REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

UNIVERSIDAD DE FALCÓN

FACULTAD DE INGENIERÍA

CARRERA INGENIERÍA ELECTRÓNICA

CÁTEDRA: LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I

DOCENTE: ANTONIO CASTELLANO

TAREA N° 3

CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR BJT

AUTOR:

LUGO, VANESSA.

C.I: 28.668.322

Punto Fijo, 20 de julio de 2021

 BASES TEÓRICAS

Transistor BJT

El transistor bipolar es un dispositivo electrónico de estado sólido

consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar
la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente
a través de sus terminales. Entre algunas limitaciones:

 Impedancia de entrada baja.

 Son inestables con la temperatura.
 Más difíciles de fabricar y diseñar.

Curvas características del transistor

Conocida como característica del BJT, las curvas de tensión corriente de

los distintos terminales del BJT. Como característica de entrada la curva que
expresa la tendencia de la corriente de base IB en función de la tensión de
base VBE.
Operación del Transistor BJT

El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente

que circula entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de
base. De esta forma, entre el emisor y el colector circula una gran corriente,
mientras que por la base una corriente muy pequeña.

Importancia del transistor en la electrónica

Los transistores son los componentes activos fundamentales en

prácticamente toda la tecnología moderna y actualmente sigue
revolucionando el campo de la electrónica, allanando el camino para las
radios más pequeñas y económicas, calculadoras y ordenadores, entre otras
cosas.
 LABORATORIO #3

 Simulador PROTEUS
 Fuentes de poder DC variable
 Transistor 2N394
 Resistor: 470Ω/1/2 W
 Potenciómetro de 2,5KΩ
 Voltímetros, (2 miliamperimetros)
 2 Switches SPST

1.- Identifique todas las características y los terminales del Transistor que
utilizara en la práctica, usando el manual técnico del fabricante (NTE), Data
sheet.

2.- Ensamble el circuito de, la figura N. 1.

3.- Con los switches abiertos, ajuste el potenciómetro RV1 a su máxima

resistencia. Ajuste el voltaje V1 a 1,5V y el voltaje V2 a 3V.

4.- Cierre ambos switches y ajuste en un primer caso Ib= 10μA. Luego ajuste
V2 hasta obtener un voltaje de Vce=0 V. Asegúrese de mantener constante
el valor de IB. Registre el valor de la corriente Ic en la tabla I.

5.- Varié el voltaje V2 hasta obtener los voltajes Vce indicados en la tabla I
para cada valor de corriente Ib, registrando en cada Paso los valores de Ic
obtenidos.

lb( μA) V ce=0 vV ce =1 vV ce=2 vV ce =3 vV ce =4 vV ce =5 vV ce=6 vV ce =7 vV ce =8 vV ce =9 v

 Ic (ma)
10 0.01 1.39 1.41 1.43 1.45 1.47 1.49 1.51 1.53 1.55
20 0.02 3.01 3.05 3.09 3.13 3.17 3.21 3.25 3.29 3.33
30 0.03 4.67 4.74 4.80 4.86 4.93 4.99 5.05 5.12 5.18
40 0.04 6.34 6.42 6.51 6.60 6.68 6.77 6.85 6.94 7.03
50 0.05 7.99 8.09 8.20 8.31 8.42 8.53 8.64 8.74 8.85
60 0.06 9.62 9.75 9.88 10.0 10.1 10.3 1.40 10.5 10.7
0 0 0 0 0

6.- Con los datos de la tabla I, grafique las curvas características de Ic VS.
Vce para cada valor de Ib constante.

7.- Una vez realizada la gráfica, identifique sobre la misma, las zonas de
operación del transistor (zona de operación normal, corte y saturación).
8.- Para cada valor de Ib presente en la tabla y tomando solo en cuenta la
zona de operación del transistor, según la gráfica, realice el cálculo promedio
del parámetro β del dispositivo utilizado. Además compare este valor con el
medido directamente con el multímetro digital. (Por ser esto una práctica
virtual es posible que no exista diferencia alguna)
9.- Con los datos de la tabla I, grafique en excell o cualquier herramienta
digital las curvas características de Ic vs. Ib para cada valor de Vce
constante.

ANEXOS
Desarrolle los siguientes conceptos

1.-Para que un transistor PNP o NPN funcione, ¿Qué polarización debe

aplicarse entre el emisor y la base?

Establecer el punto correcto de operación, requiere de la selección

adecuada de resistencias de polarización y resistencias de carga para
proporcionar la corriente de entrada apropiada. El punto de polarización
correcto para un transistor bipolar, ya sea PNP o NPN, generalmente se
encuentra en algún lugar entre los dos extremos de operación con respecto a
que esté “completamente encendido” o “completamente apagado” a lo largo
de su línea de carga. Este punto de operación central se denomina “Punto de
funcionamiento en reposo”, o punto Q para abreviar. Demás está decir que,
la correcta polarización del transistor también establece su región operativa
de CA inicial con circuitos de polarización prácticos utilizando una red de
polarización de dos o cuatro resistencias.

2.- Describa en qué forma puede determinar si un transistor desconocido es

tipo PNP o NPN, si solo cuenta con un ohmímetro.

Para ello, esto se consigue determinando cuál de los terminales del

transistor corresponde a la base. Esto se consigue midiendo la resistencia
con el óhmetro entre los diferentes terminales. En un transistor en buen
estado, la resistencia entre el colector y el emisor es siempre muy alta,
cualquiera que sea la polaridad aplicada por el óhmetro; cuando se haga
esta verificación, el otro terminal corresponderá a la base.

Una vez, localizada la base, conectamos la punta de prueba positiva en la

misma y la negativa en cualquiera de los otros dos terminales del transistor:
si la resistencia obtenida es muy baja (se ha polarizado la unión de uno de
los dos diodos, por efecto de la tensión positiva aplicada con el óhmetro a la

base P, se trata de un transistor tipo NPN: si obtenemos una resistencia muy

alta (no se ha polarizado la unión) se trata de un transistor PNP.
3.- Defina el símbolo Icbo

El símbolo Icbo, se refiere a la corriente de saturación, es aquella parte de

la corriente inversa en un diodo semiconductor, causado por la difusión de la
minoría de los portadores de regiones neutrales a la región de agotamiento.
Esta corriente es casi independiente de la tensión inversa. El transistor está
en saturación cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso se
permite la circulación de corriente entre el colector y el emisor, entonces el
transistor se comporta como si fuera un interruptor cerrado.

4.- Si la unión emisor-base de un transistor está polarizada directamente,

debe esperarse encontrar una resistencia (muy baja o muy alta)

Si la unión emisor-base de un transistor está polarizada directamente,

debe esperarse encontrar una resistencia muy baja, solo se tendrá la pérdida
de los 0,7V que corresponde a la activación del transistor.

5.- Si la unión base-colector de un transistor está polarizada inversamente,

debe esperarse encontrar una resistencia (muy alta o muy Baja)

Se coloca el ejemplo de lo que le sucede a un diodo cuando está

polarizado inversamente, pasa lo mismo con un transistor, un transistor
polarizado de forma inversa, se encuentra con una resistencia muy alta, no
pasa corriente, o la misma es cercana a 0.