República Bolivariana De Venezuela

Ministerio Del Poder Popular Para La Educación Universitaria, Ciencia Y Tecnología

Universidad Politécnica Territorial De Falcón “Alonso Gamero”
Programa Nacional De Formación En Electricidad
Coro-Estado Falcón

Profesor: Realizado Por:

Gregorio Calles Raúl Acosta

Jaime Segovia

Sección:

PNFE 03

Santa Ana de Coro; Febrero de 2019

1
 INDICE

INDICE ............................................................................................................................................... 2
INTRODUCCION .............................................................................................................................. 3
JFET ................................................................................................................................................... 4
FUNCIONAMIENTO DEL JFET ................................................................................................. 4
SIMBOLOS .................................................................................................................................... 5
CIRCUITOS DE POLARIZACION ............................................................................................. 6
CIRCUITOS AMPLIFICADORES ............................................................................................ 15
Ventajas del FET ........................................................................................................................ 18
MOSFET .......................................................................................................................................... 18
FUNCIONAMIENTO DEL MOSFET ........................................................................................ 18
SIMBOLO..................................................................................................................................... 18
CIRCUITOS DE POLARIZACION ........................................................................................... 19
AMPLIFICADORES E-MOSFET .............................................................................................. 20
VENTAJAS DEL MOSFET ...................................................................................................... 22
CONCLUSIONES ........................................................................................................................... 23

2
 INTRODUCCION

No hay inversión más rentable que la del conocimiento (Benjamín Franklin).

El siguiente trabajo fue realizado con el fin de obtener la inversión más preciada
como lo es el conocimiento. Específicamente en la rama de la electrónica. En esta
investigación hablaremos sobre varios temas muy importantes que debemos
manejar como futuros técnicos superiores en electricidad. Entre estos temas se
encuentran:

El transistor de unión bipolar (BJT, bipolar junction transistor) está basado en

dos tipos de carga: los electrones libres y los huecos; razón por la que se
denomina bipolar: el prefijo bi quiere decir "dos". En esta investigación también se
aborda otro tipo de transistor: el FET (field-effect transistor, transistor de efecto de
campo). Este tipo de dispositivo es unipolar porque su operación sólo depende de
un tipo de carga, electrones libres o huecos. En otras palabras, un FET tiene
portadores mayoritarios pero no portadores minoritarios. Así mismo conoceremos
el funcionamiento del FET, sus circuitos de polarización, circuitos Amplificadores,
formulas y sus respectivas ventajas.

El transistor unipolar MOSFET (metal-oxide semiconductor FET, FET metal-

óxido semiconductor) tiene una fuente, una puerta y un drenador. Sin embargo, el
MOSFET se diferencia del JFET en que la puerta está aislada del canal. Por esta
razón, la corriente de puerta es aún más pequeña que en un JFET. El MOSFET a
veces se denomina IGFET (insulated-gate FET, FET de puerta aislada). Existen
dos clases de MOSFET, el tipo que opera en modo de vaciamiento y el tipo que
opera en modo de enriquecimiento. Sobre el MOSFET también estudiaremos su
funcionamiento, circuitos de polarización, circuitos amplificadores, formulas y sus
resaltantes ventajas.

3
 JFET

FUNCIONAMIENTO DEL JFET

Primero se analizará el efecto de las variaciones de la tensión de puerta - fuente
manteniendo constante la tensión de drenaje - fuente en un valor pequeño. Luego
se mantendrá la tensión puerta - fuente constante haciendo variar la tensión
drenaje - fuente. A partir de estos análisis se diferenciarán las distintas zonas de
funcionamiento: zona de corte, zona óhmica o resistiva, zona de estrangulación o
saturación del canal y zona de ruptura. a) Tensión de drenaje - fuente constante
(VDS=cte.). Si se aplica una tensión constante pequeña (fracción de voltio) entre
drenaje y fuente, la corriente de drenaje (ID) resulta función de la tensión aplicada
entre puerta y fuente (VGS). Esta corriente puede fluir aun con una polarización
nula en la puerta. A medida que se aumenta la polarización inversa de puerta la
corriente entre drenaje y fuente va disminuyendo (el canal se angosta debido al
efecto de la carga espacial) hasta que, para un determinado valor de tensión de
puerta (VP, tensión de contracción del canal o de pinch-off) la circulación se
interrumpe. El dispositivo se corta pues se ha producido el total vaciamiento de
portadores en el canal debido al efecto de recombinación de las cargas libres. En
un JFET de canal N (N-JFET), la tensión de contracción es negativa e ID es
positiva. Lo inverso ocurre en un JFET de canal P.

(b)Tensión de puerta - fuente constante (VGS constante). Manteniendo

constante la tensión de puerta en un valor tal que asegure que el JFET esté en la
zona de conducción para tensión de drenaje - fuente nula la corriente de drenaje
será nula.

Al ir incrementando la tensión de drenaje (vDS) la corriente comienza a

aumentar linealmente produciendo una mayor caída de tensión en el canal que
eleva la polarización inversa de puerta y produce el estrechamiento del canal. Este
estrechamiento no es uniforme, sino que es más pronunciado en las zonas más
lejanas del terminal de fuente. Hay un nivel de tensión vDS que produce la
estrangulación o saturación del canal. A partir de ese valor la corriente iD se
mantiene prácticamente constante frente a los aumentos de vDS.

4
 Es imposible que se produzca la estrangulación total del canal (cierre total del
mismo) y en consecuencia que la corriente resulte nula, pues ese mismo efecto
producirá una disminución de la polarización inversa revirtiendo el proceso
(apertura del canal). Para tensiones vDS muy elevadas se produce un efecto de
ruptura en avalancha y la corriente aumenta bruscamente.

FIG. 2.02: SATURACION DEL CANAL EN UN JFET.

SIMBOLOS
La Figura 13.3a muestra el símbolo esquemático de un JFET de canal n. En
muchas aplicaciones de baja frecuencia, la fuente y el drenador son
intercambiables porque se puede emplear cualquier extremo como la fuente y el
otro como el drenador. Los terminales de fuente y de drenador no son
intercambiables a altas frecuencias. Los fabricantes casi siempre minimizan la
capacidad interna en el lado del drenador del JFET. En otras palabras, la
capacidad entre la puerta y el drenador es más pequeña que la capacidad entre la
puerta y la fuente. En un capítulo posterior estudiaremos en detalle estas
capacidades internas y sus efectos en el funcionamiento de un circuito.

La Figura 13.3b muestra un símbolo alternativo para un JFET de canal n.

Muchos ingenieros y técnicos prefieren este símbolo con la puerta desplazada, la
cual apunta a la fuente del dispositivo, constituyendo una ventaja importante en
circuitos multietapa complicados.

También existe un JFET de canal p. El símbolo esquemático de un JFET de canal

p, mostrado en la Figura 13.3c, es similar al del JFET de canal n, excepto en que
la flecha de la puerta apunta en la dirección contraria. El funcionamiento de un
JFET de canal p es complementario; es decir, todas las tensiones y corrientes

5
están invertidas. Para polarizar en inversa un JFET de canal p, la puerta tiene que
ser positiva respecto a la fuente. Por tanto, VGS se hace positiva.

Figura 13.3 (a) Símbolo esquemático. (b) Símbolo con la puerta desplazada. (c)
Símbolo para canal p.

CIRCUITOS DE POLARIZACION
La polarización del JFET se realiza mediante tensión continua y consiste en
prepararlo para que en un circuito, en el cual se le quiere utilizar, a través del
JFET circule una cantidad de corriente ID por el drenaje, y a su vez se obtenga
una tensión entre el drenaje y la fuente VDS para esa cantidad de corriente ID, a
esto se le llama obtener el punto de operación o punto Q. La corriente ID va
depender de la tensión compuerta fuente VGS que exista en la malla de entrada,
la VDS dependerá de la malla de salida del circuito, para ver esto será de utilidad
la gráfica de entrada y la de salida del JFET.

Anteriormente se ha visto que el JFET tiene una corriente drenaje fuente de

saturación IDSS, la cual indica cual es la corriente máxima que podrá circular
entre el drenaje y la fuente, entonces la corriente ID al cual se polarizará el
transistor solo podrá tener valores comprendidos entre 0mA y IDSS.

Como la corriente de la compuerta IG=0, hay que tener siempre presente que la
corriente de drenaje ID y la corriente de fuente IS son iguales esto es ID=IS, tanto
para transistores de canal n como para los de canal p, tampoco hay que olvidarse
de la ecuación de Shockley, con esto en mente ya se puede ver algunos tipos de
polarización.

Se verán 3 tipos de polarización los cuales son:

 Polarización de puerta del JFET.

 Polarización por autopolarización del JFET.
 Polarización por divisor de tensión del JFET.

Para ver los diferentes tipos de polarización se utilizará un JFET de canal n, se

procederá a obtener una ecuación en la malla de entrada y otra en la malla de

6
salida. Para polarizar un JFET de canal p se procederá de manera similar,
teniendo en cuanta que las tensiones de polarización tendrán que invertirse, lo
cual dará como resultado que la ID cuyo sentido se mide del drenaje hacia la
fuente, también se invierta.

 Polarización de puerta del JFET.

Este tipo polarización se caracteriza porque se utilizan dos fuentes de

alimentación, una de ellas se conecta directamente entre la compuerta y la fuente,
si esta fuente de alimentación es variable se puede controlar la ID, lo cual a su vez
provocará que el punto de operación del JFET cambie y como consecuencia
cambiará VDS, de esta forma se puede hacer que el JFET trabaje en la región
ohmica o en la región activa; este es el tipo de polarización que se utilizará si se
quiere hacer trabajar al JFET como resistencia variable controlada por voltaje.

El arreglo principal para este tipo de polarización para un JFET de canal n y uno
de canal p, es el que se muestra a continuación:

De la malla de entrada, por Kirchoff se puede ver para el JFET de canal n que
VGS=-VGG y para el de canal p VGS=VGG, estas serán sus ecuaciones de
entrada, son rectas paralelas al eje ID, las cuales hay que trazar sobre la gráfica
de entrada, donde estas rectas corten a la curva de transferencia será el punto de
operación para la entrada del JFET, a partir de este punto de corte se traza una
paralela al eje VGS y se conocerá el valor de la ID para el punto de operación del
JFET; si en la malla de salida se aplica nuevamente Kirchoff se obtendrá una
ecuación a partir de la cual se puede despejar VDS y se tendrá:

7
 Para el JFET de canal n: VDS=VDD-ID*RD, que es su ecuación de recta de
salida.

Para el JFET de canal p: VDS=-VDD+ID*RD, que es su ecuación de recta de

salida.

Si en la ecuación recta de carga de la salida se reemplaza el valor de ID para el

punto de operación, obtenida a partir de la curva de transferencia, se puede hallar
la VDS para el punto de operación del transistor.

En lo que sigue se comentará para el caso del JFET de canal n, lo cual también
será válido para los JFET de canal p, con la única diferencia de que hay que
invertir las polaridades; de la ecuación de recta de carga de salida obtenida para el
JFET de canal n, hay que ubicar 2 puntos para trazarla, uno de los puntos se
obtendrá haciendo ID=0, si se despeja se obtiene VDS=VDD, lo cual se conoce
como tensión de drenaje fuente de corte VDScorte; el otro punto se obtendrá
haciendo en la ecuación VDS=0, en este caso si se despeja se obtiene
ID=VDD/RD lo cual se conoce como corriente de drenaje de saturación IDsat; por
lo tanto los dos puntos que necesitamos ubicar sobre el gráfico de salida para
trazar la recta de carga serán VDScorte=VDD para ID=0 y IDsat=VDD/RD para
VDS=0.

Los trazos de la recta de carga para la entrada y de la recta de carga para la

salida en forma general para este tipo de polarización están representados en la
siguiente figura.

8
 En la figura se puede ver que si la fuente de alimentación cambia en valor VGG
se cambiará VGSQ, lo cual a su vez cambiará ID lo que hará que la recta de carga
de salida cambie y como consecuencia cambie el punto de operación, este
fenómeno es aprovechado cuando se quiere utilizar el JFET como resistencia
variable, otra forma en que cambiará el punto de operación es si se cambia el
JFET, ya que la curva de transferencia cambiará, por lo cual el punto de cruce de
la recta de carga de entrada con la curva de transferencia cambiará lo que dará
un nuevo valor para IDQ, entonces la recta de carga de salida se cruzará con una
curva de salida diferente dando como resultado que el punto de operación cambie;
mayormente el cambio de posición del punto de operación es demasiado grande
cuando se cambia el JFET, de allí que si se quiere un punto de operación que no
varíe si se cambia el JFET este tipo de polarización no sea lo mejor.

 Polarización por autopolarización.

En este tipo de polarización solamente se necesita una fuente de

alimentación, en la figura siguiente se muestra este tipo de arreglo para un JFET
de canal n, es muy similar para el caso del JFET de canal p, con la diferencia de
que hay que invertir las polaridades.

9
 Como se puede ver en la fuente del JFET se coloca una resistencia RS, esta
resistencia será la que polarice la compuerta, es decir la VGS que existirá en el
transistor la cual decidirá cuanta será la corriente de drenaje ID que es igual a la
corriente de la fuente IS; la resistencia RG es una resistencia del orden de los
mega ohmios que se utiliza principalmente para los circuitos de amplificación para
no perder la impedancia de entrada del JFET, en el vídeo que sigue más abajo se
comenta como es que actuará, además como IG=0 entonces VG=0 por tanto la
compuerta está conectada a tierra.

Los datos IDSS y VGScorte se obtienen de la hoja de datos del JFET, con los
cuales se trazará la curva de transferencia.

La idea para resolver o diseñar este tipo de circuitos es a partir de la malla de

entrada obtener una ecuación de una recta que dependerá de VGS e ID, luego
trazar esta recta sobre la gráfica de transferencia que también depende de VGS e
ID, el punto donde se intercepten ambos trazos será el punto de operación del
JFET.

Por lo tanto, lo primero que hay que hacer es trazar la curva de transferencia,
luego dibujar la recta de carga de la entrada sobre la curva de transferencia, para
lo cual necesitamos obtener la ecuación de la recta de entrada, entonces
aplicando Kirchoff en esta malla:

VGS+VRS+VRG=0, luego

10
VGS+IS*RS+IG*RG=0, pero IG=0 y IS=ID

VGS+ID*RS=0, de donde

VGS=-ID*RS, esta es la ecuación de la recta de entrada.

Se ve que la VGS es un valor negativo, que es como tiene que ser para un JFET
de canal n, para trazar la recta de entrada sobre la curva de transferencia se
necesita 2 puntos por lo menos , uno de ellos puede ser por ejemplo para ID=0, lo
que dará VGS=0, siendo el primer punto entonces (0,0); como IDSS es dato ese
valor se puede reemplazar en la ecuación para obtener el otro punto, que
es VGS=-IDSS*RS, con lo cual el otro punto sería (-IDSS*RS,IDSS), al trazar esta
recta sobre la curva de transferencia donde se intercepten ese será el punto de
operación de JFET, a partir del cual se puede conocer VGSQ y la IDQ.

Para encontrar el valor VDSQ será recurre a la malla de salida a la cual se aplica
Kirchoff

VDD-VRD-VDS-VRS=0, luego

VDD-ID*RD-VDS-IS*RS=0, pero IS=ID

VDD-VDS-ID*(RS+RD), de donde al despejar

VDS=VDD-ID*(RS+RD), que será la ecuación de la recta de salida.

Si en esta ecuación se reemplaza IDQ obtenida anteriormente se encontrará el

valor de VDSQ, por lo tanto el punto de operación del JFET será (VDSQ,IDQ), si
se quiere trazar la recta de carga de salida, son necesarios dos puntos uno de
ellos será cuando ID=0, de donde VDScorte=VDD, el otro punto será para VDS=0,
de donde IDsat=VDD/(RS+RD), en el punto donde se intercepte la recta de carga
de salida con la curva que le corresponda a la corriente IDQ para VGSQ en la
salida, ese será el punto de operación el JFET; los gráficos deben ser algo así:

11
 Polarización por divisor de tensión del JFET.

Para este tipo de polarización, el punto de operación del JFET se ve menos

afectado cuando se cambia un transistor por otro, siendo ambos de la misma
familia, por ejemplo el 2N3819. En este caso también se polariza el JFET con una
sola fuente de alimentación, en la siguiente figura se muestra el arreglo para la
polarización por divisor de tensión.

12
 Como se puede ver en la en la malla de la entrada del circuito, ahora hay dos
resistencia, las cuales serán de gran ohmiaje del orden de los mega ohmios, esto
es para no perder la alta impedancia de entrada de los JFET en los circuitos de
amplificación, entre las dos forman un divisor de tensión, por lo cual la tensión de
la compuerta VG tendrá un valor positivo.

Los datos IDSS y VGScorte se obtienen de la hoja de datos del JFET, con los
cuales se trazará la curva de transferencia.

La idea para resolver o diseñar este tipo de circuitos es a partir de la malla de

entrada obtener una ecuación de una recta que dependerá de VGS e ID, luego
trazar esta recta sobre la gráfica de transferencia que también depende de VGS e
ID, el punto donde se intercepten ambos trazos será el punto de operación del
JFET.

Por lo tanto, lo primero que hay que hacer es trazar la curva de transferencia,
luego dibujar la recta de carga de la entrada sobre la curva de transferencia, para
lo cual necesitamos obtener la ecuación de la recta de entrada, la que obtendrá a
partir de:

VGS=VG-VS, además

VS=RS*IS, pero IS=ID, entonces

VGS=VG-RS*ID, esta es la ecuación de la recta de entrada.

13
Donde por división de tensión VG=VDD*R2/(R1+R2);

VGS será un valor negativo, ya que es un JFET de canal n, para trazar la recta
de entrada sobre la curva de transferencia se necesita 2 puntos por lo menos , uno
de ellos puede ser por ejemplo para ID=0, lo que dará VGS=VG, siendo el primer
punto entonces (VG,0); para el otro punto se tomará VGS=0 de donde ID=VG/RS
por lo cual el otro punto sería (0,VG/RS), al trazar esta recta sobre la curva de
transferencia donde se intercepten ese será el punto de operación de JFET, a
partir del cual se puede conocer VGSQ y la IDQ.

Para encontrar el valor VDSQ será recurre a la malla de salida a la cual se aplica
Kirchoff

VDD-VRD-VDS-VRS=0, luego

VDD-ID*RD-VDS-IS*RS=0, pero IS=ID

VDD-VDS-ID*(RS+RD), de donde al despejar

VDS=VDD-ID*(RS+RD), que será la ecuación de la recta de salida.

Si en esta ecuación se reemplaza IDQ obtenida anteriormente se encontrará el

valor de VDSQ, por lo tanto el punto de operación del JFET será (VDSQ,IDQ), si
se quiere trazar la recta de carga de salida, son necesarios dos puntos uno de
ellos será cuando ID=0, de donde VDScorte=VDD, el otro punto será para VDS=0,
de donde IDsat=VDD/(RS+RD), en el punto donde se intercepte la recta de carga
de salida con la curva que le corresponda a la corriente IDQ para VGSQ en la
salida, ese será el punto de operación el JFET; los gráficos deben ser algo así:

14
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
La Figura 13.21a muestra un amplificador en fuente común. Los condensadores
de acoplo y desacoplo son cortocircuitos en alterna. Por tanto, la señal está
acoplada directamente a la puerta. Dado que la fuente está desacoplada a tierra,
toda la tensión alterna de entrada aparece entre la puerta y la fuente, lo que da
lugar a una corriente alterna de drenador. Puesto que la corriente alterna de
drenador fluye a través de la resistencia de drenador, obtenemos una tensión
alterna de salida amplificada e invertida. Esta señal de salida se acopla entonces a
la resistencia de carga.

Figura 13.21 (a) Amplificador en fuente común. (b) Circuito equivalente de alterna.

Ganancia de tensión del amplificador en fuente común

La Figura 13.21b muestra el circuito equivalente de alterna. La resistencia de

drenador en alterna rd se define como:

La ganancia de tensión es:

15
Lo que se simplifica como sigue:

Esta expresión indica que la ganancia de tensión de un amplificador en fuente

común es igual a la transconductancia por la resistencia de drenador en alterna.

Seguidor de fuente

La Figura 13.22 muestra un seguidor de fuente. La señal de entrada excita la

puerta y la señal de salida está acoplada desde la fuente a la resistencia de carga.
Como con el seguidor de emisor, el seguidor de fuente tiene una ganancia de
tensión menor que 1. La principal ventaja del seguidor de fuente es que tiene una
impedancia de entrada muy alta. A menudo, verá que el seguidor de fuente se
utiliza al principio de un sistema, seguido de las etapas bipolares de ganancia de
tensión.

En la Figura 13.22, la resistencia de fuente en alterna se define como:

Podemos derivar esta ecuación para calcular la ganancia de tensión de un

seguidor de fuente:

Puesto que el denominador siempre es mayor que el numerador, la ganancia de

tensión siempre es menor que 1.

16
Figura 13.22 Seguidor de fuente.

17
VENTAJAS
1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy
elevada (107 a 1012 ohmios).

2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.

3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.

4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y
permiten integrar más dispositivos en un CI.

5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión valores

pequeños de tensión drenaje-fuente.

6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.

7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.

MOSFET

FUNCIONAMIENTO DEL MOSFET

El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado
fuente sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain),
mediante la aplicación de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión
umbral) en el terminal llamado puerta (gate). Es un interruptor controlado por
tensión. Al aplicar tensión conduce y cuando no hay tensión en la puerta no
conduce.

El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por

tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no
corriente entre drenador y fuente.

El movimiento de carga se produce exclusivamente por la existencia de campos

eléctricos en el interior del dispositivo.

SIMBOLO
Cuando VGS 0, el E-MOSFET está en corte porque no existe canal de
conducción entre la fuente y el drenador. El símbolo esquemático de la Figura
14.10a muestra una línea de canal de trazos con el fin de indicar que su condición
es normalmente en corte. Como ya sabemos, una tensión de puerta mayor que la
tensión de umbral crea una capa de inversión de tipo n que conecta la fuente al

18
drenador. La flecha apunta a esta capa de inversión, la cual se comporta como un
canal n cuando el dispositivo está conduciendo.

También existe un E-MOSFET de canal p. El símbolo esquemático es similar,

excepto en que la flecha apunta hacia afuera, como se muestra en la Figura
14.10b.

Figura 14.10 Símbolos esquemáticos del E-MOSFET. (a) Dispositivo de canal n.

(b) Dispositivo de canal p.

CIRCUITOS DE POLARIZACION
Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al
circuito de polarización utilizados para JFET. La principal diferencia entre ambos
es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos de
funcionamiento con valor positivo de VGS para canal n y valor negativo de VGS
para el canal p. Para tener un valor positivo de VGS de canal n y el valor negativo
de VGS de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización. Por lo tanto
hablamos de recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para mejorar el
tipo MOSFET.

REALIMENTACIÓN, CIRCUITO DE POLARIZACIÓN.

La siguiente figura, muestra el circuito de polarización con realimentación típico

para MOSFET canal n de enriquecimiento.

19
 Como se mencionó anteriormente, para el análisis en corriente continua,
podemos reemplazar el condensador de acoplamiento por circuitos abiertos y
también reemplazar el resistor RG por su equivalente en corto circuito, ya que IG =
0.

La figura, también muestra, el circuito simplificado, para el análisis con recorte

de realimentación CC. Como los terminales de Drenaje y Puerta están en
cortocircuito,

VD=VG
y VDS=VGS=> Vs=0 [1]

Aplicando la segunda Ley de Kirchhoff a los circuitos de salida, obtenemos,

VDD-IDxRD-VDS=0
si VDS=VDD-IdxRd [2]
o VGS=VDD-IDxRD; si VDS
=VGS [3]

AMPLIFICADORES E-MOSFET
Como se ha explicado en las secciones anteriores, el E-MOSFET tiene su
principal uso como conmutador. Sin embargo, en algunas aplicaciones este
dispositivo se utiliza como amplificador. Entre dichas aplicaciones se incluyen los
amplificadores de RF de alta frecuencia empleados en las primeras etapas de los
equipos de comunicaciones y los E-MOSFET de potencia empleados en los
amplificadores de potencia de clase AB.

En los E-MOSFET, VGS tiene que ser mayor que VGS(umbral) para que haya
corriente de drenador, lo que elimina la autopolarización, la polarización de fuente
de corriente y la polarización cero, ya que todos estos métodos de polarización
operan en modo de vaciamiento. Esto nos deja la polarización de puerta y la

20
polarización mediante divisor de tensión. Estos dos métodos de polarización
funcionarán con los E-MOSFET porque pueden operar en modo de
enriquecimiento.

La Figura 14.32 muestra las curvas de drenador y la curva de transconductancia

de un E-MOSFET de canal n. La curva de transferencia parabólica es similar a la
del MOSFET en modo de vaciamiento, aunque con algunas importantes
diferencias. El E-MOSFET sólo opera en modo de enriquecimiento. Además, la
corriente de drenador no aparece hasta que VGS VGS(umbral). De nuevo, esto
demuestra que el E-MOSFET es un dispositivo normalmente en corte controlado
por tensión. Puesto que la corriente de drenador es cero cuando VGS 0, la
fórmula estándar de la transconductancia no será válida para el E-MOSFET. La
corriente de drenador puede hallarse como sigue:

Donde k es un valor constante para el E-MOSFET y queda determinada por la

siguiente expresión:

La hoja de características de un FET en modo de enriquecimiento de canal n

2N7000 se muestra en la Figura 14.12. De nuevo, los valores importantes que se
necesitan son: ID(on), VGS(on) y VGS(th) [th = umbral]. Las especificaciones para
el 2N7000 indican un amplio rango para cada uno de los valores. En los cálculos
se emplearán siempre los valores típicos. Podemos ver que ID(on) es 600 mA
cuando VGS = 4,5 V. Por tanto, utilizaremos 4,5 V

21
Figura 14.32 Un E-MOSFET de canal n. (a) Curvas de drenador. (b) Curva de
transconductancia.

VENTAJAS DEL MOSFET

La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados, p-mos, n-
mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:

 Consumo en modo estático muy bajo.

 Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media

micra).

 Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.

 Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedencia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del
orden de los nanoamperios.

 Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de

superficie que conlleva.

 La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los

nanosegundos.

 Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta

frecuencias y baja potencia.

22
 CONCLUSIONES

Ya finalizada esta investigación, se obtuvieron unos resultados que permiten a

los investigadores presentar el siguiente conjunto de conclusiones:

1. El FET es el dispositivo preferido para la mayoría de las aplicaciones de

conmutación. ¿Por qué? Porque en un FET no existen los portadores
minoritarios. En consecuencia, puede cortarse más rápidamente, ya que no
hay carga almacenada que tenga que ser eliminada del área de la unión.

2. El MOSFET utiliza baja potencia para llevar a cabo su propósito y la disipación

de la energía en términos de pérdida es muy pequeña, lo que hace que sea un
componente importante en los modernos ordenadores y dispositivos
electrónicos como los teléfonos celulares, relojes digitales, pequeños juguetes
de robot y calculadoras.

23