a) Un material tipo-n al centro, y capas exteriores de material

Un transmisor bipolar o de juntura se fabrica como una  existen dos
estructura tipo “sándwich” formada por una capa central de
DESCRIPCIÓN material semiconductor con impurezas de un tipo y dos
capas exteriores de material semiconductor con impurezas
del otro tipo.
tipo-p. Este arreglocorresponde a transistores “tipo pnp”.
estructuras
alternativas b) Un material tipo-p entre dos capas de material tipo-n. Los
transistores así formados sedenominan “tipo npn”.

REFERENCIA: Una delgada capa de material tipo-p entre dos capas de material tipo-n. Estas capas reciben los nombres de COLECTOR, BASE y EMISOR.
TRANSISTOR
Se forman dos junturas p-n: la juntura base-colector y la juntura base-emisor; si estas junturas se analizan en similitud con diodos, es claro que existirán
NPN
cuatro posibles combinaciones según la polarización de cada una (directa o inversa).

Al polarizar directa la juntura base-emisor se establece una corriente 𝑖 𝐸 , la mayor parte de esta
corriente proviene desde el colector 𝑖 𝐶 y solo una pequeña fracción desde la base 𝑖 𝐵.
OPERACIÓN
(FUNCIONA- Para alcanzar región activa debe proveerse 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0,6 𝑣 𝑦 𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝐵𝐸 para lograr polarización
MIENTO) EN inversa en la juntura base-colector y asegurar conducción en la juntura base-emisor).
Estando la juntura base-emisor polarizada directamente, la corriente de emisor queda
REGIÓN ACTIVA determinada por la tensión 𝑉𝐵𝐸 tal como en un diodo, esto es, según la relación descrita por la
ecuación de Shockley: 𝑖 𝐸 = 𝑖 𝐸𝑠 ൣ𝑒 𝑉𝐵𝐸 /𝑉𝑇 − 1൧

- Valores continuos: variable mayúscula, subíndices mayúsculas.

La polarización tiene por objetivo fijar un punto de  Convención de - Valores alternos: Variable minúscula, subíndice minúscula.
trabajo Q (llamado “punto de polarización”), en cuyo nomenclaturas:
entorno se producirán excursiones al superponer la señal - Valores totales: variable minúscula, subíndice mayúscula.
TRANSISTOR CONFIGURA- aplicada en la entrada.
DE JUNTURA CIONES - Amplitud de máxima señal de salida (“swing”).
La polarización queda identificada por las tensiones y
TÍPICAS DE
corrientes en cada uno de los terminales del transistor; - Consumo de potencia (para polarización)
POLARIZACIÓN
las condiciones o valores que estas variables deben
asumir están determinadas por diversos criterios y  Criterios: - Niveles de impedancia de entrada y salida.
especificaciones, resultando comúnmente en soluciones
- Estabilidad del punto de trabajo ante variaciones en las
de compromiso.
características del dispositivo (por reemplazo, por efecto de la
temperatura, etc.)

Si se observa en forma crítica el método utilizado para demostrar la capacidad de amplificar tensión de una etapa transistorizada, es válido concluir que éste
si bien no tiene complejidad conceptual es bastante engorroso, poco práctico dado su carácter eminentemente gráfico. Es natural esperar que debe haber
ANÁLISIS DEL otras formas alternativas más cómodas.
COMPORTA-
MIENTO DE LA
SEÑAL Contando con el modelo de señal y con las ecuaciones previas de análisis de polarización, es posible ahora la solución analítica (no gráfica) de las
configuraciones prácticas más utilizadas,
El método se inicia resolviendo la polarización, de donde al obtener ICQ será posible calcular hie , y entonces aplicar y resolver el modelo de señal.