1. ¿Qué Ventajas tienen los FET sobre los BJT?

 Una resistencia de entrada extremadamente alta, del orden de los megaohms.

 No tiene voltaje de offset cuando se utiliza como interructor, mientras que un BJT requiere
el voltaje de base-emisor mínimo 𝑉𝐵𝐸
 Es relativamente inmune a radiaciones ionizantes, mientras que el BJT es muy sensible a
ellas porque, en particular, afectan el valor beta.
 Es menos “ruidoso” que el BJT y, por tanto, más adecuado para etapas de entrada de
amplificadores de bajo nivel. Se utiliza ampliamente en receptores de FM.
 Proporciona una mejor estabilidad térmica que el BJT; esto es, los parámetros de los FET
son menos sensibles a los cambios de temperatura.

2. ¿Cuáles son Los tipos principales de JFET?

 Existen dos tipos de FET de unión, de canal n y de canal p. el canal te tipo n se encuentra
inserto entre dos regiones de compuerta de tipo p. el canal se forma a partir de material
ligeramente impurificado. El canal tipo p se forma entre dos regiones de compuerta de
tipo n.

3. ¿Qué es el voltaje de estrechamiento de un JFET?

4. ¿Cuáles son los tipos de MOSFET?

Existen dos tipos de MOSFET los cuales son:

 Transistores de efecto de campo de metal-oxido incrementales.

 Transistores de efecto de campo de metal- oxido decremental.

5. ¿Qué es un NMOS?

 Es un tipo de semiconductor que se carga negativamente de modo que los transistores se

enciendan o apaguen con el movimiento de los electrones. El NMOS es más veloz que el
PMOS, pero también es más costosa su fabricación. Actualmente es el tipo de
tecnología que más se usa en la fabricación de circuitos integrados.
6. ¿Qué es un PMOS?

 Se fabrica en un sustrato tipo n con regiones 𝑝+ para el dren y fuente, y tiene huecos
como portadores de carga. El dispositivo opera en la misma forma que el dispositivo de
canal n, excepto que 𝑉𝐺𝑆 y 𝑉𝐷𝑆 son negativos y el voltaje de umbral 𝑉, es negativo. Del
mismo modo,la corriente 𝐼𝐷 entra en el terminal de la fuente y sale por el terminal del
dren.
La tecnología PMOS fue originalmente la dominante, pero como los dispositivos NMOS se
pueden hacer más pequeños y por lo mismo operan con más rapidez, y también porque
históricamente el NMOS requiere menores voltajes de alimentación que el PMOS, la
tecnología NMOS prácticamente ha sustituido al PMOS.

 El PMOST se forma con dos regiones tipo 𝑝+ sobre un sustrato de tipo 𝑛, las regiones 𝑝
ofrecen resistencias bajas, el símbolo de un PMOS es igual al de un NMOS, excepto en que
la dirección de la flecha se invierte

7. ¿Qué es la región óhmica de un FET?

 ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una

resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el
fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y
distintos valores de VGS.
8. ¿Cuáles son los efectos de las características del JFET en el punto de polarización?

9. ¿Qué es la ganancia en transconductancia 𝑔𝑚 de un FET?

 La transconductancia es la pendiente de la característica de transferencia (), y se define
como el cambio de la corriente de drenaje correspondiente a un cambio de voltaje
compuerta-fuente.

10. ¿Qué es la resistencia de señal pequeña 𝑟0 de un FET?

 Es el inverso de la pendiente de la característica 𝐼𝐷 -𝑉𝐷𝑆 en la región de estrechamiento, el

valor de 𝑟0 puede determinarse aproximadamente con:
1 𝐼
𝑟0
= |𝑉𝐷 | = 𝜆𝐼𝐷 para todo FET
𝑀
1
Donde 𝑉𝑀 es el voltaje de modulación del canal, y 𝜆 = |𝑉 es la longitud de modulación
𝑀|
del canal. El parámetro 𝑉𝑀 es positivo para dispositivos de canal p, y negativo para un
dispositivo de canal n. su magnitud típica es de 100V. 𝑉𝑀 es análogo al voltaje de early 𝑉𝐴
de los transistores bipolares.

11. ¿Qué es el voltaje de modulación de canal de un FET?

𝑉𝑀 es análogo al voltaje de early 𝑉𝐴 de los transistores bipolares.