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ELECTRONICA GENERAL

Tema 1. Introduccin a los Semiconductores

Cuestiones tericas tipo test.

Tema1.IntroduccinalosSemiconductores.
1.a)
b)
c)

Si en un semiconductor intrnseco se aumenta mucho la temperatura


Se puede romper el equilibrio entre electrones y huecos
Su resistividad aumenta
Puede llegar a comportarse como un buen conductor.

2.a)
b)
c)

En un semiconductor intrnseco
No existen impurezas de ningn tipo
La concentracin de electrones y huecos depende de la temperatura.
La concentracin de electrones y huecos depende de si es tipo p o tipo n

3.a)
b)
c)

Cul de los siguientes conceptos describe mejor a un semiconductor tipo n?


Cargado positivamente
Cargado negativamente
Neutro

4.a)
b)
c)

En un semiconductor extrnseco tipo n


Est dopado con impurezas trivalentes
La concentracin de huecos depende de la concentracin de impurezas donadoras
No habr huecos por ser de tipo n

5.a)
b)
c)

Una estructura semiconductora conduce corriente elctrica en ambos sentidos


si existe una unin pn
tanto si es de tipo p como si es de tipo n
slo si no est dopada

6.-

Una muestra de un semiconductor intrnseco tiene una concentracin intrnseca de


1,51010 tomos / cm3 a temperatura ambiente. Dicha muestra se dopa con tomos
de fsforo. Tras un anlisis de la misma se comprueba que la concentracin de
huecos es de 75 huecos / cm3. Cul es la concentracin de impurezas que se han
introducido en la muestra?
5109 tomos / cm3
31018 tomos / cm3
75 tomos / cm3

a)
b)
c)
7.a)
b)
c)

Cuando un electrn libre se recombina con un hueco en la regin de la base, el


electrn libre se convierte en
un electrn de la capa de conduccin
un electrn de valencia
un portador mayoritario

ELECTRONICA GENERAL
Tema 1. Introduccin a los Semiconductores

8.a)

b)

c)

d)

9.-

Cuestiones tericas tipo test.

Elegir la afirmacin correcta acerca de las caractersticas de metales,


semiconductores y aislantes:
Al aumentar la temperatura los metales conducen peor, y por el contrario, los
semiconductores conducen mejor. Los aislantes se comportan de manera parecida
a los semiconductores, pero su banda prohibida es mucho ms ancha.
Al aumentar la temperatura los metales conducen mejor, y por el contrario, los
semiconductores conducen peor. Los aislantes se comportan de manera parecida a
los semiconductores, pero su banda prohibida es mucho ms ancha.
Al aumentar la temperatura los metales conducen peor, y por el contrario, los
semiconductores conducen mejor. Los aislantes no tienen banda prohibida y no
pueden conducir la corriente.
Al aumentar la temperatura los metales conducen mejor, y por el contrario, los
semiconductores conducen peor. Los aislantes no tienen banda prohibida y no
pueden conducir la corriente.

a)
b)
c)
d)

Un semiconductor de silicio tiene una concentracin intrnseca de


1,451010 portador/cm3 a temperatura ambiente. Dopamos este semiconductor con
tomos de galio (el galio tiene tres electrones en la ltima capa electrnica...),
siendo la concentracin de impurezas dopantes de 1016 tomo/cm3.
De qu tipo es la impureza de galio?:
tipo n
tipo p
donadora
no tiene influencia en el silicio

10.a)
b)
c)
d)

Para el enunciado de la pregunta 9, la concentracin de electrones:


1016 e-/cm3
2,1104 e-/cm3
1,451010 e-/cm3
ninguna de stas

11.a)
b)
c)
d)

Para el enunciado de la pregunta 9, la concentracin de huecos:


1016 h+/cm3
2,1104 h+/cm3
1,451010 h+/cm3
ninguna de stas

12.- Cul tiene mayor conductividad?:


a)
Semiconductor intrnseco de silicio a temperatura 0 K
b)
Semiconductor de silicio dopado con 1016 tomos/cm3 de boro, a temperatura
ambiente
c)
Semiconductor de silicio dopado con 1014 tomos/cm3 de boro, a temperatura
ambiente
d)
Semiconductor intrnseco de silicio a temperatura ambiente

ELECTRONICA GENERAL
Tema 1. Introduccin a los Semiconductores

13.a)
b)
c)
d)

Cuestiones tericas tipo test.

Cul tiene ms ancha su banda prohibida?


Un metal
Un semiconductor
Un aislante
Todos los anteriores tienen la misma anchura de banda prohibida

14.- El boro tiene 3 electrones de valencia. Si dopamos un semiconductor de silicio


con boro, el semiconductor resultante es:
a)
Heterogneo
b)
Tipo n
c)
Tipo p
d)
Intrnseco
15.- Si un semiconductor intrnseco se dopa con impurezas tipo p, el nmero de
electrones libres:
a)
Aumenta por encima del que tena el semiconductor intrnseco
b)
Disminuye por debajo del que tena el semiconductor intrnseco
c)
No vara
d)
Es mayor que el nmero de huecos
16.a)
b)
c)
d)

En un cristal semiconductor:
La polaridad depender de la concentracin de huecos y electrones libres
La concentracin de electrones libres es siempre igual al de huecos
La concentracin de cargas positivas es igual a la de cargas negativas
Ninguna de las anteriores es cierta

17.- Un material semiconductor ha sido dopado con tomos de boro (impureza


aceptadora). Si estamos a temperatura ambiente podemos afirmar:
a)
Se trata de un semiconductor intrnseco.
b)
La concentracin de cargas positivas ser igual a la de cargas negativas.
c)
La concentracin de electrones ser superior a la de huecos.
18.- Cul tiene mayor resistividad?:
a)
Semiconductor intrnseco de silicio a temperatura 0 K
b)
Semiconductor de silicio dopado con 1016 tomos/cm3 de boro, a temperatura
ambiente
c)
Semiconductor intrnseco de silicio a temperatura ambiente.
19.a)
b)
c)

En un cristal semiconductor:
Si es tipo p hay ms cargas positivas que negativas
Si es tipo n las cargas positivas se pueden despreciar porque son muy pocas.
Ninguna de las anteriores es cierta.

ELECTRONICA GENERAL
Tema 1. Introduccin a los Semiconductores

Cuestiones tericas tipo test.

20.- Una muestra de un semiconductor intrnseco tiene una concentracin intrnseca de


21010 tomos / cm3 a temperatura ambiente. Dicha muestra se dopa con tomos
de boro. Tras un anlisis de la misma se comprueba que la concentracin de
electrones es de 50 electrones / cm3. Cul es la concentracin de impurezas que
se han introducido en la muestra?
a)
21010 tomos / cm3
b)
81018 tomos / cm3
c)
50 tomos / cm3
21.a)
b)
c)

Un semiconductor tipo p contiene huecos y/e


Iones positivos
Iones negativos
tomos donadores

22.a)
b)
c)

Si en un semiconductor intrnseco se aumenta mucho la temperatura


Se puede romper el equilibrio entre electrones y huecos
Su resistividad aumenta
Puede llegar a comportarse como un buen conductor.

23.a)
b)
c)

A la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrnseco tiene


Pocos electrones libres
Muchos huecos
Ni huecos ni electrones libres.

24.- Se aplica una tensin de una fuente externa a un semiconductor tipo p. Si en el


extremo izquierdo del cristal se aplica el terminal positivo de la tensin, en qu
sentido circulan los portadores mayoritarios?
a) Hacia la izquierda
b) Hacia la derecha
c) Imposible predecir
25.a)
b)
c)

Si desearas producir un semiconductor tipo p, cul de los siguientes emplearas?


tomos aceptadores
tomos donadores
Impurezas pentavalentes.

26.a)
b)
c)

En un semiconductor extrnseco tipo n


Est dopado con impurezas trivalentes
La concentracin de huecos depende de la concentracin de impurezas donadoras
No habr huecos por ser de tipo n

27.- A temperatura ambiente, en una zona semiconductora extrnseca, cuntas


impurezas estn ionizadas?
a)
Casi ninguna
b)
Depende de si la zona es n o p
c)
Casi todas

ELECTRONICA GENERAL
Tema 1. Introduccin a los Semiconductores

28.a)
b)
c)

Cuestiones tericas tipo test.

En la conduccin por huecos se produce


La eliminacin de un par electrn-hueco
El desplazamiento de electrones de valencia hacia tensiones positivas
El desplazamiento de electrones de conduccin hacia tensiones positivas

29.- Si quiero obtener un semiconductor de silicio tipo n, las impurezas dopantes


sern:
a)
Galio
b)
Boro
c)
Fsforo
30.- Elige la afirmacin correcta. Al aumentar la temperatura:
a)
Los semiconductores conducen peor al igual que los metales, porque los
portadores chocan ms entre s y disminuye su movilidad
b)
Los metales conducen mejor al igual que los semiconductores, porque hay ms
portadores
c)
Los semiconductores conducen mejor porque hay ms portadores, aunque
disminuya su movilidad
31.- Se aplica una tensin de una fuente externa a un semiconductor tipo p fuertemente
dopado. Si el terminal positivo de la tensin se aplica en el extremo izquierdo del
cristal y el negativo en el derecho:
a)
Por mucho que aumentemos la tensin la corriente ser insignificante, ya que los
portadores mayoritarios son huecos y stos no pueden circular por el cable.
b)
Aparece un campo elctrico que tiende a mover a los electrones hacia la izquierda
c)
No puede haber campo elctrico ya que apenas hay electrones libres que lo
formen
32.a)
b)
c)

En un material semiconductor
La anchura de la banda prohibida es mayor si es de tipo n
La anchura de la banda prohibida es mayor si es extrnseco
La anchura de la banda prohibida no depende del tipo de impurezas.

33.a)
b)
c)

En un cristal semiconductor
Si es tipo n hay ms cargas negativas que positivas
Si es tipo p las cargas negativas se pueden despreciar porque son muy pocas.
La carga elctrica total es cero

34.- En un semiconductor extrnseco tipo n, a una temperatura insuficiente para


obtener la energa EG
a)
La concentracin de huecos viene dada por ni2/NA
b)
No existen portadores libres
c)
nicamente tenemos portadores mayoritarios

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Tema 1. Introduccin a los Semiconductores

Cuestiones tericas tipo test.

35.- A 300 K se puede asegurar


a)
La prctica totalidad de los e- que se encuentran en la banda de conduccin y
huecos en la banda de valencia proceden de la ionizacin de impurezas
b)
Solamente se dispone de portadores mayoritarios procedentes de la ionizacin de
impurezas en la banda de conduccin
c)
Los portadores mayoritarios ocupan niveles permitidos dentro de la banda
prohibida