Ti 2
I H E933
" 47rd2 - 47rd2 RL
Luego, para que Hptc sea una constante, se requiere que R vane inversamente a V para que al efectuar el producto el voltaje de la lInea se cancele y
quede una constante.
En general la irradiacin sobre la celda fotoconductora ser:
Hc__ RI,72
donde
Luego:

(E.9.3.4)

47rr2

2 es la eficiencia luminica apropiada para la celda (normairnente


R, es la resistencia de la lmpara y VL es el voltaje de alimentacin.

R= Af-4 = A

72

V2
RL 41rr2

K.
=

( E.9.3.5)

Pci lo tanto se requiere buscar una celda fotoconductora que tenga un exponente ci unitario, lo cual no es tan difIcil dentro de celdas comerciales de
sulfuro de cadmio en que Ilegan a tener exponentes hasta de valor cuatro, exponente que norrnalmente depende de la qulmica y la geometria del dispositivo.
Diseo.

Se propone el siguiente circuito:

Il'-Figura E.9.3,3. Circuito propuesto para ci control de secado de pintura.

268

EJEMPLOS

110
Ldmpara
celda
fotoconductora
posidn
movd

Figura E.9.3.4. Montaje del proceso de seado de pintura.

En el montaje se puede cambiar la posicin de la celda fotoconductora,


cambiando con esto la resistencia que presenta la misma y variando en consecuencia el tiempo de secado; sin embargo, al cambiar la posicin se tendr un
producto Hptc que permanecer constante.
En este caso se diseflar la parte correspondiente al circuito donde se encuentra la celda fotoconductora; el resto el lector puede hacerlo considerando
que en los capitulos anteriores se han dado las bases.
Si el UJT que se emplea tiene las siguientes caracteristicas77 = 0.65, RBB = 5 Kf2,

VD = 0.8 V;

ci diodo Zener:
VZ =l5V@5OmA.PD =IW.rZ =5Z,
Y la celda fotoconductora:
A=25ocl(W)a.
cm2
= 0.4,

72

= 0.05.

Para el circuito se propone R2 = 100 E2 .


En condicionesnormales VL = 120 V;R, = 13 Q yd= 20 cm.
269

DISP. OPTOELECRONICOS DE ESTADO SO LIDO

Por condiciones mecnicas y trmicas la rmmn jma es de 10 cm (ver Fig. E,9,3.4)


y el tiempo tcmffljmo que se desea es de 10 seg. Por lo tanto, determinando La
Rx de la fotocelda, en este caso tenemos:
250

(120)2
[0.05 13 X 47r X 10 2

R x = 5672.0 2.
De la ecuacin (E.9.3.2) calculamos ci valor de C que nos permita tener on
ticmpo tCmInimo de 10 seg:
tCmmnimo
(E.9.3.6)
RQn [VB/(VB - - V2)] '
Ya ue RBB > R2 , podemos considerar que r'
Entonc.es:

0.

10
= 5672 n [151(15 - 0.65 X 15 - 0.8)] f

C 1450 ef

se propone C= 1500 jLf@ 16 V.

Para que el tiempo sea de 60 seg, necesitamos que R sea 6 veces mayor a la
que se tiene (5672fl); esto se logra modificando la distancia entre la lampara
y la celda fotoconductora, es decir:

1/2
r = 10(6) cm = 24.49 cm;
con lo cual se satisface el problema.
La potencia disipada en la lmpara es:
'L = VI/RL

(E.9.3.7)

FL = (1202/13) W = 1107W.
Dc la ecuacin (E.9.3.3) determinamos la irradiacin H sobre La pintura: esto
es:
- 0.4(1107) W/cm
H
2 = 88 mW/cm2 .
4ir(20)2
La irradiacin ya en La prctica se debe mejorar enormemente con reflectores, con lo cual se lograrla un secado ms rpido y uniforme.
270

EJEMPLOS

Al operar el circuito, y debido a que los interruptores de botn J e 12 estn


conectados a la misma flecha (puede ser un solo interruptor de 2P1 T), se apaga
el SCR y se descarga C simultaneamente.
Ejemplo 9.4. Para el fotodiodo cuyas caracteristicas se muestran en la Fig. 9.11,
obtenga la ley de comportamiento (9.2.1) y verifique los resultados.
Solucin:
Debido a que la expresin (9.2.1) tiene tres incgnitas, k, 4 y , haremos una
serie de ecuaciones simultneas para encontrarlas, usando Los puntos:
a)
b)
c)
d)

V=
V=
V=
V=

11= 9 mW/cm,
11=9mW/cm2 ,
H= 4 mW/cm2 ,
H= 2 mWk.m.

20V,
IOV,
40 V,
40 V,

1= 200 x 106
1= 170X 10
1= 100 X 106
1= 57 X 10-6

A;
A;
A;
A.

Luego, sustituyendo los puntos a) y b) en Ia expresin (9.2.1). obtenemos:

4 + 9() (20) + 9k,


170 X 10.4.= 4 + 9(r) (10) + 9k.
200 X 10 A =

(E.9.4.1)
(p.9.4.2)

Restando (E.9.4.2) de (E.9.4.1), queda:


30 X

= 90

de donde:
= 0.33 x 10 6 (A-cm2 /mW-V).
Sustituyendo los puntos c) y ci), tenemos que:
100 x 106 =
57 X 10

4 + 4() (40) + 4k,


= 4 + 2(r) (40) + 2k.

(E.9.4.3)
(E.9.4.4)

Multiplicando (E.9,4.4) por dos y restando de (E.9.4.3), se obtiene:


= 14X 10-6 A.
Sustituyendo los valores de e 4 en (E.9.4.2), tenemos:
X 10 6 (A-cm2 JmW),
9
k= 14X 10 6 (Ac1n2 /mW).
271

DISP.OPTOELECTRONICOSDEESTADOSOLIDO

Luego, la ley que rige el comportamiento del diodo formado ser:


1= (14X 10 6 + 14X 106 H+0.33X 106 HV)A.
Si checamos en algUn purito que no se haya considerado para el anlisis se
obtendr, por ejemplo:
H = 9 mW/cm2 ,

V = 30 V.

I = 229)< I 0 A.

lo cual concuerda serisiblemente con la cm-va mostrada en la Fig. 9.11 y demuestra que el modelo matemtico propuesto en la ecuacin (9.2. 1) es razonablemente aproximado.
Ejemplo 9.5. Se tiene un fotodiodo cuyas caracteristicas se muestran en la Fig.
E.9.5.1 y se quiere emplear este dispositivo como detector de informacin que
viene contenida en un haz luminoso de las siguientes caracterIsticas:
H = (4 + 2 sen wt) mW/cm2 ,
y se quiere obtener un voltaje pica de 10 V. Si w = 100,000 rad/seg. calcule Ia
impdancia de carga y el voltaje al cual se debe polarizar el diodo.
(&A)
450
400

16mWIcm

350
300
V

250
m W/cm 2
4-

200

c 15C 7.t

_______ ______ _______ ______ - 4 mW/cm2


100
I
________

50

01

.kj-2

10

20

2 mWd
I

30

40

50

Vottaje de polarizacin

Figui-a E.9.S.1. Caracteristicas del fotodiodo a emplear.


272

60

(V)

EJEMPLOS

Solucin:
Proponindose inicialmente 30 V. el dispositivo debe polarizarse de la siguiente
forma:
VL = 30 V

Figura E.9.5.2. Polarizacin del fotodiodo para deteccin de la senal alterna.


Al observar las grficas de Ia Fig. E.9.5. 1, se puede concluir que para tener una
salida pico de 10 V, con una variaciOn de 2 mW/cm 2 en la irradiacin, esto es:
Si

VD = 10 V, I= 67 IAA,

H = 4 mW/cm2

VD = 20 V.

H = 2 mW/cm2

I = 42 IAA,

entonces se requiere una resistencia de carga de:


R=

-)O 10
12,
(67- 42) 10-6

R=400KTZ.
Si la impedancia R es solo de 400 K2 resistivos, entonces, para una fuente de
30 V, la recta de carga dana:
400)< iO

A.

1=75x 10r6 A.
Esta recta de carga se ye trazada en la Fig. E.9.5.1 y se puede apreciar que
no es convemente, pues dana mucha distorsiOn por la localizaciOn del punto de
operacin. Para resolver el problema se propone situar el punto de operacin en:
VD = 20 V. I = 77 x 10-6 A.

H = 4 mW/cm2
273

DISP. OPTOELECTRONICOS DE ESTADO SOLIDO

Finalmente, el voltaje 1'j de la fuente ser:


VL = V+RI,
'j= (20+400000X 77x 10 6 )V,
l'j = 50.80 V.

entonces:

Luego ci circuito final queda:


I

1, =50 V
11
400 Kc2
p

(20 + 10 sen wt) V

He

'
-

Figura E.9.5.3. Circuito final del detector a fotodiodo.

Ejemplo 9.6. Se tiene un circuito disenado para que la lnipara Sc encienda en


el momento en que la iluminaciOn empiece a decacr, de manera que cuando se
tenga maxima oscuridad la lmpara est totalmente encendida. El fototransistor
empleado es el de la Fig. E.9.6.1, cuyas caracteristicas se muestran en la Fig.
E.9.6.2.

Lmpara

1+

1,13 = 20 V -

UJT

Ti
TRIAC

T11
Ti

Fob
transistor

Figura E.9.6.1. Circuito de encendido proporcional a la ausencia de iluminacin.

274

120 'rms
60 H.,

EJEMPLOS
(mA)
10

de

09

110 mW/cm

(NI

Q1

Voltaje de colector-emisor

Figura E.9.6.2. CaracterIsticas estiticas del fototransistor empleado en el circuito de la Fig.


E.9.6. 1.
Solucin:
Se puede diseflar ci circuito para que cuando se tenga oscuridad la frecuencia
del oscilador de relajacin sea elevada (comparada a los 60 Hz de la Ilnea de
a1imentaci6n) por ejemplo de 5 KIiz.
Si para el transistor UJT se tiene:
,=0.6,

V0 =0.8V.

V=3V

yyaque:

Vpr1V B .

entonces:

V, = 0.6 x 20 V= 12 V.

Si se quiere que la Impara est siempre apagada cuando la irradiacin sea de


10 mW/cm2 o mis, entonces La cafda en ci transistor Q debe ser de 12 V o
mis para no permitir que ci condensador se carguc mis arriba del voitaje pico y
cese La oscilacin. Si se traza una recta de carga sobre las curvas del fototransistor, con estos datos se obtendri:
J_to_

'BB

I
4x103 =s000a

Usando las expresiones del ejemplo 7.2 (capItulo 7), se tiene:


BB

v/flaa

D
275

DISP. OPTOILECFRONICOS DE EST ADO SO LIDO

dedonde:
RJ2n[(V
C= 95 X 10

f.

Se propone C= 0.1 Mf@ 25 V.

Para obtener la potencia en la lmpara al variar la irradiacin se tiene que


sustituir ci fototransistor por su equivalente, obtenlndose para el circuito de
carga del condensador C, lo siguiente:

_Lt

VB =20 V

VB - F/KR

= 0.! f

0.1 pt.

Fig. 9,6.3: (a) equivalente de carga para el condensador del oscilador de relajaciOn:(b) equivalente del circuito de (a) eliminando la fuente HK.

En la Fig. E.9.6.3-b se observa que el voltaje en ci condensador es:


VC = (V - HKR - V) (1 - e

('1?)+

VT ,,

(E.9.6.1)

donde V, es el voitajc dc valle para ci transistor inonounin que se emplea en ci


oscilador de relajacin.
Teniendo la ecuacin (E.9.6.1) se puede obtener la frecuencia de oscilaciOn
en funcin de la irradiaciOn, y con esto el lector puede obtener la dependencia
de la potencia alimentada a una Idmpara dada en funcin de la irradiacin sobre
el fototransistor.

276

PREGUNTAS

PREGUNTAS
9.1

,En qu consiste la fotoconductividad?

9.2

LCudles son los fenrnenos que se presentan en los materiales fotoconductores que permiten la existencia de fotoconductividad?

9.3 A las radiaciones elect romagnticas de frecuencias ms pequeflas que las


correspond i ent es al espectro visible se les llama:
9.4 A las radiaciones electrornagnticas de frecuencias rns elevadas que las
del espectro visible se les llama:
9.5
9.6

ZCuAI es la unidad bsica de intensidad lurninosa?


CuI es la unidad bsica de flujo luminoso?

9.7

ZCudl es la unidad bsica de iluminacin?

9.8

ZQu6 se entiende por iluminacin?

9.9

ZQu6 se entiende por irradiacin?

9.10 ZCuAl es el sImbolo de una fotoresistencia?


9.11 LCuAl es la ley de corn portamiento de una fotoresistencia?
9.12 j,De qu depende la respuesta espectral de una celda fotoconductora?
277

DISP. OPTOELECTRONICOS DE

9.13 ,Es lo mismo fotoresistencia que celda fotoconductora?


9.14 LQu es la longitud de onda pico Xp?
9.15 ZCuAl es la difer.mcia fundamental en ci funcionamiento bsico de una
celda fotoconductora y de un fotodiodo?
9.16 ZC6mo varla la corriente en un fotodiodo con la irradiacidn?
9.17 ,Cu1 es la variacin de corriente en un fotodiodo con ci voltaje de polarizacin?
9.18 ZQu6 se entiende por corriente en la oscuridad en un fotodiodo?
9.19 ,Qu ventajas presenta un fotodiodo doble?
9.20 LQu6 es la sensibilidad a la irradiacin?
9.21 1Cul es la diferencia en el funcionamiento entre un diodo emisor de luz
y un fotodiodo?
9.22 ,Qu se entiende por un dispositivo de radiacin direccional?
9.23 Describa ci funcionamiento de un fototransistor en trminos de tin fotodiodo.
9.24 LQu& es un diodo controlado de silicio activado por iuz (LASCR)?

PROBLEMAS

PROI3LIEMAS
9.1

Se tiene un circuito como el mostrado en La Fig. P;9. 1, cuyas caracteristicas estticas tambin se muestran. Calcule:
a) la intensidad de luz que se necesita para que V = 20 V;
) la potencia que disipa la celda fotoconductora, si 1', = 20 V.
R (n)

io
iO

RI. =4K&2
Vol

( ')

io

102
10
(a)

10

102

103

104 cd-pie

(h)

Figura P.9.1 a) Circuito sirnF.c de excitacin a una celda fotoconductora; (b) curvas caracteristicas de la celda fotoconductora.

9.2

El diodo cuyas curvas caracteristicas se muestran en la Fig. P.9.2-a, se conecta en el circuito que se muestra en la Fig. P.9.2-b. Calcule La curva de
transferencia de:
a) corriente contra intensidad luminosa;
279

DJSP.OP-TOELECrRONICOS DE ESTADO SOLIDO

b) voltaje en el diodo contra intensidad luminosa, si RL = 10 2,


5 x 10 2, 2 X 104 g2, 0 2.
800

F.
0

VU
2000

U0

II
0

40 V

corriente en la
I -obscuridad
40
30
20
10
(V)
voltaje inverso
(h)

(a)

Figura P.9.2. (a) Curva caracterIstica esttica de un fotodiodo; (b) circuito simple con
fotodiodo.

9.3

Un fotodiodo con las caracterIsticas de la Fig. P.9.2-a, se utiliza en el circuito mostrado en la Fig. P.9.3. Calcule:
a) la iluminacin necesaria para que I- = I mA;
b) la corriente J cuando Ia iluminacin sea de 2 X 10' cd/pie2 .
V8 = 30 V

"IC

100
;jlicio
RL =50K

R L = 10 K

Figura P.9.3. Circuito polarizado con fotodiodo.

WK

PROBLEMAS
9.4 Se tiene un fotodiodo que funciona de acuerdo con ]as caracteristicas
que se muestran y un circuito de comunicaciOn optica
(mA)
10 1

maxima disipacin de potencia


t

8 __

40 U\41

d
sen wt
2.5Kcz

i+

-2 \

MW;CM.2

10 MW/cM
19
4

8 12 16 20(V)

Figura P.9A.1. Curvas caracterlsticas del fotodiodo detector y del circuito empleado.

Considere que la energIa luminosa es el 20 por ciento de la energIa elctrica que consume la lampara y que la fuente luminosa es puntual.
a) Si se quiere que el punto de operaciOn est en V,, = 10 V, La qu distancia Sc deben colocar la lmpara y el fotodiodo?
Si
el circuito polarizado segn el punto a) se excita con un
b)
Ve sen wt = 2.5 sen 1207rt, ,cmo es V0 ?
c) Si se coloca un reflector tipo calln en la Impara, como se ilustra en
La Fig. P.9.4.2, que tenga una eficiencia de 80 por ciento y un dngulo
de dispersion de 100, hasta qu distancia se debe colocar La Impara
para que tenga el mismo punto de operacin?
d) Para el caso c), si la sefial de excitacin es de 2.5 sen I 20irt, ,cmo
es

V. sen

wt

ION

Reflector
it

call

11

20V

100

Figum P.9.4.2. Sistema de comunicacidn ptica con reflector.

281

D!SP. OPTOELECTRONICOS DE ESTADO SO LIDO

9.5 Determine el valor de V.para que encienda el


LED (1. = 1.7V; I,, = 20 mA).
Para el transistor bipolar 9 = 100: VBE = 0.6 V. 'Co

0.

B
F

-J"

LED

Fig P.9.5. Circuito excitador de LED piloto


9.6

Explique cOmo funciona el circuito de Ia Fig. 9.6 y determine los valores


adecuados de RR y Rc para quc la lmpara pueda encender cuando se
tenga ci pulso de S V en la entrada. Considere j3 = 100; ICO = 0;
V E.=O.7V;Jp =lOmA;L?.=1.7V;F'.E(S3) =O.3V.
+5V
+75 V

-410

0rL

c :

' L

Ve

Q2

JLED
El
K
B
-------------I
opto acoplador

Fig. P.9.6. Umpara de CD actuada por fotoacoplador.


282

C
F
) lAmpara
L (75 V. iOO mA)

PROBLEMAS

9.7 a) Explique el funcionamiento del circuito de la Fig. P.9.7.


b) Determine los valores de las resistencias para que el circuito funcione
como se explic en ci inciso a).
C) Proponga una aplicacin en la cual pueda utilizarse este circuito.
Vcc =5 V
R

-------------- 1

IV

Rc

c 1
C

/1J

LED2

R '6

Fig P.M. LED de alarma actuada por interruptor de botn y fotoacoplador.

Considere p = 100, ! = 0, V

at

= 0.2 V. IF = 20 mAy VF = 1.7 V.

283

DISP. OPTOELECTRONICOS DE ESTADO SOLIDO

RI BLIOGRAFIA
.

DANCE, J. B. Photoelectronic Devices, London Iliffe Books Ltd. 1969.

LARACH. SIMON. Photoelectron ics Material and Devices. Van Nostrand


Co. Inc. 1965.

MILLMAN Y HALKIAZ. Dispositivos y Gircuitos Electrnicos, Editorial


Pirm ide.

TEXAS INSTRUMENTS INC. The Optoelectronic Data Book.

284

Capitulo 10
EMISION ELECTRONICA EN METALES.

INTRODUCCION
Por lo general los metales son buenos conductores de la electricidad, y esto se
debe a que existe una gran cantidad de electrones libres dentro de ellos. En
todos los materiales los electrones que ms contribuyen a la conduccin de
electricidad son los de valencia, es decir, los que se encuentran en La Ultima
rbita; por ejemplo los de la plata y el cobre. Desde que se empezaron a realizar
experimentos en el siglo XIX, a los investigadores les preocup encontrar algin
material en el que pudieran, mediante la acciOn de campos elctricos y/o magnticos, controlar el flujo de corriente elctrica. Esta idea de un flujo controlable les fascinaba por el gran potencial de aplicacior, que ya entonces Ic pronosticaban a un dispositivo de tal naturaleza, y precisamente el logro de estos dio
origen at campo de la ingenierIa conocido como elect rnica.
El primer paso importante en ci logro de un dispositivo de flujo electrnico
controlable fue dado por Thomas Alva Edison a fines del siglo XIX, cuando
construy una impara incandescente e introdujo un electrodo, al que llam
placa. Teniendo mcandescente el filamento aplic una diferencia de potencial entre dste y La placa, y pudo observar una corriente elctrica. Edison no
lograba explicarse este fenmeno ya que sabia que la corriente elctrica siempre
circula en un circuito cerrado y no habla ninguna conexin fIsica entre filamento y placa. Este efecto es conocido como efecto Edison (Fig. 10.1).
Algunos aflos ms tarde, H. Thomas desarrolla una teorfa que explica el
efecto Edison y da pie al desarrollo de los dispositivos que emplean este principio. AsI J. H. Fleming desarrolla ci diodo (que consiste de un filamento y una
placa); despus Lee de Forest introduce un tercer electrodo destinado a controlar el flujo electrnico por medio del campo elctrico aplicado.
285

10 EMISION ELECrRONICA EN META LE S

Figura 10.1, llustracin del efecto Edison.

Observando estos avances tecrioigicos, se piensa que debe haber alguna


forma de poder sacar electrones de un metal, y se encuentran varias, basadas
principalmente en los conceptos de la mecnica cuntica, desarrollada a principios de este siglo, las cuales originan c.lispositivos que aumentan las aplicaciones
electrnicas.
Si se piensa en un material, en particular metlico, constituido por tomos
ligados que fornian molculas y se piantea ci problema de cmo sacar electrones de dste, casi inmediatamente se encuentran dos mtodos.
a) For choque, es decir, ianzar una particula con mucha energia cindtica contra el material, de manera que si dicha particula choca con algn electron,
lo saque de su Orbita y posiblemente del material.
b) Par radiacin, Si se piensa que existe la dualidad onda-particula y que un
fotn de energIa equivale a una particula con cierta energIa que viaja a la
velocidad de la luz.
Si se piensa que los electrones son partIculas cargadas negativamente, y se
considera la icy de Coulomb, de interaccin entre partfculas, surge un tercer
mtodo.
c) Par campo elctrico, es decir, si a un metal se le coloca cerca un electrodo
que presenta una diferencia de potencial positiva muy grande respecto del
metal (ctodo), la fuerza coulombiana puede ser suficientemente grande
para que eventualmente atraiga algn o aigunos electrones del metal.
Ya que a OK los electrones no se rnueven dentro de la materia y que a
medida que la temperatura aumerita el movmiento de stos tambin aumenta.
se tiene un cuarto mdtodo de emitir electrones.
286

INTRODUCCION

d) For ernisin trmica, es decir, al calentarse un material (metal) a una temperatura elevada, los electrones adquieren dentro de ste suficiente energfa y
pueden eventualmente escapar del metal.
Estos cuatro mtodos de emisin electrOnica se conocen respectivamente
como:
a) emisin secundaria;
b) emfsjn fotoelctrica;
c) emisin pot campo; y
d) emisin trmica o ter7noz6nica.
Los cuatro tipos de emisin se presentan en forma general en la Fig. lO..

etc

Metal

Placa

Metal
I

II II... Ae

ctroncs

primarios

I I
I
I

electrones
secundarios

'

-III+

Emisin
Fotoelctrica

Emlsjn
Secundaria

Metal

Placa

Placa

Metal

Placa

i'I

)1 I

t.1

calor
Emisin
por canipo

Emisin
Tcrmoinica

Figura 10.2. Los cuatro mtodos ms comunes de emitir electrones tie un metal.
287

10 EMISION ELECTRONICA EN METALES


En este capftulo se estudiarn con detalle estos tipos de emisiOn en el orden
siguiente: I) emisin termoinica, 2) emisin por campo. 3) emisin secundaria
y 4) emisin fotoelctrica.
10.1. EMISION TERMOIONICA
La emisin termoinica es el proceso por medio del cual los electrones liberados por efecto trmico escapan de la superficie de un material. Este fenmeno
es semejante a la evaporacin del agua en el cual se despreriden o escapan moleculas de vapor de agua de la superficie de la misma cuando Csta se calienta.
La emisin termoinica se presenta normalmente en metales, debido a que
por su constitucin molecular tienen una gran densidad de electrones libres.
Cuando un metal se calienta. la densidad de electrones libres dentro de l
aumenta asi como la energIa cintica de los mismos, y puede presentarse el caso
estad Istico de que algunos electrones adquieran suficiente energfa para escapar
de Ia superficie del metal: si esto sucede, ci electron que escapa deja en el metal
un exceso de carga positiva conocida como carga imagen (Fig. 10.3). la cual
atrae al electrOn recin escapado y es necesario que la energia cintica del electrn venza la barrera de potencial electrosttico para que se considere un
electron emitido.

Carga
imagen

Metal

0
01

electron
emitido

Figura 10.3. Electron al escapar de un metal. (a) Efecto de carga imagen; (b) potencial electrosttico cerca de la superficie.
Para analizar La emisin termoiOnica en metales se recordar el diagrama de
bandas de energfa de un metal (capItulo 2) tomo 1 tal como se muestra en la
Fig. 10.4.
288

10.1. EMISION TERMOIONJCA

WO

Tope de la banda de Valencia (B I')


;.-- :. :: ..

Nivel de Fermi

E
Fondo de la banda de
conduccion (BC)

Fondo de La banda
de valencia

Figura 10.4. Diagrama de bandas de energia de un metal, donde se muestran Los mveles de
vacIo y de Fermi, las energIas se miden con respecto al fondo de La banda de conduccidn.
El fondo de la banda de conduccin representa la energfa de un electron en
reposo dentro del metal y el nivel de vaclo representa la energia del electrOn
en reposo fuera del metal.
La diferencia de energIas entre el nivel de vac lo y el fondo de la banda de
conducciOn se conoce como W0 . El nivel de Fermi representa en metales a
T = 0 el ms alto nivel energtico ocupado, y a la energia minima necesaria
para extraer a T = 0 un electron del material en este caso metal se le llama
funciOn de trabajo 4. Por to tanto, puede decirse que:
h0 = 4) + E ,j .

(10.1.1)

Para establecer el tratamiento matemtico de la emisiOn termoinica analizaremos ci caso idealizado simple, seg(tn lo propuesto por Richardson-flushman, el cual establece como puntos importantes los siguientes:
a) no se considera el efecto que produce una intensidad de campo sobre ci
ctodo (efecto de carga imagen);
b) los electrones en ci metal se consideran dentro de un pozo de potencial de
altura finita R', tal como se muestra en la Fig. 10.5:
289

10 EMISION ELEeFRONICA EN METALES


E

S
e
e

Vx

Nivel de vaclo

WO

IA

Pozo de potencial
sin efecto de caiga
nagen sobre el
metal.

Pozo de
potencial
//f/
considerando
EF
el efecto de carga imagen
_____ sre el me.

- -low x

p0

Figura 10.5 Pozo de potencial del Metal.

la superf"icie se considera homognea, esto es, la funcin de trabajo en cada


pun to de sta tendr ci mismo valor;
d) todos los electrones con velocidades dentro del rartgo de velocidades de
escape son ernitidos del metal, esto es:
C)

lfl 1,

= W0

_ 1
- _- rrz0 v

mo v.
(10 1 'I

I
I
-m0 v: = - m0 v
donde:
. :, v
'. i.. v
filo

290

son componentes de velocidad para los electrones


dentro del ctodo,
son componentes de velocidad de los electrones fuera
del ctodo. y
Cs la masa del electron fibre.

10.1. EMISION TERMOIONICA

Adems es posible asegurar que:


WO E=,
donde:
1
es del orden de eV, y
KT es del orden de meV:
por to tanto se puede tener:
W0 EKT.

(10.1.3)

Recordando de mecnica estadIstica que el nmero de estados permitidos


para los electrones dentro de un rango de velocidades igual a P. - (v + dv);
v - (vJ) + dv,) ;v - (v + dv),es:
y
2A0 vdt m
dS=

dv,'dvdv.

h3

(10.1.4)

Multiplicando la densidad de estados por la probabilidad de que estn ocupados, es posible encontrar el nmero de electrones dN dentro del rango diferencial de velocidades que alcanzan un area A0 de La superficie en un tiempo dt,
con una velocidad v en la direccin x:
dN=

2 A0 m 3 v dt dv dv dv
V [1 + e(E - EF)KT]

Es conveniente considerar que Los electrones dentro del pozo tienen sOlo
energIa cintica, esto es:
(v +v +v).

(10.1.6)

Sustituyendo las ecuaciones (10.1.2) y (10.1.6) en la ecuacin (10.1.5),


todo en trrninos de la velocidad de Los electrones fuera del ctodo, se encuentra que:
2 A0 m03 dt v, dvx dv dv,
dN =

h 3 [1 + e(mo

m0 v +m0 v)/2KT e',,

p)/'(Tj

(10.1.7)
29

10 EMESLON ELECrRONICA EN MErALES


Considerando las expresiones (10.1.1) y (10.1.3) e integrando la ecuacin
(10.1.7), se liega ala ecuacin siguiente:

f =

dN 2rn
h3 eKT j
A0 dt
V
eo

2KTd vy

Vy

eo 1

Pe- m012KT dvr

''

(10.1.8)

Al integrarla ecuacin (10.1.8) se puede encontrar:


( KT)(2KTir )J/2 (_2KTir
m0
MO
MO

r_dN
2m eMT
A0 dt = h 3

)I2

y finalmente tenemos:

dN

4m0iiK2T2

A 0 dt =

e.
/KT

Ii

(10.1.10)

La densidad de corriente electrnica es:

is

dN
A0dt

is em0T2 C -/KT
=
h3

(10.1.12)

La expresiOn (10. 1. 1 2) da precisamente la densidad de corriente termoinica deducida por Richardson-Dushman, conocida por lo tanto como ecuacin de
Richardson-Dushman.
La ecuacin (1 0. 1. I 2) resulta comn encontrarla expresada de la siguiente
forma:
TT (/XT
= dA
(10.1.13)
Js
-lTJ
292

10.1. EMISION TERMOIONICA

donde:

4mirK 2 ,

= 1.2X 106 [

(10.1.14
K2 m 2

La ecuacin (10. 1. 13) puede escribirse en forma ms general considerando


que el coeficiente de transmisin de los electrones es diferente de uno y que
ademds la masa del electron m no siempre corresponde a La masa del electrOn
libre. Asi:
M*

r T' e
Js = AT ()
MO

1t'T

(10.1.15)

10.1.1. Distribucin de velocidad de los electrones emitidos


De las ecuaciones anteriores es posible determinar el nimero de electrones emitidos por segundo con componentes de velocidad en cada una de las direcciones
x, y y z. De esta forma tenemos:
4mzrKT

dN =

is

KT

dN = -- em
e

dN =

J3

m0

dN = --e

2KTir

2KTir

- 2 P)/2 KT dvx,

2
MO V,

d(_

(10.1.16)

(10.1.17:)

2KT

e_moj/2 KT

dv

(10.1.18)

KT

dv: .

(10.1.19)

) eoI

Conocidas las distribuciones de velocidades es posible determinar las velocidades promedic de los electrones emitidos. utilizando la definicin del valor
promedio de una funciOn fdentro de una distribucin continua.

fN

fdV
dN

(10.1.20)

293

10 EMISION ELECRONICA EN METALES


AsI por elemplo, para determinar el valor promedio de la velocidad v, tenemos:

- =

e_m02KT

d(m0v
2KT

(10.1.21)

pnop
d()
2KT

j
2 KT ) 1l2
11

(10.1.22)

MO

Dc manera semejante pueden calcularse los valores de las velocidades:


-iy, i5z,

vx,

Con estos valores de velocidad promedio es posible calcular las energias


promedio de los electrones emitidos, tenindose:
2
- 1 - 1
E =- m0 v --m0 vx

(10.1.23)

En la ecuacin anterior el resultado se explica considerando que en la direccin de x la distribucin no es maxweliana, ya que en esta direccin los electrones ms rpidos tienen mayor efecto que los lentos. En la direccin y y z las
distribuciones de velocidades si son maxwelianas, entonces:
-

m0i',= rn0 vy ,

(10.1.24)
(10.1.25)

F2 =-

obtenindose asi:

E=KT, E1 =-1KT, E,

294

KT, ET=2KT.

(10.1.26)

JUl. IMISION TERMOIONICA

Otra explicacin para lo anterior es la siguiente: en las direcciones y y z los


electrones se mueven en todo el espacio de - a + 00. mientras que en la direccin x los electrones solo se mueven en la direcciOn de v, = 0 a +e, movimiento semiinfinito.
10.1.2. Efecto de enfrianiiento
Siempre que una superficie metlica est emitiendo electrones, sufrir de un
efecto de enfriamiento, ya que se requiere de una energia cleterminada para
extraer un electron de la superficie hasta el exterior. En esta forma, la potencia
total necesaria para extraer un nmero de electrones (Isle) de la superficie
metlica al exterior con una energfa promedio de 2 KT es:
Is
PT= ('1+2Kfl,

(10.127)

donde cada trmino de la ecuacin (10.1.27) significa:


(-i--) 1

Potencia necesaria para extraer (15 /e) electrones/seg con


energia nula.

Is 2 KT potencia debida a los electrones que no abandonaron


()
e
Ia superficie metlica con encrgia nula. sino con energia
promedio de 2KT
PT

potencia total.

Si la temperatura de la superficie metlica se mantiene constante, habr que


suministrar una potencia de calefacciOn extra cuando empieza a emitir electrones. Este efecto es observable a grandes corrientes de emisin termoiOnica y
frecuentemente es utilizado para medir funciones de trabajo en superficies
metlicas.
10i.3. Grfica de la ecuaciOn de Richardson-Dushman
La ecuaciOn (10.1.13), conocida como ecuaciOn de Richard son-Dushman, que
sigue una Icy exponencial, es posible graficarla sobre papel semilogaritniico, y
de esta forma conocer indirectamente los valores de la funciOn de trabajo y de
la constante AT, involucrada en la ecuaciOn.
295

10 EMISION ELECTRONICA EN METALES


AsIia ecuacin (10.1.13) puede serexpresada en la forma siguiente:
QnA

(10. 1.28)
KT

La grafica de la ecuacin (10. 1.28) se muestra en Ia Fig. 10.6.

Js

9.flAT

Rango de temperatura donde es v1ith la


ccuacin de Richardson, y cuyos valores
se obtienen on forma prictica.

I
1/Ti I/T2

KQflAT/

- l/T

Figura 10.6. Grfica de la ecuaciOn de Richardson-Dushman en un piano semilogarItmico.


En la ecuacin de Richardson-Dushman ci valor terico de la AT ecuaciOn
(10.1.14) no siempre coincide con el valor medido prcticarnente;una de las
razones fundarnentales de esta discrepancia se debe al efecto que produce una
variacin de temperatura en ci valor de la funcin de trabajo, adems de que
resulta conveniente recordar que esta ecuacin se deduce en condiciones "casi"
ideales.
Por lo tanto, podemos proponer una variacin del valor de la funcin de
trab*jo con respecto a la temperatura, ci cual pueda ser considerado en la ecuacion de Richardson-Dushman para reducir al minirno ci error que se comete al
considerar ci valor de la constante AT .= 1.2 X 106 [A/(K2 -m2 )]. Entonces:

'1'= o +eTct.
dojxje:
296

(10.1.29)

10_1. EMISIONTERMOIONICA

cPO es la funcin de trabajo medida a una cierta temperatura T0 ,


cD es la funcin de trabajo medida a La temperatura T.
es el coeficiente de temperatura, el cual puede ser negativo o
positivo, dependiendo del material de que se trate.
La ecuacjn propuesta (10.1.29) solo es vlida dentro de cierto rango de
temperatura, el cual se encuentra airededor del punto T0 . La Fig. 10.7 muestra
la variaciOn de La funciOn de trabajo con respecto a la temperatura.
Si sustituimos la ecuacin (10.1.29) en Ia ecuacin (10.1.13). es posible
tener la ecuaciOn de Richard son-Dushman considerando la variaciOn que tiene
la funciOn de trabajo con la temperatura T, quedando:
eTO)/KT ,

JS = AT T 2 e(

4 =AT T 2 eo
donde:

( 10.1.30)

(10.1.31)

r.

A_Ae-ea/K .

(10.1.32)

En la ecuacin (10. 1.3 1) los valores de la constante A


material usado.

--

r
/

dependern del

en ci rgo de temperatura
T0 , la dcpendencia de
b con la temperatura
puede aproximarse a
una forma lineal.

I
I

T(C)

Figura 10.7. Dependencia de La funcin de trabajo Dcon la temperatura. T.


297

10 EMISION ELERON1CA EN METALES


10,1.4. Efecto Schottky

Al deducir la ecuacin de Richard son-Dushman no se tom en cuenta el efecto


que producen la presencia de una carga imagen y un campo externo aplicado
sobre la superficie rnetlica (ctodo) sobre la barrera de potencial que yen los
electrones que son emitidos.
La variacin en la barrera de potencial debido at efecto de la carga imagen
se presenta cuando un electron e que sale de la superficie metlica (ctodo)
y se encuentra a una distancia x de la misma, sufre una atracciOn debido a la
existencia de una carga imagen +e presente a una distancia x de la superficie.
La barrera de potencial debido a la carga imagen y la creaciOn de la misma carga
se muestran en las Figs. 10.8 y 10.9, respectivamente.
E

Nivel de vaco (NV)

Variacion dc la
barrera de potencial
/

E.

..
0

Figura 10.8. Variacin de la barrera de potencial debido a la presencia de Ia carga imagen.

/ Metal

-e

Figura 10.9. Creacin de una carga imagen +e cuando se emite un electron e de una superficie metlica caliente (ctodo).

298

10. 1. EMISION TIRMO1ONICA

Si aplicamos un campo elctrico externo sobre La superficie metlica, Ia


variacin de la barrera de potencial puede ser aUn mayor, tal como se muestra
en las Figs. 10.10y 10.11.
En la Fig. 10.10 el campo elctrico aplicado es tal que permite Ia reducciOn
de la barrera de potencial de los electrones emitidos, y en consecuencia Ia
reduccin aparente de La funcin de trabajo de La superficie metlica, creando
un aumento en la densidad de corriente emitida por La misma.
E

- -

Superficie '
methllca

NV

Plam

- CModo
1111+
.1'

()

VP

flh.i

Figura 10.10. Dismiriucin de la barrera de potencial debido a La presencia de un campo


e1ctrico aplicado. (Ver la reduccin aparente que presenta la funcin de trabajo.)

En la Fig. 10.11 se muestra cmo se afecta La barrera de potencial cuando


el campo elctrico aplicado crea una fuerza aceleradora hacia la superficie metljca (ctodo).
F

o(x)

-.

I:h11
-

--

,'__\
[ Catodo

Wa
EF

VP

Figura 10.11. Aumento de la barrera de potencial cuando se aplica un carnpo eIctrico externo on of sentido de atraccin de los electrones por la superficie metlica (citodo).

299

0 EMISION ELECFRONICA EN METALES


Analizando el caso de la Fig. 10.1 0. en que existe una reduccin de la barrera de potencial en ancho y en altura, se tiene que la fuerza creada por la carga
imagen es:
e2
FE= 4ie
0 (2x)2

(10.1.33)

En esta forma el trabajo necesario para ilevar un electrOn desde la superficie


hasta el infinito (lugar donde el ctodo ya no ejerce acciOn o efecto sobre ci
electron emitido) es:

e2

IX0

FEdX

4e0

()2

dx=

16e0x0

(10.1.34)

Es necesario aclarar que el ilmite inferior de la integral deberfa ser cero


(x = 0) y no (x = x0 ). Este cambio se debe a que al ser x = 0, resultarfa que ci
trabajo necesario para ilevar ci electron hasta infinito es infinito; para evitar
esto se utiiza un valor de x0 donde x0 tiende a cero, debido a que la carga imagen al escapar ci electron no se presenta necesariarnente en la superficie.
De la ecuacin (10.1.34) tenemos:

- l6ire0 x0

(10. 1.35)

De la Fig. 10.10 se tiene que:


+0 (x)
4)(x)

4)
4)mix
Xmax

300

es la barrera de potencial de los electrones sin campo externo aplicado, pero considerando la carga imagen;
es la barrera de potencial de los electrones cuando se aplica un
campo externo sobre la superficie metlica:
es la barrera de potencial de los electrones cuando no se considera
la carga imagen ni existe campo elctrico aplicado;
es la funcin de trabajo (aparente) mxinia del ctodo cuando es
aplicado un campo electrico; y
es la distancia maxima en que ci electrOn ya no est bajo la atraccion de La superficie metlica, cuando es aplicado un campo elctrico externo.

10. 1. EMISION TERMOIONICA

En esta forma Ia barrera de potencial que encuentran los electrones sin camp0 externo aplicado es:
(x)= 10

e2

(10.1.36)

l6ire0x

La ecuacin (10. 1.36) cumple con ]as condiciones limites siguientes:


paraxx0 , 4 0 (x)=4'

parax>x0 , (Do (x)=4-

e2
16 ir c0 x

=0,

e2
l6ire0 x

parax=, 4 0 (x)=4.
Cuando se aplica un campo externo E. se tiene:
donde:

x)= D, (x) + 4)Ep (x),

(10.1.37)
(10.1.38)

Ex) eXEp.

Sustituyendo las ecuaciones (10.1.38) y (10. 1.36) en La ecuacin (10.1.37),


queda:
e2
(10.1.39)
eEx.
ct(x)=cF
l6irc0x
Si derivamos la ecuacin (10.1.39) y La igualamos a cero, ser posible encontrar
un valor mximo de x en la cual La superficie metlica caliente deja de tener
influencia sobre el electron emitido:
e2

d4 (x)

2
Iulreox max

.4

-~

eEx.

(10.1.40)

despejando de La ecuaciOn (10. 1.40) a xm i,, tenernos:


e

Xm(

1/2

-)
I 6ire0 E

(10. 1.41)

301

10 EMISION ELECrRONICA EN METALES


Al sustituir la ecuacin (10.1.41) en la ecuacin (10.1.39). pod emos calcular el
valor de Iax :
e
eE
(10.1.42)
(
)
= Xmj=
7r C,
2
Analizando esta ecuacin podemos concluir que la funcin de trabajo mxinia,
cuando existe un campo elctrico aplicado, es menor que la funcin de trabajo
real del ctodo por un trmino proporcional al campo elctrico aplicado.
Si

Ep =O,

4,=4'.

Sustituyendo La ecuacin (10. 1.42) en La ecuacin de Richardson-Dushman,


es posible deterrninar la densidad de corriente de emisin de una superficie metLica caliente cuando existe un campo elctrico aplicado sobre ste:
c

-(----)"2]/KT

Js = AT T2 ehu/KT = AT T 2 e[m
JS = AT T 2 e'mx/KT

(e/2 KT) (eEp/,o) "2

(10.1.43)

Si al trmino AT T 2 emxIKT = J, le Ilamamos densidad termoinica de


corriente con un campo elctrico aplicado, y lo sustituimos en la expresin
(10.1.43), tenemos:
is

jSE

ireO:,"2 ,

( 10.1.44)

sustituyendo constantes en La ecuacin (10. 1.44) se tiene:


I

(e)112

2K ire0

=0.44K/(V/m)

112

( 10.1.45)

Despejando SE de La ecuacin (10.1 44) queda finalmente:


J e'(e12IcT)
is =

(eEp/iro)1'2

(10.1.46)

donde
JSE es la densidad de corriente termoinica con un campo elctrico
aplicado, observndose que la densidad de corriente aumenta at
aurnentar el campo aplicado E.
302

10.2. EMISION POR CAMPO

10.2. EMISION POR CAMPO


Cuando La intensidad del campo elctrico externo aplicado es rnuy grande, del
orden de 10' V/rn, se observa que el ctodo empieza a ernitir a la temperatura
ambiente. Este efecto es una consecuencia del carcter ondulatorio del electrOn.
Cuando Ia intensidad de campo elctrico aplicado es rnuy grande, se modifica La barrera de potencial, tendiendo a disminuir apreciablemente el ancho de la
misma; debido a esto se presenta una probabiidad finita de que los electrones
atraviesen la barrera en lugar de remontarla. Este efecto es conocido corno efecto tune! (ver capItulo 3, torno I).

Figura 10.12. ModfficaciOn de la barrera de potencial cuando se aplica un campo elcti-ico


externo muy grande.
Sin considerar el efecto de carga imagen, el anlisis se simplifica grandernente.
Los electrones en cualquier nivel tienen probabilidad finita de atravesar La barrera
de potencial; por esta razOn, y para un anlisis ms general, consideramos que
todos Los electrones con energias E pueden atravesar La barrera de potencial entre
XI y x2 cuyos valores son:
E(x 1 )=E

; x=x1 =0

E(x 2 )=E ; x=x 2


La aLtura de la barrera de potencial es:
4(x)= W0 eEp x

(10.2.1)
303

10 EMISION ELECFRON!CA EN METALES


En este momento la energfa que debe tener el electron para atravesar la
barrera es proporcionada por la atracciOn que emite el electron e debido a
la fuerza creada por el Campo E aplicado.
De la Fig. 10.12 podemos obtener que 4 (x2 ) = E (x2 ) = E, por 10 tanto
sustituyendo en (10.2.1), se tiene:
W0 E
X2 =

(10.2.2)

-e

eE

Mediante la teorfa WKB* se determina el coeficiente de transparencia de barreras


de potencial, en la forma:

donde:

r = exp[ -2
F(x)dx],
(10.2.3)
J xi '/
I (x) es Ia energfa potencial de la barrera comprendida entre x1 y x2 .

Dc la figura 10.13 tenemos.


4'(x)= W0 E eEx

(10.2.4)

11

Figura 10.13. Barrera de potencial 4 (x) donde puede existir transparencia de la barrera para
os electrones.
A.

Van dci ZkI, Solid State Physical Electronics.

304

10.2 EMISION POR CAMPO

Para cualquier energfa E, W0 - E = CLI' es energfa potencial que tienen los


electrones que remontar sin considerar la debida al campo, sustituyendo la
ecuacin (10.2.2) en laecuacin (10.1.3) e integrando obtenemos:
I-

= exp [-j

W0
-+
h2

)3/2

eEp

(10.2.5)

De forma anloga a lo que se hizo en la ecuaciOn de Richard son-Dushman,


obtenemos la densidad de corriente de electrones emitidos por campo elctrico
intenso, esto es, se tiene la densidad de estados en trminos de la cantidad de
movimiento (dentro de un rango de momentos en que los electrones pueden
atravesar la barrera). Multiplicando esta densidad de estados por la probabilidad
de que ellos crucen la barrera, o sea por el coeficiente de transparencia y considerando la direccin x e integrando, obtenemos la densidad de corriente de
electrones que atraviesan la barrera de potencial:
2e J= ____
m0

eEp
- 87rh43

r (ps) dp dp dp

exp

4
[--j

2m0
h2

) 1/2

(1 0.2.6)
(LI 1312
-

(10.2.7)

eE

Cuando se consiclera el efecto de carga imagen se observa que La ecuacin


(10.2.7) es aCm ms complicada.
10.2.1. MICROSCOPIO DE EMISION POR CAMPO (APLICACION DIRECTA
DE LA EMISION POR CAMPO)
En este microscopio se aplica una tensiOn del orden de 10-20 KV entre una fina
punta metlica de radio r y una pantalla fluorescente de radio R, siendo r concntrica a R. La distribuciOn de potencial es esfrica y los electrones emitidos
por la punta metlica se mueven radialmente. La geometrIa esfrica da un factor
de amplificaciOn de R/r. logrando gran poder de resoluciOn, lo que permite
observar molculas individuales.
Este microscopio es muy Citil en el estudio de superficies, y adems permite
la mediciOn exacta de funciones de trabajo de casos cristalinos individuales, lo
cual se realiza en Ia siguiente forma: los tomos existentes en el medio se ionizan
305

10 EMISION ELECfRONICA EN

META LES

con los electrones que viajan, estos tomos ionizados chocan con la superficie
metlica siendo absorbidos por ella y, dependiendo de su funciOn de trabajo,
reducen o aumentan la funciOn de trabajo de la superficie. Ya que un leve
carnbio en Ia funciOn de trabajo provoca un camblo apreciable en La densidad
de corriente J. se pueden observar en La pantalla puntos de mayor o menor
intensidad.
ip
*

Punta
metlica

III

- - - - - - -

Pantalla
fluorescente

Figura 10.14. flustracin del concepto de microscopio de emisin por campo.

10.3. EMISION SECUNDARIA


Otro tipo de emisin que ocupa un papel importante en el comportamiento de las
vlvulas al, vaclo es La emisin secundaria, la cual ocurre cuando una superficie
es bombardeada con electrones o jones de velocidad apreciable. Un electron o
ion al cizocar con la superficie puede liberar uno o rns electrones secundarios,
sin que esto viole las leyes de conservaciOn de la energia, pues los electrones
secundarios tienen por lo general una velocidad menor que los electrones incidentes o priPnarios.
Las caracterfsticas de emisin secundaria de los materiales se miden con un
aparato similar al que se muestra en la siguiente figura 10.15.
- (4)

ITl

::(2)

K
fJ:
'KA

+'K

1'3

(I) Placaaceleradora
(2) Electrones primaxios
(3) Electrones
(4) Material

'3
LI i
VR

Figwa 10. IS. Aparato para medir las caracteristicas de emisin secundaria en materiales.

KO

10.3. EMISION SECUNDARIA

Se define como S a la razn de emisin secundaria, y est dada por:


- corrente de electrones secundarios.
- corriente de electrones primarios
= corriente de electrones secundarios,
'K - 13 corriente de electronesprimanosque alcanzan el material bajo prueba,
12
(10.3.1)
S=
'K 13

0.3.1. Variacin de Is emisin secundaria con el potencial


de los electrones primarios
Es lgico pensar que a medida que el potencial de los electrones primarios
aumenta, la cantidad de electrones secundarios emitidos por el material en
estudio tainbin aumenta; sin embargo esta hiptesis serfa siempre vlida silos
electrones incidentes tuvieran colisiones sOlo en la superficie, pero sucede que a
medida que stos Began a! material con mayor velocidad, penetran a mayor profundidad dentro de ste, y los electrones que liberan en ocasiones no Began a la
superficie con la suficiente energf a para salir, pudindose presentar los siguientes
casos (fig. 10.16).
a) colisiOn superficial, se pueden emitir uno o varios electrones secundarios.
b) colisin poco profunda, hay probabilidad de que los electrones sean
emitidos, y
c) colisin profunda, los electrones secundarios tienen poca probabilidad de
salir y su energf a se transforma en calor por mUltiples colisiones dentro
del material.
electthn
/ emitido

CD

CD
D

electron
emitido

88'8
cc

(a)

electrOn

no emitido

BICD CD
D
(c)

Figura 10.16. Casos de colisiones de electrones a alta velocidad.


La Fig. 10.17 muestra las caracterfsticas de emisin secundaria de diferentes
materiales en donde se puede apreciar un aumento y luego una disminucin
debida a los electrones de muy alta velocidad.
307

10 EMSION ELECTRONICA EN METALES


De Las caracterfsticas de emisiOn secundaria (Fig. 10.17) vemos que el
coeficiente S es mayor que uno para algunos materiales y ciertos potenciales, lo
que quiere decir que un electron incidente puede dar lugar a varios electrones
emitidos pero debe hacerse notar que la fuente de electrones secundarios es la
superficie del material, por lo que puede concluirse que tambin existirn variaclones de la emisiOn secundaria con el ngulo de incidencia del haz de electrones
primarios, debido a que estar variando la profundidad de penetraciOn.
2.5

'0
:

2.0
1.5

Tungsteno

.9
C,

1.0

0.5

oore

bZ

n------

200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

Hierro
carga del
electrwi
(eV)

EnergIa de electrones primarios

Figura 10.17. Caracteristicas de emisin secundaria para materiales al variar el potencial de


los electrones primarios.

La Fig. 10.18 muestra cmo el ngulo de incidencia del haz primario afecta
a la cantidad de electrones secundarios emitidos.

2.0

900

1.5

700
600

1.0
0.5

ngulo
de
J."incider

480
00

200 400 600 800 1000 1200 1400

(eV)

Superficie

Figura 10.18. Variacin de La crnisin secundaria con el ngu!o de incidencia.


308

10.3. EMISION SECUNDARIA

La vanacin de Ia emisin secundaria con el dngulo de mcidencia, se ha


encontrado que sigue una ley exponencial de la forma:
S= S j(' -cos) paraE> 200e

(10.3.2)

donde:
S0 es la razn de emisiOn secundaria para e = 0,
S en la razn de emisin secundaria, y
P es el coeficiente que aumenta con la energfa de los electrones
primarios y es proporcional a su penetracin.
La Fig. 10.19 muestra la variacin del coeficiente de emisiOn secundaria
con respecto al porcentaje de energfa de los electrones secundarios. En esta
figura la energfa de los electrones secundarios se expresa como un porcentaje de
Ia energIa de los primarios:

Figura 10.19. Variacin de la emisin secundaria con la energfa de los eIectronessectiiidario.

I. Un 90 por ciento de los electrones emitidos tienen energias menores a


20 por ciento de la energfa de los electrones primarios.
11. Un 7 por ciento tiene energfas comprendidas entre 20 y 98 por ciento
de Ia energfa de los electrones primarios.
III. Un 3 por ciento de electrones secundarios tiene energIas niayores al
98 por ciento de la energfa de los electrones primarios (esto se debe a
que en realidad no son electrones secundarios sino electrones primarios
que rebotan en la superflcie).
309

10 EMISION ELECI'RONICA EN MrTALES


10.4. FOTO EMISION
10.4.1. Efecto fotoelctrico
Cuando una radiacin efectromagntica (luz visible, rayos X, rayos infrarrojos,
luz ultravioleta, etc.) incide sobre un metal que se encuentra en el vacIo, se
puede lograr la emisin de electrones, los cuales pueden recolectarse mediante
una placa, como Jo muestra la Fig. 10.20.
Radiacin
incidente

PISCS

C====

.1
Rejai

Vg

s ,

ip

t'kr1"f
CItoclo

electrones
emit idos

Figura 10.20. Diagrama esquemtico de un aparato usado para la determinacin y estudio


del efecto fotoelctrico.

Experimentairnente se observ que algunos metales no emiten electrones


con luces rojas, mientras que con luces azules y violetas si, aunque la intensidad
de los tres fuera Ia misma; este fenOmeno no se pudo explicar hasta 1905, en
que Albert Einstein, haciendo uso de los postulados de la mecnica cuntica,
propuso un modelo como el que se ilustra en la Fig. 10.2 1, en el cual se considera
que el electron dentro del metal tiene una energIa menor que si estuviera en el
vacfo.

rfj

Figura 10.21. Modeto propuesto por Einstein para explicar el efecto fotoelctrico.
310

10.4. FOTOEMISION

Luego, la energfa que un electrOn debe absorber del fotOn para podervencer
La barrera de potencial es:
h
2ir
Asi, cuando La radiaciOn es de mayor frecuencia (violenta mayor que rojo)
aumentar La cantidad de electrones fotoemitidos. La energfa con que los
electrones son fotoemitidos ser La que el electrOn mantenga despus de vencer
la barrera de potencial, es decir:
h
K0 =--- w-40

ww0 ).

(10.4.2)

=----(

27r

Si Sc quiere determinar el valor de La funciOn de trabajo del metal bajo


prueba, es sendilo lograrlo con el dispositivo mostrado en La Fig. 10.22. Se
aplica un voltaje V1 de un valor tal que La corriente de La placa sea cero, el voltaje V1 es proporcional a la frecuencia (w - w0 ); si se conoce w (frecuencia
incidente), es posible determinar el valor de la frecuencia w0 , y asi el valor de la
funciOn de trabajo (I;
hw

Jiw0

(10.4.3)

2,r

Despus de lograda la emisiOn, el aumento de Ia corriente de placa depender


de La mtensidad o del nmero de cuantos del rayo incidente, como lo ilustra La
Fig. 10.22.

(CV)

Figura 10.22. Efecto de La corriente de placa al aplicar el voltaje de reja Vg.

311

10 EMISION ELECrRONICA EN METALES


El proceso de fotoemisin puede dividirse en dos partes que deben trararse
en forma separada:
1) el proceso de produccin, en el cual la energfa del fotn es transmitida
a los electrones del cristal: y
2) el proceso de escape, en el cual los electrones de la red cristalina que
poseen un exceso de energfa (E> 4k,) pueden escapar de la superficie,
siempre que ileven una componente de velocidad normal a sta.
Es importante conocer la cantidad de impulso que es absorbido por la red
cristalina y por Ia superficie del cristal. Para poder determinarlo se considera
que los electrones son libres, es decir, un electron que viaja hacia la superficie
del cristal tendr una energfa cintica igual a:
E=41 m0v

(101.4)

y su cantidad de rnovimiento ser:


(10.4.5)

p=mov.
El mismo electron al salir del cristal tendr una velocidad distinta
que inicialmente trafa. Luego:

W0
=

P'm0

v 2

~ rn0v$

de la

(10.4.6)

vr

(104.7)

=--(EW0)

i'

(10.4.8)

[2,iz (E W0 )J 1 ' 2 .

(10.4.9)

AsI ci carnbio de movimiento al salir de la superficie es:


p
312

p= (2m0E)"2

[2m0 (E

W0 )]"2

(10.4.10)

10.4. FOTOEMISION

Este cambjo de movimiento es el impulso absorbido por la red cristalina y


varIa,
desde

np = ( 2m0 E)"2 ,

hasta:

Ap - 0,

para E

para E -*

10.4.2. Eficiencia fotoelctrica


Se entiende por eficiencia Jbtoelctrica la can tidad de electrones emit/dos por
cuanto incidente. AsI, Si Ufl material emite 30 electrones por cada 100 cuantos
incidentes, se dice que tiene una eficiencia fotoelctrica del 30 por ciento.
La cant/dad de electrones emit/dos de un material est compuesta de los
emttidos superficialmente mds los emit/dos volumtricamente. La emisiOn superficial depende de la polarizaciOn de la radiaciOn incidente; las superificies
compuestas tienen eficiencias entre 10 y 30 por ciento, mientras que los materiales sencillos Regan hasta un 2 por ciento solamente.

hw
electron
emitido

Metal
EmisiOn superficial

11 IV

electrOn
emitjdo

Metal
EmisiOn volumOtrica

Figura 10.23. Emisin fotoelctrica superficial y volumtrica.


En Ia emisin volumtrica se ye que la velocidad con la que sale el electron
no es igual (ni en direcciOn m en magnitud) a la que ci mismo electrOn tiene al
Ilegar a la superficie. La emisiOn fotoelctrica debida a la fotoemisiOn volumetrica es siempre menor a 50 por ciento, porque igual probabilidad existe para
un electron de viajar a la superficie que hacia adentro del material. Para que un
electrOn salga de la superficie es necesario que:
E=m0 (v 2 +Vy 2 +v 2 );

10.4.11)
313

10 EMISION ELECTRONICA EN METALES


entonces:
-i-- m0 v 2

>

W0

Si la velocidad del electron tiene un Angulo 8 con la. superficie,


=V

case

i_m0v2

cos2 q>

(10.4.12)
WO

(10.4.12)

(10.4.13)
Podemos definir un ngulo lImite 80 tal que:
Cos 90= (..!Q.)1/2
E

(10.4.14)

La condiciOn se reduce a:
cos 0> cos 0,

porlo que 8<80 .

( 10.4.15)

Por lo tan to escaparn aquellos electrones que Regan a la superficie con una
energfa cintica E y un angulo menor a 00, tal que:

8<80 = ang COS (__)h/ 2


E

(10.4.16)

Dado que los electrones que ilegan a Ia superficie tienen una distribuciOn
uniforme en cuanto a direccin se refiere, es entonces necesario saber qu porcentaje de la superficie cae dentro de esta condiciOn. Asf considerando el area
del angulo sOlido de la figura 10.24 tenemos:
A8 = longitud del arco en radianes.
area = d 12 = r sen e de d
314

10.4. FOTOEMISION

Area

Figura 10.24. Area del ingulo slido, donde r dO es la longitud del arco en radianes.
Si se escoge

un cfrculo de radio unitario,

f fO'
e

dS=

senOd8

d4= 2ir (1

cos90 );

(10.4.17)

- cosO4 ,

El porcentaje del area total ser:


Area del ngulosalido 2 i (1 Cos e0 )
2w
area del hemisferio =

10.4.18)

Encontrndose que Jos electrones que ilegan a la superficie con una energfa
cintica E> W0 tienen una probabilidad de escapar de:
P(E)= I COS O0 = [ 1 (W0 /E)1' 2 J

(10.4.19)

Esta ecuacin se comprueba para los casos limites, esto es:


P(E)-'0; cuandoE=W0
P(E)-1 ; cuandoE=o
315

10 EMISION ELECTRONICA EN METALES


Ejemplo:
Si,W0 = 10eV, EW0 = 1eV,
P(E)= [I (10/1l)'],
P(E) = 0.047.
En conclusion, se ye que la probabilidad es grande sOlo con energfas grandes;
por lo general, la eficiencia fotoelctrica en el efecto volumtrico es pequefia.

Ir

['JEMPLOS

EJ EMPLOS
Ejemplo 10.1 ZCuintoseV debe cambiar la Iuncin de trabajo de unasuperficie
para que se produzca una reduccin del 17 por ciento en la emisin termoinica
a una temperatura de 2 000 K?
Soluc iOn
Utilizando la ecuacin de Richardson-Dushman, tenemos:
is 1 = AT 72

(E.10.1.1)

e1T

AT T2

e2T ,

( E.10.1.2)

sustituyendo (E. 10. 1) en (E.10.1.2) ten emos:


Js2 =

J2

Despejando

AT T2

e2/T

= 0.83 AT T2

= 0.83 Js, = Ar T2

el/KT

e2T,

(E.10.1.3)
(E.10.1.4)

- 4) 2 de la ecuacin (E.10.1.4), tenemos:


12

KT

= Qn 0.83,

(E.1O.1.5)

317

10 EMISION ELECTRONICA EN METALES


I - 2

= KT fn 0.83,

- 8.62 X 10

4 4 2

=-

(E.lO.l.6)

X 2 X 10

n 0.83 eV

0.0328eV,

Aib = - 0.0328 eV.

(E.l0.17)

Del resultado de la ecuacin (E. 10. 1.7) se observa que Ia funcin de trabajo
es mayor que la funciOn de trabajo
, lo cual es lOgico ya que 0 2 causa
una reducciOn en la emisin termoinica.
12

4 + 0.0328 eV.

(E.10.1.8)

Ejemplo 10.2. ZQu6 fraccin de Los electrones emitidos de una superficie metlica
tiene velocidades perpendicutares a sta y energias menores que la energfa
promedio KT?
Solucin
Si dN es La fraccin de electrones emitidos por segundo con una componente de velocidad en La direccin x entre v y v + dY,

emo l x t2KT

my2

(E.10.2.1)
d( 2KT
La fraccin de electrones emitidos en la direccin x con energias menores que
KT se obtiene integrando la ecuaciOn (E.I0.2.I). desde v =
= 0 hasta
)1/2.
= (2KT/m0
dN

j5

Nx

(2KT/ m0 )U' 2

00

tflV 2
d(_
2KT

fl (J V

'2

d( 2KT
318

(E. 10.2.2)
-.

EJEMPLOS

Integrando La ecuaciOn (E. 10.2.2) y sustituyendo limites de integracin obtenemos:

1(2KT/m0)1'2

- 16,1"OvX12KT
Jo

(E. 10.2.3)
[emo12KTj 00

e 1 e

e e 1

=1e 1 ,

(E. 10. 2.4)

1
= 1 -- = 0.63
e
NI r
iV

Ejemplo 10.3. Un ctodo tiene un area de 0.10cm2 yes operado a T= 1000K


obtenindose una corriente continua de 0.5A. Suponiendo una funciOn de trabajo de 1.5 eV, calcular la potencia de calefaccin extra necesaria para compensar Ia prdida de calor debida a La emisin de electrones.
Solucin:
4)

2K?'
),
e

(E.10.3.1)

Sustituyendo los datos en la ecuacin (E.10.3.I) obtenemos:


P=0.5(1.5+2X 8.62X 10 X 10)
P= 0.84W.
Ejemplo 10.4. Un cierto citodo a temperatura de 1 700'K proporciona una densidad de corriente de 0.5A/cm' ; ,..uando La temperatura se aumenta a 2 500'K,
la densidad de corriente cambia a 4 A/cm2 . Determine la funcin de trabajo
promedio del ctodo y el coeficiente de temperatura.
319

10 EMISION ELEcFRONICA EN METALES


Soluciii:
Utilizando la ecuacin de Richardson-Dushman y tomando en cuenta la
variaciOn que tiene la funcin de trabajo con la temperatura, tenemos:
is = AT T

c41KT1 =

AT T e0T1 eK

(E.l0.4.l)

e1K

(E. 10.4.2)

J 2 = '4r T eX2T2 = AT T

Usando las ecuaciones (E.10.4.1) y (E.10.4.2) obtenemos un sistema de 2


ecuaciones con 2 incOgnitas, cF0 y a.
J1

=A Ti &c)o/KTj ,

( E.

10.4.3)

JS2 =A T2 e01!CT2

(E.IO.4.4)

A. =AT e

(E.10.4.5)

donde:

Relacionando las ecuaciones (E.10.4.3) y (E.10.4.4) se tiene:


= Js1

T_ )2 eT2 -

(_

T1) 410/(T2 Ti)K

(E. 10.4.6)
De la ecuacin (E. 10.4.6) despejamos la funcin de trabajo 4:
=

KT, T2
T2 T1

Rn

'S2 T1

(E.10.4.7)

J 1 7

y sustituyendo datos en la ecuacin (E. 10.4.7), se obtiene:


8.62X 10 X 1.7X 103 X 2.5X 10
2.5X 10 - 1.7X 10
320

21.

4(1.7X 103)2
0.5(2.5X 103)2

eV.

EJEMPLOS

0.6138 eV.

(E.10.4.8)

De la ecuacin (E. 10.4.3), despejanios A en funcin de :

is I

A. = - e

(E.10.4.9)

Con las ecuaciones (F. 10.4.5) y (E.10.4.9) podernos determinar el valor de a:


a=K(Qn
AT

fl

Kr1

);

(E.10.4.10)

sustituyendo datos en la ecuacin anterior, tenemos:


Cl

= 8.62X 10

[Qn

0.5
0.6138
+
103)2
120x (1.7X
8.62x 1 x 1.7x l0

a= 1.39X 10-s eV/'K.

eV,

(E.l0.4.1 1)

Pot Ultimo, resulta conveniente calcular los valores de 4,1 y F2 :


= <F0 + a
<F

(E. 10.4.12)

=(0.6138+ 1.39X 10 X 1.7X 103 )eV,


= 2.98 eV.
=

<F

+a

(E. 10.4. 13)

(0.6138 + 1.39 X 10 X 2.5 X 10) eV,


4)2 = 4.09 eV.
En este problema es posible observar que la temperatura puede niodificar
bastante el valor de la funcion de trabajo del ctodo.
321

10 EMISION ELECrRONICA EN METALES


Ejemplo 10.5. Calcular la emisin termoinica terica (densidad de corriente)
para ci tungsteno a 2 500'K y compare con el valor prctico de J = 0.5 A/cm2 .
La funcin de trabajo del tungsteno es igual a 4.5 eV.
Solucin:
Js=ArT 2 e

(E.I0.5.l)

donde:
AT= 1.2X 102

A/(K cm' ),

sustituyendo datos, tenemos:


1 03 )2 e-451(2.5 X 103 X 8.62 X 10) A/cm2
's = 1.2 X 102 X (2.5 X
Is = 0.64 A/cm2
El valor calculado teOricamente resulta mayor que el experimental, debido
a que en Ia ecuaciOn de Richardson-Duslunan no se ha introducido el efecto del
coeficiente de temperatura sobre la funcin de trabajo.
Ejemplo 10.6. Considere un cierto ctodo a T = 3 000 K, y determine el valor
de La funcin de trabajo de la superficie catdica si a esta temperatura tiene una
emision 8 000 veces mayor que a T = 2 000 K.
SoIuciOn:
-/K Ti

is

(E.10.6.1)

donde:

322

-0/K

'1T

=A

i2

= 8 x I0

(E.10.6.2)
= A;.

di
./KT2

( E.10.6.3)

EJEMPLOS

Relacionando la ecuacin (E.10.6.1) con la (E.10.6.3), se tiene:


-4'/KT1

(8X 103 )A. T

= A

fl

-4'/KT2

(E. 10-6.4)

y despejando 4 de Ia ecuacin (E.10.6.4), obtenemos:


4=

KT, T,
T2 T j

T
2n18X IO (__)2].

(E.10.6.5)

T2

Sustituyendo datos en la ecuaciOn (E.10.6.5), tenemos:


8.62X 10 X 6X 106
103

Qn(8X

10

2x 103
3X 10

)2

J eV,

4 = 4.25 eV.
EjempLo 10.7. Si la temperatura de un filamento de tungsteno cambia de
2 0000 K a 2 100' K, ,qu tanto pot ciento cam biar la corriente de emisin?
Solucin;
is I = A j

fl

-4/KT1

(E.I0.7.I)

(E.10.7.2)

is = A. i'
Relacionando las ecuaciones (E.10.7.l) y (E.10.7.2), se tiene:

is 1

is

-4(T1 - T2)fKT1 T2 ,

(T1 1T 2 )2 e

(E.10.7.3)

323

10 EM1S0N ELECFRONICA EN METALES


y sustituyendo datos se tiene:

is

2 X 10
2.1X103

JS 2

4s

X 10

X 4.2X 106

i
s = 0.26, siendo Js el 26 por ciento del valor de 1s 2 .
Js2
is2
is'

3.82, siendo JS el 382 por ciento del valor de

Ejemplo 10.8. Un diodo tiene un ctodo de recubrimientos de xidos que trabaja a una temperatura de 1000* K, con una tensiOn de placa igual a cern, siendo
la corriente de placa prcticamcnte nula, mdicando esto que el potencial de
contacto es suficientemente elevado como para, impedir que la mayorfa de los
electrones ileguen a la placa. Si se aplica una tensiOn progresiva hasta que aparece
una pequefia corriente, demuestre que la corriente aumenta hacindose 10 veces
mayor por cada 0.2V de incremento en el potencial de placa.

Solucin:
En la emisiOn termoiOnica un potencial de placa aplicado puede tener un efecto
de aumento o reducciOn de la barrera de potencial de los electrones de ctodo;
asf, si aplicamos la ecuaciOn de Richardson y considerando el campo en el
ctodo debido al potencial de placa, podemos escribir:
-(4' . eV)/K7'

Js

= AT T 2 e

(E.10.8.1)

En esta forma resulta sencillo conocer la influencia que el potencial aplicado


tiene en la corriente de emisiOn: para V = 0 la emisiOn resulta ser cero, debido
a que la temperatura no es suficiente para lograr que los electrones emitidos ileguen a la placa; a medida que el potencial en la placa empieza a aumentar, los
electrones pueden ilegar a ella.
-4'/KT

=
324

AT T 2 e

eV/KT,

( E.l0.8.2)

EJEMPLOS

eV/KT

is
JS V

eV/KT

0.2/(862

----=e
is

(E.10.8.2)

(E.10.8.3)

10 -'

10

is
is

= 10.18

10.

Ejemplo 10.9. Un diodo consiste de placas paralelas separadas 0.01m, con una
diferencia de potencial aplicado de 1200 V. Encuentre:
a) el campo en el ctodo;
b) la distancia x,,.,
c) la cantidad que disminuye la funcin de trabajo debida at campo externo

d) el porcentaje de incrernento en la corriente emitida a T = 1 500 K.


SoluciOn:

a)

-*
VP
E= d
-e

EP =

1200
10-2

(E. 10.9.1

V/rn,

E= 1.2X 10 V/rn.
325

10 EMIStON ELECfRONICA EN MFrALES


b)

=(

)112 ,

(E.

10.9.2)

(E.

10.9.3)

16 7r e, Ep
XmjX

1.6X IO
102
16X 8.85X
x 3.14x 1.2X 10

x,,,dx

10-8 m.
e

C)

)I/

mx

mix

eEp
)

I2

1.6X 10 X 1.2X io
eV,
4 X 3.14 x 8.85 X 1012 )h/2

41 - ,O.Ol3eV.
0.44 (Ep) 12/T

1SE
i
s

1S C

=e

-O44(E)13 IT

JSE
is

0.44(1.2X 105)U2/1300

=e

1SE

is

= 0.8894

SE

JS es el 88.94 por ciento de 1Sf

326

(E.IO.9.4)

EJEMPLOS
Ejemplo 10.10. Encuentre el campo Ep en la superficie de un filamento de
tungsteno a T = 2500 K, que hace decrecer 8 por ciento La funcin de trabajo.
Determine el aumento en por ciento de la comente termoimca y la maxima
distancia que ci electrn puede recorrer sin poder escapar de la influencia del
catodo.
SoIucIn
e

eE

)1/2

ire0

_ 'mx

-+1/2

E.10.10.1)

(E.10.10.2)

=
(A 0)2

'

(e/2)2 (c/ire0

(E.10.I0.3)

(45 414)2 (1.6 x 10.19)2


Ep = (1.6 X 10.19 /2)2 (1.6 x 10 19 /3.14x 8.85 x

1(.12)

V/rn,

E=9.0O5x 107 V/rn.


Sustituyendo el valor de Ep en La ecuacin de la densidad de corriente 1SE'
tenernos:
1SE=1S e

0.44 (EP) 112

1e
1SE =

0.44(9.005

IT

x 107)1/2,2.5

(E.10.i0.4)
X 103

1SE = 5.31 J
327

10 EMISION ELECTRONICA EN MErALES


SE aumenta Un 531 por ciento con respecto aJs cuando es aplicado el campo
elctrico E,
e
Xmdx = (

1.6x 1019
16 x 3.14 x 8.85 x 10

Xmax

Xmdx

1/2

(E.10. 10.5)

16ire0 Ep

)I/2 In,

x 9.005 x 10

= 2 X 10 m.

Para distancias menores a


fluencia del ctodo.

Xmx

= 2 X 10 rn, el electron est bajo la in-

Ejemplo 10.11. El ctodo de una fotocelda es iluminado con longitud de onda


de 5860A. Si se aplica un potencial de placa de 1.2V (negativo con respecto al
ctodo), se logra una corriente en la placa de OA.
a) calcule la funciOn de trabajo del ctodo;
b) si la placa es positiva con respecto al ctodo, ,cu1 Cs la maxima longitud de
onda que puede producir comente en la fotocelda?
Solucin:
a)
X= 5860A= 5.86x 107 in,
Xv

C.

(F.b.I 1.1)

3X108
5.86X 10

E + hu = W0 + EC ,
328

(E.I0.I 1.2)
Hz= 5.1 X 1014 Hz,
(E.. 10. 11.3)

EJEMPLOS

donde:
Ec es la energIa ciri&ica de los electrones fuera del ctodo:
Ec + 4) = h v.

(E.10.11.4)

Despejando de La ecuacin anterior a la funciOn de trabajo:


(E. 10. 11.5)
(D = E(6.64X 10

X 5.1 X 1014 )/1.6X 10" 1.2] eV,

b)
Sihv=4)
entonces:
Ii C
A
despejando X , tenemos:
Ii C

(EAO.1l.6)

4.14x 10's x 3x 10 A
0.91
X = 13.65 x 10 m = 13650A
X = 13.65>< 10" m = 13650A
Ejemplo 10.12. Una fotocelda tiene electrodos de diferentes metales; luz monocromtica de longitud de onda de 3000A incide en ci electrodo A y requiere de
un potencial de 1.7V para que la corriente que fluya sea cero; si incide sobre B,
el potencial necesario para esto es de 1.25V. Determine Las funciones de trabajo
de ambos metales e ilustre las relaciones de energia en forma grfica.
329

10 EMISION ELECTRONICA EN METALES


Solucin:
A = 3000A = 3 X 10 m,
C
U =-,

3 x 108

Hz,

v = 10 Hz,
ki = hv EcA ,

(E.10.12.1)

= It u - ECB.

(E. 10. 12.2)

Sustituyendo datos en las ecuaciones (E. 10.12.1) y (E. 10.12.2), tenemos:


(4.14 1.7)eV,
4)4 = 2.44 eV,
= (4.14 1.25) eV,
= 2.89 eV.

\V

h
NV

NV

Nivelde
Fermi

J Ni
z.

B> 'A

Figura E.1O.12. Diagramas de energia de los metalesA yB.

330

EJEMPLOS

Ejemplo 10.13.
Determinar la velocidad maxima con que serail emitidos los fotoelectrones (en
caso de serlo), cuando se hace incidir una radiacion de 5893A sobre:
a) Una superficie de cesio, cuya funciOn de trabajo es de 1.8 eV.
b) Una superficie de plutonio, cuya funcion de trabajo es de 6 eV.
C) Repetir los calculos anteriores cuando la radiaciOn incidente es de 743A.
Solucion:
eV= hu (1) ,

(E.10.13.1)

La ecuacion (E.10.13.1) nos indica cual es la energfa con que los electrones
son fotoemitidos y de esta es posible calcular la velocidad con que escapan;
sustituyendo valores, se tiene:
a) Para el caso del cesio: eVcsi = hf1 'tics
4.14 X 10' s X 3X 108
5.893 X 10-7

(E.I0.13.2)
1.8) eV = 0.31 eV

eVcsi = 0.31 eV

Conociendo la energia de los electrones fuera del catodo podemos determnar la velocidad de estos de la forma siguiente:

2
M o V es

vcs =

2e Vcs,

(E.10.13.3)

(E.10.13.4)
331

10 EMISION ELECTRONICA EN METALES

2 X 0.31 X 1.6 X 10'9

vCs, =

9.11 X 10'

)v2 m/seg.

Cs I = 0.33 X 106 m/seg.

h) Como puede observarse, Ia energia hf 1 = 2.11 eV, no es suficiente para

lograr que la superficie del platino emita.


c) Para

A2 =

743A = 743 X 10-'m.

Para el cesio:
(E. 1 0.13.5)

e 1 s 2 = 111'2

4.14x 10" X 3X 108

e 1 C2

743 x 10'

1.8) e_V = 14.92 eV

e V, = 14.92 eV

La velocidad vcs para esta frecuencia sera:

2e Pc's,

cs 2

(E.10.13 .6)

2x 14.92x 1.6x 10'9


9.1 X 10-3i

cs 2 = 2.29 X 106 m/seg.


332

)" m/seg.

LIEMPLOS

Para el caso del platino esta longitud de onda X2 = 743A sf logra emitir
electrones, asf entonces la velocidad de los electrones fotoemitidos sera:
eVpt

Ilf2

(E.10.13.7)

cPpt

4.14X 10's X 3X 108


743X 10-1

eVpi = 10.76 eV

6.0 ) eV = 10.76 eV

e Vpr = 10.76 eV

por lo tanto la velocidad de los electrones emitidos para el platino sera:


Vpt
Pt = (

v(

in

112
)

(E.10.13.8)

2 X 10.76 X 1.6 X 10-"


)2m/seg.
9.1 X 10-3'

pt = 1' 95

x 10 m/seg.

333

10 EMIS1ON ELECTRON1CA EN METALLS

PREGUNTAS
10.1 LQue importancia tiene la ecuaciOn de Richardson-Dushman en la emisiOn
termoionica?
10.2 LA que se debe la modificaci6n de la barrera de potencial en el efecto
Schottky?
10.3 LPor que resulta necesario suministrar energfa a un catodo en emisi6n?
10.4 ,De que formas es posible medir experimentalrnente la funciOn de trabajo de un material?
10.5 Mencione las causas por las cuales el valor de la constante AT de la earncion de Richardson varfa.
10.6 LQue consideraciones se toman en cuenta en el efecto Schottky?
10.7 ,Como se afecta la densidad de corriente de un material en emision cuando
se aplica un campo extern Ii?
10.8 LComo afecta la funciOn de trabajo de un material a la densidad de
corriente termoionica?
10.9 Si desea construir un dispositivo con una determinada densidad de corriente maxima. Lque criteria debera, de emplear para escoger el material del
catodo?
10.10 Lamm se ye afectado un catodo en emisi6n Si no se encuentra al vacfo?
10.11 ,En que consiste la emisiOn secundaria?
10.12 Defina el coeficiente de emision secundaria.
10.13 Explique, Lpor que los electronos que mas contribuyen a la emisiOn secundaria son los de la superficie del material en emisiOn?
10.14. LEn que consiste la emisiOn fotoelectrica?
334

PRI,GUNTAS

10.15. zQue es el efecto fotoelectrico?


10.16 Defina la eficiencia fotoe16ctrica.

335

10 EMISION ELECTRON ICA EN METALES

l'ItORL EM AS
10.1 Determine el campo electric aplicado que reduce la funciOn de trabajo
de una superficie metalica en 0.25 eV.
10.2 i,Cual es la fracciOn de electrones que son emitidos de un metal con
velocidades normales a la superficie y energfas- mayores que la energfa
promedio KT?
+ aT, determine el valor
10.3 Si la funciOn de trabajo varfa de la forma 43=
de a que hace que la emisiOn termoiOnica se reduzca en un 27%.
10.4 Un catodo de una fotocelda tiene una funcion de trabajo (I) = 4.5 eV.
Cual es la velocidad maxima de los electrones emitidos cuando la celda
se radfa con luz de frecuencia igual a 4 X 10'5 Hz.
10.5 i,Cual debe ser la intensidad de campo electric aplicado a un catodo de
tungsteno que se encuentra trabajando a 2 300K para que la funciOn
de trabajo se reduzca en un 5%? Sual sera el porcentaje de aumento en
la emision termoionica bajo estas circunstancias? i,Cual es la distancia
maxima perpendicular a la superficie que el electron emitido puede viajar sin que se asegure que este ha sido realmente emitido?
10.6 Pruebe que el enfriamiento de un catodo termionico debido a la emisiOn
de electrones esti dado por (I/e) ((I) + 2 KT).
10.7 i,Cuanta potencia debe suministrarse a un catodo que tenga una funciOn
de trabajo de 2eV, para mantenerlo a 1 200 K, si el area del catodo es de
1.8 cm2 y se considera el caso ideal en que los electrones con energfas
iguales o mayores que E + (I) puede escapar de este?
336

PROBLEMAS

10.8 Encuentre la maxima velocidad con la cual los electrones serdn emitidos
(si es que existe la emisiOn) cuando una radiaciOn de longitud de onda
de 6 000A incide sobre:
a) Una superficie de cesio con una fund& de trabajo de 1.8 eV.
b) Una superficie de platino para la cual la funciOn de trabajo es de (.0
eV.
10.9 Una cierta superficie metalica tiene sensitividad espectral de 6 mAJW
cuando incide radiacion "e 2 000A. LCudntos electrones seran emitidos
fotoelectricamente por un pulso de radiacion de 25 000 fotones de la
longitud de onda mencionada?
10.10 Para remover un electron de un material metalico se requiere que este
tenga una energia cinetica de 10e\'. a) Si un electron tiene el 90% de
estd energfa. LQue tan lejos llegara de la superficie?
10.11 Calcule la densidad de corriente de una superficie frfa de tungsteno,
emitida por el efecto de campo electric aplicado:
a) Si el campo electric aplicado es lOg Vim.
b) Si el campo electrico aplicado es 109 Wm.
e) Si el campo electric() aplicado es 10") Wm.
Considere que la funcion de trabajo del tungsteno es de 501.

10 EMISION ELECTRON ICA EN METALES

BIBLIOGRAFIA
C.L. HEMENWAY, A.W. HENRY, M. CAULTON; MILEY, Physical Electronics.
ALDERT VAN DER ZIEL, Electronica del estado solid. PHI (1972).
JACOB MILLMAN, PH. D., SAMUEL SEELY, PH. D., Electronics, second
edition, International Student Edition, McGraw-Hill.

Capitulo 11
DISPOSITIVOS AL VACIO

INTRODUCCION
Se ha dicho que al igual que los alquimistas de la Had Media buscaban afanosamente la "piedra filosofal" para convertir cualquier metal en oro, los primeros
investigadores en materia elctrica buscaban tener un dispositivo al que le pudieran controlar ci flujo dc corriente elctrica mediante la aplicacin de alguna
excitacin externa (campo elctrico. campo magntico, radiacin, etc). Con el
estudio del fenm'mo de emisin termoinica se desarrollaron los tubos al
vacio (vlvulas al vacIo), pues se consider que si era posible emitir electrones
de un metal al calentarlo y stos tenfan que viajar una distancia para encontrar
el electrodo positivo que los atrala (placa), en el espacio interelectrdico se
podrfa de alguna manera controlar el flujo, lo cual result cierto y se desarrollO
la recnologfa de los dispositii'os a! vacz'o.
Los electrodos que forman tin tubo al vacio se encuentran encerrados en el
interior de un recipienle de vidrio al que se le ha practicado un alto vacio
(aproximad amen te 10 mm, de mercurio).
Uno de los electrodos, Ilamado cdtodo (metal que al calentarse emite electrones), puede ser de calentamiento directo o indirecto. En el primer caso puede ser
wolframio, tungsteno puro, wolframio toriado, niquel o una de sus aleaciones
recubiertas de xido de barb. estroncio o 6a1cio. Las temperaturas de operacin
estn airededor de 15000 K. las cuales se logran haciendo pasar una corriente a
travs del ctodo. En los tubos de calentamiento indirecto el ctodo no es recorrido por la corriente de calefacciOn, sino que sta circula por Ufl filamento
aislado del ctodo, denominado filamento calefactor Fig. 11 .I; este filamento
queda rodeado por un cilindro de nfquel sobre el que se deposita la capa emisiva
(xidos de barb, estroncio, etc.), que constituye el ctodo propiamente dicho.
Los tubos de calefaccin indirecta tienen un mejor rend imiento y una inercia
aIorffica ms pequel"ia, siendo casi instantnea su emisin; desgraciadamente a
1

339

DISPOSITIVOS AL VACIO

veces provocn zumbidos debidos a la red, cuando se alimenta ci filamento emisor con corriente alterna, por 10 cual se utilizan raramente en los aparatos alimentados por corriente alterna (CA). Par el contrario, son frecuenternente usados en
aparatos alimentados por bateria, a pesar de que en este caso es preciso compensar
la desigualdad de potencia en ci ctodo como consecuencia de la caida de tension
en el filamento. Esta Cs una de las razones por las cualesla tension de calefaccin
se mntiene en un valor tan reducido como sea posibie (varIa entre 1.4 y 2 V).
La Fig. 11.2 muestra las representaciones simblicas de estos dos tipos de
citod OS.
L'atOdo

IF F1
()
,t

catodo

[:jl ameflto
caicta etor
(b)

Figura 11.2: (a) ctodo de calentamiento


directo; (b) ctodo de calentamiento in-

Figura I.I. Ctodo de calentamiento indirecto

directo.

En el desarroilo de este capitulo utilizaremos sOlo citodos de calentamiento


indirecto, donde el filamento calefactor F1 y F2 no se representar, siendo norrualmente alterna la tensiOn que se aplica. Ia cual viene dada por el fabricante
(Ver Fig. Ii .3.)
(normalrnente 6.3 V en valor eficaz.
aItodo (K)

Fgura 11.3; (a) tension aplicada al fiiamento calefactor; (b) representaci6n normalmente
usada para ci ctodo.
340

I LI. DIODO AL VACIO

La placa de la Fig. 11.4 es una envolvente metlica cuya rnisin es la de recibir todos los eleLtrones que puedan liegar hasta r1la. donde la energia cintica
de stos se transforma en energIa calorifica. La placa no debe sobrecalentarse Iii
mucho menos ponerse al rojo vivo, ya que en este caso se producirfa una emisin
secundaria que siempre es preciso evitar. Debido a esto. las placas se hacen de
metales que radien fcilmcnte el calor, tales como tntalo y molibdeno, que
pueden disipar de 2 a 3.5 W/cm2 . Para los tubos de gran potencia, las placas van
provistas de aletas de refrigeraciOn que aunientan la superficie de disipacidn del
calor puede tambin usarse una circulacin de agua destilada que aumenta la
disipaciOn en vanas decenas de W/cm2 .

:odo

fflanierit

Figura 11 .4. Muestra del ctodo, filarnento calefactor y placa de un tubo al vacfo.

11.1 DI000ALVACLO
introduccin
El dispositivo al vacfo mais simple que se conoce es ci diodo al vacfo, ci cmii
consta de dos electrodos Ilamados diodo y placa. Cuando ci ctodo del diodo
est frio, los elcctrodos constituyen una pequefla capacitancia (de unos cuantos
zf). ('on el cdtodo caliente y la polarizaein debida. la placa conduce con caracterfstica no-lineal, aun para corrientes de placa considerubleniente meriores a su
valor de saturaciOn. Esta no-linealidad es resultado de una nube de electrones
(liamada carga espacial) que se acumula cerca del ctodo y reduce ci potencial
cercano a ste, a un valor igual o menor que ci del ctodo.
El anlisis del diodo es sencillo, cuando se considera que ci cdtodo y la placa son superficics planas, paraletas poco separadas, en donde ci campo elctrico
es perpendicular a todos los puntos de los ekctrodos. Este andlisis resu]ta vlido
para geometrias ms complicadas.
341

11 DISPOSITIVOS AL
1 .1 .1. Rdaciones de voltaje y corriente
La Fig. 11.5 muestra la geornetria de un diodo planar; elpotencialencadapunto
entre el ctodo y la placa dependera de x,hajo diferentes condiciones de operadon.

Figura 11.5. Diodo piano paral&o.


Si el cdtodo estd frfo, la emisin termoidnica es despreciable y la densidad
de carga espacio p entre cdtodo y placa es cero.
La ecuaciOn de Poisson relaciona la variacin del potencial con la densidad
de carga que ste genera; recordando esto, podemos calcular la variacin del
potencial entre ctodo y placa cuando no existe emisin de electrones y cuando
SI existe.
d2V(x)
&_;
dx
p = 0 (emisin electrnica nula, cdtodo frio)

Si:

d2 V(x)
dx2

=0,

dV(x) dx
V(x)=C'x.

(11.1.3)

Para determinar la constante C habr que aplicar condiciones de frontera:


,ara

x=0
x=d

342

v=o.
V= V,,

ill. DODO AL VACIO

Aplicando estas condiciones de frontera en la ecuaciOn (11.1.3.i queda:


V(x)= VpK ==a:

(11.1.4)

sustituyendo el valor de la constante en la ecuacin (11 .1 .3),


VPK

La grfica de la ecuacin (11.1.5) es lineal y se presenta en La Fig. 11.6.

Figura 11.6. VariaciOn del potencial


entre ctodo y placa de an diodo
planar al vacfo cuando no existe
emisidn electrdnica.
Las relaciones de voltaje y corriente de un diodo planar en el cual SI existe
carga elctrica entre ctodo y placa se determinari mediante un tratamiento
matemtico simple, el cual es una aproxiniacin de la solucin rigurosa a La
ecuacin de Poisson.
En La deduccin de la expresin de la corriente de un diodo planar al vacIo
tendremos en cuenta los siguientes puntos;
a) a ecuaciOn de Poisson,
d2V(x) -- p(x)
dx2 -

p(x) O;

b) a ley de conservacin de a cnerg(a,


eV(x)=___mv2(x)
c) la icy de conservacin de la corriente o flufo constante Na densidad de corriente es independiente de x)
J= p(x)v(x)

(1 1.1.8)
343

11

DISPOSITIVO AL V ACIO

ci) (as condiciones de frontera, las cuales pueden establecerse en cuarro distintos
('lSOS,

1)

d V00

0,

(11.1.9)

x=d,
11)

111)

IV)

x=0 .
-. A

r._.
V

x= 0.

V=0,

xzd.

V=V1.

x=0 4

V=0,

11=0.

VJ.J

7> dV(x)
dx

r
- 'PR

X 0

>0.

dV(x)
dx

dV(x)
dx

x=d,

(11.1.10)

(11.1.11)

TIPK
> d .
x=0

(11.1.12)

Usando Las ecuaciones (11.1.6), (11.1.7) y (11.1.8). y las condiciones de


frontera (11.1.9), se obtiene:
de la ecuacin (11.1.7),
v(x)

- [(2e/m)

V(X)1112

sustituyendo en (11.1.8), se tiene


1/2
.1 = p(x) [(2e/ni) V(x)]
de donde:
P(X)

J
[(2dm) V(x)1

SuctitLlyendo Ia eeuacin (11.1. 14)

d2 V()
dx 2

Si Ilamarnos

344

J
=

- 0 [(2e/m)V(x)}

= c/rn

dV(x)
dv 2

en la (11.1.6).

[2 71

ill. DIODO ALVACIG


Multiplicando ambos miembros de la ccuacin (11.1,15) por el trrnino
2dV(x)/dx, e integrando eon respecto a x, se tierie:
-

2dV(x)
dx

dx2

2J

1/2 '(x)112

- eo

2J
d r dV(x) ]2 = dx
dx
e0 (2rj)112

dV(x)
dx

d [2V(x'l"2]

4f
- 1/2
1/2 1'(x) +C 4
e0 (2)

dV(x) 2

dx

iso I. Region limitada por la carga espacio


Aplicando las condiciones de frontera (11. 1.9) ala ecuaciOn 11.1.16), tenemos:
V=O,

x=O,
x=0

dV(x)
dx

= 0,

y por lo tanto La constante C1 resulta ser cero. En esta forma:


dV(x)

= 1-

dx

4J

I
e0(2)1/2

112

V(x)114

integrando nuevarnente La ecuacin (11.1.17),


]1/2
dx ,
V(x) / 4 dV(x) = F- (2)12
e,,, (277)

4. V(x

)31

j 1/2 } 1/2
()

X+

(' 2

Aplicando nuevamente condiciones de frontera a La ecuacin (11.1.18),


V = 0, se tiene que C2 = 0

x = 0,

asf, La ecuacin (11.1.18) queda


)3/4

V(x-

- 1-

4J
1/2
x
1/2 1
e(2ii)
345

11DISPOSITIVOS AL VACTO
De l.a ecuaciOn (11.1.19) despejarnos la densidad de corriente J que existe entre ctodo y placa,
3,2
4
12
V(x)
J=
(21)
Si sustituirnos los valores de las constantes y efectuamos Las operaciones, se tiene:
3/2

J=-2.33x 10_6 '(x)

(A/rn2 ).

(11.1.21)

Esta Ultima ecuaciOn 0 1. 1 .21) se conoce como ecuacin de Langmuir-Child.


El signo de la ecuacin (11.1.21) significa que la corriente convencional
fluye en la direccin de x.
La densidad de corriente en la placa ser:
V(x)

PK , x=d;

1 x= d =V

J=-2.33X 10_6

TI 3 12
rpx

(A/rn 2 ).

d2

De las ecuaciones (11.1.21) y (11.1.22) es posible obtener el potencial


corno una funcin de x. cuando La densidad de carga espacial es difrente de
cero y la densidad de corriente es constante:
X 4/3

V(x) =(---) VPK

(11.1.23)

Si graficamos la ecuacin (11.1 .23), se obtiene Ia Fig. 11.7.


V(x)

Figura 11.7. Grfica del potencial cuando hay densidad de carga.cspacio entre ctodo y placa
de un diodo planar al vacfo.
346

11.1. DIODO AL VAC!0

Al observar la ecuaciOn (11.1.22), se tiene que Si V - , entonces4K 00,


lo cual no es posible puesto que la fuente de electrones es el ctodo y la maxima
densidad de corriente que se le puede extraer est dada por la ecuacin de Richardson-Dushman. Por Jo tanto:
JPK--2.33X 106

v K3/2

'1s = ATe1'1(T).

(11.1.24)

En un tubo diodo al vacIo de caracteristicas comerciales se tiene una geometrIa de construccjOn ya establecida y el valor de d2 es constante; por lo
tanto, la ecuaci6n(11.1.24) se puede escribir como:
PK = k

AT 2 etcT).

(11.1.25)

Graficando la ecuacin (11.1.25), voltaje contra corriente (considerando


una unidad de area), se obtiene la Fig. 11.8.
'PX

II
I

Ic

-7
P

,.. Region limitada por


la ecuaciOn
de saturaciOn
de Richaxdson- Dushmann

RegiOn limitada por


laecuacin
de Langmulachild

-0

vFK

Figura 11.8. Caracter(stica de V-I para un diodo tipico a! Vaciu, para diferentes temperaturas.

Caso III. Velocidad inicicii finita


Si en la ecuacin (11.1.16) aplicamos las condiciones de frontera para ci caso III
(11.1.11), se tiene:
dV
(11. 1.26)
i=a,
x=O,
V=O,
X
x=O
x=d,
VPK
347

DISPOSITIVOS AL VACIO

La constante c1 resulta ser C1 = a2


dV(x)
{E - e0 (Lfl)
dx =

F (x )1 1/2 + a2 } 1/2 ,

dV(x) = [C 3 V(x)t" 2 + a2]2 , donde C3 = dx

(11,1.27)
4J

(11.1.28)

E(217)

Aplicando el mtodo de integracin de variables separadas y efectuando un


112
cambio de variable u = V(x) , se tiene:
2u du
(C3 u +

(11.1.29)

=dx.

Integrando la ecuacin (11.1.29), queda:

A. (C3 u_2a2)(C3 u+a 2 )' 2 =x+ C2

(11.1.30)

3C3

y sustituyendo el valor de u = V(x) 12 y las condiciones de frontera (x = 0,


V(x) = 0), obtenemos el valor de la constante C2 :
C2

8a3
F .

sustituyendo (11.1.31) en (11.1.30) queda:


9x2C_16C3V(x)3

- [48xa3 +48a 2 V(x)]=0;

despejando a C3 , se tiene:
= 16 V(x)3' 2 256 V(x)3

36x2 [48xa3
18X2

igualando con C3 de la ecuacin (11.1,38);


4'
C3
= - EO (27?)12
entonces:
(16V(x)3 + 108x2 [xa3 + a2
.1 = e(')"2 <I4V(x)
18x2
18x2

48u2 V(x)1

1/2

(11.1.32)

Vx)J2 }

(11.1.33)
348

IIJDIODO ALVACIO

Se debe tomar el signo menos para el radical ya que es el que satisface la condicin de:
3/2
4
ii V(x)
a= 0, j=0()
( ll.L.,4)
;
entonces
J = - 2.33 X 106 1

V(x)312 + /_V(x)3

6.75 x2 [xa +a 2 V(x)]


2
(11.1.35)

En este caso el valor de:


dV(x) I
dx
I
Ix = 0
ser el campo elctrico sobre el ctodo, de manera que Si < 0, se tiene un
campo que repele a los electrones que estn por emitirse, lo cual establece una
barrera de potencial y solo aquellos electrones que sobrepasen la velocidad de
escape podrn Ilegar a la placa.
Si a> 0, se tendr un campo elctrico que atrae Los electrones que estn
por emitirse, lo cual implica una reducciOn en la barrera de potencial aumentando en consecuencia la densidad de corriente termoinica.
Si se quiere encontrar una relacin entre V(x) y x, es necesario recordar
que la densidad de corriente se conserva; es decir:
J(x) = .4(d);
lo cual implica que:
j,r3/2

V(x)312

d2

x2

-T

V(x)3 + 6.75 x2 [xa3 + a2 V(x)]

x4

1/2

-4-6.75d2 [da3
d4

(11.1.36)

El graficar la expresin (11.1.36), ya sea para a> 0 o para a < 0, nos arroja
informaciOn sobre los casos II,, III, IV, pero resulta diff cii pues tiene que hacerse por tanteos o aIgi&n mtodo de clculo numrico.
Se considera que el valor de a depende de la temperatura a la que se tenga
al ctodo, de tal manera quc a temperaturas bajas a> 0, y a temperaturas eleva349

DOSITIVOS AL VACIO

das a < 0, existiendo un valor intermedlo de temperatura en que a = 0. Los


fabricantes de dispositivos disean por Ia general la geometria y la temperatura
del dispositivo para que trabaje en la condicin de a = 0, aunque existen algunos dispositivos (por ejemplo el nubistor) que trabajan en la condicion de < 0,
esto es, con una carga espacial muy densa.
Debido a que no se dio mnguna condicin sobre el valor o el signo de a,
se puede concluir que ]as expresiones (11.1 .35) y (11.1.36) rigen el comportamiento de cualquier tipo de diodo, inclusive la condicin en que a = 0.
En este trabajo se usa como buena aproximacin para estudiar el comportamiento del diodo al vac(o el caso en que existe carga espacial entre ctodo y
placa, y se cumple que:
dV(x)
a dx

-0.
x= 0

Graficando los distintos casos que se han establecido, se tienen las siguientes figuras:

V(x)

V(x)

V(x)

VPK

VjK

VPK

J
dV =

(b)

(a)

ft.)

Figura 11.9. Variaciones de potencial entre ctodo y placa: (a) condiciOn limitada por la
temperatura; (b) condicin limitada por la carga.espacio (campo e1ctrico nulo sobre ci
ctodo); (c) condicin limitada por In carga-espacia (campo eInctrico positivo para el ctodo;
velocidad inicial finita para los electrones).

En el caso de La Fig. 11.9-a la densidad de carga espacial p entre los electrados del diodo es pequefla y los electrones que salen del ctodo alcanzan la placa
limitados solarnente por la temperatura (ecuacin de Richard son-Dushman).
En el caso de la Fig. 11.9-b, la temperatura es suficientemente clevada, para
350

I 1.1. DIODO ALVACIO

que Ia densidad de corriente sea grande y es el caso unite en que la densidad de


carga espacio afecta con un campo sobre el ctodo de a = dV(x)/dx = E =
por lo que no se opone ninguna barrera de potencial extra a la del propio material del ctodo para que los electrones puedan ser emitidos. Este caso se considera promedio y es el ms cercano a la, realidad.
En el caso de la Fig. 11.9-c, la temperatura es muy elevada y la densidad de
carga espacial p es muy grande, lo cual produce un campo elctrico positivo
sobre el ctodo que repele a los electrones de energfa cintica pequefla, presentndose una barrera de potencial cerca del ctodo. Por lo general un tubo traba.Iando en estas condiciones es ruidoso por el ir y venir de los electrones en las
cercanfas del ctodo.

11. 1.2. Simbolos


El sfmbolo ms empleado del diodo al vacfo es mostrado en la Fig. II .10.

Placa

Fi lamentos
A
ciodo
(a)

(P4

(c)

Figura 11.10. Simbolo y construccin t(pica de: (a) tubo diodo de ctodo de calentamiento
indirecto;(b) tubo diodo de ctodo de calentamiento directo; y(c) construccin tfpica.
11.1.3. Caracteristicas y lirnitaciones
En la tabla 11 . I se muestran los parmetros, las literales y las definiciones que
se emplean en Los diodos al vacfo.
351

TABLA 11.1
Parmetro

Valor

Definicin

Voltaje de
filamentos

Es ci voltaje que se debe aplicar a las terminales de


los filamentos para proporcionar la temperatura
adecuada at ctodo del tubo; este voltaje es un valor
eficaz, rms o prornedio.

Corriente de
filamentos

I.

Es la corriente que circula por los filamentos para


que se tenga Ii temperatura adecuada en ci ctodo;
normalniente Cs un valor rms o prornedio.

Voltaje de pico
inverso de placa

Vip

Es ci voltaje inverso mximo que se puede aplicar


entre placa y ctodo, sin que se We el dispositivo.

Corriente directa
promedlo

'PK

Es la corriente directa promedio qua puede proporcionar el dispositivo en ci estado permanente.

Corriente pico
repetitiva

'PKT

Es la corriente pico que en forma repetitiva puede


soporar ci dispositivo sin daflarse.

Corriente pico
transitoria

'PKR

Es la corriente pico que en forma transitoria puede


soportar ci dispositivo sin daflarse. Para poder repotin esta corriente nuevamente se requiere que estos
picos estn distantes en el tiempo.

Voltaje placa cdtodo


caracterIstico

VPK
@ 'PK

Es un voltaje que da el fabnicante y se especifica la


corriente de placa para ese voltaje, lo que da una
idea clara de por dnde pasa Id curva caracterstica
en caso de quererse graficar de la ecuaciOn de
Langmuu-Child.

Capacidad entre placa


y caiefactor-ctodo

CPFIC

Es la capacidad que se tiene cortocircuitando la placa y ci filamenito con ci cdtodo del diodo a! vacio.

Corriente instantnea
de placa.

i ph

Es la corriente entre placa y ctodo instantnea.

CKFP

Es la capacidad qua se tiene cortocircuitando el


ctodo y los filamentos con la placa.

Capacidad entre ctoth


y calefactor-placa
Capacidad entre
fuianiento y cdtodo

C71.

Es la capacidad que se tiene cntre el filamento y el


cdtodo.
352

11.I.DIODO ALVAcIO
TABLA11.1 (cont ... )
Parmetro

Valor

Definicin

Potencia de disipaciOn
de placa

Es el valor pro medio rnximo que puede disipar la


placa del diodo sin que el dispositivo se deteriore.

Voltaje pico entre


fliamento y ctodo

VF,,

Este voltaje se especifica como un mximo y se da


considerando el ctodo positivo respecto al filamen
to y considerando el ctodo negativo respecto al
filamento.

Tiempo de
calentamiento

T.

Es el tiempo que los fabricantes especifican para que


considere que la temperatura del ctodo alcance
su valor de trabajo (warm-up).
Sc

Ejemplo: Normalmente el fabricante indica ci tipo de montaje


19
y tipo de base que tiene en particular cada tubo yb
STI4 refiere a una tabla que los manuales traen.

Tipo de montaje

y de base

11.1.4. Circuito equivalente


La Fig. 11.11 muestra una aproximacin segmento lineal de la curva caracterfstica del diodo al vaclo, donde la recta de pendiente i/RD es tangente a la curva
en el punto D, y la recta de pendiente 1 /R es tangente a la curva en un punto B; estas dos rectas se cortan en el punto M, cuyas coordenadas son VM e

D
7T

IM 1PK
Is

0V0 VQ VD

VM

Figura 11.11. Curva caracteristica


estitica del diodo al vacIo y su apro.
VPK
ximacin segmento lineal.

353

DISPOSITIVOS AL VACIO

En la Fig. 11 .12 se propone un circuito equivalente para la Fig. 11.11.


'PK
+

L_fJ

Rp

Di
2

VPK

Figura 11.12. Circuito equivalente esttico


del diodo al vacio, donde:
VPK - V
R=
(11.1.37)
'PK
RS>>RD.

(11.1.38)

En la Fig. 11.13 se muestra el circuito esttico del diodo al vaclo para la regin de Langmuir-Child, considerando al obtener el modelo un punto de coordenadas (VD ,ID) por donde se traza una tangente a la curva que parte del punto
(Vol 0).

'PK

Figura 11.13. Aproximacin segmento lineal y circuito equivalente esttico, para el diodo en
la region de Langmuir-Child.
Cuando VPK > T', el diodo conduce y
VPK =RpIpK + V.

donde:

- V,
u

PK

354

(11.1.39)

11.2. TRIODO AL VACIO

Recordando que en esta region domina la ley de la potencia a la 3/2, es posible


determinar ci valor de V,, en trminos de V, es decir:
I

i.,312

JPKAYPi

(11.1.40)

dVPK
RI

dIPK

, r
VD, 1D

VD -1
'

(11.1.41)

ID

2 V
RP MD

(11.1.42)

VU

(11.1.43)

El circuito equivalente dinmico de la Fig. 11.1 3 es:


b 1PK

VPK

Rp

Figura 11.14. Circuito equivalente dinmico del


diodo en la region de Langmuir.Child, para ci
punto de coordenadas (VD ,ID), donde:
2 V

11.1.5. VariaciOn de parmetros


Dentro de los tubos al vacz'o, en este caso para el diodo, la temperatura del filamento afecta ci comportanfento elctrico en corrientes cercanas a los li'mires
mximos de operacin, pues se modifica la corriente de saturaciOn por temperatura (region de Richardson-Dus/zman); sin embargo, no se tiene claramente tipificado, pues inrervienen otros pardinetros, como son los rnateriales del cdrodo y
el tie,npo dc operaciOn de la vdivula, por lo que en realidad en los tubos al 'ado no se ton1a mucho en cuenta la variacion de sus pardmerros a! utilizarlos
Ii 2. TRIODO AL VACIO
Introduccin
El triodo al vaci'o es generaimente un diodo al vaci'o con un elelnento de control, 11anado re/lila, interpuesto enfre el ctodo y la placa. El control de la
355

11 DISPOSITIVOS AL VACIO
corriente de placa se logra modifjcando a distribucin del potencial entre cdrodo y placa. El voltaje aplicado a a rejilla con relacin al cdtodo pro porciona el
mecanismo para variar esta distribucin de potencial.
Los triodos al vacfo tienen una gran variedad de tamafios y diferentes configuraciones en sus electrodos. Por ejemplo, un tubo subminiatura es de cerca de
3 cms de largo con un dimetro comparable al de un lpiz'ordinario, mientras
que las dimensiones de un tubo de los usados en transmisores son ms fcilmente
expresables en metros. El tamafto est determinado principalmente por los niveles de potencia y voltajes requeridos en una aplicacin dada. Los triodos son clasificados como dispositivos de control y para la gran mayorIa de las aplicaciones
operan con mveles de potencia de unos cuantos h. Los tubos grandes de alta
potencia usados en transmisores de radio pueden manejar KW de potencia.
11.2.1 Simbolo
En la Fig. 11. 15 se muestra la estructura tIpica de los electrodos en el triodo
y en La Fig, 11 .16 se tienen los diferentes sImbolos para el triodo.

0 00 0000000

____Reja(G)
.Ctodo (K)
i1arnentOS

F1

F2

Figtira 11.15. Estructura tipica de los electrodos en el triodo.

Placa (P)

Reja

(K)

Filamen
F1 F2
(a)

4
K
F1 F2
(b)

(c)

Figuia 11.16. Sfmbolos del triodo: (a) sfmbolo del triodo con ctodo de ca!efaccin directa;
(b) simbolo del triodo con ctodo de calefaccidn indirecta; (c) sfmbolo del triodo normalmente usado.

356

11.2. TRIODO AL VACIO

11.2.2. Triodo piano paralelo frIo


C'uando se aplica un vo lra/e de re/il/a, se ye afectada la distribucin del potencial
elEctrico en el espaclo interelectrdico y de ese modo se modifica elfiujo de elecrrones del cdtodo a la placa. Para dar una explicacin detallada de este efecto,
examinaremos primero la distribucin del potencial elctrico dentro de un triodo
"frno" (cdtodo frio), de tal manera que el cdtodo no emite electrones. El tubo
frlo, que no tiene carga espacial interelectrOdica, puede pensarse como un arreglo, de condensadores entre los electrodos en el que los carnpos elctricos interelectrOdicos estn gobernador por leyes electrostticas lineales. Losvoltajesaplicados determinan los campos interelectrOdicos del tubo frfo, de los cualespodemos deducir algo acerca de la cantidad de corriente que fluye cuando ci cdtodo se
a1ienta. Por sencillez escogemos una geometrfa plana paralela con electrodos de
extension infinita. El ctodo y la placa sern pianos metlicos, y La estructura
de la rejilia ser de varillas o alambres paralelos (Fig. I 1.17-a);losalambresde
la rejilla estarn espaciados una distancia s entre sI y tendrn un dimetro d.
Los alambres de la rejilia estn fijos a un potencial VG con respecto al ctodo y la placa a un potencial VPK con respecto a este mismo, como demuestra la lmnea punteada V de la misma Fig. 11.17-b.
Con ci alambrado de la rejilla, el potencial (x, y, z) disrninuye bruscamente
en la vecindad de cada alambre (Fig. 11.17-b). Cuando se aplican los voltajes V,
V (Fig. 11.8-a) aparecen cargas inducidas QK. QG' QPK sobre los electrodos.
Dado que las relaciones de carga y voltaje son lineales, siempre podemos
representar al triodo frIo como el sistema de tres condensadores (Fig. 11 .1 8).
Este es el modelo general de circuitos para cualquier configuraciOn de tres condensadores perfectos en ci espacio libre, uno a tierra y los otros dos excitados
por voltajes de corriente directa.
V(x) I
XG

, vpx

o.k
nos
M o-

'I
C
/
C.)

I,

o
4

x
(a)

VG XG

(b)

Figura 11.17. Distribucin de potencial de un triodo piano de cdtodo fib.


357

11 DISPOSITIVOS AL VACTO
Qp

QK QG
4

K CPK

rc

QK = (CGK VG + CPK VPK)

CGK

QG

Vc

CGK VG +CPG (VG _ VPK)

- +
QPK = CPK VPK +C .c (VFK_ VG)

+
(a)

(C)

(b)

Figura 11.18. Modelo electrosttico del triodo frno: (a) potenciales; (b) capacitores; (c) ley
de comportamiento.

SupongamoS ahora que QG = O(sin carga de re/lila); esta resulta elctricamenre transparente y la curva de potencial tiene una pendiente VpK/Xd mostrada en la Fig. 11.17-b. Adems, si la variacin de la carga QG con respecto al
voltaje V de la reja se hace cero, se puede obtener:
'

SiQQ = 0, estoimplica que:

____

Fig. 11.19 modelo del triodo mostrando el caso en que Q = 0 (reja transparente).

Si nos interesa obtener A VpK /A V, se encuentra que:

GGKVG+C=
CPU VpK ,
.VPK G K +

( 11.2.2)

C,

358

11.2. TRIODO AL VACIO

Cuando se cumple la condiciOn de carga QG = 0, es posible tener que:


CpG CGK
C'PK

;sustituyendo (11.2.4) en
(11.2.3),tenemos:

11

_ K = GK
VC,

(11.2,4)

(11.2.5)

PK

trmino al que se denomina '1e y se le llama factor de amplificacin esttico.


11.2.3. Triodo termoiOnico
Cuando el ctodo se calienta a la temperatura de operacin, la emisiOn termoinica proporciona un gran nimero de electrones libres entre cdtodo y placa.
Como en el caso del diodo al vaclo, la corriente de placa del triodo en operacin normal est limitada por la carga espacial (JFK = KV 2 ) ms que por la
saturacin de ternperatura (ecuacin de Richardson). La carga espacial debida a
la nube de electrones en el espacio interelectrdico modifica la distribucin del
ctodo frfo (ver la Fig. 11.20).
1 V
I,VPK

'

I
II

I-

0.

I
I

I
I

I,,

I
I

tv

--'XG

Xd-

Figura 11.20. Distribu ion de potencial en el triodo termoiOnico.

Si se considera que la condicin de transparencia en rejilla QG = 0 prevalece


en el triodo termoiOnico, es posible establecer una equivalencia entre ci diodo y
el triodo en operacin, de Ia forma mostrada en la Fig. 11.21.
359

DISPOSITIVOS AL VACJO

ove

P
Diodo equivalente

--VG
IF

VPK

IF

'PKD
(b)

CPK

()

Figura 11.21. Equivalencia del diodo y triodo al vaco en funcionamiento, considerando que

41cD'PKT
Si se satisface la condicin de equivalencia 'PKD = 'PKT' y se conoce la relacin entre (V) y ("K' V) para lo cual recurrimos a las ecuaciones de carga
previainente establecidas, de la ley de comportamiento (Fig. 11.18-c) tenemos:
QPK = CPK VPK

+c

- VG );

( 11.2.6)

y como los dispositivos son equivalentes, se debe cumplir que,


QPK = CPK VK

es decir:
CPK VIK = CPK VPK + CPG ( VPK - VG).

(11.2.7)

De la misma ley de comportamiento de la Fig. 11.18-c, cuando Q, = 0 ten amos;


- VG)= CGK VG.

(11.2.8)

Sustituyendo (11.2.8) se tiene:


CPK VK= CPK VPK +GGK VG .

(11.2.9)

dividiendo por CPK


T'K = VP
360

CGK
V( .
CPK

(11.2.10)

11.2. TRIODO AL VACIO

Dc la ecuac!On (11.2.5) tenemos que u,,

QK/CPK. Entonces:

VpX = Vp+V.

(11.2.11)

Si de la ecuacin del diodo termoinico se sabe que:


,3/2
'PK.D = K VPK
'PKT = 'Plc '

(11.2.12)

sustituyendo el valor de V;,K de la ecuacin (11.2.11) se encuentra:


F - ViTI .i.

'PK

- 4rp

1Le Ti'3I2
GI

(11.2.13)

y a esta ecuaciOn se le conoce como ecuacin del triodo termoinico, la cual


tambin se puede expresar de la forma siguiente:
'Plc

(11.2.14)

P e V+ VPK = () 3/2

ecuacin que representa a un diodo termoinico en serie con una fuente de


voltaje de valor p 1'. Analizando la ecuaciOn (11.2.13) se puede ver que al graficar; las curvas que se obtienen son iguales a la curva del diodo termoinico, recorridas en el eje de VPK por una cantidad (-p, Va ), tal como se niuestra en la
figura 11.22.
1px(k)

(a)

VpK(V)

Figura 11.22. Grfica y equivalente de un triodo termoinico basndose en las ecuaciones


11.2.13y 11.2.14.
361

DISPOSITIVOS AL VACIO
Sin embargo, en la realidad las curvas del dispositivo triodo discrepan de las
tericas como se muestra en la Fig. 11.23.
1PK

2V 0 'A
Or / IVG -_ ov
-lv

prcticas

- tericas

divisorias

-2V

-5v
/

/-4v
0

VpK(V)

Figura 11.23. Discrepancia entre las curvas reales y las tericas para un triodo termoinico al
vacIo, donde g = 1e
Dentro de la region central contenida entre las llneas OA y OB (Fig. 11.23),
Las curvas experimentales siguen muy bien a las curvas tericas. Esta regiOn es la
que normalmenre se utiliza al operar ci dispositivo y se le denomina region activa.
Arriba de la linea OA la corriente de placa real es menor que la obtenida
teOricamente pues la distribucin de potencial entre La placa y el ctodo se ye
modificada por la presencia de carga espacial entre rejilla y placa; a esta region
se le denomina regiOn de saturaciOn, Abajo de la imnea OB la corriente real es
mucho mayor que la corriente terica,.lo que puede atribuirse principalmente a
inevitables fallas en la uniformidad del espaciamiento entre rejilla y placa; a esta
regiOn se le denomina regiOn de corte. Asi es posible construir triodos de carte
remoto en los cuales el espaciamiento entre los alambres es intencionalmente
no uniforme: y triodos de corte rpido eu los cuales el espaciamiento entre los
alambres de la rejilla es uniforme. Los triodos de corte remoto se usan extensamente en aplicaciones en las cuales se desea el control de ganancia par media de
la polarizaciOn (Fig. 11.24).
11.2.4. Curvas de corriente de rejilla para un triodo tipico
La rejilla (ilamada en muchas ocasiones reja) y el ctodo forman un diodo que
conduce corriente para valores positivos de voltaje de reja (Fig. 11.25).
362

11.2. TRIODO AL V.

En la Fig. 11.26 se presenta otra forma de graficar los mismos datos.

i'-"

LUU

.V'.

Ivv

Triodo de corte remoto

J1 V)

Triodo de corte rpido

VpKr)

Figura 11.24. Comparaciri de las curvas caracterfsticas estdticas de placa de triodos de


corte remoto y corte rdpido.

V
PK(V)

Figura 11.25. Curvas caracterIsticas estticas del diode de reja-cdtodo con VPK corno para.
metro.
363

DISPOSITIVOS AL VACIO

Figura 11.26. Curvas caracterfsticas estticas del diodo de reja-ctodo con VG como parmetro.

11.2.5. Caracterfsticasyliffdtaciones
En la tabla 11.2 se muestran las principales caracterfsticas y limitaciones del
triodo a! vacIo.
TABLA 11.2
Parmetro

Valor

Defjnicin

Voltaje de
filamentos

Jj.

Es el voltaje nominal rms o promedio que especifica el fabncante para alimentar los fliamentos.

Corriente de

IF

Es la corriente que debe circular por los filamentos


par que Se tenga la temperatura adecuada en el
ctodo del triodo.

Voltaje entre placa


y ctodo promedio

VPK

Es el voltaje esttico promedio entre placa y ctodo del triodo.

Voltaje entre placa


y ctodo mximo

Vpjw

Es ci voltaje mxJmo que se puede aplicar entre


placa y ctodo de un triodo, sin que dafle (polarizacin).

filamentos

364

11.2. TRIODOS ALVACIO

TABLA 11.2 (cont...)


Patmetro

Valor

Definicin

Voltaje entre placa y


ctodo instantneo

vph

Es el voltaje en algIin instante que aparece entre


placa y ctodo del triodo.

Corriente promedio
entre placa-ctodo

'PK

Es la corriente esttica promedio entre placa y


ctodo del triodo.

Corriente instantnea
entre placa-ctodo

1k

Es la corriente en a1g6n instante entre placa y


ctodo.

Voltaje de
reja-ctodo promedio

VG

Es ci voitaje esttico promedio que se aplica entre


la reja de control y el ctodo del triodo.

Voltaje de reja-cdtodo
instantneo

v.

Es el voltaje en algn instante que se aplica entre


reja de control y ctodo de un triodo.

Corriente de rejacontrol promedio

IG

Es la corriente promedio entre reja de control y


ctodo o entre reja de control y placa.

Voltaje maxima de
reja-control

VGM

Es el voitaje maxima permitido que se puede aplicar entre la reja de control y ci ctodo.

Corriente maxima
de reja

'GM

Es La corriente maxima de reja de control permitida sin que se daile el dispositivo; normalmente
cuando VG >0.

Potencia de
disipaciOn

PD

Factor de
ampliflcacin de
voltaje
Transconductancia

Es la potencia de disipacin en La placa que el dispositivo es capaz de disipar permanentemente sin


sufrir dana; normalmente PD = 'P11 V.
Se define el factor z coma:

dvpk
- dv
g,,

'pk

= cte

Se define la transconductancia como:


- diph
g,, dVg

VPk=cte
365

11 DISPOSITNOS AL VACIO
TABLA 11.2 (cont...)
Paris metro

Valor

DefInicin

Resistencia de placa

r9

Se define la resistencia de placa como:


dvpk
1pk

= cte

Capacidad entre reja


de control y placa

CGP

Es La capacidad que se tiene entre la reja de control


y la placa, can ci ctodo desconectado y sin blindaje.

Capacidad entre reja


de control y ctodo

CGK

Es la capacidad que se tiene entre La reja de control


y el ctodo, con la placa desconectada y sin bundaje.

Capacidad entre
placa y ctodo

CPK

Es la capacidad que se tiene entre In placa y el ctodo, con La reja de control desconectada y sin
blindaje.

Tiempo de
calentamiento

T.

Es el tiempo que los fabricantes especifican para


que se considere que la temperatura del ctodo
alcance su valor de trabajo (w.rin-up).

Tipo de montaje
y de base

Ejemplo:
T9
ST1 4
T6112
T5'2
MIS
MTI 2
112

El fabricante ofrece Los tubos en diferentes monta


jes normalizados, los cuales se conocen segn cierta nomenclatura y en los nianuales aparecen estas
y sus dimensiones fIsicas.

Voltaje de
filamento a ctodo

VFK

Es la diferencia de voltaje que puede existir entre


el filamento y el ctodo sin que se tenga una
corriente apreciable.

Tiempo de
vida medio

tM

Es ci tiempo on que se considera que ci tubo puede


dar un servicio confiable; normahnente los fabricantes lo especifican en horns de operacin.

366

11.2. TRIODOS AL VACIO

11.2.6. Circuito equivalente


Debido a que ci triodo es un dispositivo triterminal, se puede caracterizar plenamente con V,K, VG , 'PK' 'G Una representacin funcional para ser usida en circuitos elctricos es un cuadripolo de mallas separadas, el cual queda caracterizado
precisamente por dos voltajes y dos corrientes (ver apndice Q. En la figura
11.27 se muestra el smbo10 del triodo representado como cuadripolo en configuracin de ctodo comn; igualmente se puede pensar en otras dos configuraciones, como son: reja de control comUn y placa com(in.

-----

it

I. ____
0

GL_
ctodo comn

reja de control comn

p
p

LK
I

L_____..
placa cOmn

Figura 11.27. SImbolo del triodo al vacio y su representaciOn en cuadripolo para las distintas

configuraciones.
Asf, analizaremos primero el caso de ctodo comn. Si anteriormente se
obtuvo el equivalente lineal de un diodo al vacfo y en esta seccin se ha concluido que entre reja y ctodo se tiene un diodo, y que el comportamiento de
placa-catodo es como se muestra en la Fig. 11.22-b, se puede establecer que un
triodo es equivalente al arreglo mostrado en la Fig. 11.28.

MER
U VG

Figura 1128. Equivalente con diodos de un triodo al vacmo, en conflguracin de ctodo


comUn.
367

DISPOSITIVOS AL VACIO

Si se hace usc del equivalente del diodo al vaclo, se puede establecer:

VG = OV

Rp

1+

oI

'PK

D2

-2V
-3V

E
MVG

-4v
-5V

K
R
(a)

,Iiv
11t/tL'

w-t

01

El

2 34 4M 5P

(b)

61

VPK

(c)

Figura 11.29. Equivalente esttico de un triodo at vacIo y su aproxiniacin a las curvas reales:
(a) s(mbolo; (b) equivalente lineal; (c) aproximacin segmento lineal de sus caracteristicas.
Para que el equivalente sea rns simple, normalmente se hace E2 = E1 = 0,
lc que hace que el circuito equivalente en ctodo comin quede:
P

R D2

'PK

Lo

VQOV G

4'PK
I'GVPK

lv
-2V }
_______________________
3V

(b)

(a)
___
A
2,
3
0
VPK
(c)

Figuni 1130. Equivalente esttico simple del triodo y su aproximacin a las curvas reales:
(a) sImbolo del triodo; (b) equivalente esttico del triodo simplificado en configuracin de
ctodo comn; (c) aproximacin segmento lineal.
368

11.2. TRIODOS AL VACIO

Debido a que en la mayorfa de las aplicaciones la reja de control est polarizada inversamente, D1 no conduce y se puede establecer el euivalente siguiente (Fig. 11.3 1), el cual es el ms empleado. En todos los anlisis y equivalentes
que se han trabajado, no se ha considerado el signo de J', de manera que Si
VG <0 la polaridad de la fuente p VG debe cambiar respecto a lo indicado en las
figuras anteriores.
r
Rp

'PKQ

OK

VG

(5L VG
VpKI

Kg
g

(b)

(a)

Figura 11.31. Equivalente lineal ms simple para un dispositivo triodo al vacfo en configuracin de ctodo comCin: (a) simbolo del triodo a! vacfo; (b) equivalente sirnplificado en confiuracin de ctodo comtin.
g

Observando el Ultimo equivalente del triodo (Fig. 11.31-b), se ye que este


dispositivo se comporta como una fuente de voltaje real dependiente de voltaje,
con p > 1, lo que hace pensar que este dispositivo opera como un amplificador
de voltaje.
Si se analiza la red de placa y ctodo, se puede establecer que:
(11.2.15)

VPK=PVG +RI,
I'PK

'

/A

-= - + FK'
R R
PK

(11.2.16)

'G

De la ecuacin (11.2.15) se tiene:


1'vPK
G

lIpK=cte

Rp MPK

V=cte

y el trrnino g,,, = p/R,,, conocido como transconductancia, el cual se mide en


mhos (fl)'.
369

DISPOSITIVOS AL VACIO

De acuerdo con el teorema de Norton, haciendo uso de La relaci6n(1 1.2.16)


se puede establecer un nuevo equiva!ente para el triodo. como se ilustra en la
Fig. 11.32.
op

4- 1PK P
-o
VG

Rp1

__- IPK

\mvG
K

-o K

(a)

(b)

Figura 11.32. Equivalente del triodo con fuente de corriente: (a) sImbolo del triodo. (b) equivalente simplificado con fuente de corriente para untriodo en configuracin de ctodo cornn.
Considerando las capacidades interelectrdicas, ci circuito equivalente queda mostrado en la Fig. 11.33.
'PK
CpG
G
4
OP

L
RpV6~i

CGKCPK

VGI
0

Figura 11.33. Circuito equivalente del


triodo al vacio en altas frecuencias en
configuracion de ctodo comUn.

En la Fig. 11.34 se muestran los equivalentes del triodo para las con figuraciones de reja y placa comn.
VPK
pm
siI
PVC

KP

\(c

'PK

p VG

(a)

0 p

G
(b)

Figura 11.34: (a) equivalente simplificado de placa comCin: (b) equivalente sisnplificado de
reja conin.
370

11.2. TR1ODOS AL N.rACIO

11.2.7 VariaciOn de parametros


En este caso los parametros varfan bruscamente al variar la temperatura del catodo, ya sea por variacion en la alimentacion del mismo o por envejecimiento
del dispositivo, pero esto, al igual que en el caso del diodo al vacio, es dificil de
caracterizar. Sin embargo, en el caso del triodo, si se considera que la alirnentacion es inalterable se tendra variaci6n en algunos de los pararnetros al variar el
punto en que se opere el dispositivo. Esto se ilustra en la Fig. 11.35.

50
30

-3

10

7000

6000
5000

10

4000

Br'

3000

F,

2000

4,

1000

Voltaje de reja de control VG(V)

Figura 11.35. Variaci6n de los parametros del triodo, considerando la temperatura del catodo constante, en funcion del punto de operacion del mismo.

11.2.8 Aplicaciones tipicas


Circuit bdsico de wz amplificador
En la Fig. 11.36 se muestra el circuito basic de un amplificador con triodo, en
donde VGG es la fuente de polarizaciOn de reja de control que nos da la curia

371

11 DISPOSITIVOS AL VACIO

de VG = cte, en donde trabajara el triodo; Vpp es la fuente de polarizacion de placa,


La cual junto con RL (cuadro con linea punteada) nos da una recta en el piano
VpK IpK ; a RL se le denomina resistencia de carga y ye es el voltaje de excitacion el cual se quiere amplificar.
4 ipic

RL 1
VpK :

G
VGG V I I
+

I
I
I
1

PI
I
I

G
str 0

r . 1

I
VPP
I

K L___. 1._

Figura 11.36. Circuito basic() de amplificador de voltaje con triodo al vado.


Haciendo un analisis grafico del amplificador, se puede encontrar la ganancia y el punto de operacion del mismo.

RepresentaciOn grifica de los


elementos comprendidos en Is
lines segmentada de la rig.
(11.36).
(Recta de carp)

".

-0
0

a
14 VPKQ

Wj4

VR L

V PP

Voltaje de placa V pK (V)

Figtua 11.37. Analisis grafico del amplificador trazo de la recta de carga y del punto de operacidn.
372

11.2. TRIODOS AL VACIO

Cuando se tiene un cierto valor de VGG dado (por ejemplo 2 V) y el voltaje de excitaci6n ve = 0, se obliga al dispositivo a trabajar sobre la curva de VG =
= 2 V, de manera que solo existe un punto posible de operaci6n, el cual se
encuentra en la intersecciOn de la recta de carga con la curva del triodo VG =
= 2 V, al cual se le llama punto de operacion Q (ver Fig. 11.37). En este punto
se tiene una corriente
Q entre placa y catodo y un voltaje VpKc2 entre esos
mismos electrodos.
Si a partir de tener el punto de operaciOn del dispositivo se varia VG de
acuerdo al voltaje de excitacion, tenemos:
VG = VGG

(11.2.18)

Ve

I
s I

=
- 4 sen wt
IPKQ

PP

VPK (V )

Figura 11.38. Movimiento del punto de operacion de acuerdo con el voltaje de excitaciOn
(triodo 8CS7).

373

11 DISPOSITIVOS AL VACIO

El punto de operacion tambien se movera haciendo que haya variaciones en


la corriente y el voltaje de placa, como se muestra en la Fig. 11.37. Si /./ > 1 es
obvio que las variaciones de Vpg son mayores que las que se tienen de excitaciOn, observandose entonces una ganancia del dispositivo. Haciendo la relaciOn
de la excursion de Vpg con la excursi6n de ve = 8 V, se obtiene la ganancia del
circuit(); observe que al aumentar Ve disminuye 1'K' por lo que la ganancia
tiene signo negativo, implicando que la sefial de salida se encuentra defasada
180 de la serial de excitacion. Para el ejemplo tratado la ganancia tendra un
valor aproximado de A = (90/8) = 11.25.
Ancilisis lineal del circuito amplificador de voltaje
Si se hace la sustitucion del dispositivo triodo por su equivalente lineal (usar el
equivalente de la Fig. 11.31) se tendra:

RL

I PK

\ R P
.

4-

%\

rp

4-

Figura 11.39. Circuit equivalente


lineal del amplificador de voltaje
basic con triodo al vaclo.

A"

Del circuito de la Fig. 11.39 se puede establecer:

Vc = Vcc

(11.2.19)

yr,

rc,p = (R, + Rp ) !plc

(11.2.20)

sustituyendo (11.2.19) en (11.2.20), se obtiene:


Vpp = (R L

Rp ) Inc + 14 VGG

1'e )

(11.2.21)

de donde:
VPP

Inc

374

A VGG

Rp

PVe

(11.2.22)

11.2. TR1ODOS AL VACIO

LueL.o:

IPKQ = IPK

=0

we, VPP
R

VPK= VPP

VGG
+R

(11.2.23)

RLIPKQ

Sustituyendo la ecuacion (11.2.22) en la anterior expresi6n, se loga:


Vpic= VPP

RL

.4- R p

Vpp

AVGG

At Pe

(11.2.24)

Rp

Si
VPKQ = VPK

= 0

entonces:
RL
VPKQ = VPP

(vrtp _
Rp

VGG);

(11.2.25)

y por lo tanto la ganancia estara dada por:

Av

dVpK
dvc, =

+ Rp .

(11.2.26)

En este analisis lineal se puede apreciar dm el uso de los equivalentes


arroja la informacion con mas rapidez que los metodos graficos. por lo cual
estos metodos son los mas empleados cuando se trata de disenar un aparato.
De la ecuaci6n (11.2.24) se puede ver que el voltaje de placa contiene una
componente de corriente directa (valor promedio 1/Fico ) y un termino de
corriente variable en el tiempo igual a Avve .
11.2.9. Potencia de disipacion maxima
Todo dispositivo electronico, debido a sus dimensiones Micas y a los materiales
con que estd construido, puede disipar una potencia maxima en estado permanente sin que se cause un deterioro cipreciable en su funcionamiento ylo caracteristicas; este regimen maximo siempre es data de fabricante (Fig. 11.40).
Si la potencia en cualquier instante esta dada por:
No= poli (t)
375

1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

y se denomina PD a la potencia maxima de disipacion, se puede establecer que:


PD = cte = VI.

(11.2.27)

Esta expresiOn graficada en el piano de V-I da una hiperbola equilatera, la


cual al ser tra7ada junto a las curvas caracterfsticas del dispositivo da el contorno
de maxima disipaciOn y las regiones de operaciOn y no operaciOn (Fig. 11.40).

Zr.

curva maxima
de disipaciOn
50

Fig. 11.40.

100
150
200
Voltaje de placa VpK(V)

250

Curva de maxima disipaci6n de potencia y las regiones de operacion de un triodo

al vacfo.
11.3.

TETRODO

Introduccien
El desarrollo del tetrodo (diodo con dos re/as adicionales: reja de control y rejapantalla) nacio del deseo de veneer ciertas desventajas inherentes al triodo al vacio. La Fig. 11.41 muestra un amplificador de triodo sencillo con la capacitancia interelectrodica de reja a placa puesta como un element() de circuito. En altas
frecuencias la susceptancia de esta capacidad resulta apreciable. La pdrdida de
anzplificaciOn se agrava por el llamado efecto Miller (ver ejemplo 11.6). La esencia de este efecto es: para 1 V de serial de corriente alterna en la reja de control,
aparece una serial considerablemente mayor en la placa, digamos de A V, y la
polaridad de la serial en la placa es opuesta a la serial en la reja de control, siendo
entonces el voltaje a traves de la capacitancia Cpc mayor que la serial en la reja
de control por un factor de (1 + A v ) y la corriente capacitiva (1 + Av ) veces
376

11.3. TETRODO

mayor que lo que serfa con la misma capacitancia conectada entre la reja de
control y el catodo; la capacitancia CpGi tiene asf un efecto comparable al de
una capacitancia de (1 + Av )Clui . De este modo vemos que la CpG1 limita severamente la operacion del triodo al vacfo como amplificador de voltaje en altas
frecuencias.

RG
121

CPG

t
1Vpx

GI
Pe

II +
vGGi

ei

G2

G2

(11

...

G1

TrGG2

K
(a)

(b)

(c)

Figura 11.41. Transicion del triodo al tetrodo: (a) capacitancia interelectrodica Civ1 que
reduce la ganancia del triodo a altas frecuencias; (b) introduccion de una reja-pantalli para
aislar la placa de la reja de control; (c) adicion de un voltaje de polarizacion en la reja-pantalla
pata mantener el flujo de la corriente de placa.
La CF,Gi puede reducirse grandemente por medio de la insercion de un blindaje electrostatic o pantalla electrostatica entre la reja de control y la placa
(Fig. 11.41-b). Este blindaje, desde luego, no puede ser una hoja solida ya que
no permitirfa el flujo de corriente entre catodo y placa.
De aqui que se use una pantalla perforada que es Ramada reja-pantalla. Si
experimentamos sobre el circuito mostrado en la Fig. 11.41-b, encontramos
que la CpG, es en verdad pequena pero que diffcilmente puede Mir cualquier
corriente de catodo a placa, a menos que el voltaje de placa se eleve a un valor
tremendamente alto. La razon es que la reja-pantalla conectada al catodo no
solamente protege a la placa de la reja de control, sino que ademas la protege
del catodo, eliminando la fuerza motriz para el flujo normal de corriente de
placa en el dispositivo. Asf, para evitar este efecto, la reja-pantalla se mantiene
a cierto potencial positivo fijo con respecto al catodo, el cual produce la misma
cantidad de campo electrico en la region entre la reja-pantalla y el catodo,
como si se tratara de un triodo.
El catodo, la reja de control y la reja-pantalla son de hecho un triodo (un
triodo con agujeros en su placa). La gran mayorfa de los electrones pasan a trayes de las aberturas entre los alambres de la reja-pantalla y son recogidos por la
verdadera placa del tubo. Este tubo (Fig. 11.41-c) tiene cuatro electrodos y por
esa razton es llamado tetrodo.
La Fig. 11.42-a muestra la variacion del potencial electric entre catodo y
la placa de un triodo piano paralelo.
377

DISPOSITIVOS AL VACIO

I (x)

entre los
alambres
de la reja I

-6....1
VGG2
C

-0
'11

gi

A1
/3/C

cc,
31
g0.1
41
.$
T.'
...11

'ili8
.
(a)

= cte

--

corriente de placa

%
,
%..,

emision secundaria de placa

..
I PK

a traves de los alambres de la reja

V02
G2

k__. , _ --- - - -v, =0


t

rig<

_ _gl- .c.s f
V
,- 1

corriente de
catodo

corriente de reja dos


17PK

VGG2 11,K
(b)

Figura 11.42: (a) potencial eldctrico de un tetrodo piano paralelo; (b) curva caracteristica de
voltaje de placa contra corriente de placa, para VG1 = 0 y 1702 = V02G2 = etc.
En la Fig. 11.42-a se muestra la curva caracterfstica del voltaje de placa contra corriente de placa para un potencial cero de reja de control; observando esta
grafica se ve que la corriente de reja-pantalla /02 disminuye cuando el voltaje de
placa aumenta, debido a modificaciones en el modelo de campo electric cerca
de los alambres de la reja- pantalla. Cuando la placa atrae mas fuertemente, los
electrones no son tan facilmente capturados por la reja-pantalla. De aqui que la
corriente de placa aumente ligeramente cuando aumenta el voltaje de placa,
mientras que la corriente catodica permanece esencialmente sin cambio.
La energia cinetica de un electron es proporcional a la altura de la curva de
potencial V;Ic (Fig. 11.42-a); de aqui que los electrones chocan con la placa con
velocidad considerable. Cuando un electron entra en la placa con esta velocidad
puede salpicar algunos electrones fuera de la placa (emision secundaria), ernitindose estos con menos energfa cinetica que los electrones primarios, pero
esta energfa libera a los electrones de la atraccion de la placa.
Si el voltaje de placa se reduce de Vp'K a un valor menor Vp"K (ver Fig.
11.42-b), los electrones secundarios se mueven hacia arriba a lo largo de la
curva de potencial y son recogidos eventualmente por la reja-pantalla, resultando
una reduccion en la corriente de placa. Si el potencial de placa es mayor que el
potencial de reja-pantalla, los electrones secundarios se encuentran dentro de
un campo electric que rapidamente los acelera nuevamente hacia la placa.
Cuando el potencial es aun mas bajo, los electrones son grandemente desacelerados en el espacio entre reja-pantalla y placa, llegando a la placa con energia insuficiente para producir emisi6n secundaria apreciable. Finalmente, conforme el voltaje de placa se reduce a cero, la corriente de placa se corta y los
378

11.3. T
electrones son desacelerados y regresados de la placa hacia la reja-pantalla. Si la
energia cinetica con que son regresados a la reja-pantalla es grande, puede tenerse oscilacion a trav6s de la pantalla muchas veces antes de que los electrones
puedan ser recogidos. La nube electronica produce una carga espacial negativa
relativamente considerable, que reduce la curva de potencial y disminuye la
corriente de placa-catodo. La Fig. 11.43 muestra las curvas caracterfsticas estaticas de un tetrodo, donde se puede observar que la region donde se presenta la
emision secundaria existe una pendiente negativa, caracteristica del tetrodo que
tiene varias aplicaciones importantes, tales como, osciladores, controles automaticos de volumen, etc.
Cuando el voltaje de polarizackm de reja-pantalla disminuye de valor, el voltaje pico disminuye y el voltaje valle aumenta. En la misma forma, si VG2 aumenta el voltaje pico aumenta y el voltaje valle disminuye, de manera que variando VG2 se puede variar la pendiente negativa.
c, NI
Ir--- 16 si 0

vF= 6.3V ,
PI
I 1-1.
i'-'12.' A.:41111 1-1.0v
0

1 r(; 2 = 80 V

_ IIralliRPONI

MAIER , 1
Pill"-c, PAre.
-J,',- -' ,,, i i _2,0vi__
1
k4,
- 4
o 8

?.v I. _ 1. -2.5V1

v
I
valle
I
121C0
Figura 11.43.
pantalla.

Curva caractertstica

100

200 v (v)
PK

del tetrodo para un potencial de polarizaciOn fija de reja-

El tratamiento teorico del funcionamiento de un dispositivo tetrodo, que


nos darta la ley de comportamiento del mismo, es muy elaborado debido a
que participa la geometria de los materiales de que esten fabricados, tanto el
cdtodo como la placa ( por lo que distintos materiales tienen distintos coecientes de emision secundaria); la temperatura; la separacion de los alambres de que
se construyen las re/as y otros pardmetros. Debido a que estos dispositivos estdn
cayendo en desuso, no se harci dicho tratamiento. concretdndonos a establecer
el comportamiento electric basdndonos en las curvas caracteristicas que proporcionan los fabricantes.
379

11

DISPOSITIVOS AL VACIO

11.3.1. Simbolo
En la Fig. 11.44 se muestra el simbolo normalmente empleado para el tetrodo;
como se puede observar, este sfmbolo es una extension del sfmbolo del triodo.
Asf

G2 0...
G1

Figura 11.44. Simbolo comunmente usado


para el dispositivo al vacio tetrodo.

K Pi F2

11.3.2 Caracterfsticas y limitaciones


El dispositivo al vacfo, tetrodo, se caracteriza fundamentalmente por los mismos parametros que el triodo; sin embargo, el hecho de tener una reja mas implica que se tengan algunos parAmetros distintos. En la tabla 11.3 se establecen
anicamente los parametros quc son distintos de los parametros del triodo.
TABLA 11.3
Parimetro

Valor

Capacidad de
placa a reja I.

Definicion
,
Es la capacidad entre la placa y la reja I (control), con
los dernas electrodos desconectados.

Capacidad de
placa a reja 2.

cpG 2

Es la capacidad entre la placa y la reja 2 (pantalla) con


los dernis electrodos desconectados.

Corriente de reja 2

'G 2

Es la corriente estatica en la reja 2 (pantalla).

Corriente de reja 2
instantinea

1g2

Es la corriente en la reja 2 en algUn instante.

Voltaje de reja 2

VG2

Es el voltaje entre reja 2 y catodo.

Voltaje de reja 2
instantaneo
Potencia de
disipacion
de reja 2

380

Es el voltaje entre reja 2 y catodo en algtin instante.


P

02

Es el product del voltaje de reja 2 por la corriente de la


misma,PD2 = VG2/G2, y establece la rnixirna potencia que
puede disipar en la reja 2 el dispositivo, sin dafiarse.

11.3. TETRODO

11.3.3. Citcuito equivalente


La Fig. 11.45 muestra una aproximacion segment lineal de las caracterfsticas
estaticas del tetrodo, de las cuales se puede proponer un modelo equivalente
que se muestra en la Fig. 11.46.

....

E
k

1V

e'
.
10 = IS 1
VG.' = 0

I
_ _

.
. 1 ....
..
...
. e
I
I
I
I
1
1
I
Vpi
Vv

...

1 V

V pK (V)

VS

Figura 11.45. Aproximacion segmento lineal de las curvas caracteristicas esniticas de un


tetrodo.

R2 _
0I4111 'III 1

VP/ D 1
"AI + 4

41-- PK p

R3

G1 #PI23
D3

iv

OP 0 I D i
R0

VP K

V
g n, VG 1
"K

Figura 11.46. Circuito equivalente estatico propuesto para la aproximaciOn segment lineal
propuesta de la Fig. 11.45 para el tetrodo en configuracion catodo cormin.

381

11 DISPOSITIVOS AL VACIO

Del circuito de la figura 1 1.46, se tiene:


I PK = I
r

(11.3.1)

g V
m G1

(11.3.2)

IT = 1120 4- (1-a) /D +/D2


3 + 10

IT =

Vp c = VRQ

(11.3.3)

(113.4)

VR 3

(11.3.5

1R3 = VD 3
VRO

Vpi R1 ID

VDI

VR 0 = VD 2

(11.3.6)

( I 1.3.7

V -4- R2 ID2

-4- V

El diodo D3 conduce siempre que Jr < 4,, por lo que los puntos de inflexion
de los diodos D y D2 seran:
P.1,1) I (V 1 :I 1 )

donde:

Ipi =

PLC), (Vv ; Iv ) , donde:


Ro
el punto de inflexion para el diodo D3 es:
P,111,3 (Vs, /s ) , donde:
's = 'o

+ gm

Vpi + g
Ro
RI

(1-a) + g, VGi

Vs = Ro (Jo +g,, VG )

VG

(11.3.8)
(11.3.9)

(11.3.10)
(11.3.11)

Cuando; VpK < Vpi, el diodo D3 conduce y los diodosD1 y D2 estanabiertos,


por lo tanto:
PK
/PK = VRo

Cuando; Vpi < VpK


abierto, por lo tanto:
1

gM v

(11.3.12)

< Vv ,

el diodo D3 y D1 conducen y el diodo D2 esta

1-a
Ij

Cuando; Vv <
382

VpK < Vs,

VPi
W

los 3 diodos conducen, por lo tanto:

(11.3.13)

11.3. TETRODO

1-a

Ci

ITV
R2

VpK ( .-a )

gn Gi
v

(11.3.14)
R2
Cuando: VpK , los diodos D y D2 conducen y el diodo D3 se abre, Y
debido a las pendientes que se observan en la Fig. 11.45, es posible considerar
que Ro , R, y R/ son mucho menores que la R3 por lo que la corriente 4,K es
171,K ris
+ /0 + g 1 I/GI
(11.13.15)
aproximadamente igual a: I pK =
=
PK
Ro t
R

RI

Estas ecuaciones describen totalmente el comportamiento de la aproximaciOn de la Fig. 11.46.


Si se desea trabajar el tetrodo en la region activa, el model equivalente de
La Fig. 11.46 se reduce a la forma:
G1

Figura 11.47. Modelo equivalente estatico para aproximar el tetrodo en la region de saturadon, donde Rp = R3.
Si se quisiera emplear el tetrodo en la region de impedancia negativa, es
decir, donde se cumple la ecuacion (11.3.13), se tendni el siguiente circuito
equivalente:

'pis 4--

PK

Figura 11,48. Circuito equivalente dinamico para el tetrodo en la regiOn de impedancia negativa.
383

1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

11.4. PENTODO
IntroducciOn
El efecto de la emisien secundaria presente en el tetrodo, que hace que Las
curvas caracterfsticas del mismo presenten una region de tmpedancia negativa,
impide que este dispositivo se pueda emplear como amplificador para voltajes
pequenos de placa-catodo ( Vpic ( 60 V. normalmente), haciendo que los amplificadores que se realicen con tetrodos sean ineficientes e inestables (pues debido a la zona de imp edancia negativa es facil que se ponga a oscilar el amplificador). Se evita este efecto introduciendo una tercera reja entre la rejilla-pantalla
y la placa, a la que se le denomina rejilla supresora (debido a que suprime la
emision secundaria de la placa).
11.4.1. Simbolo y funcionamiento
La rejilla supresora normalmente se polariza a un voltaje bajo, es decir de algunos V respecto del catodo, o bien se polariza a ) V y el fabricante mismo
lo vende con la conexi6n interconstruida. tal como se muestra en la Ficr 11 40
reja supresora -

G3
a

=I

P nlaca

reja
am ow ... pantalla

il AM i

G1

II OW OM. Wm

reja control

citodo

K
,.
(a)

p
G3

II=
AM

May

G 2G2
.
G1
___

...

(b)

K
(c)

Figura. 11.49. Simbolos del pentodo: (a) pentodo general; (b) pentodo con voltaje de rejilla
supresora nub; (c) pentodo con electrodos formadores de haces.cortocircuitados al catodo.

El voltaje pequeno o nub o con que se polariza la rejilla supresora desacelera


los electrones provenientes del catodo, logrando que la energfa cinetica de los
mismos se reduzca; ademas se establece una diferencia de potencial siempre
negativa entre rejilla tres y placa, lo que hace que cualquier emisi6n secundaria
de la placa sea repelida nuevamente hacia esta, suprimiendo asf casi en su
totalidad este efecto.
384

11.4. PENTODO

En la Fig. 11.50 se muestran las curvas de potencial entre catodo y placa,


donde se puede apreciar la supresion del efecto de emision secundaria.

c.. I
72' I

G2

a
u.

.
.. .. S
.....'

...0
45 I

ed

-r.

Is

a traves de los
electrodos
entre los alambres

de las rejilLds

a1
Z I

73

0
"0

cl
'.....
4

SI.1

Figura 11.50. Curvas de potencial presentes en un pentodo de reja supresora cortocircuitada


al catodo.
En la Fig. 11.50 se observa que los electrones que pasan de la rejilla de control en su viaje hacia la placa llegan practicamente todos a ella, y si la energfa de
los electrones emitidos en forma secundaria por la placa es menor que e 3 ,
entonces todos quedan o se regresan a la placa, lo que efectivamente suprime
casi en su totalidad el efecto de la emisiOn secundaria.
El pentodo con electrodos formadores de haz es otro metodo de suprimir
este efecto, el cual consiste en formar un liar de electrones en la corriente de
eatodo a placa, aumentando la densidad de carga espacial dentro de la corriente
electronica y disminuyendo en consecuencia la curva de potencial (ver Fig.
11.51). Ademas se alinean los alanibres de la rejilla de control con los de la
rejilla-pantalla, lo cual reduce el choque de las partfculas con los alambres de las
rejillas.
El comportamiento electric de un pentodo se puede explicar en base a los
comportamientos ya estudiados del triodo y diodo al vacfo, y haciendo reflexicnes sobre la variacion de las curvas de potencial entre catodo y placa al variar
el voltaje entre 6stos. Revisando la Fig. 11.50 se puede ver que al reducirse I1,, el voltaje virtual VG'3 se reduce tambien, ocasionando con esto gue los
electrones que provienen del catodo se desaceleren, agrupandose estos a manera
385

11 DISPOSITIVOS AL VACIO
de carga espacial en la vecindad de la rejilla-pantalla (G2 ), COD 10 cual se disminuye mas la curva dc poten1a1. lo que desaeelera Inas a los electrones, sigui6ndose un proceso acumulativo hasta que el voltaje VG; sea nub. Los electrones
acumuLdos en G, dinulan un cOtodo y se dice que el comportamiento entre
rejilla tres y placa es cotno an diodo al vak:io, el cual pant voltajes pequetios de
placa detnanda menor nattier de electrones de los que estan aeumulados, pero
para vollajes mas grandes se demanda mas de lo que el catodo virtual (g) puede
dar. por lo que en este easo In eurva se semeja a In de un diodo en saturacion.

de nntroI
Nntalla

li;:
placa
(h)

(a)

Figura 11.51. (a) camas de potencial en el pentodo de formadores de haz;(b) constmecion


Fisica de un pentodo con electrodos formadores.
Para Owner lus ecuacioncs aproximadas que rigen el comportamiento de
estos ciispositivos, se puede pensar que Sc tiene un triodo entre eltodo rejilla
uno y rejilla dos, y un diodo entre rejilla tres y placa.
De acuerdo con (11.2.13) en este modelo se tendra:
417,
23 =

a (VG 2 + P21 VG1

(11.4.1)

donde iL21 es el factor de ganancia equivalente para el triodo virtual entre altodo y rejilla dos.
386

11.4. PENTODO

En este caso:

din,
d VG

V + 1121 17 )112 1/21


"I G2

(11.4.2)

Si ahora se considera la respuesta de un diodo al vacio virtual entre 63 y placa,


de la ecuacion (11.1.22) se obtiene:
1PD =blpG 3

(11.4.3)

Luego. el dispositivo sigue la ley del diodo (11.4.3) hasta que alcance la
corriente del triodo (11.4.1). de manera que se puede pensar en las caracteristicas del pentodo como una curia similar al diodo al vacfo, hasta que el diodo
virtual se sat ure en la corriente f , tal como se muestra en la Fig. 11.52.
En dicha figura se puede apreciar que la scparacion entre las corrientes de
saturacion (horizontales) es constante; es decir, d121 3 Id 1,,- = cte, lo cual imp lica
que la separacion ya en la realidad no es equidistante. En la Fig. 1 1.53 se aprcclan las curvas reales de un pentodo.

2/3

G2 GG2

PK 7:::3

GC:

=0 V

5V

()V

10V
V

PK

PK
(a)

(h)

Figura 11.52: (a) curvas idealizadas de un pentodo VpK /43 para una polarizacion de rcjilla
j2
para una polarizaciOn de rejilla dos
dos; (b) curvas idealizadas de un pentodo VPK
menor que en el caso (a).
387

11

D1SPOSITIVOS

11,K (al A)

1 25V
+ 2.5V "'"."

Bair

=
_

I "GI
-

- _

;.

* :10Vi
,
I Z.J

I!

0 47n-n ,11111

100

200 300 400 SOO


114(V)

Figura 11.53. Familia de curvas de placa de un pentodo con VG2 = 125 V.


11.4.2. Caracterfsticas y limitaciones
El pentodo se caracteriza fundamentalmente por los mismos parametros nue los
del tetrodo; sin embargo. el hecho de tener una rejilla anis introduce algunos
pardmetros adicionalcs. los cuales se muestran en la siguiente tabla:
TABLA 11,4
Parametro

Valor

Definicion

Transconductancia

gm

Es la variacion de la corriente de placa con respecto al


voltaje de reja uno.gn, =

Capacidad de
rejilla tres a placa

C'G3 p

Es la capacidad de la rejilla supresora a placa.

Capacidad de
rejilla tres a catodu

Cr:3K

Es la capacidad de la rejilla tres a cdtudo.

388

11.4. PENTODO
11.4.3. Circuito equivalente
Un model segment lineal que se aproxima al comportamiento del circuit de
placa del pentodo, con la rejilla supresora conectada al catodo, se muestra en la
Fig. 11.54.

IPIC (MA) V VGi


_.. . -5
. _

Jo

--. I Rp .....".".... 2

VG2 = cte

V
3 V
4 V

VPK (V)

Figura 11.54. Aproximacion segmento lineal de las curvas caracteristicas estaticas del pentodo.

El modelo equivalente que se propone es similar al del tetrodo en la regiOn


activa, esto es:

Figura 11.55. Circuito equivalente estatico del pentodo en la regi6n activa.

389

1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

Debido a que Rp
reducirse a la forma:

R, el circuit de la Fig. 11.55 para la region activa puede

.P

g nt VGJo)

Figura 11.56. Circuit equivalente del pentodo para la region activa (equivalente estitico).

La corriente /0 es medida para VG , = 0.


De la Fig. 11.56 se observa que el pentodo se comporta como una fuente
de corriente real dependiente de voltaje.
G1

Figura 1137. Circuit equivalente dinainico en la region activa.


'
dlPk
r =-pk

dipk
ch,g
390

(11.4.4)
=
8 I

cte

(11.4.5)
1,Pk =

etc

11.4. PENTODO

El valor de 4, sOlo depende del voltaje de rejilla dos "2 ya que se mide
para I' I = 0. AsI entonces:
6R'G2 =g 22.

( 11.4.6)

Del circuito equivalente del pentodo puede verse que la corriente de placa
es funcin del voltaje de rejilla dos, del voltaje de rejilla uno y del voltaje de
placa, esto es:
IP IPK(VPK,VGJ');

(11.4.7)

la corriente de placa del pentodo en la region activa es:


dk = __%k dvk + a

%,k dVg1 +

'pk

1pk dVg2.
avg2

(11.4.8)

Dc la ecuacin (11.4.8) tenemos:


conductancia de placa,
V9

= cte

transconductancia de re/a uno,


Vk cte

transconductancia de re/a dos:


V9 = cte

y adems se definen:
Al =gmj rp
112 =g 2 rp

de manera que cuando se trabaje el pentodo con seflales alternas la ecuaciOn


(11.4.8) puede quedar de la siguiente forma:
1pk

1
rp

9,, 1

+ 9 fl,2 v92

( 11.4.9)

391

11 DISPOSITIVOS AL VACIO
11.4.4. Aplicaciones tipicas
Circuito c,rnpljficador con pentodo
En la Fig. 11.58 se muestra un circuito atuplificador con pentodo, donde los
condensadores C'K y cG2 se supone que presentan una impeclancia despreciable
para todas Ia frecuencias en las cuales va a trabajar ci circuito amplificador.
En un circuito tal, ci pentodo opera como amplificador de voltaje a alta
frecuencia. El pentodo presenta una dcsventaja con respecto al triodo, ya que
en ci primero Ia corriente de ctodo se divide en una fracciOn de corriente de
rejilia-pantalla y ci resto va a la placa. La ligera fluctuaciOn inherente en esta
division produce fluctuacin adicional en la corriente de placa que no esti prescntc en la con iente catclii.a, componente extra de la corriente de place que es
I.larnada ruido de separacin y hace que ci pentodo sea ms ruidoso que el triodo de esta manera eI pentodo es usado fundamentalinente en aitas frecucncias.

G3

RL

PS

RG

R,,

__

VG

RK

vPP

Figura 11.58. Amplificador de pentodo tIpico que opera con una sola fuente de voltaje
(auto poi arizacin).
En algunos pentodos la terminal de rejilla supresora es accesible en forma
externa. 1ogrndose variar las caracterfsticas de placa. Si el voltaje de rejilia
supresora se hace algunos V negativos con respecto al ctodo, empieza a
cortar ci fiujo de corriente de place: asi, existe una regiOn donde la rejilia supresora acta como una rejilia de control. En esta forma una seflal suficientemente
392

11.4. PENTODO
negativa puede interrumpir el flujo de seflal de rejilla de control a la placa en un
amplificador con pentodo.

VG
VG I
1PK

K
2
/)
Region de ontrol de la
reja supresora

Figura 1 1.59. (a) pentodo que tiene la terminal de la rejilla supresora accesible al exterior;
(b) region de control para valores negativos del voltaje de la rejilla supresora.

Andlisis del amplificador ti'pico con pentodo


Para analizar el circuito de polarizaciOn del pentodo, sustituimos ci pentodo
de la Fig. 11.58 por un circuito equivalente esttico. Dc la Fig. 11.58, Ia ley de
comportamiento Si 'PK =VPK = VP sera:
VPP RL Ip+ VP+RKIK ,

(11.4.10)
(11.4.11)

VP=RG2IG 2 f V(.+RKJK ,

(11.4.12)

1 cGl =RKI K =RK(lp +IQ2 ),

(11.4.13)

-- VG
D
"K - r j i
'P '

393

Cuando se hace el anlisis del circuito amplificador con triodo o pentodo,


se observa que la frecuencia de corte baja del amplificador est determinada por
CK y CG2 . Asi entonces:
CK

1
= 27rfORK '

CG2

(11.4.15)

(11.4.16)

27rfQRG

De la sustitucin del pentodo por un equivalente esttico (Fig. 11.60) es


posible calcular los valores de RL , RK y RG2 .
VG=VRK(Ip+IG)Ve VGG1

(11.4.17)

V.= VPP RLIP VGG I

(11.4.18)
J)

'P

1VG1I

VGI

1oRp

Op

qj e

'

VGGlt

r:vpp

RK

Figura 11.60. Equivalente esttico del circuito ainplificador con pentodo.

De la Fig. 11.60, tenemos:


VP
Ip= _+g 1 J' +10

(11.4.19)

14
Sustituyendo (11.4.17) y ( 11.4.18) en (11.4.19) y considerando que M,=
= gm 1 14, tenemos:

VPP -

Gi (1
R+R

394

14o

'

( 11.4.20)

11.4. PENTODO

en donde 'PQ (corriente en el punto de operacin Q) ser:


IPQ=IP
=0

VpJ) - 'GG1 (1 + Ui) + RI0


Rp+ RL

Vp= Vpp R1I T1GG1


VpQ =
de donde J'

= 0 = PP - VG G -

VPP

(11.4.21)
(11.4.22)

(1 +plj+RpIo]RL
Rp+RL

(voltaje de placa en el punto de operacin Q) es:


VpQ =p

(V g,R 1" Gi +RpJo)RL


-- Rp+RL

(11.4.23)

En nuestro caso para corriente alterna ci voltaje de salida (vs) es igual al voltaje en la placa (Vt ); por to tanto, la ganancia en voltaje ser;
dv8 ______
=R+R1
dVe

(11.4.24)

De la definiciOn de la resistencia de placa, y observando las caracterfsticas


estticas del pentodo, podemos ver que en general la resistencia de placa es
mucho mayor que la resistencia de carga; por lo tanto, la ecuacin (11.4.24)
puede reducirse a la forma:
(11.4.25)

AV gR .

En un tubo pentodo las curvas de placa se obtienen para un determinado


valor de G;
cuando este valor se cambia por B VGG2, los valores de las curvas
2
se cambian por BV, BVGI, y B213 1, ya que la dependencia de la corriente de
placa es:
IP (1+J1)312
Cuando en las curvas del pentodo solo se conoce una de las curvas de 'G2
se hace lo siguiense desea conocer el valor de otra curva para un diferente
te: la corriente de placa est relacionada con la corriente de rejilla de control
por un factor de fabricaciOn p de la forma:
2

pip

, considerando

= ete;
395

11 DISPOSITIVOS AL VACIO
p varfa entre 0.3 y 0.5 para pentodos pequeos, y este valor depende fundanientalmenie dc la construccin del tubo.
11.5. FOTOTUBOS
Introduccin
La emisiOn de electrones en la materia, debido a la incidencia de radiaciOn electromagntica, se conoce como efecto fotoelctrico (fotoenisin). Este efecto
fue descuhierto por Hertz en 1887 y el soporte terico fue dado en 1905 por
Albert Einstein, pero empez a aplicarse en forma prctica hasta 1928, cuando
se desarrollaron los primerosfototubos para las pelIculashabladas(cinesonoro):
naturalmente, at aumentar la calidad de estos dispositivos, las aplicaciones
aumentaron.
Existcn trcs fenrnenos fotoelctricos que dan lugar a los dispositivos fotoelctricos at vaclo:
a) la ernisin de electrones por radiacin electroniagntica:
b) la generacin de una fuerza electromotriz por reacciones qui micas producidas por radiacin electromagntica: y
c) canibios en la conductividad elctrica de un material con la radiacin dcctroniagntica incidente.
En cstc capItulo solo trataremos a los dispositivos cuyo funcionamiento
est basado en ci primero de los fenmenos fotoelctricos aquf enunciados.
11.5.1. CaracterIsticas de la fotoernisin
A continuacin enurneranios los hechos experimentales que caracterizan el fenmeno de fotoemisin dentro de un arreglo at vacfo con un ctodo y una placa:
1) Los electrones emitidos de un metal por fotoemisin salen dentro de un
rango de velocidades que van desde cero hasta una vmg,, de manera que si se
aplica un potencial negativo a la placa, sta tiende a frenar a los electrones
emitidos, al grado que se puede encontrar un voltaje de rctardo J' que haga
que la corriente sea cero: es dccir:
inv.
' j.
=eV.
2

(11.5.1)

A partir de - I', at ft aurnentando ci potencial entre placa y ctodo, va


aumentando la corriente hasta que se logra la saturacin. En la Fig. 11.61 se
muestra la variacin de la corriente de fotoemisin IF contra ci voltaje entre
placa y ctodo, teniendo la intensidad de Iuz como parthnetro.
396

11.5 FOTOTUBOS

VPK

Figura 11.61. Corriente de fotoemisin contra voltaje entre placa y ctodo con la intensidad

como parmetro (radiaciOn monocromtica).


2) Si la corriente de fotoemisiOn se mide para una intensidad luminosa constante, pero a distintas frecuencias de radiacin, se observa que ci potencial
de retardo (J') es distinto para cada frecuencia, encontrndose que el potencial de retardo y la frecuencia guardan una relacin lineal. Los resultados se
muestran en la Fig. 11.62.
f-, > f3
> V.3

H - etc

VPK

Figura 11.62. Corriente de fotoemisin contra voltaje entre placa y ctodo teniendo como
parmetro la frecuencia de la radiacin incidente.

397

DISPOSITIVOS AL VACIO

3) Si la corriente de saturacin se grafica como funciOn de la intensidad luminosa, se encuentra que al aumentar la intensidad luminosa aumenta la corriente de saturaciOn (ver Fig. 11.61).
4) Se observa que las caracteristicas fotoelctricas mencionadas no varIan con
la temperatura (excepto por la variacin de la funciOn de trabajo con la
temperatura).
5) Los electrones son fotoemitidos inmediatamente al entrar la radiacin en
contacto con el fotoctodo (se encuentran retardos experimentales del
orden de 3 X iO segundos).
6) Los fototubos son dispositivos selectivos, es decir, para una intensidad de luz
dada se emitirn distintos nmeros de electrones si la radiacin es de color
rojo o violeta, o sea que la eficiencia fotoelctrica depender de la frecuencia de la radiacin. En la Fig. 11.63 se muestra la respuesta espectral relativa de los metales alcalinos.

espectro
de sensitivic

I.

Figura 11.63.

Respuesta espectral de los metales alcalinos usados como fotoctodos.

La emisin fotoelctrica est Intimamente ligada con la funcin de trabajo


del fotoctodo, es decir:
--

(11.5.2)

donde v es la velocidad con que salen los electrones del metal: b es la funciOn de trabajo y v es la frecuencia dc la radiaciOn. En la tabla 11.5 se da
398

11.5._FOTOTUBOS

una lista de funciones de trabajo y longitud de onda maxima de radiacin, donde la longitud de onda maxima se obtiene cuando la velocidad con la cual son
fotoemitidos los electrones es igual a cero, porlo tanto, de la ecuacin (11.5.2)
se tiene:
hv0 =d,v=v0 @ v=O
C
G,

X0

entonces X.

he
q) 0

(11.5.3)

TABLA 11.5. Elementos y sus funciones de trabajo


flemento

(eV)

Ag
Al
Au
Ba
C
Ca
Cs
Cu
Fe

4.70
4.08
430
2.48
434
2.70
1.80
4.30
4.60
4.50
2.24

Ge

2610
3560
2600
5000
2850
4600
6600
2900
2700
2750
5600

Elemento

(eV)

X0(A)

Li
MO
Na
Ni
Pt
Rb
Sb
Sr
Ta
Th
W
Zn

235
4.20
2.28
5.03
6.30
2.10
4.03
2.74
4.13
3.38
4.53
380

5300
2960
5000
2450
1950
5800
3000
4530
3000
3670
2650
3720

En la tabla 11.5 se nota que los materiales alcalinos son los que presentan
funciones de trabajo ms pequenas, y por lo tanto son los que ms se emplean
como fotoctodos.
11.5.2. Celdas fotoemisivas
Los elernentos esenciales de una celda fotoernisiva sun una superficie catddica
grande (de algin material de pequefla funcin de trabajo) y una placa colectora
que no interfiera la incidencia de la radiacin, ambos contenidos en un bulbo
de vidrio at vaclo. El codo y la placa pueden mostrarse de numerosas maneras. En las celdas ms antiguas se plateaban las paredes internas del bulbo de
cristal y sobre esta pelIcula de plata se depositaba qufmicamcnte el material
fotoemisivo, normalmente algQn metal alcalino (generalniente cesio), y la placa
era algCin alambre colocado en el centro del bulbo para que obstruyera un mInimo el camino de la radiaciOn.
399

11 DISPOSITIVOS AL VACIO
Actualmente las celdas fotoemisivas consisten de una Irnina rnetlica en
forma semicilmndrica, en donde se ha depositado por evaporaciOn o algn otro
mtodo la capa fotoemisiva. La placa es un alambre eue generalmente es concntrico con ci ctodo semicilfndrico. Celdas fotoernisivas de disefio ms moderno se muestran en la Fig. 11.64.

Figura 11.64. Celdas fotoemisivas ms comunes.

Las caracteristicas de las celdas fotoemisivas son muj; parecidas a las de un


pentodo, solo que en este caso ci pardrnetro de control es la intensidad de radiacin incidente. En la Fig. 11.65 se muestran las caracteristicas elctricas de una
celda fotoemisiva tipica.
IPK(mA)

25

20 --

LH

208 bujla pie

156 bujIa - pie


104 bujia - pie
S2bujcapie

L.

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

Figura

VPK(V)

11.65. CaracterIsticas elctricas estticas tIpicas de una celda fotoemisiva.

113.FOTOTUBOS

El simbolo que se emplea para este dispositivo es el mostrado en la Fig.


11.66.
catodo

catodo

# IPlaca

(b)

placa

(a)

Figura 11.66: (a) construcciOn de una celda fotoemisiva; (b) simbolo mas connln.
El modelo que se puede establecer para este dispositivo es muy similar al
del pentodo, solo que en lugar del voltaje de control se usara la intensidad luminosa o de radiacion como parametro. En la Fig. 11.67 se muestra este modelo.
4I PK

catodo

77

PK

plaCA

(b)

(a)

Figura 11.67: (a) sfmbolo de la celda fotoemisiva; (b) modelo mas usado oansiderando la
corriente electrica en el sentido convencional.

En este caso:

A IpK

g = I-1 V
pK = cte

Rc

A VpK

(11.5,4)-

(11 .5.5)
= cte
401

11 DISPOSITIVOS AL VACIO

11.5.3. F otomultiplicad ores


11.5.3.1. Generalidades
Estos dispositivos se crearon para poder detcctar adecuadamente y con un bajo
nivel de ruido seflales de intensidad luminosa muy pequetia. Los fotomultiplicadores conjugan en sus funciones dos fenomenos de emision: a) fotoemisiOn de
un catodo semitransparente y b) emisiOn secundaria.
Un catodo semitransparente, como su nombre to indica, es un material
capaz de emitir electrones al incidir una radiacion sobre el, pero no obstruye
completamente el paso del haz de radiacion. En la Fig. 11.68 se muestra una
celda fotoemisiva construida bajo este principio.

radiacion

electrones
placa

vidrio
citodo semitransparente depositado sobre el bulbo de vidrio

Figura 11.68. Celda fotoemisiva de catodo semitransparente.

Existen algunos materiales o compuestos de materiales que pueden servir


como catodos semitransparentes, como son el Cs-Sb-Cs 0- Ag, Sb-K-Na-Cs,
K-Cs-Sb y Cs-Te. En la Fig. 11.69 se dan Las caracterfsticas de fotoemisiOn para
estos materiales.
Para tenet un fotomultiplicador se tiene un fotocatodo semitransparente de
arca grande para que reciba el mayor namero de fotones posibles, y lu,ego es
necesario llevar los electrones fotoemitidos hacia el multiplicador, to cual hace
necesario un sistema electro-optico consistente de un campo electrico o magnetico, o ambos. Las caracteristicas que este sistema debe satisfacer son:
enfocar tantos electrones como sea posible hacia la primera etapa del multiplicador: y
el tiempo que transcurra entre el cdtodo y la primera etapa del multiplicador debe ser independiente del punto en que el electron haya sido emitido
en el fotocatodo.
402

11.5. FOTOTUBOS

La Ultima condiciOn es muy importante en fotomultiplicadores para sefiales


rapidas, como es el caso en algunas aplicaciones nucleares (esto implica que no
hay defasamientos o retardos).

100

::..".
---mankluFziP

0,

'n.16110 "0 .
00000
annisu sou igneirm..0 .. avidmosissumme

massummoisarmpa
eg
1.1amoussulmmumaillmil
1111111111111111EP l
ielli111.1N11111111111111WHIMIHIng
111111NRIKI I Sb-K-Tb- s lemilumimpopm

10. .IMPSOVIIIIIIIIIMMAM a':


, , de eficiencia
-Fit
r" C:7s%
. IIIPTiNrii-limnimil -I 1101

Iii11;11631 HINUMMUll

fl Cs-Te I
1.0.

Ilumlillinlita uIIIIIIIIIIIIIII

1 1'

0 --L

I'lIIIl ;
k

IIIMPOMIIIIPOINIIIIIIIIII

:::

;-11 - o

lignild ..

" IIE I Iiihniiiiiit 11 n iiiiihillillininn

K-Cs-Sb

0.1 MIMI I I
7nno

I PROMMAIIIIIIIIIMIMIIIIIIi
IHIMIIIIIII II M110111111111111111
4000
6000
8000
10000 120 w

X (A)

L ___ it ____ _
f----1
5'
..
-.

-."4(.,-

ultra violets
....

. .

0E.

ly'

Figura 11.69 Respuesta espectral de fotoemisiOn para algunos materiales empleados como
fotocatodos semitransparentes.

Los fotomultiplicadores mas sencillos (clasicos) usan un sistema electrooptico que consiste de un electrodo cilindrico, el cual se conecta a tierra, y un
electrodo acelerador que es parte de la primera etapa del multiplicador.
En la Fig. 11.70 se muestra esta construccion con Las limas equipotenciales
y los caminos que siguen los electrones para Ilegar a la primera etapa del multiplicador.
403

11 DISPOSITIVOS AL VACIO

A las etapas del multiplicador se les llama dinodos y el sistema multiplicador consiste de una serie de dinodos (electrodos de emision secundaria) conectados en cascada y al final una placa colectora. En general el sistema multiplicador debe satisfacer estas caracterfsticas:
produccion de suficientes electrones secundarios; y
los electrones secundarios deben ser dirigidos eficientemente hacia el dinodo siguiente.
Para poder satisfacer estas condiciones, el material del cual esta fabricado el
dinodo debe cumplir los siguientes requisitos:
factor de emision secundaria grande;
efecto de emision secundaria estable (t,T); y
emisiOn termoiOnica muy baja.
Ifneas equipotenciales
e

("Cs / electrodo

rs

acelerador
primer dinodo

trayectoria de los electrones

electrodo de enfoque

Figura 11.70. Construceion clasica del sistema electrooptico de un fotomultiplicador.


Normalhaciite los dinodos se fabrican de una aleacion de Ag-Mg sobre la cual
se deposita algun material que tenga un factor de emision secundaria grande.
El ntimero de dinodos que se deben emplear depende de la ganancia que se
quiera y del voltaje de alimentacion. Para calcular el flamer() de dinodos se debe
considerar:
que cada dinodo tenga el mismo voltaje Vs con respecto al dinodo precedente y, que las caracterfsticas de emisiOn secundaria de todos los dinodos
sea la misma; y
que
las caracterfsticas de emision secundaria puedan representarse por una

nea recta de pendiente K que p.ase por el origen.


De esta manera la ganancia del fotomultiplicador es:
G = 6" = (KVs)n .

(11.5.6)

El voltaje disponible se debe repartir en los dinodos:


VB= n Vs =

404

(G)" .

(11.5.7)

11.5 FOTOTUBOS

Si se quiere obtener el valor de Vs minima , es necesario derivar Vs con respecto a n y encontrar el minim. Asf:
d VB
dn

L-r

dVB
0
dn

Si:

n
K

1
G / n RnG ;

(11.5.8)

entonces n = QnG = QnSn ,

(11.5.9)

-2

n = ni2n5 ,
por lo tanto

kn8 = 1

(11.5.10)
y 5 = e.

11.5.11)

Usando (11.5.5) tenemos:


(11.5.12)

Vs = e K ;
entonces:
VB min = (e1K)IinG,

La condicion 6 = e es satisfecha por los factores de emisi6n secundaria de la


mayorfa de los dinodos practicos.
En la Fig. 11.71 se muestra la dependencia de la ganancia cone! nutnero de
dinodos y con el voltaie de alimentacion.
F13(

CuBe
Vs(V)

,..........2...; 109

2000:

'

V)

A -M
2000 _ g g

4\,,N,..___,...;. 106

.
''' - - - - ----,- - . - -- 1 0 7

..............2,107

1500 -

t
1500- \....................
10

t
........,............,... 106

. f
- 10 15

G = 1 06

N......,..

I'
n

10

15 20 n

Figura 11.71. Dependencia de la ganancia con el ntimero de dinodos y con el voltaje de


alimentacion.

405

1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

En la Fig. 11.72 se muestran las disposiciones normales de los dinodos,


dinodos
dinodos
eir.. reja aceleradora
*

11,
...
....
A74/44M-ZF//

...MIMI

0
0

.I

0
O

Ir

1
6710Mikkt11111

(a)

Figura 11.72 Configuracion de dinodos ma's empleados: (a) dinodos tipo cierre;(b) dinodos
ciego veneciano: (c) conflguracion circular; (d) configuracion en caja; (e) dinodos con foco
lineal.
Un gran nOmero de los multiplicadores que se encuentran comercialmente
emplean dinodos con foco lineal. En la Fig. 11.73 se muestra cOmo quedarfa un
tubo fotomultiplicador en cone, donde:
n, (X)
es la diferencia cuantica de la longitud de onda de la energia radiante,
hu
es la energfa de los fotones incidentes;
es la carga del electron.
406

11.5. FOTOTUBOS
fotoccitodo
sistema Optic de entradapara los elec
electrodo de anti
multiplicador
primer dinoc

anoC

Figura 11.73. Fotomultiplicador con dinodos con foco lineal.


La sensibilidad del cdtodo serd:
nq (X)e
hv

(11.5.13)

Nonnalmente los manuales dan la sensibilidad maxima, es decir, en la longitud de onda en la cual NK es maxima, la cual se expresa en mA/W.
En la Fig. 11.69 se muestran la sensibilidad contra la longitud de onda para
algunos materiales que se emplean como fotocatodos.
Ganancia y sensibilidad del dnodo:
La ganancia de un fotomultiplicador se define como la relacion entre la corriente de anodo y la corriente de catodo:
G = IplIK ;

(11.5.14)

por lo tanto, usando (11.5.13) tenemos:


lp = GNK P

(11.5.15)

11.5.3.2. Caracteristicas de los fotomultiplicadores


En esta seccion se estableceran las caracterfsticas mas importantes de los fotomultiplicadores y las causas y consecuencias de estas caracterfsticas, cuando
esto otorgue algOn beneficio practico.
407

11 DISPOSITIVOS AL VACIO
a) Sensibilidad catddica
Si una energfa luminosa incide sobre la superficie del fotocatodo de magnitud
"P" W, la corriente catOdica sera:
(11.5.16)

1 e'
= n'q (X) 7tT

ecuacion en la cual se ye que la sensibilidad de la placa es igual al producto de


la sensibilidad del catodo por la ganancia (las ganancias de los fotomultiplicadores son iguales a 106 ).
b) Corriente en la oscuridad
La corriente en la oscuridad es la corriente que fluye entre catodo y placa cuando se tiene iluminacion nula, corriente que se origina por varias razones:
1) emisi6n termoionica de los dinodos o fotocatodo;
2) corrientes de fuga:
3) fenomenos de ionizacion;
4) emisi6n por campo.
Para la corriente en la oscuridad no existe una teoria debido a que las causas que la producen dependen mucho de los materiales utilizados en la fabricacion del dispositivo y de su distribucion ffsica dentro del dispositivo.
c) SImbolo mcis empleado
El sfmbolo que mas se emplea para representar un fotomultiplicador conjuga
los conceptos de fotoemision y emision secundaria. En la Fig. 11.74 se muestra
este sfmbolo.

inodo o placa

ID 2D 3D 4D SD 6D 7D 8D

Figura 11.74. Simbolo de un fotomultiplicador al vacio.


408

11.5. FOTOTUBOS

11.5.3.3. Aplicaciones tIpicas


a) Compensacion de la corriente en hi oscuridad
Para no obtener lecturas era:II-leas es necesario compensar la corriente en la
oscuridad, es decir, si la intensidad luminosa incidente es nula, la corriente de
placa debe ser cero. El circuito mas sencillo para compensar este efecto es el
que se muestra en la Fig. 11.75, en el cual se emplea una fuente de corriente
directa y una resistencia variable.

eondiciOn de compensacion

.-14
17

1 4

= /at)

I I I

alimentacion.=
del fototubo T-

Figura 11.75. Circuito mas simple para compensar la corriente en la oscuridad en un fotomultiplicador.

b) Aplicackin en un amplificador de video


En la Fig. 11.76 se muestra la aplicacion de un fotomultiplicador en un amplificador de banda ancha.

Figura 11.76. Aplicacion de un fotomultiplicador a un amplificador de banda ancha acoplado mediante un cable coaxial de 100 S2 (cortesfa de Phillips).
409

1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
c) Contadores de centelleo
Una de las aplicaciones mas comimmente empleadas para los tubos fotomultiplicadores es la de contadores de centelleo, aplicacion en la cual se coloca adelante del fotocdtodo una sustancia centelleante (material que convierte la ener-

guia de 1117
.1centellador

77... MO, _00

fuente de

radiaciOn

guia de luz
discriminador de
Ilmite superior

amplificador principal
centellador

circuito de anticoincidencia

fuente de radiacion

r2

escalador

discriminador
de limite inferior

cubierta opaca

fotocado

or,,,,,,.., ,

centella $ .1ii
We"
..--si,--.
centellador

anodo
Ultimo dinodo
dinodos

,... ....

e : de

lli
I

.
, segu idor
salida

multiplicador

Figura 11.77. AplicaciOn de fotomultiplicador en contadores de centelleo.

410

catodico
' .

11.5. FOTOTUBOS

gia radiante en centelleo luminoso de duraciOn de 1 liseg o menos), como las


sustancias que sc emplean en los tubos fluorescentes. Un material centelleante
adecuado debe tener buen coeficiente de absorcion y tener la misma respuesta
espectral que el fotocatodo al cual se va a acoplar.
Los materiales centelleantes deben escogerse para cada aplicacion en particular, pero los empleados son el sulfuro de zinc y el sulfuro de cadmio.
Se debe usar un adaptador entre el material centelleante y el fotocatodo,
normalmentc alguna grasa de silicon o accite que tenga un coeficiente de refraccian intermedio entre el coeficiente de vidrio del fototubo y el coeficiente del
material centelleante.
En la Fig. 11.77 se muestra una aplicacion de los fotomultiplicadores como
contadores de centelleo. Un contador de centelleo contiene fundamentalmente:
una camara de radiacion. un material centelleante, un fotomultiplicador, un
preamplificador y un equipo contador (el cual puede ser analOgico o digital).

411

11 DISPOSITIVOS AL VACIO

EJEMPLOS
Ejemplo 11.1. Un diodo de placas paralelas es operado con un voltaje de placa
de 10 V. Calcule la velocidad de un electron a la rnitad del camino entre ciltodo
y placa,
a) cuando la corriente estci limitada por la carga espacio;
b) cuando la corriente estd limitada por la temperatura; y
c) diga a que distancia del catodo estc1 el potencial de 5 V en cada caso, si la
distancia entre catodo y placa es de 1 cm.
Solucion
a) Para la condiciem limitada por la carga espacio,
X 4/3

V(X) = d413 VP

Para

x=;
2

V=

(E.11.1.1)

(E.11.1.2)

24/3

De la expresion de la velocidad:
v2 (x )= 2n v(x ) ,

412

(E.11.1.3)

EI EMP LOS

Para

n vp

x = ; v=
2

)1,2

(E.11.1.4)

2"3

Sustituyendo datos en la ecuacion (E.I 1.1.4), obtenemos:


1.76 X 10" X 10

v (0.5 cm) (

)112 m/seg ,

1.26
v (0.5 cm) = 1.18 X 106 m/seg .
b) Para la condicion limitada por la temperatura,
< Vp
d
dx 0

dV(x)

"

V(x) =-

y ya que

(E.11.1.5)

(E.11.1.6)

1
e V(x) = mv2(x) entonces,
2
V(x)=

(E.11.1.7)

2n

Usando las ecuaciones (E.11.1.5) y (E.11.1.7) se tiene;


V 2 (X) VP X

2n <
para

(E.11.1.8)

x --,-d, v = (ri Vp)"


2

(EA 1.1.9)

413

1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

Sustituyendo datos en la ecuacion (E.11.1.9), se obtiene:


v (0.5 cm) < (1.76 X 101 X 10 )' m/seg
v (0.5 cm) < 1.33 X 106 m/seg.

c) Para la condiciOrzlimitada por la carga espacio, usamos la ecuacion (E.11.1.1),


para despejar a x, esto es:
V(x ) 3/4
X =
VP

d,

(E.11.1.10)

Sustituyendo datos en la ecuacion (E.11.1.10) para x = 1 cm, tenemos:


X = (- 5 ) 3 / 4 M( 1C
)
10
\ /

x = 0.59 cm,
Para la condicion limitada por la temperatura, usamos la ecuacion (E.11.1.6),
despejando x:
x

V(x)
VP
u

(E.11.1.11)

Sustituyendo datos en la ecuacion (E.11.1.11) para x = 1 cm, tenemos:


/ 5 A
\/
x

x = 0.5 cm.
414

) cm'

EJEMPLOS

Ejemplo 11.2. La curva caracterfstica de un diodo al vacfo responde aproximadamente a la ley /p = k Vp" . Se sabe que para /p = 120 mA, Vp = 30 V.
a) Determine k.
b) Trace Vp - /p en el rango de Vp (0 - 30 V).
c) Aproxime el diodo real por un modelo equivalente de la forma.
Calcule el valor de r en la region de interes.
.1 D

A rp
")11

d) i,Cual es la magnitud maxima de error, expresada en porcentaje de la corriente maxima del diodo en la region de interds?
e) Si este diodo se conecta en la siguiente forma:

V1

'PD
VpD

0-500 V

R,

Grafique V1 - V2 para R L = 2000 SI en el rango de V1 (0 - 500 V).


f) Repita la parte e) cuando el diodo se reemplaza por su model equivalente
calculado en c).
g) i,La aproximacion introduce un error apreciable? explique resultados y proponga otra solucion.
Solucions
a)

/p = k lip 3/2
k=

lp

(E.11.2.1)
(E.11.2.2)

VP 3/2

415

11

DISPOSITIVOS AL VACIO

II, = 120 mA, y Vp = 30 V, entonces

Si,

120X
10-3
k
(30)3/2

(A/V31 2 ),

k =--- 7 5 X 10-5

(Air/ 2 ).
(E.11.2.3)

Ip = 75 X 10-5 Vp3r2 -

b)

Graficando la ecuacion (E.11.2.3) se tiene:


Vp

(V)

/p

(A)
lp (mA)

0.0

0.0

1.0

0.75X 10-3

2.0
3.0

2.1 X 10-3

4.0
10.0
15.0
25.0
30.0

--.' 120
100 .

1.37X 10-3
6X 10-3
24.75 X 10-3

80.
Ip= KVp312

60.

. P,I 1 111
40"" - - - - a
I
1
1
20-'' - - - i r 1I
1

41.25X 10-3
93.75 x 10-3
120X 10-3

M( Vpm - /p,n)

.
01 5 10 15

20

25

30

V(V)

Figura E11.2.1. Curva caracteristica del diodo al vac(o del ejemplo 11.2.
c) Para deterrninar Rp del modelo segment lineal equivalente trazamos una
recta del origen al punto de coordenadasM (Vpm , /pm ) en la curva caracterfstica del diodo (Fig. E.11.2.1).
Vp,
Rpm =

;
'Pm

416

EJEMPLOS

Rpm

30
120X 10

Rpm= 250 2.
por lo tanto el circuito equivalente ser:

'Pm

PO
44

Rpm =25Os:2
n

--

Vpm

d) Para determinar el error que introduce el anterior modelo segmento lineal


del diodo, comparamos las siguientes dos ecuaciones:
= 0.75X l0

VP 312

(E.11.2.4)

e
(E.1l.2.5)

'Pm = __ VPm
R

pm

La ecuacin (E. 11.2.4) es la corriente proporcionada por la ley del potencial a la tres medios, mientras que la ecuacin (E. 11.2.5) es debida al modelo
segmento lineal equivalente. Considerando el punto en que V = Vpm y relacionando las dos ecuaciones anteriores; tenemos:

'Pm
'P

Vpm
75 X l0 5 Rp Vp 312

'Pm = 54
'P

l/2

F]

(E.l 1.2.6)

417

1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

De la ecuacion (E.11.2.6) es posible calcular los porcentajes de error para la


grafica (E.11.2.1).
I
= 2.5,
IP

I Vp = 4 V

'Pm I
ip

= 1.68, 68 porciento de error;

Vp 10V
=

I
IP

/p

150 porciento de error;

= 1.2,

20 porciento de error;

Vp = 20 V

1 V = 25 V = 1.08, 8 porciento de error;

Se observa que el error disminuye a medida que nos aproximamos al punt


M ( Vpn, , 'Pm ) usado para la aproximaciOn segment lineal. Concluyendo que
este modelo acarrea bastante error a bajos voltajes.

RL= 2 K12
V1=Vp+ V2
V2 = RI, II,

1/1 . (0 500 V)
(a)

(b)

Figura E.11.2.2. a) Circuito serie con diodo al vacio; b) ley de comportamiento.


418

EJEMPLOS

Graficando el circuito de la Fig. E.11.2.2 se ye que RL (recta de carga) se


desplaza recorriendo toda la curva del diodo. Para trazarla escogemos uno de los
posibles valores de V, , tal como V, = 100 V asi*:

v1

I, 1P

RL '

100
2X 103

A,

ip = 50 mA .
El desplazamiento de RL se debe a que V, cambia de valor.
A ip(mA)
200
150
-5 V. 3/2
X 10
/ P= 75 P

100
50

--T,

A --1..

10. V(V)

50 100 150 200 250


Figura E.11.2.3. Grafica de la recta de earga
Utilizando la

RL .

ley de comportamiento, tenemos:

I7 1 = Vp + Ri,

(75 X 10-5 ) Vp"2 ,

V, = Vp + 1.5

Vp" , V2 =

1.5

Vp 312

(E.11.2.7)

En la figura E.11.2.4 se muestra la gralica V, V, cuando no se usa ninguna aproximaciOn lineal para el diodo, ecuaciones (E.11.2.7)
419

1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

V(V)

V (V)

V2 (V)

0.0

0.0

0.0

1.0
10

2.5
57.43
154.16
276.48

1.5
47.43

20
30
.

40
45
50

V2 (V)
500

134.16
246.48

419.47
497.80
580.33

379.47
452.80

111 (V)

530.33

100 200 300 400 500 600

Figura El 1.2.4. Grafica de V1 V2 cuando se usa el diodo sin aproximacion lineal.

f) Si graficamos V,

V2

empleando el circuit equivalente propuesto, tenemos:


Rp, = 250 11

44#*

4.2
11IN
1

Figura E.11.2.5 SustituciOn del diodo por el circuito equivalente propuesto.

La ley de

comportamiento de la Fig. E.11.2.5 sera:


V1 =

Vpm + V2 =

Vpm

Vpm =Rpm lp m 45V

420

'Pm

Iv,

EJEMPLOS

VI = Vprn

Vpm

Rpm

V, = Vp, + 8 Vpm = 9 VPm ; V2 = 8 Vpm

(E.11.2.8)

Graficando la ecuacion (E.11.2.8) encontramos el comportamiento de


V, del circuito de la Fig. E.11.2.2 cuando se utiliza el circuito equivalente
propuesto.

V, (V)
Vpm (V) V I (V)

. 0.0
0.28
6.38
17.128
. 30.72
46.60
' 55.31
64.48

1
0.0
2.5
57.43
154.16 ,
276.48
419.47 .
497.80 .
580.33

V2 (V)

0.0
2.22
51.048
137.03
245.766
372.86
442.48
515.84

600
500
400
300
200
100
0

100 200 300 400500 600

V2 (V)

Grafica E.11.2.6. Grafica VI - V2 cuando el diodo se sustituye por el circuito equivalente propuesto.

Ana117ando las graficas de V, V2 puede verse que el error que se presenta es


considerable. Esto se debe a que el modelo equivalente que se utiliza es poco
aproximado y por lo tanto, poco recomendable. Como solucion inmediata
puede sugerirse para el analisis un modelo segmento lineal con mejor aproximacion, tal como el mostrado a continuacion:
421

DISPOSITIVOS AL VACIO

i
/
/

( Vpm , 'pm )

'Pm
RP
Vu
a--pH::+_osir_Hilt___4"

/
/

Rpm
10--- Vpm
1

--04

6..,
1
1
Rp ow Rp = 2 Rpm/3
VP
0
V, = ilpmp

Figura E.11.2.7. Modelo segmento lineal mas aproximado y circuito equivalente para el diodo
del ejemplo 11.2.

Sustituyendo nuevamente el circuito equivalente del diodo en el circuito de


la Fig. E.11.2.2, se tiene:
Vpm = Vo + Rp

= Vo + Rp Ipm +
V2 =

R1

RL 'Pm

IPM

RL

= Vpm + (Vpm Rp

= 'Pm + 12 (Vpm -

).
R p = 166 fl

vt

Vu = 10V
1I

V2

0_ 500V
R2 . 2 Kn
_

Figura E.11.2.8. a) circuito equivalente del diodo con mayor aproximacion; b) ley de cornportamiento.

422

EJEMPLOS

De la ley de comportamiento, se tiene:


= Vpm + 12 ('pm - V).

(E.11.2.9)

Graficando la ecuaciOn (E.11.2.9) obtenemos el comportamiento V, - V2 ,


con un modelo segmento lineal 'rids aproximado.

V, (V)
Vpm (V)
0.0
10.23
13.65
21.09
30.50
41.50
47.52
53.87

VI (V)

V2 (V)

0.0
13
57.43
154.16
276.48
419.47
497.80
580.33

0.0
2.77
43.78
133.07
245.98
377.97
450.28
526.46

500
400
300 _ _ _ _
200

II
i

__

100

I
1
!

171(V)

0 100 200 300 400 500 600 700

Figura E.11.2.9. Grafica de VI -

, cuando se usa el circuit equivalente mis aproximado.

Esta aproximacion introduce un error menor en los calculos, el cual se cornprueba analizando la Fig. (E.1 1.2.9) y con las siguientes ecuaciones:
V -V
"
Pin = Pni
Rp
I. = 75 X 10

(E.11.2.10)

(E.11.2.11)

VI,'

De las ecuaciones (E.11.2.10) y (E.11.2.11) encontramos el nuevo porcentaje de error.


'Pm
/p

VPm Vu

75X 10' Rp Vpm 3'2

= 8

Vpn,

10

"2

(E. 11.2.12)
423

1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

= 0.22,

78% de error;

= 0.89,

11% de error:

= 0.96,

4% de error;

V = 11V
IPm

> 1pm

V = 20V
IPm

IP
VP = 15V

Comparando estos resultados con los anteriores, se ye que el error se redujo


grandemente, en esta forma podemos ir encontrando modelos cada vez mas
aproximados. En la mayoria de las aplicaciones practicas el porcentaje de error
del circuito equivalente anterior se considera de pequena importancia.
Ejemplo 11.3 Dado el circuito de la fig. E.11.3.1, determine el punto de operaci6n del diodo al vacio.
+
R1

IR 2

RI

vp
R2
1I

Figura E. 11.3.1. ConexiOn de elementos lineales no-lineales, serie paralelo.

Solucion:
t I R]
R I R2

R1 'R1 = Vp ,
R2 1R 2 = VP

+ IR 2 = .
(a)

424

(E.11.3.1)

EJEMPLOS

r
rT

RT=R1R2/(Rl +R 2 ),
Vpp

(E.11.3.2)

V/(R1 +R2 ).

(b)

Figura E.1 1.3.2. Transformacin del circuito serie paralelo al circuito general de polarizacin
de un diodo: a) circuito serie paralelo y su ley de comportamiento, b) circuito general de
polarizacion de un diodo para el caso del ejemplo 11.3 y su ley de comportaniiento.

Para trazar la recta de carga y localizar el punto de operacin Q, tenemos:


(E.1 1.3.3)

VPP = Vp + R 'PQ
Si;

V=O

I=

V
PP =V

.
Si;

J, =O

V= vpp =

(E.11.3.4)
R2

+ R2

(E.11.3.5)

Graficando (E.11.3.4) y E. 11.3.5, obtenemos la siguiente figura:

1PQ

VpQ

VP

Figura E.11.3.3. Recta de carga y punto de operacin del diodo de la figura E.11.3.1.
425

11

DISPOSMVOS AL VACIO

Ejemplo 11.4. Obtenga los parametros Rp, g, y p para el triodo (tubo 6C4).
Las caracterfsticas estaticas de placa del 6C4 se presentan en la siguiente figura.
150

Voltaje de placa (V)


Figura E.11.4.1. Curvas caracteristicas estaticas de placa del triodo 6C4.

Solucion:
Para determinarRpescogemos la curva de VG1 = 10 V,
6 V = (200 100) V = 100 V,
Alp = (70 45) mA = 25 mA,

Rp

A Vp
'P

= 4K SI,
VG1 = 10 V

Para la determinaciOn de gm , escogemos VI, = 150.


AVG1 = (15 5)V= 10V,
A lp = (80 40) m.4 = 40 mA,
A lp

= 4 X 10

gm =

6.VG i

(S2)-1 ,

17P

gm = 4m02 )'.
Rpg, = 4 X 103 X 4 X 10-3 = 16.
426

EJEMPLOS

Determinacion de p en forma grafica:


AV
A VG1

IF

Si escogemos /p = 70 mA, tenemos:


A V = (200 100) V= 100 V
VG = (15 10)V= 5 V
entonces,
p = 20.
Sabemos que la variaciOn de la p se debe principalmente a la no linealidad
que presentan los dispositivos al vacio.
Ejemplo 11.5. Dos triodos al alto vacio tienen el mismo espacio entre reja y

placa, pero el diodo B tiene mayor espaciarniento entre catodo y reja que el
triodo A. z,Cuales son las diferencias cualitativas entre sus curvas caracteristicas
estaticas de placa?
Solucio n:
dA = dB = d, area catodo = area placa, Art = A rB .

Figura 11.5.1. Triodos al vacfo con diferentes espaciamientos entre reja y catodo.

427

1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

Usando las expresiones para la capacidad, tenemos:


e

CG K

Ar

C=

Cpft =

CG K CPG
r_

s-1,;1( s-PG

En esta forma podemos determinar el valor de me para cada uno de los dos
triodos:
CGKA
PeA r,

CGKA (CGKA CPGA)

"PK A

CPGA CGKA

e oArA
GKA = 1 4. 9,1 I +dA
= 1 +CPGA
e ArA
A

(E.11.5.1)

dA
Ahora, para el triodo B tenemos:
dB

Pee = I +

(E.11.5.2)

Ya que dA = dp , entonces:
dA
PeA = -41
0 '
, dA
PeB

(E.1 1.5.3)

(E.11.5.4)

Finalrnente, debido a que B > 12 A' se tiene:


P eA

>

PCB

(E.11.5.5)

De esta forma podemos proponer la forma de las caracterfsticas estaticas de


placa de ambos triodos, las cuales se presentan en la siguiente figura:
428

EJEMPLOS

1p (mA)

Triodo A

cv
/

c,

Triodo B

N I ".

s I

/
; b
!

1 1 I c/b
III]
/ I
1
/
I
I
1I
/

/ II,

J ill

0 Ms M
A

V (V)

Figura E.11.5.2. Curvas caracterfsticas estaticas de placas de los triodos A y B, donde se


aprecia la difereneia eualitativa entre ambos triodos.
Ejemplo 11.6. Calcular la capacidad entre reja y ca.todo de un triodo al vacio
utilizado como amplificador (efecto Miller).

Soluciall
Si se considera el equivalente dinamico y las capacidades interelectr6dicas del
triodo, en el circuito basico de amplificador con triodo, podemos obtener la
siguiente figura de la cual es posible calcular la capacidad de Miller:
R

S VG!

---8.

11

13

TeG'K

Rp

R
3

G
- V

Figura E.11.6.1. Circuit equivalente del triodo considerando las capacidades interelectr6dicas del mismo.
/ I + /2 = 13 ,
= SCK VG

(E. 1 .6.1)

, C
- K = CG K

(E.11.6.2)
429

11 DISPOSITIVOS AL VACIO

12 -= SCp (V s VG 1 ) ; CF = CpG, ,
ve VG i

- A VG , ,

RG

(E.11.6.3)

(E.11.6.4)

de donde:
lie VG ,
RG
VG

VG

(1 + A) SCe P*Gi = SCK VG ,

(E.11.6.5)

RG [SCK + (1+ A) SC] +

2ir RG CG
ve
+ SCPG RG

E.11.6.6)

(E.11.6.7)

(E.11.6.8)

Esto implica que la frecuencia de corte alta se reduce debido al aumento de


la capacidad de reja placa.
En esta forma la capacidad que se ye entre reja y placa es:
C pG = CK (1 + A) Cp

(Capacidad Miller)

De estos resultados podemos concluir que para el triodo al vacfo habil un


compromiso entre la ganancia del amplificador y la frecuencia de corta alta del
mismo, ya que a mayor frecuencia de trabajo la ganancia debera disminuir, para
evitar que afeete demasiado a la capacidad entre reja y placa.
Ejemplo 11.7. Una serial de CA de I., = 2 sen wt, se aplica a un triodo al vacio
con:
430

EJEMPLOS

a)
b)
c)
d)

20 y Rp= 7.5 X 103 s-2. Si RL = 15 X 103 ft, determinar:

la corriente de placa CA;


el voltaje de placa;
la ganancia del amplificador; y
la potencia CA en la resistencia de carga RL.

RL
VP?

Figura E.11.7. Circuito basico de un amplificador con triodo.


SoluciOn:
Al sustituir el triodo por su circuito equivalente, se encontr6 que:

VPP
P VGG
RL + Rp

Y VP = VPP

RL
RL +14

;Ave

(11.2.22)

RL + RP
R

(VPP

L
RI, + 14

P 'G )

ii i1e

(11.2.24)

a)
esta forma la corriente de placa CA sera:
Ave
/PcA
RL + 14
En

(E.11.7.1)

431

1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

Sustituyendo datos tenemos:


20 X 2 sen wt
IPCA=

7.5 X 103 + 15 X 103

A,

/pcA = 1.78X 10-3 sen wt A,


ipcA =

1.7 sen wt mA.

Asi, para el volt* de placa CA se tiene:


RL

VPCA =

RL Rp

AiVe

(E.11.7.2)

Sustituyendo datos tenemos:


15 X 103 X 20 x 2 sen wt
VPCA

15 X 103 + 7.5 X 103

V,

liPcA = 26.67 sen wt V.


c)
La ganancia esta dada por:

A=

a TiPCA
a ye

=_

gRL
RI, +

Rp

entonces:

A
432

20x 15 X 103
300
= 13.
22.5x 103
22.5

(E.11.7.3)

EJEMPL(JS

d)
La potencia CA en ia rrsiftencia de cargo RL
(E. 11.7.4 )

Rt, riPcA 12 ,

LCA

donde (fpcA J es el valor mu de


guiente forma:

corriente de placa el cual Sc calcula de la si-

(1.7 X 10-3 )2 sen we d

" .

1.7
niA
tircAl=
V2

(L.11.7 5)

(E11.7.6)

Sustituyendo en la ecuacion (E.11.7.4), se Ilene:

15 )< 103 X (1.7 X 10' )2

W = 21.68 X 10 Vv.

1.C4

Ejemplo 11.8. El triodo mostraclo en la fig. E.11.8.1 pude rcpresentarse por


caracterfsticas linealcs de p -= 20 y rp = 10KR. ademas deben cumplirse las
siguientes co.ndiciones:

-5 V

Para

-10 V <

para

-5 V< VG < OV ; A=

VG <

a vp
a vc
a Vf,
3 VG

= -10.

Suponiendo que el diodo es ideal, determine los valores de RL . R, y R2.


433

11 DISPOS1TIVOS AL VACIO
-1- YPP

200V

R1
R
D
_=_

vpp

p
R2

1 VG

+ AS G

R2

IVG

E.11.8.1. Amplificador de ganancia variable y su equivalente.

Soluci6n:
La ley de comportamiento de la Fig. E.11.8.1 es:
Vi

R2
R + R2

Vep , Si el diodo esta polarizado inversamente, es decir,


Vp >

Usando la ecuacion (11.2.22) se puede encontrar Vp :

Vp

RL
VPP

_ pp

+RPTi

RL
R
AVG ,
+ Rp

(11.2.22)

y la ganancia estara dada per:


A, = RL t I (R L

Re).

(E.11.8.1)

Si consideramos al diodo ideal y en conduccion el circuito se puede llevar a


un equivalente (mostrado en la Fig. E.11.8.2)
434

EJEMPLOS

rh

R1
Re

P
V
1).13

th

Rp
AtV

VG1

R2
VG

Figura E11.8.2. Equivalente del amplificador de ganancia variable cuando el diodo D conduce y se considera ideal.

donde;
Rd, = R i HR2HRL ,

( E.1 l.2.2)

R 2 (RI, + R I )Vpp
Vrh

(E.11.2.3)

RL R, +RL R 2 + R1R2

En este caso la ganancia esta dada por:


gRth
A 2
Rm Rp

(E.11.8.4)

Debido a que
= R 1 I1R 2 IIRL < RE , entonces la ganancia A1 > A2 y si se
establece que el voltaje de control que hace que la ganancia cambie sea de -5 V,
tendremos:
R2

V, -

V=V n + R2 PP
13'

RL

RL p Vc
V +

+ Re RL + Re '

(E.11.8.5)

Usando las ecuaciones (E.11.8.1), (E.11.8.4) y (E.1.1.8.5), podemos determinar los valores de /2,, R2 y RL :
At -

RL
= - 15,
RL + 14

(E.11.8.6)
435

1 1 DiSPOSITIVOS AL VACIO

j/

(E.11.8.7)

- = - 10.
Rp

A2 -=
Rth

Puesto que p. Rp y 17pp son datos, las ecuaciones (E.11.8.5), (E.11.8.6) y


(E.11.8.7) constituyen un sistema de tres ecuaciones con tres incOgnitas: por lo
tan to, resolviendo este sistema de ecuaciones se encuentra que:
R = 301CS2,
R, = 24Kn, y
R2 =

40K.U.

Ejempio 11.9. De las caracterfsticas estaticas de placa del tubo 6AU6A (pentodo
de corte neto), determine los parametros g , R y
1.

12

p I

A'a

1
0.5V
1
_

I
1

erilli
mom.
0

mill=

Mr

VG 1

F 6
3V

.
i

= 1V-

p.m...71.5V

-2.0V
2.5V I
I

.3_ i

100 200 300 400 500 600


Voltaie de placa (

Figura E.11.9.1.

Curvas caracteristicas estaticas del pentodo 6AU6A.

Solucian:
Para VG i = I V,
Vp = (300 200)V = 100V,
= 15.3 5.0) X. 10-3 A = 0.3 x 10-3 A,
436

V = 00
I
V

G2

EJEMPIOS

AVp
RP =-

E.11,9,1)

kip
V(.71
100

R=
P

3 X 10-4

Rp = 333KS2

Para J,= 300V,


A VG = (-0 .5 (-1.0) )V = 0.5V,
6Ip = (7.5 5.1) X 10 A= 2.4X 10 -3 A,

AI
gm

(E.11.9.2)

VG1

VP

2.4X 1C0
0.5

grn

= 4.8 X 10-3
= Rp

(nr

gm ,

(E.11.9.3)
Pi = 0.33 X 10' x 4.8 X 10-3 1600.
Mi

= 0.33 X 106 X 4.8 X 10-3 = 1600.

Ejemplo 11.10. Usando las caracterfsticas de placa para el pentodo de la Fig.


E.11.10.1. determine los valores y signos apropiados de las consta_ntes to , , v

437

11

DISPOSITIVOS AL VACIO

rp , tales que el circuito equivalente lineal de la Fig. E.11.10.2 represente estrechamente al tubo real en la vecindad del siguiente punto de operacion:
VG 2 100 V, VG 3 = 0 V, VG 1 = 1.0 V, Vp=

250V.

'P
10

0.5V

8
ca.< 6
, .
-o ,.....
...
'c wa
o
fa
-= 4 4
8
e.
o >,

I Q 1.0V
V

GI

=0V

1.5V
2.0V
2.5V
3.0V

100 200

(V)

300 400 500


Voltaje de piaca

Figura E.11.10.1. Caracteristicas estaticas de placa del tubo 6AU6A.


G1

TVG 1

RP

v
mi G1

Figura E.11.10.2. Circuito equivalente del pentodo (estatico).

Solucion:
VP

438

gm

VG 4-
Rp

(E.11.10.1)

EJEMPLOS

donde:
A.&

gm

AV G
A
Rp

(E.11 .10 .12)

VP = cte

Vp

(E.11.10.3)

VGI = cte
gm 2 VG2= lp,cuando VG , = 0 y Vp = Vp(i .

(E.11.10.4)

En esta forma, utilizando las caracteristicas estAticas del pentodo, encontramos los valores de gm 1 , 10 , Y RP.
Para V = 250 V,
Aip = (7.6 3.2) X 10-3 A = 4.4 X 10'3 A,
AVG =(0'5 (-1.5) I V= 1.0 V,
4.4X 10-3
gm

1.0

gm = 4.4 X 10'3 0-0-1


Para VG

= 1.0V,

A Vp = (300 200) V = 100 V,


Alp = (4.2 4.0) X 10 3 A= 0.2 X 10-3 A,
Rp = 500Ka,
= 10.2 X 10-3 A.

10 = Ip
(VGI = 0, Vpo = 250V)

439

1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

Con los valores calculados detenninamos IPQ y comprobamosgyaficamente:


IPQ --- 0 -I- g Ill

PQ

.Rp

250
'PQ 110.2 X 10-3 4- 4.4x 10-3 (-1) + SOO X 103 IA
= 6.3 X l0-3 A.
De la grafica se cbtiene /pQ = 5.2 X 10-3 A.
La diferencia en los valores de 49 se debe principalmente a que las curvas
siguen la ley de potencla a la tres medzos, mientras que el modelo equivalente es
Estos calculos comprueban ademas que la Ip (tebrica) es siempre mayor
que la f p (real) para voltajes de reja de control negativos. Los signos presentados
en el circuit equivalente de la Fig. E.11.10.2 son los adecuados.

Ejemplo 11.11. El pentodo 6AU6A Fig. E.11.9, es usado como amplificador de


voltaje Fig. E.11.11. La fuente de voltaic Vpp = 300 V, la resistencia de la reja
de control R = I M52. El pentodo debe de polarizarse de manera que el punto
.
f
de polanzacion se tenga en VpQ = 100 V, VG 2 = 100 V, Ip = 5 mA. Bajo estas
condiciones 4 . 2 = 2.1 rnA. Determine los valores requeridos para RK, RG 2 y RL

vs

Figura E.11.11. Amplificador de voltaje con pentodo.

440

EJEMPLOS

lucion:
Ley de comportamiento en corriente directa (CD):
VPP = R L 4Q -1-VPQ + R K [IC Q.'

(E.11.11.1)

VPP =RG 2 IG 2 Q +VG2Q +RK IKQ'

(E.11.11.2)

VGiQ = R K IKQ = (1PQ + IG2Q )R K .

(E.11.11.3)

La ganancia de corriente alterna es:


A=

Rp 14,
RL, + R

(E.11.11.4)

Del circuit equivalente del pentodo (estatico) se sabe que:


Vpe
/PQ

/0 gmi

IQ +

(E.11.11.5)

Sustituyendo datos en las ecuaciones anteriores. es posible deterrainar los valores requeridos:
300V= (5 x 10-3 X Rt + 100 7.1 X 10-3 RK )V,
200V = (5 X 10-3 RL + 7.1 X 10-3 RK )V,
300V= (2.1 X 10 -3 Rc 2 +

100 +

(E.11.11.6)

7.11 X 10-3 RK )V

200V= (2.1 X 10-3 RG2 4- 7.1 X 10

RK )V,

1.0V= 7.1 X 10-3 RK V.

(E.11.11.7)
(E.11.11.8)

DespejandoRK de la ecuacion anterior tenemos:


R K = 140.82.
441

1 1 DISPOSITrVOS AL VACIO

Restando la ecuaci6n (E.11.11.6) de la ecuacien (E.11.11.7), tenemos:


R L = 0 42R G 2

(E.11.11.9)

Sustituyendo RK en la ecuaciOn (E.11.11.7) es posible obtener el valor de RG 2


RG 2

95ICS2

RL = 39 91(.11

Ejemplo 11.12. Un par de fototubos se usan en un circuito divisor (Fig.


E.11.12.1) para obtener una respuesta de salida dependiente de la posici6n de
un rayo luminoso; cuando el rayo esti colocado centralmente, el voltaje de salida es cero. Supongase que el rayo se desplaza de tat manera que caen 0.10 Rrn
sobre el fototubo superior y el resto, 0.06 Vnt caen sobre el fototubo inferior.
Determinar la magnitud del vottaje de salida y su polaridad con respecto al
potencial de tierra.
Caracteristicas de los fototubos:
gf = 20 X 104 (A/km) y Rc = 40K n.

45V

Rayo de
luz (0.16 Qin)

45V

Figura E.11.12.1. Puente de fotogelda.

Solucion:
Sustituyendo los fototsbes (fotoceleta) por sus equivalentes, el circuito de la
Fig. E.11.12.1 queda:
442

EJEMPLOS

111

45V

V2

45V

E.11.12.2. Circuito equivalente del divisor de fotoceldas emisivas.


a)
Si Ji = J2 y g ft = g12 , se tiene que la caida de voltaje entre las terminales A y
B es nula, debiao a que el puente esti balanceado.

b)
SiJi * J2 ,g 1 = gf2 , y RT = = 8 KS2 , entonces:
V2

V1

g f 2 .12 + 8X 1O = g f 1 '11 + 8X 103

(E.11.12.1)

Ademas:
(E.11.12.2)

V1 + V2 = 90V.
Por to tanto:
V1

90+ 8000 (gf2 -2 gfl


2

J1)

Luego el voltaje entre los puntos A y B es:


VA B = - 45 + V1 .
443

1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

Sustituyendo valores (J1 = 0.10 2m .12 = 0.060 ern), tenemos:


90 + 8000 [ ( 20 x 10-3 (0.06 0.1) ]
v,
- 45 +
VA B

(-45 + 45 0.04 X 160/2), V

V AB = 3.2 V.

444

PREGUNTAS

PREGUNTAS
11.1 ,De que depende la corriente de saturacion de un diodo al vacfo?
11.2 i,Como se define la resistencia estatica y dinamica de un dispositivo
no-lineal?
11.3 Explique los efectos de la limitacion de corriente por carga-espacio y por
temperatura en un diodo al vacfo.
11.4 Encuentre a1gin otro circuito equivalente valid para el diodo al vacfo.
11.5 Defma los parametros de un triodo al vacfo.
11.6 LPor que un triodo al vaclo no es buen ampLificador de voltajes a altas
frecuencias?
11.7 El triodo se comporta como una fuente de voltaje real, dependiente de.. .
11.8 Si en un triodo la reja de control se hace muy negativa, zque sucede?
11.9 LCOrno se especifica la potencia de disipaci6n de un dispositivo?
11.10 lixplique por que es posible representar a1 triodo con un circuito equivalente de la forma:

41/

P V
4-

Circuit equivalente dinamico del triodo


445

1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

zEn clue regiones del piano ( Vp VG 1 ) no es valida la aproximaciOn


4 = k (Vp + g VG 1 )3 ' 2 , en donde k y p son constantes para un triodo,
y por que? Considere el piano completo.
,Para que se usa la reja pantalla en un tetrodo?
i,Para que se usa la reja supresora en un pentodo?
zamo puede usarse una impedancia negativa?
,Como se define una impedancia negativa?
i,Por que se presenta la emisiOn secundaria en los tetrodos?
El pentodo se comporta como una fuente de corriente dependiente de. . .
zQue ventajas o desventajas puede nombrar acerca del pentodo con respecto al triodo?
11.19 Investigue algunas aplicaciones de los fototubos.

446

PROB LEMA S

PROBLEMAS
11.1 Grafique las curvas de ( Vp /p)para cada uno de los arreglos de la figura
P.11.1.
I p

IP

K
K

VP
l'i

VP

VP

Figura P.11.1

447

1 1 Disposrrivos AL VACIO
11.2 Dada la caracterfstica de an circuit diodo, determine eI valor de VpQ y
/1' Q (Fig. P.11.2.1)
R,

5 kn

200V

p (A)
50 100 150 200

Figura P.11.2
11.3 Demuestre que cuando existe la limitacion de carga-espacio en un diodo
de electrodos paralelos, el campo electric en la placa es de 4/3 del valor
que existe cuando no fluye corriente.
11.4 Consulte manuales de tubos al vacfo y determine los parametros gm , rp
y g del 12AU7, 6J6 y 6AU6.
11.5 Trace (V1 12) para el circuito de la siguiente figura, en que la caracterfstica del diodo es mostrada en la misma. Cubra el rango de 100V < V I
<10y.
/p(nA)

I2

v 3/2

P P

66.7

100

V )

Figura P.11.5.
11.6 Consulte el manual de tubos al vacio (triodo o pentodo) para que determine los valores adecuados de un amplificador de voltaje con una ganancia de A = 40, usando una fuente de polarizacion de Vpp = 300 V.
448

PROBLEMAS

11.7 Usando dos triodos en paralelo, determine la Rp y la gm equivalente de la


combinaci6n de ambos, en terminos de los parametros individuales de
cada uno de ellos.

Figura P.I1.7.

11.8 La resistencia de placa de un tetrodo en particular es de 1 50ics2 y se


reduce a 91(S1 cuando el tubo esta operado como triodo (reja pantalla
desconectada). Suponga que la reja pantalla tiene una corriente de (1 A.
igual es la conductancia gM 2 resultante de reja pantalla a placa, si la
reja de control es mantenida a un voltaje de polarizaciOn constante y la
reja pantalla se hace el electrodo de control?
11.9 Se tienen dos triodos, siendo el triodo B exactamente dos veces mas
grande que el triodo A en todas sus dimensiones. 4Cuales son las diferencias cualitativas entre sus curvas de placa?
11..10 Las caracteristicas de Vp hp de un triodo son dadas en la siguiente exexpresion:

= 2 X 10-5 (Vp + 15 VG , )3/2


a) Dibujar la familia de caracteristicas de placa para este triodo sobre la
regi6n:
0 < VP < 500V,
0 < /p < 16X 10 A,
VG = 0, 2, 4 16 V.

449

1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

b) De b grafica de la parte a) determine los valores de los parametros

del triodo en los siguientes puntos de operaci6n:


1) Ip = 3.0 mA,

2) Ip = ?,

3) /p = 13 mA,

V = 300V,

Vp = 240V,

Vp = ?,

V = 8V,
G

VG = OV.

VG

'

zSe cumple p = g,, Rp en cada punto?


11.11 Cuando en un amplificador de voltaje se usa un pentodo en lugar de un
triodo, ique consideraciones diferentes se deben hacer?

450

BIBLIOGRAFIA

BIBLIOGRAFIA
C.L. HEMENWAY, R.W. HENRY, y M. CAULTON, Physical electronics,
Wiley.
E.J.ANGELO, Electronics circuits, McGraw-Hill.
JACOB MILLMAN y SAMUEL SEELY, Electronics, Secon edition, McGrawHill.
HENRY J. ZIMMERMANN, SAMUEL J. MASON, Teoria de circuitos
electronicos, Compania Editorial Continental, S.A.

451

APENDICES

METODO DE WKB PARA DETERM. LA TRANSPARENCIA DE LAS BARRERAS DE POTENC1AL

Apendice A
METODO DE WKB PARA DETERMINAR LA TRANSPARENCIA DE LAS
BARRERAS DE POTENCIAL
Para calcular la transparencia de las barreras de potencial de las particulas atomicas, a menudo se usa un metodo de aproximacion llamado metodo WKB.
Sea una onda de particula descrita por la ecuacion de onda siguiente:
d2

f (x) = 0 ,

(A-1)

dx2

donde f (x) es positiva para x1 < x <x2 (Fig. A.1), rango de x en el cual se
satisface la solucion para:
(A.2)

0(x) =
Sustituyendo (A.2) en (A.1), tenemos:
0("(X) -4- [Ce (x)]2 f (x) = 0.

(A.3)

Suponiendo que (x) es una funcion que varfa lentamente con x, tenemos:

a" (x) < [a' (X)]2 .


En esta forma la ecuacion (A.3) tiene como solucion aproximada:
X2

ce(x) = [f (x)] dx , xi < x < x2


J,1

(A.4)

455

METODO DE WKB PARA DETERM. LA TRANSPARENCIA DE LAS BARR ERAS DE POTENCIAL

El signo negativo se considera ya que interesa una onda que viaja de izquierda a derecha. Por consiguiente, la transparencia de la barrera es:

T= 00*

=e

2 00 0/2 diel
If

ix,

(A.5)

Para el caso de una barrera de potencial V(x), tenemos:


2m
f (x)= h2
[V (x) El ,

(A.6)

donde
V(x) es una energia potencial; y
es la energia del electron.
Por lo tanto:
2m 1/2
T= expl-2 () f [ V(x) E]"2 dx
h2

( A.7)
F

Figura A.1. Barrera de potencial para calcular el coeficiente de transparencia T

456

CONSTANTES MICAS B

Apendice B
CONSTANTES FISICAS

Constante

Sfmbolo

Valor

Velocidad de la luz

3 X105 m/seg

Constante de Planck

6.63 X10-34 J-seg

11127

1.05 X10-34 J-seg

Constante de Boltzman

1.38 X 10-23 J/K

Constante de Boltzmann

Carga eldctrica

8.62 X10-5 eV/K


1.6 X10-19
COUI

Masa atOmica unitaria

mau

1.66 X 10-27 Kg

Numero de Avogadro

No

6.02 X1026 mau/Kg

Ntimero de Avogadro

No

moleculas/Kg-peso molecular

Masa del electron

mo

9.11 X10-31 Kg

Razor) de carga a masa para


el electron

71

1.76 X1011 coul/Kg

Masa del proton

ma ,.

1836 mo = 1.67 X10-12 Kg

Permitividad del vacio

en

1
= 8.85 X10-12 "22
36 r X109
rica-m

Permeabilidad del vacio

Po

4.7r X10-7 = 1.26 X10-6 nw/A2

Radio de la primera orbita de


Bohr en el atom de hidrogeno

an

5.29 X10-11 m
_
457

CUADRIPOLOS

Apendice C
CUADRIPOLOS
Sc define como cuadripolo a cualquier circuito que presente cuatro terminales
al exterior. Un ejemplo se muestra en la siguiente figura.
11

12

4,--

1/11

V2

Figura Cl. Cuadripolo.

El interior del cuadripolo puede consistir de:


a) elementos pasivos;
b) elementos activos; y
c) elementos no lineales y dependientes.
Dicho cuadripolo queda completamente caracterizado por
, 1.72 , e 12.
Las interrelaciones entre estos parametros nos dan seis posibilidades:
Parametros Z

Parametros Y

vi= , 12)

11= RI

V2 =

12 = f(, V2)

458

(II

12)

v2)

CUADRIPO I OS

Parametros h

Pardmetrosg

, V2 )

V2= firl,12)

= f (11 , V2 )

/1 = f(fr , 12 )

=f

Parametros a

Parametros

= f(,12)

v2= R171,10

= f(V2,12)

12= f(ri,h)

Ahora el anAlisis se hara suponiendo que el cuadripolo es lineal.


Si de nuestros cuatro parametros
, /1 , V2 , /2 ), que caracterizan al cuadripolo, suponemos que h e /2 son las variables independientes, y que y V2 son
las variables dependientes, entonces obtenemos las siguientes relaciones.
Parcimetros Z
= z1I J1 + z12 12 ,

(C.1)

+ Z2212

(C.2)

1'2

Z21 11

En forma matricial se tiene:


Z11
I

Z12 I

Z21 Z22

/31
/2

(10 ode

ZI

III

I/;

I = -, , Z12 .---, " 1, = 0 1 2

Z21 = -
ii
12 = 0

, z22=
,
12

li = 0

459

CUADR1POLOS

a VI

ul '

Z21

Z11 =

/2 = cte

a v2
= r

a vi
012

= cte

a r";
012

'ill = cte

= cte

Al primer grupo de parametros Z se le llama parametros Z estaticos, y al


segundo grupo parametros Z dinamicos.
Cualquier cuadripolo caracterizado por los parametros , , , A puede
ser llevado a la forma general de la Fig. C.2.
1, ,
, ,
. , _ co+

_.

z,

V1

/2
,_

1
,./.2

Figura C.2. Cuadripolo con parametro Z.


Analizando por el metodo de mallas, tenemos:
= (ZA + 4) 1j + 4/2 ,
V2 = (ZB

4) /2 + Vt. .

(C.3 I
(C.4)

De la ecuacion (C.3) tenemos:

z,1 =
Z

460

A2

ZA + 4

IC .5

4.

(C.6)

CCADRIPOLOS

De la ecuacion (C.4) tenemos:

Z,, =

1,12.

V
= Zc +

(C.7)

1, = 0
Z22 -

--op

= Zil ZC
/2
12
=-

III1

r,I IA zci Iv,

(C.8)

Irmo 0 ..-
+
4
1,

7,

(b)

(a)

Figura C.3. Cuadripolo con paranietros Z: (a) hacienda /2 = 0; (b) hacienda h = 0.


El paso siguiente sera encontrar los valores de ZA , 4,4. y Vi en terminos
de las impedancias Z11 , Z12 t Z21 , Y Z22 .
De la ecuacion (C.6) tenemos:

4= Z12

(C.9)

Sustituyendo la ecuacion (C.9) en la ecuacion (C.5), se obtiene:


ZA= Z11

Z12

(C.10)

Sustituyendo la ecuacion (C.9) en la ecuacion (C..7) tenernos:


= (Z21 - Z12 ) 1

(C.1 1)

Sustituyendo (C.11) en (C.8), y considerando quel1 = 0, se tiene:

4= Z22

Z12 .

(C.12)

En esta forma, cualquier cuadripolo en que se conozcan los valores de Z11 ,


Z12, z2 1 , y Z22 puede ser representado o sustituido por un cuadripolo de la
forma general mostrada en la Fig. C.4.
461

CUAD R IPO LOS

'

MIMI
NMI
+ I
1 ZI1 -Z12
Z22 -ZI2 (Z21 - Z12) II I
I
I
I
VI
I Z12
I
I
I
I
I

b
41.--t

V2

Figura CA. Cuadripolo reprensentado por los parametros Z.


Pardmetros Y o pardmetros admitancia
l'i = Yii V, + Y12 V2 7
12=

Y21

(C. I 3)

V1 + Y22 1' .

(C.1 4)

En forma matricial se tiene:


II

[ /, I

Y12 I [

IY11

vi I
,

Y21 Y22

V2

donde tenemos los parametros estaticos Y:


It
ii
.'
Yii =
, YI2 =
77
V
E v2 = 0
2
/2

/2

V2
y

ji = 0

los parametros dinamicos Y:

ah
Y1 i = A y

Y21

=
a v,
V2 =

462

ah

-.
Y12 =
3 V2
V2 = cteVI = ct e
ct e

7 Y2 2 =

ah
a

= cte

ADRLPOLOS

La representaciOn general se presenta en la Fig. C.S:

.'- - 7B-

- - - - -',JL_

1
1

Figura C.5. Cuadripolo con parametros admitancia Y.

Analizando la Fig. C.5 por el metodo de nodos, se tiene:


It = IA

4-

IA = YA

IB ,

F;,

IB

i,

= (YA + YB)K YB V2 ,

(v, v2)Y13 ,

(C.15)

/2 = /13 + /c 'I ,

/B = (V2 K) YR ,
/c = YC 72
/2 = YB

vi + (

YE + Yc) V2 I f .

(C.I6)

De la ecuacion (C.15) se tiene:


If

_ it

(C.17)

' E72 = 0
/1

V
Yi 2
2

= YB

(C.18)

VI = 0

463

CUADRIPOLOS

De la ecuacion (C.I 6) se tiene:


}72

12 ,
V1

v2 = 0

=0

Y22

-IT

(C.I 9)

= YB Yc

(C.20)

De la ecuacion (C.18) se Gene:


YD

(C.21)

Y12

Sustituyendo (C.21) en (C.17) se obtiene:


YA = Y11 + 3/12

(C.22)

Sustituyendo (C.21) en (C.19) se obtiene:

(C.23)
Sustituyendo (C.23) y (C.21), y considerando
Yc =

= 0, en (C.20), se tiene:
(C.24)

Y22 + Y1 2

La representaciOn general del cuadripolo con parametros Y se muestra en la


Fig. C.6.

- Y12
+ Y12

IV2

1'22 + Y12
(Y12 Y21) VI

Figura C.6. Cuadripolo con parametros Y.


464

CUADREPOLOS

Parcimetros a
V; -= a11 P; - a1212

(C.25)

/I = a21 V2 a22 12

(C.26)

En forma matricial se tiene:


.. _
I,
1 an a
=
a21 an i
/I

.
12

De la ecuacion (C.25) se tiene los siguientes parametros estiticos a:

a12

K
,
V2 12 = 0

(C.27)

i;
h

(C.28)
V2 = 0

y de la ecuacion (C.26) se tiene estos:


a21

11

(C.29)
12

a2 2 =

=0

-1
12

(C.30)
V2 = 0

Tenemos tambien los siguientes parametros dinamicos a:


a ll =

a vi
/2 cte
a VI

a" = a (-12) v,= cte


a21 =

a
cte
465

CUADRIPOLOS

ah
a22 a (_/2)

cte

Este tipo de parametros resulta muy fitil en el estudio de cuadripolos conectados en cascada.
Pardmetros b
= bil

b1211 ,

(C.31)

/2 = b21

b22 .

(C.32)

En forma matricial tenemos:


b n 1)1

(C.33)
b22

b21

De las ecuaciones (C.31) y (C.32) obtenemos los parametros estaticos b:


b 12
V2

(C.34)

= 0 5
11

b12

1;1

(C.35)

(C.36)

621 = v
12
" 11 = 0
b22 =

12y

'

y los parametros dinamicos b:

av

b11 .
'Jr].
466

I1

cte

(C.37)

CUADRIPOLOS

ay,
ach

= cte

a/2
b21 =
avi

= etc

al2

b22 =

vi= cte
Parametros g:

= g11

(C.38)

+ g12

= g" v, + g2212 .

(C.39)

En forma matricial tenemos:


i v2/1 1
=

[ g11

g12I

(C.40)

g21 g22 /2

El cuadripolo con parametros g se tratard de llevar a la forma general de la


Fig. C.7:

j_Lo

I AIgs I I

VI(

V2
ga Ovr

4 I
Figura C.7. Cuadripolo con parametrosg.
g v
De la ecuacion (C.38) obtenemos Los parametros estaticos .11

/I

g"

:
(C.41)

12

=
467

C CUADR1POLOS

g12 =

11
42

= 0

y d 2 la ecuacion (C.39) tenemos:

g21 =

172
-

g2 2 =

12=0 '

V2

.2

Tambien tenemos los parametros dinarnicosg:


ah
g" = a -

= cte

al,
= ah-

= cte

a Pi
gn = VI

g"

r2 =

a J/2ah

cte

= cte

De la Fig. C.7, tenemos:


= + rit = + gA
V2 = + gB 12

De la ecuacion (C.45) tenemos:


g11 =
468

If
gA

CUADRIPOLOS

g12 =

(C.48)

De la ecuacion (C.46) obtenemos:


g_.
"

(C.49)

(C.50)

g22 gB

/2

De la ecuaci6n (C.48) obtenemos:


(C.51)

g12 12
De la ecuacion (C.49) obtenemos:
=g21

(C.52)

Sustituyendo (C.51) en (C.47), y considerando que (C.47) vale para /2 = 0,


obtenemos:
(L.D.5)

= g11

Sustituyendo (C.52) en (C.50), y considerando que (C.50) vale para v, = 0,


tenemos:
gi3 = g 22
(C.54)
En esta forma, la Fig. C.7 queda asi

----- - - - - - - - - - - - - - - ---

li

0_....

/1I

Vg12/2 I gii

..._,_,

4_ g.,_

V2

g2 1 Fl

0-

Figura C.S. Cuadripolo con pararnetros g.


46 9

CUADRIPOLOS

Parametros h:

= h11 11 + h12 V2 ,
13

(C.55)
(C.56)

h2111 +h23 1'

En forma matricial tenemos:


ic 1

1211

/i n I

/,

121

h2

(C.57)
V2

El cuadripolo de parametros h se llevara a la forma de la Fig. C.9.

T /2
1 '1140
I

it r

rizzi
43..

+
0Vf VI it

VII

[II hB

:
1
i

iv2
o

Figura C.9. Cuadripolo con parametros it.


De la ecuacion (C.55) obtenemos los parametros estaticos h:
h VL
7
.1 v2 = 0

(C.58)

h12
171

(C.59)

0'

De la ecuaci6n (C.56) obtenemos:


12

h21
1 172 = 0

470

(C.60)

CUADRIPOLOS

22

(C.61)

4
V2

It = 0

Tambien obtenemos los parametros dindmicos h:

a vi
ar,

h Li =
h 12

h21

V2 = cte

a V,

a V2

= cte

ar,
" V2 = ct e
312

h22 = a V2

= cte

De la Fig. C.9 tenemos:


(C.62)
(C.63)
rig

De la ecuacion (C.62) obtenemos:


h i l = hA +

VT

Vt

(C.64)

(C.65)

De la ecuacion (C.63) obtenemos:


h2 =

(C.66)

47 1

CU AD RIPO L 0 S

h_

If 4_

" V2

(C.67)
hB

De la ecuaciem (C.65) tenemos:


(C.68)

= 1112 V2 De la ecuacion (C.66) obtenemos:

(C.69)

If = /121/1
Sustituyendo (C.68) en C.64), para

V2 =

0 tenemos:

hA = 1111

(C.70)

Sustituyendo (C.69) en (C.67), para I = 0 tenemos:


1

(C.71)

En esta forma la Fig. C.9 queda asf:

r- - - - - - - - -

11

-----

.--

h11
1'12 V2 0 Vh2111 0722 V2

Figura C.10. Cuadripolo con parametros h.


Puesto que la red de cuatro terminales es unica, puede ser representada por
cualquiera de los parametros mencionados; por lo tanto, existe la forma de
intercambiar de un tipo de parametros a otro tipo de parametros. Esto se muestra en la tabla C y se presenta un ejemplo de cam hacerlo.
Ejemplo C.1. Encuentre los parzimetros h en funciOn de los parametros Z.
472

CUADR IPOLOS

Solucion
Usamos las ecuaciones (C.1) y (C.2). es decir:
= Z [2 + Z1212
V2
y

(C. I
(C.2)

Z,1 11 + Z221,

las ecuaciones (C.55) y (C.56), es decir:


14 = /111 11 + //12 1 2

(C.55)

/2 = h21 11 + h22, V2

(C.56)

De la ecuacion (C.2) despejamos 12 y la sustituimos en (C.1):


14 Z21 /1
/1 4- Zi2(
)
4, 22

ZI2Z21 Z12
,

L.,22 Z22
Z Z22 Zi 2 Z21 Z1 2
i+
.7 13
171 =

Z 22.

L.22

(C.72)

Comparando la ecuaciOn (C.72) con la (C.55), y debido a que las variables


son linealmente independientes, tenemos:
LZ ZI2
h11 =7 , h 1 2 - ,
.4.22

Z22

donde AZ =Zil Z22 Z12 Z21 -

De la ecuacion (C.2) despejamos 12


12 = + 1
z-, 22 Z22

y la comparamos con la ecuacion (C.56):


/1 21 =

Z21
, 11/2
Z22

1
1-.22

473

C CUADR IPO LOS

Tabla C. Tabla de conversion de parametros


De
r

A B

A' B'

C D

C' D'

a ,-- AD-BC
ZI1

ZI2

Y22

I YI

42

-Zi2

IZI

IZ I

-z21

C D

A' B'

C' LI'

474

-Y22

Iv

11

1M

1212

-gn

D'

IY1

h22

h22

$11

811

C'

C'

Y21

-h22

gm

Igl

A'

A'

42

h22

Su

gn

-kz

Igl

A2

-A

A'

-1

hu

gn

gn

B'

B'

Ir I

y2

hi ,

IZI

ZU
IZI

IZI
__

42

Z22

Z22

Yll

1221

Ihi

-gm

-1

-A'

D'

Y."

hli

hil

822

gn

B'

B'

-K2
Yu

h11

h12

gn

Igl

-8.22

B'

151

A'

A'

h22

-g21

gil

-A'

Igl

C'

Igl

A'

A'

y
21

-Z21

Y21

42

42

Yta

JX.L
iii

h21

-Z12

IYI

Yt2

h22

-h12

-A

C'

Z11

Z11

Y22

YT2

lh I

lh I

gn

812

D'

D'

Zu
Z11

IZI

-r

-kin

A'

B'

Y21

I/1 I

gal

g"

122

/211
lid

Z11

D'

D'

g22

Z21

Z2I

Y21

Y21

1121

h21

821

Si

A'

A'

Z22

-WI

-Yil

-1122

A'

Y21

Y2I

h2l

,.

C'

421

A'

A'

IZI

-Yu

-1

Z12

Y12

1'I2

A'

B'

Zil

-IYI

-Yn

Z12

Yll

YI2

C'

D'

A e

42

-B t"

-YI2

Z
41

A ' = AD'

z"

Z21

Z2
n, 2
L12

,
L/2

..,--

81 ,

n2I

521
.21

Igl
-.,
52,
62,

hi]

-Igl

-g22

h12

h12

512

512

hn

Ihl

-gli

/In

$12

-1
512

h12

PROP1EDADES DE LOS SEM1CONDUCTORES

Apendice D
PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES
Semiconductor

End& prolulsida =E,


300K

(eV)

0K

Morilidad a 300K
cm2/(V-seg)
avatar:les Instead

C (dismal:1z 11)

5.47

531

1800

1600

Ge (gemtanio)

0.66

0.75

3900

1900

Si (silicio)

1.12

1.16

1500

600

Grupo 111-V
GaAs
(araeniuro de galio)

1.43

132

8500

400

Grupo 11-1V
CdS
(sulfur de cadmio)

2.42

2_56

300

Grupo IV-V1
PbS
(sulfur de plomo

0.41

0.34

600

Masa ekctin
(?n/me)
di:drams
homes
0.2

0.25

Constante
Dietrocia
dielectrics I:aerator:nes
a 300K

5.5

3_56679

nit, = 0.04

16

m; =0.97
ner=0.19

m2,,, =0.16
mt =0.5

11.8

0.668

03

10.9

5.6534

50

0.17

0.6

10

5.832

700

0.66

0.5

17

5.935

1.6

5.65748

5.43086

475

PROPIEDADES DEL Ge, Si y GaAs a

T = 300K

Apendice E
PROPLEDADES DEL Ge, Si y GaAs a T= 300 K
Propiedades

Ge

Si

GaAs

atomoskni3

4.42 X1022

5.0 X 1022

2.21 X1022

Peso atOmico

72,6

28.08

144.63

Campo de ruptura
(V/cm)

105

3 X 105

4X105

diamante

diamante

zinc-blenda

5.3267

2.328

532

Constante dielectrica

16

11.8

10.9

Densidad efectiva
de estados en la
banda de conducciOn
Nc(cm-3)

1.0 X1019

1.02 X 1019

7.0 X1015

Estructura cristalina
Densidad (g/cm3)

Masa efectiva m*firio


electrones
huecos
Armidad electronica
X(V)

476

nl= 1.6, 4= 0.082


m24.h =0.04, mh*h =0.3
4.0

m=0.97, m= 0.19
rnith =0.16, mh*h =0.5
4.05

0,068
0.12, 0.5
4.07

PROPIEDADES DEL Ge, Si y GaAs a T= 300 K E

PROPIEDADES DEL Ge, Si y GaAs a


Propiedades

T= 300'K (cont. . .)

Ge

Si

GaAs

0.66

1.12

1.43

Concentracion
intrinseca de
portadores (cm-3)

2.4X10!3

1.6 X1016

1.1 X 107

Distancia
interatOmica (A)

5.65748

5.43086

5.6534

Coeficiente lineal de
expansion termica
(AL/L AT) (C-1)

5.8 X 10-6

2.6 X10-6

5.9 X10-6

Punta de fusiOn (C)

937

1420

1238

Tiempo de vida de
portadores
minuritarios (seg)

10-3

2.5 X10

3900
1900

1300
600

8500
400

0.31

0.7

0.35

Conductividad
termica a 300K
W/(c-m- C)

0.64

1.45

0.46

Difusion terniica
(ariziseg)

0.36

0.9

0.44

FunciOn de trabajo (V)

4.4

4.8

4.7

Banda prohibida (eV)


a 300`K

Movilidad (cm2 /V-seg)


mr, (electrones)
pp (huecos)
Calor especifico

Presion de vapor
(Torr)

10-3 a 1270C
10-8 a 800C

-3

10-3 a 1600C
10-s a 930C

^''' 10-8

1 a 1050C
100 a 1220C

477

TABLA DE CONVERSION DE FACTORES

Apendice F
TABLA DE CONVERSION DE FACTORES
1 radian = 57.3 = 0.159 rev.
1 grado = 0.0175 radian.
1 slug = 32.2 lb (masa) = 14.6 Kg.
1 kilogramo = 2.21 lb (masa).
1 libra (masa) = 0.454 Kg.
1 unidad de masa atomica = 1.66 X 10-27 Kg.
1 metro = 39.4" =3.28 pies.
1 pulgada = 2.54 cm.
1 milla = 5 280 pies = 1.61 Kin.
1 unidad angstron (A) = 10-'0 m = 0.1 mp.
1 milimicra = 10-9 m.
1 dfa = 86,400 seg.
1 afto =3.16 X 10" seg = 365 dfas.
1 milla/hora = 1.47 pies/seg = 0.446 m/seg.
1 libra (lb) = 4.45 newton.
1 newton = 0.225 libras.
1 calorfa = 4.19 joules.
1 joule = 0.239 calorfas = 2.78 X 1 0-7 KW-h.
1 electron-volt= 1.6 X 10-'9 joules.
1 caballo de fuerza = 550 lb-pie/seg = 746 W.
1 BTU= 778 lb-pie = 252 cal = 1060 joules.
1 atmosfera = 29.9 pulg de Hg.
1 atmosfera = 76 cm de Hg.
1 atmosfera = 1.01 X 105 newton/m2 .

478

CUR VA NORMAL1ZADA DE LA FUNCION ERROR COMPLEMENTAR1A Y...

Apendice G
CURVA NORMAL1ZADA DE LA FUNCION ERROR
COMPLEMENTARIA Y LA DISTRIBUCION GAUSSIANA

10-1

-x

-8
;f 10

0
0.5 1.0 1.5 2.0 z.s 3.0 i .3 4

4.5 5.0

479

PRINCIPALI S DTSPOSITIVOS SEM ICONDUCTORES D ISCRETOS

Apendice I I
PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS
H.1. Diodo rectificador

LA

Sim bolo

Esquema tipico
de uniones

. 1 ' 4,

Ih

/ = 10 (ce VImKT _ I)

Caracteristica
electrica

Comportamiento
matemitico

Caracteristica funcional:
Su principal caracteristica funcional es presentar baja resistencia al paso de la
corriente cuando se polariza directamente (positivo el anodo y negativo el catodo), y alta resistencia al paso de la misma en polarizacion inversa (negativo el
anodo y positivo el catodo).

Aplicaciones tipicas:
Rectificadores; demoduladores; compuertas logicas; formadores de onda; sujetadores.
Valores mciximos:
Voltaje de ruptura
Corriente promedio en sentido direct
Temperatura de la union
480

VR = 30,000 V.
1/) = 1500 A.
7; = 150C.

PRINCIPALES DISPOSITIVOS SE M ICONDUCTORES DISCRETOS

H.2. Diodo Zener


ri,.ct.

,A

MGM Vi

ri
Vu v

=UM
T

Simbolo

Esquetna tipicit
de uniones

Caracteristica
electrica

Comportamiento
matemiitico

Caracteristica funcional:
Su principal caracteristica funcional es la region de ruptura Zener, la cual es
abrupta, perrnitiendo que este dispositivo funcione omo referencia de voltaje
confiable. Este fenOmeno de ruptura se presenta itasta voltajes alrededor de
50 V; sin embargo, se disetian diodos cuya ruptura es mayor a los 50 V (ruptura
de avalancha), los cuales pueden trabajar permanentemente en dicha region.
Aplicaciones t !picas:
Reguladores de voltaje; limitadores; circuitos de proteccion: celdas de referenda.
Valores mciximos:
Voltaje de Zener
Pot encia de disipacion maxima

Vz =- 200 V.
PD = SOW.

H.3. Diodo tanel

43

,_,,i,.,,,

TV
1K

Sirnbolo

Esquema tipico
de uniones

1.C, ,(v,_

,,,,
1 Vp Vy

Caracteristica
clectrica

V)2 , jo (eeVIrnKT-- 1)

donde:
C1 es una constante que &pen& de las
imputezas del diodo

Comportamiento
matematico

Caracteristica funcional:
Su principal caracterfstica funcional es la presencia de una impedancia negativa
en sentido direct, entre el voltaje pico y el voltaje valle.
Aplicaciones tipicas:
Convertidores; circuitos logicos; circuitos de microondas; detectores de nivel;
formadores de onda.
481

PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

Valores maximos:
Corriente pico
Frecuencia de corte resistiva

/p = 100 mA.
f = 40 GHz.

H.4. Diodo varactor

VR
PN

10

.v

rr Vu

SImbolo

Esquema tipico
de uniones

1=10 (eeVImKT

1)

Comportamiento
matematico

Caracteristica
electrica

Caracteristica funcionak
Su principal caracteristica funcional es que al polarizarse inversamente en la
region de saturacion inversa, varia la capacidad de la union al variar el voltaje
inverso.
Aplicaciones tipicas:
Circuitos de sintonfas de radio y TV; filtros activos; osciladores controlados por
voltaje.
Valores maximos:
Razor' de capacidad

Cm
15.

Factor de calidad
Capacidad de la union maxima

Q = 600.
Cf .
800 pf.

H.5. Diodo Schottky


.11
SCN

VR

1 = io (eeT/ImKT _ 1)

Vu
(

Simbolo

482

Esquema tipico
de uniones

Caracteristica
electrica

Comportamiento
matematico

PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

Caracteristica funcional:
Su principal caracterfstica funcional es el permitir rectificar sefiales con frecuencias arriba de los 300 MHz. En estos dispositivos los tiempos de conmutacion son menores a los 10 nseg, pero sus voltajes de ruptura son pequeffos
comparados con los rectificadores normales. El diodo Schottky esti construido
mediante un contacto metal-semiconductor; el metal corptinmente es de oro y el
semiconductor esta altamente impurificado y es tipo N, lo cual permite que la
regiOn de vaciamiento sea muy pequefia, presentandose Las caracterfsticas arriba
mencionadas.
Aplicaciones tipicas:
Ciscuitos logicos de alta velocidad; moduladores y demoduladores en microondas; fuentes de alirnentacion conmutadas.
Valores mciximos:
Corriente promedio en sentido directo
Voltaje de ruptura
Temperatura de la uni6n

ID = 75 A.
VR = 45 V.
Ti = 150C.

H.6. Diodo inverso (back)

(1.;

NM=
ME=
ic

Simbolo

Esquerna tipico
de uniones

.- I'

1 =10 (eeVIrn/CT_ 1),V

0;

I =V114 , V <0 ,Ri <100 St


Caracteristica
electrica

Comportamiento
matematico

Caracteristica funcional:
Su principal caracteristica funcional es la semejanza que tiene con un diodo
timel polarizado inverso en el cual los valores de voltaje pico y voltaje valle son
casi iguales. En sentido directo presenta voltaje de umbral muy pequeflo.
Aplicaciones tipicas:
Osciladores de baja potencia; mezcladores en microondas.
Valores maximos:
Corriente promedio en sentido directo
Voltaje de umbral

= 5 mA.
= 40 mV.
483

PRINCIPALES D1SP0SIT IVO S SEMICONDUCTO RES D1SCRETOS

H.7. Diodo trirector (back to back)

.. r 1
7.3.

47)
-,

MG= t I I

MUM
,-/

11
,R

1 jf..

r 1

MGM

T2

o; IVI=VR

I/1> 4 ; Ivi> vR

VR

T2

Esquema tipico
de uniones

Simbolo

Caraeteristica
eldetried

Comportamiento
matematieo

Caraeteris.tica fUncional:
La principal caracteristica funcional es que en ambos sentidos la corriente se
incrcmenta bruscamente al exccderse el voltaje de ruptura VR , similar al folio-men de avalancha. Esto resulta semejante al comportamiento de dos diodos
rectificadores conectados en serie catodo con catodo.
Aplicaciones t
Circuitos de proteccion contra transitorios de voltaje: circuitos matachispas.
Valores inciximos:
Pulsos
Corriente entre terminal 1 y 2
Voltaje de ruptura

/vice, = 70 A.
1= 0.5 A.
V.
VR = 300V

H.8. Diodos reguladores de coniente (field effect current regulator diodes)

Esquema tipico
de uniones

Sirnbolo
(

KK

IDS
VP

1
Vp

d.

I =IDS
=

VDS
V CVDS

- IDS

Caracteristiea
eldctrica

484

Cornportamiento
matemkieo

PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR IS DISCRI:TOS

Caracteristica funcional:
Su principal caracteristica funcional es que despu6 de cierto voliaje alcanza
la corriente de saturacion, y aunque el voltaje aumente, la corriente permanecc
constante. Este diodo esta construido de manera semejante a un JFET con
la compuerta cortocircuitada con la fuente.
Aplicaciones tzPicas:
Limitadores de corriente; reguladores de corriente; cargadores lineales de capacitores; generadores de dientes de sierra.
Valores maximos:
Voltaje al cual alcanza la saturacion
(semejante al voltaje de oclusion de un JFET)
Voltaje de ruptura

Vp = 3.5 V.

VR = 100 V.

H.9. Diodo supresor de tra usitorios (transient suppressors)

,L..,
r/

K
lk

Simbolo

HINK:
Esquenta tipico
de uniones

rr_ I)
,=4 (ell/pa

Caracteristica

Comportamicnto

electrica

matematico

Caracteristica funcional
Este dispositivo es fundamentalmente un diodo Zener, disenado para soportur
corrientes transitorias alias en sentido inverso, que permitan proteger circuitos
o dispositivos electronicos en peligro de destruccion por transitotios de voltaje
de alta energia.
Aplkaciones tipicas
Proteccion de lineas telefonicas; protecciOn de equipo automotriz; protecciOn
de sobrevoltaje.
Valores mciximos
Voltwe de ruptura
Disipacion de potencia durante un mseg

VR = 200 V.
PD = 8000W.
485

PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES D1SCRETOS

H.10. Diodo PIN


cj
it

=10 (eeV/mICT _1)

P I NE
Esquema tipico
de uniones

Simbolo

Caracteristica
electrica

Comportamiento
matematico

Caractertstica funcional
Debido a la regi6n intrinseca entre las regiones P y N, la zona de vaciamiento se
hace mayor, con lo que la capacidad de union se reduce, permitiendo que se reduzcan considerablemente los tiempos de almacenamiento de subida y bajada,
por lo que este dispositivo puede trabajar en altas frecuencias y aceptar voltajes
de ruptura mayores que los diodos convencionales.
Aplicaciones tipicas
Diodo de conmutaciOn; diodos damper de alto voltaje; rectificadores de alta
frecuencia; aplicaciones en microondas, moduladores y demoduladores.
Valores tntiximos
Corriente entre anodo-catodo
Voltaje de ruptura

'AK = 3 A.
VR = 2500 V.

H.11. Fotodiodo

ri; ise IIA

/A =10 + KH + tHVAK donde:

jr:
H2
/ .,

rAIC

Simbolo

Esquema tipico Caracteristica


de uniones
electrica

10 es la corriente en la oscuridad,
H es la intensidad de luz,
K es constante de proporcionahdad de
iluminacion,
es constante de corriente de saturaciOn.

Comportamiento
matematico

Caractertstica funcional
Este es un diodo al que se le hace una ventana para que incida luz en la union
P-N, y al suceder esto la corriente de saturacion inversa se modifica, teniendose
una respuesta proporcional a la intensidad luminosa incidente.
Aplicaciones tipicas
Alarmas; contadores de material; control industrial; control remoto ; controles
fotoelectricos; apertura de puertas; comunicacion por fibras Opticas; ignicion
transistorizada.
486

PRINCIPALES DLSPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

Valores mdximos
Potencia de disipacion
Corriente entre anodo-catodo
Voltaje entre anodo-catodo

PD = 0.4W.
14 = 500 mA.
VAK = 100 V.

H.12. Diodo LED (Light Emitting Diode)


A

'A

If,r
0

' II

1.2

VAK

H=.43+K/A

tc
Simbolo

Caracteristica
electrica

Esquema tipico
de uniones

Comportamiento
matemitico

Caracteratica funcional
Este dispositivo tiene la particularidad de emitir luz ya sea en el rango infrarrojo o en el espectro visible; tiene la ventaja de ser un foco indicador con muy
poca energia de excitacion ya que aprovecha la energia que se libera cuando se
recombina un electron con un hueco. La frecuencia de la radiacion esta en funcion del ancho de la banda prohibida del semiconductor que se emplea.
Aplicaciones tipicas
Foco piloto; emisor infrarrojo; comunicaciones por fibras Opticas; controles
fotoelectricos; igniciones transistorizadas; contadores; controles industriales.
Valores maximos
VR = 5 V.
14 = 2 A.

Voltaje de ruptura

Corriente en el anodo
H.13. Transistor bipolar NPN
c
iice?E
c
vc mzm
BO
- WIG=
B NW=

ki

1.135
434
1B,
1132

VCE = VO3 + VRK

431

a=

Vcs

Simbolo

Esquema tipico
de uniones

ic=PlB(01-1) 1co
IE =1c 4- 41

Caracteristica
electrica

41C
AIR '

F-

A113

Comportamiento
matematico

487

H PR1NCIPALES DISPOS1TIVOS SEM1CONDUCTORLS D1SCRETOS


Caracteristica funcional
La corriente de colector es constante, para un valor constante de corriente de
base.
Aplicaciones tipicas
Amplificadores: osciladores; convertidores de energia; salidas de potencia: etc.
Valores rndximos
Corriente de colector
Voltaje de colector-emisor
Potencia de disipacion
Frecuencia de transicion

= 300 A.
FCE = 1500 V.
PD = 500W.
Jer = 5 GHz.

H.14. Transistor bipolar PNP


."\
(11r.c
ili11 iu
Simbolo

M=
a
=MI
Esquema tfpico
de uniones

VcE
In

ic =a1B +(a+i)ko
=1.c. IB

433
1B,

VCE = vCB+ VBE

Ic
Caracteristica
electrica

a=Atclak .13 .4,16/4,18


Comportamiento
matematico

Este dispositivo es complementario del transistor bipolar NPN y tiene las mismas ecuaciones, funcionamiento, aplicaciones y valores maximos que este.

H. 15. Fototransistor
B
t

SImbolo

_Lc
P

H4
H3

'Ice

Esquema tipico
de uniones

Caracteristica
electrica

= 01B+ ((1 + 1) 'co


=IC+ IB
Vg = VCB+ VBE
a= a 'CAVE 0 = 'C/ 'B
In
Comportamiento
matematiCo

Caracteristica funcional
En este dispositivo la luz incidente actita como la corriente de base, y se puede
decir que se tiene una corriente de colector constante para una intensidad de
luz incidente constante (H).
Aplicaciones tipicas
Detectores de intensidad luminosa, contadores, detectores de proximidad,
detectores de nivel, alarm as, ignicion transistorizada.
488

PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

Valores mdximos
I;?
100 V.
1c, =400 mA.
PD =

Voltaje de ruptura
Corriente de colector
Potencia de disipaciOn

H.16. Optoacoplador

A I-

0--f---i

I u

tic
a
4.=10

1
1

IN I

IF =6

donde:
TR es constante de
proporcionalidad

IF=2
VCE

li

Caracteristica
electrica

Esquerna tipicO
de uniones

Simbolo

= TR X IF

Comportamiento
maternatico

Caracteristica funeional
Este dispositivo involucra internamente un diodo LED y un fototransistor, y
sirve para acoplar dos sistemas independientes ya que se transfiere la informa-

don desde el LED hasta el fototransi-Stor.

Aplicaciones tipicas
Circuitos de disparo; conmutacion; interfases digitales, y con las lineas telefoni-

cas; control digital.

Valores mciximos
VA = 20KV.

Voltaje de aislamiento

PD =

Potencia de disipacion

500 mW.

Voltaje colector-emisor

Vex = 60 V.

Corriente directa del LED

IF

Corriente en el colector

/c = 500 mA.

H.17. Transistores

de efecto de campo de

union

D (drcoale) (;

3. 11
dgik
liglir
111E
D

ID ... IDSS k 1

VGg =0
VGs = 2

VGS = VPG
VDS

- S (filen tc)

Sim bolo

t1

ilD
IDSS

(compuerta 1

= 200 mA.

Esquema tipico

Caracteristica

de uniones

electrica

VGS ln
---i, -..1

r pp

donde n es
norrnalrnente 2
Comportamiento
matematico

489

PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

Caracteristica funcional
Se tiene un canal semiconductor el cual modula su seccion transversal conductora mediante la aplicacion de un campo electrico al polarizar inversa la union
entre la compuerta y el canal, obteniendose de esta forma una resistencia variable entre drenaje y fuente.
Aplicaciones tipicas
Preamplificadores de audio; amplificadores de alta impedancia de entrada; instrumentacion, medidores de PH; reguladores de corriente.
Valores maximos
/Ds = 1 A.
irDs = 200 V.
PD = 25W.

Corriente
Voltaje de ruptura
Potencia promedio

11.18. Transistores de efecto de campo de acrecentamiento (MOS)


S14:rispr
subestrato
4
s
Sfmbolo

Ts'ubestrato
Esquema tipico
de uniones

iDss

Vas

=0

VOs = 1
Vc1.8 = Vu

Caracteristica VDs
electrica

_ E t, ,Gs
v
Ti 1
- u.,2

IDS -i-

donde Vu es el
voltaje de umbra!
Comportamiento
matematico

Caracteristica funcional
Se tiene un canal de conduccion el cual se incrementa o decrementa por efecto
capacitivo al aplicar un voltaje entre la compuerta y el subestrato (normalmente
el subestrato se cortocircuita con la fuente); este dispositivo presenta muy alta
impedancia y es muy sensible a danarse debido a la estatica al manipularlos, por
to que debe tenerse precaucion.
Aplicaciones tipicas
Circuitos logicos; amplificadores y preamplificadores de audio; instrumentacion ; amplificadores de potencia.
Valores mciximos
Corriente entre drenaje-fuente
Voltaje entre drenaje-fuente
Potencia de disipacion
490

/Ds = 10 A.
VDs = 800 V.
PD = 100W.

PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

H.19. Transistor monounion (UJT)


{ 982

,132
o

E-73

oBi

Yp

I
Vp=qVBB+ V8
i
I
RB
n= -5, --L ; Rim =RBI + RB2
B1
1111.7- .. 1E 1,B8

'ply

Esquema tipico Caracteristica Comportamiento


Simbolo
de uniones electrica
matematico

Caracteristica fun cional


La corriente de emisor es pequefia; hasta que el voltaje de emisor a base alcanza
al voltaje pico entonces la corriente crece sUbitamente, presentando el dispositivo una caracterfstica de impedancia negativa que es muy titil en osciladores de
relajacion.
Aplicaciones tipicas
IntervalOmetros; timers; osciladores de relajacion; detectores de nivel de voltaje;
dispositivo de disparo para SCR's y TRIAC's.
Valores maximos
Utiles hasta frecuencias de 1 MHz.
Voltaje entre bases
Potencia de disipacion

VBB = 60 V.
P = 0.5 W.

H.20. Transistor monouniOn complementario


al

Vo
ir i.___,..,..

li

RI
Wl


EMI
Ma

RI

re WO
R2
o B2

i 132

V+ VD
Vp =nB8
R1

n = RI + R2

Esquema tipico Caracteristica Comportamiento


Simbolo
matemitico
de uniones electrica

Caracterestica funcional
Este dispositivo es complementario del transistor monounion; sus aplicaciones
y valores maximos son los mismos que los de su complementario.
491

PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

H.21 Diodo controlado de silicio (SCR)

.A
P
IMMO

Simbolo

Esquenla tipico

El
li

iii .7

(-------"--

p--7
5. J:tx

donde

Vs es el voltaje de disparo

.G

IG
IGT

para una /0 dada.

de uniones

Caracteristica
electrica

Comportamiento
matematico

Caractertstica funcional
Cuando el voltaje de anodo-catodo es positivo, el diodo controlado de silicio
puede ser disparado al introducir una corriente en la compuerta, permaneciendo en conduccion hasta que la corriente de anodo se hace muy pequena o es
reducida a cero.
A p licacio nes t !picas
Convertidores (AC-DC)/(DC-AC); control de potencia: control de fase; invertidores; fuentes de poder; limitadores de potencia.
Valores mciximos
Corriente anodo-catodo
Voltaje anodo-catodo

/AK = 1700 A.
VAK VG = 0) = 2500 V.

11.22. TRIAC
T

8' Trz

iG

Vs
tjal

Simbolo

i.ail

T2

Esquema tipico
de uniones

11
Caracteristica
electrica

donde
Vs es el voltaje de disparo
para una IC dada.

Comportarniento
matematico

Caracteristica Ancional
Funciona de forma similar al diodo controlado de silicio, pero este dispositivo
es simetrico y puede conducir en ambos sentidos y ser disparado tanto con voltajes positivos como con voltajes negativos en la compuerta.
492

PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

Aplicaciones tipicas
Invertidores; cicloconvertidores; controles de fase; controles de velocidad; reguladores de CA; controles de potencia.
Valores mximos
Corriente nodo-ctodo
Voitaje nodo-ctodo

'AK (rms) = 40 A.
VAK (AG =0) = 800 V.

H.23. DIAC (trigger)


TI

TI
47T 2
Sfmbolo

L1

VR

N/A

T2

Caracteristica
elctrica

Esquenia tIpico
de uniones

Comportamiento
matemtico

Caracteristica funcional
Cuando el voltaje entre terminales en cualquier sentido alcanza el voltaje de disparo (airededor de 35V) la corriente aumenta bruscamente y el voltaje decae
hasta 10-12 V.
Aplicaciones t(picas
Control do disparo para SCR's, TRIAC's; reemplazo de relevadores; control por
fase; detectores de nivel; circuitos de proteccin.
Valoresmdximos
Voltaje entre terminales
Corriente

Vterminaies

40 V.

12A.

H.24. Interruptor de siicio unilateral (SUS)


G

{14

GRB
oK

N
NJ

N/A

IK

SImbolo

Esquerna tIpico
de uniones

CaracterIstica
clctrica

Comportamiento
matemtico
493

PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

Caracterz'stica funcional
Este dispositivo es similar al SCS, pero se ha agregado una union Zener en la
compuerta del anodo, por lo que el voltaje de disparo esta fijo; sin embargo,
tambien puede dispararse con un voltaje negativo en la compuerta.
Aplicaciones tz'picas
Circuitos de conmutacion; detectores de nivel; contadores; disparo de SCR's;
osciladores.
Valores mciximos
Potencia de disipacion
Corriente entre anodo-catodo
Voltaje de disparo

PD = 0.5 W.
'AK = 0.5 A.
Vsz = 10 V.

11.25. Interruptor de silicio bilateral (SBS)

A
g IDA
1117
.K

LIMIER R

El
RD LI
UI
6s1

Simbolo

Esquema tipico
de uniones

/
VSZ

L_

VAK

N/A

VS

Caracteristica
electrica

Comportamiento
matematico

Caracteristica funcional
Este dispositivo es una version simetrica del SUS, ya que rompe en ambos sentidos, de acuerdo a las rupturas Zener de los diodos interconstruidos; se garantiza
buena estabilidad.
Aplicaciones tipicas
Circuitos de disparo para SCR y TRIAC's; controles de fase; controles excitadores de display.
Valores mciximos
Potencia de disipaciOn
Corriente entre anodo-catodo
Voltaje de disparo
494

PD = 0.5 W.
'AK = 0.5 A.
I 1/81= 10 V.

PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

H.26. Transistor monouniton programable (PUT)

A_.

.A
M.MMI .
Elmo

Simbolo

.TA

MO=
WAN

A
1
.......4::IE
( VAK

RI c R2 G

- Vcdr)

R1 +R2

>0.6

G
punto pico

Esquema tipico
de uniones

se programa el comportamientode
acuerdo con los valores de R1 y R2

Caracteristica
electrica

Comportamiento
matematico

Caracteristica funcional
Mediante la relacion de las resistencias RI y R2 se programan los valores de /p.
Vp,1v y el dispositivo tiene basicamente el comportamiento de un tipico transistor monounion.
Aplicaciones tz'picas
Las mismas del transistor monounion.
Valores mciximos
Voltaje entre anodo-catodo
Potencia de disipacion
Corriente entre anodo-catodo

VA K = 60 V.
PD = 0.5 W.
'
AK = 0.25 A.

H.27. Interruptor controlado de silicio (SCS)


oA
.......G1
G2
6K

Simbolo

.A

4
,

MIMI GI
mi
MMII
G2 IMAM
G2
K

Esquema tipico
de uniones

Vs = Vso (1
, -)
AGT
----
VAK
donde Vs es el
voltaje de disparo
para una /6 dada.

Caracterist ica
electrica

Comport amiento
matemitico

Caracteristica funcional
Cuando el voltaje de anodo-catodo es positivo el interruptor SCS puede ser disparado al introducir una corriente en la compuerta de catodo o bien at sacar
una corriente en la compuerta de anodo, permaneciendo en conduccion hasta
que la corriente de anodo se haga cero.
495

H PRINCIPALES DISPOSITNOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

Aplicaciones t (picas
Las mismas que los SCR's y ademas coma contadores, excitadores de displav.
y marquesinas.
Valores mciximos
Voltaje entre anodo-catodo
Corriente entre anodo-catodo

VAK = 200 V.
'AK = 500 in A.

H.28. Diodo controlado de silicio (activado por luz)


Ha

Vs
Vso ( 1
)
/A
H ,
1GT
MANI

a\4
MEM ---- vAir donde:
H es la intensidad luminica
Vs es el voltaje de disparo
K tr .G
para una Hot dada.
Comportamiento
Esquema tipico
Caracteristica
Simbolo
de uniones
electrica
matemdtico

Caracteristica funcional
Funciona de forma similar al diodo controlado de silicio (SCR) pero tambien
puede ser disparado mediante un haz de luz intenso que incida sabre el dispositivo.

Aplicaciones tip icas


Fundamcntalmente las mismas que Las del SCR, pero en menor potencia y puede
aplicarse cuando se requiere que el dispositivo este galvanicamente aislado.
Valores mdximos
Corriente entre anodo-catodo
Voltaje entre anodo-catodo

'AK = 3.0 A.
VAK = 400 V (para I = 0, 1J = 0 I

H.29. Fotocelda
radiacion (H)

(I)A
Simbolo

496

11/

11
fotoconductor

IIM=1
subestrato aislante

Esquema tipico
de uniones

114 I/3
1/2
V

Caracteristica
electrica

R =AH-Ci
donde:
A y a son constantes
es la radiacton.

Comportamiento
maternitico

PRINCIPALS DISPOSITIVOS SEM ICONDUCTORIS DISCRElos

Caracteristica functonal
Est c es un dispositivo cuya caracteristica fundamental es que rnodifica su resistencia electrica, con la intensidad de luz que incide sobre el; al incidir mas luz
la resistencia baja.
Aplicacione. tepicas
Detectores de proximidad; alarmas; contadores; sistemas de -protecciOn industrial; controles fotoelectricos: a ..zura de puertas.
Valores mximos
Potencia de disipacion

PD = 21V.

497

CALCULO DE DISIPADORIS EN FUNCION DEL AREA DE LAS PLACAS DE ALUMINIO

Apendice I
CALCULO DE DISIPADORES EN FUNCION DEL AREA DE LAS PLACAS
DE ALUMINIO
En la grafica se presenta la resistencia termica del disipador al ambiente (Rthd.a),
en funcion del area de placas verticales de aluminio de 1 mm y de 3 mm de
espesor.
Una vez que se ha calculado el valor apropiado de resistencia termica del
disipador al ambiente, se puede cscoger el area necesaria de disipador, eligiendo
el espesor de la placa que se desea usar.

Rthd-a

Grafica de Rthd.a contra area (cm2 ) para placas paralelas de alum inio colocadasverticalrnente.

498

TEOREMAS DE CIRCUITOS

Apendice J
TEOREMAS DE CIRCUITOS
Los metodos de mallas y nodos que se estudian en teoria de los circuitos electricos establecen procedimientos generales de analisis que son aplicables a cualquier red electrica; sin embargo, dada su misma generalidad, el analisis de un
circuito por este camino no siempre da toda la luz que se desea sobre el funcionamiento del mismo, ni es el camino mas sencillo. Existen algunos teoremas
aplicables al analisis de circuitos electricos con elemcntos R, L, C y fuentes de
voltaje o de corriente independientes, los cuales revisaremos en este apendice
considerando ademas que dentro de la red electrica bajo analisis existen fuentes
dep end ient es.
Principio de superposicion
El principio de superposicion en una red electrica con fuentes independientes
establece lo siguiente:
el voltaje en un elemento de un circuito que contenga varias fuentes es igual
a la suma de voltajes que produce cada una de las fuentes en forma independiente sobre el elemento, considerando en cada caso nubo el efecto de las
demas fuentes;
la corriente que circula en un elemento de un circuito que contiene varias
fuentes es igual a la suma de las corrientes que produce cada una de las fuentes en forma independiente sobre el elemento, considerando en cada caso
nubo el efecto de las demas fuentes.
Debido a la generalidad de este principio, resulta aplicable tanto en el caso
de tener fuentes dependientes como en el caso de fuentes independientes.
499

J ITOREMAS DL CIRCUITOS
J.2. Teorema de sustitucion
Suponga una red electrica cualquiera N, que presenta una corriente i (t) en sus
terminales A y B, y que tiene conectada en dichas terminalcs una fuente de
voltaje dependiente de corriente ai (t), donde a puede ser cualquier valor real
o complejo y la corriente fluye en el sentido de la caida de potcncial. Sc dice
que "La fuente dependiente ai (t) puede ser sustituida por una impedancia de
valor a sin que se alteren las corrientes y voltajes dentro de la red" (Fig. J. l -a).

Figura .1.1: (a) fuente de voltaje dependiente de corriente, en la cual puede aplicarse eI teorema de sustitucion; (b) fuente de corriente dependiente de voltaje en la cual puede apliearse el
teorema de sustitueion.

Si se tiene el dual, es decir, una red N que presenta entre sus terminates un
voltaje (t) arbitrario, y una fuente de corriente dependiente de voltaje gv (t), si
la corriente fluye en el sentido de la caida de potencial (de + a ), se dice que:
"La fuente dependiente gv (t) se puede sustituit por una conductancia de valor
a mhos, sin que se alteren las corrientes y voltajes dentro de la red".
J.3. Teorenaa de reduccion para fuentes dependientes
El teorema de reduccitin para fuentes dependientes es en si una extension del
teorema de sustitucion y es aplicable a fuentes dependientes que se encuentren
colocadas en medio de dos redes electricas cualesquiera. En la Fig. J.2 se ilustra
este concepto.
500

TEOREMAS DE CIRCUTTOS

ii

I.1 4-a)
I

A
N,

A.

ii
1 4 ac
N2

Figura J.2. IlustraciOn de la aplicaciOn del teorema de reducciOn de fuentes dependientes.


(a) Fuente de voltaje de.pencliente de voltaje; (b) fuente de corriente dependiente de corriente.
Si:
- - N1 es cualquier red lineal electrica que presenta en sus terminales A y B un
voltaje v (0;
N2 es cualquier red electrica lineal; y
se tiene una fuente de voltaje dependiente de voltaje av (t) entre sus terminales B y D (ver Fig. J.2):
entonces el teorema de reducciOn establece que: "Todos los voltajes y corrientes en N1 y N2 permanecen inalterables, si la fuente de voltaje avi (t) se reemplaza por un cortocircuito; y ademas:
I. cada resistencia, inductancia, elastancia (S = 1/C) y fuente de voltaje en
N1 es multiplicada por (1 + a); y
2. cada resistencia, inductancia, elastancia y fuente de voltaje en N2 es dividida por (1 + a)".
lntuitivamente se puede ver que si en la red elactrica N1 cada resistencia,
inductancia y elastancia se multiplica por (1 + a) y las fuentes de voltaje tambien por (I +a), las corrientes permanecen inalterables; lo mismo es valid. para
el caso de N2
Si:

N1 es cualquier red electrica lineal en que se tiene interconectada a la sada


entre sus terminales A y B una fuente de corriente i (t); y
N2 es cualquier red electrica lineal,
entonces el teorema de reduccion estabIece que: "Todos los voltajes y las corrientes en NI y N2 permanecen inalterables si la fuente de corriente ai1 (t) se
sustituye por un circuit abierto, y ad emas:
-

501

TEOREMAS DE CIRCUITOS

1. todas las conductancias, capacitancias, inverso de la inductancia y fuentes


de corriente en N1 se multiplican por (1 + a); y
2. todas las conductancias, capacitancias, inverso de la inductancia y fuentes
de corriente en N2 se dividen por (1 + a)".
En la aplicacian de este teorema se debe cuidar que:
a) el voltaje terminal v1 (t) o la corriente i1 (t) de la red identificada como
N, debe ser la variable que controle la fuente dependrente a reducir; y
b) ninguna corriente debe entrar o salir de N1 y N2 por alguna terminal, excepto A. B, C o D (ver Fig. 3.2).
3.4. Teorema de Thevenin
Cuando se usan fuentes dependientes el teorema de Thevenin se puede resumir
como sigue: "Una red N que contenga fuentes dependientes e independientes se
puede llevar a un equivalente de Thevenin, fuente de voltaje en serie con una
resistencia, si:
1. se anulan todas las fuentes independientes (solo las independientes, las dependientes no) y se obtiene la impedancia entre las terminales A y B desconectando R, impedancia que constituye la impedancia de Thevenin (RTH ); y
2. desconectando R, se encuentra el voltaje
que aparece entre A y B, voltaje que constituye el voltaje de Thevenin.
Rfh

1V

1LIR

I i h

Figura 3.3. IlustraciOn del equivalente de Thevenin.


3.5. Teorema de Norton
El teorema de Norton se ilustra en la Fig. J.4 y se puede tratar su aplicaciOn
hacienda una similitud con el teorema de Thevenin.
"Una red N que contenga fuentes dependientes e independientes se puede
llevar a un equivalente de Norton, fuente de corriente en paralelo con una resistencia, Si:
1. se anulan todas las fuentes (solo las independientes) y se obtiene la impedancia entre las terminales A y B desconectando R, impedancia que constituye la impedancia de Norton RN; y
502

TEOREMAS DE CIRCUITOS J

2. cortocircuitando R se encuentra la corriente que circula entre las tenninales


A y B; corriente que constituye la corriente de Norton IN" .

st

Figura J.4. IlustraciOn del teorema de Norton.

J.6. Teorema de bisecciOn


A muchos circuitos que emplean dispositivos electronicos se les da deliberadamente una forma simetrica, pues esto da ciertas caracteristicas de operacion en
modo diferencial y en modo comUn que permite algunas aplicaciones muy interesantes.
En la Fig. J.5 se ilustra este teorema, el cual se aplica en dos formas distintas a modo comian y a modo diferencial.
Ia
I

1 i ,

Vi (12

. '
12..1

. 71

__

i3 I

I
l a,

(a)
Figura J.5. Ilustracion del teorema de bisecci(m. (a) PresentaciOn de dos redes iguales simetricas:(b) modo coman:(c) modo diferencial.

Para la aplicacion de este teorema se requiere que:


a) las redes N (Fig. J.5-a) sean simetricas, es decir, que si se tiene un giro de
180 , tomando como eje de rotacion el eje de simetria aa', la configuracion
electrica permanezca inalterable; y
b) dentro de las redes N no existan fuentes independientes (solo fuentes dependientes).
503

J TE3REMADE CIRCUITOS

El teorema de biseccin ch1ece que:


"1. en mode corndn (J' = P1 = V0 ) las eorrientes y los voltajes en cualquiera de
las dos redes N no se alteran silas inlerconexiones entre las dos redes Sc
cortan es decir, sc separan las dos redes y se analizan por separado); y
2. en modo diferencial (KI= --- 1'1' =) las corrientes y voltajes en cualquiera
de las dos redes N no se alteran silas intcrconexiones entre las redes N se
cortan y se intercambian entre Si".
La simplilicacin que Sc obtienc on los circuitos electrnicos con ci uso de
los teoremas cquivalc a tin rearreglo de las ecuaciones que lo caracterizan; sin
embargo, ci trabajar con estos permite al ingenicro obtener mayor claridad on la
operacin del circuito bajo anlisis.
Para obtener un mayor entendimiento de estos teoremas los aplicaremos en
la simplificacn de los siguientes ejemplos.
Ejemplo J.1. Obicnga ci circuito dindmico ms simple del amplificador cascode
con tubos triodos que se presenta en la Fig. E.J. 1. 1, y la ganancia del mismo.

(a)

(b)

Figura E.J.1.1; (a) circuito amplificador con triodos (caseode); (b) equivalente diimieo
do (a).

Solucin:
Si

V J'+R31,
-

entonces Sc puede sustituir la fuente Pi J' por dos fiientes en serie, una de
valor p. J' y otra de valory, R3 i, lo cual se ilustra en la Fig. E.J.1 .2-a.
504

TEOREMAS DE CIRCUITOS J

1 R3

,vin

(a)

_ _

',

R3
-

Aplicando el teorema de sustitucion se obtiene:


r

Yi

112

rpi
AiR3

4111 -

- 1+

-ti VI

(b)

Ri

lig2

B3

-I

Aplicando el teorema de reduccion se obtiene:


m1(1+142)171

(c)

Figura E.J.1.2.
cascade.

(1+ Ai l) (1+#2)R3

Reduccion mediante tcoremas de sustituciOn y reduccion del amplificador

Luego, la ganancia del circuito sera:


V
A =s- =
ki+

ill (1 + 112) [R21(1+ ii2)]

(1+ m2)R3 + rei (1+

+ rp2 1(1+ tt2 ) + R2 /0 +

Ejemplo 3.2. Para el caso del circuito que se muestra en la Fig. E.J.2.1, mediante el uso de los teoremas obtenga el equivalente de Thevenin y el equivalente de
Norton.
505

TEOREMAS DE CIRCUITOS

+?VDD

V1

I
R1

R3

Figura E.J.2.1. Amplificador con FET.

Solucin:

(a)

R2//(R + R3 +gRR3)

gmIRVR8/(R2 + R3 + R)

(b)

gm R;VQ/(R2 + R3+ R

(c)
Figura E.J.2.2. Ilustracin de la aplicacin de los teoremas de Norton y Thevenin para el anlisis de un amplificador con FET. (a) Equivalente lineal; (b) equivalente Thevenin; (c) equivalente Norton.
506

TEOREMAS DE CIRCUlTOS J

Ejemolo J.3. Aplique el teorema de bisecciOn para encontrar la ganancia del


circuito de un amplificador diferencial con transistores FET.

Soluc

eje de simetria

"--

7'

RD

Rm/2 Rm /2

gnAS

RD

v gn1 VGS2

R 1
2R2 11111 2R 2

(a)

V;

DSI

Ri

(b)

(d)

(c)
-

Figura E.J.3.1. Reduccion de un amplificador diferencial con FET, usando teoremas. (a) Amplificador diferencial; (b) equivalente simetrico dinamico; (c) equivalente en modo coman:
(d) equivalente en modo diferencial.
Luego, la ganancia en modo comUn sera:

gmRDs VDs

P\ AJ<TM

Figura E.J.3.2.
507

TEOREMAS DE C1RCUITOS

Sustitucion:
gmRDSVC

Figura E.J.3.3

De donde, la ganancia en modo corman sera:


Ac =

gm RDS RD

RDS + RD + 2R2 (1+ gm RDs)

La ganancia a modo diferencial se obtiene de la Fig. E.J.3.1-d, quedando:

RDs

gnr

Figura EJ.3.4.

Ad = grrt RDS I I 0.5

508

Rrn

// RD

Rm / 2

An

DISIPADORES

Apendice K
DISIPADORES
La generacion de calor por efecto Joule en cualquier dispositivo no puede
pasarse por alto al momento de disetiar un circuito electronic y el ingeniero
disefiador debera ser capaz de seleccionar tanto los dispositivos electronicos
como los disipadores mas adecuados para la aplicaciOn que pretenda. Un disefio
termico inadecuado reduce la vida atil de los dispositivos e inclusive puede
Ilevar a todo un sistema a fallas continuas o intermitentes.
Un disipador es un dispositivo, generalmente mecanico, que permite que las
calorias generadas en los dispositivos fluyan hacia el ambiente con facilidad.
La transferencia de calor generado en un dispositivo electronic generalmente se divide en tres partes:
a) la transferencia de calor de la union en que se genera hacia el encapsulado
del dispositivo;
b) la transferencia de calor del encapsulado hacia el disipador; y
c) la transferencia de calor del disipador hacia el ambiente.
En el caso (a) los fabricantes de dispositivos electronicos deberan poner
cuidado en vigilar que dicha transferencia sea lo mayor posible.
Para transferir el calor de un dispositivo existen diversos metodos:
1. radiacion y conveccion natural;
2. ventilacion forzada;
3. circulacion de liquidos; y
4. evaporacion.
En la Fig. K.1 se muestra la cantidad de W/cin` que se obtienen de transferencia por estos cuatro metodos.
509

DISIPADORES

ventilaeicin forzada
circulacion
de liguidos

evaporacion
(W/cm2 )
0.02

0.2

20

200

Figura K.1. Calor transferido en W/cm 2 por los cuatro metodos de transferencia de calor mas
empleados en circuitos electronicos.
K.1. Enfriamiento por radiacien y convecciOn natural
En este metodo la cantidad de calor transferida del disipador al ambiente es la
suma de los calores transferidos por radiacion mas conveccion, es decir:
En general:

donde:

QT = QR + QC

(K.1)

QR = hR AnAT ,

(K.2)

Qc = heilnA T + S ;

(K.3)

hE es el coeficiente de transferencia por radiacion W I(cm2 C)


hc es el coeficiente de transferencia por conreccion W/(cm 22 C);
es el area del disipador (cm2 ):
A
n
es el factor de eficiencia;
AT es la diferencia de temperatura entre el disipador y el ambiente ( C); y
S
es el factor de altitud.

Experimentalmente se encuentra que:


hR = 2.278 X 10-11 e (1 F) (

Td

TA

+ 273)3 W/(cm2 - C) ,

expresion que es valida entre 50 C y +300 C;


510

(K.4)

DISIPADORES

es el coeficiente de emisividad;
es el factor de forma; F= 1 si es una placa individual;
es la temperatura del disipador; y
es la temperatura del ambiente.
To (C)
temperature promedio

donde:

F
Td
TA
emisividad = 0.9

hr

alata

Tsuperficie+ Tambiente

-3 wicni2)
(X 10

2
180
-160
-140

Na0.8
-0 -g
.0.4
0

-12o
.

a -60

-0.2

'4).008
1
.6 .8 1
/
cD

100

100
6 8 10

20

-40
-20
0

dimension mis pequetia o diametro de la aleta


distancia entre aletas

Figura K.2. Nomograma para el calculo del coeficiente de transferencia de radiacion h R ,


ecuacion (K.4).
La tabla K.1 muestra distintos factores de emisividad en funcion del material de que se trate.
labia K.1.
Material superficial
Aluminio pulido
Alurninio anodizado
Pintura de aluminio
Cobre pulido
Cobre oxidado
Acero rolado
Laca (cualquier color)
Pintura de aceite (cualquier color)
Barniz
Acero inoxidable

e
0.05
0.7 - 0.9
0.27 - 0.67
0.07
0.70
0.66
0.85 - 0.91
0.95
0.85 - 0.93
0.17

511

K DISIPADORES
Experimentalmente tambin se encuentra que:
h = 2.715 X 10

(T)O.2$ W/

(CM 2 - C),

(KS)

donde:
AT es la diferencia de temperatura entre la superficie del disipador y el ambiente; y
L
es la longitud del disipador en sentido vertical en centIrnetros
(cm).
En la Fig. K.3 se muestra la expresin (K.5) en forma de nomograrna para
el clculo de h.
W/(cm2-C)

OC

cm
-2

140120-

ioo
60402-

.001-

-6
-8
.10

0006.0004-

10.
TD - TA

.20

coeficiente de conveccin longitud vertical de la aleta

Figura K.3. Nomograma para el clculo de h.


La cantidad de calor que se transfiere por convecciOn natural se ye afectada
por la altitud sobre el nivel del mar a que se encuentra el disipador y se tiene
que el factor S de altitud est dado por la grfica de la Fig. K.4.
__

0.

T4flt

OJ
0.1
41

0.

Figura K.4. Factor S de altitud.


512

altitud (Km)

DISIPADORES

K.2. Enfriamiento por ventilacin forzada


El coeficiente de transferencia de calor por ventilaciOn forzada es:
hF=3.87(_ V
L_)

1/2

(W/cm2-C),

(K.6)

donde:
V
L

es el flujo laminar de aire en rn/mm; y


es la longitud del disipador paralela al sentido del flujo.

Se pide que el espacio mInimo entre aletas de un disipador sea:


6mmn

= 11

(4_)h/2

(K.7)

En la Fig. K.5 se muestra el nomograrna para la obtencin del coeficiente


de transferencia de calor por ventilacin forzada.
V

L
longitud de las aletas
(paralela al flujo de aire)

velocidad
del aire
(rn/mm)

hF

coeficiente de
conveccin forzada
W/(cm2-C)

100

io-1

.1 _-.

100.1 __
_ -.

WOW

60-1

.001

41

401

io'I

.000

vlido al nivel del mar

Figura K.5. Nomograma para la obtencin del coeficiente de transferencia por ventilaciOn
forzada.

513

DISIPADORES

Ejemplo K.1. Se quiere obtener la potencia que puede transferir un disipador


de aluminio anodizado con un factor de emisividad de 0.75 y diniensiones de
7.62 cm X 7.62 cm, si el disipador est a 100C y la temperatura ambiente es
de 40C:
a) utilizando separacin de 2.54 cm entre placas, y radiacin y convecciOn
(a 2000 msnm);
b) utilizando una sola placa y radiacin y convecciOn (a 2000 msnm);
c) utilizando separaciOn de 2.54 cm entre placas, y una velocidad del flujo
laminar de V= 100 rn/mm;
d) ,cul es la resistencia trmica que se presenta entre el disipador y el ambiente en los casos anteriores?
Solucin:
a) Para este caso utilizamos en primer lugar el nomograma de la Fig. K.2,
siguiendo la secuencia (1) a (7), obtenindose:
Td TA

= 60 C=30C;

luego:
= 3.875 X 10 W/(cm2 - C).
Debido a que la emisividad para la cual est calculado el nomograma es de
0.9 y la emisividad del disipador que se est empleando es 0.75, se tiene un
coeficiente de transferencia por radiaciOn de:
QR =hjAiT,

(7.62)2 (2 lados) X 0.9 X 601 W/placa,


QR = [ 3.23 X 10 X
QR = 2.03 W/placa.

Utilizando el nomograma de la Fig. K.3 se puede encontrar el valor de h,


considerando IT = 60C y L = 7.62 cm:
= 7.20 X 10 4 W/(cm2 - C),
Qc = hc AflLTS,
= [7.20 x iO X (7.62)2 (2 lados) X 60 X 0.9 X 5] W,
= (4.52 X S) W;
514

DISIPADORES

Luego:
Qc =3.98W,
por lo que en este caso:
QT = QR + Qc =6 W/placa.

b) Si se utiliza una sola placa, se debe utiizar el punto marcado como placa
simple en el nomograma de la Fig. K.2, obtenindose:
hR

= 8.37 X 10 W/(cm2 -C),

de donde:
h=

8.87

X0.75W/(cm2 -C),

h =6.975 X 10

W/(cm2 -C),

de donde:
QR =hAtT,

(7.62)2 X (2 lados) X 0.9


QR = [ 6.975 X 10 X

x 601 W,

QR =4.37W.

Luego, en el caso de una sola placa se podr transferir:


QT= 8.35W = (4.37 + 3.98) W.

c) Para calcular la cantidad de calor que se puede transferir por ventilacin


forzada, se utiiza el nomograma de la Fig. K.5, obtenindose:
si:

L = 7.62 cm,

V= 100 rn/mm, y

hF = 1.736 X 10 3 W/(cm2 -C),

entonces:
QF =hFAnLT,
QF = [ 1.736 X iO X (7.62)2 X (2 lados) X 0.9 X 60] W,
QF = 10.89W.

515

DISIPADORES

d) La resistencia trmica de un material est dada por la diferencia de temperatura entre los puntos que se quiere conducir el calor, dividido entre la p0tencia que se transfiere.
- Para el caso (a) se tiene que la resistencia trmica del disipador al ambiente es:
100 - 40
Rthd.O =
nX6
Rthda

(J) C/W,
n

donde:
n

es el nUmero de placas de que se componga el disipador, separadas entre ellas 2.54 cm.

- Para el caso (b) tenemos:


Rthd=(

Rthd0

100 - 40
) C/W,
8.35

= 7.19 C/W.

- Para el caso (c) tenemos:


Rthd.0

=\

100 - 413
)
10.89 ociw

R thd-a = 5.51 CIW


K.3. Materiales empleados para fabricar disipadores
En los puntos anteriores se trabaj sobre el entendidoque todo el material del
disipador est a temperatura constante; sin embargo, la transferencia de calor
en el material que constituye el disipador es por conduccin de calor, por lo
que la suposiciOn anterior ser cierta entre mejor conductor de calor sea el materia'l de que se trate (en la tabla K.2 mostramos las distintas conductividades
trmicas segn el material de que se trate).
Por esto se procura que los disipadores sean de cobre o aluminio, pues constituyen buenos disipadores, y de preferencia oxidados y pintados con pintura
de aceite.
516

DIS1PADORES

Tabla K.2. Conductividad t6rmica en W/(cm29C) para distintos materiales


Material
Aluminio
Berllio
Cobre al berilio
Laton (70% cobre, 30% zinc)
Cobre
Oro
Niguel
Plata
Acero inoxidable 321
Acero inoxidable 410
Acero al carbon
Estelo
Zinc
Silicon puro
Silicon con impurezas para
una resistividad de 0.0025 a-cm
Aire
Alumina (99.95%)
Bertha (99.5%)
Epoxy
Epoxy conductora de calor
Epoxy con carga de oxidos mettilicos
Mica
Mylar
Grasa de silicones
Teflon

Conductividad termica a 100C (W/cm2 -C)


2.17
1.77
1.03
1.22
3.94
2.90
0.905
4.16
0.146
0.24
0.67
0.63
1.02
1.46
0.98
0.00028
0.285
1.98
0.002
0.08
0.004
0.007
0.002
0.002
0.002

517

BIBLIOGRAFIA DE LOS APENDICES

BIBLIOGRAFIA DE LOS APENDICES

ANGELO, JR., E. J. Electronic Circuits. McGraw-Hill (1964)

GENERAL ELECTRIC. SCR Manual. Fourth edition (1967).

SANCHEZ TEJADA, JOSE N. D. Soluci6n a problemas termicos en el


diserio de circuitos electranicos. Tesis profesional ICE-ESIME (1977).

.518

INDICE TEMATICO
A
Alarma, circuito con led 283
Amplificador
con fets en serie 79
de fuente comitn, autopolarizado 82
de muy alta impedancia de entrada 88
de voltaje, analisis lineal del circuito 374
con pentodo, circuito 392
Analogia con dos transistores de un
dispositivo de cuatro capas 163
Angulo
de conduccion de un SCR 196, 205
de no conducciOn de un SCR 196, 205
Anodo 164
Apagado de un SCR, circuito de 234

Barra semiconductora con uniones P-N 17


Barrera de potencial 304
Base uno y dos de un UJT 119

Canal de conduccion 17, 47


Capacidad de la compuerta de un FET 36, 51
Caracteristicas de disparo de un SCR 176
Cargador para acumuladores 209
Carga espacio, regiOn limitada por la 355
Carga imagen 289, 298
Catodo 164, 339
Celdas fotoemisivas 399
simbolo 401
circuito equivalente 401
Celdas fotoconductores 241
fotoconductivas 242
comportamiento electric 243
simbolo 246
Compuerta 17, 47, 164
comiin 46
flotante 103

ConducciOn en una placa semiconductora


16
Condicien de bandas planas 49
ConservaciOn de la energia, ley de 343
ConservaciOn de la corriente, ley de 343
Constantes fisicas 457
Contenido 9
Control, rejilla de 355
Control
de potencia 194, 202, 228
de temperatura 218
de secado de pintura 268
Conversion da factores, tabla 480
Corriente
de disparo en la compuerta 173
de saturacion IDss 25
de sustentaciOn 174
de valle 128
Cuadrac 218
Cuadratica, aproximaciOn 34
Cuadripolos 458

Densidad de corriente termoi6nica 302


Detector de serial alterna, circuito 273
DIAC 185
construcciOn y simbolo 185
principio de operaciOn y curvas
caracteristicas 186
caracteristicas y especificaciones 187
Dielectric, campo de perforaciOn 69
Diodo controlado de silicio SCR 169
circuito equivalente 171
caracteristica electrica 171
resistencia de conducciOn 172
resistencia de no conducciOn 172
caracteristicas y limitaciones 172
variaciOn de los parametros 175
caracteristicas de disparo 176
construcciOn interna y simbolo 180
519

INDICE TEMATICO

activado por luz LASCR 260


Diodos emisores de luz LED 253
funcionamiento del dispositivo 253
comportamiento elOctrico 254
respuesta espectral 255
desplazamiento angular 258
simbolo 258
parametros 258
Dispositivos optoelectrOnicos 239
Diodo Schockley 163
Diodo at vacio 341
relaciones de voltaje-corriente 342
ecuaci6n de Langmuir-Child 346
simbolos 351
caracteristicas y I imitaciones 351
circuito equivalente 353
variacion de parametros 355
Disipadores
en funci6n del area de las placas de
aluminio, calculo de 500
materiales empleados en los 518
Dispositivos de cuatro o mas capas
163, 198, 200
Drenaje 17, 47
coman 46

Efecto Edison 285


Efecto fotoelectrico 310
Eficiencia fotoelectrica 313
Electrodos 356
Emision electronica en metale,s 285
&Elision
por choque 286
por radiaciOn 286
por campo electric 286
por emisiOn tdrmica 287
secundaria 287, 306, 378
fotoelktrica 287
por campo 287, 303
termoionica 287, 288
520

Emisor 119
Espectro de radiaciones electromagnetims 240
Espejo de corriente 141

Factor de amplificaciOn 391, 359, 369


Factor de conducciOn 56, 65
FET de union 16
Figura de merit 57
Figura de ruido 42
Filamento 339
Fotoconductividad
intrinseca 241
extrinseca 241
Fotodiodo 247
funcionamiento 247
caracteristicas 247
simbolo 251
parametros 252
circuito equivalente 253
Fotoelectrico, efecto 396
Fotoemision 310
Fotoresistencia 239
Fototransistor 259
Fototubos 396
caracteristicas de fotoemisiOn 396
respuesta espectral 398
celdas fotoemisivas 399
Fotomultiplicadores 402
Frecuencia de un MOS-FET, respuesta 57
Fuente 17, 47
comun 46, 77
de corriente constante 150
Funcion de trabajo 289,296, 300

Generacion de pares electron-hueco 241

Impedancia de entrada JFET 37

INDICE TEMATICO

Impedancia negativa 122


Interruptor controlado por compuerta GTO
192
Interruptores de silicio unilateral y bilateral
189
construccion y simbolos 190
principio de operaciOn y caracteristicas
191
InversiOn 49, 52
Inversor con carga activa 96
Inversor con simetria complementaria
COS/MOS 99

Langmuir-Child, ecuaciOn de 346


LED 253
Lumen 240
Lux 240

Parabolica, aproximaciOn 34
Pendiente negativa 379
Pentodo 384
simbolo, funcionamiento 384
caracteristicas y limitaciones 388
circuit equivalente 389
aplicaciones tipicas 392
Placa 339
Poisson, ecuaciOn de 343
Punto de operaciOn 373
Pozo de potencial 290
Principales dispositivos semiconductores
discretos 482
Prolog 7
Propiedades del Ge, Si, GaAs a T 300K 478
Propiedades de los semiconductores 476

Raze') de subida
del voltaje directo 114
de la corriente directa 114
RazOn intrinseca de apagado 135
Richardson-Dushman, ecuaciOn
grafica
de 295, 347
RecombinaciOn 242, 254
Rectificante metal-semiconductor 119
RegiOn
impedancia negativa 122, 186
triodo JFET 32, 56, 67
activa JFET 32, 56, 67
Regulador luminoso 264
Recta de carga 372
0
Reja 355
de control 355, 376
Oscilador
pantalla 376
de esealera 150
supresora 384
de relajaciOn de diente de sierra 147 Resistencia de placa 369, 390
de relajaciOn simple 137, 197
Respuesta espectral
ModulaciOn cruzada en un amplificador de
banda est recha 101
Metodo W KB para determinar la
transparencia de las barreras de potencial 455
Microscopio de emisiOn por campo 305
Miller
admitancia 78
efecto 346, 429
MOS-FET 46
de vaciainiento 58
de acrecentamiento 59
Movilidad 43

521

IND ICE TEMATICO

de una celda fotoconductora 244


de un fotodiodo de silicio 248
de un LED 255

Schottky, efecto 298


SCR 169
Sim iaislantes 243
Sirena electrOnica 160
Subestrato 47

Teoremas
de circuitos 501
de reduccion de fuentes dependientes 502
de Thevenin 504
de Norton 504
biseccion 505
Terminales 182
Tetrodo al vacio 365, 391
simbolo 377, 380
emision secundaria 378
pendiente negativa 379
caracteristicas y limitaciones 380
circuito equivalente 381
Triodo virtual 386
Triodo al vacio 355
simbolo 356
triodo piano paralelo frio 357
capacidades interelectrodicas 358, 370
triodo termoiOnico 359
ecuacion del triodo termoiOnico 361
curvas de corriente de rejilla 362
regiOn activa 362
corte remoto y cone rapid 363
caracteristicas y limitaciones 364
catodo comun, placa comUn, reja comun
367,370
circuito equivalente 367
522

variaciOn de parametros 371


aplicaciones tipicas 371
potencia de disipaciOn maxima 371
Transconductancia 29, 365, 391
Transistores
bipolares 15
unipolares 15
de efecto de campo de union JFET 15
caracteristicas electricas 28
capacidad de la compuerta 36
voltaje de ruptura 36
impedancia de entrada 37
simbolo 38
modelos 38
modelo dinamico 40
modelo a alias frecuencias 41
caracteristicas generales 41
variaciOn de parametros 43
variacion de la 1scon la temperatura
43
metodos fundamentales de polarizacion
45
circuito de autopolarizacion 46
de efecto de campo metal-oxidosemiconductor MOS-FET 46
estructura fundamental 47
analisis del transistor 48
MOS-FET de vaciamiento 58
simbolos 61
caracteristicas y limitaciones 62
variacion de los parametros 64
circuito equivalente 67
precauciones que se deben tomar en el uso
de los transistores MOS-FET 69
monounion UJT 119
construcci6n del transistor 119
teoria de operacion 121
caracteristicas y limitaciones 134
TRIAC 182
estructura basica 182
cuadrantes de operaciOn 183

INDICE TEMATICO

curvas caracteristicas 184


Voltaje
simbolos 184
de oclusiOn 25, 35
circuito equivalente 185 de ruptura JFET 36
de umbral MOS-FET 53
U
pico 122, 379
valle 122, 128, 379
UJT 119
de emisor base uno 125
de disparo de la cornpuerta 173

de retardo 396
Valvulas al vacio 339

523

Impreso en lOs Talleres Graficos


de la Direccion de Bibliotecas y Publicaciones
del Instituto Politecnico Nacional
Tresguerras 27, 06040 Mexico, D.F.
Diciembre de 1985. Ediciem 3,000 ejemplares

-A1tener en una bombilla incandescente una placa metalica, se encontro


que se podia tener una corriente electranica entre el filament y la placa,
siendo el medio el vacio...-. El descubrimiento fue hecho por Thomas
Alva Edison y da nacimiento a la electranica. Esta se consolida como
una nueva rama de la ingenieria con la contribucian de Lee De Forest en
la invencian del triodo, que incluye una rejilla entre el filament y la placa. Con estos dispositivos se tuvieron sorprendentes avances en comunicaciones, control, entretenimiento y defensa, obteniendo la electrOnica un papel preponderante en los cambios sociales que se gestaban. En
1947, con el advenimiento del transistor, se genera una nueva ciencia
que en la actualidad se conoce como electronica del estado salido, y con
esas bases de teona y comportamiento de los materiales se suscito toda
una avalancha de nuevos dispositivos que han venido a revolucionar las
aplicaciones de la electranica y sus implicaciones sociales.
El conocimiento profundo de los dispositivos electronicos es la
piedra angular para que un estudioso de la electranica puecia aplicar su
imaginacian e inventiva a la realizacion de equipos y sistemas novedosos
que coadyuven al fortalecimiento de la industria electronica nacional.
Por su versatilidad y dinamismo, la industria electranica es la unica
que en la actualidad crece a un ritrno de 16% anual en el mundo, y es altamente resistiva a problemas econamicos y recesivos, lo que hace que
en Mexico y en todos los paises se le considere coma de alta prioridad.
Esta obra de dispositivos electrOnie os se ha nreparado con la
firme conviccian de que solo con el conocimiento detallado y profundo
del comportamiento de los mismos se logra obtener buenos disenos
-capaces de competir en cualquier foro- y, a traves de esta experiencia,
establecer la tradician de realizacion y desarrollo que en esta estrategica
rama se demanda,