Informe 4 Nuñez Llerena Jhonatan

UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARÍA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA MECÁNICA, MECÁNICA

ELÉCTRICA Y MECATRÓNICA
ASIGNATURA: CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
TEMA: INFORME 4
DOCENTE: ING. MARCELO QUISPE
ALUMNO: NÚÑEZ LLERENA JHONATAN
GRUPO: 03
AREQUIPA
2021
UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTA MARÍA Página: 2/10
FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y FORMALES
PROGRAMA PROFESIONAL INGENIERÍA MECÁNICA,
Jefe de Practicas:
MECÁNICA- ELÉCTRICA Y MECATRÓNICA Ing. Christiam G. Collado Oporto
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELÉCTRONICOS I

Código: 2014600081
TRANSISTOR BJT Semestre: V
Grupo: 03 FECHA:
Lab N°:
Apellidos y Nombres: Núñez Llerena Jhonatan Alberto 03 19/05/2021
OBJETIVOS
✓ Determinar los parámetros eléctricos de conductividad de un transistor.

✓ Determinar las características físicas y eléctricas de un transistor BJT.
✓ Analizar las características de transistores BJT.
✓ Calcular la curva de los transistores BJT.
MARCO TEORICO
El transistor bipolar de contacto de punto, antecesor directo del transistor de unión, fue inventado en
diciembre de 1947 en la Bell Telephone Company por John Bardeen y Walter Houser Brattain bajo la
dirección de William Shockley, cuya primera patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de
junio de 1948, la cual siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este dispositivo. El transistor
bipolar de unión, inventado por Shockley en 1948, fue durante tres décadas el dispositivo favorito en el
diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso de los BJTs ha declinado en favor de la
tecnología CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados.
El transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor) es el más común de los transistores, y como los
diodos, puede ser de germanio o silicio. En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la
base y el colector.
El nombre transistor se obtiene de la combinación de las palabras “transfer” y “resistor”. El motivo del
nombre se debe a que es un “resistor” que puede amplificar una señal eléctrica mientras es “transferida”
de su terminal de entrada al terminal de salida.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo
indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor. El transistor es un dispositivo de 3
patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor,
con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de transistor.
Figura 1 "Transistores NPN y PNP (respectivamente)"
La ganancia ß (beta) de un transistor bipolar
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad
de corriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a esta, en
un factor que se llama amplificación.
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Este factor de amplificación se llama ß (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces:
• Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a ß (factor de amplificación) por Ib (corriente
que pasa por la patilla base).
• Ic = ß x Ib
• Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (ß+1) x Ib, pero se redondea al mismo valor
que Ic, sólo que la corriente en un caso entra al transistor (PNP) y en el otro caso de sale él (NPN), o
viceversa.
Relación entre la corriente de base y el voltaje de alimentación
Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la
realidad si lo hace y la corriente de base Ib aumenta ligeramente cuando se cambia Vcc.
Curva de transferencia de un transistor bipolar
• Curva de transferencia de un transistor real para una corriente de base dada se muestra en la
imagen a la izquierda.
• Curvas de transferencia del transistor bipolar para diferentes corrientes de base. Ver zonas de
saturación y de corte (imagen de la derecha)
• En la imagen de la derecha las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a
más corriente la curva es más alta.
Figura 2 "Grafico de Curva de un transistor BJT"

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De las curvas del transistor se deduce que:
– Cuando la corriente de base (Ib) es cero, el transistor no conduce (Ic = 0). Igualmente se puede
deducir de la fórmula Ic = ß x Ib. El voltaje entre el colector y el emisor (VCE) es el voltaje de
alimentación.
– Cuando la corriente de base (Ib) es diferente de cero, el transistor conduce (Ic es diferente de cero).
Igualmente se puede deducir de la fórmula Ic = ß x Ib. El voltaje entre el colector y el emisor (VCE) es
un voltaje que está entre el mínimo (aproximadamente cero) y un máximo (aproximadamente el
voltaje de alimentación). El valor del voltaje depende del valor Ib.
¿DONDE SE UTILIZAN LOS TRANSISTORES BJT?
Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el campo de la electrónica, pero comúnmente son
utilizados como interruptores electrónicos, amplificadores de señales o como conmutadores de baja
potencia. Como ejemplo se usan para controlar motores, accionar reveladores y producir sonidos en
bocinas. Estos transistores son muy comunes y de uso general los cueles pueden encontrarse en
cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como en radios, alarmas, automóviles, ordenadores, etc.
¿ESTRUCTURA DE LOS TRANSISTORES BJT?
Los transistores BJT están formados por dos uniones de tipo “P y N” o bien de dos diodos
semiconductores.
Existen dos tipos transistores BJT, el de tipo NPN y el PNP. Las letras hacen referencia a las capas de
material semiconductor que están construidos.
1-Transistor tipo NPN: Está formado por dos capas de material tipo “N” y separadas por una capa tipo
“P”.
2-Transistor tipo PNP: Esta formada por dos capas de material tipo “P” y separadas por una capa tipo
“N”.
Estos transistores cuentan con tres terminales, emisor, base y colector. La zona central se denomina base,
y las laterales emisor y colector. Estos pines se representan por la inicial del nombre de la zona respectiva:
E (emisor), B (base) y C (colector).
– La zona de E (emisor), es la más fuertemente dopada, es la zona en cargada de “emitir” o inyectar

portadores mayoritarios hacia la base.
- La zona de B (base), tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se trata de
una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misión es la de dejar pasar la
mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el colector.
- La zona de C (colector), es encargada de recoger o “colectar” los portadores inyectados que han sido
capaces de atravesar la base por parte del emisor. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las
tres.
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Para diferenciar los pines y el tipo de transistor NPN o PNP, debes identificar la terminal del emisor, ya
que esta tiene una flecha que cambia de dirección. En las imágenes 1 y 2 podrás observar el esquemático
del transistor tipo NPN – PNP y te darás cuenta de que lo único que lo diferencia es la orientación de la
flecha.
Figura 3 "Transistor BJT tipo PNP"
Figura 4 "Transistor BJT tipo NPN"
EQUIPO Y MATERIALES
✓ Protoboard
✓ Resistencias 330 KΩ, 1KΩ, 4.7KΩ, 100Ω
✓ Potenciómetro 1MΩ, 5KΩ, 5MΩ, 10KΩ
✓ Transistor BC548 y 2N3904
✓ Miliamperímetro DC
✓ Voltímetro DC
✓ Fuente DC
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Figura 5 "Materiales e Instrumentos usados"
PROCEDIMIENTO
PARTE 1:
Identificación del transistor
Identifique los terminales del transistor BJT

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Seleccione la escala de pruebas de Diodos en el DMM.
Conectar los terminales del DMM con el transistor de acuerdo con la tabla 1. Registrar la lectura del
DMM.
Tabla 1
Terminal Rojo (+) Terminal Negro (-) Lectura del DMM

1 2 0
2 1 665
1 3 0
3 1 0
2 3 661
3 2 0
Figura 6 "Resultados de la Tabla 1"

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Identificar las características del Transistor en la siguiente tabla
Tabla 2
Terminal Base 2
Terminal Colector 1
Terminal Emisor 3
Tipo de Transistor NPN
Material del Transistor Si (Silicio)
PARTE 2:
Esquema
Figura 7 "Esquema a realizar"
Figura 8 "Esquema realizado en el Programa Proteus"

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Figura 9 "Esquema armado con los materiales requeridos"
Tabla 3: Resultados
Vce (V) Ic (mA) Vce (V) Ic (mA) Vce (V) Ic (mA)

0,1 1,2 0,07 1,2 0,05 1,2
0,2 5,8 0,2 9,1 0,1 4
0,3 7,8 0,3 12,4 0,2 15
0,4 8,4 0,4 14,4 0,3 20
0,5 8,4 1 16,8 0,5 23,6
1 8,7 1,75 17,5 1 27,9
Ib = 100μA
1,5 8,8 Ib = 50μA 2,25 17,8 1,75 32,6
Ib = 25 μA 2 8,9 3 18,1 2,5 34,8
3,2 9,1 4,4 18,8 4 36,7
4 9,2 5 19,2 5 38,7
5,2 9,4 6,2 19,9 6,2 40,9
6,2 9,7 8 20,7 8 43
7,2 9,9 9,2 22,1 8,3 45,1
8 10,1 11 23,3
9 10,3
13 10,8
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Lab N°:
Curva Transistor BJT

50
45
40
35
30
Ic (mA)
25 Ib 25uA
20 Ib 50uA
15 Ib 100uA
10
5
0
0 2 4 6 8 10 12 14
Vce (V)
Figura 10 "Curva Transistor BJT con diferentes Vce"
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
• Debemos de tener cuidado al hacer la práctica sobre todo con el amperímetro que se puede llegar
a quemar si no le damos el uso adecuado.
• Que al no contar con un multímetro para probar el transistor podemos recurrir a su hoja de datos
de este, o en el caso de no contar con su hoja de datos podemos contar con un multímetro para
probar el transistor.
• Debemos dar la escala adecuada a los instrumentos para poder tener unos datos adecuados.

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ASIGNATURA: CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

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LABORATORIO DE CIRCUITOS ELÉCTRONICOS I

✓ Determinar los parámetros eléctricos de conductividad de un transistor.

Figura 1 "Transistores NPN y PNP (respectivamente)"

La ganancia ß (beta) de un transistor bipolar

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Relación entre la corriente de base y el voltaje de alimentación

Curva de transferencia de un transistor bipolar

Figura 2 "Grafico de Curva de un transistor BJT"

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELÉCTRONICOS I

De las curvas del transistor se deduce que:

¿DONDE SE UTILIZAN LOS TRANSISTORES BJT?

¿ESTRUCTURA DE LOS TRANSISTORES BJT?

– La zona de E (emisor), es la más fuertemente dopada, es la zona en cargada de “emitir” o inyectar

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELÉCTRONICOS I

Figura 3 "Transistor BJT tipo PNP"

Figura 4 "Transistor BJT tipo NPN"

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Figura 5 "Materiales e Instrumentos usados"

Identificación del transistor

Identifique los terminales del transistor BJT

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Seleccione la escala de pruebas de Diodos en el DMM.

Terminal Rojo (+) Terminal Negro (-) Lectura del DMM

Figura 6 "Resultados de la Tabla 1"

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELÉCTRONICOS I

Identificar las características del Transistor en la siguiente tabla

Figura 7 "Esquema a realizar"

Figura 8 "Esquema realizado en el Programa Proteus"

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELÉCTRONICOS I

Figura 9 "Esquema armado con los materiales requeridos"

Vce (V) Ic (mA) Vce (V) Ic (mA) Vce (V) Ic (mA)

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Curva Transistor BJT

Figura 10 "Curva Transistor BJT con diferentes Vce"

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