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UNIVERSIDAD NACIONAL DEL ALTIPLANO LABORATORIO DE ELECTRONICA I

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

EXPERIENCIA 04 TRANSISTORES BIPOLARES I. INTRODUCCION El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos capas de material tipo n y una de tipo p o dos capas de material tipo p y una de tipo n. El primero se denomina transistor NPN, en tanto que el ltimo recibe el nombre de transistor PNP. Por ello en esta experiencia reconoceremos ambos tipos de transistores as como las caractersticas de polarizacin de los transistores bipolares. II. INFORME PREVIO A. RESPONDA SENCILLAS. 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. Qu es un transistor BJT? Cmo trabaja el transistor PNP? Cules son las tres zonas de funcionamiento del transistor? Qu es el punto de saturacin del transistor? Cul es la condicin para la saturacin? Qu es el punto de corte del transistor? Cul es la condicin para el corte? Qu es el punto Quiescente punto Q o punto de operacin del transistor? A que se denomina saturacin fuerte? Qu determina la ubicacin del punto Q en la recta de carga? Mencione los tipos de configuracin del transistor? LAS SIGUIENTES PREGUNTAS CON PALABRAS

B. CONCEPTUALIZE LO SIGUIENTE: 1. 2. 3. 4. Polarizacin por divisor de tensin Polarizacin de cd con retroalimentacin de voltaje. El alfa y Beta de los transistores relacin entre el alfa y el beta

C. GRAFIQUE LO SIGUIENTE: 1. 2. Grafique las curvas Ic vs Vce recta de carga para el transistor 2N2222 (remtase a la hoja de caractersticas datasheet del transistor 2N2222 ) Simbologa del transistor NPN, PNP.

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NOTA: Solo desarrollaran la experiencia de laboratorio los alumnos que entreguen el informe previo de laboratorio. BIBLIOGRAFIA: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA MALVINO ROBERT BOYLESTAD. III. MATERIALES Y EQUIPOS A. 01 GENERADOR DE FUNCIONES B. 01 OSCILOSCOPIO C. 01 MULTIMETRO D. 02 RESISTENCIAS: 1.5 Kohm, 7Kohm, 4Kohm, 3Kohm, 220ohm, 1Kohm (todas 1/4 W) E. 01 POTENCIOMETRO: 100Kohm F. 03 CONDENSADOR: 47 uF (electroltico). G. 01 TRANSISTOR: TIP47 IV. EXPERIMENTO 01 A. PROPOSITO: Implementar y analizar en la practica la polarizacin del transistor 2N2222, verificando el punto Q.

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B. PASO 01: Implemente el siguiente circuito con el transistor TIP47. C. PASO 02: Haciendo uso del Multmetro tome las siguientes mediciones, Ibq, Ieq, Icq, Vceq. en que zona esta trabajando? D. PASO 03: Genere una seal sinusoidal de Vp =100mV, 60Hz. E. PASO 04: Ajuste la fuente de alimentacin continua en 10V. F. PASO 05: Haciendo uso del osciloscopio, tome la seal en la salida del circuito. Cmo es la seal de salida respecto a la entrada? G. PASO 07: Vari la amplitud del generador de seales a 150mV Cul es el efecto? H. PASO 08: Si retira el condensador de 47uF del emisor del transistor Cul es el efecto en la salida? V. EXPERIMENTO 02 A. PROPOSITO: Implementar y analizar en la prctica la saturacin del transistor. B. PASO 01: Implemente el siguiente circuito:

C. PASO 02: Alimente el circuito con 2 fuentes DC de 10V. D. PASO 03: ajuste el potencimetro en 1Kohm E. PASO 04: Haciendo uso del multimetro tome nota del voltaje Vce del transistor. F. PASO 05: incremente el valor del potencimetro hasta conseguir aprox. Vce=0V. se cumple la condicin de saturacin? VI. INFORME FINAL

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A. PRESENTE REALIZADA. 1. 1.

RESULTADOS

OBTENIDOS

EN

LA

PRCTICA

(todas las medidas posibles) Todas las seales tomadas en la realizacin de esta experiencia, esto es indispensable para la validacin de la realizacin de esta experiencia.

B. GRAFIQUE

C. EXPLIQUE LO SIGUIENTE 1. Analice matemticamente el primer y segundo circuito de esta experiencia, obtenga Ibq, Ieq, Icq, Vceq. los valores coinciden con los valores prcticos obtenidos en el laboratorio? D. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES Presente 3 sugerencias y 3 conclusiones respecto a esta experiencia.

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