> Laboratorio Nº 1: Analisis de los Transistores < 1

como se muestra en la figura I, donde también se

Informe Nº1
Analisis de los Transistores
Leon Pineda Daniel
20152141676
Pulido Cortes German Andres
20152140465
 muestra su distribución de pines. Puede amplificar
pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y
Resumen— En el presente documento se busca trabajar a frecuencias medianamente altas.
explicar y demostrar, los parámetros de operación
para el transistor (diferentes polarizaciones,
variación de voltaje, fabricación y corriente de
operación).
Mediante la construcción de ciertos circuitos,
observamos el comportamiento de los transistores
cuando: se someten a temperaturas bajas y altas, se
varía el voltaje de alimentación, hay variación de la
resistencia de carga y variación de la resistencia de
la fuente.

Palabras claves— Resistencias, circuito, transistor

BJT, transistor MOSFET, análisis, temperatura y
polarizacion.
Principales características

 Voltaje colector emisor en corte 40 V (Vceo)

I. INTRODUCCION.  Corriente de colector constante 200m A (Ic)
En este informe se discutirá, los parámetros de  Potencia total disipada 625mW (Pd)
fabricación para algunos transistores. Se analizará el  Ganancia o hfe entre 30 -300 (hfe)
comportamiento de ellos, ya sea en su variación de  Frecuencia de trabajo 300 Mhz (Ft)
temperatura, su variación de voltaje o polarización  Encapsulado TO-92
de cada uno de ellos, con respecto a los datos del  Estructura NPN
fabricante.  Su complementario PNP es el Transistor
2N3906

II. DESARROLLO TEÓRICO

Transistor 2N3906

Transistor 2N3904 Es un transistor de unión bipolar de mediana potencia,

destinado para propósito general en amplificación y
Es un transistor de unión bipolar de mediana potencia, conmutación, construido con semiconductor silicio en
destinado para propósito general en amplificación y diferentes formatos como TO-92, como se muestra en la
figura I, donde también se muestra su distribución de
pines. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones
conmutación, construido con semiconductor silicio en pequeñas o medias y trabajar a frecuencias
diferentes formatos como TO-92, SOT-23 y SOT-223 medianamente altas.

> Laboratorio Nº 1: Analisis de los Transistores < 2

Principales características

Principales características  Tensión drenaje fuente (VDSS): 60 V

 Tensión drenaje puerta (DDGR): 60 V
 Voltaje colector emisor en corte 40 V (Vceo)  Tensión puerta fuente continuo (VGSS): ±20 V
 Corriente de colector constante 200m A (Ic)  Corriente de drenaje máxima continua (ID): 200
 Potencia total disipada 625mW (Pd) mA y 500 mA pulsada.
 Ganancia o hfe entre 30 -300 (hfe)  Máxima potencia de disipación (PD): 400 mW
 Frecuencia de trabajo 300 Mhz (Ft)  Rango de temperatura de operación (TSTG): -55
 Encapsulado TO-92 a 150 ºC
 Estructura NPN  Máxima temperatura de soldadura en 10
segundos (TL): 300 ºC
 Su complementario NPN es el Transistor
2N3904

Transistor 2N7000 Termómetro de Infrarrojos

Los termómetros de infrarrojos miden la temperatura
2N7000 es un transistor de efecto de campo, canal N, utilizando la radiación emitida por los objetos.
desarrollado por la Firma de Componentes
Electrónicos Fairchil Semiconductor en el año 1995,
utilizando para su diseño la tecnología de alta densidad
celular DMOS (metal-óxido semiconductor de doble
difusión), patentada por dicha firma. Este producto ha
sido diseñado para minimizar su resistencia de estado,
mientras que proporciona un rendimiento
de conmutación robusto, rápido y fiable. Se puede
utilizar en la mayoría de las aplicaciones que requieran
hasta 400 mA de corriente directa, capaz de
entregar corrientes de pulsos de hasta 2 A. Se suministra
en un encapsulado de tipo TO-92.  
También se les suele denominar termómetros láser si
éste se utiliza para ayudar en la medición marcando con
el láser el punto exacto donde se va a tomar la
temperatura. También se les denomina termómetros sin
contacto haciendo referencia a la capacidad del
dispositivo para medir la temperatura a distancia y sin
necesidad de tocar el objeto físicamente. Al conocer la
cantidad de energía infrarroja emitida por el objeto y su
emisividad, la temperatura del objeto puede ser
determinada.
> Laboratorio Nº 1: Analisis de los Transistores < 3

Normalmente el aparato consta de una lente que permite Transistor Nº2 94.5 3.14
captar la emisividad infrarroja del objeto. La lente capta Transistor Nº3 93.4 3.13
la cantidad de energía infrarroja que emite el objeto y la Transistor Nº4 94.6 3.13
pasa a un complejo sistema que traduce la energía
Transistor Nº5 94.7 3.13
captada en señal eléctrica, la cual se traduce
numéricamente en temperatura en la pantalla del Tabla . Variacion de los parámetros del 2N3904
termómetro. Si el termómetro es de una mínima calidad, ante diferentes dispositivos.
el aparato compensa con la temperatura ambiente la
cantidad de energía infrarroja captada para evitar errores
en las mediciones. Variacion de los parámetros del
2N3904
30.5
III. DESARROLLO PRÁCTICO 30.4
30.3
1. Forma de Polarización: 30.2 βeta
Comportamiento de los parametros de los 30.1

Beta
dispositivos 2N3906, 2N3904 y 2N7000 ante 30
variaciones de: 29.9
29.8
a) Fabricacion: Variaciones de Ic, Ib, Vgs (para el 1 2 3 4
tor istor istor istor istor
5
sis s s s s
Mosfet) ante distintos dispositivos de la misma Tra
n
Tra
n
Tra
n
Tr a
n
Tr a
n
referencia.

BJT Polarizacion BJT 2N3906:

Se realizara el montaje del circuito, para cada uno

de los transistores.

Polarización BJT 2N3904:

RC
680 VCC

RB Q1
2N3904 9V
220

RL 9V
VBB 3.30
RE Figura . Polarizacion Utilizada para BJT 2N3906
470

Dispositivos Ic (mA) Ib (mA)

Transistor Nº 106.4 3.15
Figura. Polarizacion Utilizada para BJT 2N3904. 1
Transistor Nº2 105.7 3.14
Dispositivos Ic (mA) Ib (mA) Transistor Nº3 106.8 3.13
Transistor Nº 95.9 3.15 Transistor Nº4 106.5 3.13
1 Transistor Nº5 107.1 3.13
 > Laboratorio Nº 1: Analisis de los Transistores < 4

Tabla. Variacion de los parámetros del 2N3906 Transistor Nº4 2.12 4.72
ante diferentes dispositivos. Transistor Nº5 2.12 4.83
Tabla. Variacion de los parámetros del 2N7000
ante diferentes dispositivos.

Variacion de los parámetros del

2N3906 Variacion de los parámetros del
34.2 2N7000
34

Parametro de conductancia (K(x10^(-6))

139.000
33.8
33.6 137.000
33.4 135.000
k(x10^(-6))
Beta

33.2 133.000
33 131.000
32.8
1 129.000
Nº Nº2 Nº3 Nº4 Nº5
stor istor istor istor istor 127.000
nsi ns ns ns ns
Tr a Tra Tra Tra Tra 1 º2 º3 º4 º5
r Nº r N r N r N r N
to sto sto sto sto
nsis nsi nsi nsi nsi
a Tra Tra Tra Tra
MOSFET Tr

Se realizara el montaje del circuito, para cada uno

de los transistores. b) Corriente de Operación: Variaciones de Ic, Ib,
Rs y Vgs (Para Mosfet) ante distintas
Polarizacion MOSFET 2N7000: corrientes de operación.

RD BJT
2K
VCC
Se realizara el montaje del circuito, para cada uno
9V
3 de los transistores.
Q2
RG 2
2N7000 Polarización BJT 2N3904:
10K
1
RC
680 VCC

RB Q1
2N3904
220

Figura. Polarización MOSFET 2N7000. RL

VBB 3.30
RE
Dispositivos Ic (mA) Vgs (V) 470

Transistor Nº 2.17 4.9

1
Transistor Nº2 2.15 4.87
Transistor Nº3 2.13 4.88
> Laboratorio Nº 1: Analisis de los Transistores < 5

Figura. Polarizacion Utilizada para BJT 2N3904 10 11 85.2

50 52.8 840
Corriente de Tabla. Variacion de los parámetros del 2N3906
Operación Ic (mA) Ib (µA) ante distintas corrientes de operación.
(mA)
1 1.04 12.6
10 10.76 95.3 βeta
50 48.6 805
150
Tabla. Variacion de los parámetros del 2N3904
ante distintas corrientes de operación. 100

Beta
50

Variacion de corriente de 0
1.09 11 52.8
operacion del 2N3904 Ic(mA)
120
110
100 Polarizacion MOSFET 2N7000:
90
Se realizara el montaje del circuito, para cada uno
Beta

80
70 de los transistores.
60
50
0 10 20 30 40 50
Ic (mA)
RD
2K
VCC

3
Polarizacion BJT 2N3906:
Q2
RG 2
2N7000

10K
1

Figura. Polarización MOSFET 2N7000.

MOSFET (Rg=10K)
Corriente de
Operación Rs () Vgs(V)
Figura. Polarizacion Utilizada para BJT 2N3906 (A)
2.17m 2K 4.9
Corriente de 1.42m 3K 4.80
Operación Ic (mA) Ib (µA) 837µ 5.2K 4.93
(mA) 4.4m 1.5M 4.93
1 1.09 10.2 Tabla. Variacion de los parámetros del 2N7000
> Laboratorio Nº 1: Analisis de los Transistores < 6

ante distintas corrientes de operación. 40.2 105.0

49.8 104.9
26 106.6
Variaciones de los parametros del Tabla. Variacion de los parámetros del 2N3906
2N7000 ante cambios en la temperatura.
Parametro de conductancia (K)

220

160
Variacion de Temperatura del
2N3906
100
60

Temperatura (°C)
40 50
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
40
Id(mA)
30
20
104.5 105 105.5 106 106.5 107
c) Temperatura de Operación: Variaciones de Ic Ic (mA)
antes cambios en la temperatura.

Procedemos a realizar una prueba con los Polarizacion BJT 2N3906:

transistores a diferentes temperaturas, para observar
la variación de la corriente en diferentes
circustancias.

BJT
Se realizara el montaje del circuito, para cada uno
de los transistores.

Polarización BJT 2N3904:

RC
680 VCC

RB Q1
2N3904 Figura.9VPolarizacion Utilizada para BJT 2N3906
220

RL Temperatura
VBB
9V
Ic (mA)
RE
3.30 (ºC)
470 32.4 94.3
56.4 92.1
46.4 94.1
24.6 91.8
Tabla Nº8. Variacion de los parámetros del
Figura. Polarizacion Utilizada para BJT 2N3904.
2N3904 ante cambios en la temperatura.
Temperatura
Ic (mA)
(ºC)
32.8 105.7
> Laboratorio Nº 1: Analisis de los Transistores < 7

analice como comporta el punto de operación

Variacion de Temperatura del ante:
2N3904 a) Variaciones del voltaje de alimentación.

56 Transistor BJT
Temperatura (°C)

Se realizara el montaje del circuito, para cada uno

44
de los transistores.
32

20
91.5 92 92.5 93 93.5 94 94.5
RC
Ic (mA) 680 VCC

MOSFET RB Q1
Se realizara el montaje del circuito, para cada uno 2N3904
220
de los transistores.
RL
VBB 3.30
RE
Temperatura 470
Id (mA)
(ºC)
29.4 2.17
36 2.29
35.2 2.25 Figura. Polarizacion Utilizada para BJT 2N3904
25 2.17
22.8 2.16
Tabla. Variacion de los parámetros del 2N7000
BJT1
ante cambios en la temperatura.
vcc ic ib ß
25 2,80E-02 2,90E-05 966
22,1 2,52E-02 2,95E-05 854
Variacion de Temperatura del 20,2 2,32E-02 3,70E-05 627
2N7000 15,7 1,75E-02 2,24E-03 8
40 Tabla. Transistor BJT 1
Temperatura (°C)

36
32
28
24
20
2.14 2.16 2.18 2.2 2.22 2.24 2.26 2.28 2.3
Id (mA)

2. Polarizacion Mosfet 2N7000

2. Para dos polarizaciones diferentes , para el bjt y Figura. Polarizacion Utilizada para BJT 2N3904
el mostfet, determine experimentalmente, y
BJT2
 > Laboratorio Nº 1: Analisis de los Transistores < 8

vcc ic ib ß Tabla. Transistor MOSFET 1.

25 7,73E-02 1,92E-03 40
22,1 6,83E-02 1,65E-03 41
20,2 6,23E-02 1,47E-03 42
15,7 4,83E-02 1,04E-03 46
Tabla. Transistor BJT 2

9.00E-02
8.00E-02
7.00E-02
6.00E-02
5.00E-02
ICQ

4.00E-02
3.00E-02 Bjt 1
2.00E-02 bjt 2
Figura. Polarización MOSFET 2N7000.
1.00E-02
0.00E+00
14 16 18 20 22 24 26 MOSFET 2
Voltaje
vf vn vgs Ird il id k
1, 1,5 2,03E- 2,90E- 2,32E- 0,0041912
Grafica BJT1 y BJT2.
5 5 4 03 04 03 4
2, 3,98E- 2,23E- 4,00E- 0,0013848
8 5 2,5 03 05 03 8
Transistor MOSFET 1 3, 3,1 5,00E- 1,32E- 5,01E- 0,0008850
Se realizara el montaje del circuito, para cada uno 0 2 8 03 05 03 3
de los transistores. Tabla. Transistor MOSFET 2.

6.00E-03
5.00E-03
4.00E-03
3.00E-03
ID

2.00E-03 m1
m2
1.00E-03
0.00E+00
4 5 6 7 8 9 10 11
voltaje

Figura. Polarización MOSFET 2N7000. Grafica MOSFET 1 y MOSFET 2.

MOSFET 1 b) Variaciones de la resistencia de carga

vf vn vgs ird il id k Transistor BJT

1, 1,0 5,10E- 1,93E- 1,98E- 0,0358714 Se realizara el montaje del circuito, para cada uno
5 6 4 05 03 03 4 de los transistores.
2, 1,6 8,86E- 3,30E- 3,39E- 0,0051647
8 5 1 05 03 03 6
1 0, 7,92E- 4,33E- 5,12E- 0,0001332
0 9 7 04 03 03 5
> Laboratorio Nº 1: Analisis de los Transistores < 9

Grafica BJT1 y BJT2.

Transistor MOSFET
Se realizara el montaje del circuito, para cada uno
de los transistores.

Figura. Polarizacion Utilizada para BJT 2N3904

BJT 1
ib ic b rl
3,90E-03 3,62E-02 9,282 100000
3,90E-03 3,62E-02 9,282 50000
3,90E-03 3,62E-02 9,282 10000
Tabla. Transistor BJT 1
Figura. Polarización MOSFET 2N7000.

MOSFEt 1

v
f vn vgs ird il rl id k
1, 1,0 5,10E 1,53E 1,58E 0,028628
5 6 4 -05 -03 270 -03 34
1, 0,9 5,98E 1,86E 1,92E 0,085324
Figura. Polarizacion Utilizada para BJT 2N3904 5 6 5 -05 -03 330 -03 44
1, 1,5 1,33E 1,36E 1,00E+0 1,49E 0,002662
5 6 5 -04 -03 3 -03 03
BJT 2 Tabla. Transistor MOSFET 1.
ib ic b rl
4,40E-04 2,47E-02 56,136 100000
4,40E-04 2,47E-02 56,136 50000
4,70E-04 2,48E-02 52,766 10000
Tabla. Transistor BJT 2

4.00E-02
3.50E-02
3.00E-02
2.50E-02
2.00E-02
ICQ

1.50E-02 bjt pol 1

1.00E-02 bjt 2
5.00E-03
0.00E+00 Figura. Polarización MOSFET 2N7000.
0 0 0 0
0 00 0 00 0 00
5 Beta 10 15 MOSFET 2
v vn vgs ird il rl id k
> Laboratorio Nº 1: Analisis de los Transistores < 10

f BJT
1, 1,5 1,16E 1,18E 2,34E 0,004273 ib ic rf b
5 5 4 -03 -03 220 -03 19 2,69E-05 3,05E-02 0,46 1,13E+03
1, 1,5 2,03E 2,90E 1,00E+ 2,32E 0,004236 2,55E-05 9,39E-03 8,81 3,68E+02
5 5 4 -03 -04 03 -03 67
2,52E-05 9,38E-03 10,71 3,72E+02
1, 1,5 2,18E 1,34E 2,20E+ 2,31E 0,004226
Tabla. Transistor BJT
5 5 4 -03 -04 03 -03 26
Tabla. Transistor MOSFET 2.

2.50E-03 resistencia fuente

4.00E-02
2.00E-03 3.00E-02
2.00E-02 resistencia fuente

ICQ
1.00E-02
1.50E-03
0.00E+00
0 4 8 12
ID

1.00E-03
resistencia fuente

5.00E-04 Grafica BJT1

0.00E+00 Transistor MOSFET

0 500 1000 1500 2000 Se
2500 realizara el montaje del circuito, para cada uno
Resistencia
de los transistores.
Grafica MOSFET 1 y MOSFET 2.

c) Variaciones de la resistencia de la fuente de

alimentación

Transistor BJT
Se realizara el montaje del circuito, para cada uno
de los transistores.

RC
680 VCC

RB Q1
2N3904 9V
220

RL 9V
VBB 3.30
RE
470

Figura. Polarización MOSFET 2N7000.

MOSFET
vgs id rf k
Figura. Polarizacion Utilizada para BJT 2N3904
2,78 1,83E-02 1,97 0,00466789
2,776 1,83E-02 1,38 0,00468681
> Laboratorio Nº 1: Analisis de los Transistores < 11

2,79 1,84E-02 1,36 0,00464887 Tabla. Transistor BJT

Tabla. Transistor MOSFET

1.84E-02 varaicion de T
1.84E-02
1.84E-02 107
1.84E-02
1.83E-02 106
1.83E-02 varaicion de T

ICQ
ID

1.83E-02 105
R. Fuente Mosfet
1.83E-02
1.83E-02 104
1.82E-02 20 25 30 35 40 45 50 55
2 6 2 temperatura
1. 1.
Resistencia Fuente
Grafica BJT1
Grafica MOSFET
Transistor MOSFET
d) Variaciones de la temperatura

Procedemos a realizar una prueba con los

transistores a diferentes temperaturas, para observar
la variación de la corriente en diferentes
circustancias.

Transistor BJT

Figura. Polarización MOSFET 2N7000.

MOSFET
Temperatur
Id (mA)
Figura. Polarizacion Utilizada para BJT 2N3906 a (ºC)
36 2,29
35,2 2,25
BJT 29,4 2,17
t ic ib 25 2,17
26 106,6 3,13 22,8 2,16
32,8 105,7 3,14 Tabla. Transistor MOSFET
40,2 105 3,14
49,8 104,9 3,14
> Laboratorio Nº 1: Analisis de los Transistores < 12

2.35 MOSFET, que a mayor temperatura su

2.3 corriente tiende a hacerse mas grande.
2.25  Al realizar la primera parte de la práctica,
pudimos observar que al trabajar con
2.2
varios transistores, podemos observar
ID

2.15 ID/T° algunas diferencias del uno al otro, ya sea

2.1 su corriente su voltaje o incluso su
2.05 ganancia. El comportamiento de estos
22 24 26 28 30 32 34 36 38 transistores no solo se ve afectado por su
temperatura margen de error, sino que también por
algunos factores externos e internos.
Grafica MOSFET  Uno de las principales causas del margen
de error son nuestros instrumentos de
medida, ya que estos estos entran a ser
IV. ANALISIS DE RESULTADOS parte del circuito.
 El desarrollo de esta práctica fue algo
complicada, ya que teníamos que realizar

un buen diseño para la construcción del
circuito, para evitar que se nos satura o
V. CONCLUSION
entrara a zona de corte, para esto
utilizamos el apoyo de unos libros y para
De esta práctica concluimos: asesorar que nuestro diseño funcionara,
decidimos utilizar la ayuda de herramientas
 Al realizar la prueba con los diferentes de computación como multisim.
transistores, se analiza que de un transistor  Es importante tener el apoyo de sistemas
al otro nos es mucha la diferencia, esto de cómputo para verificar, que los
quiere decir que el margen de error del uno procedimientos que se están realizando se
al otro es pequeño. cumplan.
 Uno de los problemas grandes de analizar  Podemos observar de la gráfica del BJT,
un transistor, es su grande variación del que a menor sea la temperatura la ganancia
beta (𝝱), ya que el beta esta aferrado a su va a ser mayor.
paralización, su fuente de alimentación y 
su temperatura.
 Mediante la utilizacion de programas REFERENCIAS
podemos hallar los términos que nos piden [1] Laboratorio de Analisis de los transistores.
en la practica, un método que no facilita un ONLINEDisponible en:
poco el desarrollo de lapractica. https://classroom.google.com/u/0/c/NjQ5MzIw
 Podemos observar que al variar la MTA1Nlpa
resistencia de la fuente de alimentación, [2] EcuRed Transistores. ONLINEDisponible en:
https://www.ecured.cu/Transistor_2N3904
solo se nos verá afectada la corriente del [3]
transistor, ya que al cambiar su resistencia
interna nos cambia la corriente, pero su
voltaje sigue siendo el mismo. Esto quiere
decir que su punto de operación estará
cambiando con respecto a la resistencia
interna de la fuente de alimentación.
 Podemos observar que a mayores
temperaturas, su corriente de operación
tiende a disminuir, esto para los
transistores BJT. Caso contrario para el