-Estructura amorfa y cristalina

-Celdas unitarias

-Redes de Bravais

-Parámetro de red

-Índices de Miller
ESTRUTURAS SOLIDAS.
 Estructura amorfa.
Sus estructuras presentan atracciones fuertes que impiden que alguna
sustancia fluya, obteniendo un solido rígido y con cierta dureza.
• No cuentan con un arreglo interno, sino que sus partícula se
encuentran agregadas al azar.
• Al romperse se encuentran formas irregulares.
• Se ablandan a un rango de alta temperatura y luego se funden o se
descomponen.

• EJEMPLOS:
Asfalto, parafina, ceras, vidrios, algunos polímeros y cerámicos.
 ESTRUCTURA CRISTALINA.
• Presenta un arreglo interno ordenado, basado en pequeño cristales
cada uno con forma geométrica determinada.

• Los cristales se obtienen a consecuencia de su estructura ordenada y

constante como es: sus átomos, moléculas iones.
• Al romperse se forma caras planas y bien definidas.

• Presentan puntos de fusión bien definidos, al calentarse lo suficiente

causa un cambio abrupto.

• EJEMPLO:
NaCl, Sacarosa, Sales en general, Metales, Algunos polímeros,
Algunos cerámicos.
CELDA UNITARIA
º El cristal individual es llamado
celda unitaria. Por su repetición de 8
Átomos.

º El cristal se puede representar

mediante puntos en los centros de
sus átomos.
La estructura cristalina es la forma sólida de cómo se ordenan y
empaquetan los átomos, moléculas, o iones. Estos son empaquetados
de manera ordenada y con patrones de repetición que se extienden en
las tres dimensiones del espacio.
Según el tipo de enlace atómico, los cristales pueden ser de tres tipos:

a) Cristales iónicos: punto de fusión elevado, duros y muy frágiles,

conductividad eléctrica baja y presentan cierta elasticidad.

b) Cristales covalentes: Gran dureza y elevada temperatura de fusión.

Suelen ser transparentes quebradizos y malos conductores de la
electricidad. No sufren deformación plástica (es decir, al intentar
deformarlos se fracturan).

c) Cristales metálicos: Opacos y buenos conductores térmicos y

eléctricos. No son tan duros como los anteriores, aunque si maleables
y dúctiles.
 Red Cristalina
-Ordenamiento espacial de átomos y moléculas que se repiten
sistemáticamente hasta formar un cristal.
Redes de Bravais.
 Historia
En 1848 Auguste Bravais (físico y mineralogista francés), estableció la
teoría reticular, según la cual las moléculas de los cristales están dispuestas
en redes tridimensionales.
Demostró que solo puede haber 14 tipos de redes especiales que
cumplían la condición de que cada punto tenga otro idéntico alrededor
(retículos espaciales de Bravais).
Esta teoría se comprobó mas adelante atreves de la difracción de rayos x.
TABLA DE COMPUESTOS DE REDES DE BRAVAIS
a) Redes cúbicas sencillas: Los átomos
ocupan sólo los vértices de la celda unidad

b) Redes cúbicas centradas en el cuerpo

(BCC): Los átomos, además de ocupar los
vértices, ocupan el centro de la celda. En
este caso cristalizan el hierro y el cromo.

c) Redes cúbicas centradas en las caras

(FCC): Los átomos, además de ocupar los
vértices, ocupan el centro de cada cara de
la celda. Cristalizan en este tipo de redes
el oro, cobre, aluminio, plata
d) Redes hexagonales compactas (HC): La celda
unitaria es un prisma hexagonal con átomos en los
vértices y cuyas bases tiene un átomo en el centro. En
el centro de la celda hay tres átomos más. En este
caso cristalizan metales como cinc, titanio y magnesio.
* El tamaño y la forma de la celda unitaria se
especifica por la longitud de las aristas y los ángulos
entre las caras
* Cada celda unitaria se caracteriza por 6 números
llamados parámetros de red , contantes de red o
ejes cristalográficos.
* La longitud de las aristas se expresa en nanómetros
o angstrom, esta longitud depende de los diámetros
de los átomos que componen la red
Esferas rígidas
• Cada una de las celdas unitarias tiene una cantidad
especifica de puntos de red:
Los vértices y los centros de las caras o el centro
de la celda.
• Estos puntos de red están compartidos con las
celdas vecinas:
• Un punto de red en un vértice pertenece
simultáneamente a 8 celdas.
• Un punto de red en una cara esta compartido por
dos celdas.
• Un punto de red centrado en el cuerpo solo
pertenece a una celda
• Es la cantidad de átomos que se encuentran en
contacto directo alrededor de un átomo, o la cantidad
de vecinos mas cercanos.

• Es una medida de que tan compacto y eficiente es el

empaquetamiento de los átomos.

• En la estructura cubica simple, cada átomo tiene 6

vecinos mas cercanos en contacto.

• En la estructura cubica centrada en el cuerpo, cada

átomo tiene 8 vecinos mas cercanos en contacto.
• Es la fracción de espacios ocupada por los átomos,
suponiendo que son esferas duras que se encuentran
en contacto con su vecino mas cercano

• FE= Volumen de Átomos / Volumen de celda

unitaria

• FE= (atomos /celda) (volumen de atomos) /

volumen de celda unitaria
 Tipos de empaquetamiento

Empaquetamiento de esferas en una

dimensión:
 Empaquetamiento de esferas en dos dimensiones
Índice de coordinación 4 y 6. El de la derecha es compacto porque tiene el
hueco mínimo; por geometría, una esfera puede estar rodeada como máximo de
6 esferas iguales en un mismo plano (todas en contacto entre sí).
 CASOS CON EMPAQUETAMIENTO DE TIPO AA:
• Dos capas con IC = 4 superpuestas (AA):
Empaquetamiento cúbico simple o primitivo (un hueco central cúbico). Es
una celdilla de tipo P (primitiva).
 CASOS CON EMPAQUETAMIENTO DE TIPO AB:
Dos capas con IC = 4 no superpuestas (AB): Empaquetamiento Cúbico
Centrado en el Cuerpo,
Tres capas compactas con IC = 6 no superpuestas (ABC):
Empaquetamiento Cúbico Compacto o cúbico centrado en las caras (una
capa tapa unos huecos y la siguiente los otros): IC 12 como corresponde a
un empaquetamiento compacto de esferas iguales.
 Dos capas con IC = 6 no superpuestas (AB):
• Empaquetamiento Hexagonal Compacto. Se trata de un empaquetamiento
compacto al tener el mínimo hueco y un IC de 12. Partimos de una capa A
compacta (IC = 6) y la segunda capa (B) se dispone sobre los huecos de la
primera capa (A). La tercera capa se coloca sobre los huecos de la segunda
capa de manera que coincida sobre la primera. La celdilla unidad de esta
disposición ABAB es hexagonal.
En el siguiente figura se resumen los tipos de empaquetamientos
tridimensionales a partir de empaquetamientos bidimensionales de
esferas:
Huecos en empaquetamientos compactos:
• Un hueco octaédrico es el espacio sin ocupar en el centro de seis esferas
que forman un octaedro, por lo que presenta simetría octaédrica.

• Un hueco tetraédrico es el espacio sin ocupar en el centro de cuatro

esferas que forman un tetraedro, por lo que presenta simetría
tetraédrica.

Localización de los huecos:

• Octaédricos: Se sitúan donde no hay esferas en las dos capas A y B

• Tetraédricos: Se sitúan debajo o encima de cada esfera, por lo tanto

donde hay una esfera hay un hueco
El oro cristaliza en una estructura cubica compacta un cubo centrado
en las caras y tiene una densidad de 19.3 g /cm3 calcule el radio
atomico del oro.

1 fcc
2 Peso
atomico de
tabla
periodica
3
Numero
de
avogrado
numero
de
atomos o
en una
mol
Cuando la plata se cristaliza forma celdas cubicas centradas en la
cara la longitud de la arista formada es de 408.7 pm calcule la
densidad de la plata
• La densidad teórica de un material se puede
calcular con las propiedades de su estructura
cristalina.

• Densidad = Masa atomos / volumen celda

• Los índices de Miller de las direcciones
cristalográficas se utilizan para describir
direcciones especificas en la celda unitaria.

• Las direcciones cristalográficas se usan para indicar

determinada orientación de un cristal.

• Como las direcciones son vectores, una dirección y

su negativa representa la misma línea, pero en
direcciones opuestas.
• Un plano es un conjunto de átomos ubicados en una área
determinada.

• Los índices de Miller sirven para identificar planos

específicos dentro de una estructura cristalina.

• Este sistema sirve para identificar planos de deformación o

de deslizamiento.

• Se utiliza para determinar diferentes niveles de energía

superficial.

• Sirven para determinar el sentido de crecimiento de

cristales en algunos materiales
The physical properties of single crystals of some substances depend on the
crystallographic
direction in which measurements are taken. For example, the elastic modulus,
the electrical conductivity, and the index of refraction may have different
values in the [100] and [111] directions. This directionality of properties is termed
anisotropy, and it is associated with the variance of atomic or ionic spacing with
crystallographic direction. Substances in which measured properties are independent
of the direction of measurement are isotropic
 IRREGULARIDADES DEL A R R EG LO ATOMICO

Se ha descrito el sólido cristalino mediante la aproximación de un cristal

ideal

Pureza composicional
Perfección en materiales
Pureza estructural
* IRREGULARIDADES DEL ARREGLO ATOMICO

Las imperfecciones juegan un papel fundamental en numerosas

propiedades del material: mecánicas, ópticas, eléctricas, se
encuentran dentro de la zona de ordenamiento de largo alcance
(grano)

 Se introducen intencionalmente para beneficiar determinadas

propiedades

Ejemplos: - Carbono en Fe para mejorar dureza

- Cu en Ag para mejorar propiedades mecánicas

- Dopantes en semiconductores
Clasificación de Defectos: según
Composición

oEstequiométricos o intrínsecos: los defectos no modifican

la composición
o Schottky: vacantes de la red
oFrenkel: un átm se traslada a una posición intersticial
creando una vacante

o No-estequiométricos o extrínsecos:cambios en la composición


aparición de defectos
o se crean cuando un atm. extraño se inserta dentro de la red

Ej.- NaCl: dopado con CaCl2:: cada atm Ca2+ reemplazará 2 atm
Na+
 DEFECTOS E IMPERFECCIONES EN EL
ARREGLO ATÓMICO

 En todos los materiales el arreglo de los átomos contiene imperfecciones

 Mediante el control de las imperfecciones, se pueden crear aleaciones mas

resistentes, imanes mas poderosos, transistores y celdas solares de mejor
desempeño, etc.

EXISTEN TRES TIPOS BÁSICOS DE IMPERFECCIONES DE LA RED

1. DEFECTOS LINEALES (O DISLOCACIONES)

2. DEFECTOS PUNTUALES

3. DEFECTOS DE SUPERFICIE

63
Importancia de las dislocaciones
 Es un mecanismo que explica la deformación plástica de los metales,
ya que el esfuerzo aplicado causa el movimiento de las dislocaciones.
La presencia de dislocaciones explica porque la resistencia de los
metales es mucho mas baja que el valor calculado a partir de la unión
metálica (rompimiento de enlaces) [103 – 104 más baja que la resistencia
teórica]

El deslizamiento proporciona ductilidad a los metales, de lo contrario

éstos serian frágiles y no podrían ser conformados (materiales cerámicos,
polímeros, materiales iónicos)

Se controlan las propiedades mecánicas de un metal o aleación

interfiriendo el movimiento de las dislocaciones (un obstáculo introducido
en el cristal evita que una dislocación se deslice, a menos que se apliquen
esfuerzos mayores, por lo tanto aumenta la resistencia).
 1. DEFECTOS LINEALES (O DISLOCACIONES)

Las dislocaciones son imperfecciones lineales en una red que de otra

forma sería perfecta. Se pueden identificar dos tipos de dislocaciones:

1. DISLOCACIÓN DE TORNILLO

Si se hace un corte parcial a través de un cristal, torciéndolo y desplazándolo

un lado del corte la distancia de un átomo, se obtiene una dislocación de
tornillo.

66
2. DISLOCACIÓN DE BORDE

Se hace un corte parcial a través de un cristal perfecto, separándolo y

rellenando parcialmente el corte con un plano de átomos adicional.

67
DESLIZAMIENTO

El proceso mediante el cual se mueve una dislocación causando que se

deforme un material se conoce como DESLIZAMIENTO.

La dirección en la cual se mueve la dislocación, es la dirección de

deslizamiento.

68
Aunque en algunos materiales cerámicos y polímeros puede ocurrir
deslizamiento, el proceso de deslizamiento es de particular utilidad para
entender el comportamiento mecánico de los metales.

El deslizamiento le da ductilidad a los metales. Si no hay dislocaciones

presentes, una barra de hierro sería frágil, los metales no podrían ser
conformados utilizando los diversos procesos como la forja para obtener
formas útiles.

Controlamos las propiedades mecánicas de un metal o aleación al interferir

el movimiento de las dislocaciones. Un obstáculo introducido en un cristal
impedirá que la dislocación se deslice, a menos que apliquemos mayor fuerza.

72
2. DEFECTOS PUNTUALES

74
Importancia de los defectos puntuales
Los defectos puntuales alteran el arreglo perfecto de los átomos
circundantes, distorsionando la red a lo largo de cientos de
espaciamientos atómicos, a partir del defecto.

Una dislocación que se mueva a través de las cercanías de un defecto

puntual encuentra una red en la cual los átomos no están en sus
posiciones de equilibrio.

Esta alteración requiere que se aplique un esfuerzo mayor para que la

dislocación venza al defecto, incrementando así la resistencia y dureza
del material
Los defectos puntuales son discontinuidades de la red que involucran
uno o quizás varios átomos.

Los defectos puntuales se pueden presentar en todos los materiales, como

por ejemplo:

• Iónicos (NaCl, KCl)

• Covalentes (Si, Ge)
• Metálicos (Fe, Al)
• Moleculares (Polietileno, Nylon)

SHACKELFORD, J.F.:"Introducción a la Ciencia deMateriales

para ingenieros",Prentice Hall, 4ªEdición, Madrid, 1998.

Se producen:  en procesosde solidificación (impurezas, aleaciones)

 por bombardeo departículas de E
 en procesosde deformación
76
plástica (procesado)
 al T  vibraciones térmicas  N v
VACANCIAS: Se produce cuando falta un átomo en un sitio normal
de la red.

A temperatura ambiente aparecen muy pocas vacancias, pero estas se

incrementan de manera exponencial conforme aumenta la temperatura,
como se muestra en la sig. ecuación.

nv = n exp( - Q / RT)

nv Número de vacancias por cm3.

n Número de átomos por cm3.
Q Energía requerida para producir una vacancia, cal/mol.
R Constante Universal de los gases, 1.987 cal/mol K.
T Temperatura en K.

77
 The equilibrium number of vacanciesNv for a
given quantity of material depends
on and increases with temperature according to
Nv = N exp(- Qv/kT)

In this expression, N is the total number of atomic

sites, Qv is the energy required
for the formation of a vacancy, T is the absolute
temperature1 in kelvins, and k
is the gas or Boltzmann’s constant. The value of k
is 1.38 1023 J/atom-K, or
8.62 105 eV/atom-K,
Calculate the equilibrium number of vacancies per cubic meter for copper at
1000C. The energy for vacancy formation is 0.9 eV/atom; the atomic weight
and density (at 1000C) for copper are 63.5 g/mol and 8.40 g/cm3,
respectively.
 Ejemplo de una vacancia, en una estructura cristalina.

TAREA

1. Resolver el ejemplo 4.6 del Askeland.

2. Calcule el número de vacancias por centímetro cúbico que se esperan
en el cobre a 1085 ºC. La energía para la formación de vacancias es de
20 000 cal/mol.

85
Defecto de Vacancias

 Se produce cuando falta un átomo en la estructura cristalina

 Todos los materiales cristalinos tienen defectos de vacancia.

Las vacancias pueden producirse durante la solidificación como
resultado de perturbaciones locales durante el crecimiento de los
cristales.

En los metales se pueden introducir vacancias durante la deformación

plástica, por enfriamiento rápido desde altas a bajas temperaturas, o
como consecuencia de daños por radiación.

Las vacancias son importantes cuando se desean mover los átomos

en un material sólido (difusión).
DEFECTOS INTERSTICIALES: Se forma un defecto intersticial cuando se
inserta un átomo adicional en una posición normalmente desocupada dentro
de la estructura cristalina.

Los átomos intersticiales, auque mas pequeños que los átomos localizados
en los puntos de red, pueden ser mas grandes que los sitios intersticiales
que ocupan, en consecuencia, la red circundante aparece distorsionada.

Los átomos intersticiales como el H a menudo están como impurezas

Los átomos de C se agregan al hierro87para producir acero.
Defectos Intersticiales
Se produce cuando se inserta un átomo en una estructura cristalina
en una posición normalmente desocupada.

El aumento de sitios intersticiales ocupados en la red cristalina,

produce un aumento de la resistencia de los materiales metálicos

La cantidad de átomos intersticiales en la estructura es

aproximadamente constante (aún cuando cambie la temperatura)
Los átomos intersticiales son de mayor tamaño que los sitios
intersticiales, por lo cual la región cristalina vecina esta comprimida y
distorsionada.
 DEFECTOS SUSTITUCIONALES: Se crea un defecto sustitucional cuando
se remplaza un átomo de la red por otro tipo de átomo distinto.

Cuando el átomo sustitucional es mayor que los normales de la red, los átomos
circundantes se comprimen.

Si los átomos sutitucionales son menores que los átomos de la red, los
atomos circundates quedan en tensión.

90
Defecto Sustitucional
Se introduce un defecto sustitucional cuando un átomo es sustituido
por otro átomo de distinta naturaleza.

 Un átomo sustitucional ocupa un sitio normal en la red.

Estos átomos cuando son de mayor tamaño, causa una reducción de
los espacios interatómicos vecinos.

Cuando son de menor tamaño, se produce una mayor distancia

interatómica entre los átomos vecinos

Los defectos sustitucionales se pueden introducir en forma de

impurezas o adicionar de manera deliberada en la aleación.

Una vez introducidos, la cantidad de defectos no varia con la

temperatura.
DFECTO FRENKEL: Es un par de defectos, intersticio-vacancia formado
cuando un ion salta de un punto normal de la red a un sitio intersticial,
dejando atrás una vacancia.

DEFECTO SCHOTTKY: Es un par de vacancias en un material de

enlace iónico.

94
Defecto de Frenkel (o par de Frenkel)
Es un par vacancia-intersticial que se forma cuando un ión salta de un
punto normal de la red a un sitio intersticial y deja atrás una vacancia.

Este defecto, que se presenta generalmente en cristales iónicos,

también se puede presentar en los metales y en materiales con enlaces
covalentes.

Defecto de Schottky
Es un defecto exclusivo de los materiales iónicos y suele encontrarse
en muchos materiales cerámicos.

Cuando dos iones de carga opuesta faltan en un cristal iónico, se crea

una divacante aniónica-catiónica que se conoce como defecto de
Schottky
Cristal iónico ilustrando un defecto de Frenkel y un defecto de Schottky
3. DEFECTOS DE SUPERFICIE

97
Defectos de superficie

Son límites o planos que separan un material en regiones, cada región

tiene la misma estructura cristalina, pero distinta orientación

Las dimensiones exteriores del material representan superficies en

donde termina el cristal. Cada átomo en la superficie ya no tiene el
número adecuado de coordinación y se interrumpe el enlazamiento
atómico

El límite de grano, que es la superficie que separa los granos

individuales, es una zona angosta donde los átomos no tienen la
distancia correcta entre sí; existen zonas de compresión y otras de
tracción.
(a) Esquema que muestra el ordenamiento de los átomos en la
formación del borde de grano. (b) Granos y límites de grano en una
muestra de acero inoxidable.
Material policristalino
•Un método para controlar las propiedades de un material es
controlar el tamaño del grano, ya sea durante la solidificación o
durante el tratamiento térmico.

•En los metales, los límites de grano se originan durante la

solidificación cuando los cristales formados a partir de diferentes
núcleos crecen simultáneamente juntándose unos con otros

•Al reducir el tamaño de grano, se aumenta la resistencia del

material, ya que no permiten el deslizamiento de las dislocaciones

• Un material con un tamaño de grano grande tiene menor

resistencia y menor dureza.
Los defectos de superficie son las fronteras o planos que separan un
material en regiones de la misma estructura cristalina pero con
orientaciones cristalográficas distintas.

106
 Superficie del material, en las superficies externas del material la red
termina de manera abrupta. Cada átomo de la superficie ya no tiene el
Mismo número de coordinación y se altera el enlace atómico.

Áspera.

Superficie Con pequeñas muescas.

Mas reactiva que el interior del material.

Fronteras de grano, la microestructura de la mayor parte de los materiales

esta formada por muchos granos.

Un grano es una porción del material dentro de la cual el arreglo atómico es

idéntico, pero la orientación del arreglo atómico, o de la estructura cristalina,
es distinta para cada grano.

107
La siguiente figura muestra de manera esquemática tres granos, la red
de cada uno de ellos es idéntica pero están orientados de manera distinta.

Frontera de grano, es la superficie que separa los granos, es una zona

estrecha en la cual los átomos no están correctamente espaciados.

108
Importancia de los defectos
En los materiales metálicos, los defectos como las dislocaciones,
defectos puntuales y límites de grano sirven como obstáculo a las
dislocaciones.

Es posible controlar la resistencia de un material metálico controlando

la cantidad y el tipo de imperfección

 Endurecimiento por deformación

 Endurecimiento por solución sólida
 Endurecimiento por tamaño de grano
 Endurecimiento por deformación
Se requieren esfuerzos
Los átomos vecinos a
mayores para mover una
una línea de dislocación
dislocación cuando se
están en compresión y/o
encuentra con otra
tracción.
dislocación

Al incrementar el número de
dislocaciones, se aumenta la Metal más resistente
resistencia del material
 * Endurecimiento por solución sólida

El defecto puntual altera Se requiere de mayor

la perfección de la red esfuerzo para que una
dislocación se deslice

Al introducir intencionalmente átomos

sustitucionales o intersticiales, se genera
un endurecimiento por solución sólida
 Endurecimiento por tamaño de grano

Los limites de grano El movimiento de las

alteran el arreglo dislocaciones se bloquea en los
atómico bordes de grano

Al incrementar el número
de granos o al reducir el
tamaño de éstos, se
produce endurecimiento
por tamaño de grano.
MOVIMIENTO DE ATOMOS
(DIFUSIÓN)

114
Los defectos puntuales que se describieron anteriormente pueden moverse,
y lo hacen dentro del sólido.

El mecanismo por el cual se mueven los átomos o las moléculas se llama

difusión.

Por ejemplo, si se coloca una gota de tinta en un vaso con agua, la tinta se
mueve ( se difunde ) a través del agua.

De igual forma, si se coloca una capa de átomos de carbono sobre la

superficie de una placa caliente de hierro, el carbono se difunde al interior
de la placa.

La difusión es un proceso de transporte de masa que implica el

Movimiento de una especie de átomos a otra. Y se efectúa en los
estados líquido, solidó y gaseoso, en todo tipo de materiales.

115
*
• Interdifusión o difusión de impurezas: Los átomos de un metal difunden en el otro.
Los átomos migran de las regiones de alta concentración a la de baja
concentración.
Inicial Después de un tiempo

1
1
Perfiles de Perfiles de 6

concentración concentración
 *
•Autodifusión: En metales puros, los átomos del mismo tipo puede
intercambiar Posiciones. No puede observarse por cambios de composición.
Átomos Después de un tiempo
etiquetados C
C
A D
A
D
B
B

A nivel atómico, la difusión consiste en la migración de los átomos de un sitio de la red a

otro. En los materiales sólidos, lo átomos están en continuo movimiento.
La movilidad atómica requiere 2 condiciones:
1) un lugar vecino vacío
2) el átomo debe tener suficiente enrgía como para rompere los enlaces con
los átomos vecinos y distorsionar la red durante el desplazamiento.
A una temperatura determinada una pequeña fracción del número total de átomos es
capaz 4
De difundir debido a la magnitud de su energía vibratoria.
* Es el movimiento de los átomos en un material . Los
átomos se mueven de tal modo que son predecibles,
tratando de eliminar diferencias de concentración y de
producir una composición homogénea y uniforme.
* A nivel atómico, la difusión consiste en la migración de
los átomos de un sitio de la red a otro.

*
* Difusión de dopantes para dispositivos semiconductores

Una unión p-n es una región del semiconductor, un lado de la cual

esta dopada con dopantes del tipo n(por ejemplo, As en Si) y el
otro lado esta dopado con dopantes del tipo p(por ejemplo B en Si)
 * La unión P-N
La unión P-N en equilibrio.

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

 La unión P-N
La unión P-N en equilibrio. Zona de transición.

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

Al unir un semiconductor tipo P con uno tipo N aparece una zona de

carga espacial denominada “zona de transición”. Que actúa como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
 * La unión P-N
Una unión p-n consiste en un semiconductor con
una región de tipo p (exceso de huecos) y otra de
tipo n (exceso de electrones) separadas por una
región relativamente delgada de transición de un
tipo a otro y que puede tener de 10-6 a 10-4 cm.
de espesor según sea el método de obtención de
la unión.
 La unión P-N en equilibrio.

Una unión p-n se encuentra en equilibrio

termodinámico cuando se encuentra a una
temperatura uniforme y no actúan sobre ella
factores externos que aporten energía.

En este caso las corrientes de electrones y

huecos deben anularse en cada punto del
semiconductor y, desde un punto de vista
termodinámico.
 *
* Tratamiento térmico de los materiales
* Manufactura de cerámicos
* Solidificación de materiales
* Fabricación de transistores y celdas solares
* Conductividad eléctrica de muchos ceramicos
 *

• Se difunde una fuerte de carbono

(polvo de grafito) en los
componentes de acero . El
incremento en la concentración
de carbono incrementa la dureza
debido a que los átomos de
carbono ubicados en el
intersticio obstaculizan los
movimientos de dislocación . * Horno para el tratamiento
térmico del acero que
utiliza el proceso de
carburación
 *
• Endurecimiento:
-Átomos de carbono
se difunden a la
superficie

--Ejemplo: engranes de
acero

• Resultado: la presencia de átomos de C

hacen que el hierro (acero) sea más
duro.

1
2
6
 *
• Dopar silicio con fósforo para tener semiconductores tipo n
0.5 mm

1. Se depositan capas
ricas en P sobre la
superficie.
magnified image of a computer
ilico
n chip

2. Se
calienta
3. Resultado: Regiones light regions: Si atoms
del Semiconductor
dopadas

light regions: Al atoms

silicon
1
2
7
* Cerámicas conductores
En general, las cerámicas policristalinas tienden a ser buenas
aislantes electricidad. La difusión de iones, electrones u
orificios también desempeña una función importante en la
conductividad eléctrica de muchas cerámicas conductoras
como la zirconia (ZrO2).

Sensor de oxigen
Celdas de
combustible
* Fabricación de botellas de bebidas de plástico
En la creación de ciertas botellas de plástico, debe
minimizarse la difusión del dióxido de carbono (CO2). Esta es
una de las razones de porque se utiliza tereftalato de
polietileno(PET) para fabricar botellas que aseguren que las
bebidas carbonatadas que lo contienen no pierdan su
efervescencia durante un periodo razonable.
* Oxidación de aluminio
Se dice que el aluminio no se “corroe”. En realidad el aluminio se
oxida(corroe) con mayor facilidad que el hierro, sin embargo el oxido de
aluminio(Al2O3) forma un recubrimiento delgado pero muy protector
sobre la superficie de aluminio que previene cualquier otra difusión de
oxigeno y que impide la oxidación posterior del aluminio subyacente.

* Recubrimientos y películas delgadas

Los recubrimientos y películas delgadas se utilizan con frecuencia para
limitar la difusión del vapor de agua del oxigeno o de otras sustancias
químicas.

* Recubrimientos de barrera térmica para álabes de turbinas

Algunos de los álabes de las turbinas de un avión se recubren con óxidos
cerámicos como la zirconia estabilizada con itria (YSZ). Estos
recubrimientos protegen la aleación de altas temperaturas, la difusión del
oxigeno a través de los recubrimientos y la oxidación determina el tiempo
de vida y la durabilidad de los álabes de la turbina.
* Fibras ópticas y componentes microelectrónicos
Las fibras ópticas hechas de sílice(SiO2) se recubren con materiales
poliméricos para prevenir la difusión de las moléculas de agua,
mejora las propiedad ópticas y mecánicas de las fibras.
Incluso en materiales puros los átomos se mueven de una posición en la
red a otra y este proceso se conoce como autodifusión.

DIFUSIÓN POR VACANCIA: Un átomo abandona su sitio en la red para

llenar una vacancia (creando así una nueva vacancia en su lugar original
en la red). Conforme continua la difusión, se tiene un flujo de vacancias y
átomos en sentidos opuestos conocido como difusión por vacancias.

DIFUSIÓN INTERSTICIAL: cuando en la estructura cristalina esta un

átomo intersticial, este átomo pasara de un sitio intersticial a otro.

132
En materiales sólidos, los átomos están en continuo movimiento,
cambian rápidamente de posición.
El desorden que crean las vacancias ayuda a minimizar la energía
libre e incrementa la estabilidad termodinámica de un material
cristalino.
*En los materiales que presentan vacancia los átomos “saltan” de
una posición de red a otra, se le conoce como autodifusión y se
detecta con trazadores radioactivos.

*
* INTERDIFUSIÓN

El fenómeno de difusión se puede demostrar mediante el par

difusor formado por la unión de dos metales puestos en contacto
(Cu-Ni). Este par se calienta a elevada temperatura durante un
largo período de tiempo y luego se enfría.
A la difusión de átomos distintos en direcciones diferentes se le
conoce como interdifusión.
 *
Mecanismo de difusión que implica el cambio de un átomo desde una posición reticular
normal a uno vacante El numero de vacancias, el cual aumenta a medida que se
incrementa la temperatura influye en la extensión de la autodifusión y difusión de los
átomos sustitucionales.
El movimiento de los átomos van en sentido opuesto al de las vacantes.
136
 *
* Este mecanismo es muy improbable, por la fuerte repulsión
de corto alcance de los átomos, lo que prohíbe la
ocupación de la posición intermedia donde los dos átomos
deberían estar a mitad de camino.
 *
* Aquí las fuerzas repulsivas juegan un rol positivo, cada
átomo “empujando” a su vecino en el curso de una
permutación circular. Sin embargo este mecanismo
requiere la coordinación de varios saltos atómicos, lo que
hace que su ocurrencia sea improbable.
 *
Mecanismo de difusión que implica átomos que van desde una
posición intersticial a otra vecina desocupada.
La difusión intersticial se lleva a cabo con mucha mayor facilidad
que la difusión por vacancia. Los átomos intersticiales que son
relativamente mas pequeños se difunden mas fácil.
*
* Un átomo que se esta difundiendo debe abrirse camino a través de
los átomos que lo rodean para alcanzar su nuevo sitio, para que esto
suceda se le debe de aplicar energía para llegar a su nuevo sitio.
 *
Adolf Eugen Fick (1829-1901) fue el primer científico en promover
una descripción cuantitativa del proceso de difusión.
La velocidad a la cual se difunden los átomos en un material se
puede medir mediante el flujo j, que se define como el numero de
átomos que pasa a través de un plano de superficie unitaria por
unidad de tiempo.
J=-D(dc/dx)
J es el flujo, D es la difusividad o coeficiente de
difusión(cm^2/s), y dc/dx es el gradiente de concentración
(atomos/cm^3*cm) dependiendo de la situación las unidad
cambiaran.
PRIMERA LEY DE FICK

La difusión es uno de los procesos de transporte. Los otros son

la conducción térmica , la conducción electrica y el movimiento
de los fluidos. Todos estos procesos siguen la ecuación

Respuesta = (Cte. de proporcionalidad) (Estimulo)

Por ejemplo, en el caso de la conducción electrica, el estimulo

es el campo eléctrico y la respuesta es la densidad de
corriente. En la conducción térmica, el estimulo es un gradiente
de temperatura y la respuesta es el flujo de calor. En estas
ecuaciones , las ctes.. de proporcionalidad son las
conductividades eléctrica y térmica, y son propiedades del
material.

143
En la difusión, el estímulo es un gradiente de concentración y la respuesta
es un flujo especifico de materia por unidad de área y unidad de tiempo.

En una dimensión el flujo de materia de una región de alta concentración a

una de baja concentración se expresa mediante la primera ley de Fick, que es:

 C 
J   D 
2
 x 
J (átomos/cm s) es el flujo de materia por unidad de área perpendicular
a la dirección x

 C 
  Gradiente de concentración normal al plano
 X 
2
D Coeficiente de difusión (cm /s ), es una propiedad del material.
144
  C 
J   D 
 x 
El coeficiente de difusión D esta relacionado con la temperatura
a
través de la ecuación de Arrhenius
 Q 
D  D0 exp  
 RT 

145
 SEGUNDA LEY DE FICK

dc  d2 c 
 D 2 
dt  dx 

Una de las soluciones de la segunda ley de Fick es

cs cx  x 
 erf 
cs  c0  2 Dt 

cs es la concentración constante de átomos a difundir

c0 es la concentración inicial en el material de los atomos a difundir
cx es la concentración del atomo en difusion en la posicion x
erf es la función error
146
* Gradiente de concentración

El gradiente de concentración muestra como varía la composición del

material con la distancia:
Δc es la diferencia en la concentración sobre la distancia Δx(figura 5-
9). Puede crearse un gradiente de concentración cuando dos
materiales de distinta composición se ponen en contacto, cuando un
gas o un liquido están en contacto con un solido.
 Cuantificación
• Cómo cuantificamos la tasa de difusión?
moles (or mass) diffusing mol kg
J  Flux   or
surface areatime cm2s m2s
• Mediciones empíricas
– Hacer una película delgada (membrana) con área superficial
conocida
– Imponer un gradiente de concentración
– Medir qué tan rápido los átomos o moléculas se dufunden a través
de la membrana.

M=
Fluj M  l dM mass J
J
diffused slope
o At A dt
tim
e
15
0
 Difusión en estado estacionario
Condición de estado estacionario: el flujo de difusión no cambia
con el tiempo
Flujo proporcional al gradiente de concentración = dC
dx

C C1 Primera ley de Fick:

1

dC
C2 C J  D
2
dx
x1 x2
x D  coeficiente de difusión
[m2/s]
dC C C2  C1
si es lineal  
dx x x2  x1 La dirección de difusión es
contraria Al gradiente de
concentración: 15
Va de alta a baja concentración
1
 Ejemplo: Guantes protectores
contra químicos
• El cloruro de metileno es un ingrediente común para
remover pintura. Además de ser irritante, puede absorberse
por la piel. Cuando se utiliza este removedor de pintura se
deben usar guantes protecores.
• Si se utilizan guantes de caucho butílico (0.04 cm de
espesor), cuál es el flujo de difusión del cloruro de metileno
a través del guante?
• Datos:
– Coeficiente de difusión en caucho butílico:
D = 110x10‐8 cm2/s
– Concentraciones en C1 = 0.44 g/cm3
superficies: C2 = 0.02 g/cm3

15
2
Ejemplo D = 110x 10-8
cm2/s
Datos:
(cont). C1 = 0.44 g/cm3
• Solución – asumiendo un gradiente de C2 = 0.02 g/cm3
concentración lineal
guante
C1 dC C  C1
tb  
2
J  -D   2
dx D x2  x1
Removedor 6
piel
D
de pintura
C2
x1 x2

x2 – x1 = 0.04 cm

J   (110 x 10-8 cm2/s)

(0.02 g/cm  0.44 g/cm3 )
3 g
1.16 x 10-5
 (0.04 cm) cm2s

15
3
 Difusión y
temperatura
• El coeficiente de difusión aumenta con la
temperatura.

 Qd 
D  Do  
 RT 
exp
D = coeficiente de difusión [m2/s] Do = pre-exponencial [m2/s]
Qd = energía de activación [J/mol or eV/atom]
R = constante de los gases [8.314 J/mol-K]
T = temperatura absoluta [K]

15
4
 Difusión y
temperatura
D depende exponencialmente de T

1500

1000

600

300
T(C)
10-8
Dintersticial >> Dsubstitucional
D (m2/s)
C en -Fe Al en Al

10-14 C en -Fe Fe en -Fe

Fe en -Fe

10-20
0.5 1.0 1.5
1000K/T

15
5
Example: At 300ºC the diffusion coefficient and activation
energy for Cu in Si are
D(300ºC) = 7.8 x 10-11 m2/s
Qd = 41.5 kJ/mol
What is the diffusion coefficient at 350ºC?

D transform ln
data D

Temp = T 1/
T
n Qd  1  Qd  1 
l D  lnD0   and lnD1  lnD0 
2
R  T2  R  T1 
D Qd  1 1 
 lnD2  lnD1  ln 2    
 D1 R  T2 T1 
15
6
 Example (cont.)
D2  D1 exp  Qd  1 1 
  T  T 
 R  2 1 

T1 = 273 + 300 = 573 K

T2 = 273 + 350 = 623 K

11   41,500 J/mol  1 

D2  (7.8 x m /s) 8.314 J/mol - K 623 K 
10 exp  573 K 
2
1

D2 = 15.7 x 10-11
m2/s

15
7
Difusión en estado no estacionario
• La concentración de las especies que se difunden es
tanto de la posición como del tiempo C=C(x,t)
función

En condiciones no estacionarias utilizamos la ecuación con

derivadas parciales:

Si el coeficiente de difusión es independiente de la composición, la

ec. anterior se simplifica a:

C 2C
D 2 Segunda ley de
t x Fick

Las soluciones a esta ecuación se consiguen especificando

condiciones límites Físicamente significativas. 1
8
 Consideraciones para la
• solución
En la práctica, una solución importante es la de un sólido semiinfinito
cuya concentración superficial se mantiene constante.
• Frecuentemente la substancia que difunde es un gas, cuya presión
parcial se mantiene constante.
• Se plantean las siguientes hipótesis:
1. Antes de la difusión, todos los átomos de soluto están
uniformemente distribuidos en el sólido a concentración
C0.
2. El valor de x en la superficie es cero y aumenta con la distancia
dentro del sólido.
3. El tiempo se toma igual a cero en el intante
inmediatamente antes de empezar la difusión.
Estas condiciones límite son:
Para t=0, C= C0 a 0  x  
para t>0, C= Cs (la concentración superficial constante)
x=0 C= C0 a x= 
Aplicando las condiciones iniciales, se obtiene
x lasolución:
Cx,t  Co  1 erf
 
Cs Co  2 Dt 
 Solución
Cx,t  C  1 erf x 
:
C C
o
 
s o 
2 Dt 

C(x,t) = Conc. En el punto x

CS
al tiempo
t
erf (z) = función
error 2 z y 2 C(x,t

  0
e )
d Co
y

16
0
• Cobre difundiéndose hacia una barra de
aluminio.

Conc.
superficial Cs ba
de átomos de Conc. pre-existente Co de átomos
r de
Cu. cobre

Cs

16
1
 Cx,t  Co  1 erf x 
 
Cs Co  2 Dt 
• Cuando se desea conseguir una concentración determinada de soluto
C1, el primer miembro de la ec. se convierte en:

• En esta condición, el segundo miembro de la ec es una

constante:

Perfil de
concentración Para
difusión en estado no
Estacionario.
Valores de la función
error
 Ejemplo
• Para algunas aplicaciones tecnológicas es más conveniente
endurecer la superficie del acero que el interior. Un camino para
conseguir este fin es incrementar la concentración de carbono
de la superficie en un proceso llamado carburación. La muestra
de acero se expone a elevada temperatura, en una atmósfera
rica en un hidrocarburo gaseoso, tal como el metano (CH4).
• Se trata a 450ºC un aleación con una concentración inicial
uniforme de 0.25% en peso de carbono. Si la concentración del
carbono de la superficie se lleva y se mantiene a 1.2% ,
¿cuánto tiempo se necesita para conseguir un contenido del
0.80% a 0.5 mm de profundidad? El coeficiente de difusión del
carbono en el hierro a esta temperatura es de 1.6x10‐11 m2/s.
Se supone que la muestra es semiinfinita.
 Solución
• Problema de difusión en estado no
estacionario.
• Co=0.25% C
• Cs=1.2% C
• Cx=0.80%
• X=0.5 mm= 5x10‐4 m
• D=1.6x10‐11 m2/s

• Así:

Debemos encontrar el valor de z para el cual la función error es de 0.4210. Para

ello hacemos una interpolación usando los datos de la tabla:
• Entonces

• Despejando
t:
 Ejemplo
•
2
Los coeficientes de difusión del cobre y del aluminio a 500 y 600ºC son
4.8x10‐14 y 5.3x10‐13 m2/s, respectivamente. Determine el tiempo
aproximado necesario para conseguir a 500ºC la misma difusión del Cu en
Al en un punto determinado, que un tratamiento de 10 h a 600ºC.

Usamos la ec.

La composición de ambas difusiones es igual en la misma

posición (x) Entonces
Dt = constante a ambas temperaturas

 (Dt)500=(Dt)600
 *
* Temperatura y el
coeficiente de difusión
La cinetica de la difusión
depende en gran medida de la
temperatura. El coeficiente de
difusión D se relaciona con la
temperatura por medio de una
ecuación
D=D0 exp(-Q/RT)
Q es la energía de activación
(cal/mol), R es la constante de
los gases(1.987 cal/mol*K) y T es
la temperatura absoluta(K). D0
es el termino preexponencial.
A temperaturas mas altas, la energía térmica suministrada a los
átomos que se están difundiendo permite que los átomos superen la
barrera de la energía de activación y se muevan con mayor facilidad a
nuevos sitios.
A temperaturas bajas, con frecuencia debajo de 0.4 veces la
temperatura de fusión absoluta del material, la difusión es muy lenta
y puede no ser significativa.
*Tipos de difusión
En la difusión por volumen, los átomos se mueven a través del
cristal de un sitio regular o intersticial a otro.
Los átomos se difunden con facilidad por difusión por limite de
grano debido a que el empaquetamiento atómico es desordenado y
menos denso en los limites de grano.
La difusión por superficie es aun mas fácil debido a que hay aun
menos restricción en los átomos que se difunden en la superficie.

* Tiempo
La difusión requiere de tiempo, las unidades para el flujo son
(atomos/cm^3*s).
Los tiempos para los tratamientos térmicos pueden reducirse
utilizando temperaturas mayores o hacienda las distancias para la
difusión lo mas pequeñas posibles.
*

* Varios factores influyen en la energía de activación para la

difusión y por tanto su velocidad, las energías de activación por
lo general son menores para los átomos que se difunden a través
de estructuras cristalinas abiertas que las cristalinas compactas.
 *
* Fusión y colado
La difusión desempeña una función importante en la solidificación de
metales y aleaciones. Por ejemplo durante el crecimiento de
monocristales de semiconductores, se debe asegurar que se tomen en
cuenta las diferencias en la difusión de los dopantes en las formas
fundida y solida.
* Sinterizado
El sinterizado es el tratamiento a alta temperatura que ocasiona que
las partículas se unan, reduciendo de manera gradual el volumen del
espacio poroso entre ellas. La sinterizacion es una etapa frecuente en
la fabricación de componentes cerámicos, al igual que en la
producción de partes metálicas por medio de metalurgia de polvos
donde se prensan polvos metálicos y se sinterizan para formar
componentes densos monolíticos.
 *
El crecimiento de granos involucra el movimiento de los limites de
granos, lo que permite que los granos mayores crezcan a expensan de
los granos pequeños.
La fuerza impulsora para el crecimiento de los granos es la reducción
en el área de los limites de los granos.
Los limites de los son defectos y su presencia ocasiona que aumente
las energía libre del material. Por tanto, la tendencia termodinámica
de los materiales policristalinos es transformarse en materiales que
tengan un tamaño promedio de los granos
 ENERGÍA DE ACTIVACIÓN

Un átomo que se difunde debe supera cierta barrera de energía para

poder empezar difundirse y pueda llegar así a su nueva posición.

La energía que debe vencer el átomo es la energía de activación Q

Razón de movimiento = C0 exp(-Q/RT)

R = 1.987 cal/mol K Cte. de los gases

T es la temperatura absoluta en K

Q es la energía de activación cal/mol

C0 es una constante

Razón de movimiento (saltos/s) 175

176