El fototransistor no es muy diferente a un transistor normal, es decir, está compuesto por el

mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas:
colector, base y emisor. Por supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la primera diferencia
evidente es en su cápsula, que posee una ventana o es totalmente transparente, para dejar que la
luz ingrese hasta las junturas de la pastilla semiconductora y produzca el efecto fotoeléctrico.

Teniendo las mismas características de un transistor normal, es posible regular su corriente de

colector por medio de la corriente de base. Y también, dentro de sus características de elemento
optoelectrónico, el fototransistor conduce más o menos corriente de colector cuando incide más o
menos luz sobre sus junturas.

La idea del fototransistor se conoce desde hace muchos años. William Shockley propuso la idea
por primera vez en 1951, no mucho después de que se descubriera el transistor bipolar ordinario.
Fue entonces sólo dos años antes de que se demostrara el fototransistor. Desde entonces, los
fototransistores se han utilizado en una variedad de aplicaciones, y su desarrollo ha continuado
desde entonces.

FOTOTRANSISTOR

Se trata de un tipo de transistor con la característica especial de que su terminal de Base (el que
controla el paso de corriente) es sensible a la luz. Para ser más precisos deberíamos decir que su
unión Base-Colector es sensible a la luz.

Un fototransistor tiene la capacidad de convertir los fotones que recibe en un tensión eléctrica de
baja potencia, pero capaz de permitir la conducción de corriente entre sus terminales de Colector
y Emisor proporcionando la ganancia de corriente típica de cualquier transistor.

El símbolo del fototransistor se muestra a continuación.

symbol-phototransistor

Fototransistor NPN

Al igual que cualquier transistor, los fototransistores permiten controlar el paso de corriente entre
sus terminales de Colector y Emisor, pero se diferencian en su estructura interna, principalmente
por el tamaño de la unión Base-Colector. En los fototransistores el tamaño de la unión Base-
Colector debe mayor, ya que esta región sensible a la luz debe tener una superficie de exposición
suficientemente grande como para que la energía de la luz incidente de lugar al efecto de
conducción deseado. Su estructura interna sería la mostrada en la siguiente ilustración.
EstructuraFototransistor

Interior de un Fototransistor.

El mayor tamaño de esta unión tiene como efecto secundario un aumento muy significativo de su
capacitancia. Y como resultado, los fototransistores tienen una respuesta de frecuencia mucho
más baja que cualquier otro tipo de transistor (son más lentos en sus transiciones entre estados de
conducción y no conducción).

Al incidir la luz sobre la unión sensible se induce una tensión de baja potencia que da lugar a una
pequeña corriente eléctrica. Esta corriente se amplifica por la acción normal del transistor, con
una ganancia que suele estar alrededor de 100, dando lugar a una cantidad significativamente
superior de corriente entre sus terminales de Colector y Emisor. Por supuesto, siempre que el
fototransistor está debidamente polarizado

Construcción de los fototransistores

Los fototransistores se construyen con silicio o germanio, similarmente a cualquier tipo de

transistor bipolar. Existen tanto fototransistores NPN como PNP. Debido a que la radiación es

la que dispara la base del transistor, y no una corriente aplicada eléctricamente, usualmente la

patilla correspondiente a la base no se incluye en el transistor. El método de construcción es el

de difusión. Este consiste en que se utiliza silicio o germanio, así como gases, impurezas o

dopantes. Por medio de la difusión, los gases dopantes penetran la superficie sólida del silicio.

Sobre una superficie sobre la cual ya ha ocurrido la difusión, se pueden realizar difusiones

posteriores, creando capas de dopantes en el material. La parte exterior del fototransistor está

hecha de un material llamado epoxi, que es una resina que permite el ingreso de radiación

hacia la base del transistor.