EXPOSICIONES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

1. Por grupos de trabajo preparar una presentación donde se explique por cada dispositivo de
potencia los siguientes aspectos:
• Funcionamiento y Estructura.
• Características eléctricas de encendido y apagado del dispositivo.
• Característica V Vs I y Circuitos de disparo.
Grupo Tema exposición
1 Miguel Ángel Garrido Fajardo GTO (Gate Turn Off thyristor)
Jensul Villalba Gaitán
Eyiber Steven Hernández
2 Jonnathan Jair Moreno DIAC, OPTODIAC, SIDAC; SUS
Oscar Daniel Pérez Vargas
Carlos Fernando Bustos Quevedo
3 Nicolai Velandia Tinoco QUADRAC , P.U.T (transistor de unión programable)
Willin Rodríguez Suarez
Daniel Herrera León
4 Catalina Hernández BJT de potencia
Eduardo Puerta
José Daniel Rodríguez
5 Diego Andrés Pérez Mosfet de potencia
Juan Pablo Cristancho
Brayan Sánchez Cruz
6 Zulma Astrid Lautero IGBT
Hugo Reinel Beltrán Rodríguez
Juan David Carrillo
Nota: Las diapositivas deben subirse a la plataforma Teams el día Lunes 01 de marzo del 2021 antes del
medio día para su respectiva retroalimentación.

Bibliografía sugerida:

• Rashid M, Power Electronics Handbook. Disponible en:

https://www.academia.edu/11821684/RASHID_Power_Electronics_Handbook.
En este libro está la teoría de GTO, BJT, MOSFET, IGBT, y circuitos de disparo en el capitulo
“Gate Drivers Circuits)
• Timothy Maloney, Electrónica Industrial Moderna. (UJT, PUT, SUS). Disponible en:
https://www.academia.edu/20840582/Maloney_Timothy_Electronica_Industrial_Moderna_5_Ed.
• Hard Daniel. Electrónica de potencia. (El capitulo 10 de este libro trabaja circuitos de disparo
para BJT y MOSFET). Disponible en:
https://www.academia.edu/34744439/Electr%C3%B3nica_de_Potencia_Daniel_W_Hart
• Tema 6. Gobierno de tiristores y triacs. Este capitulo habla en detalle de los circuitos de disparo
para DIACS. Disponible en:
https://www.academia.edu/12096363/Gobierno_de_tiristores_y_triac

• Henry Lilen, Triacs y tiristores (Quadracs, SIDAC, DIACS, OPTODIACS)

Disponible en:
https://books.google.com.co/books?id=7Yelfs7uItYC&printsec=frontcover&hl=es&source=gbs_g
e_summary_r&cad=0#v=onepage&q&f=false