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BJT’S y parámetros S
David Alexander Cano Tirado, Juan Pablo Corredor Trujillo
Resumen—Para garantizar que los transistores BJT´S II. MARCO CONCEPTUAL
funcionen correctamente, es necesario observar (tanto los factores
externos como internos) como éstos afectan el trabajo de los A. Transistor BJT
transistores y realizar sus respectivos correctivos para así
asegurar el buen funcionamiento. Un transistor al ser un semiconductor puede trabajar como
su nombre lo indica como conductor o aislante dependiendo de
Palabras Claves—Estabilidad, Factores externos, Polarización, la configuración química que se presente con el cambio de la
Transistor. carga respecto del tiempo, mas específicamente con la
corriente que está circulando. El transistor BJT, es llamado así
ya que sus siglas significan (en inglés) “Bipolar Junction
I. INTRODUCCIÓN Transistor”
III. ESTABILIZACIÓN
La estabilidad según un diccionario por la web se define
como “Ausencia de cambios y constancia en un periodo
determinado” [1] a partir de esta premisa es que se trabaja para
que el transistor no se vea alterado por factores que son ajenos
a él, pero se presentan en el medio. “La estabilidad de un
sistema es una medida de la sensibilidad de una red ante
variaciones en sus parámetros” [2] como lo dice en el anterior
fragmento la estabilidad no es más que la “sensibilidad” que
posee el sistema para ver sus cambios, pero esto es
fundamental ya que con base en eso se genera un estudio
riguroso sobre los factores que hacen que esta sensibilidad se
Ilustración 2. vea perjudicada.
Tomado de http://laimbio08.escet.urjc.es/assets/files
/docencia/ECA/Tema%204%20BJT_07_08.pdf
A. Forward Current Gain (HFE)
En la ilustración 2 se puede observar tres posibles estados.
El primero es la Zona de Corte en ésta el voltaje colector- A pesar que ésta es una característica del transistor se puede
emisor puede ser muy elevado y nuestra corriente de colector observar que cuando existe una variación en la temperatura se
cero, esto debido a que la corriente de base es cero y por su puede ver afectado y posteriormente cambiar su valor ya sea
relación con la ganancia; en la vida real esto no ocurre ya que incrementado o disminuido dependiendo obviamente del
el voltaje máximo al que se puede llegar es al suministrado por cambio de la temperatura.
la fuente que se le inyecte, se puede hacer una relación con un
circuito abierto ya que no existe corriente pero si voltaje. El
B. Voltaje base-emisor
segundo se conoce como la Zona de Saturación en ésta pasa
todo lo contrario que al caso anterior, la corriente de colector Aquí también la temperatura juega un papel importante ya
es elevada mientras que el voltaje colector-emisor no posee que observamos ante un incremento de esta el voltaje base-
emisor disminuye un determinado voltaje. Esta variación en
una magnitud de consideración, en la realidad la corriente del
los transistores de silicio es la siguiente:
colector depende de la fuente que se le inyecte y también el
tipo de configuración con la cual se polarice además se puede
mV
decir que el transistor se encuentra en corto ya que existe una VBE (Temperatura) 7.5 (2)
corriente pero con un voltaje igual a cero y por último se C
encuentra la Zona activa donde se trabaja la parte de
amplificación y en la cual trabajaremos ya que en ésta la
C. Corriente de Saturación inversa ( I co )
corriente, tanto de emisor como de colector no varían tanto y
allí es donde nos basaremos nuestro estudio sobre la Ésta también se ve afectada por la temperatura y esta
estabilización y el parámetro S. relacionada de la siguiente forma, “se duplica en su valor por
cada incremento de 10°C en la temperatura”. [3]
B. Forward Current Gain (HFE)
Como se identificó el factor que hace que la estabilización se
El HFE, también conocido como beta (β) se usa siempre y vea alterada es la temperatura, por lo general para esto existen
cuando se garantiza que se esta trabajando en la zona activa los disipadores de calor los cuales ayudan a que el sistema no
asimismo que se encuentre polarizado correctamente. cambie abruptamente su temperatura y ayudan a regular y
Éste se relaciona con la corriente de base y la corriente de prevenir este grave problema que afecta a todos los
colector mediante la siguiente ecuación: componentes en general.
Otro factor que debe ser analizado profundamente es la
I Colector estabilidad de la fuente de entrada que se suministre ya que si
(1) presenta variaciones éstas afectan a todo el circuito y dañan la
I Base estabilidad.
Por consiguiente analizaremos más de fondo como todo lo
Aquí se muestra como existe una relación la cual se le llama anterior se ve reflejado en el transistor en las rectas de carga y
en su zona activa, zona de saturación y zona de corte. I C
S ( ) (5)
S (VBE ) (8)
RB ( 1) R E
Ilustración 4
Tomado de http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Guias/ tema6.pdf I C1 (1 ( RB / RE ))
S ( ) (9)
hojas de especificación que en ellas encontramos que dan un 1 (1 2 ( RB / RE ))
rango de operación para las características que se alteran por
culpa de ésta.
A pesar que este tipo de configuración es muy sensible a los
cambios de corrientes debido a su resistencia en el emisor esto
IV. FACTORES DE ESTABILIDAD no asegura que sea sensible a la hora de variar otros aspectos
“Los factores de estabilidad nos dan la variación de una como la temperatura, es así como esta configuración puede
tensión o una corriente en función de alguno de los parámetros generar una variación, en la estabilidad, baja cuando la
susceptibles de cambio en el dispositivo.”[4] En pocas resistencia en el emisor sea excesivamente grande, así
palabras es un cambio que se hace respecto a algo, las originará aproximadamente un factor de estabilidad en la
ecuaciones que emulan esto son: corriente de saturación inversa próximo a uno, pero esta
noción va en contra del principio que obliga a que la
I c resistencia en la base sea mayor a la resistencia en el emisor y
S ( I CO ) (3)
I co por ende no va a ser muy eficaz a la hora de estabilizarse por
causa de la temperatura. Concluyendo esta configuración
tiende a ser más estable cuando la proporción entre las
I C
S (VBE ) (4) resistencias tienden a un valor pequeño y es inestable cuando
VBE esta misma proporción se acerca a un valor cercano dado por
la ganancia de corriente más uno.
D. Polarización por retroalimentación
B. Polarización fija
Para esta configuración se obtiene el siguiente resultado:
Para esta configuración se obtiene el siguiente resultado:
1 ( RB / RC )
S ( ICO ) ( 1) S ( I CO ) ( 1) (16)
(10) ( 1) ( RB / RC )
S (VBE ) (11) S (VBE ) (17)
RB RB ( 1) R C
S ( )
I C1 I C1 ( RB RC )
1
(12) S ( ) (18)
1 ( RB RC (1 2 ))
Como se puede observar esta configuración es la más Como paso en la polarización por emisor y en el divisor de
deficiente, respecto a las otras, a la hora de estabilizar ya que voltaje existe una relación, pero esta vez es la resistencia de
como no posee una resistencia en el emisor no tiene una base respecto a la de colector, ya que la resistencia de emisor
comunicación con las demás terminales y por ende refleja se toma como cero o sea como un corto, pero como en la
estos datos, se podría pensar que la ganancia de corriente fuera polarización por emisor no se puede suponer esto y además la
mínima para que se estabilizara pero no tendría sentido ya que relación que la resistencia de colector sea muchísimo mayor
no serviría de nada el transistor y perdería su sentido. que la de base siendo de algún modo semejantes la resistencia
de base siempre va a ser mayor que la resistencia de colector
ya que así se debe cumplir para que el transistor se encuentre
polarizado de la forma adecuada. Por lo anterior a pesar que
C. Polarización por divisor de voltaje esta polarización posee una estabilización por la división de
corriente que se genera al conectar la resistencia de base entre
Para esta configuración se obtiene el siguiente resultado: la resistencia de colector y el colector del transistor, no es
suficiente y por ende la polarización que presenta menos
sensibilidad ante los cambios es la divisor de voltaje, es por
1 ( RTh / RE )
S ( I CO ) ( 1) (13) esto que esta debe usarse para trabajos donde necesiten un
( 1) ( RTh / RE ) sistema con poca sensibilidad ya la división de voltaje que se
genera en las cargas asegura un valor constante en el voltaje de
emisor y así, también genera una comunicación con todos los
S (VBE ) (14) terminales y así, no se presenten variaciones que tengan que
RTh ( 1) R E ver con el transistor.
I C1 (1 ( RTh / RE ))
S ( ) (15)
1 (1 2 ( RTh / RE )) V. CONCLUSIÓN
z
Ilustracion 7. Tomado de
http://www.unicrom.com/Tut_circuitos_polarizacion_transistor_bipolar.asp