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nivel de la corriente
ID
corriente
aplicando al circuito de la entrada de la Figura (1).
I.
1.
OBJETIVOS
2.
MOSFET Incremental.
MOSFET Decremental.
II. MARCO TERICO
1. FETS
Los FETS son transistores de efecto de campo (por las
siglas en ingles de Field Effect Transistor), es un dispositivo
de tres terminales y se asemeja mucho a un transistor BJT.
Una de las caractersticas ms importantes del FET es su
alta impedancia de entrada. Existen diferentes dispositivos
de FETS entre los ms comunes estn los JFET y MOSFET.
[1]
A. JFETS
Los transistores JFET son dispositivos controlados por
voltaje, la diferencia bsica con los transistores BJT es que
los BJT son dispositivos controlados por corriente.
En un BJT la corriente
Ic
ID=IDSS 1
VGS
(1)
VP
B. MOSFETS
Existen dos tipos de transistores MOSFET los de
enriquecimiento y los de empobrecimiento.
La construccin bsica del MOSFET de tipo
empobrecimiento de canal n aparece en la Figura (3).
Se forma de una placa de material tipo p a partir de una base
de silicio y se conoce como sustrato y es la base sobre la
cual se construye el dispositivo. En algunos casos, el
sustrato se conecta internamente a la terminal de fuente. La
fuente y el drenaje estn conectados mediante contactos
metlicos a regiones tipo n dopadas vinculadas a un canal n.
[1]
Tambin la compuerta est conectada a una superficie de
contacto metlica aunque esta permanece aislada del canal n
por una capa de bixido de silicio SiO2 muy delgada.
El SiO2 es un tipo de aislante conocido como dielctrico, el
cual establece campos elctricos opuestos. No hay una
conexin elctrica entre la terminal de compuerta y el canal
de un MOSFET. A este tipo de transistor est regido por la
ecuacin de Shockley 1. [2]
Materiales
Cantidad
JFET
2SK30A
Resistencias
0.35$
12
0.05$
2.00$
Total
k=
ID encendido
2
(2)
( VGS encendido V th )
ID=k ( VGSV th )2 (3)
TRANSISTORES JFET
A. Polarizacin con fuente al gate.
Para realizar la polarizacin con fuente al gate se us el
JFET 2SK30A, que tiene como datos de medicin
I DSS=3.22 [mA] y un V P =2.114 [v] para
conseguir un
V DS =
V DD
2
y una
I D =2.2[mA ]
3
Comparacin de valores medidos y calculados:
VCC 9V
R1
2.045k
+
-
2.201m
ID
V GS
V DS
Q1
+
-
-0.366m V
V DS =
V DD
2
V DS =
9V
=4.5[V ]
2
Medido
Simulado
2.2 [mA]
2.27 [mA]
2.2 [mA]
-0.36 [V]
-0.36 [V]
-0.36 [V]
4.5 [V]
4.31 [V]
4.5 [V]
2SK30ATM**
V1
0.366mV
+
-
4.500
Calculo
V DS =
conseguir un
V DD
2
I D =2.2[mA ]
y una
VCC 9V
R7
1.88k
+
I D =I DSS
V
1 GS
VP
2.200m
Q5
+
V
-0.329
V GS
2.2 mA=3.22 mA 1
2.114
VGS=0.366[V ]
R8
1M
9=2.2mA RD +4.5 V
RD=2.045[ K]
2SK30ATM***
V DD =V RD+ V RS
V DS =
V DD
2
V DS =
9V
=4.5[V ]
2
I D =I DSS
V
1 GS
VP
)
(
2.2 mA=3.22 mA 1
V GS
2.114
VGS=0.366[V ]
Encontramos Rs:
V GS=I DRS
0.366V =2.2mA RS
Figura 6 Recta de polarizacin
R6
165.13
4.500
RS=165.13 []
VCC
9V
R5
1.5k
V DD =VR D +V RS +V DS
R2
1M
+
-
2.249m
Q2
+
-
4.1367=2.2 mA R D
-0.393
R D=1.880 [K]
2SK30ATM****
4.502
R4
500
R3
88k
V DS =
V DD
2
V DS =
9V
=4.5[V ]
2
I D =I DSS
Figura 8. Recta de polarizacin
V
1 GS
VP
V GS
2.2 mA=3.22 mA 1
2.114
ID
V GS
V DS
Calculo
Medido
Simulado
2.2 [mA]
2.29 [mA]
2.2 [mA]
-0.36 [V]
-0.349 [V]
-0.32 [V]
4.5 [V]
4.26 [V]
4.5 [V]
V DS =
V DD
2
y una
I D =2.2[mA ]
VGS=0.366[V ]
Para determinar la resistencia en el sorce nos imponemos
que la resistencia tenga una caida de tension de 1.5[V]
V S =I D R S
1.1V =2.2 mA RS
RS =500[]
Procedemos a encontrar VG.
V G=V th =I D R S +V GS
V G=V th =2.2mA 5000.366
V G=V th =0.734[ V ]
Aplicando divisor de tension y nos imponemos una
resistencia de R2= 1 M
VG=
VDD R 2
R 1+ R2
0.734=
9 R2
1 M+ R 2
R 2=88.79[ K]
Realizando mallas despejamos la RD.
V DD =VR D +V RS +V DS
9=2.2mA R D +4.5 V +2.2 mA Rs
92.2mA R D4.5V 2.2 mA 500=0
5.6=2.2mA R D
R D=1.54 [K]
En la figura 10 se muestra la recta de carga de la
polarizacin con divisor de tensin.
Figura 11. Polarizacin con doble fuente
V DS =
V DD
2
V DS =
9V
=4.5[V ]
2
I D =I DSS 1
ID
V GS
V DS
Calculo
Medido
Simulado
2.2 [mA]
2.29 [mA]
2.2 [mA]
-0.36 [V]
-0.349 [V]
-0.32 [V]
4.5 [V]
4.26 [V]
4.6 [V]
V DS =
V DD
2
y una
I D =2.2[mA ]
V GS
VP
)
(
2.2 mA=3.22 mA 1
V GS
2.114
VGS=0.366[V ]
Encontramos Rs:
0.366V =42.2 mA RS
RS=1.98 [K]
Teniendo todos los parmetros procedemos a calcular RD
V DD =VR D +V RS +V DS4
92.2mA R D2.2 mA 1.98 K6.5+ 4=0
2.2 mA R D 2.2 mA 1.98 K6.5+ 4=0
R D=974.54
En la figura 12 se muestra la recta de carga de la
polarizacin con doble fuente simtrica.
V P =2.5
ID
V GS
V DS
Datos:
Calculo
Medido
Simulado
I DSS=12[mA ]
2.2 [mA]
2.3 [mA]
2.18 [mA]
-0.36 [V]
-0.33 [V]
-0.372 [V]
I D =6[mA ]
6.5 [V]
4.54[V]
2.18[V]
TRANSISTORES MOSFET
I D =I DSS
I DSS=12 [mA ]
V
1 GS
VP
6 mA =12mA 1
V GS
2.5
VGS=0.73223[V ]
Para que funcione a la mitad de la recta de carga
V DS =
V DS =
V DD
2
12 V
=6 [V ]
2
V S =I D R S
1.2V =6 mA R S
RS =200[ ]
Calculo de la resistencia en el DRAIN
V DS =V DDI DR DV RS
V GS -0.73223 [V]
6 [V]
V DS
6=120.006R D1.2
R D=800 []
-0.7322 [V]
8.879[V]
R D=820 []
En la Figura 14 se muestra la recta de entrada del transistor.
I D ENC =5 [mA ]
Datos:
V TH =3 [V ]
VGS enc =6[V ]
I Denc =5[mA ]
k=
k=
ID enc
Calculo
ID
6 [mA]
Simulado
6.001 [mA]
k =0.00055
A
2
V
V DD =V RD+ V GS
V GS=V DS
8
Cada transistor tiene datos diferentes de voltaje Vp y
corriente IDSS por lo que primeramente antes de proceder a
calcular se debe medir estos valores.
V GS=6 [V ]
12=5 mA R D + 6
VI. CONCLUSIONES
RD=1.2 k
En la figura 17 se muestra la recta de carga de la
polarizacin del MOSFET incremental con configuracin de
retroalimentacin.
Calculo
ID
V GS
V DS
Simulado
5 [mA]
4.98 [mA]
6 [V]
60.21 [V]
6 [V]
60.21 [V]
V. ANLISIS DE RESULTADOS
Mediante los datos obtenidos en la prctica, las
simulaciones y los clculos previos se puede decir que:
Tanto los transistores JFET como los MOSFET tienen una
gran impedancia de entrada por su constitucin interna y por
ende su corriente de compuerta es cero.
Los valores tanto medidos, calculados y simulados no
difieren de ms del 3.1% de error, esto se debe a las
resistencias que no son del valor exacto teniendo un margen
de error de hasta el 5 % y los instrumentos de medicin
tambin no son del todo precisos por lo que lo que difieren
en el resultado.
Un transistor JFET se puede quemar por un exceso de
voltaje VGS o por obtener del transistor un mayor voltaje
VDS, ya que estos parmetros vienen indicados en un
datasheet.
9
Si se llega al Voltaje de estrangulamiento el transistor
funciona como un interruptor abierto, pues el
estrangulamiento produce que no circulen los electrones por
el canal, y cuando este voltaje es cero funciona como un
interruptor cerrado.
Se verifico tambin en que los MOSFET tipo
empobrecimientos comportan de forma similar a los
transistores JFET pues la curva caracterstica de la entrada
son iguales, con una nica diferencia, que en JFET tiene
como lmite mximo que la corriere I D no debe superar a al
corriente IDSS, mientras que en el MOSFET de
empobrecimiento se puede superar esa corriente I DSS hasta un
cierto valor que indica en el datasheet.
Tambin se comprob que los MOSFET de tipo
enriquecimiento son diferentes a los MOSFET de
VII. REFERENCIAS
[1]
[2]