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MESFET, MODFET, IMPATT y TNEL

TRANSISTOR MESFET

QU ES UN MESFET?
-Su nombre traducido es Transistor de Efecto de Campo Metal-Semiconductor
-Similar a un JFET pero en vez de una juntura PN en la compuerta (G), se usa una unin
tipo Schottky.
-Para construirlo se usa semiconductores compuestos y de poca calidad de Pasivacin de
Superficies: GaAs, InP, otros.
-Ms rpido y ms caro que los JFET y MOSFET (hechos de Si), pero su densidad de
integracin es baja.
-Diseado para operaciones de arriba de los 30 GHz (frecuencias de Microondas,
Comunicaciones y Radar).

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TRANSISTOR MESFET
ARQUITECTURA FUNCIONAL DE UN MESFET:

La zona de drenador y fuente estn formadas por dos islas tipo n fuertemente dopadas
(n+), el canal tipo n se forma en el proceso de fabricacin, con implantacin de iones en un
sustrato de GaAs intrnseco.
La puerta de aleacin metlica y el canal forman una unin rectificadora Schottky. El
MOSFET tiene entre terminal de puerta y canal una aislante de SiO2.

APLICACIONES: Las reas de mayor aplicacin son: Comunicaciones militares,


Dispositivos de radar militares, Opto electrnica Comercial y Comunicaciones de Satlite.

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TRANSISTOR MESFET
FUN CI ON AM I EN TO:

Transistor MESFET, (a) Smbolo, (b) seccin transversal de la


estructura de un MESFET de GaAs moderno

Supongamos las siguientes situaciones:


- Cuando VGS VT : si la tensin entre puerta y fuente es negativa la unin rectificadora
(metal-canal) est polarizada en inverso y la anchura de vaciamiento puede expandirse
por todo el canal. No habr corriente de drenador, con independencia del valor de VDS
(VDS es positiva). El valor de la tensin VGS umbral para la que la zona de vaciamiento se
expanda por todo el canal, se representa por VT (es negativa).

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TRANSISTOR MESFET
FUN CI ON AM I EN TO:

Transistor MESFET, (a) Smbolo, (b) seccin transversal de la


estructura de un MESFET de GaAs moderno

-Cuando 0 VGS >VT : para valores de VGS superiores a VT pero inferiores a cero (VGS
podr tener un valor algo positivo, mientras la unin rectificadora no quede polarizada en
directo) la zona de vaciamiento no llega a expandirse por todo el canal y por tanto si VDS >0
existir corriente por el canal.

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TRANSISTOR MESFET
PRESTACIONES DEL MESFET: Esta grfica nos muestra las zonas de mejor
aprovechamiento para el trabajo de un MESFET en una determinada aplicacin.

IDS

VGS=0

Alta ganancia
0.9 IDSS
Mnima distorsin
0.5 IDSS

VGS
Potencia

0.15 IDSS

VDS
Potencia, alto rendimiento
Bajo ruido

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TRANSISTOR MODFET

QU ES UN MODFET?
-El Transistor MODFET (Modulated-Doping Field Effect Transistor, tambin, ModulationDoped Field Effect Transistor) cuyo nombre traducido es Transistor de Efecto de Campo
de Dopaje Modulado
-Se le fabrica con un incremento epitaxial de un estrato tirante de SiGe, y el Germanio es
linealmente incrementado entre el 40 al 50 %, esto permite la formacin de una estructura
de pozo cuntico con alta expansin de banda de conduccin y alta densidad y movilidad de
portadores de carga.
-Es un dispositivo con ultra alta velocidad y bajo ruido.
-Se usan tambin estructuras de InGaAs/AlGaAs, AlGaN/InGaN. Mejor conocidos como
HEMTs (High Electron Mobility Transistors).

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TRANSISTOR MODFET
COMPOSICIN Y FUNCIONAMIENTO:
Constan de un material de
espacio de banda estrecha y otra
ancha, alineados y adyacentes la
una a la otra. Esta estruccin es
conocida como estructura de
Heterojuntura o estructura de
unin heterognea
(Heteroestructura por sus dos
materiales distintos)
La presencia de dos materiales
distintos dispuestos lado a lado
provoca la distorsin de las
bandas de Conduccin y de
Valencia.

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TRANSISTOR MODFET
COMPOSICIN Y FUNCIONAMIENTO:
Los electrones forman una ancha banda de material tipo n que comienza a difundirse
hacia la banda de Conduccin del material de banda estrecha por la presencia de estados
all dentro. Esta difusin contina hasta que las cargas quedan balanceadas y tenemos un
dispositivo de unin PN.
Hay una Discontinuidad de banda en ambas bandas de Conduccin y Valencia, que acta
como barrera para todo portador que se mueva a travs de la unin o juntura (Esta
Discontinuidad puede ser modificada por separado).
Como se requieren electrones como portadores principales, se puede aplicar un dopado
graduado en uno de los materiales haciendo pequea la discontinuidad de la banda de
conduccin y manteniendo igual la discontinuidad de la banda de valencia.
Esta difusin de portadores conduce a la acumulacin de electrones a lo largo del lmite de
las dos regiones dentro del material de espacio de banda estrecha.
Los electrones acumulados son tambin conocidos como 2 DEG (two dimension electron
gas) o gas de electrones de doble dimensin.

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TRANSISTOR MODFET
CARACTERSTICAS Y APLICACIONES DEL MODFET:
-Alta ganancia.
-Altas velocidades de conmutacin, debido a que los portadores de carga en estos
dispositivos son Mayoritarios.
-Valores de ruido extremadamente bajos.
-Anteriormente, stos fueron hechos usando GaAs como material base. Sin embargo,
HEMTs basados en InP y GaN llegaron a ser los ms populares en la actualidad, siendo
superiores en potencia y ruido.
-Se usan en receptores de Satlite, amplificadores de baja potencia y con un amplio rango
de aplicaciones militares.

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DIODO IMPATT

QU ES UN DIODO IMPATT?
-Viene de las siglas de "IMPact ionization Avalanche Transit Time. Este trabaja con el
fenmeno de multiplicacin por avalancha.
-Debe ser polarizado negativamente con un tensin de corriente continua cercana al valor
de ruptura y despus se le inyecta superpuesta una seal de radio frecuencia.
-Llamado diodo de Read. Posee uniones PN y en el se aprovechan fenmenos de
migracin (tiempo de trnsito de las avalanchas en la zona de ruptura) para la obtencin de
microondas (opera en frecuencias entre 3 y 100 GHz a ms). Es de alta potencia y son
tpicamente hechos con carburo de Silicio debido a sus campos de elevado voltaje de
ruptura.

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DIODO IMPATT
PRINCIPIO DE OPERACIN
DEL DIODO IMPATT:
Una polarizacin DC Vb es requerida para
causar la ruptura en el diodo. Luego,
aplicamos un voltaje AC lo suficientemente
grande para superponerlo sobre DC. Durante
el ciclo positivo de AC, el diodo llega hasta la
ruptura por avalancha. Al aumentar el tiempo
t se sobrepasa el voltaje de ruptura y pares
electrn-hueco secundarios son producidos
por Ionizacin de Impacto.
La concentracin de electrones-hueco crece
exponencialmente con t, la misma que luego
decae cuando en el ciclo negativo del voltaje
AC. Luego el campo en la regin de
avalancha alcanza su mximo valor y los
pares electrn-hueco comienzan a aumentar.

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DIODO IMPATT
PRINCIPIO DE OPERACIN
DEL DIODO IMPATT:
La concentracin de electrones en la regin de
avalancha alcanza su mximo valor cuando el
campo ha cae a su valor promedio. (Ia = corriente
de avalancha)
Pero los portadores de carga creados en el
semiciclo anterior deben atravesar la regin de
arrastre, lo que induce en el circuito una Corriente
Externa con un desfase superior a 90 con la
seal de RF. El diodo tiene ahora una resistencia
negativa, se comportar como un dispositivo
activo de tensin constante.
El diodo es montado con su regin de elevado
campo cerca al disipador trmico de cobre para
que el calor generado en la juntura pueda ser
conducido afuera fcilmente.

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DIODO TNEL
DIODO TNEL Y SU FUNCIONAMIENTO:
-Es un diodo semiconductor con unin PN (N y P estn ms dopados) en la cual se produce
el efecto Tnel.
-Tambin se les llama Diodos ESAKI, por el descubridor de que una gran contaminacin
con impurezas poda causar un efecto de tunelizacin de los portadores de carga a lo
largo de la zona de agotamiento en la unin (Conductancia Diferencial Negativa )
-La corriente aumenta por la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo: Corriente de
Cresta.
-A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin, la corriente comienza a disminuir
hasta alcanzar un mnimo, llamado Corriente de Valle desde el cual de nuevo aumenta.
-Es de Germanio con gran concentracin de impurezas.
-Entre el Tramo de Corriente de Valle y Corriente de Cresta se produce una Resistencia
Negativa, las prdidas producidas en un circuito resonante debido a la inevitable resistencia
presente en l.
-En tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador. Se presenta un efecto
amplificador, con el que podemos utilizarlos en circuitos osciladores activos hasta la gama
de UHF as como tambin en conmutadores de velocidad.