Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Redes 5G
Es la generación de comunicación inalámbrica que trae más ventajas que las actuales
redes comerciales, debido a exigencias del creciente mercado virtual va dejando obsoleta el
uso de las redes en 4G y 4GLTE. Con la comercialización de equipos que ofrecen paquetes
tecnológicos como las interacciones vía realidad virtual, plataformas de distribución de videos
en 8K, automatización inteligente de procesos y servicios que dependan de IoT (Internet of
Thing), (Batista y Díaz, 2019), como también el uso eficiente del espectro, bajos requerimiento
energético inclusive el costo computacional. La tecnología 5G ofrece una velocidad y
administración de información de hasta 1000 veces más rápida que las redes inalámbricas
actuales, sin embargo, su gran ventaja a su vez constituye una cierta debilidad al no contar
actualmente con hardware adecuado para soportar esa cantidad masiva de información,
actualmente la tecnología en 4G se presente en equipos seria en su mayoría incompatible para
poder lidiar con las ventajas de esta nueva generación de transferencia de datos (Fombellida,
2019).
La tecnología 5G se caracteriza por una tasa de datos de hasta 100 Gbps, latencia de 1
milisegundo, un ancho de banda multiplicado por 1000 por unidad de área respecto a las redes
ya existentes, disponibilidad de la red del 99.999%, cobertura del 100%, reducción del
consumo de energía de la red de hasta un 90%, 100 dispositivos más conectados por unidad de
área en comparación con LTE, y, por último, se pretenderá que los dispositivos de IoT masivo
de baja potencia presenten una batería cuta duración sea de alrededor de los 10 años.
El uso de las bandas de frecuencia superiores, bandas milimétricas, ofrece una tasa de
datos de hasta 20 Gigabits por segundo, además de la implementación de la técnica MIMO
masivo consiguiéndose un rendimiento de hasta 10 veces mayor que con las redes 4G
(Cepeda, 2018). En el caso de Europa, se ha considerado pionero el uso de la banda de 26 GHz
para la implementación del 5G en estas bandas de altas frecuencias. La banda de 24.25 GHz a
27.5 GHz se prevé otorgarla a fines comerciales a partir de 2020.
Otras bandas de interés para el despliegue de las redes 5G son las bandas de 600, 700,
800 y 900 MHz, además de la de 1.5 y 2.1 GHz. Todas ellas pueden serán destinadas para
aplicaciones como IoT, y automatización de la industria, entre otros (Martínez, Marini y
Sanchez, 2020).
Dentro de los sistemas que fueron diseñados a partir de simulaciones en las redes del
5G, se tuvo en cuenta las redes heterogéneas comerciales y tecnologías en experimentación
como las antenas tipo MiMO masivo, dando como resultados positivos y de bajo costo
(Cepeda, 2018). En los casos de simulación de ondas en 5G el grado de dificultad es mayor
debido a inconvenientes que no fueron contemplados en las simulaciones respectivas debido a
problemas con los ordenadores y el entendimiento de diferentes modulaciones (Eugen, 2017).
Este Trabajo Fin de Curso abarca el análisis del estado del arte de las comunicaciones
inalámbricas y de los dispositivos que a día de hoy se emplean para ello. Como objetivo, el
diseño y simulación de un amplificador de una frecuencia en capacidad de ser integradas en
sistemas para 5G.
Objetivos Generales
Objetivos específicos
Aunque en las simulaciones se vea que se utiliza el transistor FET F261503A, realmente se han
colocado los parámetros del transistor ERA-4SM+, que estaremos simulando para una
frecuencia de 4.2 GHz.
Lo primero será conocer la impedancia de nuestro transistor para poder realizar la etapa de
adaptación de impedancias. Colocamos nuestro transistor y utilizamos dos puertos para
realizar la simulación.
Como se ve en la figura de abajo, se configurar el proyecto para que simule a una frecuencia
única de 4.2 GHz.
Figura 2. Configuración de parámetros del proyecto
Para ver la impedancia de nuestro transistor, utilizamos una gráfica de la carta de Smith
S[1,1] Graph 1
Swp Max
-1.0
Test
1.0
-0.8
0.8
4.2GHz
-0
6
0.
.6
-2
0
2.
.0
4 -0
0. .4
-3 0
.0 3.
-4 0
.0 4.
-5.
0.2
0
4.2 GHz 5.0
-0.
2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
10.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
10.0 -10.0
2 0.2
-0.
5.0 0
-5.
4. .0
0 -4
3. 0 .
0 -3
.4 0.
-0 4
.0
2.
-2
.6
0
0.
-0
Swp Min
-0.8
0.8
-1.0
1.0
4.2GHz
Realizando un zoom para tener una visión más clara de la posición, vemos lo siguiente:
Lo que tenemos que hacer es encontrar la longitud ‘d’ y luego la longitud ‘l’ para adaptar la
línea. Para hallar la longitud ‘d’, vemos en la gráfica que tenemos que acercarnos a un círculo
que pase por el centro de la carta de Smith, justo la de color rojo como está indicada.
Figura 6. Círculo de color rojo que indica la posición a la que debemos llegar
Agregamos una línea de transmisión TLIN, colocamos nuestra frecuencia de trabajo y vamos a
ir graduando del valor de la línea.
De esta forma, mediante la carta de Smith, vemos que en 48.3° lo tenemos pasando la línea
roja, por lo que ahora podemos pasar a la siguiente parte que es encontrar la longitud ‘l’.
Figura 8. Adaptación correcta de nuestra línea
S[1,1] Graph 1
Swp Max
-1.0
1.0
Test
-0.8
0.8
4.2GHz
-0
6
0.
.6
-2
0
2.
. 0
4 -0
0. .4
-3 0
. 0 3.
-4 0
.0 4.
-5.
0.2
0 4.2 GHz 5.0 -0.
2
-10.0
r 0.99262 10.0
x 0.001218
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
10.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
10.0 -10.0
2 0.2
-0.
5.0 0
-5.
4. .0
0 -4
3. .0
0 -3
.4 0.
-0 4
.0
2.
-2
.6
0
0.
-0
Swp Min
-0.8
0.8
-1.0
1.0
4.2GHz
Figura 11. Carta de Smith de nuestra línea indicando una correcta adaptación
Ahora que ya tenemos la red adaptada, lo que nos queda es colocar la etapa del condensador
de acoplo. Esto se puede modelar como un condensador junto con una inductancia de 1nH y
para conocer el valor del capacitor C, debemos aplicar los siguientes cálculos:
1
X c =X L → =ωL
ωC
1 1
C= 2
= 2
ω L (2 πf ) L
Donde:
f =4.2GHz ; L=1 nH
Reemplazamos y obtenemos:
C=1.44 pF
Esta red de adaptación de la salida, funciona de la misma forma que la de entrada, tan solo
modificamos la posición de nuestros puertos puesto que ahora vemos al circuito de derecha a
izquierda.
Figura 14. Prueba del transistor para la red de adaptación de salida.
S[1,1] Graph 1
Swp Max
-1.0
1.0
Test
-0.8
0.8
4.2GHz
-0
0.
.6
-2
0
2.
.0 -0
4 .4
-3 0.
.0 0
3.
-4 0
.0 4.
-5.
0
4.2 GHz 5.0
-0.
Mag -26.14 dB
0.2 2
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
2.0
3.0
4.0
5.0
1.0
0
10.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10.0 -10.0
2 0.2
-0.
5.0 0
-5.
4. .0
0 -4
3. .0
0 -3
.4 0.
-0 4
.0
2.
-2
.6
0
0.
-0
Swp Min
-0.8
0.8
-1.0
1.0
4.2GHz
Nuevamente, debemos buscar una línea de longitud que nos permita mover nuestro punto a
uno por donde pase el círculo de color rojo, ya que este pasa por el centro de la carta de
Smith.
-1.0
Test
1.0
-0.8
0.8
4.2GHz
-0
6
0.
.6
-2
0
2.
.0
4 -0
0. .
-3 4
0
.0 3.
-4 0
.0 4.
-5.
0.2
0 4.2 GHz 5.0
-0.
2
10.0
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.8
0
10.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10.0 -10.0
2 0.2
-0.
5.0 0
-5.
4. .0
0 -4
3. .0
0 -3
. 4 0.
-0 4
.0
2.
-2
.6
0
0.
-0
6
-0.8 Swp Min
0.8
-1.0
1.0
4.2GHz
RED DE ALIMENTACIÓN
Para la red de alimentación debemos colocar una línea de transmisión que presente una
impedancia de cero al final para que no permita el ingreso de la corriente. Además, deberemos
colocar un capacitor entre la línea de alimentación y tierra, con un valor de 1.44 pF que es el
valor obtenido para trabajar a la frecuencia de 4.2 GHz.
Obtenemos el siguiente resultado cuando agregamos las líneas para poder conectar ese
capacitor y finalmente tenemos el siguiente esquema:
Para esta etapa utilizamos el mismo valor para C para la parte anterior, podemos obtener el
siguiente esquema:
RED DE ALIMENTACIÓN
Finalmente, si simulamos todo nuestro esquemático, obtenemos de igual forma que nuestra
impedancia está muy cerca del centro de la carta de Smith.
Bibliografía
Batista Fuentes, M., y Díaz Ibañez, E. (2019). Tecnología móvil 5G. Mare Ingenii.
Ingenierías, 1(1), 65-72. Recuperado a partir de
http://cipres.sanmateo.edu.co/index.php/mi/article/view/211
Jaramillo, N., Ochoa, A., Páez, W., Peña, A. (2017). Tecnología 5G. Rev. Ingeniería,
Matemáticas y Ciencias de la Información. Vol. 4 / Núm. 8. pág. 41-45.
Martínez, J., Marini, S., Sanchez, M. (2020). Análisis y Diseño de un Array de Antenas
en Tecnología Microstrip. Universidad de Alicante. Grado en Ingeniería en
Sonido e Imagen en Telecomunicación.
Riofrío, A. (2016). Análisis del estado del arte e innovación en las tecnologías de
sistemas de comunicaciones inalámbricas 5G. Universidad Politécnica
Salesiana sede Quito.