UNIVERSIDAD MILITAR NUEVA GRANADA

Codificación:
INGMCT-G-141

Número de
Guías de Prácticas de Laboratorio Revisión No.:
Páginas:

Fecha Emisión:

Laboratorio de: Electrónica y Laboratorio

Título de la Práctica de Laboratorio: POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES BJT Y FET.

Elaborado por: Revisado por: Aprobado por:

DOCENTE(S) JEFE DE AREA DIRECTOR DEL
SERGIO CHAPARRO Y DARIO AMAYA HURTADO PROGRAMA
ANDRÉS CASTRO

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GUÍA PARA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA

LABORATORIO 1

EL DIODO Y SUS APLICACIONES.

1. FACULTAD O UNIDAD ACADÉMICA: INGENIERÍA

2. PROGRAMA: MECATRÓNICA

3. ASIGNATURA: ELECTRÓNICA

4. SEMESTRE: CUARTO

5. OBJETIVOS:

Describir y graficar la operación transistores de unión bipolar (BJT) y de efecto

de campo (FET), y analizar su punto de operación.

Diseñar, simular y montar circuitos usando las diferentes técnicas de polarización

de transistores estudiadas en clase.

6. COMPETENCIAS A DESARROLLAR:

Competencia genérica:

Investigar: 1) Las acciones practicas dan lugar a reflexiones teóricas. 2) La

descripción de situaciones, soluciones o fenómenos discrimina sesgos que el
propio punto de vista puede estar introduciendo en ella. 3) El significado de datos
cuantitativos puede ser interpretado como una cualidad o un conjunto de ellas. 4)
Los informes sobre acciones prácticas y experimentales logran un nivel adecuado
de detalle.
Competencia Específica:

Investigar: 1) los fenómenos o procesos se explican usando conceptos y principios

matemáticos. 2) estos fenómenos y procesos se representan gráficamente.
Diseñar: 2) Los modelos matemáticos presentados son analizados en diferentes
situaciones que permiten experimentar con los resultados.

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7. MARCO TEÓRICO:

Polarización de transistores: La polarización (ligado al punto de operación)

de un transistor, indica en que región de operación se encuentra y por lo tanto
sus posibles aplicaciones. La región de operación depende de las diferencias
de tensión presentes entre sus terminales (|V BE| y |VCE| para los transistores
bipolares (BJTs), y |VGS| y |VDS| para los transistores de efecto de campo
(FET)). A la tensión que se aplica en la puerta de un FET (VG) o la base de un
BJT (VB) se le conoce como tensión de polarización, y al par de tensiones que
pueden aplicarse en los otros terminales del transistor (sea BJT o FET) se les
conoce como tensiones de alimentación. Para disminuir el uso de fuentes de
tensión (y en algunos casos mejorar la precisión del valor de tensión), es
posible mediante circuitos generar la tensión de polarización a partir de las
tensiones de alimentación. Consecuencia de lo anterior, en esta sección se
presentan algunos de los circuitos básicos utilizados para generar la tensión de
polarización en diferentes tipos de transistores.

Polarización de transistores de unión bipolar (BJTs): Para generar la

tensión de polarización en un transistor bipolar existen cuatro técnicas básicas,
la polarización simple, la polarización por divisor resistivo, la polarización por
divisor resistivo con degeneración de emisor, y la autopolarización.

Polarización simple En la polarización simple (figura 1) el

valor de la tensión de polarización
depende de la tensión de alimentación
(VCC ) y del del transistor. Si la
tensión de alimentación es regulada,
entonces la tensión de polarización
varia con las variaciones de del
transistor.

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Divisor resistivo En la figura 2, la tensión de

polarización depende de VCC, la
tolerancia de R1 y R2 , y en menor
medida de β. Si VCC está regulada, y
las resistencias son de precisión,
entonces la tensión de polarización
puede variar con β.

Sin embargo, si se asume que I R2>>

IB entonces IR1 ≈ IR2 y por lo tanto
puede considerarse un divisor
resistivo.

Aunque la dependencia de se hace

despreciable, se introduce un
aumento en el consumo de potencia
producto del aumento en la corriente
a través de las resistencias de
polarización.

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Divisor resistivo con degeneración La degeneración de emisor, que

de emisor consiste en conectar un dispositivo en
el Emisor (figura 3), permite aumentar
la linealidad del circuito y disminuir el
efecto de la tolerancia de las
resistencias de polarización. En este
caso se pueden hacer las mismas
asunciones del divisor resistivo sin
degeneración.

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Autopolarización
En la autopolarización (figura 4), se
conecta la base del transistor (a
través de una resistencia RB), al
colector. Esta conexión permite
obtener una tensión de base y
garantizar que el transistor este en
región activa siempre que este
conduciendo.

Polarización de transistores pnp

Los métodos de polarización expuestos anteriormente funcionan de igual

manera para transistores pnp como se muestra en la figura 5.

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Polarización de transistores de efecto de campo de unión (JFETs)

Los transistores de efecto de campo pueden polarizarse usando algunas de las

técnicas usadas para los transistores de unión bipolar. A diferencia de los
BJTs, en los FETs el análisis de estas técnicas se facilita debido a que en baja
frecuencia la corriente de puerta es despreciable, lo que indica que solo circula
una corriente por el transistor (I D). Para el caso particular del JFET,
generalmente se usan las técnicas de divisor resistivo con degeneración de
emisor y la auto polarización debido a que su tensión de polarización solo
puede tomar valores entre 0 y Vp

Divisor resistivo con degeneración

de emisor

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polarización aumenta la linealidad y

disminuye la dependencia de la
tensión de polarización respecto a la
tolerancia de las resistencias de
polarización. Sin embargo, al ser nula
la corriente de puerta, las resistencias
R1 y R2 conforman un divisor de
tensión ya que la corriente que circula
por estas es la misma. Por lo tanto,
en el caso de los transistores FET
esta corriente debe elegirse de valor
muy bajo a comparación de ID para
disminuir el consumo de potencia.

Al igual que en los transistores de

unión bipolar, esta técnica de

Autopolarización en cuenta que la tensión de

polarización solo puede tener valores
entre 0 y Vp. Al no tener corriente de
puerta, la tensión de puerta de
transistor equivale a la tensión a la
cual se conecta la auto polarización, y
por lo tanto el valor de la resistencia
de puerta RG debe elegirse para
garantizar que ninguna señal fluya
por esta rama (RG debe tener un
valor alto, en el orden de decenas de
KΩ). La degeneración de surtidor es
necesaria si se desea obtener una
tensión puerta-surtidor diferente de
cero.

La autopolinización en los
transistores JFET se realiza teniendo

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Polarización de transistores PMOS

Los circuitos equivalentes para la polarización de transistores PMOS mediante

las tres técnicas explicadas anteriormente se presentan en la figura 11.

MOSFET de empobrecimiento o agotamiento

Los MOSFET de agotamiento se polarizan de forma análoga a los transistores

JFET. Las técnicas utilizadas tanto para transistores NMOS y PMOS se
presentan en la figura 12.

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Preguntas previas para el desarrollo de la práctica

 Leer detenidamente el marco teórico y entender las diferentes técnicas

de polarización aplicadas según el tipo de transistor.
 Diseñar las tablas que indiquen los requerimientos o condiciones para
las diferentes regiones de operación de los diferentes transistores.
 Estudiar las hojas de datos (datasheets) de los diferentes transistores a
ser usados en la práctica de laboratorio.

8. MATERIALES, REACTIVOS, INSTRUMENTOS, SOFTWARE, HARDWARE O

EQUIPOS:

 2 transistores 2N3904,
 2 transistores 2N7000,
 2 transistores 2N4220, K373, 2N5454, 2N5484 o k30, o algun JFET tipo n
similar.
 2 Resistencias de 1/2W de 51 Ω, 15 K Ω, 82 K Ω, 820 Ω , 220 Ω , 270 Ω ,
330 Ω , 1.2 K Ω, 180 Ω, otros valores. 3 condensadores de 100 uF.
 Multímetro (Amperímetro).
 Multímetro (Voltímetro).
 Fuentes de voltaje.
 Cables de conexión.
 Caimanes.
 Protoboard.

9. PRECAUCIONES CON LOS MATERIALES, REACTIVOS, INSTRUMENTOS

Y EQUIPOS UTILIZAR:

Los equipos deben ser entregados al laboratorista en el mismo estado en el

que fueron prestados al estudiante.
Tener cuidado con no exceder voltajes y corrientes.

10. CAMPO DE APLICACIÓN:

 Electrónica
 Sensórica

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 Electrónica de potencia

11. PROCEDIMIENTO, METODO O ACTIVIDADES:

Realizar el montaje descritos a continuación y seguir los procedimientos para

responder y reportar las preguntas propuestas. En cada circuito a montar,
adicionar un capacitor de 100 uF entre la fuente de alimentación y tierra.

1. Diseñar y verificar la polarización a) Para el transistor de la figura 13,

del transistor 2N3904.
calcular la corriente de saturación
reversa si IC=8.89 mA y V BE=0.713
V. Si β≈300, estimar las corrientes de
base y emisor.
b) Realizar el montaje de la figura 13
para medir las corrientes y tensiones
presentes en el circuito, y reportarlas
en una tabla.
Determinar en qué región de
operación se encuentra el transistor.
c) Medir los valores reales de las
resistencias empleadas y estimar el
error en la tensión VBE y la corriente
producto de la tolerancia de estas.
d) De acuerdo a los valores obtenidos
en el ítem anterior, diseñar otros dos
métodos para polarizar el transistor
2N3904, realizar los respectivos
montajes y verificar los resultados
reportando los valores de las
corrientes y tensiones presentes.

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2. Diseñar y verificar el punto de operación del transistor 2N7000.

valor medido de la corriente de
drenador, la tensión de puerta y la
tensión de drenador.
b) En que región de operación se
encuentra el transistor?
c) Usando auto polarización para
mantener los valores obtenidos en el
ítem a), calcular el valor de RD y RG.
Implementar el circuito y verificar los
valores obtenidos.
d) Diseñar la polarización del 2N7000
para el punto de operación medido en
a) usando divisor resistivo, montar el
circuito y verificar los valores
mediante mediciones.

a) Realizar el montaje del circuito de

la figura 14 y reportar en una tabla el

3. Revisar la hoja de datos del transistor de efecto de campo de unión (JFET) tipo
n, y estimar la tensión de polarización que debe aplicarse de tal forma que este se
encuentre en saturación, si la tensión de alimentación es de 8 V y la carga es un
resistor de 270 Ω
.
a) Realizar el montaje del circuito y reportar en una tabla la corriente de drenador,
la tensión de drenador y la tensión de puerta medidas.

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b) En base a la tensión de polarización obtenida, estimar el valor de la resistencia

de surtidor (RS) y la resistencia de puerta (RG) de tal forma que el circuito quede
auto polarizado. Realizar el montaje y verificar los valores obtenidos.
c) Polarizar el JFET usando divisor resistivo, realizar el montaje y verificar los
resultados.

4. Diseño: Diseñar un circuito Puente H que permite manejar una carga de

mínimo 2 amperios, el circuito debe contar con un sistema de control de velocidad
manual por PWM y entrada control de giro izquierda, derecha lógica TTL.

12. RESULTADOS ESPERADOS:

Cálculos, simulación y medición en laboratorio en los cuales el estudiante entiende

lo que hay detrás de los resultados y propone mejoras con base a lo analizado y a
los resultados obtenidos.

13. CRITERO DE EVALUACIÓN A LA PRESENTE PRÁCTICA

 Preparar el laboratorio con anterioridad, cálculos y demás puntos
solicitados.
 Simulaciones.
 Montaje.
 Análisis de los resultados.
 Informe.
14. BIBLIOGRAFIA:
1
BOYLESTAD Robert L y NASHELSKY L. Teoría de Circuitos y Dispositivos
Electrónicos.10 ed. Estado de México: Pearson Educación, 2009.p. 1-49.
2
DONALD Neamen, A. Dispositivos y circuitos electrónicos. 4 ed. New York:
McGraw-Hill,2010.p.9-54.
3
SEDRA Abel y Smith Kenneth. Circuitos Microelectronicos,4ed.Mexico:
Oxford University Press,1999.p.139-217.

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