Dr.

Roberto Zepeda Puebla

Dispositivos y Circuitos Electrónicos

Transistor de Efecto de Campo (FET, Field-Effect Transistor)

1. JFET – Transistor de Efecto de Campo de Unión (Junction Field-Effect Transistor)

1.1. Construcción

𝐷 (Drain)

𝐺 (Gate)
𝒑 𝒏 𝒑

𝑆 (Source)

Figura 1. JFET canal n.

𝐷 (Drain)

𝐺 (Gate)
𝒏 𝒑 𝒏

𝑆 (Source)

Figura 2. JFET canal p.

Las terminales del FET se llaman Drain, Source, y Gate. Éstas son análogas a las terminales Colector, Emisor, y Base,
respectivamente, del BJT.

El dispositivo de la figura 1 es un JFET canal n, construido con dos cristales para formar el Gate y un cristal para formar
el “canal” entre Drain y Source.

El dispositivo de la figura 2 es un JFET canal p, construido con dos cristales para formar el Gate y un cristal para formar
el “canal” entre Drain y Source.

El nombre que se le asigna a las terminales del FET viene de una analogía de una llave de agua con una coladera. Esto se
ilustra en la figura 3, donde el Source es la tubería de agua, el Gate es la llave que controla el flujo, y el Drain es la coladera.
Del Source salen los portadores (electrones si se trata de un FET canal n, o huecos si se trata de un FET canal p), su flujo se
controla con el voltaje de Gate, y finalmente los portadores van a dar al Drain.

Figura 3. El mecanismo de control de un FET, representado a través de una llave de agua.

El BJT es una fuente de corriente ( ) controlada por corriente ( ).

El FET es una fuente de corriente ( ) controlada por voltaje ( ).

1.2. Funcionamiento (JFET canal n)

a) Sin polarización

En el caso sin polarización, se forman regiones vacías en las uniones p-n:

contactos metálicos canal

𝐺
𝒑 𝒏 𝒑

región vacía

región vacía

Figura 4. El JFET sin polarización.

b) ,

𝐼𝐷

𝐺
𝒑 𝒏 𝒑 𝑉𝐷𝐷

𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷

Figura 5. El JFET bajo la condición , .

En el circuito de la figura 5, se ha conectado una fuente , de modo que .

Podemos observar que ambas uniones están en inversa: ( ) en el canal del lado del Drain, y ( ) en los dos
cristales del Gate. Por lo tanto, se ensanchan las regiones vacías alrededor de las uniones p-n.

Debido a la fuente, fluye la corriente de Drain, , a través del canal.

El flujo de portadores lo limita solamente la resistencia del canal.

Hay un gradiente de voltaje a lo largo del canal, más positivo del lado del Drain; es decir, hay un voltaje de inversa de mayor
magnitud del lado del Drain, y progresivamente de menor magnitud conforme nos acercamos al Source. Por esta razón, el
ancho de las regiones vacías es mayor del lado del Drain, y cada vez menor conforme nos acercamos al Source.

Además, que ambas uniones estén en inversa, significa que .

El ancho de las regiones vacías incrementa al incrementar .

Al continuar incrementado , se llegará a un punto en el que dejará de aumentar de forma significativa; es decir,
alcanzará un nivel de saturación, que llamamos . Este comportamiento lo describe la curva de la figura 6.

La pendiente de la gráfica, antes del voltaje , se debe a la resistencia del canal. (Pendiente ).

La resistencia del canal (y la pendiente) se mantiene constante para valores pequeños de .

Cuando se acerca a , las regiones vacías se ensanchan de forma considerable, reduciendo el ancho del canal cada
vez más. La trayectoria de conducción reducida provoca un aumento en la resistencia. (A mayor resistencia, más horizontal
es la curva).

A partir de , la curva es prácticamente horizontal ( ).

Figura 6. Curva característica del JFET para .

𝐷
𝐼𝐷

𝐺
𝒑 𝒏 𝒑 𝑉𝐷𝐷

𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷

Figura 7. El JFET bajo la condición , .

En la figura 7, es igual a . Las dos regiones vacías se “tocan”, y el JFET se encuentra en condición de
“estrangulamiento” (pinch-off). En este momento, ha alcanzado el nivel de saturación . (Aún existe un canal muy
estrecho, con una corriente de densidad muy alta).

La corriente mantiene un nivel de saturación en vez de caer a cero, porque una ausencia de corriente eliminaría la
posibilidad de tener los niveles de potencial diferentes a lo largo del canal que establecen el gradiente de voltaje de inversa
en las uniones p-n, que de desaparecer, desaparecerían también las regiones vacías que dieron lugar al estrangulamiento
en primer lugar.

, entonces, la definen las condiciones ,y .

Al aumentar más allá de , la sección donde se “tocan” las dos regiones vacías aumenta a lo largo del canal, pero
permanece esencialmente constante.
c) ,

𝐼𝐷

𝐺
𝒑 𝒏 𝒑 𝑉𝐷𝐷

𝑉𝐺𝐺

𝐼𝐷

Figura 8. El JFET bajo la condición , .

Como se mencionó anteriormente, el voltaje es quien controla al JFET.

En la figura 8, se ha conectado una fuente , de modo que .

Un voltaje negativo originará regiones vacías similares a las del caso anterior (en el que ), pero a niveles
menores de .

Es decir, un negativo ocasiona que alcance saturación a un nivel menor de .

El nivel de saturación de es cada vez menor para valores de cada vez más negativos. Este comportamiento se
representa en las curvas características de salida de la figura 9.

Cuando (negativo), el nivel de saturación es .

Este valor de que reduce a cero a se llama de cut-off, de pinch-off, o de estrangulamiento ( ( )

ó ).

y son iguales en magnitud ( | | | | ), pero es negativo, mientras que es positivo, para canal n.

es el valor de para el que se alcanza la saturación de , cuando . Para los demás valores de , habrá
diferentes , que siguen la parábola que se incluye en la figura 9.
 Figura 9. Curvas características de salida del JFET canal n.

De manera similar que para el BJT, los límites del dispositivo en cuanto a los valores de e que puede soportar, los
determina , como se muestra en la figura 9.

La curva característica de entrada de la figura 10, es una parábola con la misma forma que la parábola de valores , ya
que estos puntos corresponden a los niveles de saturación de para cada valor de .

Figura 10. Curva característica de entrada del JFET canal n.

El símbolo del JFET canal n, y un resumen de las polaridades de sus voltajes se muestran en la figura 11.
 𝑉𝐷𝑆 positivo

𝑉𝐺𝑆 negativo

𝑉𝑝𝑥 positivo

𝑉𝑝𝑜 negativo

Figura 11. Resumen, JFET canal n.

Para el JFET canal p, se invierten las polaridades de los voltajes y , y el sentido de la corriente . Sus curvas
características se muestran en las figuras 12 y 13. Su símbolo y un resumen de las polaridades de sus voltajes se muestran
en la figura 14.

Figura 12. Curvas características de salida del JFET canal p.

 Figura 13. Curva característica de entrada del JFET canal p.

𝑉𝐷𝑆 negativo

𝑉𝐺𝑆 positivo

𝑉𝑝𝑥 negativo

𝑉𝑝𝑜 positivo

Figura 14. Resumen, JFET canal p.

1.3. Regiones de operación

Las regiones de operación del JFET se nombran de la siguiente forma:

a) Región óhmica. (Equivalente a la región de saturación del BJT).

b) Región de estrangulamiento. (Equivalente a la región de corte del BJT).

c) Región de saturación. (Equivalente a la región activa o de amplificación del BJT).

d) Región de ruptura. (Equivalente a la región de ruptura del BJT).

En la figura 15 se han indicado estas regiones.

 Figura 15. Regiones de operación del JFET.

La región óhmica se nombra de esta manera porque es en esta región donde tenemos la resistencia constante del canal. La
delimitan (un valor de diferente para cada valor de ), ,e .

La región de saturación es la región en la que ubicaremos el punto de operación en el diseño de amplificadores. La

delimitan (un valor de diferente para cada valor de ), ,e .

La región de estrangulamiento es la región en la que ocasiona el estrechamiento del canal independientemente del
valor de . Es decir, la delimita . En esta región tenemos .

La región de ruptura es la región en la que (dada por ), es igual o mayor a . Existirá un valor de
para el cual se alcance cuando e , indicado en la figura 16 como . El segundo valor máximo
de es aquel con el que se alcanza a una corriente mucho menor a . Se indica en la figura 16 como ;
este es el valor máximo de en la hoja de datos del transistor.

Figura 16. Límites de la región de ruptura del JFET.

1.4. Ecuación característica del JFET

La ecuación característica del JFET es la ecuación de la curva cuadrática que relaciona a con , y está dada por:

( )

En esta ecuación, podemos observar que cuando , y que cuando , como se explicó
anteriormente.

Es importante mencionar que al utilizar esta ecuación se deben conservar los signos correctos de y , ya sea que se
trate de un JFET canal n, o de un JFET canal p.