TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE NUEVO LEÓN

SUBDIRECCIÓN ACADÉMICA
DEPARTAMENTO DE EDUCACIÓN A DISTANCIA
INGENIERÍA EN INGENIERO INDUSTRIAL

PROPIEDADESDE LA MATERIA

TTEMA 2

ACTIVIDAD 2 MAPA CONCEPTUAL

Catedrático.
I.Q San Juanita Miralda Cantú Cardozo

Presenta:
EDER JAHIR RAMOS LOREDO 20481430

Cd. Guadalupe, Nuevo León; a 26/03/2021

 Imperfecciones en los Arreglos
Atómicos

Defectos puntuales Son Impurezas Son Vacancias Se produce

interrupciones localizadas
en arreglos atómicos y
iónicos que, si no fuera por
ellos, sería en perfectos en
una estructura cristalina. se
pueden introducir por el
movimiento de los átomos
o los iones al aumentar la
energía por calentamiento,
durante el procesamiento
del material por
introducción de impurezas o
dopado.
elementos o
compuestos presentes
en las materias primas o
en el procesamiento.
Dopantes Son
elementos o
compuestos que se
agregan en forma
deliberada y en
concentraciones
conocidas, en lugares
específicas de la
microestructura
buscando un efecto
benéfico sobre las
propiedades y el
procesamiento.
En general el efecto de
las impurezas en las
propiedades de los
materiales es nocivo
meintras que el de los
dopantes es útil.
Defectos cuando falta un átomo o un
extendidos Defectos ión en su sitio normal de la
en los que toman estructura cristalina. Esto
parte varios átomos o aumenta el desorden normal
iones y que, por o entropía del material, lo
consiguiente se cual aumenta la estabilidad
presentan en un termodinámica de un
volumen finito del material cristalino. Todos los
material cristalino.
materiales cristalinos tienen
un defecto de vacancia. Se
introducen a los metales y
aleaciones durante la
solidificación, a
temperaturas elevadas
o como consecuencia de
daños por radiación. Las
vacancias desempeñan un
papel importante en la
determinación de la rapidez
con que se pueden mover
los átomos o los iones en un
metal sólido.

Donde:
 nv es la cantidad de vacancias por cm^3;
 n es la cantidad de átomos por cm^3;
 Qv es la energía necesaria para producir un mol de vancancias, en cal/mol o en joule/mol;
 R es la constante de los gases: 1,987 cal/(mol-K) u 8.31joules/(mol-K)
 T es la temperatura, en grados K.
  Defectos intersticiales Se forma cuando se inserta un átomo o ión adicional en la estructura
cristalina en una posición normalmente desocupada.
  Defecto sustitucional o Defecto puntual intersticial Se crea cuando un átomo idéntico a los
puntos normales de red están en psición intersticial. Es probable encontrar este defecto en
estructuras cristalinas con bajo factor de empaquetamiento.
  Defecto de Frenkel o Par de Frenkel es un par vacancia - intersticialidad que se forma cuando
un ión salta de un punto normal de red a un sitio intersticial y deja atrás una vacancia. Este defecto
se presenta tanto en materiales iónicos como covalentes. 
  Defecto de Schottky Es exclusivo de los materiales iónicos, y suele encontrarse en muchos
materiales cerámicos. En este defecto, las vacancias se presentan en un material con enlaces iónicos;
donde debe faltar un número estequimétrico de aniones y cationes en cristal si se quiere conservar
en el la neautralidad eléctrica.