León Cortés Sinaí de Jesús

Nombre: Fecha: 20/11/2021

N° Cuenta: 339004

Semestre 5
Nivel educativo: Ingeniería en Telecomunicaciones
: grupo: 2

Asignatura: Dispositivos electrónicos

¿Qué es un fototransistor?
Fototransistores son tri-terminales (emisor, base y colector) o bi-terminales (emisor y colector)
semiconductor dispositivos que tienen una región base sensible a la luz. Aunque todos transistores exhiben
la naturaleza sensible a la luz, están especialmente diseñados y optimizados para aplicaciones fotográficas.
Están hechos de difusión o de implantación de iones y tienen regiones colectoras y de base mucho más
grandes en comparación con los transistores ordinarios. Estos dispositivos pueden ser de estructura
homojuncional o heterojuncional, como se muestra en las figuras 1a y 1b, respectivamente.

En el caso de los fototransistores de homojunction, todo el dispositivo estará hecho de un solo tipo de
material; ya sea silicio o germanio. Sin embargo, para aumentar su eficiencia, los fototransistores pueden
estar hechos de materiales no idénticos (materiales del Grupo III-V como los GaAs) a ambos lados de la
unión pn …lo que lleva a dispositivos de heterojunction. No obstante, los dispositivos de homojunction se
utilizan más a menudo en comparación con los dispositivos de unión heterosexual, ya que son económicos.
Los fototransistores npn se muestra en la figura 2, que no es más que un transistor (con o sin base de
plomo) con dos flechas apuntando hacia la base que indican su sensibilidad a la luz. Una representación
simbólica similar se mantiene bien incluso en el caso de los fototransistores pnp con el único cambio que es
la flecha del emisor apuntando hacia adentro, en lugar de hacia afuera.

El fototransistor es un dispositivo semiconductor capaz de detectar los niveles de luz y alterar la

corriente que fluye entre el emisor y el colector según el nivel de luz que recibe.

Tanto los fototransistores como los fotodiodos pueden utilizarse para detectar la luz, pero el
fototransistor es más sensible en vista de la ganancia que
proporciona el hecho de que es un transistor bipolar. Esto hace
que los fototransistores sean más adecuados en varias
aplicaciones.La idea del fototransistor se conoce desde hace
muchos años. William Shockley propuso la idea por primera vez
en 1951, no mucho después de que se descubriera el transistor
bipolar ordinario. Fue entonces sólo dos años antes de que se
demostrara el fototransistor. Desde entonces, los
fototransistores se han utilizado en una variedad de
aplicaciones, y su desarrollo ha continuado desde entonces.
Los fototransistores están ampliamente disponibles y pueden
obtenerse fácilmente a un precio bastante económico en los
distribuidores de componentes electrónicos; en vista de su uso
en muchos circuitos electrónicos y aplicaciones, están
disponibles como parte del inventario estándar de dispositivos
semiconductores.
 Funcionamiento y operación del fototransistor
El fototransistor utiliza el concepto básico de transistor bipolar como base de su funcionamiento. De
hecho, un fototransistor puede hacerse exponiendo a la luz el semiconductor de un transistor ordinario.
Los primeros fototransistores se hacían no cubriendo el encapsulado plástico del transistor bipolar con
pintura negra.

El fototransistor funciona porque la luz que incide sobre el semiconductor libera electrones/agujeros y
hace que la corriente fluya en la región de la base.

Los fototransistores funcionan en su régimen activo, aunque la conexión de la base se deja

generalmente en circuito abierto o desconectada porque a menudo no se requiere. La base del
fototransistor sólo se utilizaría para sesgar el transistor de modo que fluyera corriente colectora
adicional y esto enmascararía cualquier corriente que fluyera como resultado de la fotoacción. Para el
funcionamiento, las condiciones de polarización son bastante sencillas. El colector de un transistor
NPN se hace positivo con respecto al emisor o negativo para un transistor PNP.
La luz entra en la región de la base donde hace que se generen pares de electrones huecos. Esta
generación se produce principalmente en la unión del colector de la base, que está sesgada al revés.

Los pares de electrones huecos se mueven bajo la influencia del campo eléctrico y proporcionan la
corriente de base, haciendo que los electrones se inyecten en el emisor. Como resultado, la corriente
de fotodiodo se multiplica por la ganancia de corriente del transistor.

El rendimiento del fototransistor puede ser superior al del fotodiodo para algunas aplicaciones en
vista de su ganancia. Como guía aproximada, donde un fotodiodo puede permitir un flujo de corriente
de alrededor de 1A en condiciones ambientales típicas, un fototransistor puede permitir un flujo de
corriente de 100A. Estas son aproximaciones muy aproximadas, pero muestran el orden de magnitud
de los diversos valores y comparaciones.
El comportamiento de los fototransistores es idéntico al de los normales transistores excepto por el hecho
de que aquí el efecto producido por el voltaje base se experimentará debido a la luz incidente. Esto puede
aclararse analizando los siguientes puntos

1. Las características de fototransistores son similares a los de los transistores normales, excepto que
tienen base actual reemplazado por la intensidad de la luz. Esto significa que incluso estos
dispositivos tienen tres regiones de funcionamiento, a saber, corte, activo y saturación. Esto implica
además que los fototransistores pueden utilizarse tanto para aplicaciones de conmutación
(dependientes del modo de corte y saturación) como para amplificación (funcionamiento en modo
activo), al igual que los transistores ordinarios.
2. Los fototransistores pueden configurarse en dos configuraciones diferentes, a saber, colector común
y emisor común, dependiendo del terminal que es común entre los terminales de entrada y salida,
similar a los transistores normales.
 3. Una pequeña corriente de saturación inversa, llamada corriente oscura, fluye a través del
fototransistor, incluso en ausencia de luz, cuyo valor aumenta con el incremento del valor de la
temperatura, propiedad idéntica a la que exhiben los transistores ordinarios.
4. Los fototransistores son propensos a daños permanentes debido a la avería si el voltaje aplicado a
través de la unión colector-emisor aumenta más allá de su voltaje de ruptura, como en el caso de los
transistores normales.
Generalmente, en el caso de los circuitos de fototransistores, el terminal colector se conectará a la tensión
de alimentación y la salida se obtiene en el terminal emisor mientras que el terminal de base, si está
presente, se dejará sin conectar. En esta condición, si se hace caer la luz sobre la región base del
fototransistor, se produce la generación de pares electrón-hueco que dan lugar a la corriente base, nada
más que la fotocorriente, bajo la influencia del campo eléctrico aplicado. Esto da como resultado el flujo de
la corriente emisora a través del dispositivo, dando como resultado el proceso de amplificación. Esto se
debe a que, aquí, la magnitud de la fotocorriente desarrollada será proporcional a la luminancia y será
amplificada por la ganancia del transistor que conduce a una corriente colectora más grande.
La salida de la fototransistor depende de varios factores como

• La longitud de onda de la luz incidente

• Área de la unión de la base colectora expuesta a la luz
• Ganancia de corriente continua del transistor.
Además, las características de un fototransistor particular pueden expresarse a través de su

• La sensibilidad luminosa se define como la relación entre la corriente fotoeléctrica y el flujo luminoso
incidente
• La respuesta espectral que decide la longitud de onda más larga que se puede utilizar como la
sensibilidad de los fototransistores es una función de la longitud de onda

OPERACIÓN DEL TRANSISTOR

La operación del transistor npn es exactamente la misma con los roles de los electrones y huecos
intercambiados. En la se vuelve a dibujar el transistor pnp sin polarización entre la base y el emisor.
Observe las semejanzas entre esta situación y la del diodo polarizado en directa en el capítulo 1. El
ancho de la región de empobrecimiento se redujo a causa de la polarización aplicada y el resultado
fue un intenso flujo de portadores mayoritarios del material tipo p al material tipo n.
Eliminemos ahora la polarización de la base al emisor del transistor pnp de la figura 3.2a como se
muestra en la figura 3.4. Considere las semejanzas entre esta situación y la del diodo polarizado en
inversa de la sección 1.6. Recuerde que el flujo de portadores mayoritarios es cero, y el resultado es
sólo un flujo de portadores minoritarios, como se indica en la figura 3.4. En suma, por consiguiente:

La unión p-n de un transistor se polariza en inversa en tanto que la otra se polariza en directa
Como se indica en la figura 3.5, una gran cantidad de portadores mayoritarios se difundirá a través
de la unión p–n polarizada en directa hacia el material tipo n. La pregunta es entonces si estos
portadores contribuirán directamente con la corriente de base IB o si pasarán directamente al
material tipo p. Como el material tipo n emparedado es muy delgado y su conductividad es baja, un
número muy pequeño de estos portadores tomarán esta ruta de alta resistencia hacia la base. La
magnitud de la corriente de base es por lo general del orden de microamperes, en comparación con
los miliamperes de las corrientes del emisor y el colector. El mayor número de estos portadores
mayoritarios se difundirá a través de la unión polarizada en inversa hacia el material tipo n conectado
al colector como se indica en la figura 3.5. La razón de la facilidad relativa con que los portadores
mayoritarios pueden atravesar la unión polarizada en inversa es fácil de entender si consideramos
que en el caso del diodo polarizado en inversa los portadores mayoritarios inyectados aparecerán
como portadores minoritarios en el material tipo p. En otras palabras, ha habido una inyección de
portadores minoritarios en el material tipo n de la región de la base. Si se combina esto con el hecho
de que todos los portadores minoritarios de la región de empobrecimiento atravesarán la unión
polarizada en inversa de un diodo explica el flujo indicado
Aplicando la ley de las corrientes de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5 como si fuera un nodo
único obtenemos

y hallamos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector y la base. La

corriente del colector, sin embargo, consta de dos componentes, los portadores mayoritarios y los
minoritarios El componente de corriente de portadores minoritarios se llama corriente de fuga y se le
da el símbolo ICO [corriente IC con el emisor abierto Abierto (Open)]. La corriente del colector, por
consiguiente, está determinada en su totalidad por
 Aplicaciones de los fototransistores
El hecho de que los fototransistores sean fáciles de usar y funcionen bien, dentro de sus limitaciones,
significa que estos dispositivos semiconductores se utilizan en una amplia variedad de circuitos
electrónicos.
A menudo las aplicaciones son donde se interrumpe un rayo de luz, pero a veces pueden utilizarse
para la detección del nivel de luz.

• Codificadores donde un disco giratorio con rayas claras y oscuras gira - esto da velocidad
y dirección o rotación.
• Lectores de tarjetas.
• Sistemas de seguridad
• Detectores de infrarrojos.
• Control de iluminación.
• Optoacopladores
• Sistemas de conteo - se interrumpe un rayo de luz o IR por cada artículo contado.
• Control de la luz.
• Detección de objetos
• La detección del codificador
• Sistemas de control eléctrico automático como en los detectores de luz
• Sistemas de seguridad
• Lectores de tarjetas perforadas
• Relevos
• Los circuitos lógicos de la computadora
• Sistemas de conteo
• Detectores de humo
• Dispositivos de búsqueda de alcance láser
• Controles remotos ópticos
• Lectores de CD
• Astronomía
• Sistemas de visión nocturna
 • Receptores de infrarrojos
• Impresoras y copiadoras
• Cámaras como controladores de obturador
• Comparadores de nivel

El símbolo del circuito del fototransistor

Los símbolos de los circuitos estándar son esenciales para cada tipo de componente electrónico,
permitiendo que los diagramas de los circuitos se dibujen fácilmente y sean reconocibles por todos. El
símbolo del fototransistor consiste en el símbolo básico del transistor bipolar con dos flechas que
apuntan hacia la unión del transistor bipolar. Este diagrama representa gráficamente el funcionamiento
del fototransistor.

Estructura del fototransistor

Aunque los transistores bipolares ordinarios exhiben los efectos fotosensibles si se exponen a la luz,
la estructura del fototransistor está optimizada específicamente para aplicaciones fotográficas. El
fototransistor tiene áreas de base y colector mucho más grandes que las que se utilizarían para un
transistor normal. Estos dispositivos se fabricaron generalmente utilizando la difusión o la implantación
de iones.
Bibliografía
EcuRed. (16 de 11 de 2021). EcuRed. Obtenido de EcuRed: https://www.ecured.cu/Fototransistor

Top, E. F. (18 de 11 de 2021). Electrónica Fácil Top. Obtenido de Electrónica Fácil Top:
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