Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Suelen estar fabricados de cristal de silicio donde se intercalan las capas de semiconductor de
tipo N y P. Consulte la Figura 1 a continuación.
Figura 1: La figura 1a muestra un corte 2N3904 A-92 que revela los terminales de Emisor E,
Base B y Colector C unidos al silicio. La figura 1b está tomada de la edición de mayo de 1958 de
la Revista Radio-Electronics2 y muestra los cortes de capa de tipo N y P y arreglos (cuya
referencia en ese momento era como material de germanio).
Los transistores son sellados herméticamente y con carcasa de plástico o una cubierta
metálica con tres terminales (Figura 2).
Figura 2: Una comparación en tamaño y una gran variedad de tipos de paquetes populares.
Por ejemplo, vamos a mostrar cómo funciona un transistor NPN. Una forma sencilla de ver su
función como un interruptor es pensar en el agua que fluye a través de un tubo, controlada por
una válvula. La presión del agua representa la 'Tensión' y el agua que fluye a través de un tubo
representa la 'Corriente' (Figura 3). Los tubos grandes representan la unión del
Colector/Emisor con una válvula entre ellos, expresado en la figura como un óvalo gris, como
una tapa móvil, que es accionada por la corriente desde un pequeño tubo que representa la
base. La válvula mantiene la presión del agua que fluye desde el Colector al Emisor. Cuando el
agua fluye a través del tubo más pequeño (la Base), abre la válvula entre la unión del
Colector/Emisor, permitiendo que el agua fluya a través del Emisor, y luego a Tierra (Tierra
representa el regreso para la Tensión/Corriente del agua).
Figura 3: Esta representación gráfica ilustra cómo funciona un transistor. Cuando el agua fluye a
través del tubo más pequeño (Base), abre la válvula entre la unión del Colector/Emisor,
permitiendo que el agua fluya a través del Emisor a Tierra.
Elegir un transistor para su aplicación
Si desea simplemente encender un circuito o interruptor en una carga, hay ciertas cosas que
usted debe considerar. Determine si desea polarizar o energizar su transistor con corriente
positiva o negativa (p. ej. Tipo NPN o PNP, respectivamente). Un transistor NPN es impulsado
(o activado) por corriente positiva polarizada en la base para controlar el flujo de corriente del
Colector al Emisor. Los transistores de tipo PNP están impulsados por una corriente negativa
polarizada en la base para controlar el flujo del Emisor al Colector. (Note que la polaridad para
PNP se invierte desde NPN). Consulte la Figura 4 a continuación para más detalles.
100 a 10 mA, 1
2N3904 MMBT3904 NPN 40 200
V
100 a 10 mA, 2
2N3906 MMBT3906 PNP 40 200
V
La figura 6 es un ejemplo de circuito de luz nocturna con un transistor PNP. Para ver los
detalles de este circuito, hay un enlace al sitio wiki de ingeniería de Digi-Key y búsqueda de
PNP de luz nocturna.
Figura 6: Ejemplo de circuito 2N3906 de luz nocturna para la iluminación de un LED con una
célula fotoeléctrica PDV-P5003 (Imagen realizada en Scheme-it)
¿Cómo empezó todo? Esta madriguera de conejos es muy profunda; sin embargo, voy a
comenzar con la invención del teléfono. Hay muchos argumentos acerca de quién inventó en
realidad el primer prototipo eléctrico capaz de funcionar, sin embargo, fue Alexander Graham
Bell quien, el 7 demarzo de 1876 3 obtuvo la primera patente, y luego fundó la empresa
American Telephone and Telegraph (conocida como AT&T). Alrededor de 18941 la patente de
Bell expiró. Aunque AT&T dominó el mercado de telefonía hasta comienzos de la década de
1900, se formaron otras empresas y las mismas comenzaron a llevarse los clientes de AT&T.
A causa de esto, la empresa sentía la necesidad de seguir dominando y ampliar su mercado.
En 1909, el Presidente de AT&T Theodore Vail 1 realizó el intento de transmitir llamadas
telefónicas transcontinentales (de Nueva York a California). Pero para ello necesitaban un
buen amplificador o repetidor para impulsar las señales que viajan largas distancias.
Anteriormente, en 1906, Lee De Forest había tomado prestada una idea de John A. Fleming
(quien tomó el trabajo de Thomas Edison, creando un dispositivo de tubo de vacío llamado
"válvula de oscilación" que se utiliza para detectar las ondas de radio), modificado para crear el
Triodo - un ineficaz tubo de vacío de 3 terminales que podría ser utilizado como un
amplificador. En 1912 Forest fue invitado por Harold Arnold de la empresa Western Electric
Company (fabricante de AT&T) para presumir de su invención. Aunque el Triodo de Forest
logró funcionar en bajas tensiones, Arnold necesitaba trabajar a voltajes más altos para hacer
efectivos los repetidores para la transmisión de voz a través de largas distancias. Arnold creía
que podía fabricar un Triodo mejor y así contrató a un número de científicos para comprender
cómo funcionaba el dispositivo y cómo él podría mejorarlo. En octubre de 1913, logró el éxito.
Poco después se instalarían líneas telefónicas en todo el mundo. Las inversiones que AT&T
realizó al contratar a los mejores científicos a lo largo de los años les hizo darse cuenta que
hacer una investigación más profunda les daría una ventaja competitiva sobre sus
competidores y así formaron la empresa "Bell Telephone Laboratories" en 1925.
Se necesitaban muchos miles de tubos de vacío y relés para mantener las líneas telefónicas
en funcionamiento. Sin embargo, los tubos de vacío requerían gran cantidad de energía, tenían
gran tamaño y se quemaban con frecuencia. Con su aprendizaje sobre la evolución de la
tecnología de la Segunda Guerra Mundial en relación al rectificador de cristal utilizado para
activar el radar, Mervin Kelly, Director de Investigación de la empresa Bell, tuvo un indicio de
que los semiconductores (dispositivos de estado sólido) podrían ser la respuesta a la creación
de un dispositivo que eventualmente reemplazaría a los caros y poco confiables tubos de
vacío. Kelly acudió a uno de sus brillantes físicos, William Shockley, para explicarle su visión de
cómo mejorar los componentes utilizados para transmitir voz a través de cables. Kelly expresó
sus ideas acerca de que le complacería mucho saber que los ruidosos relés mecánicos y los
tubos de vacío, grandes consumidores de energía, podrían algún día ser reemplazados por
dispositivos electrónicos de estado sólido. Esto le sonó muy bien a Shockley y se convirtió en
su principal objetivo. Kelly puso a Shockley a cargo de encontrar una manera de hacer que
esto sucediera.
Era un brillante teórico pero no tan bueno en la construcción de sus ideas. Shockley había
realizado varios intentos para probar una idea que tenía sobre la transferencia de electrones
de efecto de campo para conectar las dos caras de un semiconductor activando una placa
encima de los semiconductores. Su experimento fue infructuoso. Frustrado, se dirigió a otros
dos físicos de los laboratorios Bell, John Bardeen (brillante con la teoría de los electrones en
los semiconductores) y Walter Brattain (genial con el prototipo y el uso de equipo de
laboratorio). Pasaron a formar parte de su equipo. Shockley permitió al equipo trabajar por su
propia cuenta. A lo largo de los años, se realizaron muchos intentos para lograr que el efecto
de campo funcione, pero nunca lo hizo. Revisaron sus cálculos y en teoría esto debería haber
funcionado. Pensando creativamente, Bardeen y Brattain experimentaron con finas capas de
silicio y germanio intentando conseguir que el efecto de campo funcionara. En el otoño de
1947 hubo un signo de progreso cuando Brattain debía enfrentar problemas con la
condensación de agua sobre la superficie del semiconductor. En lugar de secar el agua, colocó
una gota de agua en la parte superior del silicio, energizó la placa encima de él, y notó un
efecto amplificador. La gota de agua ayudó a superar la barrera de la superficie que contribuyó
a crear el flujo de electrones, pero era lento y no se podían amplificar de manera clara las
señales de voz necesarias para transmitir la voz.
En diciembre de 1947 (señalado como el Mes del Milagro) pensaron eliminar la brecha de
efecto de campo, mediante la extracción del agua y la creación de un contacto de oro para
tocar el semiconductor. Cambiaron al germanio, que era más fácil de trabajar en ese
momento, y lo aislaron con una fina película de óxido que naturalmente se forma sobre el
germanio. Realizaron muchas pruebas sin éxito. Luego, a mediados de diciembre,
aparentemente por accidente, Walter Brattain había retirado sin darse cuenta la capa de óxido,
¡haciendo contacto del oro directamente con el germanio! ¡Bingo! Había descubierto una
buena amplificación y el transistor era funcional. En lugar de sacar los electrones a la
superficie del semiconductor, como era la teoría de Shockley sobre el efecto de campo,
Brattain y Bardeen habían descubierto que poniendo en contacto el semiconductor con un
contacto de oro, se inyectaban los orificios en el semiconductor, permitiendo el flujo de
electricidad. A mediados de diciembre de 1947, sin el conocimiento de Shockley, comenzaron
a crear un prototipo operativo. Brattain armó un aparato en la forma de un triángulo de plástico
con lámina de oro a lo largo de los bordes inclinados y realizó una fina hendidura en el punto
del triángulo. Resultó un prototipo extremadamente rudimentario. Utilizaron un clip de papel en
un resorte para presionar el triángulo en el delgado semiconductor de germanio, en la parte
superior de una delgada placa de cobre, donde había dos cables, uno en cada extremo del
triángulo. La capa de cobre bajo la capa de germanio sirvió como el 3 er conductor, de alguna
manera (Figura 7). Acabó recibiendo el nombre de Transistor de Punto de Contacto.
Brattain y Bardeen llamaron a Shockley para comunicarle la buena noticia. En esos logros,
declaró Shockley, había una mezcla de emociones, me sentía feliz de que fuese funcional pero
decepcionado de que no lo había podido crear yo directamente. La demostración a los
superiores de Shockley llegaría una semana más tarde, el 23 de diciembre de 1947 (se anunció
públicamente el 30 de junio de 1948). Posteriormente, la imagen fue tomada en ese momento
para la historia (Figura 8). Shockley sabía que el frágil transistor de punto de contacto no sería
fácil de fabricar y fue consumido por intentar mejorarlo (él mismo). Shockley trabajó
febrilmente para intentar resolver el problema a su manera… documentando sus ideas de
intentar hacerlo más integrado mediante la superposición de los materiales semiconductores.
Se requirió mucha más investigación para completar la teoría para registrar la patente para el
transistor de unión (el 25 de junio de 1948). Se realizó la demostración de un transistor n-p-n
funcional el 20 de abril de 1950 (que fue posible gracias al trabajo de Gordon Teal y Morgan
Sparks). Los detalles alrededor de todo esto van mucho más allá de lo que uno puede
imaginar4.
William Shockley, John Bardeen y Walter Brattain recibieron el premio Nobel por la invención
del efecto Transistor el 10 de diciembre de 1956.
Luces intermitentes con diodos Leds y transistor
2N2222
Funcionamiento
Este circuito es un ejemplo de un oscilador a transistores, es decir, irtercala
constantemente el estado de corte y saturación entre los transistores. Si no
recuerdas estos términos aquí algunas ideas.
Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus
otros terminales de colector a emisor; se dice entonces que el transistor está
en CORTE, es como si se tratara de un interruptor abierto.
El transistor está en SATURACION cuando la corriente en la base es muy
alta; en ese caso se permite la circulación de corriente entre el colector y el
emisor y el transistor se comporta como si fuera un interruptor cerrado.
Luego en este circuito, para entenderlo simplemente, se podria decir que los
condensadores electroliticos se cargan y descargan alternadamente, es decir
mientras uno se va cargando el otro se va descargando. Cuando uno tiene carga
hace conducir a un transistor (diodo led se ilumina) y si el otro condensador no
tiene carga lo tiene en corte al transistor (diodo led se apaga).
Lista de materiales
2 transistores 2N2222A
2 diodos Led
2 resistores de 1K
2 resistores de 22K
2 condensadores electrolíticos de 2.2 µF / 16V
1 batería de 9V