Instituto tecnológico de ciudad madero

DEPTARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y

ELECTRÓNICA
MATERIA:
Diodos y transistores
MAESTRO:
Carlos Enrique Salazar Gea
PRACTICA 6:
Características básicas del BJT
ALUMNO:
Adrian Andres Juarez Alcocer

NO. DE CONTROL
20071587
 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE CIUDAD MADERO, TAM.
DEPTARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
DIODOS Y TRANSISTORES
PRÁCTICA 6.- CARACTERÍSTICAS BÁSICAS DEL BJT
INTRODUCCIÓN
En un circuito de transistor polarizado por la base, la corriente de colector en reposo se
determina con la corriente de base y la beta del transistor. Además, la corriente de base
puede variarse al cambiar el voltaje de polarización base-emisor.
En la Sección I de esta práctica, se verá cómo la corriente en un transistor varia al cambiar
la cantidad de polarización directa de la unión base-emisor con su cambio correspondiente
en la corriente de base.
En la Sección II se analizarán dos de las fallas de transistor más comunes:
La unión C-E abierta y la unión C-E en corto. También se aprenderá a realizar una medición
rápida para determinar el estado de un transistor.
OBJETIVOS
• Observar el efecto de un cambio en el voltaje de polarización directa de la base en
la corriente de colector.
• Saber reconocer un transistor cortocircuitado o abierto usando mediciones de VCE
• Aprender cómo hacer una verificación rápida del estado del transistor utilizando un
óhmetro
EQUIPO Y MATERIALES
✓ Fuente de alimentación de DC
✓ Multímetro digital
✓ Protoboard
✓ Transistor NPN, 2N3904 o equivalente
✓ Resistencias: 1 kΩ [2], 22 kΩ, 33 kΩ, 100 kΩ
SECCIÓN I EXPERIMENTO FUNCIONAL
1. Construya el circuito que se muestra en la Figura 1.

2. Mida y registre los siguientes voltajes.

VBE = 0.64V____ VCE = 7.53V__________

3. Mida y registre las corrientes de colector y base.

IC = 0.11mA__________ IB I= 16.96μA__________

4. Calcule los valores de la corriente del emisor y beta (β); y luego medir y registrar el
valor de IE.
Calculado:
IE = 0.11mA___________ βDC = 20__________
Medido:
IE = 0.15mA___________

5. Reemplace el RB de 33 kΩ con una de 22 kΩ, mida el VBE y la lE, y registre estos valores a
continuación. Nota: El valor de VBE será pequeño, en el rango de 0.6 a 0.8 volts. Mida y
registre el valor tan preciso como pueda.
RB = 22 kΩ:
VBE = 0.64V__________ IC = 0.13mA__________

6. Reemplace la RB de 22 kΩ con una de 100 kΩ; medir y registrar el VBE y la IC.

RB = 100 kΩ:
VBE = 0.64V__________ IC= 0.13mA__________
fotos de la practica
para 22k

para 33k

para 100k
SECCION II SOLUCION DE FALLAS
Falla 1 – cortocircuito en la unión C-E
1. Simulará una falla en el transistor de cortocircuito entre el colector y el emisor
colocando un trozo de cable del colector a la base y de la base al emisor.

2. Energice el circuito y mida el VCE. Se deberá encontrar que este voltaje es muy bajo
Recuerde: la caída de voltaje en un corto es idealmente cero volts.
VCE = 0V__________

3. Retire el transistor y los cables de cortocircuito del circuito y verifique el VCE

nuevamente. Ahora debería encontrar la caída de voltaje muy cerca del nivel de la
fuente de alimentación (Recuerde: la fuente de voltaje estará presente a través de un
circuito abierto)
VCE = 6.4V__________

Probando un transistor con un Ohmetro

Las verificaciones de voltaje son las pruebas más fáciles y que requieren menos tiempo
para que un técnico las realice. La información obtenida de este tipo de prueba más el
conocimiento de cómo funcionan el circuito y los componentes es esencial para solucionar
problemas con éxito. Una vez que haya tomado la decisión de cambiar un transistor que
no funciona, es bueno hacer una verificación rápida con un óhmetro para verificar que el
transistor este dañado.
El siguiente es un procedimiento de verificación rápida para determinar la condición de un
transistor.

PRECAUCIÓN:
No utilice el rango muy bajo (R x 1 o R x 10) del óhmetro para la prueba de transistores. En
algunos óhmetros, estos rangos pueden producir una corriente considerable que dañará
un diodo o transistor. Si el óhmetro tiene un rango identificado para pruebas de diodo, use
ese rango.

1. Consulte la Figura a. Para un transistor NPN, conecta la terminal positiva del medidor
de ohms a la base, y la terminal negativa al colector. Un transistor no dañado mostrará
una lectura de baja resistencia.
falla 1 paso 1 falla 1 paso 2
2. Consulte la Figura b. Dejando la terminal positiva en la base, coloque el cable negativo
en el emisor. Esta también debe mostrar una lectura de baja resistencia para un
transistor en buen estado.

3. Consulte la Figura c. A continuación, coloque la terminal negativa en la base y la positiva

en el colector. Esto debería mostrar una lectura de resistencia extremadamente alta en
el óhmetro para transistor en buen estado.

4. Dejando el cable negativo en la base, coloque el cable positivo en el emisor. Esto

también debería mostrar una lectura de resistencia muy grande para un transistor en
buen estado.
La relación de resistencia directa a inversa para un transistor en buen estado debería
ser 1000: 1. Para verificar un transistor PNP, simplemente invierta el proceso anterior.