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Medición de Transistores BJT en Proteus

Este documento describe un experimento de laboratorio sobre un circuito BJT en Proteus. El procedimiento incluye mediciones DC de las tensiones en diferentes nodos, medición de la transresistencia y la impedancia de entrada con el interruptor S1 abierto y cerrado, y mediciones de la respuesta en frecuencia y la impedancia de entrada. El objetivo es obtener la máxima excursión simétrica en la salida sin distorsión variando la tensión de entrada hasta 11V de pico.

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Percy Flores Aquise
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Medición de Transistores BJT en Proteus

Este documento describe un experimento de laboratorio sobre un circuito BJT en Proteus. El procedimiento incluye mediciones DC de las tensiones en diferentes nodos, medición de la transresistencia y la impedancia de entrada con el interruptor S1 abierto y cerrado, y mediciones de la respuesta en frecuencia y la impedancia de entrada. El objetivo es obtener la máxima excursión simétrica en la salida sin distorsión variando la tensión de entrada hasta 11V de pico.

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Laboratorio bjt en poteus

PROCEDIMIENTO:
1.- Ensamble el siguiente circuito:

Tension ajuata a 12vcd

2.- Mediciones en DC:


Con S1 abierto, mida las tensiones DC en todos los nodos del circuito
Tension en el nodo colector del transistor Vc =3.71 v
Medición de tensión dc en el emisor de transistor Ve = 0.81v

Medición de tensión dc en la base de transistor Vb = 1.52v


Medición de tensión dc en el nodo de R3 Y R4 V = 2.61v

3.- Aplique la señal de entrada Vg con amplitud de 200 mVpp y


Frecuencia de 1 KHz
Ajuste de datos de la fuente VG
a) Con S1 cerrado mida la transresistencia y la impedancia de entrada,
Según mediciones
Rm = 3880mV /12.3uA=315.4k ohm.
Zi =1400mv/12.3uA=113.8k ohm.
b) Con S1 abierto mida la transresistencia y la impedancia de entrada.

Según mediciones
Rmf = 3720mV /14uA=265.7k ohm.
Zif =1400mV/14uA=100k ohm.

La transresistencia se define como: Rmf = Vo/Ig


La impedancia de entrada se halla con: Zif = Vg/Ig

¿Cómo hará la medición de Ig?


Medición de Ig con S1 abierto
Medición de Ig con S1 cerrado

4.- Para cada uno de los pasos 3a y 3b, mida la respuesta en frecuencia del circuito y la
impedancia de entrada:
Recomendación: Haga sólo las mediciones de tensión y deje los cálculos para el informe.

F 20 100 200 1k 2k 5k 10k 20k 50k 70k 100 150k


(Hz) k
3a Rm 322.4 336 334 315.4 304 301 301 299 301 301 298 308
3a Zi 12.6 12.6 12.5 11.3 11 10. 10.5 10.4 10.4 10.2 10 10
5
3b Rmf 291.4 283. 275 265. 264 264 263 264 268 266 264 272
9 7
3b Zfi 10.93 10.6 10.3 10 9.9 9.9 9.9 10 10 10 10.2 10.1

Laboratorio 2 parte 2 en proteus

Configurar las opciones fuente (Amplitud= 1V. frecuencia = 1 kHz):


Visualizar gráficamente la tensión de salida y observar su amplitud. Aumente Vg hasta que
se obtenga máxima excursión simétrica en la salida y no haya distorsión en el máximo. En
este caso, anotar los valores pico de entrada y salida
Con vg máximo en 11 v se llega a la excursión simétrica
En VG con 12 V ya existe distorsión (onda de color azul)
Vg,p = 12v
Vsal,p = 11v
¿Qué ocurre con la tensión de salida en la máxima excursión simétrica de la salida? ¿Y si se
aumenta un poco la tensión de entrada?
Por el contrario disminuye la tensión de salida
¿Son iguales las tensiones de los nodos 2 y 3? ¿Por qué razón?

Si son iguales las tensiones en los nodos 2 y 3 por el feedback y que las resistencias a tierra son del
mismo valor

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