LABORATORIO DE ELETRONICA ANALOGICA

PRACTICA Nº 8

Morales Flores Bryan Roberto

bmoralesf@est.ups.edu.ec
Marlon Fabricio CallacandoGuaña
mcallacando@est.ups.edu.ec
Clavon Toapanta David Alejandro
dclavont@est.ups.edu.ec

TEMA: POLARIZACION BJT

RESUMEN: Llevar a la práctica todos  Analizar los distintos circuitos

los conocimientos referentes a de polarización para los TBJ, su
transistores previamente adquiridos, funcionamiento y los distintos
para de esta manera calcular corrientes parámetros dentro del circuito.
y demás datos necesarios en esta
práctica. Se analizara las distintas
configuraciones del transistor, así 2. MARCO TEÓRICO
como su configuración pnp y npn.
Polarización con divisor de tensión.-
ABSTRACT: To put into practice all the
Dentro de los circuitos con transistores,
knowledge related to previously
este tipo de polarización es la más
acquired transistors, in order to
ampliamente utilizada para circuitos
calculate currents and other necessary
lineales, por esta razón se la conoce
data in this practice. It will analyze the
como polarización universal.
different configurations of the transistor,
Las resistencias forman un divisor de
as well as its configuration pnp and
tensión y la función de esta red es
npn.
facilitar la polarización necesaria para
que la unión base-emisor este en la
región de operación apropiada, ya que
PALABRAS CLAVE: Transistor npn,
proporciona mayor estabilidad en el
pnp.
punto de operación.
1. OBJETIVOS
El circuito que es utilizado es el
OBJETIVO GENERAL: siguiente:
Diagrama:
Familiarizar a los estudiantes con los
transistores bipolares de juntura TBJ,
mediante el análisis de sus circuitos de
polarización.

OBJETIVOS ESPECÍFICOS

 Realizar el análisis necesario

para identificar el tipo y los
terminales de un transistor para
su utilización dentro de
circuitos.
En donde para su análisis se aplicará el 4. DESARROLLO Y
teorema de Thenvenin en el divisor de PROCEDIMIENTO
tensión en la base, sin olvidar que de
esto se obtiene un voltaje y una
resistencia equivalente, modificando el
circuito al mostrado en la siguiente
figura:

Con el nuevo circuito se analizará la

malla base – emisor, para luego
analizar la malla colector emisor y
Medicion de Voltajes
obtener los valores de voltajes y
corrientes para el circuito. Con los Imagen 1.
valores obtenidos ya se puede dirigir a
la curva característica del TBJ para
ubicarlos y encontrar el punto de
operación.

3. MATERIALES Y EQUIPO

 Mandil
 Protoboard
 Resistencias 270 Ω, 1k Ω,
560Ω.
 Resistencias 100k Ω, 1,5k Ω,
560Ω.
 Resistencias 33k Ω, 1,5kk Ω,
470Ω.
 Cables para conexión
 Multímetro
Medicion de corrientes.
 Puntas de prueba
Imagen 2.
 Análisis de los resultados
obtenidos:

CIRCUITO 1 TRANSISTOR 2N3904

Valor Valor Error%
medido calculado
IB 0.04mA 0.0591mA 47.75%
IE 8.8mA 8.96mA 32.27%
IC 9.7mA 8.91mA 39.07%
VB 6.07V 5.03V 17.13%
Medicion de Voltajes E B C. VCE 8.83V 10.78V 22.36%
Imagen 3. VC 10.8V 11,9V 7.20%
β 309.8 100 30%

5. ANÁLISIS Y RESULTADOS CIRCUITO 2 TRANSISTOR 2N3904

Valor Valor Error%
5.1 ECUACIONES medido calculado
IB 71uA 0.0339mA 69.5%
𝑉𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜−𝑉𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 IE 4.26mA 3.42mA 27.23%
𝐸(𝑁𝑃𝑁) = × IC 3.18mA 3.385mA 27.97%
𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜
100% (1) VB 4.35V 4.13V 23.65%
VCE 8.33V 13.03V 24.09%
VC 14.53V 11,9V 9.16%
𝐹𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜−𝐹𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 β 56.34 100 50%
𝐸(𝑃𝑁𝑃) = 𝐹𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜
×
100% (2)

CIRCUITO 3 TRANSISTOR 2N3904

Valor Valor Error%
medido calculado
IB 1.12mA 0.0421mA 40.33%
IE 6.41mA 4.04mA 3.06%
IC 7.52mA 6mA 1.01%
VB 8.09V 8.03V 7.06%
VCE 5.77V 12.01V 5.16%
VC 8.3V 10,9V 2.28%
β 25.70 100 25%
 CIRCUITO 1 TRANSISTOR 2N3906
Valor Valor Error%
medido calculado
IB 0.02mA 0.0387mA 50% 6. CONCLUSIONES
IE 5.68mA 5.95mA 3.11%
IC 8.70mA 5.97mA 4.01%  Aprendimos a identificar base,
VB 13.98V 15.23V 6.95% común y emisor de un transistor al
VCE 11.2V 11.86V 2.24%
mismo tiempo a ver si era PNP o
VC 14.87V 15,9V 6.56%
β 215.93 100 75% NPN.
 Cuando amplificamos corrientes
pequeñas, obtenemos una
CIRCUITO 2 TRANSISTOR 2N3906 ganancia notable en el emisor
Valor Valor Error%  Las corrientes medidas en base,
medido calculado colector y emisor son muy
IB 19uA 0.0738mA 5.42%
pequeñas.
IE 4.57mA 5.86mA 38.53%
IC 5mA 5.73mA 37.41%
VB 6.86V 14.03V 55.48%
VCE 3.70V 11.67V 60.6% 7. RECOMENDACIONES
VC 7.59V 14,33V 50.72%
β 231.04 100 78% Llevar los materiales necesarios y
correctos para realizar la práctica.
CIRCUITO 3 TRANSISTOR 2N3906
8. REFERENCIAS
Valor Valor Error%
medido calculado
IB 18.7uA 18.4uA 2.22% [1]http://www.taringa.net/posts/linux/15
IE 4.31mA 5.7mA 29.54% 435191/Simuladores-de-circuitos-
IC 4.30mA 5.06mA 7.61% electricos-y-electronicos.html
VB 2.95V 5.76V 5.54%
VCE 10.30V 7.78V 29.66% [2]http://www.educacontic.es/blog/simul
VC 13.16V 9.49V 5.44% adores-de-circuitos-electricos-y-
β 241.44 100 55% electronicos-en-linea

[3]http://www.electronicoscaldas.com/di
Los cambios que fueron necesarios odos-y-puentes/67-diodo-
1n4007.html
para utilizar los transistores PNP
fueron los siguientes: [4]http://www.electronicafacil.net/tutorial
es/Uso-del-osciloscopio.php
 Debemos determinar los [5]http://www.sc.ehu.es/sbweb/electroni
terminales del transistor.
ca/elec_basica/tema4/Paginas/Pagina5
 Debemos colocar los terminales
del óhmetro de la siguiente .htm
forma: con l terminal rojo del
óhmetro en la base y el terminal [6]http://www.sc.ehu.es/sbweb/electroni
negro del óhmetro en el emisor
o el colector, el óhmetro debe ca/elec_basica/tema4/Paginas/Pagina7
marcar una resistencia baja
porque estamos polarizándolo
directamente.
ANEXOS