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PRESENTADO POR:
ANDRES RENEMBERG RODRIGUEZ
CÓD: 3134118
GRUPO 203039_26
MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un
transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Este
dispositivo posee cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenador (D,
Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk).
Los mosfet de potencia son dispositivos controlados por voltaje, que requiere una
pequeña corriente de entrada.
Una de las características que tiene es una alta velocidad de conmutación del
orden de los nanosegundos, cada día se encuentran más aplicaciones en los
convertidores de alta frecuencia y baja potencia; una de las desventajas de los
mosfet es que tienen problemas de descargas electrostáticas, por los que su
manejo requiere de cuidados especiales, además, es relativamente difícil
protegerlos bajo condiciones de falla por corto circuito.
Se clasifican en:
Modos de Operación:
Corte.
Región lineal.
Saturación.
Normalmente, los drivers se utilizan para regular la corriente que fluye a través de
un circuito o para controlar otros componentes. El término también se usa para un
circuito integrado especializado que controla interruptores de alta potencia en
convertidores de potencia de modo conmutado. Normalmente, las etapas de driver
de un circuito requieren características diferentes a otras etapas del circuito. Los
objetivos que tiene un driver son los siguientes:
3.2 Se debe calcular la frecuencia de corte del filtro pasa bajos y los respectivos
valores del circuito LC que filtrará la salida del puente inversor, luego construir en
el simulador el filtro LC y el transformador que se han calculado para verificar su
funcionamiento. Como evidencia de esta actividad se debe presentar y explicar,
apoyándose en pantallazos de la simulación, la configuración de cada elemento
dispuesto en el circuito y las señales obtenidas en los osciloscopios, en las
entradas y salidas de cada uno de los dispositivos construidos en las actividades
3.1 y 3.2.
Responder a la pregunta: ¿por qué es necesario filtrar la salida?
Filtro
1/ LC
H ( s )= 2
s + 1/LC
1
ωn 2=
√ LC
En la siguiente figura se muestra el diagrama de Bode de un filtro LC pasa baja en
función de ωn. Para frecuencias menores a este valor la ganancia del filtro es 0 dB,
para frecuencias mayores el filtro atenúa −40 dB/dec. Para el diseño del filtro se
debe atenuar los armónicos que están a frecuencias múltiplos de la frecuencia
fundamental, se debe permitir el paso del armónico fundamental y atenuar los
armónicos múltiplos.
Debe ser un número impar ya que al ser número impar hay una menor distorsión
armónica.
ft
mf =
fc
1500 hz
mf = =25
60 hz
150+600
Fcprom= =375 Hz
2
C=1 μf =1∗10−6 F
L=?
1
Fcprom=
2 π √ LC
2
1
L=
(
2 π∗Fcprom )
C
2
1
L=
(
2 π∗375 hz )
1uF
L=180 mH
Imagen donde se evidencia la configuración del filtro lc según los cálculos
hallados
Debe ser un número impar ya que al ser número impar hay una menor distorsión
armónica.
ft
mf =
fc
1500 hz
mf = =8.33
180 hz
150+1800
Fcprom= =975 Hz
2
C=1 μf =1∗10−6 F
L=?
1
Fcprom=
2 π √ LC
2
1
L=
(
2 π∗Fcprom )
C
2
1
L=
(
2 π∗975 hz )
1uF
L=26.5 mH
Configuración del filtro lc para la frecuencia de 180 hz
Transformador
El voltaje del primario, es el que van a entregar los mosfet al medirlos, por lo
general nos entregan 10 o 11voltios.
El voltaje del secundario debe ser 120 voltios, para la señal de 60Hz, y la señal
triangular 600Hz.
Lo mismo lo debemos hacer para la señal de 60 & 120 Hz,
La salida del mosfet va al filtro, de ahí pasa al transformador y por ultimo a la
carga de 1000vatios.
120
Lp=
120
Se asigna el valor de Ls para calcular Lp, realizar para la señal de 120 Voltios y se
debe usar un segundo transformador para la señal de 60 V.
Vi 2
Lp= ( )
Vo
∙ Ls
12 2
Lp= ( )
120
∙1
Lp=0.01
Filtros Activos
Portal, J., & Eneldo López, F., & Morera, M., & León, L., & Amador, A. (2010).
Estudio del empleo de inversores resonantes de alta frecuencia en la recuperación
de fuentes de soldadura. Ingeniería Energética, XXXI (1), 3-9.