Electrónica Analógica.

PRÁCTICA NO 7.

TRANSISTOR BIPOLAR BJT

TRABAJO PREVIO.

1. Explique brevemente el funcionamiento de un transistor Bipolar BJT (en

algunos textos lo puede encontrar simplemente como transistor).

El transistor bipolar BJT se caracteriza por tener tres terminales: emisor, base, y colector.
El transistor es un dispositivo electrónico de estado sólido que simula la unión de dos
diodos (PN), lo cual permite incrementar la corriente y disminuir el voltaje, además
controla el paso de corriente a través de sus terminales.

Existen dos tipos de conexiones en este transistor, el que se conecta directamente y el

inversamente.

2. Investigue el significado de las características que proporciona el fabricante:

- VCBO (Voltaje del colector base de corte): Es la tensión máxima que soporta
el transistor, es decir, la tensión de ruptura de la unión colector-base con el emisor
en abierto.

- VCEO (Voltaje colector emisor de corte): Es la tensión de ruptura de la unión

colector-base, pero con la base en abierto.

- VEBO (Volteje emisor base de corte):

- IC (Corriente del colector). Es la intensidad a través del colector e IB es la

intensidad a través de la base, estas dos intensidades sumadas nos dan el valor
de IE.

- PD (Potencia total disipada). Es conocida como la disipación de potencia y es

medida en Watts.

- HFE: La pequeña variación de la corriente base-emisor genera un gran cambio

en la corriente colector-emisor. A esta relación se le llama ganancia, β o HFE.
Normalmente un valor de β = 100 es típico para pequeños transistores bipolares.

Amellaly García Álvarez.

Carlos Alberto Romero Gómez.
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3. Investigue los modelos equivalentes del transistor.

A continuación se muestran los modelos equivalentes encontrados del transistor:

Amellaly García Álvarez.

Carlos Alberto Romero Gómez.
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4. Investigue de Ias hojas de datos de los siguientes transistores: BC548,

BC558, 2N2222, TIP31 y anote los valores característicos que se te piden en
el inciso anterior.

BC548:

o VCBO: 30 Volts.

o VCEO: 30 Volts.

o VEBO: 5 Volts.

o IC: 100 mA.

o PD: 500 mW.

o HFE: No encontrado, típicamente son de 150.

BC558:

o VCBO: 30 Volts.

o VCEO: 30 Volts.

o VEBO: 5 Volts.

o IC: 100 mA.

o PD: 500 mW.

o HFE: No encontrado, típicamente son de 150.

2N2222:

o VCBO: 30 Volts.

o VCEO: 500 mV.

o VEBO:

o IC: 500 mA.

o PD: No encontrado.

Amellaly García Álvarez.

Carlos Alberto Romero Gómez.
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o HFE: 100

TIP31C.

o VCBO: 140 Volts.

o VCEO: 100 Volts.

o VEBO: 5 Volts.

o IC: 3 Amperes.

o PD: 40 Watts.

o HFE: 20

5. Calcule y simule los circuitos de las figuras utilice beta de 200 7.3 y 7.4.

En la siguiente imagen se muestran los cálculos que se hicieron, conforme a los dos
circuitos que se muestran en la práctica:
VCC
18.0V

R2
3.3kΩ

R1
1.2MΩ
Q1

BC547C*

<Circuito 7.3>
<Circuito 7.4>

Amellaly García Álvarez.

Carlos Alberto Romero Gómez.
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Referencias:
https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=46855
https://techlandia.com/calcular-corrientes-transistores-como_538206/
https://es.slideshare.net/yordibautista/modelos-equivalentes-de-pequea-seal-de-los-
transistores-fet

Amellaly García Álvarez.

Carlos Alberto Romero Gómez.