Electrónica I.

Ejercicios Unión PN y circuitos con diodos

Prof. César Martínez

1.

Circuitos con diodos

1. Para el circuito mostrado en la gura, con: V1=10V, R1=R2=10Ω, Vjo=0,7V (para todos los dispositivos), determinar:

a ) El estado cada diodo. b ) La tensión de salida Vo.
D1

+ D3 R1 V1 D2 Vo R2

2. Para el circuito mostrado en la gura, con: V1=20V, V2=10V, V3=5V, R1=5KΩ, R2=10KΩ, Vjo=0,7V (para todos los dispositivos), determinar:

a ) El estado de cada diodo. b ) La tensión de salida Vo.

1

con: V1=20V.D1 R2 + D3 D2 Vo V1 R1 V3 V2 - 3. b ) La función de transferencia Vo/Vi. V3=10V. Para el circuito mostrado en la gura. determinar: a ) El estado de cada diodo. Para el circuito mostrado en la gura. b ) La tensión de salida Vo. R1=10KΩ. Vjo=0. 2 . R2=2KΩ. V2=5V. D1 D3 + R2 V2 V1 D4 Vo V3 D2 - R1 4. V2=2V. Vi=12·Sen(wt). RL=10KΩ. con: V1=5V. determinar: a ) La tensión de salida Vo.7V (para todos los dispositivos).

b ) La función de transferencia Vo/Vi. con: V1=2V. Vi es una señal triangular de 12V pico y 1Khz. Vi es una señal cuadrada de ±15V. RL=100Ω. R2=R3=5KΩ. determinar: a ) La tensión de salida Vo. RL=10Ω. VZ3=3. asumir modelo ideal para todos los dispositivos. con: V1=5V. Vi=12·Sen(6283t). D1 + V1 Vi AC C1 RL Vo - 7. determinar: a ) La tensión de salida Vo. 3 . R1=2KΩ. Para el circuito mostrado en la gura. Para el circuito mostrado en la gura.1V. C1=100µF e inicialmente descargado. determinar: a ) La tensión de salida Vo. Para el circuito mostrado en la gura. con: C1=100µF e inicialmente descargado. R1 D1 + R2 Vi AC D2 DZ3 Vo V1 R3 - 6.D1 + V1 D2 Vi AC RL Vo V2 - 5.

b ) El porcentaje de la corriente de huecos a la corriente total en la región libre de portadores. indicando todos los valores de interés. 8mA.D1 + D3 Vo RL D4 D2 - C1 Vi AC 8. La tensión de la fuente de alimentación no regulada varía entre 18V y 28V . se determina como: %Regulacin = VL (mx. 54V .)−VL (mn. 027153eV . 4 . Los parámetros del diodo Zener son VZK = 4. NOTA: Este porcentaje de regulación de carga se dene como la variación del voltaje de salida cuando existen variaciones de la corriente en la carga. Considerar que K ·T = 0. la corriente circulante a través del dispositivo es IZ = 20mA. Una unión P-N tiene un dopado de átomos aceptantes de 1017 cm−3 en el material tipo P y un dopado de impurezas donantes de 5 · 1015 cm−3 en el lado N. Los coecientes de difusión de huecos y electrones son 13cm2 /s y 34cm2 /s respectivamente. Unión PN 1. b ) Gracar el punto de operación en el que se encuentra operando el diodo Zener. c ) El porcentaje de regulación de carga del circuito regulador. Determinar: RF + RL VF VZ DZ - a ) El valor de la impedancia de la fuente RF de modo que el dispositivo regule continuamente. Ao = 1. es decir. originando cambios en la corriente de carga entre 5mA y 23. Determinar: a ) El potencial de la unión en circuito abierto.) · 100 % d ) La potencia máxima disipada por el diodo Zener. En un determinado momento mientras el diodo Zener regula.) VL (mn. Las longitudes de difusión de electrones y huecos son 10·10−4 cm y 15·10−4 cm respectivamente y el área de la sección transversal de la unión es de 10−4 cm2 . 74·1033 cm−6 · o K −3 para el silicio. opera en región zener. El circuito de la gura corresponde a un regulador de tensión en paralelo con diodo Zener. 2. IZK = 4mA y una resistencia interna RZ = 10Ω.

g ) La resistividad del material entre X = 4µm en la región P y X = 4µm en la región N.c ) El porcentaje de la corriente de electrones a la corriente total en la región libre de portadores. para el fenómeno que ocurre cuando se aplica la tensión de polarización directa. el área de la sección transversal de la unión es de 8 · 10−4 cm2 y las movilidades de huecos y electrones son 1800cm2 /V · s y 3800cm2 /V · s respectivamente. Considerar que Ao = 3. 2. c ) Si a esta unión se le aplica una tensión de polarización directa de 0. Determinar: a ) El potencial de la unión en circuito abierto. calcular el nuevo valor de la corriente de huecos en el borde de la región de carga espacial. b ) La corriente total circulante por la región de carga espacial. 4V . Una unión P-N de germanio a 300o K tiene un dopado de átomos aceptores de 4 · 1016 cm−3 en el material tipo P y un dopado de átomos donores de 6 · 1015 cm−3 en el lado N. signica que el tiempo de vida medio de los huecos (τp ) aproximadaente se divide por cuatro. medidos ambos justo desde la unión de los dos materiales. 5 . d ) Para el mismo nivel de polarización directa del punto (c). Los coecientes de difusión de huecos y electrones son 13cm2 /s y 34cm2 /s respectivamente. 53 · 1032 cm−6 · o K −3 para el germanio. e ) Si debido a un agente externo la velocidad de recombinación de huecos en el material tipo N se cuadruplicara. Las longitudes de difusión de electrones y huecos son 10 · 10−4 cm y 15 · 10−4 cm respectivamente. f ) Gráco representativo de las concentraciones de electrones y huecos en función de la distancia. calcular la densidad de corriente de difusión de portadores minoritarios en el material tipo N en el borde de la región de agotamiento y en X = 2µm. calcular la corriente de portadores minoritarios en el material tipo P en el borde de la región de agotamiento y en X = 4µm. NOTA: Recuerde que si se cuadruplica la velocidad de recombinación.

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