ESCUE L A P O L I T É C N I C A N AC I O N A L

I N G E N I E R Í A ELÉCTRIC A

ELECTRÓNICA DE
POTENCIA
APUNTES DE LA MATERIA

GIOVANNY CATAÑA DIAZ

2 0 2 0 -A
 Introducción a la Electrónica de
Potencia
Giovanny Mauricio Cataña Díaz
Ingeniería Eléctrica, Escuela Politécnica Nacional
Quito, Ecuador
giovanny.catana@epn.edu.ec

I. APLICACIONES DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Las principales aplicaciones se pueden evidenciar en los

celulares ya sea en cargadores de luz o cargadores inalámbricos.
También se ve aplicado en cámaras fotográficas donde es
necesario incrementar la corriente DC generada por las baterías
de la cámara para permitir disparar el flash de dicha cámara.
Entre otras aplicaciones dentro de la Escuela Politécnica
Nacional se encuentra centro de carga de bicicletas por medio de
la energía solar, la misma energía solar se usa en casas,
universidades, medios de transporte, etc.
En telecomunicaciones mediante paneles solares se transforma la
energía solar en energía necesaria para la torre de transmisión.

Fig. 2 Sistema fotovoltaico para bombeo de agua

Fig. 1 Aplicación de la Electrónica de Potencia

En la figura 1 se puede apreciar una aplicación grande de la
electrónica de potencia donde el panel solar genera voltaje DC y
por medio del inversor el voltaje DC se convierte en AC que por
un transformador será elevado, que posteriormente será enviado
a la red de transmisión.
En la figura 2 se aprovecha la energía solar que con un
controlador encargado de limitar la corriente a la cual trabaja la
bomba la cual puede ser ocupada en varias aplicaciones como
almacenamiento, irrigación, etc
Fig. 3 Sistema Fotovoltaico Tren Salinas Ecuador
En la figura 3 donde se aprecia una central de generación
fotovoltaica con una potencia de 3.6 [MW] que ocupa 2.22
hectáreas donde se encuentra 4800 paneles de 250 [W] cada uno
conectados en serie y paralelo.
Industrialmente, se aplica en la industria papelera ya sea en el
enrollo de papel, en las fabricas textiles en la producción de hilos
donde hay cantidad de pequeños motores manejados por
controladores enfocados desde la Electrónica de Potencia.
En resumen, las aplicaciones de la Electrónica de Potencia se
encuentra la parte residencial donde se puede hablar de
refrigeración, aire acondicionado, iluminación, equipo electrónico
en general y la comercial donde se puede hablar de fuentes
ininterrumpidas de poder que se necesitan en centros de cómputo,
asensores, computadores y equipos de oficina.
En la parte industrial se encuentra aplicaciones como bombas,
comprensores, ventiladores, robots, hornos de inducción y
fundición.
Fig. 4 Aplicaciones de la Electrónica de Potencia en sistemas de
transporte
En la parte de transportación se encuentran aplicaciones como
control de vehículos eléctricos, cargadores de baterías de
vehículos, el trolebús, etc.
Fig. 5 Generación eólica en la Industria Eléctrica
En la industria de generación eléctrica tenemos aplicaciones punto entra el control para volver a los 1800 [rpm] iniciales.
como transmisión de CC, compensación estática de energía,
fuentes alternativas de energía como energía solar, eólica, etc.
Fig. 6 Aplicación Aero espacial de la Electrónica de Potencia
En la industria Aero espacial se ve aplicado la Electrónica de
Potencia en fuentes de alimentación de los cohetes, sistemas de
potencia de los satélites y de los aviones.
En telecomunicaciones la Electrónica de Potencia se ve aplicado
en cargadores de baterías y fuentes de poder DC y UPS.
II. DEFINICIÓN ELECTRÓNICA DE POTENCIA
La Ingeniería Eléctrica se base en 3 partes, la potencia, la
electrónica y el control donde la electrónica abarca los circuitos
electrónicos para procesar la información, la potencia abarca los
dispositivos rotatorios o estáticos para generar, transmitir y
distribuir energía, y el control se encarga de analizar las
características de la estabilidad de los sistemas.
La electrónica de potencia es una rama de la Ingeniería Eléctrica
que se encarga del control y la conversión de la potencia eléctrica
de manera eficiente.
Potencia
Electrónica
de Potencia
Electrónica Control
Fig. 7 Partes de la Electrónica de Potencia
Por ejemplo, un motor CC con 1800 [rpm] donde previamente se
uso un conversor AC-DC y luego un conversor DC-DC con el fin
de controlar la velocidad de dicho motor, que al poner una carga la
velocidad del motor se reduce, pero eso no debe suceder, en este
Cuando se tiene corriente DC que mediante un conversor DC-DC
queremos mantenerla fija, hablamos de regulación, que estará a
cargo de un controlador, ya que por algún disturbio o problema en
la red se vera afectada esta salida fija y el controlador deberá
volverla a su estado original.
III. CONVERSORES DE POTENCIA
En la figura 8 se tiene una corriente AC que se convertirá en DC,
donde antes del capacitor tendremos aproximadamente 100 [V] y
con el otro conversor DC-DC reducimos a un voltaje inferior al
cual trabaja el capacitor.
 Fig. 8 Diagrama esquemático de un cargador de baterías
En la figura 9 se cita como ejemplo el uso de una batería de 12
[V] y al igual que el caso anterior mediante un conversor DC-DC
reduzco el voltaje a 3.7 [V] para cargar el celular.

Fig. 9 Diagrama esquemático de un cargador de celular

Fig. 13 Funcionamiento de un conversor de Potencia
En la figura 10 se representa el flash de una cámara fotográfica
La zona encerrada se conoce como conversor estático o procesador
donde el flash necesita un impulso de voltaje donde la entrada son
de potencia. Donde la salida puede ser DC con magnitud constante
las baterías de la cámara y necesito usar un conversor DC-DC
o ajustable. O puede ser una salida AC con una frecuencia
para incrementar el voltaje de 3.7 [V] a 200 [V] y disparar la luz.
constante y magnitud del voltaje ajustable o con frecuencia y
magnitud de voltaje ajustables.
La fuente que alimenta al conversor generalmente es una fuente de
energía eléctrica que viene de las empresas eléctricas, pero no
siempre es así, ya que, puede provenir de otras fuentes como son:
bancos de baterías, celdas solares, sistemas eólicos, etc.
La fuente generalmente es de voltaje y frecuencia fijos ya sea
Fig. 10 Diagrama esquemático de flash de cámara fotográfica monofásico 1∅ o trifásico 3∅. En Ecuador se utiliza 60 [Hz], 127
[V] para 1∅, 220 [V] para 3∅, 460 [V] para 3∅ a nivel industrial.
En la figura 11 mediante celdas fotovoltaicas como entrada,
mediante un conversor DC-DC incremento un voltaje de 24 [V] Se debe tener en cuenta que el ángulo de fase entre el voltaje de
a 200 [V] para luego usar un conversor DC-AC para tener una entrada y la corriente de entrada depende de la topología y el
salida AC 110 [Vrms]. control del conversor estático de potencia.

Fig. 11 Diagrama esquemático de generación eléctrica por una

celda fotovoltaica

En la figura 12 tenemos por entrada corriente alterna 220 [Vrms]

que por medio de un conversor AC-DC y un conversor DC-AC
con el fin de controlar la velocidad del motor de 0 a 100 [Hz] y
para obtener una salida con voltaje variable en amplitud y
frecuencia variable.

Fig. 14 Diagrama esquemático Conversor estático

En la salida, el voltaje, la corriente, la frecuencia y el numero de
fases dependerá de la carga que se quiera manejar o controlar,
Fig. 12 Diagrama esquemático de control de un motor tenemos otro ejemplo en las celdas solares como se ve en la
Figura 15.
 𝑃𝑜 50 ∗ 0.5
ƞ= = = 50 %
𝑃𝑖 100 ∗ 0.5
Se deduce que existe pérdida de potencia en forma de calor en la
resistencia R1. Esto dependerá de la carga que se coloque al
Fig. 15 Diagrama esquemático de generación eléctrica por una circuito y una solución puede ser utilizar un transistor trabajando
celda fotovoltaica en región activa de tal manera que el voltaje Colector Emisor se
mantenga en 50 [V] para regular el voltaje de salida. A pesar de
El ángulo de fase entre Vo e Io depende de los requerimientos de usar el transistor seguirá el problema de baja eficiencia.
la carga, para eso se necesita el controlador y el sistema de
retroalimentación.
En los últimos años, el campo de EP ha experimentado un rápido
crecimiento de la microelectrónica que ha posibilitado el uso de
circuitos integrados y/o procesadores digitales de señal que ha
llevado al desarrollo de controladores utilizando
microprocesadores, DSPs (Digital Signal Processing) o FPGAs
(Field Programmable Array).
Además, los avances tecnológicos en la fabricación de
semiconductores de potencia han posibilitado que se manejen
niveles de voltaje y corriente elevados con rápidos tiempos de
encendido y apagado. Cuando el switch está cerrado el voltaje en este es cero y la
corriente diferente de cero, cuando el switch esta abierto el voltaje
en este es diferente de cero y la corriente igual a cero; en ambos
casos la potencia es igual a cero.
IV. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES EN ELECTRÓNICA DE
POTENCIA

Los dispositivos semiconductores en Electrónica de Potencia

trabajan como switches.
100
Ejemplo:

En este caso queremos limitar la salida a 50 [V] es decir a la mitad

del voltaje de entrada por que se dice que la relación de trabajo es
0.5.
𝛿 = 0.5
La relación de trabajo es la relación del tiempo en encendido y el
Por divisor de voltaje tenemos: periodo.

𝑅2 𝑡𝑂𝑁
𝑉𝑜 = ∗ 𝑉𝑖 𝛿=
𝑅1 + 𝑅2 𝑇
Calculamos el valor medio del voltaje.
𝑅1 = 100 [Ω]
𝑇/2
1 100𝑇
Calculando la corriente tenemos: 𝑉𝐷𝐶 = ∫ 100 𝑑𝑡 = = 50 [𝑉]
𝑇 2𝑇
0
100
𝐼= = 0.5 [𝐴] 50
200 𝑃𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝐷𝐶 ∗ 𝐼𝐷𝐶 = 50 ∗ = 25 [𝑊]
100
𝑃𝑖𝑛 = 25 [𝑊] 𝑝𝑜𝑟 𝑠𝑒𝑟 𝑖𝑑𝑒𝑎𝑙 𝑒𝑙 𝑠𝑤𝑖𝑡𝑐ℎ
 ∴ ƞ = 100 %

El problema de este tipo de señal es que al estar conmutando es

distorsionada y tiene componentes DC más componentes AC con
diferentes frecuencias.

V. CICLO DE CONVERSIÓN DE LA ENERGÍA

El ciclo de la conversión de la energía en la mayoría de las

aplicaciones se tiene una fuente AC, para aplicaciones de CC, se
deberá pasar por un proceso de rectificación, para aplicaciones
donde se tiene una fuente DC y para aplicaciones de CC, se
deberá pasar por un proceso de chooper que trata de un conversor
DC-DC. Para aplicaciones con fuente DC y para aplicaciones de
AC se debe pasar por un proceso de inversión y finalmente para
aplicaciones AC con una fuente AC se usará un conversor AC-
AC como se aprecia en la Figura 16.

Fig. 16 Ciclos de conversión de la energía

Para ciertas aplicaciones se necesita procesos intermedios como
por ejemplo para variar la frecuencia. Donde será necesario
convertir la corriente AC en DC y luego un inversor DC-AC para
alimentar a un motor trifásico como se aprecia en la Figura 17.

Fig. 17 Conversor AC-AC con rama intermedia DC

Se ve un gran uso en la venta de Energía Eléctrica a Colombia
desde el Ecuador donde ambos países trabajan a diferentes
frecuencias.
En caso contrario hablando de un conversor DC-DC con rama
intermedia AC, que se aplica en generación fotovoltaica donde es
necesario esta rama intermedia AC para proteger al personal ya
que esta rama aísla al sistema mediante un transformador que
trabaja en AC.
 Dispositivos semiconductores de
potencia: Diodo de Potencia
Giovanny Mauricio Cataña Díaz
Ingeniería Eléctrica, Escuela Politécnica Nacional
Quito, Ecuador
giovanny.catana@epn.edu.ec

I. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA II. DIODO DE POTENCIA

A. Switch
Un diodo de potencia es un dispositivo de unión PN de dos
Un switch electrónico se caracteriza por tener dos estados: ON y terminales llamados Ánodo y Cátodo.
OFF. En la Electrónica de Potencia se hace uso de dispositivos
semiconductores para que funcionen como switch.
Si el switch es ideal, cuando el switch está cerrado el voltaje en
este es cero y la corriente diferente de cero, cuando el switch está
abierto el voltaje en este es diferente de cero y la corriente igual
a cero; en ambos casos la potencia es igual a cero.
B. Dispositivos de rectificación
Son dispositivos que permiten el flujo de corriente en una sola
dirección siendo capaces de soportar una diferencia de potencial Fig. 18 Simbología Diodo
en sentido reverso sin flujo de corriente.
C. Diodos
Dependiendo del circuito de potencia puede estar encendido o
apagado según la polarización de este.
D. Tiristores
Entran a conducir por medio de una señal de control, pero para
apagarlos se necesita un circuito de potencia o se apagan de
manera natural. Para el apagado el tiristor debe estar polarizado
inversamente.
E. Switches controlables
Se encienden y apagan por medio de señales de control y son
todos los tipos de transistores.

• Transistor Bipolar TBJ

• Transistor de efecto de campo MOSFET
• Transistor de compuerta asilada IGBT
• Tiristor de apagado por compuerta GTO
• Tiristor controlado tipo MOS
Fig. 19 Diodo tipo tornillo
Los diodos tipo tornillo pueden ser ánodo común o cátodo común.
Caso de ejemplo: En una industria exploto un diodo de los 6 que
habían distribuidos como se indica a continuación:
Dieron la solución de simplemente remplazar el diodo que
exploto por uno nuevo pero el problema surgió aun después de
remplazarlo por segunda vez.
Ya de tantas vueltas y no encontrar solución recurren a la Escuela
Politécnica Nacional, y la solución dada fue ver las características Fig. 21 Curva característica del diodo frente a incremento de T°
del diodo quemado a comparación con el nuevo y en voltaje y
corriente coincidían, pero el error era en que el diodo que exploto Si el voltaje inverso es más grande que el voltaje de ruptura la
era cátodo común y se estaba remplazando por un ánodo común, corriente reversa cambia bruscamente y el diodo puede destruirse.
he ahí la importancia de saber la configuración.
A. Voltaje pico repetitivo reverso VRRM
Es uno de los más importantes, este es el más alto valor de voltaje
reverso que aparece periódicamente en el diodo antes que la
avalancha por voltaje de ruptura ocurra, este VRRM tiene rangos
que van desde los 100 [V] a 2500 [V]. Si se requiere altos voltajes
se deben conectar diodos en serie.
En otras palabras, hay picos de voltaje que aparecen
periódicamente, por lo que hay que evitar que estos voltajes
sobrepasen el voltaje de ruptura ya que el diodo explotará.
B. Voltaje pico no repetitivo reverso VRSM
Es el máximo valor permitido de voltaje reverso a través del diodo
que no debería repetirse, por ejemplo, la energización y
desenergización de la línea de potencia.
En otras palabras, en algún momento aparece un pico de voltaje
que no se repite.

Fig. 20 Curva característica del Diodo

Cuando el diodo esta polarizado directamente se habla del voltaje
de umbral que depende de la potencia del diodo que en diodos de
potencia esta alrededor de 1 [V]. Cuando el diodo esta polarizado
inversamente el diodo esta apagado y existe una corriente de fuga
y existe un voltaje de ruptura.
Cuando existe un incremento de temperatura la corriente de fuga
incrementa como se puede apreciar en línea segmentada de la
Figura 21.

Fig. 22 VRRM y VRSM

Entre otros parámetros característicos tenemos: Ta = tiempo de almacenamiento se mide desde el punto al cual la
corriente pasa por cero hasta cuando existe el pico máximo de la
IFSM = Corriente pico no repetitivo cuando el diodo conduce corriente de recuperación reversa.
IFRM = Corriente pico repetitivo cuando el diodo conduce Tb = tiempo de caída, la corriente una vez que llego a su pico
WRWM = Voltaje pico repetitivo reverso de trabajo empieza a decrecer hasta cero, donde existe la carga de
recuperación reversa.
WRWM = VRRM
𝑡𝑟𝑟 = 𝑡𝑎 + 𝑡𝑏
El voltaje no repetitivo será mayor al voltaje repetitivo ya sea
polarizado el diodo directa o inversamente. Pero en la corriente Trr = tiempo de recuperación inversa y que normalmente es
es lo contrario, es decir, la corriente repetitiva es mayor a la inferior a 1 [us].
corriente no repetitiva. 𝑡𝑎
𝑓𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑠𝑢𝑎𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑 =
C. Representación de características de V-I de un diodo 𝑡𝑏
𝑉𝐹 Si la temperatura aumenta la corriente de fuga aumenta y
IF = 𝐼𝑆 (𝑒 ∝𝑉𝑇 − 1) consecuentemente incrementa el tiempo de apagado.

IF = Corriente a través del diodo en polarización directa Este fenómeno es importante en aplicaciones de alta frecuencia
donde es común hablar de diodos de recuperación rápida que
VF = Voltaje del diodo tengan trr menores que los diodos para aplicaciones de 50-60 [Hz].
IS = Corriente de fuga, corriente de saturación reversa
∝ = constante llamada coeficiente de emisión
∝ = 1 si es de Germanio y ∝ = 2 si es de Silicio
VT = Voltaje térmico = 𝐾𝑇/𝑞
q = carga del electrón = 1.6 x 10 -19 [C]
T= temperatura en °K
K = Constante de Boltzman = 1.38 x 10-23 [Joules/°K] Fig. 24 Carga de recuperación reversa

D. Tiempo de Recuperación reversa 1

𝑄𝑟𝑟 = ∗𝐼 ∗𝑡
2 𝑟𝑟 𝑟𝑟
Para el apagado del diodo esta puede ser natural o forzada, donde
la manera natural se da cuando existe rectificación ya que al Qrr = carga de recuperación reversa
cruzar por cero de la señal se apagaría, se habla de apagado Irr= corriente de recuperación reversa
forzado cuando se aplica una tensión inversa.
La Irr depende de la velocidad de cambio de la corriente por lo que
Si en t=0 [s] inyecto mi tensión inversa la corriente es constante se puede plantear la siguiente ecuación.
por que el diodo esta conduciendo, pero una vez que esta corriente
empieza a decrecer y cruza por cero existe un pico de corriente 𝑑𝑖
llamada corriente de recuperación reversa. 𝐼𝑟𝑟 = 𝑡𝑎 ∗
𝑑𝑡
Remplazando
𝑡𝑟𝑟 = 𝑡𝑎 + 𝑡𝑏
Y despreciando tb se tiene que

𝑑𝑖
𝐼𝑟𝑟 = √2𝑄𝑟𝑟 ∗
𝑑𝑡

Fig. 23 Recuperación reversa

 E. Recuperación Directa del diodo
Fig. 25 Recuperación Directa
En el momento del encendido se polariza directamente al diodo
VRD = Voltaje de recuperación directa (pico de la señal)
TRD = tiempo de recuperación directa, tiempo que demora en recuperación bastante pequeños sin embargo sus costos son
estabilizarse el voltaje y fijarse el llamado voltaje de conducción elevados comparados con los diodos de propósitos generales. Para
El tiempo de recuperación directa no es tan crítico como el tiempo aplicaciones en sistemas de rectificación a frecuencia comercial,
de apagado visto anteriormente
Fig. 26 Influencia de la recuperación inversa en rectificación
En bajas frecuencias se ve un rectificador de media onda común
y corriente con un pico despreciable de recuperación reversa esto
debido al apagado automático, pero cuando hablamos de altas
frecuencias el pico de recuperación reversa ya es considerable
con un tiempo de recuperación reversa significativo.
Ejemplo:
Se trata de un diodo de corriente promedio 150 [A] pero esta
aplicado a un rectificador de 50 [Hz] con una corriente pico X
[A], si se sobrecarga al diodo sobre 10 [s] la corriente pico puede
llegar a 1000 [A], en otras palabras, el diodo soportara dicha
corriente por 10 [s] solamente. De la misma forma podría decir
que 2000 [A] el diodo soportaría por 0.3 [s].
Fig. 27 Curva de sobrecarga de un diodo
III. TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA
Idealmente un diodo no debería tener tiempo de recuperación
reversa, sin embargo, desde el punto de vista de funcionamiento
siempre existirá este tiempo. Existen diodos con tiempos de
estos tiempos no son de mucha importancia, pero para
aplicaciones, especialmente de alta frecuencia, estos tiempos se
deben tener muy en cuenta. En el mercado existen diodos como:
A. Diodos de propósitos generales
Estos diodos tienen altos tiempos de recuperación reverso cercano
a 25 [us]. Las corrientes varían desde 1 [A] hasta varios miles de
amperios (3500 [A]) y con voltajes de 5 [V] a 5 [KV]. Son
utilizados en aplicaciones de baja frecuencia como por ejemplo en
conversores conmutados por línea, rectificadores de potencia para
frecuencias no superiores a 1 [KHz]. El voltaje de conducción
oscila de 0.7 a 1.2 [V].
B. Diodos de recuperación rápida
Tienen bajos tiempos de recuperación cercano a 5 [us]. Los rangos
de corriente varían de 1 [A] a cientos de amperios (1 [KA]) con
rangos de voltaje de 50 [V] a 3 [KV]. El uso de diodos rápidos es
preferible en aplicaciones de circuitos de rectificación controladas
como diodo de paso libre, debido a las bajas perdidas en el
𝑑𝑖
apagado, baja temperatura de juntura y un reducido 𝑑𝑡 . El voltaje
de conducción oscila de 0.8 a 1.5 [V].
 en la Figura 30 con el fin de equiparar la repartición de voltajes de
ruptura en ambos diodos.

Fig. 28 Aplicación de diodo de paso libre

C. Diodos SCHOTTKY
Fig. 30 Conexión para equiparar voltajes de ruptura
Tiene tiempos de apagado relativamente pequeños en el orden de
los [ms]. Tiene baja caída de voltaje, en otras palabras, el voltaje
de conducción va desde 0.4 a 0.6 [V] y bajas perdidas en
recuperación reversa. Maneja voltajes de hasta 100 [V] con
rangos de corriente de 1 a 300 [A], razón por la cual son utilizados
en aplicaciones de bajo voltaje como en fuentes conmutadas o
como diodo de paso libre con frecuencias de 100 [Hz] a 300
[KHz].
D. Diodos de Silicon Carbide (Si C)
Estos elementos pueden soportar voltajes de ruptura reverso de
hasta 600 [V] con corrientes de hasta 200 [A]. El trr es ultra bajo Fig. 31 Conexión para transitorios
y pueden soportar temperaturas más altas. Sobrepasa en
características al diodo Schottky. Se utiliza en aplicaciones como La conexión de resistencias en paralelo a los diodos es para el
diodo de paso libre. Su voltaje de conducción es inferior a 0.5 [V] estado estable y la conexión de los capacitores es para el estado
transitorio. Donde Rs limita los cambios bruscos de corrientes
cuando se coloca el capacitor ya que la impedancia de un capacitor
IV. CONEXIÓN DE DIODOS esta descargado es cero.
B. Conexión Paralelo

En muchas aplicaciones de alto voltaje, los diodos comerciales a Si los diodos no pueden suplir la corriente nominal deseada, en
veces no pueden dar las especificaciones de voltaje requerida, por ciertas aplicaciones se conectan diodos en paralelo como se
lo que es necesario conectar los diodos en serie para aumentar la aprecia en la Figura 32.
capacidad de bloqueo reverso.
A. Conexión Serie

Fig. 32 Conexión en paralelo de diodos

Fig. 29 Conexión serie de diodos
Considerando VD1 = 600 [V] Y VD2 = 400 [V] hay un problema
ya que al llegar a VD1 el diodo 2 se romperá, por lo que, ambos
diodos tienen que ser de un voltaje de ruptura semejante o cercano
entre ellos. La solución es colocar resistencias en paralelo como
Para asegurar la repartición de la corriente de manera equilibrada
los diodos deben tener la misma caída de voltaje directo. Sin
embargo, puesto que las características no son exactamente
iguales, se soluciona este problema conectando resistencias en
serie a cada diodo. En condiciones transitorias la repartición de
corriente se realiza conectando inductores acoplados como
apreciamos en la Figura 32 (b). Al conocer la eficiencia tenemos
No se recomienda dicha conexión por que se aumenta perdidas y 𝑃𝑜
𝑛=
se reduce la eficiencia del circuito. 𝑃𝑖𝑛
También es importante asegurar que los diodos estén montados 2771.28 [𝑊 ]
en disipadores similares como en todo elemento de potencia, ya 𝑃𝑖𝑛 = = 2917.14 [𝑊 ]
0.95
que si se usa disipadores diferentes es posible que saque más
temperatura que el otro y haciendo que los diodos trabajen Considerando que la entrada es monofásica
diferentes. 𝑃𝑖𝑛 = 𝑉𝑖𝑛 ∗ 𝐼𝑖𝑛 ∗ cos (𝜃)
𝑃𝑖𝑛
𝐼𝑖𝑛 =
𝑉𝑖𝑛 ∗ cos (𝜃)
2917.14
𝐼𝑖𝑛 = = 12.68 [𝐴]
230 ∗ 1
En este caso en CEP debería usar un conversor AC-AC con rama
intermedia DC
➢ Para la fuente de poder regulada como se indica en la figura
asumir que el voltaje de entrada VD tiene una forma de onda
triangular. Si el voltaje de salida Vo es igual a 15 [V] y
alimenta a una carga constante, calcule la eficiencia debido a
las pérdidas del transistor.

Fig. 33 Tipos de Disipadores

V. EJERCICIOS

➢ En el conversor estático de potencia de la figura la eficiencia

es el 95%. El voltaje de salida en una carga trifásica es de 200
[VLL RMS] a 52 [Hz]. La corriente de la línea es de 10 [A] con
fp de 0.8 en retraso. El voltaje de entrada al conversor estático
de potencia es monofásico de 230 [V] a 60 [Hz]. Si el fp de
entrada es igual a 1 calcule la potencia y la corriente de
entrada. Fig. 35 Esquema del problema

VD

Vi Vo
CEP Carga
Pi Io VDmax

VDmin
Fig. 34 Esquema del problema
Por carga trifásica sabemos que

𝑃𝑜 = √3 ∗ 𝑉𝐿 ∗ 𝐼𝐿 ∗ cos(𝜃)

𝑃𝑜 = √3 ∗ 200 ∗ 10 ∗ 0.8 Fig. 36 Señal del problema planteado.

𝑃𝑜 = 2771.28 [𝑊] Para la potencia de salida constante tendremos
𝑃𝑜 = 𝑉𝑜 ∗ 𝐼𝑜
 𝑃𝑜 = 15 𝐼𝑜
Para la potencia de entrada tendremos
𝑇
1
𝑃𝑖𝑛 = ∫ 𝑣(𝑡) ∗ 𝑖 (𝑡)𝑑𝑡
𝑇
0

Ya que la corriente es constante

𝑇
1
𝑃𝑖𝑛 = ∗ 𝐼𝑜 ∫ 𝑉𝐷 (𝑡) 𝑑𝑡
𝑇
0

Se podría integrar en intervalos de [0 a ta] y de [ta a T] pero

usando el concepto de la integral, resulta más fácil hallar el área
bajo la curva

VDmax

VDmin

200
Fig. 37 Esquema en conducción directa

Donde VDmax = 30 [V] y VDmin = 20 [V] como dato del problema

𝑇 ∗ (𝑉𝐷 𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝐷 min)

𝐴𝑟𝑒𝑎 = + (𝑇 ∗ 𝑉𝐷 min)
2
-200
𝐴𝑟𝑒𝑎 = 5𝑇 + 20𝑇
𝐴𝑟𝑒𝑎 = 25𝑇 Fig. 38 Voltaje de entrada de fig. 37
1 La potencia de perdidas en el diodo es la potencia de pérdidas
∴ 𝑃𝑖𝑛 = ∗ 𝐼𝑜 ∗ 25𝑇
𝑇 durante la conducción más la potencia de perdidas en el apagado.
El diodo en conducción reversa existe una corriente de fugas.
𝑃𝑖𝑛 = 25 𝐼𝑜
Resolviendo la malla en polarización directa
Calculamos la eficiencia
200 [𝑉 ] − 0.84 [𝑉 ] = 𝐼𝐿 ∗ (0.001 + 1)
𝑃𝑜 15 𝐼𝑜
𝑛% = ∗ 100 = ∗ 100
𝑃𝑖𝑛 25 𝐼𝑜 200 [𝑉 ] − 0.84 [𝑉]
𝐼𝐿 = = 198.96 [𝐴]
𝑛 = 60 % 0.001 + 1
Considerando la configuración del diodo cuando esta polarizado
➢ Para el circuito de la figura, el diodo está representado por una
directamente tenemos que
fuente E en serie con una resistencia Rs en conducción directa
y en conducción reversa el diodo es representado por una 𝑉𝐷 = 0.84 [𝑉 ] + (0.001 [Ω] ∗ 198.96 [𝐴])
resistencia R de 6.6 [MΩ]. Calcule la potencia media de
pérdidas totales en el diodo. 𝑉𝐷 = 1.038 [𝑉]
Ahora hallamos la potencia media
𝑃𝐷𝐶𝐷 = 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜 𝑒𝑛 𝑃𝐷
El intervalo será de [0 a T/2] porque en ese periodo conduce
 𝑇/2
1
𝑃𝐷𝐶𝐷 = ∗ ∫ 1.038 ∗ 198.96 𝑑𝑡
𝑇
0

𝑇/2
206.52
𝑃𝐶𝐷𝐶 = ∗ ∫ 𝑑𝑡
𝑇
0

∴ 𝑃𝐶𝐷𝐶 = 103.26 [𝑊]

Ahora en conducción reversa el circuito equivalente se presenta
a continuación.

Fig. 39 Esquema en conducción reversa

Resolviendo la malla en conducción reversa tenemos
−200 = 𝐼𝐿 ∗ (6.6 ∗ 106 + 1)
−200
𝐼𝐿 = = −30.3 [𝑢𝐴]
6.6 ∗ 106 + 1
El signo se debe a la corriente de fuga que presenta la conducción
reversa
𝑉𝐷 = 6.6 [𝑀Ω] ∗ −30.3 [𝑢𝐴]
𝑉𝐷 = −199.98 [𝑉]
Calculamos la potencia media
𝑇
1
𝑃𝐷𝐶𝑅 = ∗ ∫ −199.98 ∗ −30.3 [𝑢𝐴]𝑑𝑡
𝑇
𝑇/2

𝑇
6.06 [𝑚𝑊]
𝑃𝐷𝐶𝑅 = ∗ ∫ 𝑑𝑡
𝑇
𝑇/2

𝑃𝐷𝐶𝑅 = 3.03 [𝑚𝑊]

Finalmente calculamos la potencia media de perdidas
𝑃𝐿𝑂𝑆𝑆 = 𝑃𝐶𝐷𝐶 + 𝑃𝐷𝐶𝑅
𝑃𝐿𝑂𝑆𝑆 = 103.26 [𝑊] + 3.03 [𝑚𝑊]
𝑃𝐿𝑂𝑆𝑆 = 103.263 [𝑊]
 Dispositivos semiconductores de
potencia: Transistor de Potencia
Giovanny Mauricio Cataña Díaz
Ingeniería Eléctrica, Escuela Politécnica Nacional
Quito, Ecuador
giovanny.catana@epn.edu.ec

I. TRANSISTORES DE POTENCIA Altos rangos de voltaje y corriente permiten aplicaciones en

accionamientos de motores eléctricos de gran potencia, hornos de
inducción, inversores para sistemas de energías renovables,
En Electrónica de Potencia se utilizan los siguientes tipos de conversores de corriente continua en alto voltaje (HVDC),
transistores: compensadores estáticos de potencia reactiva (Compensadores
VAR). Po el contrario aplicaciones de bajo voltaje y alta frecuencia
• Transistores Bipolares TBJ son fuentes de poder tipo switching, conversores resonantes,
sistemas de control en todos los procesos de automatización como
• Transistores de efecto de campo MOSFET por ejemplo un controlador de velocidad.
• Transistor de compuerta asilada IGBT Los transistores bipolares de potencia NPN o PNP solían ser los
• Transistores con tecnología SiC componentes tradicionales utilizados en varias aplicaciones
industriales, sin embargo, la tecnología del IGBT y MOSFET ha
Su uso depende de las necesidades de rangos de voltaje y progresado tanto que los BJTs están siendo desplazados.
corriente en distintas aplicaciones industriales.
Los transistores BJT tienen voltajes de saturación más bajos sobre
su rango de temperatura de funcionamiento, pero son
considerablemente más lento, exhibiendo largos tiempos de
encendido y apagado si se compara con los IGBTs y MOSFETs.

II. TRANSISTORES BIPOLARES DE POTENCIA

El transistor de potencia BJT es un elemento de doble unión

autocontrolado donde la corriente del colector está bajo el control
de la corriente de la base.

Fig. 40 Comparativa de transistores de potencia Fig. 41 Transistor BJT a) NPN y b) PNP

Podemos observar que los MOSFET pueden trabajar a

frecuencias más altas que los IGBT y que BJT debido a que los
MOSFET son más rápido por consecuencia los tiempos de
encendido y apagado son cortos. Pero que así mismo no se los
puede aplicar para altos voltajes.
 A. Características estáticas
Para conversión de potencia el transistor es operado como un
interruptor ideal. En la región de saturación el transistor funciona
con una corriente de base alta de tal manera que el voltaje VCE
idealmente sea cero, es decir el transistor funcionara como un
switch cerrado.

Región Condiciones

Saturación VBE=P.D
VBC=P.D
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
VCE=0=Corto
circuito 𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐶
𝐼𝐶
IB se incrementa 𝑐𝑜𝑚𝑜 =𝛽
𝐼𝐵
Corte VBE=P.I
𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 − 𝛽𝐼𝐵
VBC=P.I
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
VCE=Vcc=Circ.
Abierto Tener en cuenta que:

IB = 0 𝛽
𝛼=
𝛽+1
𝛼
𝛽=
1−𝛼
Si el transistor en conducción no tiene una correcta disipación de
potencia, la temperatura ira incrementando hasta superar la de
juntura y el transistor se dañará.
C. Corte del transistor
El transistor idealmente es un circuito abierto, pero en realidad
existe una pequeña corriente llamada corriente de fugas. Esta
corriente depende de la temperatura.

Fig. 42 Curva característica del transistor Las perdidas del transistor en corte es aproximadamente cero. Pero
existe una corriente llamada corriente de fuga que circula por el
La ganancia de corriente de un transistor es: transistor cuando este está apagado donde dicha corriente se
aproxima a 5 [mA]. Si no se considera que el transistor es ideal
𝐼𝐶 existe estas perdidas debido a la corriente de fuga.
𝛽=
𝐼𝐵
En un datasheet la encontraremos como 𝐼𝐶𝐸𝑂𝐹𝐹 = 1 [𝑚𝐴] que
𝛽 = 8 𝑎 40 dependerá de la temperatura y que si aumenta la temperatura
aumenta la corriente colector-emisor en apagado y
B. Saturación del transistor
consecuentemente aumenta las perdidas.
Se define como el punto por arriba del cual cualquier incremento
D. Área de operación segura
de la corriente de base no aumenta significativamente la corriente
de colector. Para utilizar el transistor sin sobrecalentarlo durante el switcheo, el
transistor debe trabajar dentro de limites llamados área de
operación segura (SOA).
 Existen las perdidas dinámicas que son debidas a las transiciones
del transistor de apagado a encendido y de encendido a apgado.

III. PERDIDAS ESTÁTICAS Y DINÁMICAS DEL TRANSISTOR

Cuando el transistor esta conduciendo existe un VCE y existe una

IC que la carga absorbe. Que conllevan perdidas y estas son
llamadas las perdidas estáticas.
𝑇 = 𝑡𝑂𝑁 + 𝑡𝐴 + 𝑡𝑂𝐹𝐹 + 𝑡𝐷
T= periodo
Fig. 43 Área de operación segura TA = tiempo de activado
En funcionamiento continuo el transistor puede trabajar en el área
TD = tiempo de desactivado
sombreada respetando los límites de voltaje y corriente.
TON = tiempo de encendido
En la Figura 43 se puede ver el límite de corriente de colector, el
límite de disipación de potencia y el limite de segunda avalancha
el cual es un fenómeno destructivo por que si se sobrepasa este
limite el transistor se rompe. Y el límite de Voltaje colector-
emisor.

Fig. 44 Área de operación de curva Fig. 45 Formas de onda de switcheo de transistor

La anterior curva se la analiza con los límites que dependerán del

ancho de pulso que se inyecte que como indica la figura puede A. Pérdidas estáticas
ser de 100 [ms] 10 [ms] 1 [ms] 100 [us] y 10 [us], por ejemplo,
un transistor con un ancho de pulso de 10 [ms] con un voltaje de
200 [V] la corriente máxima será aproximadamente 50 [A]. 𝑡𝐴 𝑡𝐷
1
Cuando el tiempo de encendido es pequeño, el transistor puede 𝑃𝐸 = [∫ 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗ 𝑑𝑡 + ∫ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴𝑆 ∗ 𝑑𝑡]
soportar altos voltajes de potencia instantánea (Potencia de 𝑇
0 0
perdidas). Conforme estos periodos de conducción incrementan
la potencia de perdidas que puede tolerar va disminuyendo.
Al igual que el diodo existen perdidas en el encendido y perdidas B. Pérdidas dinámicas
en el apagado, por lo que, si en un problema nos indica que la I
de fugas es cero, se considera que las pérdidas de apagado Son las perdidas que se dan durante las transiciones, durante el
también son cero, pero si se considera una corriente de fuga tiempo de encendido el VCC pasa a VCESAT y la corriente de fuga
también se considera perdidas en el apagado. pasa a una IC de saturación.
Durante el tiempo de encendido tON
1 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶 2
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 𝑃= ∗( ) ∗ ( ∗ 𝑡𝑂𝑁 )
𝑣 (𝑡) = 𝑉𝐶𝐶 − ∗𝑡 𝑇 4 3
𝑡𝑂𝑁
Donde
La anterior expresión indica que desde el valor de VCC baja a un 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶
valor que depende del tiempo en bajar. 𝑃𝑃𝐼𝐶𝑂 = ( )
4
𝐼𝐶𝑆 − 𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴
𝑖(𝑡) = 𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 + ∗𝑡
𝑡𝑂𝑁
Durante el tiempo de apagado tOFF
La anterior expresión indica con el signo mas que desde la
corriente de fuga aumenta a un valor que depende del tiempo en
subir.
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇
𝑡𝑂𝑁 𝑣 (𝑡) = 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 + ∗𝑡
1 𝑡𝑂𝐹𝐹
𝑃= ∫ 𝑣(𝑡) ∗ 𝑖 (𝑡) ∗ 𝑑𝑡
𝑇 𝐼𝐶𝑆 − 𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴
0 𝑖 (𝑡) = 𝐼𝐶𝑆 − ∗𝑡
𝑡𝑂𝐹𝐹
La anterior expresión es la definición de potencia media.
Considerando que IFUGA = 0 y VCESAT = 0
𝑉𝐶𝐶
Considerando que IFUGA = 0 y VCESAT = 0 ya que: 𝑣 (𝑡 ) = ∗𝑡
𝑡𝑂𝐹𝐹
𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 ≪ 𝐼𝐶 𝑡
𝑖 (𝑡) = 𝐼𝐶𝑆 ∗ (1 − )
𝑡𝑂𝐹𝐹
𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 ≪ 𝑉𝐶𝐶
𝑡𝑂𝐹𝐹
Tenemos que 1 𝑉𝐶𝐶 𝑡
𝑃𝑂𝐹𝐹 = ∫ ∗ 𝑡 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗ (1 − ) ∗ 𝑑𝑡
𝑡 𝑇 𝑡𝑂𝐹𝐹 𝑡𝑂𝐹𝐹
𝑣 (𝑡) = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐶 ∗ 0
𝑡𝑂𝑁 𝑡𝑂𝐹𝐹
𝑡 1 𝑡 𝑡
𝑣 (𝑡) = 𝑉𝐶𝐶 ∗ (1 − ) 𝑃𝑂𝐹𝐹 = ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗ ∫ ∗ (1 − ) ∗ 𝑑𝑡
𝑡𝑂𝑁 𝑇 𝑡𝑂𝐹𝐹 𝑡𝑂𝐹𝐹
0
𝑡 𝑡𝑂𝐹𝐹
𝑖 (𝑡) = 𝐼𝐶 ∗ 1 𝑡 𝑡2
𝑡𝑂𝑁 𝑃= ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗ ∫ ( − ) ∗ 𝑑𝑡
𝑇 𝑡𝑂𝐹𝐹 𝑡𝑂𝐹𝐹 2
Hallando la potencia media 0

𝑡𝑂𝑁 1 𝑡2 𝑡3
1 𝑡 𝑡 𝑃= ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗ [ − ]
𝑃 = ∫ 𝑉𝐶𝐶 ∗ (1 − ) ∗ 𝐼𝐶 ∗ ∗ 𝑑𝑡 𝑇 2 ∗ 𝑡𝑂𝐹𝐹 3 ∗ 𝑡𝑂𝐹𝐹 2
𝑇 𝑡𝑂𝑁 𝑡𝑂𝑁
0
1 𝑡𝑂𝐹𝐹 2 𝑡𝑂𝐹𝐹 3
𝑡𝑂𝑁 𝑃= ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗ [ − ]
𝑇 2 ∗ 𝑡𝑂𝐹𝐹 3 ∗ 𝑡𝑂𝐹𝐹 2
1 𝑡 𝑡
𝑃= ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶 ∫ (1 − )∗ ∗ 𝑑𝑡
𝑇 𝑡𝑂𝑁 𝑡𝑂𝑁 1 𝑡𝑂𝐹𝐹
0 𝑃= ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗
𝑇 6
𝑡𝑂𝑁
1 𝑡 𝑡2 1 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 2
𝑃 = ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶 ∗ ∫ ( − ) ∗ 𝑑𝑡 𝑃= ∗( ) ∗ ( ∗ 𝑡𝑂𝐹𝐹 )
𝑇 𝑡𝑂𝑁 𝑡𝑂𝑁 2 𝑇 4 3
0
Tener en cuenta que la potencia de perdidas en el apagado es mayor
1 𝑡2 𝑡3 a la potencia de perdidas en el encendido. A pesar de que los picos
𝑃 = ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶 ∗ [ − ]
𝑇 2 ∗ 𝑡𝑂𝑁 3 ∗ 𝑡𝑂𝑁 2 sean los mismos en ambos.
1 𝑡𝑂𝑁 2 𝑡𝑂𝑁 3 Se llegaría a entender que es como la Figura 46 en cuanto a la onda
𝑃= ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶 ∗ [ − ] se refiere.
𝑇 2 ∗ 𝑡𝑂𝑁 3 ∗ 𝑡𝑂𝑁 2
1 𝑡𝑂𝑁
𝑃= ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶 ∗
𝑇 6
 La potencia media será:
1 1 1
𝑃= [𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 ∗ ∗ 𝑡𝑂𝑁 + 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗ ∗ 𝑡𝑂𝑁 ]
𝑇 3 6
1 1 1
+ [𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 ∗ 𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 ∗ ∗ 𝑡𝑂𝑁 + 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗ ∗ 𝑡𝑂𝑁 ]
𝑇 6 3
1 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇
𝑃= [𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 ∗ 𝑡𝑂𝑁 ∗ ( + ) + 𝐼𝐶𝑆 ∗ 𝑡𝑂𝑁
𝑇 3 6
𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇
∗( + )]
6 3

Fig. 46 Forma de onda de potencias de perdidas estáticas y 1 2𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 𝑉𝐶𝐶 + 2𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇
𝑃= [𝑡 ( + )] [𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 + 𝐼𝐶𝑆 ]
dinámicas 𝑇 𝑂𝑁 6 6

Ahora consideraremos que IFUGA ≠ 0 y VCESAT ≠ 0 para el tiempo 1 3𝑉𝐶𝐶 + 3𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇

𝑃= [𝑡𝑂𝑁 ( )] [𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 + 𝐼𝐶𝑆 ]
de encendido. 𝑇 6
𝑡𝑂𝑁 1 𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇
1 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 𝐼𝐶𝑆 − 𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 𝑃= [𝑡𝑂𝑁 ( )] [𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 + 𝐼𝐶𝑆 ]
𝑃 = ∫ [𝑉𝐶𝐶 − ∗ 𝑡] [𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 + ∗ 𝑡] 𝑑𝑡 𝑇 3
𝑇 𝑡𝑂𝑁 𝑡𝑂𝑁 1 𝑡𝑂𝑁
0
𝑃= ( ) (𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 )(𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 + 𝐼𝐶𝑆 )
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 𝑡 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 𝑇 3
𝑉𝐶𝐶 − ∗ 𝑡 = 𝑉𝐶𝐶 ∗ (1 − )+ ∗𝑡
𝑡𝑂𝑁 𝑡𝑂𝑁 𝑡𝑂𝑁
𝐼𝐶𝑆 − 𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 𝑡 𝐼𝐶𝑆 IV. ANÁLISIS CON CARGA RESISTIVA CONSIDERANDO LOS
𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 + ∗ 𝑡 = 𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 ∗ (1 − )+ ∗𝑡 RETARDOS DEBIDO A LAS CAPACIDADES PARÁSITAS
𝑡𝑂𝑁 𝑡𝑂𝑁 𝑡𝑂𝑁
𝑡𝑂𝑁
1 𝑡 2
𝑃 = ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 ∗ ∫ (1 − ) ∗ 𝑑𝑡 El paso del estado de corte a saturacion al excitar la base y el paso
𝑇 𝑡𝑂𝑁
0 del estado de saturación a corte al desexcitar la base, no se produce
𝑡𝑂𝑁
en forma instantánea como se desearía, tal como se considera en el
1 𝑡 𝑡2 caso ideal.
+ ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗ ∫ ( − ) ∗ 𝑑𝑡
𝑇 𝑡𝑂𝑁 𝑡𝑂𝑁 2 Cuando damos un pulso a la base, la señal de la base no pasa
0
inmediatamente de 0 a 1, si no que le toma un tiempo y este
𝑡𝑂𝑁
fenomeno es debido a las capacitancias parasitas internas que
1 𝑡 𝑡2
+ ∗ 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 ∗ 𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 ∗ ∫ ( − ) ∗ 𝑑𝑡 aparecen entre el Colector y la Base y entre la Base y el Emisor,
𝑇 𝑡𝑂𝑁 𝑡𝑂𝑁 2 debido a eso existe un tiempo de retardo.
0
𝑡𝑂𝑁
1 𝑡2
+ ∗ 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗ ∫ ∗ 𝑑𝑡
𝑇 𝑡𝑂𝑁 2
0

Resolviendo las integrales tenemos:

𝑡𝑂𝑁 𝑡𝑂𝑁
2
𝑡 2𝑡 𝑡2
∫ (1 − ) ∗ 𝑑𝑡 = ∫ 1 − + ∗ 𝑑𝑡 If
𝑡𝑂𝑁 𝑡𝑂𝑁 𝑡𝑂𝑁 2
0 0

𝑡𝑂𝑁 2 1 𝑡𝑂𝑁 3 1 VCC

= 𝑡𝑂𝑁 − + ∗ = ∗𝑡
𝑡𝑂𝑁 3 𝑡𝑂𝑁 2 3 𝑂𝑁
𝑡𝑂𝑁
𝑡 𝑡2 1 𝑡𝑂𝑁 2 1 𝑡𝑂𝑁 3 1
∫ ( − 2) ∗ 𝑑𝑡 = ∗ − ∗ = ∗𝑡
𝑡𝑂𝑁 𝑡𝑂𝑁 2 𝑡𝑂𝑁 3 𝑡𝑂𝑁 2 6 𝑂𝑁
0 Fig. 47 Respuesta dinámica de una carga resistiva
𝑡𝑂𝑁
𝑡2 1 𝑡𝑂𝑁 3 1 td: es el tiempo de retardo que transcurre entre la polarización de
∫ ∗ 𝑑𝑡 = ∗ = ∗𝑡 la resistencia de la base y el instante en que la corriente de colector
𝑡𝑂𝑁 2
3 𝑡𝑂𝑁 2 3 𝑂𝑁 comienza a crecer (10% Ic).
0
tri: tiempo de subida de la corriente. Tiempo en que la corriente
de colector pasa del 10% al 90% del valor final. 𝐼𝐶𝑆 − 𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴
𝑖 (𝑡) = 𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴 + ∗𝑡
𝑡𝑟𝑖
ts: tiempo de almacenamiento, es el tiempo que transcurre desde
la despolarización de la base y la caída de corriente Ic hasta 90%. Considerando que IFUGA = 0
tfi: es el tiempo de la caída de la corriente. Tiempo que tarda la 𝑣 (𝑡) = 𝑉𝐶𝐶
corriente de colector en bajar del 90% al 10%. 𝐼𝐶𝑆
𝑖 (𝑡 ) = ∗𝑡
En nuestro caso de estudio, el tiempo lo mediríamos desde el 100 𝑡𝑟𝑖
% de la corriente de colector hasta el 0%. En el tiempo tfv
Para el calculo de las perdidas estáticas y dinámicas considerando 𝑖 (𝑡) = 𝐼𝐶𝑆
los tiempos de retardo antes mencionados tenemos que:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇
𝑡𝑂𝑁 = 𝑡𝑑 + 𝑡𝑟𝑖 𝑣(𝑡) = 𝑉𝐶𝐶 − ∗𝑡
𝑡𝑓𝑣
𝑡𝑂𝐹𝐹 = 𝑡𝑠 + 𝑡𝑓𝑖 Considerando VCESAT = 0
Respecto a los cálculos de potencia realizado en las dos hojas 𝑖 (𝑡) = 𝐼𝐶𝑆
anteriores ahora debemos sumarles las potencias debido a los
tiempos td y ts. 𝑉𝐶𝐶
𝑣(𝑡) = 𝑉𝐶𝐶 − ∗𝑡
𝑡𝑓𝑣
En el tiempo td por la Figura 47 podemos determinar que la
potencia será: Por lo que la potencia en tri será:
𝑃 = 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴𝑆 𝑡𝑟𝑖
1 𝐼𝐶𝑆
De la misma manera en el tiempo ts la potencia será: 𝑃𝑟𝑖 = ∫ 𝑉𝐶𝐶 ∗ ∗ 𝑡 ∗ 𝑑𝑡
𝑇 𝑡𝑟𝑖
0
𝑃 = 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 ∗ 𝐼𝐶 𝑡𝑟𝑖
1 𝑡
𝑃𝑟𝑖 = ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∫ ∗ 𝑑𝑡
𝑇 𝑡𝑟𝑖
0
V. ANÁLISIS CON CARGA RESISTIVA INDUCTIVA
1 𝑡𝑟𝑖 2
𝑃𝑟𝑖 = ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗
𝑇 2𝑡𝑟𝑖
El uso de carga resistiva es ideal, ya que en la practica las cargas
son predominantemente inductivas, incluso en el caso que sea 1 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆
𝑃𝑟𝑖 = ∗ ∗ 𝑡𝑟𝑖
resistiva siempre existirá una pequeña inductancia. 𝑇 2
La potencia en tfv será:

𝑡𝑓𝑣
1 𝑉𝐶𝐶
𝑃𝑓𝑣 = ∫ (𝑉𝐶𝐶 − ∗ 𝑡) ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗ 𝑑𝑡
𝑇 𝑡𝑓𝑣
0

𝑡𝑓𝑣
1 𝑡
𝑃𝑓𝑣 = ∫ 𝑉𝐶𝐶 ∗ (1 − ) ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗ 𝑑𝑡
𝑇 𝑡𝑓𝑣
0

𝑡𝑓𝑣
1 𝑡
𝑃𝑓𝑣 = ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∫ (1 − ) ∗ 𝑑𝑡
Fig. 48 Respuesta dinámica en una carga resistiva inductiva 𝑇 𝑡𝑓𝑣
0
𝑡𝑂𝑁 = 𝑡𝑟𝑖 + 𝑡𝑓𝑣 1 𝑡𝑓𝑣 2
𝑃𝑓𝑣 = ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗ (𝑡𝑓𝑣 − )
𝑡𝑂𝐹𝐹 = 𝑡𝑟𝑣 + 𝑡𝑓𝑖 𝑇 2𝑡𝑓𝑣

En el tiempo tri 1 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆

𝑃𝑓𝑣 = ∗ ∗ 𝑡𝑓𝑣
𝑇 2
𝑣 (𝑡) = 𝑉𝐶𝐶
Por lo tanto, la potencia total en ON es igual Considerando que IFUGA = 0
𝑃𝑂𝑁 = 𝑃𝑟𝑖 + 𝑃𝑓𝑣 𝑣 (𝑡) = 𝑉𝐶𝐶
1 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 1 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 𝐼𝐶𝑆
𝑃𝑂𝑁 = ∗ ∗ 𝑡𝑟𝑖 + ∗ ∗ 𝑡𝑓𝑣 𝑖 (𝑡) = 𝐼𝐶𝑆 − ∗𝑡
𝑇 2 𝑇 2 𝑡𝑓𝑖
1 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 𝑡𝑓𝑖
𝑃𝑂𝑁 = ∗ ∗ (𝑡𝑟𝑖 + 𝑡𝑓𝑣) 1 𝑡
𝑇 2 𝑃𝑓𝑖 = ∫ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 (1 − ) ∗ 𝑑𝑡
𝑇 𝑡𝑓𝑖
Pero 0

𝑡𝑓𝑖
𝑡𝑂𝑁 = 𝑡𝑟𝑖 + 𝑡𝑓𝑣 1 𝑡
𝑃𝑓𝑖 = ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∫ (1 − ) ∗ 𝑑𝑡
1 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 𝑇 𝑡𝑓𝑖
𝑃𝑂𝑁 = ∗ ∗ 𝑡𝑂𝑁 0
𝑇 2
1 𝑡𝑓𝑖 2
Donde 𝑃𝑓𝑖 = ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗ (𝑡𝑓𝑖 − )
𝑇 2𝑡𝑓𝑖
𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆
𝑃𝑀𝐴𝑋 = 1 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆
2 𝑃𝑓𝑖 = ∗ ∗ 𝑡𝑓𝑖
𝑇 2
En caso de calcular la energía debemos usar la siguiente
ecuación: Por lo tanto, la potencia total en OFF es igual
𝑊 𝑃𝑂𝐹𝐹 = 𝑃𝑟𝑣 + 𝑃𝑓𝑖
𝑃=
𝑇
Por lo que
1 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆
𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 𝑃𝑂𝐹𝐹 = ∗ ∗ (𝑡𝑟𝑣 + 𝑡𝑓𝑖 )
𝑇 2
𝑊𝑂𝑁 = ∗ 𝑡𝑂𝑁
2 Pero
Ahora en el tiempo trv
𝑡𝑂𝐹𝐹 = 𝑡𝑟𝑣 + 𝑡𝑓𝑖
𝑖(𝑡) = 𝐼𝐶𝑆
1 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 𝑃𝑂𝐹𝐹 = ∗ ∗ 𝑡𝑂𝐹𝐹
𝑇 2
𝑣(𝑡) = 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 + ∗𝑡
𝑡𝑟𝑣 Ahora la potencia de perdidas dinámicas total será
Considerando VCESAT = 0
𝑃𝐷 = 𝑃𝑂𝑁 + 𝑃𝑂𝐹𝐹
𝑖(𝑡) = 𝐼𝐶𝑆
Y la potencia total de perdidas será
𝑉𝐶𝐶
𝑣 (𝑡 ) = ∗𝑡 𝑃𝑇 = 𝑃𝐷𝐼𝑁𝐴𝑀𝐼𝐶𝐴𝑆 + 𝑃𝐸𝑆𝑇𝐴𝑇𝐼𝐶𝐴𝑆
𝑡𝑟𝑣
𝑡𝑟𝑣 Donde las potencias de perdidas estáticas serán cero debido a que
1 𝑉𝐶𝐶 IFUGA = 0 y VCESAT = 0
𝑃𝑟𝑣 = ∫ ∗ 𝑡 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗ 𝑑𝑡
𝑇 𝑡𝑟𝑣
0
𝑡𝑟𝑣
1 𝑡 VI. CIRCUITOS DE AYUDA EN LA CONMUTACIÓN
𝑃𝑟𝑣 = ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∫ ∗ 𝑑𝑡
𝑇 𝑡𝑟𝑣
0

1 𝑡𝑟𝑣 2 A. Snubber durante el encendido tON

𝑃𝑟𝑣 = ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗
𝑇 2𝑡𝑟𝑣 Con el fin de controlar la subida de la corriente de colector I C
1 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 durante el tiempo de encendido, se utiliza un inductor conectado
𝑃𝑟𝑣 = ∗ ∗ 𝑡𝑟𝑣 en serie con la carga como se indica en la Figura 49. Con el fin de
𝑇 2
evitar los cambios bruscos de la corriente que pueden afectar al
En el tiempo tfi transistor cuando este se cierra.
𝑣 (𝑡) = 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑆 − 𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴
𝑖(𝑡) = 𝐼𝐶𝑆 − ∗𝑡
𝑡𝑓𝑖
 Fig. 49 Snubber en tON
La inclusión del inductor L tiene a incrementar las perdidas de
apagado y esto debe ser contrarrestado con circuitos de ayuda en
el apagado.
B. Snubber durante el apagado tOFF
Durante el apagado se conecta un capacitor en paralelo con el Es importante reducir los tiempos de encendido y apagado para
transistor como se indica en la Figura 50. reducir las pérdidas dinámicas.
Fig. 50 Snubber en tOFF
El capacitor se cargará en el apagado y en el encendido se
descarga bruscamente destruyendo el transistor por lo que se
utiliza otra configuración de circuito como el de la Figura 51.
Fig. 51 Snubber en tOFF modificado
En el apagado al abrirse el transistor, la corriente circula por el
diodo y el capacitor se carga, pero al cerrar el switch toda la energía
del capacitor se descargará por la resistencia R.
C. Control durante el encendido
El tiempo tON se puede reducir poniendo un pico de corriente
durante la activación.
En la base se conectan R1 y R2 en paralelo con un capacitor C,
inicialmente el capacitor es un corto circuito por lo que la corriente
de la base.
𝑉1 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵0 =
𝑅1
Y una vez que el capacitor se carga
𝑉1 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵1 =
𝑅1 + 𝑅2
Fig. 52 Control durante el encendido
Con lo que se logra la siguiente señal

Con el fin de reducir el tiempo de encendido del transistor se

inyecta un pico IB0.
D. Control durante el apagado Fig. 54 Circuito de Baker
Para reducir el tiempo de apagado, en algunos casos se Se conecta diodos en serie en la base conjuntamente con un diodo
acostumbra a poner una fuente negativa por medio de circuitos de anti-saturacion Das
conocidos como Totem Pole, tal como se indica en la Figura 53.
𝑉𝐵𝐴𝑆𝐸 = 𝑛𝑉𝐷𝐼𝑂𝐷𝑂 + 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐵𝐴𝑆𝐸 = 𝑉𝐷𝑎𝑠 + 𝑉𝐶𝐸
Con esto se logra equiparar los voltajes
𝑛𝑉𝐷𝐼𝑂𝐷𝑂 + 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐷𝑎𝑠 + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝑛𝑉𝐷𝐼𝑂𝐷𝑂 + 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐷𝑎𝑠
Suele haber un diodo en antiparalelo al transistor y este evita
sobrevoltajes en el C-E del transistor cuando se está apagando al
igual que el diodo antiparalelo a la carga de la Figura 51.
E. Ejercicio
En el circuito de la figura calcular las perdidas estáticas, dinámicas
y la potencia de perdidas total. Para las perdidas estáticas asumir
que VCESAT = 1 [V] y que IFUGAS = 0.1 [uA]. Para las perdidas
dinámicas asumir VCESAT = 0 [V] y que IFUGAS = 0 [A]. El tON = 0.1
Fig. 53 Control durante el apagado [us] y tOFF = 3 [us].

En el prendido se prende con una fuente VCC y para el apagado

con una fuente negativa. Este circuito es con el fin de reducir el
tiempo de apagado del transistor.
Otra forma de reducir el tiempo de apagado es prevenir que el
transistor este altamente saturado. Para esto se dónde un circuito
anti-saturación de conocido como circuito de Baker.

Fig. 55 Esquema del ejercicio

𝑡𝑂𝑁
𝛿 = 0.5 = (𝐷𝑎𝑡𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑝𝑟𝑜𝑏𝑙𝑒𝑚𝑎)
𝑇
Por lo que se considera T/2 para encendido y apagado, si la relación
de trabajo fuera 0.3 en encendido seria T/3 y en apagado T/7
Siempre dibujar formas de onda. Como la carga es resistiva
tendremos lo siguiente:
𝑡𝐴 = 1 ∗ 10−4 − 0.1 ∗ 10−6
Teniendo en cuenta que tiempo de retardo td no nos da, se
entiende que dicho tiempo no existe. 𝑡𝐴 = 99.9 [𝑢𝑠]
𝑃𝐴 = (5 ∗ 103 ) ∗ 20 ∗ 𝑡𝐴
𝑃𝐴 = (5 ∗ 103 ) ∗ 20 ∗ (99.9 ∗ 10−6 )
𝑃𝐴 = 9.99 [𝑊]

𝑡𝐷
1
𝑃𝐷 = ∫ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐹𝑈𝐺𝐴𝑆 ∗ 𝑑𝑡
𝑇
0
𝑡𝐷

𝑃𝐷 = 5 ∗ 10 ∫ 200 ∗ (0.1 ∗ 10−6 ) ∗ 𝑑𝑡

3

0
3)
𝑃𝐷 = (5 ∗ 10 ∗ 200 ∗ (0.1 ∗ 10−6 ) ∗ 𝑡𝐷
𝑇
𝑡𝐷 = − 𝑡𝑂𝐹𝐹 = 1 ∗ 10−4 − 3 ∗ 10−6 = 97 [𝑢𝑠]
2
𝑃𝐷 = (5 ∗ 103 ) ∗ 200 ∗ (0.1 ∗ 10−6 ) ∗ 97 ∗ 10−6
Calculando la potencia de perdidas dinámicas considerando que 𝑃𝐷 = 9.7 [𝑢𝑊]
IFUGAS = 0 y VCE = 0
1 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶 2
𝑃𝑂𝑁 = ∗( ) ∗ ( ∗ 𝑡𝑂𝑁 )
𝑇 4 3
200
200 ∗ 10 2
3) ) ∗ ( ∗ (0.1 ∗ 10−6 ))
𝑃𝑂𝑁 = (5 ∗ 10 ∗(
4 3

𝑃𝑂𝑁 = 0.33 [𝑊]

1 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑆 2
𝑃𝑂𝐹𝐹 = ∗( ) ∗ ( ∗ 𝑡𝑂𝐹𝐹 )
𝑇 4 3
200
200 ∗ 10 2
( 3) ( ) ∗ ( ∗ (3 ∗ 10−6 ))
𝑃𝑂𝐹𝐹 = 5 ∗ 10 ∗
4 3

𝑃𝑂𝐹𝐹 = 10 [𝑊]
Calculando la potencia de perdidas estáticas
𝑡𝐴
1
𝑃𝐴 = ∫ 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 ∗ 𝐼𝐶𝑆 ∗ 𝑑𝑡
𝑇
0
𝑡𝐴
1
𝑃𝐴 = ∫ 1 ∗ 20 ∗ 𝑑𝑡
𝑇
0

𝑇
𝐷𝑜𝑛𝑑𝑒 𝑡𝑂𝑁 + 𝑡𝐴 =
2
𝑇
𝑡𝐴 = − 𝑡𝑂𝑁
2
 Dispositivos semiconductores de
potencia: Tiristor de Potencia
Giovanny Mauricio Cataña Díaz
Ingeniería Eléctrica, Escuela Politécnica Nacional
Quito, Ecuador
giovanny.catana@epn.edu.ec

I. TIRISTORES DE POTENCIA El SCR es un elemento de bloqueo inverso, es decir, solamente

conduce cuando esta polarizado directamente. Pero siempre y
cuando se aplique un pulso en la compuerta para que el SCR
El termino tiristor ha sido adoptado por la IEC (International conduzca.
Electrotechnical Commission) para el Silicon Controlled
En funcionamiento normal, es decir, cuando esta polarizado
Rectifier (SCR), sin embargo, existen otros semiconductores
directamente y se aplica un pulso de corriente a la compuerta del
clasificados como tiristores ya que tienen las mismas
SCR, este permanece encendido, aun cuando se elimine el pulso de
características.
la compuerta, hasta que el SCR sea polarizado inversamente.
• GTO (Gate Turn Off Thyristor)
La estructura del SCR tiene una analogía a dos transistores un NPN
• MCT (MOS Controlled Thyristor) y otro PNP.

• SITH (Static Induction Thyristor)

• TRIAC (Triodo de Alterna)

Otros tiristores que no son muy importantes dele el punto de vista
del manejo de potencia son:
• PUT (Tiristor de unijuntura programable)
• SUS (Switch unilateral de Silicio)

• SBS (Switch bilateral de Silicio)

• LASCR (Tiristor de activado por luz)
A. Estructura básica y operación del SCR
El SCR es básicamente un dispositivo de 4 capas P-N-P-N. Tiene Fig. 2 SCR modelado como 2 transistores
3 electrodos: Ánodo (A), Cátodo (K) y Gate (G)
Estructura del SCR
1) 𝑖𝐵 (𝑛) = 𝑖𝑐(𝑝) + 𝑖𝐺 (𝑛)
2) 𝑖𝐵 (𝑝) = 𝑖𝑐(𝑛) + 𝑖𝐺 (𝑝)
Conocemos que la ganancia
𝛽
𝛼= 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝛽 𝑔𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑡𝑜𝑟
1+𝛽
De manera general para un transistor
𝐼𝐶 =∝ 𝐼𝐸 + 𝐼𝐶𝐵𝑂
Donde 𝐼𝐶𝐵𝑂 = 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑓𝑢𝑔𝑎𝑠

Fig. 1 Estructura y Simbología de un SCR

Tomando en cuenta el coeficiente de multiplicación de los Cuando el tiristor conduce el termino ∝𝑛 𝑚𝑛 −∝𝑝 𝑚𝑝 tiende a 1 y
portadores de avalancha (m) se entiende que la corriente de ánodo es la que circula por el tiristor.
3) 𝑖𝐶 (𝑛) =∝𝑛 𝑚𝑛 𝑖𝐴 + 𝑖𝐶𝐵𝑂𝑛
4) 𝑖𝐶 (𝑝) =∝𝑝 𝑚𝑝 𝑖𝐾 + 𝑖𝐶𝐵𝑂𝑝 II. METODOS DE ACTIVADO
Remplazando 4) en 2) y 3) en 1)
5) 𝑖𝐵 (𝑛) =∝𝑝 𝑚𝑝 𝑖𝐾 + 𝑖𝐶𝐵𝑂𝑝 + 𝑖𝐺 (𝑛) A. Por voltaje

6) 𝑖𝐵 (𝑝) =∝𝑛 𝑚𝑛 𝑖𝐴 + 𝑖𝐶𝐵𝑂𝑛 + 𝑖𝐺 (𝑝) Cuando se incrementa el VAK en ausencia de corriente de

compuerta, es posible que este voltaje sea mayor que el voltaje de
De la Figura 2 tenemos ruptura directo (VBO). En este caso fluye una corriente de fuga
suficiente para iniciar una activación regenerativa.
7) 𝑖𝐴 = 𝑖𝐶 (𝑛) + 𝑖𝐵 (𝑛)
8) 𝑖𝐾 = 𝑖𝐶 (𝑝) + 𝑖𝐵 (𝑝)
Despejando iBm y iBp de las ecuaciones anteriores
9) 𝑖𝐵 (𝑛) = 𝑖𝐴 − 𝑖𝐶 (𝑛)
10) 𝑖𝐵 (𝑝) = 𝑖𝐾 − 𝑖𝐶 (𝑝)
Remplazando 3) en 9) y 4) en 10)
𝑖𝐵 (𝑛) = 𝑖𝐴 −∝𝑛 𝑚𝑛 𝑖𝐴 − 𝑖𝐶𝐵𝑂𝑛
11) 𝑖𝐵 (𝑛) = 𝑖𝐴 (1 −∝𝑛 𝑚𝑛 ) − 𝑖𝐶𝐵𝑂𝑛
𝑖𝐵 (𝑝) = 𝑖𝐾 −∝𝑝 𝑚𝑝 𝑖𝐾 − 𝑖𝐶𝐵𝑂𝑝

12) 𝑖𝐵 (𝑝) = 𝑖𝐾 (1 −∝𝑝 𝑚𝑝 ) − 𝑖𝐶𝐵𝑂𝑝 Fig. 3 Curva característica de SCR

Este método es destructivo por lo que se debe evitar. Sin embargo,
Igualando 5) con 11)
se utiliza en tiristores sin compuerta como el PUT, SBS, SUS que
13 ) 𝑖𝐴 (1 −∝𝑛 𝑚𝑛 ) − 𝑖𝐶𝐵𝑂𝑛 =∝𝑝 𝑚𝑝 𝑖𝐾 + 𝑖𝐶𝐵𝑂𝑝 + 𝑖𝐺 (𝑛) tienen la característica de un SCR pero son usados para disparos de
SCR. Entran a conducir cuando se sobrepasa el voltaje de ruptura.
Para el transistor se cumple que
B. Por temperatura
𝑖𝐴 + 𝑖𝐺 (𝑝) = 𝑖𝐾 + 𝑖𝐺 (𝑛)
Con altas temperaturas, la corriente de fuja en la juntura J2 por
14) 𝑖𝐾 = 𝑖𝐴 + 𝑖𝐺 (𝑝) − 𝑖𝐺 (𝑛) cada 7°C de incremento de temperatura. Este incremento hace que
las ganancias ∝𝑛 y ∝𝑜 incrementen y debido a la acción
Remplazando 14) en 13) regenerativa 𝑚𝑛 ∝𝑛 +∝𝑝 ∝𝑝 tiende a 1.
𝑖𝐴 (1 −∝𝑛 𝑚𝑛 −∝𝑝 𝑚𝑝 ) =∝𝑝 𝑚𝑝 𝑖𝐺 (𝑝) + 𝑖𝐺 (𝑛)(1 −∝𝑝 𝑚𝑝 )

+𝑖𝐶𝐵𝑂𝑝 + 𝑖𝐶𝐵𝑂𝑛

∝𝑝 𝑚𝑝 𝑖𝐺 (𝑝) + 𝑖𝐺 (𝑛)(1 −∝𝑝 𝑚𝑝 ) + 𝑖𝐶𝐵𝑂𝑝 + 𝑖𝐶𝐵𝑂𝑛

𝑖𝐴 =
(1 −∝𝑛 𝑚𝑛 −∝𝑝 𝑚𝑝 )

𝑖𝐺 = 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑎
𝑖𝐶𝐵𝑂 = 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑓𝑢𝑔𝑎𝑠
La expresión nos indica que cuando esta apagado la corriente de
fugas es muy pequeño y que el valor de m, p y n tienden a 1 y
∝𝑛 y ∝𝑝 son bastante pequeños nos queda que:

𝑖𝐴 = 𝑖𝐶𝐵𝑂𝑝 + 𝑖𝐶𝐵𝑂𝑛 Fig. 4 Junturas del SCR

Este método de activado debe evitarse por lo que es necesario el
montaje de los tiristores en disipadores de calor.
 C. Por energía radiante disminuir, pero si dejara de polarizar inversamente el SCR no se
apagara. Por que para el apagado IA debe ser menor que la corriente
Los tiristores como el LASCR pueden activarse por luz de mantenimiento IH.
D. Por transitorios de voltaje dV/dt
Un tiristor puede ser activado en un incremento brusco del VAK
en presencia o en ausencia de la señal de disparo. Este fenómeno
debe evitarse ya que el SCR podría activarse por picos de voltaje
espurios que aparecen o se generan por otros dispositivos. Es por
esta razón que los SCR deben dimensionarse para evitar los
dV/dt. Rangos típicos especificados por el fabricante son entre 10
y 20 [V/us].
Este método no es destructivo, pero si por el ruido de otros
dispositivos pueda que haga que el SCR conduzca.
E. Por efecto transistor (Disparo por compuerta)
Es el método mas comúnmente utilizado y consiste simplemente Fig. 6 Regiones de un SCR
en producir el incremento de la corriente de colector por la
inyección temporal de la corriente de compuerta.
IV. CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS

III. CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS

Las características dinámicas son asociadas con los intervalos de
tiempo de encendido y apagado.

Fig. 5 Curva característica Fig. 7 Características para distintos valores de V-I de un SCR

Conforme aumente la corriente de compuerta el voltaje de En la figura 7 tenemos que los tiempos de activado cambian
bloqueo directo VBO disminuye. conformen cambia el VAK, en otras palabras, manejando la misma
carga con un menor voltaje sucede que el tiempo tfv incrementa y
Con la corriente en la compuerta, la regeneración inicia cuando consecuentemente tON incrementa. Los tiempos de encendido
la corriente de ánodo IA es mayor a la corriente de enganche (IL) dependen del voltaje aplicado VAK y del valor de la carga.
Si se elimina los pulsos de compuerta, el SCR permanece 𝑡𝑂𝑁 = 𝑡𝑑 + 𝑡𝑓𝑣
activado. El SCR se apagará cuando la corriente IA se reduce cero
(teóricamente). Pero, esto se da cuando la corriente IA es menor a Técnicamente se dice que: el tiempo de encendido decrece
la corriente de mantenimiento (IH). conformemente VAK (antes del encendido) incrementa. Y el tiempo
de retardo decrece conforme se incrementa la corriente de
El SCR se enciende cuando el pulso de corriente de ánodo IA compuerta.
sobrepasa la corriente de enganche IL. Al quitar el pulso la
corriente de ánodo IA seguirá creciendo hasta la que sea solicitada El tiempo td y el tiempo tON dependen mucho de las características
para la carga. Por lo que IL dependerá de la corriente de del pulso de compuerta. Ya que se debe garantizar que el tiempo t
compuerta del tiristor. del ancho del pulso de compuerta sea mayor a tON. Por lo que se
acostumbra a poner un tren de pulso como en la Figura 8, ya que
Por polarización inversa la corriente de ánodo IA empieza a
la señal es periódica si no se activa en el primer pulso se activara Cuando el SCR se polariza inversamente que se evidencia en el
en el segundo y si no en el tercero. ciclo negativo de la señal de entrada sinusoidal, existe un tiempo
de recuperación reversa trr en donde por el SCR circula una
corriente de fugas.
En la Figura 9 se ve amplificado la IRR que en la practica o en el
laboratorio si ve un mínimo pico en el osciloscopio.
El primer método de apagado en circuitos de corriente alterna es el
apagado por voltaje inverso también conocido como apagado por
conmutación natural o apagado por línea.
Fig. 8 Tren de pulsos
B. Apagado por conmutación forzada
Las características de subida de corriente dependen de la carga y
debe cuidarse de no exceder los límites de di/dt dados por el La tensión inversa ánodo-cátodo tendera a interrumpir la corriente
fabricante. de ánodo. Para crear una tensión inversa entre los terminales del
SCR cuando esta controlando corriente continua se emplean
Si la señal de compuerta se reduce a cero antes de que la corriente capacitores en paralelo conectados inversamente al diodo como se
IA alcance el valor de enganche IL el tiristor se bloqueará aprecia en la Figura 10 y cabe tener en cuenta que el SCR T2
nuevamente. Una vez que la corriente de fijación ha sido funciona como switch que cerra cerrado para apagar el SCR.
superada, el tiristor permanece conduciendo hasta que la corriente
IA se reduzca por debajo de la corriente de mantenimiento IH.
V. APAGADO DEL SCR
En un SCR debido a la acción de regeneración, una vez que ha
iniciado la conducción, la señal de compuerta pierde control. Para
que el SCR se apague, la corriente IA debe disminuir bajo la
corriente de mantenimiento IH, los tiempos típicos de apagado son
de 10 a 100 [us].
A. Apagado por Voltaje inverso

Fig. 10 Apagado por conmutación forzada

Fig. 9 Apagado por voltaje inverso de SCR
En la onda de la corriente del circuito, la corriente existe hasta
que T2 se cierra ocasionando una polarización inversa del SCR
y dicha corriente empieza a decrecer con un di/dt hasta que la
corriente cruza por cero.
𝑡𝑞 = 𝑡𝑟𝑟 + 𝑡𝑟
C. Apagado por corriente de compuerta
Este procedimiento se utiliza en los GTO’s, los mismos que se
activan por un pulso positivo en la compuerta y se desactivan con Fig. 12 Circuito de protección de di/dt
un pulso negativo. Los GTO’s pueden soportar altos valores de Recordar que la protección es ante picos de transitorios y no contra
voltaje que pueden ir hasta 2.5 [KV] y corriente de hasta 1 [KA]. sobre corrientes. Si quisiera proteger contra sobre corrientes al
Debido a que se pueden apagar rápidamente, son utilizados en SCR se conectaría un fusible ultrarrápido.
aplicaciones de alta frecuencia.
C. Protección contra los dv/dt
Durante el apagado aparecen dv/dt en los terminales de SCR que
podrían activar el SCR aun cuando no exista pulso de compuerta.
Los dv/dt no debe exceder los valores máximos especificados por
el fabricante. Ej. 100 [V/us]. El dv/dt no es de efectos destructivos,
pero podrían activar el SCR en mometnos indeseados y por tanto
producir una sobrecarga perjudicial.

Fig. 11 Tiristores GTO

VI. PROTECCIÓN DE LOS SCR

A. Protección al incremento de temperatura

El uso de disipadores de calor previene que la temperatura
incremente sobre los limites de temperatura de juntura. Las Fig. 13 Circuito de protección de dv/dt
perdidas son aproximadamente en función de i2, luego el valor
Se acostumbra a poner una red Snubber conformado por un
RMS de la corriente se utiliza para dimensionar el SCR (tomando
capacitor C una resistencia Rs y un diodo con el fin de direccionar
en cuenta la relación de trabajo) El valor RMS se toma por que
la corriente en el momento del encendido. En el apagado la
es la suma de componentes continuas y componentes armónicas.
corriente circula por la red Snubber, toda la energía de la carga no
B. Protección contra di/dt se transfiere al transistor bruscamente si no que se amortigua al ir
por la red Snubber. Si vuelvo a activar el SCR el capacitor necesita
Se debe proteger que no exceda los rangos de di/dt especificados descargarse y lo hace por medio de la resistencia RL de la Figura
por el fabricante. La inductancia es la que se opone a cambios 13.
bruscos de la corriente en el momento del encendido. Y
justamente se conecta en serie al SCR una bobina como se ve en 𝑅𝐿 ≫ 𝑅𝑆
la Figura 12.
Valores típicos:
R de 10 [Ω] a 1 [KΩ]
C de 0.01 [F] a 1 [F]
Para proteger de sobre voltajes se acostumbra a poner varistores en
la entrada del circuito.
 VII. MANEJO DE LOS SCR

A. Tierra común
El circuito de control tiene la misma referencia que el cátodo del
SCR, por lo que no me preocuparía por el aislamiento. Existen
aplicaciones que si se necesita de aislamiento.

Fig.16 Acoplamiento por transformador de pulsos

CONTROL
VIII. TRIAC

Conocido como triodo de corriente alterna, es un elemento

Fig. 14 Manejo de SCR con tierra común bidireccional que conduce la corriente en las dos direcciones. Se
utiliza para el control de fase en corriente alterna.
Se tiene un optoaislador con un DIAC que envia pulsos positivos
o negativos que la aplicación de la Figura 15 aplicado a un
TRIAC donde la tierra del TRIAC no puede ser la tierra del
circuito de control por que se corre el riesgo de un corto circuito.

Fig. 17 Simbología TRIAC

Fig. 15 Aislamiento con Optoacopladores Fig. 18 Forma de onda en TRIAC y Carga

B. Acoplamiento por transformador de pulsos

La relación de transformación de un transformador de pulsos es El TRIAC puede ser disparado ya sea con pulsos positivos o
1:1, donde el circuito de la Figura 16 es para proteger a la bobina negativos en el primer y tercer cuadrante, tomando como referencia
primaria del transformador que es manejado por un transistor. el terminal A2.
 Fig. 19 Curva característica de TRIAC
En el primer cuadrante se puede aplicar pulsos positivos o
negativos en la compuerta. En el tercer cuadrante el TRIAC es
mucho mas sensible al pulso negativo.

Fig. 20 Zonas del TRIAC

Deben evitarse los modos de activado que se evitan en el SCR,
luego el modo útil es el pulso de compuerta. El análisis de di/dt y
dv/dt es similar que en los SCRs.
El TRIAC se utiliza para cargas predominantes resistivas pues
existen problemas en la conmutación para cargas inductivas ya
que el TRIAC debe pasar del estado de conducción al estado de
bloqueo en cada punto de corriente cero.
En la actualidad existen TRIAC mejorados conocidos como
ALTERNISTORS con mejores tiempos de apagado si se compara
con los TRIACs convencionales. Sirven para manejar cargas
inductivas.
 Fundamentos matemáticos para EP:
Análisis de Ondas Distorsionadas
Giovanny Mauricio Cataña Díaz
Ingeniería Eléctrica, Escuela Politécnica Nacional
Quito, Ecuador
giovanny.catana@epn.edu.ec

I. ANÁLISIS DE ONDAS DISTORSIONADAS A. Potencia instantánea

La potencia instantánea para cualquier dispositivo es calculada
como el producto del voltaje a traes del dispositivo y la corriente
La conversión estática de energía se basa en utilizar la corriente
que circula por él.
alterna con la corriente continua y convertirla a otro valor por
medio de conversores estáticos de potencia. Esta conversión hace 𝑝( 𝑡 ) = 𝑣 ( 𝑡 ) ∗ 𝑖 ( 𝑡 )
que las ondas resultantes sean distorsionadas.
La potencia es absorbida por el elemento y la potencia es entregada
Para el análisis de ondas distorsionadas es necesario conocer por la fuente como se ve en la Figura 3.
algunas definiciones.

Fig. 1 Circuito de ejemplo

Siendo la entrada una onda sinusoidal, tendremos una corriente Fig. 4 Potencia en a) elemento b) fuente
con una forma de onda pulsante que dependerá del tipo de
configuración y se puede presentar como las Figura 2 y 3
B. Energía
Energía o trabajo es la integral de la potencia instantánea.
𝑡2

𝑊 = ∫ 𝑝(𝑡) ∗ 𝑑𝑡
Fig. 2 Formas de onda V-I de circuito de Figura 1
𝑡1

C. Potencia media
Las funciones periódicas de voltaje y corriente producen una
función de potencia instantánea periódica. La potencia media P es
calculada como:
𝑡𝑜+𝑇 𝑡𝑜+𝑇
1 1
𝑃 = ∫ 𝑝(𝑡) ∗ 𝑑𝑡 = ∫ 𝑣(𝑡) ∗ 𝑖(𝑡) ∗ 𝑑𝑡
𝑇 𝑇
𝑡𝑜 𝑡𝑜

Fig. 3 Onda pulsatoria de corriente Donde T es el periodo de la forma de onda de la potencia. También:
𝑊
𝑃=
𝑇
La potencia media P es conocida como potencia real o potencia Donde la fundamental es
activa, especialmente en circuitos de AC.
√2 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)
La potencia media absorbida en un circuito es igual a la potencia
media abastecida por la fuente, en otras palabras, la potencia de El voltaje de salida esta formado por dos componentes, la
salida es igual a la potencia de entrada. componente de continua y la componente de alterna.

Un caso especial que se encuentra frecuentemente en electrónica E. Factor de rizado

de potencia es la potencia absorbida o abastecida por una fuente
Es la medida del contenido de la componente de alterna
de corriente continua. Ej. Cargadores de batería y fuentes de
poder de CC. 𝑉𝑅𝑀𝑆𝐴𝐶
𝛾=
𝑡𝑜+𝑇 𝑡𝑜+𝑇 𝑉𝐷𝐶
1 1
𝑃𝐷𝐶 = ∫ 𝑣 (𝑡) ∗ 𝑖(𝑡) ∗ 𝑑𝑡 = ∫ 𝑉𝐷𝐶 ∗ 𝑖 (𝑡) ∗ 𝑑𝑡
𝑇 𝑇 𝛾 = √𝐹𝐹 2 − 1
𝑡𝑜 𝑡𝑜
𝑡𝑜+𝑇 F. Factor de utilización del transformador
1
𝑃𝐷𝐶 = 𝑉𝐷𝐶 ∗ ∫ 𝑖(𝑡) ∗ 𝑑𝑡 𝑉𝐷𝐶 ∗ 𝐼𝐷𝐶
𝑇 𝑇𝑈𝑓 =
𝑡𝑜 𝑉𝑆 ∗ 𝐼𝑆
La definición de valor medio es: Donde
𝑡𝑜+𝑇
1 Vs = es el VRMS de la entrada
𝑉𝑚𝑒𝑑 = ∫ 𝑓(𝑡) ∗ 𝑑𝑡
𝑇 Is = es el IRMS de la entrada
𝑡𝑜

∴ 𝑃𝐷𝐶 = 𝑉𝐷𝐶 ∗ 𝐼𝑚𝑒𝑑 VDC = Voltaje medio de salida

𝐼𝑚𝑒𝑑 = 𝐼𝐷𝐶 IDC = Corriente media de salida

∴ 𝑃𝐷𝐶 = 𝑉𝐷𝐶 ∗ 𝐼𝐷𝐶

La anterior ecuación es especifica para cuando la fuente es II. ANÁLISIS ARMÓNICO
continua pura y la corriente es media.

Para encontrar las componentes armónicas de una onda

distorsionada periódica, se pueden descomponer en un conjunto
D. Valor RMS o Eficaz finito de sinusoidales con frecuencias que son múltiplos enteros de
𝑡𝑜+𝑇 la frecuencia fundamental.
2
1
𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟𝑅𝑀𝑆 = ∫ 𝑓 (𝑡) ∗ 𝑑𝑡 ∞
𝑇
𝑡𝑜 𝑓(𝑤𝑡) = 𝐴𝑜 + ∑ [𝐴𝑛 ∗ cos(𝑛𝑤𝑡) + 𝐵𝑛 ∗ cos (𝑛𝑤𝑡)]
𝑛=1
Utilizando el teorema de Parseval
∞ 1/2
Donde:
𝑡
𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟𝑅𝑀𝑆 = [𝐴𝑜2 + ∑ 𝑓𝑛2 ] 2
𝑛=1 1
𝐴𝑜 = ∫ 𝑓 (𝑡) ∗ 𝑑𝑡
∞ 1/2 𝑇
𝑡
−
𝑉𝑅𝑀𝑆 = [𝐴𝑜2 + ∑ 𝑉𝑛2 ] 2

𝑛=1 𝑡
2
𝐴𝑜 = 𝐶𝑜𝑚𝑝𝑜𝑛𝑒𝑛𝑡𝑒 𝐷𝐶 2
𝐴𝑛 = ∫ 𝑓 (𝑡) ∗ sen (𝑛𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑡
𝑇
𝑛 = 𝑜𝑟𝑑𝑒𝑛 𝑑𝑒 𝑎𝑟𝑚ó𝑛𝑖𝑐𝑜 𝑡
−
2
En una onda sinusoidal pura el valor medio es cero y no hay 𝑡
2
armónicos, solo existe la fundamental. 2
𝐵𝑛 = ∫ 𝑓 (𝑡) ∗ cos (𝑛𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑡
∞ 1/2 𝑇
𝑡
𝑉𝑅𝑀𝑆 = [∑ 𝑉𝑛2 ] −
2
𝑛=1

𝑉𝑅𝑀𝑆 = 𝑉𝑛
Los senos y cosenos de la misma frecuencia pueden combinarse B. Potencia Reactiva
en una misma sinusoide, dando como resultado una expresión
∞
alternativa para una serie de Fourier:
∞
𝑄 = ∑ 𝑉𝑛 ∗ 𝐼𝑛 ∗ sen (𝜃𝑣𝑛 − ∅𝑖𝑛)
𝑛=1
𝑓(𝑤𝑡) = 𝐴𝑜 + ∑ 𝐶𝑛 ∗ cos (𝑛𝑤𝑡 + ∅𝑛)
𝑛=1

Donde C. Potencia Aparente

𝐶𝑛 = √𝐴𝑛2 + 𝐵𝑛2 𝑆 = 𝑉𝑅𝑀𝑆 ∗ 𝐼𝑅𝑀𝑆

𝐵𝑛 Para la potencia P y Q solo colaboran armónicos del mismo orden

∅𝑛 = 𝑡𝑎𝑛−1 ( ) esto es Vn e In.
𝐴𝑛
Para voltajes y corrientes Matemáticamente en ondas distorsionadas existe una potencia que
se conoce como potencia de distorsión D.
∞

𝑉 (𝑤𝑡) = 𝑉𝑜 + ∑ 𝐶𝑛𝑣 ∗ sen (𝑛𝑤𝑡 + ∅𝑉𝑛 ) 𝐷 = (𝑆 2 − 𝑃2 − 𝑄2 )1/2

𝑛=1
D. Factor de Potencia
∞

𝑖 (𝑤𝑡) = 𝐼𝑜 + ∑ 𝐶𝑛𝑖 ∗ sen (𝑛𝑤𝑡 + ∅𝑖𝑛 )

𝑛=1 𝑃 𝑉𝑜 ∗ 𝐼𝑜 + ∑∞
𝑛=1 𝑉𝑛 ∗ 𝐼𝑛 ∗ cos (𝜃𝑣𝑛 − ∅𝑖𝑛)
𝑓𝑝 = =
Vo, Io son los valores medios del voltaje y corriente 𝑆 𝑉𝑅𝑀𝑆 ∗ 𝐼𝑅𝑀𝑆
Cnv, Cni son los valores picos de los máximos armónicos del
voltaje y corriente.
E. Distorsión Armónica Total
𝑉𝑅𝑀𝑆 = (𝑉02 + 𝑉12 + 𝑉22 + ⋯ )1/2
Es el factor que nos da una medida de la distorsión de la onda, se
𝐼𝑅𝑀𝑆 = (𝐼02 + 𝐼12 + 𝐼22 +⋯ )1/2 conoce con el nombre de Distorsión Armónica Total
2 1/2
Donde V1, V2, I1, I2 son valores RMS ∑∞
𝑛=2 𝑉𝑅𝑀𝑆 (2𝑑𝑜 𝑎𝑟𝑚ó𝑛𝑖𝑐𝑜 𝑒𝑛 𝑎𝑑𝑒𝑙𝑎𝑛𝑡𝑒)
𝑇𝐻𝐷𝑉 = [ 2 ]
Tener en cuenta que en cualquier función se nos da el valor pico 𝑉𝑅𝑀𝑆_𝐹𝑈𝑁𝐷𝐴𝑀𝐸𝑁𝑇𝐴𝐿
𝜋 𝑇𝐻𝐷𝐼 < 5%
10 𝑠𝑒𝑛 (𝑤𝑡 + )
2
𝑇𝐻𝐷𝑉 < 3%
𝑉𝑃𝐼𝐶𝑂 = 10 [𝑉 ]
𝑇𝐻𝐷𝑉 < 1% (𝐸𝑛 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎𝑠 𝑒𝑠𝑝𝑒𝑐𝑖𝑎𝑙𝑒𝑠)
10
𝑉𝑅𝑀𝑆 = [𝑉] Son responsables de controlar el 𝑇𝐻𝐷𝑉 , las empresas
√2
suministradoras y generadoras de energía.
En caso de que 𝑇𝐻𝐷𝐼 no cumpla con la norma el culpable son los
III. POTENCIAS usuarios y debemos ver cómo mejorar la distorsión armónica, el
factor de potencia va relacionado con el 𝑇𝐻𝐷.
Si hablamos de una sinusoidal pura aparece solo la armónica
A. Potencia Activa fundamental en el voltaje y el valor medio es cero de esta onda
𝑡𝑜+𝑇 sinusoidal. Pero en la corriente puede aparecer n componentes
1 armónicas.
𝑃 = ∫ 𝑣 (𝑡) ∗ 𝑖(𝑡) ∗ 𝑑𝑡
𝑇
𝑡𝑜 𝑉1 ∗ 𝐼1 ∗ cos (𝜃𝑣1 − ∅𝑖1)
𝑓𝑝 =
∞ 𝑉𝑅𝑀𝑆 ∗ 𝐼𝑅𝑀𝑆
𝑃 = 𝑉𝑜 ∗ 𝐼𝑜 + ∑ 𝑉𝑛 ∗ 𝐼𝑛 ∗ cos (𝜃𝑣𝑛 − ∅𝑖𝑛)
𝑛=1
 F. EJERCICIO 1/2
1 2 1 2
➢ Para un sistema que presenta las siguientes series (
) +( )
𝑇𝐻𝐷𝐼 = √2 √2
de Fourier de voltaje y corriente:
5 2
𝜋 ( )
𝑣 (𝑡) = 8𝑠𝑒𝑛(120𝜋𝑡 + ) [ √2 ]
2
𝑇𝐻𝐷𝐼 = 0.2828
𝜋 𝜋
𝑖(𝑡) = 3 + 5𝑠𝑒𝑛 (120𝜋𝑡 + ) + 2𝑠𝑒𝑛 (240𝜋𝑡 + )
8 5 Para el análisis de ondas distorsionadas periódicas se pueden hacer
𝜋
+ 2𝑠𝑒𝑛(360𝜋𝑡 − ) ciertas consideraciones para simplificar el análisis.
4
Si el área el semiciclo positivo y el semiciclo negativo son iguales
¿Cuál es el factor de potencia? el término Ao qué representa el valor medio es cero Ao=0
𝑃 𝑉𝑜 ∗ 𝐼𝑜 + ∑∞
𝑛=1 𝑉𝑛 ∗ 𝐼𝑛 ∗ cos (𝜃𝑣𝑛 − ∅𝑖𝑛)
𝑓𝑝 = = Si 𝑓 (𝑥 + 𝜋) = −𝑓(𝑥) entonces no hay armónicos pares
𝑆 𝑉𝑅𝑀𝑆 ∗ 𝐼𝑅𝑀𝑆
Si 𝑓(−𝑥 ) = −𝑓(𝑥), F par, Bn=0 no hay el termino coseno
v(t) no tienen componente de continua, solamente existe la
fundamental por lo que: Si 𝑓 (−𝑥 ) = 𝑓(𝑥), F impar, An=0 no hay termino seno
𝑉1 ∗ 𝐼1 ∗ cos (𝜃𝑣1 − ∅𝑖1) Ejemplo:
𝑓𝑝 =
𝑉𝑅𝑀𝑆 ∗ 𝐼𝑅𝑀𝑆 ➢ Determine las componentes armónicas de la
𝑉𝑅𝑀𝑆 = (𝑉02 + 𝑉12 + 𝑉22 +⋯ )1/2 siguiente forma de onda:

𝑉𝑅𝑀𝑆 = 𝑉1
𝐼1 ∗ cos (𝜃𝑣1 − ∅𝑖1)
𝑓𝑝 =
𝐼𝑅𝑀𝑆
𝐼𝑅𝑀𝑆 = (𝐼02 + 𝐼12 + 𝐼22 + ⋯ )1/2
2 2 1/2
2
5 2 2
2 51 2
𝐼𝑅𝑀𝑆 = (3 + + + ) =( )
√2 √2 √2 2
5
𝜋 𝜋
𝑓𝑝 = √2 2 ∗ cos ( − ) Tomando como referencia el eje dado
51 2 8
(2)
𝑎𝑛 = 0
𝑓𝑝 = 0.269 𝑎/2
2
Este ejercicio en especifico con componente continua suele 𝑏𝑛 = 2 ∗ ∫ 𝐸 ∗ cos(𝑛𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
aparecer en aplicaciones como rectificadores trifásicos de tres 2𝜋
−𝑎/2
pulsos, dicha componente de continua es perjudicial ya que viaja
𝑎/2
a través de transformadores porque implica saturación del núcleo
2𝐸
del transformador. 𝑏𝑛 = ∫ cos(𝑛𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
𝜋
➢ Para un sistema que presenta la siguiente serie de −𝑎/2

Fourier de corriente: 𝑛𝑎 𝑛𝑎
2𝐸 𝑠𝑒𝑛 ( 2 ) 𝑠𝑒𝑛(− 2 )
𝜋 𝜋 𝑏𝑛 = ∗ −
𝑖(𝑡) = 3 + 5𝑠𝑒𝑛 (120𝜋𝑡 + ) + 1𝑠𝑒𝑛 (240𝜋𝑡 + ) 𝜋 𝑛 𝑛
8 5
𝜋 Como sen es una función impar
+ 1𝑠𝑒𝑛(360𝜋𝑡 − )
4
2𝐸 𝑛𝑎
¿Cuál es la distorsión armónica total? 𝑏𝑛 = ∗ 2𝑠𝑒𝑛 ( )
𝑛𝜋 2
2 1/2
∑∞
𝑛=2 𝐼𝑅𝑀𝑆 (2𝑑𝑜 𝑎𝑟𝑚ó𝑛𝑖𝑐𝑜 𝑒𝑛 𝑎𝑑𝑒𝑙𝑎𝑛𝑡𝑒)
4𝐸 𝑛𝑎
𝑇𝐻𝐷𝐼 = [ ] 𝑏𝑛 = ∗ 𝑠𝑒𝑛 ( )
2
𝐼𝑅𝑀𝑆_𝐹𝑈𝑁𝐷𝐴𝑀𝐸𝑁𝑇𝐴𝐿 𝑛𝜋 2
La función de voltaje sería
𝑉 (𝑡) = 𝑏1 ∗ 𝑐𝑜𝑠(𝑤𝑡) + 𝑏2 ∗ 𝑐𝑜𝑠(2𝑤𝑡) + 𝑏3 ∗ 𝑐𝑜𝑠(3𝑤𝑡)
Como el semiciclo positivo y el semiciclo negativo son iguales
las componentes pares son cero. 2𝐸 𝑛𝑏 𝑛𝑏
𝑎𝑛 = [cos ( ) + cos ( )]
𝑛𝜋 2 2
4𝐸 𝑎 4𝐸 3𝑎
𝑉 (𝑡 ) = ∗ 𝑐𝑜𝑠 ( ) + ∗ cos ( ) ; 𝑛 = 1,3,5,7, … 4𝐸 𝑛𝑏
𝜋 2 3𝜋 2 𝑎𝑛 = [cos ( )]
𝑛𝜋 2
Con el fin de comprobar
Si se desea eliminar el 3er armónico que valor en grados debe tener
𝑎/2 ayb
2𝐸
𝑎𝑛 = ∫ 𝑠𝑒𝑛(𝑛𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡 4𝐸 3𝑏
𝜋
−𝑎/2 𝑎3 = [cos ( )] = 0
3𝜋 2
𝑛𝑎 𝑛𝑎
2𝐸 −𝑐𝑜𝑠 ( 2 ) −𝑐𝑜𝑠(− 2 ) 3𝑏
𝑎𝑛 = ∗ − [cos ( )] = 0
𝜋 𝑛 𝑛 2

Como cos es par 3𝑏

= 90°
2
𝑛𝑎 𝑛𝑎
2𝐸 −𝑐𝑜𝑠 ( 2 ) 𝑐𝑜𝑠( 2 ) 𝑏 = 60°
𝑎𝑛 = ∗ +
𝜋 𝑛 𝑛
𝑎+𝑏 =𝜋
𝑎𝑛 = 0
∴ 𝑎 = 120°
➢ Determinar la potencia
➢ Ahora si cambiamos la referencia

𝑉𝑠 = √2 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 + ∅𝑣)
El semiciclo negativo es una reflexión del semiciclo positivo, por
lo que armónicas pares son cero.
Tomando como referencia REF, no existen términos coseno por
lo que Bn = 0
𝑏
𝜋−
2
2
𝑎𝑛 = ∗ 2 ∫ 𝐸 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑛𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋
𝑏
2

2𝐸 𝑏 𝑏
𝑎𝑛 = [− cos (𝑛 (𝜋 − )) + cos (𝑛 ( ))]
𝑛𝜋 2 2

2𝐸 𝑛𝑏 𝑛𝑏
𝑎𝑛 = [cos ( ) − cos (𝑛𝜋 − )]
𝑛𝜋 2 2
2𝐸 𝑛𝑏 𝑛𝑏 𝑛𝑏
𝑎𝑛 = [cos ( ) − cos(𝑛𝜋) cos ( ) + 𝑠𝑒𝑛(𝑛𝜋)𝑠𝑒𝑛 ( )]
𝑛𝜋 2 2 2
𝑠𝑒𝑛(𝑛𝜋) = 0 𝑦 𝑐𝑜𝑠(𝑛𝜋) = −1 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑛 𝑖𝑚𝑝𝑎𝑟
Para que la corriente sea una señal cuadrada tiene que cumplir
que: 4𝐼𝐷𝐶
𝑎1 =
𝜋
𝑊𝐿 ≫ 𝑅
1 4𝐼𝐷𝐶
∞ ∴ 𝑃 = 𝑉𝑆 ∗ ∗
√2 𝜋
𝑃 = 𝑉𝑜 ∗ 𝐼𝑜 + ∑ 𝑉𝑛 ∗ 𝐼𝑛 ∗ cos (𝜃𝑣𝑛 − ∅𝑖𝑛)
𝑛=1 En la carga debido a la rectificación, la señal de salida de la
corriente será una línea constante positiva de valor IDC
Como el voltaje es sinusoidal pura Vo = 0 y solo tiene el primer
𝜋
armónico. 1
𝑉𝐷𝐶 = ∗ 2 ∫ √2 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
𝑃 = 𝑉1 ∗ 𝐼1 ∗ cos (𝜃𝑣𝑛 − ∅𝑖𝑛) 2𝜋
0

𝑃 = 𝑉𝑆 ∗ 𝐼1 ∗ cos (𝜃𝑣𝑛 − ∅𝑖𝑛) 𝑑𝑖

𝑉𝐷𝐶 = 𝑖𝑅 + 𝐿
Como 𝑑𝑡
El valor medio de una continua pura es 0
𝐶𝑛 = √𝐴𝑛2 + 𝐵𝑛2
𝑉𝐷𝐶
∴ 𝐼𝐷𝐶 =
𝑅
Calculando el factor de potencia, la siguiente expresión se suele
usar si nos solicitan hallar valores RMS usando componentes
armónicas.
1 4𝐼𝐷𝐶
𝑉𝑆 ∗ ∗ 𝜋
𝑃 √2
𝑓𝑝 = =
𝑆 𝑉𝑅𝑀𝑆 ∗ 𝐼𝑅𝑀𝑆

Pero nos interesa la componente uno Donde 𝑉𝑅𝑀𝑆 = 𝑉𝑠

𝑎1 𝐼𝑅𝑀𝑆 = (𝐼02 + 𝐼12 + 𝐼22 + ⋯ )1/2
cos(∅𝑖1 ) =
𝑐1
Io = 0, debido a la forma de onda de Is de la entrada la cual es
Como Bn = 0 simétrica. Componentes pares no existen

𝑏1 = 0 4𝐼𝐷𝐶
𝑎𝑛 =
𝑛𝜋
𝐶1 √𝐴21 + 𝐵12
𝐼1 = = 𝑏𝑛 = 0
√2 √2
𝐼𝑅𝑀𝑆 = (𝐼12 + 𝐼32 + 𝐼52 + ⋯ )1/2
𝐶1
𝑃 = 𝑉𝑆 ∗ ∗ cos (𝜃𝑣1 − ∅𝑖1)
√2 𝐶𝑛 = √𝐴𝑛2 + 𝐵𝑛2
Como no hay desfase en la fuente 𝜃𝑣1 = 0 Como
𝐶1 𝑎1 𝑏𝑛 = 0
𝑃 = 𝑉𝑆 ∗ ∗
√2 𝐶1 𝐶𝑛 = 𝑎𝑛
𝑎1 𝐶3 𝑎3 1 4𝐼𝐷𝐶
𝑃 = 𝑉𝑆 ∗ 𝐼3 = = = ∗
√2 √2 √2 √2 3𝜋
𝜋
2 𝐶5 𝑎5 1 4𝐼𝐷𝐶
𝑎1 = ∗ 2 ∫ 𝐼𝐷𝐶 ∗ 𝑠𝑒𝑛 (𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡 𝐼5 = = = ∗
2𝜋 √2 √2 √2 5𝜋
0
𝐶7 𝑎7 1 4𝐼𝐷𝐶
𝜋 𝐼7 = = = ∗
2𝐼𝐷𝐶 √2 √2 √2 7𝜋
𝑎1 = ∫ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
𝜋 2
0 4𝐼𝐷𝐶 4𝐼𝐷𝐶 2 4𝐼𝐷𝐶 2 4𝐼𝐷𝐶 2
𝐼𝑅𝑀𝑆 = (( ) +( ) +( ) +( )
2𝐼𝐷𝐶 𝜋 √2 ∗ 3𝜋 √2 ∗ 5𝜋 √2 ∗ 7𝜋
𝑎1 = [− cos(𝜋) + cos (0)] 1/2
𝜋
+ ⋯)
 1/2
4𝐼𝐷𝐶 12 12 12
𝐼𝑅𝑀𝑆 = [1 + + + +⋯]
√2 ∗ 𝜋 3 5 7

Remplazando en fp
1 4𝐼𝐷𝐶
𝑉𝑆 ∗ ∗ 𝜋
√2
𝑓𝑝 = 1/2
4𝐼𝐷𝐶 12 1 2 12
𝑉𝑠 ∗ [1 + 3 + 5 + 7 + ⋯ ]
√2 ∗ 𝜋
1
𝑓𝑝 = 1 ≈ 0.9
2 2 2 2
1 1 1
[1 + 3 + 5 + 7 + ⋯ ]

Si utilizamos la definición de IRMS

2𝜋
2
1 2
𝐼𝑅𝑀𝑆 = ∫ 𝐼𝐷𝐶 ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋
0
2
2
𝐼𝐷𝐶
𝐼𝑅𝑀𝑆 = [2𝜋 ]
2𝜋
𝐼𝑅𝑀𝑆 = 𝐼𝐷𝐶
1 4𝐼𝐷𝐶
𝑉𝑆 ∗ ∗
√2 𝜋 4
𝑓𝑝 = = ≈ 0.9
𝑉𝑠 ∗ 𝐼𝐷𝐶 √2𝜋

Calculando THD

𝐼𝑅𝑀𝑆 = (𝐼12 + 𝐼32 + 𝐼52 + ⋯ )1/2

1/2
𝐼32 + 𝐼52 + 𝐼72 + ⋯
𝑇𝐻𝐷 = [ ]
𝐼12
2 1/2
𝐼𝑅𝑀𝑆 − 𝐼12
𝑇𝐻𝐷 = [ ]
𝐼12
2 1/2
𝐼𝑅𝑀𝑆
𝑇𝐻𝐷 = [ − 1]
𝐼12
𝐼1
Como 𝐼 = 0.9
𝑅𝑀𝑆

1/2
12
𝑇𝐻𝐷 = [ − 1]
0.9

𝑇𝐻𝐷 = 48%
Por lo tanto no cumple la norma
 Electrónica de Potencia:
Rectificadores
Giovanny Mauricio Cataña Díaz
Ingeniería Eléctrica, Escuela Politécnica Nacional
Quito, Ecuador
giovanny.catana@epn.edu.ec

I. RECTIFICADORES

Los circuitos de rectificación se dividen en dos grupos:

• Rectificadores de media onda
• Rectificadores de onda completa
Los rectificadores pueden ser no controlados, semi-controlados y
totalmente controlados, dentro de la clasificación de
rectificadores pueden ser monofásicos y trifásicos.
A. Rectificadores no controlados
Contienen en su circuito solamente diodos por lo que la magnitud
del voltaje de salida es fija y es relacionada con el voltaje alterno
de la fuente de alimentación. Fig. 2 Formas de Onda del circuito de la Figura 1

B. Rectificadores completamente controlados Aplicamos un voltaje Vs, ya que el SCR conduce en polarización
directa, pero para que conduzca debe tener un pulso de corriente,
Todos los elementos de rectificación son tiristores (en algunos al poner el pulso ∝ donde ∝ se lo conoce como el ángulo de
casos, diodos con transistores). En esta configuración, el voltaje disparo.
medio de salida puede ser controlado por medio de circuitos de
control del ángulo de fase. Este tipo de rectificadores son a Al aplicar el pulso el SCR se cierra y el voltaje de la resistencia es
menudo descritos como conversores bidireccionales, ya que el el voltaje de la fuente hasta 𝜋 ya que en el semiciclo negativo el
voltaje de salida puede ser positivo o negativo. SCR se apaga por lo que el voltaje en la carga es cero hasta que
ocurra otro disparo y así periódicamente.
C. Rectificadores semi-controlados
Para dimensionar debemos considerar el voltaje pico inverso VPI
Se forman con una combinación de tiristores y diodos. Estos y el voltaje RMS, dicho voltaje dependerá de la carga.
conversores son unidireccionales ya que solamente permiten el
flujo de corriente desde la fuente hacia la carga. 𝑣𝑠 = √2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)
II. RECTIFICADOR MONOFÁSICO CONTROLADO CON CARGA 𝑣𝑠 = 𝑣𝑆𝐶𝑅 + 𝑣𝑅
RESISTIVA
𝑃𝑎𝑟𝑎 0 ≤ 𝑤𝑡 ≤∝
𝑣𝑅 = 0
𝑣𝑆𝐶𝑅 = 𝑣𝑠
𝑃𝑎𝑟𝑎 ∝≤ 𝑤𝑡 ≤ 𝜋
𝑣𝑆𝐶𝑅 = 0
𝑣𝑅 = 𝑣𝑠
Para hallar el valor medio
Fig. 1 Rectificador monofásico con carga resistiva 𝜋
1
𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋
∝
 𝜋 A. Factor de Potencia
√2 𝑉𝑆
𝑉𝐷𝐶 = ∫ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋
∝
El factor de potencia de un rectificador es de total importancia
√2 𝑉𝑆 desde el punto de vista económico. Las industrias son
𝑉𝐷𝐶 = [− cos(𝜋) + cos (∝)] frecuentemente penalizadas por bajo factor de potencia y como
2𝜋
consecuencia no solamente deben pagar por la energía consumida
√2 𝑉𝑆 sino también la penalización por bajo factor de potencia. En
𝑉𝐷𝐶 = [1 + cos (∝)] general, los rectificadores presentan un factor de potencia menor
2𝜋
que la unidad, lo que afectará al momento de dimensión haz el
La corriente será transformador ya que se necesita un transformador más grande
𝑉𝐷𝐶 debido a la presencia de componentes armónicos.
𝐼𝐷𝐶 =
𝑅 Generalmente, los rectificadores de media onda son utilizados para
El valor RMS será cargas pequeñas ya que no tiene un costo considerable en cuanto a
potencia se refiere.
𝜋
2
1 2 𝑃
𝑉𝑅𝑀𝑆 = ∫ (√2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)) ∗ 𝑑𝑤𝑡 𝑓𝑝 =
2𝜋 𝑆
∝
2
𝜋 𝑃 = 𝐼𝑅𝑀𝑆 ∗𝑅
2
𝑉𝑠2 2
𝑉𝑅𝑀𝑆 = ∫(𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)) ∗ 𝑑𝑤𝑡 2
𝐼𝑅𝑀𝑆 ∗𝑅
𝜋 𝑓𝑝 =
∝ 𝑉𝑠 ∗ 𝐼𝑠
Resolviendo la integral 𝐼𝑠 = 𝐼𝑅𝑀𝑆
𝜋 𝜋
2 1 − cos (2𝑤𝑡) 𝐼𝑅𝑀𝑆 ∗ 𝑅
∫(𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)) ∗ 𝑑𝑤𝑡 = ∫ ∗ 𝑑𝑤𝑡 𝑓𝑝 =
2 𝑉𝑠
∝ ∝
Por ley de ohm sabemos que
1 𝑠𝑒𝑛 (2𝑤𝑡) 1 𝑠𝑒𝑛(2 ∝)
= ∗ (𝑡 − ) = ∗ (𝜋 − (∝ − )) 𝑉𝑅𝑀𝑆
2 2 2 2 𝐼𝑅𝑀𝑆 =
𝑅
2
𝑉𝑠2 𝑠𝑒𝑛(2 ∝) 𝑉𝑅𝑀𝑆
𝑉𝑅𝑀𝑆 = [(𝜋−∝) + ] 𝑓𝑝 =
2𝜋 2 𝑉𝑠
1/2 Remplazando VRMS en función de ∝
1 𝑠𝑒𝑛(2 ∝)
𝑉𝑅𝑀𝑆 = 𝑉𝑆 ∗ { [(𝜋−∝) + ]} 1/2
2𝜋 2 1 𝑠𝑒𝑛(2 ∝)
𝑉𝑆 ∗ { [(𝜋−∝) + ]}
2𝜋 2
Si ∝= 0 quiere decir que es un rectificador de media onda no 𝑓𝑝 =
𝑉𝑠
controlado.
1/2
𝑉𝑆 1 𝑠𝑒𝑛(2 ∝)
𝑉𝑅𝑀𝑆 = 𝑓𝑝 = { [(𝜋−∝) + ]}
2𝜋 2
√2
Factor de forma será De la anterior ecuación se concluye que ∝ puede variar entre 0 𝑦 𝜋,
1
y el fp varia entre 𝑦 0.
𝑉𝑅𝑀𝑆 √2
𝐹𝐹 =
𝑉𝐷𝐶 A pesar de ser una carga resistiva que normalmente tiene un fp =
1, en este caso será menor a 1 debido al bloque de rectificación.
Factor de rizado será
2 2
Si nos solicitaran P y Q en función de componentes armónicos nos
√𝑉𝑅𝑀𝑆 − 𝑉𝐷𝐶 está pidiendo lo siguiente:
𝛾= = √𝐹𝐹 2 − 1
𝑉𝐷𝐶
𝑃 = 𝑉1 ∗ 𝐼1 ∗ cos (𝜃𝑣1 − ∅𝑖1)
También se cumple que la corriente IRMS es igual a la corriente
de la fuente IS(RMS). 𝑄 = 𝑉1 ∗ 𝐼1 ∗ sen (𝜃𝑣1 − ∅𝑖1)
Por lo que solo debo hallar a1 y b1
 𝜋 𝐶1
2 𝑉𝑆 𝐼1 =
𝑎1 = ∫ √2 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡 √2
2𝜋 𝑅
∝
𝑎1
𝜋 cos(∅𝑖1) =
2 𝑉𝑆 𝐶1
𝑎1 = ∫ √2 ∗ 𝑠𝑒𝑛2 (𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋 𝑅 Como el ángulo del voltaje es 0°
∝
𝜋 𝐶1𝑎1
√2𝑉𝑆 𝑃 = 𝑉𝑠 ∗ ∗
𝑎1 = ∫ 𝑠𝑒𝑛2 (𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡 √2 𝐶1
𝜋𝑅
∝ 𝑉𝑠
𝑃= ∗ 𝑎1
Resolviendo la integral √2
𝜋 𝜋
1 − cos (2𝑤𝑡) Remplazando a1
2
∫(𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)) ∗ 𝑑𝑤𝑡 = ∫ ∗ 𝑑𝑤𝑡
2 𝑉𝑠 √2𝑉𝑆 𝑠𝑒𝑛(2 ∝)
∝ ∝ 𝑃= ∗ ((𝜋−∝) + ( ))
√2 2𝜋𝑅 2
1 𝑠𝑒𝑛 (2𝑤𝑡) 1 𝑠𝑒𝑛(2 ∝)
= ∗ (𝑡 − ) = ∗ (𝜋 − (∝ − ))
2 2 2 2 𝑉𝑆2 𝑠𝑒𝑛(2 ∝)
𝑃= ((𝜋−∝) + ( ))
2𝜋𝑅 2
√2𝑉𝑆 𝑠𝑒𝑛(2 ∝)
𝑎1 = ((𝜋−∝) + ( ))
2𝜋𝑅 2 Para hallar Q tenemos que
𝑏1
Ahora hallando b1 sen(∅𝑖1) =
𝐶1
𝜋
2 𝑉𝑆 𝐶1 𝑏1
𝑏1 = ∫ √2 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑐𝑜𝑠(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡 𝑄 =𝑠∗ ∗
2𝜋 𝑅 𝐶
∝ √2 1
𝜋 𝑉𝑠
√2𝑉𝑆 𝑄= ∗ 𝑏1
𝑏1 = ∫ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑐𝑜𝑠(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡 √2
𝜋𝑅
∝
𝑉𝑠 √2𝑉𝑆
Resolviendo la integral 𝑄= ∗ ∗ (cos(2 ∝) − 1)
√2 4𝜋𝑅
𝜋
𝑉𝑆2
∫ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑐𝑜𝑠(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡 𝑄= ∗ (cos(2 ∝) − 1)
4𝜋𝑅
∝
Como la corriente no es sinusoidal, la potencia aparente será
Donde calculada como:
𝑠𝑒𝑛(2𝑤𝑡) = 2 ∗ 𝑠𝑒𝑛(2𝑤𝑡)cos (𝑤𝑡) 𝑆 = 𝑉𝑆 ∗ 𝐼𝑆
𝜋 𝜋
𝑠𝑒𝑛(2𝑤𝑡) cos(2𝑤𝑡) 𝐼𝑆 = 𝐼𝑅𝑀𝑆
∫ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑐𝑜𝑠(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡 = ∫ =−
2 4
∝ ∝ 𝑉𝑆 = 𝑉𝑅𝑀𝑆
1/2
√2𝑉𝑆 1 𝑠𝑒𝑛(2 ∝)
𝑏1 = ∗ (cos(2 ∝) − 1) 𝑉𝑅𝑀𝑆 = 𝑉𝑆 ∗ { [(𝜋−∝) + ]}
4𝜋𝑅 2𝜋 2
𝑉𝑅𝑀𝑆
𝐼𝑅𝑀𝑆 =
𝑅
𝑉𝑆2 𝑠𝑒𝑛(2 ∝)
𝑆= [(𝜋−∝) + ]
2𝜋 2

Como conozco S, P y Q ya puedo hallar la potencia de distorsión

D con la siguiente ecuación:
𝑆 2 = 𝑃2 + 𝑄2 + 𝐷 2
Ahora el factor de potencia será Para 𝛼 ≤ 𝑤𝑡 ≤ 𝛽

𝑉𝑆2 𝑠𝑒𝑛(2 ∝) 𝑑𝑖𝐿

( ) √2 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) = 𝐿 + 𝑖𝐿 𝑅
2𝜋𝑅 ( 𝜋−∝ + ( ))
2 𝑑𝑡
𝑓𝑝 =
𝑉𝑆2 𝑠𝑒𝑛 (2 ∝) Para 𝑤𝑡 = 𝛼
( )
2𝜋 [ 𝜋−∝ + ]
2
𝑖(𝑤𝑡) = 0
𝑠𝑒𝑛(2 ∝)
1 (𝜋−∝) + ( )
2 Para 𝑤𝑡 = 𝛽
𝑓𝑝 = ∗
𝑅 ( 𝑠𝑒𝑛(2 ∝)
𝜋−∝) + 𝑖(𝑤𝑡) = 0
2
Resolviendo la expresión

√2 𝑉𝑠 𝑤𝑡
III. RECTIFICADOR MONOFÁSICO CONTROLADO CON CARGA R-L −
𝑖 (𝑤𝑡) = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 − ∅) + 𝐼𝑜 𝑒 𝑡𝑔(∅)
|𝑍|
𝑊𝐿
𝑡𝑔(∅) =
𝑅
Con condiciones iniciales tenemos que

√2 𝑉𝑠 𝛼
−
𝑖 (𝛼 ) = 0 = ∗ 𝑠𝑒𝑛 (𝛼 − ∅) + 𝐼𝑜 𝑒 𝑡𝑔(∅)
|𝑍|
Despejando Io

√2 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅)
𝐼𝑜 = − ∗ 𝛼
|𝑍| −
𝑒 𝑡𝑔(∅)
Fig. 3 Rectificador monofásico controlado con carga R-L Remplazando en la ecuación original tenemos

√2 𝑉𝑠 𝑤𝑡
√2 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) − 𝑡𝑔(∅)
𝑖(𝑤𝑡) = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 − ∅) − ∗ 𝛼 𝑒
|𝑍| |𝑍| −
𝑒 𝑡𝑔(∅)
Utilizando la otra condición inicial

√2 𝑉𝑠 𝛽
√2 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) − 𝑡𝑔(∅)
𝑖 (𝛽 ) = 0 = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) − ∗ 𝛼 𝑒
|𝑍| |𝑍| −
𝑒 𝑡𝑔(∅)
𝛽
−
𝑒 𝑡𝑔(∅)
𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) = 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) ∗ 𝛼
−
𝑒 𝑡𝑔(∅)

𝛽 𝛼
−
𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) = 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) ∗ 𝑒 𝑡𝑔(∅) ∗ 𝑒 𝑡𝑔(∅)
𝛽−𝛼
−
𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) = 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) ∗ 𝑒 𝑡𝑔(∅)

De igual manera esa expresión se la resuelve por métodos iterativos

Fig. 4 Formas de onda del circuito de la Figura 3 para determinar el valor de 𝛽 dando valores desde 𝜋 a 2𝜋 ya que 𝛽
será variable dependiendo del valor de la bobina.
𝛽 es conocido como ángulo de apagado o ángulo de extinción. La
corriente aparece cuando se dispara y se apaga cuando se Se recomienda tomar 𝛽 = 190°, 𝛽 = 200°, 𝛽 = 210°
extingue. Se conoce como conducción discontinua por que la 𝛽
corriente llega a valer cero. 1
𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
La corriente de la carga ya no sigue la forma del voltaje, pero se 2𝜋
∝
puede derivar de la siguiente ecuación diferencial.
√2 𝑉𝑆
𝑑𝑖𝐿 𝑉𝐷𝐶 = [− cos(𝛽 ) + cos (∝)]
𝐿 + 𝑖𝐿 𝑅 = √2 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) 2𝜋
𝑑𝑡
Donde 𝜃 es el angulo de conducción
𝜃 =𝛽−𝛼 𝛽−𝛼
−
𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) = 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) ∗ 𝑒 𝑡𝑔(∅)

El valor medio puede expresarse como 𝜋 𝜋

𝑠𝑒𝑛 (𝛽 − ) = 𝑠𝑒𝑛 (𝛼 − )
√2 𝑉𝑆 2 2
𝑉𝐷𝐶 = [− cos(𝜃 + 𝛼 ) + cos (∝)]
2𝜋 𝛽 = 2𝜋 − 𝛼
√2 𝑉𝑆 𝜃 𝜃 Determine la expresión de la corriente si la carga es una
𝑉𝐷𝐶 = ∗ 𝑠𝑒𝑛 ( ) ∗ 𝑠𝑒𝑛 (𝛼 + ) inductancia pura
𝜋 2 2
Ya que el valor medio de la inductancia es cero √2 𝑉𝑠 √2 𝑉𝑠 𝑤𝑡−𝛼
−
𝑖 (𝑤𝑡) = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 − ∅) − 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) ∗ 𝑒 𝑡𝑔(∅)
𝑉𝐷𝐶 |𝑍| |𝑍|
𝐼𝐷𝐶 =
𝑅 √2 𝑉𝑠 𝜋 𝜋
𝛽 𝑖(𝑤𝑡) = [𝑠𝑒𝑛 (𝑤𝑡 − ) − 𝑠𝑒𝑛 (𝛼 − )]
|𝑍| 2 2
2
1 2
𝑉𝑅𝑀𝑆 = ∫ (√2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛 (𝑤𝑡)) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋 Para 𝛼 = 0°
∝

𝛽 √2 𝑉𝑠 𝜋
𝑉𝑠2 𝑖 (𝑤𝑡) = [𝑠𝑒𝑛 (𝑤𝑡 − ) + 1]
2 2 |𝑍| 2
𝑉𝑅𝑀𝑆 = ∫(𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)) ∗ 𝑑𝑤𝑡
𝜋
∝

Resolviendo la integral IV. CONVERSOR AC-DC MONOFÁSICO DE MEDIA ONDA CON CARGA
𝛽 𝛽 R-L-E
2 1 − cos (2𝑤𝑡)
∫(𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)) ∗ 𝑑𝑤𝑡 = ∫ ∗ 𝑑𝑤𝑡
2
∝ ∝

1 𝑠𝑒𝑛(2𝑤𝑡)
= ∗ (𝑡 − )
2 2

1 𝑠𝑒𝑛(2𝛽 ) 𝑠𝑒𝑛(2 ∝)
= ∗ ((𝛽 − ) − (∝ − ))
2 2 2

2
𝑉𝑠2 𝑠𝑒𝑛(2 ∝) 𝑠𝑒𝑛(2𝛽 ) Fig. 4 Rectificador media onda con carga R-L-E
𝑉𝑅𝑀𝑆 = [(𝛽−∝) + ( − )]
2𝜋 2 2
1/2
1 𝑠𝑒𝑛(2 ∝) 𝑠𝑒𝑛(2𝛽 )
𝑉𝑅𝑀𝑆 = 𝑉𝑆 ∗ { [(𝛽−∝) + ( − )]}
2𝜋 2 2

La corriente RMS se encuentra más fácilmente por armónicos wt

0
Para hallar el factor de potencia tenemos
2
𝑃 = 𝐼𝑅𝑀𝑆 ∗𝑅
Fig. 5 Forma de onda de salida del circuito de la Figura 4
2
𝐼𝑅𝑀𝑆 ∗ 𝑅 𝐼𝑅𝑀𝑆 ∗ 𝑅 𝑉𝑅𝑀𝑆
𝑓𝑝 = = = Podemos observar en la Figura 5 que a comparación de con carga
𝑉𝑆 ∗ 𝐼𝑅𝑀𝑆 𝑉𝑆 𝑉𝑆 R-L la señal de salida se ha desplazado un valor E hacia arriba del
1/2 eje de referencia. La carga R-L-E es equivalente a la de un motor.
1 𝑠𝑒𝑛(2 ∝) 𝑠𝑒𝑛(2𝛽 )
𝑓𝑝 = { [(𝛽−∝) + ( − )]} Para la forma de onda de la corriente solo habrá conducción en el
2𝜋 2 2 intervalo de 𝛼 𝑎 𝛽.
𝑠𝑖 𝑊𝐿 ≫ 𝑅, 𝑅 = 0 𝑣𝑠 = √2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)
𝑊𝐿
𝑡𝑔(∅) = El tiristor conduce cuando esta polarizado directamente y cuando
𝑅 tiene un pulso en la compuerta, existe un 𝛼 critico o también
𝜋 conocido como mínimo que se debe garantizar que 𝛼 sea mayor a
∅= 𝛼 𝑐𝑟í𝑡𝑖𝑐𝑜 para la conducción del tiristor.
2
 𝐸
∝ 𝑚𝑖𝑛 = 𝑠𝑒𝑛−1 ( )
√2𝑉𝑆

Voltaje medio en la carga

𝛽 2𝜋+𝛼
1
𝑉𝐿 = [∫ √2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡 + ∫ 𝐸 ∗ 𝑑𝑤𝑡]
2𝜋
𝛼 𝛽

1
𝑉𝐿 = [√2𝑉𝑆 (− cos(𝑤𝑡)) + 𝐸]
2𝜋
√2𝑉𝑆 𝐸 𝑅
𝑉𝐿 = (cos(𝛼 ) − cos(𝛽 )) + (2𝜋 + 𝛼 − 𝛽 ) cos(∅) =
2𝜋 2𝜋 |𝑍|

√2 𝑉𝑠 𝑚 𝑤𝑡−𝛼
Para 𝛼 ≤ 𝑤𝑡 ≤ 𝛽 −
𝑖(𝑤𝑡) = {[ ] [ 𝑒 𝑡𝑔(∅) − 1]
𝑑𝑖𝐿
|𝑍| cos(∅)
𝑤𝑡−𝛼
√2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) = 𝑖𝐿 𝑅 + 𝐿 +𝐸 −
𝑑𝑡 + [𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 − ∅) − 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) 𝑒 𝑡𝑔(∅) ]}

E es conocido como la fuerza electromotriz

Para 𝑤𝑡 = 𝛽
√2 𝑉𝑠 𝑤𝑡 𝐸
−
𝑖(𝑤𝑡) = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 − ∅) + 𝐼𝑜 𝑒 𝑡𝑔(∅) − 𝑖(𝑤𝑡) = 0
|𝑍| 𝑅
Remplazando en la ecuación anterior
Para 𝑤𝑡 = 𝛼
√2 𝑉𝑠 𝑚 𝛽−𝛼
−
𝑖(𝑤𝑡) = 0 0= {[ ] [ 𝑒 𝑡𝑔(∅) − 1]
|𝑍| cos(∅)
𝛼 𝛽−𝛼
√2 𝑉𝑠 − 𝐸 −
𝑖 (𝛼 ) = 0 = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) + 𝐼𝑜 𝑒 𝑡𝑔(∅) − + [𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) − 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) 𝑒 𝑡𝑔(∅) ]}
|𝑍| 𝑅
𝛼 𝑚 𝛽−𝛼
𝐸 √2 𝑉𝑠 −
𝐼𝑜 = [ − ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅)] 𝑒 𝑡𝑔(∅) [ ] [ 𝑒 𝑡𝑔(∅) − 1]
𝑅 |𝑍| cos(∅)
𝛽−𝛼
−
Remplazando en la ecuación original = [−𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) + 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) 𝑒 𝑡𝑔(∅) ]

√2 𝑉𝑠 Reescribiendo tenemos
𝑖 (𝑤𝑡) = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 − ∅)
|𝑍|
𝑚 𝑚 𝛽−𝛼
−
𝐸 √2 𝑉𝑠 𝑤𝑡−𝛼 𝐸 𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) − = [𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) − ] 𝑒 𝑡𝑔(∅)
+[ −
−
∗ 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅)] 𝑒 𝑡𝑔(∅) − cos(∅) cos(∅)
𝑅 |𝑍| 𝑅
El valor de 𝛽 se halla por iteración dando valores como
𝐸 𝑤𝑡−𝛼 √2 𝑉𝑠
−
𝑖 (𝑤𝑡) = ∗ [ 𝑒 𝑡𝑔(∅) − 1] + ∗ [𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 − ∅) 𝛽 = 190°, 𝛽 = 200°, 𝛽 = 210°
𝑅 |𝑍|
𝑤𝑡−𝛼
−
− 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) 𝑒 𝑡𝑔(∅) ]

𝑤𝑡−𝛼
V. EJERCICIOS
√2 𝑉𝑠 𝐸|𝑍| −
𝑖(𝑤𝑡) = {[ ] [ 𝑒 𝑡𝑔(∅) − 1] A. Para el circuito de la figura, determine el valor medio del
|𝑍| 𝑅√2 𝑉𝑠
𝑤𝑡−𝛼 voltaje en la carga y la corriente de carga si el ángulo de
−
+ [𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 − ∅) − 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) 𝑒 𝑡𝑔(∅) ]} disparo 𝛼 = 0°. La fuente de AC es de 240 [V], 50 [Hz].
Suponer despreciable la caída de tensión en el tiristor. R=
𝐸 10 [Ω] y L=0.1 [Hz].
= 𝑠𝑒𝑛 (∝ 𝑚𝑖𝑛) = 𝑚
√2𝑉𝑆
 Para 𝛽 = 270°
270 𝜋
𝑠𝑒𝑛(270 − 72.34) = 𝑠𝑒𝑛 (−72.34) ∗ 𝑒 − ∗
𝜋 180

−0.3033 ≠ −0.2125
Para 𝛽 = 265°
265 𝜋
𝑠𝑒𝑛(265 − 72.34) = 𝑠𝑒𝑛 (−72.34) ∗ 𝑒 − ∗
𝜋 180

−0.21916 ≈ −0.21915
Remplazando en

√2𝑉𝑆
𝑉𝐷𝐶 = ∗ (− cos(𝛽 ) + 1)
2𝜋
√2 ∗ 240
𝑉𝐷𝐶 = ∗ (− cos(265) + 1)
2𝜋
𝑉𝐷𝐶 = 58.72 [𝑉 ]
𝑉𝐷𝐶 58.72
𝐼𝐷𝐶 = = = 5.872 [𝐴]
𝑅 10
Hallando Vrms
𝛽
2
1 2
𝑉𝑅𝑀𝑆 = ∫ (√2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋
0

𝛽 𝛽
1 2
𝑉𝑠2 2
𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡 𝑉𝑅𝑀𝑆 = ∫(𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋 𝜋
0 0

√2𝑉𝑆 Resolviendo la integral

𝑉𝐷𝐶 = ∗ (− cos(𝑤𝑡))
2𝜋 𝛽 𝛽
2 1 − cos (2𝑤𝑡)
√2𝑉𝑆 ∫(𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)) ∗ 𝑑𝑤𝑡 = ∫ ∗ 𝑑𝑤𝑡
𝑉𝐷𝐶 = ∗ (− cos(𝛽 ) + 1) 2
2𝜋 0 0

Para esta configuración 1 𝑠𝑒𝑛(2𝑤𝑡)

= ∗ (𝑡 − )
2 2
√2 𝑉𝑠 𝑤𝑡
√2 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) − 𝑡𝑔(∅)
𝑖 (𝑤𝑡) = ∗ 𝑠𝑒𝑛 (𝑤𝑡 − ∅) − ∗ 𝛼 𝑒 1 𝑠𝑒𝑛(2𝛽 )
|𝑍| |𝑍| −
= ∗ (𝛽 − )
𝑒 𝑡𝑔(∅) 2 2
𝛽−𝛼
−
𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) = 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) ∗ 𝑒 𝑡𝑔(∅)
2
𝑉𝑠2 𝑠𝑒𝑛(2𝛽 )
𝑉𝑅𝑀𝑆 = [𝛽 − ]
𝑊𝐿 2𝜋 ∗ 50 ∗ 0.1 2𝜋 2
𝑡𝑔(∅) = = =𝜋
𝑅 10 1 𝑠𝑒𝑛(2𝛽 )
1/2
𝑉𝑅𝑀𝑆 = 𝑉𝑆 ∗ { [𝛽 − ]}
∅ = 72.34° 2𝜋 2
Para 𝛽 = 260° 1/2
1 𝜋 𝑠𝑒𝑛(2 ∗ 265)
260 𝜋 𝑉𝑅𝑀𝑆 = 240 ∗ { [265 ∗ − ]}
2𝜋 180 2
𝑠𝑒𝑛(260 − 72.34) = 𝑠𝑒𝑛(−72.34) ∗ 𝑒 − ∗
𝜋 180

260 𝑉𝑅𝑀𝑆 = 203.97 [𝑉]

−0.1332 = −0.9528 ∗ 𝑒 − 180
−0.1332 ≠ −0.2247
Para hallar IRMS se debería realizar la siguiente integral b) Despreciando la caída de tensión en el tiristor y el diodo,
𝛽
especifique los rangos de los tiristores.
2
2 √2 𝑉𝑠 √2 𝑉𝑠
𝐼𝑅𝑀𝑆 = ∫[ ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 − ∅) − 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅)
2𝜋 |𝑍| |𝑍|
0
𝑤𝑡−𝛼
−
∗ 𝑒 𝑡𝑔(∅) ] ∗ 𝑑𝑤𝑡

Resolviendo la integral
1
𝑉𝑆 ∗ cos (∅) 𝜃 𝑠𝑒𝑛(𝜃) ∗ cos (2𝛼 + 𝜃 + ∅) 2
𝐼𝑅𝑀𝑆 = [ − ]
√2 ∗ 𝑅 𝜋 𝜋 ∗ cos (∅)

Un método aproximado es obtener las componentes armónicas

del voltaje
𝑊𝐿 ≫ 𝑅 significa que la conducción es continua pura en la carga
𝛽
y generalmente esta condición se encuentra en la mayoría de las
2
𝑎𝑛 = ∫ √2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑛𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡 aplicaciones.
2𝜋
0
Otra forma de representación de la condición 𝑊𝐿 ≫ 𝑅 es que en
𝛽 la carga se presente una fuente de corriente.
2
𝑏𝑛 = ∫ √2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑐𝑜𝑠(𝑛𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡 Las formas de onda serán las siguientes. Donde en el semiciclo
2𝜋
0 positivo conduce el tiristor, y supuestamente la forma de onda en
el semiciclo negativo seguiría la forma de onda sinusoidal debido
𝐼𝑆2 = 𝐼𝐷𝐶
2
+ 𝐼12 + 𝐼22 + ⋯
a que 𝑊𝐿 ≫ 𝑅, pero debido al diodo Dm conocido como diodo de
𝑍𝑛 = √𝑅2 + (𝑛𝑊𝐿 )2 paso libre; este evita que en la carga exista voltaje negativo por lo
que tenemos la siguiente forma de onda de voltaje.
𝑉𝑛
𝐼𝑛 = Como la señal de corriente en la carga es continua pura y dicha
𝑍𝑛
corriente es igual a la suma de la corriente del tiristor más la
√𝑎𝑛2 + 𝑏𝑛2 corriente del diodo, ambas corrientes deben complementarse para
𝑉𝑛 = formar una señal de continua pura.
√2
Si se nos pide hallar el valor RMS de la fundamental de la
corriente deberíamos hallar a1 y b1
Hallando el factor de potencia tenemos
𝑃 𝑃
𝑓𝑝 = =
𝑆 𝑉𝑆 ∗ 𝐼𝑆
Como la corriente de la fuente es la misma que circula por la
carga podemos concluir
2
𝐼𝑅𝑀𝑆 ∗𝑅
𝑓𝑝 =
𝑉𝑠 ∗ 𝐼𝑅𝑀𝑆
𝐼𝑅𝑀𝑆 ∗ 𝑅
𝑓𝑝 =
𝑉𝑆
Como la carga es R-L no podemos decir que 𝜋
𝑉𝑅𝑀𝑆 1
𝐼𝑅𝑀𝑆 = 𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
𝑅 2𝜋
𝛼

B. Un rectificador monofásico con diodo de conmutación √2𝑉𝑆

es usado para abastecer una carga puramente inductiva 𝑉𝐷𝐶 = ∗ (cos(𝛼 ) + 1)
(WL≫R) de 15 [A] desde una fuente de 240 [VAC]. 2𝜋

a) Determine el valor medio del voltaje en la carga para

ángulos de activado ∝= 0°, 90°, 180°
Para 𝛼 = 0°

√2 ∗ 240
𝑉𝐷𝐶 = ∗ (1 + 1) = 108 [𝑉𝐷𝐶 ]
2𝜋
Para 𝛼 = 90°

√2 ∗ 240
𝑉𝐷𝐶 = ∗ (0 + 1) = 54 [𝑉𝐷𝐶 ]
2𝜋
Para 𝛼 = 180°

√2 ∗ 240
𝑉𝐷𝐶 = ∗ (−1 + 1) = 0 [𝑉𝐷𝐶 ]
2𝜋
Para dimensionar el tiristor se toma el caso más crítico y este es
para 𝛼 = 0° ya que aquí circulara mas corriente en el tiristor ya
que tendríamos lo siguiente:

𝑉𝐵𝑅 = √2 ∗ 240 = 340 [𝑉𝐴𝐶 ]

2
𝐼𝑅𝑀𝑆 = 𝐼02 + 𝐼12 + 𝐼22 + ⋯
𝜋
2
1
𝐼𝑅𝑀𝑆 = ∫(15)2 ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋
0

2
(15)2
𝐼𝑅𝑀𝑆 = ∗𝜋
2𝜋
𝐼𝑅𝑀𝑆 = 10.6 [𝐴]
Los anteriores cálculos son del tiristor, para el caso del diodo Dm
se deberá usar 𝛼 = 180° ya que habíamos dicho que ambas
corrientes, la del tiristor y la del diodo deben complementarse
para formar una señal de continua pura.
𝐼𝑅𝑀𝑆 = 𝐼𝐷𝐶 = 15 [𝐴]
 Electrónica de Potencia:
Rectificadores Monofásicos
Giovanny Mauricio Cataña Díaz
Ingeniería Eléctrica, Escuela Politécnica Nacional
Quito, Ecuador
giovanny.catana@epn.edu.ec

I. RECTIFICADOR SEMICRONTROLADO TIPO PUENTE CON CARGA

RESISTIVA

T1 T2

D1 D2

Fig. 1 Diagrama circuital de rectificadores tipo puente con carga

resistiva

Fig. 3 Circulación de la corriente por intervalos

𝜋
Fig. 2 Forma de onda de Vs en la entrada y Vo en la carga 2
𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋
∝

𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑉𝐷𝐶 = (1 + cos (𝛼))
𝜋
𝑉𝐷𝐶
𝐼𝐷𝐶 =
𝑅
𝜋
2
2
Fig. 3 Forma de onda de la corriente Is en la fuente 𝑉𝑅𝑀𝑆 = ∫(√2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡))2 ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋
∝

1/2
𝑉𝑆 1
La forma de onda de la corriente en la carga será de la misma 𝑉𝑅𝑀𝑆 = [𝜋 − 𝛼 + 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )]
forma del voltaje en la carga, pero con un menor valor. √𝜋 2
 𝑉𝑅𝑀𝑆
𝐼𝑅𝑀𝑆 =
𝑅
𝐼𝑅𝑀𝑆
𝐼𝑅𝑀𝑆𝑇𝐻 =
√2

II. RECTIFICADOR SEMICRONTROLADO TIPO PUENTE CON CARGA

R-L

T1 T2

Fig. 6 Forma de onda de corriente de la fuente Is

Tener en cuenta que se usa 𝜋 por que el ángulo de apagado 𝛽 se da
D2 en ese valor
D1
𝜋
2
𝑉𝐷𝐶 = ∫ 𝑉𝑚𝑎𝑥 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋
Fig. 4 Diagrama circuital de rectificadores tipo puente con carga 𝛼
resistiva
𝑉𝑚𝑎𝑥 = √2 𝑉𝑆
Es importante ubicar los nombres de los elementos que conducen 𝑉𝑚𝑎𝑥
en cada intervalo para facilitar las graficas de corrientes de cada 𝑉𝐷𝐶 = (1 + cos(𝛼 ))
tiristor o diodo si se lo solicita. Se deberá tener en cuenta la 𝜋
circulación de la corriente como la Figura 3. 𝑉𝐷𝐶
𝐼𝐷𝐶 =
𝑅
𝜋
2
2 2
𝑉𝑅𝑀𝑆 = ∫(𝑉𝑚𝑎𝑥 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋
𝛼

1/2
𝑉𝑆 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )
𝑉𝑅𝑀𝑆 = [𝜋 − 𝛼 + ]
√𝜋 2

Componentes armónicas de la corriente de Línea

𝑃 = 𝑉1 ∗ 𝐼1 ∗ cos (∅1 )
𝑄 = 𝑉1 ∗ 𝐼1 ∗ sen (∅1 )
𝜋 2𝜋
2
𝑎1 = [∫ 𝐼 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡 + ∫ −𝐼 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡]
2𝜋
𝛼 𝜋+𝛼

2𝐼
Fig. 5 Formas de onda del circuito de la Figura 4 𝑎1 = [1 + cos (𝛼)]
𝜋
Como 𝐼𝑆 = 𝐼𝑇1 − 𝐼𝐷1 podremos graficar la forma de onda de la 𝜋 2𝜋
corriente de la fuente como se aprecia en la Figura 6 2
𝑏1 = [∫ 𝐼 ∗ 𝑐𝑜𝑠(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡 + ∫ −𝐼 ∗ 𝑐𝑜𝑠(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡]
2𝜋
𝛼 𝜋+𝛼

2𝐼
𝑏1 = − ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝛼)
𝜋
 III. RECTIFICADOR MONOFÁSICO TIPO PUENTE CONTROLADO CON
2𝐼 CARGA RESISTIVA
𝑏1 − 𝜋 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝛼)
𝑡𝑔(∅1 ) = =
𝑎1 2𝐼 [1 + cos (𝛼)]
𝜋
𝑠𝑒𝑛(𝛼)
𝑡𝑔(∅1 ) = −
1 + cos (𝛼)
T1 T2
Reescribiendo la ecuación anterior utilizando
𝛼 𝛼 T3 T4
𝑠𝑒𝑛(𝛼 ) = 2𝑠𝑒𝑛 ( ) − 𝑐𝑜𝑠 ( )
2 2
𝛼 𝛼 Fig. 7 Rectificador monofásico tipo puente controlado con carga R
cos(𝛼 ) = cos 2 ( ) − 𝑠𝑒𝑛2 ( )
2 2
Tenemos que
𝛼
𝑡𝑔(∅1 ) = −𝑡𝑔 ( )
2
𝛼
∅1 = −
2
El signo menos me indica que la corriente esta retrasada respecto
del voltaje.
𝑃 = 𝑉1 ∗ 𝐼1 ∗ cos (∅1 )

Fig. 8 Formas de onda del circuito de la Figura 7

𝜋
𝐶1 2
𝐼1 = 𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
√2 2𝜋
∝
𝑎1
cos(∅1 ) = 𝑉𝑚𝑎𝑥
𝐶1 𝑉𝐷𝐶 = (1 + cos (𝛼))
𝜋
𝐶1 𝑎1
𝑃 = 𝑉𝑆 ∗ ∗ 𝑉𝐷𝐶
√2 𝐶1 𝐼𝐷𝐶 =
𝑅
𝑉𝑆 2𝐼 𝜋
𝑃= ∗[1 + cos(𝛼 )] 2
2
√2 𝜋 𝑉𝑅𝑀𝑆 = ∫(√2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡))2 ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋
𝐶1 𝑏1 ∝
𝑄 = 𝑉𝑆 ∗ ∗ 1/2
√2 𝐶1 𝑉𝑆 1
𝑉𝑅𝑀𝑆 = [𝜋 − 𝛼 + 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )]
𝑉𝑆 2𝐼 √𝜋 2
𝑄=− ∗∗ 𝑠𝑒𝑛(𝛼)
√2 𝜋 En la línea
Se concluye que para 𝛼 = 0° no existe potencia reactiva y que 𝑃 = 𝑉1 ∗ 𝐼1 ∗ cos (∅1 )
para 𝛼 = 180° no existe potencia activa 𝜋
2 √2 ∗ 𝑉𝑆
𝑎1 = [∫ ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡]
2𝜋 𝑅
𝛼
 Como la carga es RL, y el inductor almacena inductor hace que los
√2 ∗ 𝑉𝑆 1 tiristores sigan conduciendo hasta un ángulo de extinción 𝛽
𝑎1 = ∗ [𝜋 − 𝛼 + 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )]
𝜋𝑅 2
𝜋
2 √2 ∗ 𝑉𝑆
𝑏1 = [∫ ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑐𝑜𝑠(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡]
2𝜋 𝑅
𝛼

√2 ∗ 𝑉𝑆
𝑏1 = ∗ [cos(2𝛼 ) − 1]
2𝜋𝑅
T1T4 T2T3
𝐶1 = √𝑎12 + 𝑏12

𝐶1
𝐼1 =
√2
𝑎1
cos(∅1 ) =
𝐶1 Fig. 10 Formas de onda del circuito de la Figura 9
𝐶1 𝑎1 En la carga
𝑃 = 𝑉1 ∗ ∗
√2 𝐶1 𝛽
2
𝑉𝑆 √2 ∗ 𝑉𝑆 1 𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
𝑃= ∗ ∗ [𝜋 − 𝛼 + 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )] 2𝜋
√2 𝜋𝑅 2 ∝

𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑉𝑆2 1 𝑉𝐷𝐶 = (cos(𝛼 ) − cos (𝛽))
𝑃= ∗ [𝜋 − 𝛼 + 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )] 𝜋
𝜋𝑅 2
Para 𝛼 < 𝑤𝑡 < 𝛽
𝑄 = 𝑉1 ∗ 𝐼1 ∗ sen (∅1 )
𝑑𝑖
𝐶1 𝑏1 √2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) = 𝑖𝑅 + 𝐿
𝑄 = 𝑉𝑆 ∗ ∗ 𝑑𝑡
𝐶
√2 1
√2 𝑉𝑠 𝑤𝑡
−
𝑉𝑆
√2 ∗ 𝑉𝑆 𝑖 (𝑤𝑡) = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 − ∅) + 𝐼𝑜 𝑒 𝑡𝑔(∅)
𝑄= ∗ ∗ [cos(2𝛼 ) − 1] |𝑍|
√2 2𝜋𝑅
Para 𝑤𝑡 = 𝛼
𝑉𝑆2
𝑄= ∗ [cos(2𝛼 ) − 1] 𝑖(𝑤𝑡) = 0
2𝜋𝑅
Para 𝑤𝑡 = 𝛽

IV. RECTIFICADOR MONOFÁSICO TIPO PUENTE CONTROLADO CON 𝑖(𝑤𝑡) = 0

CARGA R-L

√2 𝑉𝑠 𝛼
−
𝑖 (𝛼 ) = 0 = ∗ 𝑠𝑒𝑛 (𝛼 − ∅) + 𝐼𝑜 𝑒 𝑡𝑔(∅)
|𝑍|
Despejando Io
T1 T2
√2 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅)
𝐼𝑜 = − ∗ 𝛼
T3 T4 |𝑍| −
𝑒 𝑡𝑔(∅)
Remplazando en la ecuación original tenemos
Fig. 9 Rectificador monofásico tipo puente controlado con carga
√2 𝑉𝑠 𝑤𝑡
√2 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) − 𝑡𝑔(∅)
R-L
𝑖(𝑤𝑡) = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 − ∅) − ∗ 𝛼 𝑒
|𝑍| |𝑍| −
En conducción discontinua se cumple cuando 𝛼 > ∅ donde ∅ = 𝑒 𝑡𝑔(∅)
𝑊𝐿
𝑡𝑔−1 ( 𝑅 ) Utilizando la otra condición inicial
 √2 𝑉𝑠 √2 𝑉𝑠
𝑖 (𝛽 ) = 0 = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) −
|𝑍| |𝑍|
𝛽
𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) − 𝑡𝑔(∅)
∗ 𝛼 𝑒
−
𝑒 𝑡𝑔(∅)
Rectificador
𝛽
−
𝑒 𝑡𝑔(∅)
𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) = 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) ∗ 𝛼
−
𝑒 𝑡𝑔(∅)

𝛽 𝛼
−
𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) = 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) ∗ 𝑒 𝑡𝑔(∅) ∗ 𝑒 𝑡𝑔(∅) Rectificador
Negativo
𝛽−𝛼
−
𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) = 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) ∗ 𝑒 𝑡𝑔(∅)
El límite entre conducción continua y discontinua se da para
𝛽 = 𝜋 + 𝛼𝑐
𝛼𝑐 = 𝑎𝑙𝑓𝑎 𝑐𝑟í𝑡𝑖𝑐𝑜 De 0° a 90° el voltaje es positivo, pero al variar de 90° a 180° el
voltaje es negativo y se habla de un rectificador negativo. Se
𝜋
− conoce como rectificador en 2 cuadrantes o rectificador
−𝑠𝑒𝑛(𝛼𝑐 − ∅) = 𝑠𝑒𝑛(𝛼𝑐 − ∅) ∗ 𝑒 𝑡𝑔(∅)
bidireccional del voltaje.
Se cumple si 𝛼𝑐 = ∅
En esta configuración para 𝛼 > 90° la conducción ya no es
𝑊𝐿 continua, es decir se hace discontinua.
∅ = 𝑡𝑔−1 ( )
𝑅
Conducción continua 𝛼 < ∅, 𝛽 = 𝜋 + 𝛼
Carga 𝑊𝐿 ≫ 𝑅

T1T4 T2T3 T1T4

Fig. 11 Formas de onda de corriente de la fuente Is y voltaje en

la carga Vo
𝜋+𝛼
2
𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋
𝛼

2𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑉𝐷𝐶 = ∗ cos (𝛼)
𝜋
Como 𝛼 varía entre 0° y 180° y teniendo en cuenta la función
coseno tenemos que:
 Electrónica de Potencia:
Rectificadores Trifásicos
Giovanny Mauricio Cataña Díaz
Ingeniería Eléctrica, Escuela Politécnica Nacional
Quito, Ecuador
giovanny.catana@epn.edu.ec

I. RECTIFICADOR TRIFÁSICO NO CONTROLADO DE 3 PULSOS Haciendo zoom podremos identificar los limites de integración
para facilitar los cálculos.

Están formados por tres diodos alimentados por un sistema

trifásico.

IS1

IS2

IS3

Fig. 3 Zoom de la forma de onda del voltaje de la Figura 3

5𝜋/6
3
Fig. 1 Rectificador trifásico no controlado de 3 pulsos 𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋
𝜋/6

3√2 𝑉𝑆
𝑉𝐷𝐶 = ∗ [−cos (𝑤𝑡)]
2𝜋
3√3
𝑉𝐷𝐶 = ∗ 𝑉𝑚𝑎𝑥
2𝜋
𝐷𝑜𝑛𝑑𝑒 𝑉𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝑓𝑎𝑠𝑒 − 𝑛𝑒𝑢𝑡𝑟𝑜
Asumiendo que la corriente de carga es de amplitud I, las corrientes
de los diodos son 1/3 del ciclo. Luego para el dimensionamiento
de los diodos.
𝐼
𝐼𝑅𝑀𝑆𝐷𝐼𝑂𝐷𝑂 =
√3
La conexión Y del transformador no es recomendable para esta
configuración debido a que la corriente en el secundario es
Fig. 2 Formas de onda del circuito de la Figura 2 unidireccional y puede magnetizar el núcleo del transformador
llevándole a la saturación.
Esta configuración de 3 pulsos en un transformador Y-Y-0 no es
recomendable por la existencia de una componente de continua La solución es conectar o utilizar un transformador de doble
que circula por los bobinados secundarios del transformador devanado en el secundario del transformador en conexión Z.
provocando sobrecalentamiento del transformador.
 El ángulo de desfase se define por
2𝜋 2𝜋 𝜋
= = = 60°
𝑝 6 3

Fig. 4 Solución a posible saturación del transformador

II. RECTIFICADOR TRIFÁSICO NO CONTROLADO DE 6 PULSOS

Fig. 7 Formas de onda de rectificador 6 pulsos
En la Figura 8 identificaremos los diodos que conducen en cada
onda.

Fig. 8 Identificación de conducción de diodos

Fig. 5 Rectificador trifásico no controlado de 6 pulsos

Fig. 9 Formas de onda de corriente en cada diodo

Fig. 6 Diagrama fasorial de rectificador trifásico no controlado
de 6 pulsos
Como Al igual que antes identificaremos en la Figura 12 los tiristores y
diodos que conducen en cada onda
𝐼𝑅 = 𝐼𝐷1 − 𝐼𝐷4
𝐼𝑆 = 𝐼𝐷2 − 𝐼𝐷5
𝐼𝑇 = 𝐼𝐷3 − 𝐼𝐷6

Fig. 12 Identificación de conducción de diodos y tiristores

Fig. 10 Formas de onda de corrientes de línea

2𝜋/3
6
𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2 √3 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛 (𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋
𝜋/3

√3 𝑉𝑆 𝑒𝑠 𝑒𝑙 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑙𝑖𝑛𝑒𝑎 − 𝑙𝑖𝑛𝑒𝑎

6√3 𝑉𝑆 2𝜋 𝜋
𝑉𝐷𝐶 = ∗ [− cos ( ) + cos ( )]
2𝜋 3 3
3√3
𝑉𝐷𝐶 = ∗ 𝑉𝑚𝑎𝑥
𝜋
𝐷𝑜𝑛𝑑𝑒 𝑉𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝑓𝑎𝑠𝑒 − 𝑛𝑒𝑢𝑡𝑟𝑜
En el secundario como WL>>R
𝑃 = 𝑉𝐷𝐶 ∗ 𝐼𝐷𝐶

2
𝐼𝑅𝑀𝑆 = √ ∗ 𝐼 Fig. 13 Formas de onda de cada tiristor y diodo
3
Como
III. RECTIFICADOR TRIFÁSICO SEMICONTROLADO DE 6 PULSOS
𝐼𝑅 = 𝐼𝑇1 − 𝐼𝐷1
𝐼𝑆 = 𝐼𝑇2 − 𝐼𝐷2
𝐼𝑇 = 𝐼𝑇3 − 𝐼𝐷3

Fig. 14 Formas de onda de corrientes de línea

Fig. 11 Rectificador trifásico semicontrolado de 6 pulsos

Para determinar los límites de integración tendremos en cuenta lo
siguiente: Con 𝛼 = 30°

5𝜋 5𝜋
6 3
2
𝑎1 = ∫ 𝐼 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)𝑑𝑤𝑡 + ∫ −𝐼 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)𝑑𝑤𝑡
2𝜋
𝜋 𝜋
[6 ]
𝐼 5𝜋 𝜋 5𝜋
𝑎1 = [(− 𝑐𝑜𝑠 ( ) + 𝑐𝑜𝑠 ( )) − (− 𝑐𝑜𝑠 ( ) + 𝑐𝑜𝑠(𝜋))]
𝜋 6 6 3
𝐼 3
𝑎1 = ∗ [√3 + ]
𝜋 2

5𝜋 5𝜋
6 3
2
𝑏1 = ∫ 𝐼 ∗ 𝑐𝑜𝑠(𝑤𝑡)𝑑𝑤𝑡 + ∫ −𝐼 ∗ 𝑐𝑜𝑠(𝑤𝑡)𝑑𝑤𝑡
2𝜋
𝜋 𝜋
[6 ]

Como
𝜋
+ 𝛼 equivale a 3 espacios de la onda, los mismos 3 𝐼 5𝜋 𝜋 5𝜋
3 𝑏1 = [(𝑠𝑒𝑛 ( ) − 𝑠𝑒𝑛 ( )) − (𝑠𝑒𝑛 ( ) − 𝑠𝑒𝑛 (𝜋))]
𝜋 5𝜋 𝜋 6 6 3
espacios que van desde a , ocuparemos dicho limite en la
3 6
integración. √3 𝐼
𝑏1 = ∗
𝜋 2 𝜋
3
3 𝜋
𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2 √3 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛 (𝑤𝑡 + ) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋 3 √3
𝛼
𝑏1 2
𝜋 ∅ = 𝑡𝑔−1 ( ) = = 15°
3
+𝛼 𝑎1 3
√3 + 2
3 𝜋
+ ∫ √2 √3 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛 (𝑤𝑡 + ) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋 3 Estos 15° se ubicará a la izquierda de la referencia de la corriente
0
IR, pero si el ángulo fuera negativo se ubicará a la derecha de la
3 referencia de la corriente IR.
𝑉𝐷𝐶 = √2 √3 𝑉𝑆
2𝜋
Ahora para 𝛼 = 90°
𝜋 𝜋 𝜋 2𝜋 𝜋
∗ (− cos ( + ) + cos (𝛼 + ) − cos ( + 𝛼) + cos ( ))
3 3 3 3 3
3√3
𝑉𝐷𝐶 = ∗ 𝑉𝑚𝑎𝑥 ∗ (1 + cos (𝛼))
2𝜋
1/2
3 2𝜋
𝑉𝑅𝑀𝑆 = √3 ∗ 𝑉𝑚𝑎𝑥 ∗ [ ( + √3 cos(𝛼 ))]
4𝜋 3

La corriente IR será exactamente de la siguiente forma. Teniendo

en cuenta la referencia dada, desde donde se tomará los siguientes
valores
Fig. 15 Formas de onda para 𝛼 = 90°
 𝜋
3
𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2 √3 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋
𝛼

3 ∗ √2 √3 𝑉𝑆
𝑉𝐷𝐶 = ∗ [− cos(𝜋) + cos (𝛼)]
2𝜋
3√3 𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑉𝐷𝐶 = ∗ (1 + cos (𝛼))
2𝜋
1/2
3 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )
𝑉𝑅𝑀𝑆 = √3 ∗ 𝑉𝑚𝑎𝑥 ∗ [ (𝜋 − 𝛼 + )]
4𝜋 2

IV. RECTIFICADOR TRIFÁSICO CONTROLADO DE 6 PULSOS

Fig. 16 Formas de onda de corriente de tiristores y diodos

Como 𝐼𝑅 = 𝐼𝑇1 − 𝐼𝐷1

7𝜋 11𝜋
6 6 Fig. 17 Rectificador trifásico controlado de 6 pulsos
2
𝑎1 = ∫ 𝐼 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)𝑑𝑤𝑡 + ∫ −𝐼 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)𝑑𝑤𝑡
2𝜋
2𝜋 4𝜋
[3 3 ]
𝐼 7𝜋 2𝜋 11𝜋 4𝜋
𝑎1 = [(− 𝑐𝑜𝑠 ( ) + 𝑐𝑜𝑠 ( ) + 𝑐𝑜𝑠 ( ) − 𝑐𝑜𝑠 ( ))]
𝜋 6 3 6 3
𝐼
𝑎1 = ∗ √3
𝜋
7𝜋 11𝜋
6 6
2
𝑏1 = ∫ 𝐼 ∗ 𝑐𝑜𝑠(𝑤𝑡)𝑑𝑤𝑡 + ∫ −𝐼 ∗ 𝑐𝑜𝑠(𝑤𝑡)𝑑𝑤𝑡
2𝜋
2𝜋 4𝜋
[3 3 ]
𝐼 7𝜋 2𝜋 11𝜋 4𝜋
𝑏1 = [(𝑠𝑒𝑛 ( ) − 𝑠𝑒𝑛 ( )) − (𝑠𝑒𝑛 ( ) − 𝑠𝑒𝑛 ( ))]
𝜋 6 3 6 3
Fig. 18 Formas de onda para 𝛼 = 90°
𝐼
𝑏1 = −√3 ∗
𝜋
𝑏1 −√3
∅ = 𝑡𝑔−1 ( ) = = −45°
𝑎1 √3
 𝜋
𝛼+
3
2
6 2 𝜋
𝑉𝑅𝑀𝑆 = ∫ (√3 ∗ 𝑉𝑚𝑎𝑥) ∗ 𝑠𝑒𝑛2 (𝑤𝑡 + ) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋 3
𝛼

1/2
1 3√3
𝑉𝑅𝑀𝑆 = √3 ∗ 𝑉𝑚𝑎𝑥 ∗ [ + cos(2𝛼 )]
2 4𝜋

V. RECTIFICADORES DE 12 PULSOS

Fig. 19 Formas de onda de corriente de tiristores

Para dibujar la forma de onda ánodo-cátodo del tiristor 1,
consideraremos que cuando conduce T1 el voltaje en sus
terminales es cero, cuando conduce T2 se mide la fase RS y
cuando conduce T3 se mide la fase RT.

Fig. 21 Rectificador de 12 pulsos

Fig. 20 Voltaje ánodo cátodo de tiristor 1
Como 𝐼𝑅 = 𝐼𝑇1 − 𝐼𝑇4
Los rectificadores trifásicos son conocidos también como
rectificadores de 6 pulsos. Para aplicaciones de alta potencia como
la transmisión en continua de alto voltaje y control de motores
(TROLEBUS) se requiere un rectificador de 12 pulsos con el fin
de reducir el rizado del voltaje de salida y el diseño del filtro es
más fácil.
Para obtener un rectificador de 12 pulsos, se conectan 2
rectificadores de 6 pulsos en serie o en paralelo a través de
transformadores. El desfasaje de 30° entre los bobinados de los
secundarios se obtiene conectando el primer transformador en
conexión Y-Y y el segundo transformador en conexión Y-D.

𝜋
𝛼+
3
6 𝜋
𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2 √3 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛 (𝑤𝑡 + ) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋 3
𝛼

3√3
𝑉𝐷𝐶 = ∗ 𝑉𝑚𝑎𝑥 ∗ cos (𝛼)
𝜋
 Electrónica de Potencia:
Conversores
Giovanny Mauricio Cataña Díaz
Ingeniería Eléctrica, Escuela Politécnica Nacional
Quito, Ecuador
giovanny.catana@epn.edu.ec

2𝜋𝑁
I. CONTROL DE ALTERNA 1 2
2
𝑉𝑅𝑀𝑆 = ∫ (√2 ∗ 𝑉𝑠 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋𝑇
0
A. Control de fase directo
De igual manera al control AC-DC, esta técnica consiste en variar 𝑁
𝑉𝑅𝑀𝑆 = 𝑉𝑆 √
el ángulo de disparo 𝛼 para el activado y el apagado se realiza por 𝑇
conmutación natural. Este método produce interferencia de radio
2
frecuencia. En el control de iluminación (lámparas 𝑉𝑅𝑀𝑆
incandescentes), cíclicamente se introducen transistores por lo 𝑃=
𝑅
que se producen esfuerzos mecánicos en los filamentos de la
lámpara reduciendo la vida útil de la lámpara. 𝑆 = 𝑉𝑆 ∗ 𝐼𝑆
2 2
𝑃 𝑉𝑅𝑀𝑆 𝑉𝑅𝑀𝑆 𝑉𝑅𝑀𝑆
𝑓𝑝 = = = =
𝑉
𝑆 𝑅 ∗ 𝑉𝑆 ∗ 𝐼𝑆 𝑅 ∗ 𝑉 ∗ 𝑅𝑀𝑆 𝑉𝑆
B. Control de fase inverso 𝑆 𝑅
En este método el semiconductor se activa en el cruce por cero
𝑁
𝛼 = 0° y se desactiva en un ángulo de extinción 𝛽. Este método 𝑓𝑝 = √
requiere conmutación forzada en el caso que los elementos de 𝑇
potencia sean SCR´s.
La desventaja de este método es las variaciones bruscas de la
En este método disminuye la interferencia de radio frecuencia y corriente y por tanto las variaciones de voltaje.
los esfuerzos mecánicos del filamento.

F. Control por ancho de pulso PWM

C. Control simétrico
Los elementos semiconductores se switchean a alta frecuencia
Es una combinación del control de fase directo e inverso. Se aproximadamente (~12 [𝐾𝐻𝑧] − ~24 [𝐾𝐻𝑧])
activa en un ángulo 𝛼 y se desactiva en 𝛽 = 𝜋 − 𝛼 . Con este
método se disminuye la distorsión armónica. El diseño del filtro de armónicos es menos complejo.

D. Control de fase parcial II. CONVERSOR AC-AC CON CARGA RESISTIVA

Con este método se rebaja la interferencia y se disminuye la

distorsión.

E. Control de ciclo integral

Dentro de un periodo 2𝜋𝑇 se aplica un numero determinado de
ciclos. Se aplica para el control de temperatura por resistencia
como hornos, calefactores.
La trayectoria es directamente proporcional al número de ciclos
aplicados
Fig. 1 Control de fase con carga resistiva
 𝑉𝑠 2 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )
𝜋𝑅 [𝜋 − 𝛼 +
𝑃 ]
2
𝑓𝑝 = =
𝑆 𝑉𝑆 ∗ 𝐼𝑆

𝑉𝑠 2 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )
𝜋𝑅 [𝜋 − 𝛼 +
𝑃 ]
2
𝑓𝑝 = =
𝑆 𝑉
𝑉𝑆 ∗ 𝑅𝑀𝑆
𝑅
Remplazando VRMS tendremos
1/2
1 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )
𝑓𝑝 = [ (𝜋 − 𝛼 + )]
𝜋 2

Componentes armónicas de la corriente

Puesto que Vs (Voltaje de la fuente) es sinusoidal, para producir

Fig. 2 Formas de onda del circuito de la Figura 1
potencia solamente interactúa el 1er armónico
En la carga 𝜋
2 √2 ∗ 𝑉𝑠
𝜋 𝑎1 = ∫ ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2
1 2 2𝜋 𝑅
𝑉𝑅𝑀𝑆 = ∫ (√2 ∗ 𝑉𝑠 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)) ∗ 𝑑𝑤𝑡 𝛼
2𝜋
𝛼 2𝜋
2 √2 ∗ 𝑉𝑠
2𝜋 + ∫ ∗ 𝑠𝑒𝑛 (𝑤𝑡) ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
1 2 2𝜋 𝑅
+ ∫ (√2 ∗ 𝑉𝑠 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)) ∗ 𝑑𝑤𝑡 𝜋+𝛼
2𝜋
𝜋+𝛼 𝜋 2𝜋
√2 ∗ 𝑉𝑠
1 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )
1/2 𝑎1 = [∫ 𝑠𝑒𝑛2 (𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡 + ∫ 𝑠𝑒𝑛2 (𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡]
𝑉𝑅𝑀𝑆 = 𝑉𝑠 ∗ [ (𝜋 − 𝛼 + )] 𝜋∗𝑅
𝛼 𝜋+𝛼
𝜋 2
𝑇 1 − cos (2𝑤𝑡)
1 𝑠𝑒𝑛2 (𝑤𝑡) =
2
𝑃 = ∫ 𝑣(𝑤𝑡) ∗ 𝑖(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
𝑇
0 √2 ∗ 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )
𝑎1 = [𝜋 − 𝛼 + ]
𝜋∗𝑅 2
𝑣(𝑤𝑡) = √2 ∗ 𝑉𝑠 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)

√2 ∗ 𝑉𝑠
𝑖 (𝑤𝑡) = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) 𝜋
𝑅 2 √2 ∗ 𝑉𝑠
𝑏1 = ∫ ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑐𝑜𝑠(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
𝑉𝑠 2 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 ) 2𝜋 𝑅
𝑃= [𝜋 − 𝛼 + ] 𝛼
𝜋𝑅 2
2𝜋
En la línea 2 √2 ∗ 𝑉𝑠
+ ∫ ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) ∗ 𝑐𝑜𝑠(𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋 𝑅
𝜋+𝛼
𝑖𝑆 = 𝑖𝐿
2 𝑠𝑒𝑛(2𝑤𝑡) = 2 ∗ 𝑠𝑒𝑛 (𝑤𝑡) ∗ cos (𝑤𝑡)
𝜋
2
2 √2 ∗ 𝑉𝑠 𝜋 2𝜋
𝐼𝑅𝑀𝑆 = ∫( ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)) ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋 𝑅 √2 ∗ 𝑉𝑠
𝛼 𝑏1 = [∫ 𝑠𝑒𝑛(2𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡 + ∫ 𝑠𝑒𝑛(2𝑤𝑡) ∗ 𝑑𝑤𝑡]
𝑤𝜋 ∗ 𝑅
𝛼 𝜋+𝛼
1/2
𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )
𝐼𝑅𝑀𝑆 = [𝜋 − 𝛼 + ] √2 ∗ 𝑉𝑠
𝑅 2 𝑏1 = [cos(2𝛼 ) − 1]
2𝜋 ∗ 𝑅
𝑆 = 𝑉𝑆 ∗ 𝐼𝑆
 √2 ∗ 𝑉𝑠 [ ( ) ]
∅ = 𝑡𝑔 −1
𝑏1
( )= 2𝜋 ∗ 𝑅 cos 2𝛼 − 1
𝑎1 √2 ∗ 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )
𝜋 ∗ 𝑅 [𝜋 − 𝛼 + ]
2

cos(2𝛼 ) − 1
∅ = 𝑡𝑔−1 ( )
𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )
2 (𝜋 − 𝛼 + )
2

𝑃 = 𝑉1 ∗ 𝐼1 ∗ cos (∅𝑣 − ∅𝑖 )
𝐶1 𝑎1
𝑃 = 𝑉1 ∗ ∗
√2 𝐶1

1 √2 ∗ 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )
𝑃 = 𝑉𝑆 ∗ ∗ ∗ [𝜋 − 𝛼 + ]
√2 𝜋 ∗ 𝑅 2
Fig. 4 Formas de onda del circuito de la Figura 3
𝑉𝑆2 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )
𝑃= ∗ [𝜋 − 𝛼 + ] La presencia de la inductancia hace que la conducción de la
𝜋𝑅 2
corriente sea más alta de los 180°. La corriente se extingue en un
𝐶1 𝑏1 ángulo 𝛽. Todo esto debido al almacenamiento de energía del
𝑄 = 𝑉1 ∗ ∗ inductor.
√2 𝐶1
𝑑𝑖
1
√2 ∗ 𝑉𝑠 𝐿 + 𝑅𝑖 = √2 ∗ 𝑉𝑠 ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)
𝑄 = 𝑉𝑆 ∗ ∗ ∗ [cos(2𝛼 ) − 1] 𝑑𝑡
√2 2𝜋 ∗ 𝑅
La ecuación de esta expresión es:
𝑉𝑆2
𝑄= ∗ [cos(2𝛼 ) − 1] √2 𝑉𝑠 𝑤𝑡
2𝜋𝑅 𝑖(𝑤𝑡) =
−
∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 − ∅) + 𝐾 𝑒 𝑡𝑔(∅)
|𝑍|
Cuando ∅𝑣,𝑖 < 0, 𝑠𝑒𝑛(∅𝑣,𝑖 ) < 0, el circuito se comporta como
circuito inductivo, es decir la corriente retrasa al voltaje. 𝑊𝐿
∅ = 𝑡𝑔−1 ( )
𝑅
|𝑍| = √𝑅2 + (𝑊𝐿)2
III. CONVERSOR AC-AC CON CARGA R-L
Para 𝑤𝑡 = 𝛼
𝑖(𝑤𝑡) = 0
Para 𝑤𝑡 = 𝛽
𝑖(𝑤𝑡) = 0

√2 𝑉𝑠 𝛼
−
𝑖 (𝛼 ) = 0 = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) + 𝐾 𝑒 𝑡𝑔(∅)
|𝑍|
Despejando Io

√2 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅)
𝐾=− ∗ 𝛼
|𝑍| −
𝑒 𝑡𝑔(∅)
Remplazando en la ecuación original tenemos

√2 𝑉𝑠 𝑤𝑡
√2 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) − 𝑡𝑔(∅)
𝑖(𝑤𝑡) = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 − ∅) − ∗ 𝛼 𝑒
|𝑍| |𝑍| −
𝑒 𝑡𝑔(∅)
Fig. 3 Conversor AC-AC con carga RL
Utilizando la otra condición inicial
 √2 𝑉𝑠 √2 𝑉𝑠 √2 𝑉𝑠 √2 𝑉𝑠 𝑤𝑡−𝛼
−
𝑖 (𝛽 ) = 0 = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) − 𝑖 (𝑤𝑡) = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 − ∅) − ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) ∗ 𝑒 𝑡𝑔(∅)
|𝑍| |𝑍| |𝑍| |𝑍|
𝛽
𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) − 𝑡𝑔(∅)
∗ 𝑒 1/2
−
𝛼 𝑉𝑆 cos(∅) 𝜃 𝑠𝑒𝑛(𝜃) ∗ cos (2𝛼 + 𝜃 + ∅)
𝑒 𝑡𝑔(∅) 𝐼𝑅𝑀𝑆 = [ − ]
𝑅 𝜋 𝜋 cos(∅)
𝛽
−
𝑒 𝑡𝑔(∅) Para determinar el valor RMS de la corriente se puede
𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) = 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) ∗ 𝛼 descomponer en series de Fourier el voltaje y aplicar la siguiente
−
𝑒 𝑡𝑔(∅) expresión.
𝛽 𝛼 2
𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) = 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) ∗ 𝑒
−
𝑡𝑔(∅) ∗ 𝑒 𝑡𝑔(∅) 𝐼𝑅𝑀𝑆 = 𝐼02 + 𝐼12 + 𝐼22 + 𝐼32 + ⋯

−
𝛽−𝛼 Como la corriente es simétrica
𝑠𝑒𝑛(𝛽 − ∅) = 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) ∗ 𝑒 𝑡𝑔(∅)
2
𝐼𝑅𝑀𝑆 = 𝐼12 + 𝐼32 + 𝐼52 + 𝐼72 + ⋯
El límite entre conducción continua y discontinua se da para
𝐶𝑛/√2
𝛽 = 𝜋 + 𝛼𝑐 𝐼𝑛 =
√𝑅2 + (𝑛𝑊𝐿)2
𝛼𝑐 = 𝑎𝑙𝑓𝑎 𝑐𝑟í𝑡𝑖𝑐𝑜
Donde
𝜋
−
−𝑠𝑒𝑛(𝛼𝑐 − ∅) = 𝑠𝑒𝑛(𝛼𝑐 − ∅) ∗ 𝑒 𝑡𝑔(∅)
Cn: componente armónico del voltaje (pico)
Se cumple si 𝛼𝑐 = ∅ n: orden del armónico
𝛼 no puede ser menor a ∅ ya que el voltaje y corriente de la carga
serán sinusoidales.
IV. CONVERSOR AC-AC TRIFÁSICO
𝛽 − 𝛼 = 𝜃 (á𝑛𝑔𝑢𝑙𝑜 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑐𝑖ó𝑛)
Para ∅ ≤∝≤ 𝜋
El control AC-AC trifásico es utilizado en la actualidad en
𝛽
arrancadores suaves. Es un método electrónico para arrancar
2
2
𝑉𝑅𝑀𝑆 = ∫(√2 𝑉𝑆 ∗ 𝑠𝑒𝑛 (𝑤𝑡))2 ∗ 𝑑𝑤𝑡 motores.
2𝜋
∝

1/2
𝑉𝑆 1 1
𝑉𝑅𝑀𝑆 = [𝛽 − 𝛼 − 𝑠𝑒𝑛(2𝛽 ) + 𝑠𝑒𝑛(2𝛼 )]
√𝜋 2 2

𝛽
2
2
𝐼𝑅𝑀𝑆 = ∫(𝑖(𝑤𝑡))2 ∗ 𝑑𝑤𝑡
2𝜋
∝

√2 𝑉𝑠 𝑤𝑡
−
𝑖 (𝑤𝑡) = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 − ∅) + 𝐾 𝑒 𝑡𝑔(∅)
|𝑍|
Para 𝑤𝑡 = 𝛼
𝑖(𝑤𝑡) = 0

√2 𝑉𝑠 𝛼
−
𝑖 (𝛼 ) = 0 = ∗ 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅) + 𝐾 𝑒 𝑡𝑔(∅)
|𝑍|
Fig. 5 Conversor AC-AC trifásico
Despejando Io

√2 𝑉𝑠 𝑠𝑒𝑛(𝛼 − ∅)
𝐾=− ∗ 𝛼
|𝑍| −
𝑒 𝑡𝑔(∅)
Remplazando en la ecuación original tenemos
Fig. 6 Formas de onda del circuito de la Figura 5 para 𝛼 = 30° y
para 𝛼 = 75°

Si los terminales del motor son accesibles se puede conectar los

tiristores en serie con los bobinados conectados en ∆ como se
muestra en la Figura 7. Todo esto con el fin de disminuir la
capacidad de corriente de los tiristores.

Fig. 7 Cargas conectadas en serie con tiristores