MOSFET

TRANSISTORES DE POTENCIA

MSc. Jorge Luis López Córdova

 Transistor MOSFET
Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor
Es un transistor utilizado para amplificar o
conmutar señales electrónicas
 Transistor MOSFET
• Disposición de terminales
• Símbolo electrónico
 CARACTERISTICAS
• Controlados por una tensión de alta
impedancia de entrada (1012 ohmios).
• Consumo bajo de energía.
• Sensibilidad estática.
• Usados como amplificadores y conmutadores.
• Poseen dos tipos N y P.
 Principio de operación de un MOSFET

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P,

cuando no se aplica tensión en la compuerta
no hay flujo de corriente entre en drenaje
(Drain) y la fuente (Source)

Debido a la delgada capa de óxido que hay entre

la compuerta y el semiconductor, no hay
corriente por la compuerta.
El transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
D

G
S
Canal N

G
Canal P
S
FUNCIONAMIENTO
Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N (I)

D ------'
.---.........----L..+------+--l-,..lillll---......-------, :
1

N 1
1
1 Metal
1
1
1
1
Oxido (aislante)
1

p 1
1
Semiconductor
------....--r----- : 1
1

SUSTRATO
·------------------:
Normalmente el terminal de SUSTRATO se encuentra conectado con el
surtidor S
Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N (II}

Uos • Formado el canal entre drenador y

surtidor puede circular la corriente de
drenador 1 0

• Incrementar la tensión U05 tiene un

doble efecto:
-··········· N

♦
···············
C a m p o e l éc t r i c o + * Oh mico: mayor tensión = mayor
debido a U0 8 Campo eléctrico
p debido a UGs
corriente 10
* El canal se estrecha por uno de los
lados= 10 se reduce

• A partir de un cierto valor de U05 ambos efectos se compensan y la corriente

se estabiliza haciendose prácticamente independiente de U05
Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N (I I I)

+++ +++

p
e e

• Al aplicar tensión positiva UGs los electrones libres de la zona P (sustrato)

son atraídos hacia el terminal de puerta

• Por efecto del campo eléctrico se forma un canal de tipo 'n' (zona rica en
electrones) que permite el paso de la corriente entre drenador y surtidor
Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N (V)
Curvas características
10 (mA)
.,------ 10
40
30 , , . - - - - - - 8

20 6 f Por debajo de
{ esta tensión no
se forma el canal
10 4
2 4 6 8 Uos (V)
• A partir de un cierto valor de UGs se forma el canal entre drenador y fuente.
Por debajo de este límite el transistor está en corte.
• Dependiendo de la tensión U05 se puede tener un equivalente resistivo o de
fuente de corriente entre D y S
Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal P
Curvas características
10 (mA)
UGS
, , - - - - - - - 1 0
-40
-30 -8

-20 -6
-10 -4
-2 -4 -6 -8 Uos (V)

• Canal P: comportamiento equivalente al del MOSFET de canal N pero con los

sentidos de tensiones y corrientes invertidos
 Ventajas
La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados, p-
mos, n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores
bipolares:
• Consumo en modo estático muy bajo.
• Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de
• media micra).
• Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño. Funcionamiento por tensión,
son controlados por voltaje por lo que
• tienen una impedancia de entrada muy alta.
Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro
• de superficie que conlleva.
La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los
•
nanosegundos.
Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta
frecuencias y baja potencia.
 Resumen de las características de los
transistores MOS:
• La corriente de drenador se controla mediante la tensión UGs

• En los MOSFET de acumulación a partir de un cierto valor umbral

de UGs se forma el canal y puede circular la corriente de drenador

• En los MOSFET de deplexión una difusión adicional permite la

circulación de la corriente de drenador incluso para tensión UGs
nula

• Aplicaciones típicas: convertidores y accionadores electrónicos de

potencia, etapas amplificadoras, circuitos digitales, ...
 Ventajas de los MOSFET
• Consumo en modo estático muy bajo
• Tamaño inferior al bipolar (media micra)
• Gran capacidad de integración
• Funcionamiento controlado por tensión
• Impedancia de entrada muy alta
• Intensidad baja de la puerta (nanoamperios)
• Velocidad de conmutación alta (nanosegundos)
 Aplicaciones
• La mayoría de componentes electrónicos
están basados en la aplicación de MOSFET
• Es ideal para controla motores de mediana
potencia en proyectos de robótica.
• El MOSFET es frecuentemente usado como
amplificador de potencia
GRACIAS