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• Criterios de evaluación
Actividades
a) Ejercicio 1 (Figura 1)
Usted dispone de un transformador reductor de tensión con derivación central en el lado de baja, cuya
relación de transformación es 220 V / 50+50 V, y dos diodos para construir una fuente de voltaje DC para
alimentar un amplificador de sonido. Se ha modelado el amplificador como una resistencia R = 30 [Ω], y
debido a que el voltaje de rizado afecta el piso de ruido del audio, se dispone un capacitor C = 20000 [μF]
para su filtrado.
Se conecta a la red 220 Vac, 50 Hz.
Figura 1: rectificador monofásico de onda completa, en base a transformador con derivación central.
b) Ejercicio 2 (figura 2)
En una planta manufacturera se ha implementado un rectificador trifásico de media onda (3 pulsos) para
alimentar con corriente continua un proceso de galvanizado de piezas de aluminio. Se obtiene suministro
energético desde una barra de MT a 13,8 [kV], la que es aplicada a un transformador de potencia tipo
acorazado con las siguientes características:
▪ Potencia aparente máxima: S = 300 [kVA]
▪ Relación de transformación: 13800 [V] / 600 [V]
▪ Conexión: Dy1
La planta de galvanizado se modela como una carga resistiva pura Rcarga, a la cual se ha incorporado en serie
un inductor Leq cuya función es modelar las inductancias de los devanados del transformador, vistos desde
el lado de carga.
Suponga que D1, D2 y D3 son diodos ideales, Rcarga = 5 [Ω] y Leq = 10 [mH].
a. Simule el circuito rectificador y su carga, suponiendo que en lugar del transformador de poder
tiene una fuente de voltaje trifásica ideal, conectada en estrella con neutro a tierra. Grafique
las formas de onda siguientes: voltajes de entrada (3 fases en un mismo gráfico referidas al
neutro), corrientes de línea (sólo fase a), corriente del neutro y voltaje de salida. Considere 5
ciclos de la tensión de entrada en sus gráficas.
c. Grafique la forma de onda de corriente de línea, corriente de carga y voltaje de salida para Leq
= 10 [mH], 100 [mH] y 1[H]. ¿Qué efecto tiene L sobre estas formas de onda, particularmente
cuando el sistema está en régimen permanente? Explique.
d. Ocurre la falla de los diodos D2 y D3, quedando estos en circuito abierto. ¿Qué forma de onda
tiene el voltaje de salida? ¿cuál es el valor medio de la tensión de salida? Suponga L eq = 10
[mH].
Basada en documentación entregada deberá responder las siguientes preguntas (solo basada en los
textos), en forma clara y detallada. Considere como fuente lo visto en clases y los documentos
compartidos a través del Ambiente de Aprendizaje Inacap:
- AN4607 Basics on the thyristor (SCR) structure and its application (ST Microelectronics)
- AN080E Power MOSFET (Fuji Power)
- IXAN0063 IGBT Basics (IXYS Corporation)
a) Explique al menos 3 cualidades importantes de los tiristores que son beneficiosas para su aplicación en
equipos de electrónica de potencia.
b) Referente a dispositivos MOSFET, explique en qué consisten y la importancia de los parámetros RDS(on)
(Drain-source on-state resistance), VBR(DSS) (Drain-Source Breakdown Voltage) y CISS (Input Capacitance)
al momento de definir el MOSFET a utilizar en un diseño de electrónica de potencia.
c) Mencione al menos 3 diferencias entre IGBTs tipo NPT y PT.
d) A modo de visión global de dispositivos semiconductores para electrónica de potencia, explique el ámbito
de acción de tiristores, MOSFETs e IGBTs como función de los niveles de tensión, potencias y frecuencias
de operación de dichos dispositivos. ¿Qué dispositivos cree Usted que sean más utilizados en aplicaciones
de electromovilidad? ¿en cargadores de celulares? ¿en convertidores para HVDC? Fundamente.
Instrucciones
Instrumento de evaluación
Antecedentes
Plantilla_Informe.docx
Texto 1 Escala de apreciación
Texto 2
Texto 3