Diodo Zener y Transistor BJT
Anays Campos Didier Rivera
Universidad Tecnológica de Panamá Universidad Tecnológica de Panamá
UTP
Panamá Oeste, Panamá Panamá Oeste, Panamá
anays.campos@utp.ac.pa didier.rivera@utp.ac.pa
Resumen— El presente informe de laboratorio presenta un
nuevo tipo de diodo, en este caso específicamente, sobre el
diodo Zener. En este tipo de diodo estaremos viendo cómo es su
funcionamiento y comportamiento. Por otro lado, veremos la
configuración de los transistores BJT, tales los de tipo NPN y
PNP. Además de determinar sus corrientes, sus caídas de
voltaje y sus ganancias de base común en su región activa y
saturación , establecemos cómo se comporta el transistor con
sus diferentes modos de operación.
Palabras claves—Diodo Zener, transistor BJT, circuitos,
configuración, voltaje, corriente de base, corriente de emisor,
corriente de colector, modo de operación, estado de polarización.
1. INTRODUCCIÓN
En nuestro tiempo actual es evidente como los aparatos
electrónicos nos han servido como un gran apoyo en las
actividades de la vida cotidiana y hasta en la manera de
comunicarnos hoy en día. Gracias a los avances de la
tecnología cada vez los equipos se vuelven más sofisticados
y de mejor rendimiento. Sin embargo, todos los días sin
darnos cuenta, hay cambios momentáneos en el voltaje en el
que estos pueden dañar nuestros equipos electrónicos como
los televisores, ordenadores, entre otros. Estos daños se
deben principalmente a que los circuitos integrados en estos
dispositivos son altamente sensitivos. Por ello es
recomendable utilizar un regulador de voltaje, en el que este
pueda proteger los aparatos a estos cambios de
voltaje[ CITATION Pan21 \l 2058 ].
Estos reguladores se basan principalmente en la
utilización de diodos semiconductores conocidos como
diodo Zener. Ya que estos logran mantener un voltaje
constante cuando se aplica una corriente que fluya en
dirección inversa (Polarización inversa) con un voltaje
mayor al voltaje de ruptura o voltaje de Zener Vz. Su
funcionamiento se basa en que cuando se le aplica una
corriente en una dirección directa (polarizado directamente),
el diodo Zener se comporta como un diodo semiconductor
normal y permite el flujo de la corriente; mientras el diodo
esté con polarización inversa, este no permite un flujo de
corriente si el voltaje aplicado es menor al voltaje de Zener
Vz. En caso contrario, si el voltaje que se le aplica al diodo
es mayor al voltaje de Zener, la corriente fluye de cátodo a
ánodo[ CITATION MiE21 \l 2058 ].
Debido a esta característica se diferencia bastante con
los diodos normales, ya que su voltaje de ruptura no es tan
Andrea Ramsay
UTP Universidad Tecnológica de Panamá
UTP
Panamá Oeste, Panamá
andrea.ramsay@utp.ac.pa
alto y al aplicarle un voltaje mayor no se daña fácilmente en
comparación con los otros tipos de diodos conocido
anteriormente. Por ende, el voltaje es muy pequeño y se
considera que es constante[ CITATION MiE21 \l 2058 ]
[ CITATION ORT21 \l 2058 ].
Como vimos al principio, los equipos que utilizamos día
a día tienen internamente otros componentes, entre ellos el
Transistor de Unión Bipolar o BJT. Este es un dispositivo
semiconductor en el que está formado por la unión de tres
regiones dopadas separadamente.
 Transistores PNP: Si dos tipos P están conectados
con un tipo N en el medio[ CITATION Ele211 \l
2058 ].
 Transistores NPN: Si los dos tipos N están
conectados con un tipo P en el medio[ CITATION
Ele211 \l 2058 ].
Estos transistores BJT están constituidos por tres
regiones semiconductores acopladas de maneras diferentes
tienen los nombres de base, colector y emisor. Además, por
lo general el modo normal de hacer operar a un transistor es
en la zona directa. Sin embargo, dependiendo de cómo esté
polarizado las uniones se obtienen diversos modos en el que
opera el transistor, tales se dan en[ CITATION Ano211 \l
2058 ]:
 Región activa directa
 Región activa inversa
 Región de corte
 Región de saturación
La aplicación de estos transistores ha sido de gran
ventaja para la sociedad para actividades cotidianas. Un
claro ejemplo tenemos en que, gracias a su implementación
en la construcción de algunos equipos, podemos realizar
llamadas a larga distancia y a realizar trabajos en las
computadoras, ya que su funcionamiento depende de este
elemento. Con ello, nos damos cuenta de la gran
importancia que ha traído su creación, facilitándonos las
actividades de nuestro diario vivir[ CITATION ANG191 \l
2058 ][ CITATION RED97 \l 2058 ].
2. METODOLOGÍA
En este presente laboratorio se busca introducirnos de
manera práctica al uso de elementos electrónicos en este
caso es el turno del diodo Zener el cual buscaremos analizar
y entender su comportamiento. A través de un simulador de
circuitos eléctricos, además de los transistores BJT. El cual
la principal finalidad es tener esa noción teórica-práctica del
comportamiento de dichos dispositivos electrónicos ya que
nos prepara para aplicar estos conceptos en el campo
laboral.
Para lograr estas finalidades necesitamos la ayuda del
simulador MULTISIM, el mismo cuenta con todos los
elementos necesarios para lograr de manera satisfactoria
nuestro íntegro aprendizaje. Por otro lado, el laboratorio fue
dividido en dos etapas para así llevar un orden específico del
desarrollo de nuestros objetivos, estas etapas están descritas
a continuación.
2.1 Primera etapa
Primeramente, para realizar la experiencia de laboratorio
relacionada con el comportamiento del diodo Zener, usamos
la herramienta antes mencionada el simulador MULTIM. En
esta primera parte confeccionamos un circuito el cual le
corresponden tres elementos una fuente de tensión DC, una
resistencia y un diodo Zener todos estos conectados en serie.
Luego procedimos a determinar si el diodo Zener estaba
funcionando o estaba apagado. Seguido de esto
confeccionamos otro circuito, el cual tenía los mismos
elementos que el primero pero en este caso la fuente DC
tenía otro valor de tensión que suministraba y de igual
manera que en el primero medimos la caída de tensión en el
diodo Zener para determinar si este estaba apagado o
encendido, también realizamos este mismo procedimiento
dos veces más con los mismos elementos pero con la
particularidad de haberle cambiado el valor de voltaje
entregado o suministrado por la fuente DC.
Posterior a esto, confeccionamos un circuito de corriente
directa el cual tenía como elementos una fuente de tensión
DC seguido de dos resistencias en serie y por último un
diodo Zener conectado en serie con las dos resistencias,
procedimos a medir la caída de voltaje del diodo y
determinar y si estaba encendido o apagado. Luego
modificamos el circuito interior agregando otra resistencia
en paralelo con el diodo Zener, en síntesis, volvimos a hacer
el mismo circuito, pero solo le agregamos una resistencia en
paralelo con el diodo Zener, este paso lo realizamos dos
veces más y de manera que quedaran tres resistencias
conectados en paralelo al diodo Zener y al igual que en los
pasos anteriores medimos la caída de voltaje en el diodo
Zener para determinar si estaba apagado o encendido.
Seguidamente, confeccionamos un circuito que cumple
con la función de regulador de voltaje, con el cual consistía
en una fuente de voltaje DC que tenía un valor mínimo y un
valor máximo seguido conectado en serie una resistencia y
posterior a esto una conexión en paralelo entre el diodo
Zener y una resistencia de carga todo esto planteado en el
simulador MULTISIM y medimos la corriente máxima y
mínima que pasa por la resistencia de línea en serie con la
fuente de voltaje CD.
2.2 Segunda etapa
Por último, la segunda etapa de nuestro laboratorio
consiste en el estudio del comportamiento del transistor BJT
en circuitos de corriente DC, Lo primero que hicimos en
esta segunda etapa fue determinar el efecto que tiene la
ganancia de emisor común en un circuito DC, para esto
confeccionamos con ayuda del simulador MULTISIM un
circuito el cual consistía de varios elementos electrónicos,
entre esos elementos podemos destacar una fuente de
tensión de base conectada en serie con una resistencia de
base seguido de esto un transistor BJT específicamente
PNP.
Seguidamente de esto, conectado con el colector una
resistencia de colector conectada en serie con una fuente de
tensión de colector, rápidamente sin lugar a equivocarnos
medimos con la ayuda de un multímetro que nos brinda el
simulador la corriente en el colector en la base y en el
emisor del transistor.
Procedimos a medir el voltaje en la unión colector base
del transistor y el voltaje en el colector, posterior a esto
confeccionamos el mismo circuito con los mismos valores,
pero en este caso variamos el valor de la ganancia de emisor
común y medimos la corriente de base, el corriente colector,
la corriente del emisor, el voltaje de colector-emisor y el
voltaje de colector.
Luego realizamos este procedimiento tres veces más
cambiando la ganancia de emisor común y ayudándonos del
multímetro que nos brinda el simulador. Después con el
mismo circuito confeccionado, pero en esta ocasión
variamos la fuente de tensión que está en la región de la
base y realizamos las mediciones de las corrientes y los
voltajes de colector-emisor y voltaje de colector esto lo
realizamos 4 veces más. posterior a esto confeccionamos el
mismo circuito nuevamente con los mismos elementos
mencionados anteriormente y en esta ocasión variamos la
fuente de voltaje V CC , o sea, la fuente de voltaje que en la
región de colector y con ayuda del multímetro realizamos
las mediciones de las corrientes y las caídas de voltaje en
cada elemento del circuito, este proceso lo realizamos 4
veces. Cabe mencionar que todas estas mediciones fueron
hechas utilizando el multímetro que nos brinda el simulador.
3 RESULTADOS
Como mencionamos anteriormente, nuestro proceso
conlleva dos etapas en el que se subdividen por partes para
así tener un orden con respecto a los resultados obtenidos en
las experiencias de laboratorio.
3.1 Primera etapa.
Como primer punto, comenzamos la experiencia de
laboratorio con el armado del circuito mostrado en la figura
No. 1, guiándonos principalmente con la guía compartida.
 Figura No. 1: Circuito con Diodo Zener
Al armar el circuito mostrado en la figura No. 1,
procedimos a medir la caída de voltaje. En esta medición Figura No. 3: Diodo Zener || R3
obtuvimos un valor de 999.80 mV en la caída de tensión en Después medimos nuevamente la caída de voltaje en el
el diodo Zener. diodo Zener y comparamos con la anterior medición para
Luego, variamos los valores de la fuente de voltaje en R1 y R2. Además, analizamos cómo se encuentra el diodo, o
DC señalados en la tabla No. 1. En esta tabla completamos sea, su estado en esta configuración.
con los resultados obtenidos con los diferentes valores Seguido a esto, agregamos R4 con una conexión en
medidos del voltaje en el diodo Zener cada vez que paralelo al diodo Zener y R3 respectivamente, siguiendo las
cambiamos los valores en la fuente DC. mismas mediciones y análisis realizados para R3.
Cabe mencionar que el mismo procedimiento se realizó para
Fuente de Voltaje Diodo Comportamie la nueva resistencia R5 conectada en paralelo al diodo
Voltaje Zener (V) nto del diodo Zener. Las configuraciones descritas para R4 y R5
(V) respectivamente, se muestran de manera representativa a
continuación en la figura No. 4 para R4 y en la figura No. 5
1 999.80 mV Apagado para R5.
3 2.9994 V Apagado

8 4.9623 V Encendido

10 4.9724 V Encendido
Tabla No. 1: Valores de la Fuente de Voltaje
A continuación, confeccionamos una nueva
configuración para el circuito mostrado en la figura No. 2,
con respecto a los parámetros señalados en la guía de Figura No. 4: Diodo Zener || R3 || R4
laboratorio.

Figura No. 5: Diodo Zener || R3 || R4 || R5

Como mencionamos anteriormente, para cada circuito

Figura No. 2: Diodo Zener únicamente con R1 y R2 medimos el voltaje en el diodo Zener y analizamos cómo se
comporta en cada caso. Por lo tanto, se recopiló los valores
Procedemos a medir el voltaje en el diodo Zener obtenidos en una sola tabla, mostrada a continuación.
solamente con las resistencias R1 y R2 con una fuente de
alimentación de 12V. Por lo cual obtuvimos una caída de Tabla No. 2: Valores de Voltaje
voltaje de en el diodo de 8.9209 V este voltaje se debe a que
Voltaje de Estado del diodo
el voltaje de la fuente de tensión es mayor a la tensión del Resistencias
salida Zener
diodo Zener por lo tanto se cumple la condición siguiente
Ventrada > Vz. R3 4.4360 V Apagado
Seguidamente, siguiendo la configuración del circuito
mostrado en la figura No. 2. Añadimos una nueva R3, R4 1.2016 V Apagado
resistencia R3 conectada en paralelo junto al el diodo Zener.
A continuación, se mostrará su circuito en la figura No. 3. R3, R4 y R5 966.63 mV Apagado
 Estos valores obtenidos durante las mediciones indican Como último punto, procedimos a diseñar un circuito
que, para cada caso, el diodo se encuentra apagados ya que regulador de voltaje, en el que se presentará con un voltaje
el voltaje de salida es menor al voltaje del diodo Zener de salida de 10 V con una carga resistiva de 3.3kΩ, y su
obtenido durante la simulación realizada en los circuitos con voltaje de entrada variará entre los 20 V a los 30 V → 20 𝑉
las diferentes configuraciones con las resistencias. ≤ 𝑉𝑖𝑛 ≤ 30 V.
Siguiendo con la experiencia, procedimos a suprimir la
resistencia R2 en el circuito principalmente mostrado en la
figura No. 2 junto con un cambio en la fuente de
alimentación ahora con un voltaje de entrada de 15 V. Sin
embargo, realizamos los mismos pasos como la medición
del voltaje de salida en los circuitos para las configuraciones
anteriormente descritas.

Figura No. 9: Circuito regulador de voltaje con un voltaje

mínimo de 20 V

Figura No. 6: Diodo Zener || R3 (Sin R2)

Figura No. 9: Circuito regulador de voltaje con un voltaje

máximo de 30 V

Figura No. 7: Diodo Zener || R3 || R4 (Sin R2) Para este diseño, primero calculamos la resistencia
adecuado. Aplicando divisor de voltaje obtenemos:
3.3 k
Vs= ( 20 )
(1 k +R )
3.3 k
( 3.3 k + R ) = ( 20 )
Vs
1k
Figura No. 8: Diodo Zener || R3 || R4 || R5 (Sin R2) ( R )= ( 20 )−3.3 k
Vs
Tabla No. 3: Valores de Voltaje.
1k
Resistencias Voltaje de Estado del diodo R= (20 )−3.3 k
10
salida Zener
R=3.3 k Ω
R3 8.9859 V Encendido → Laresistencia adecuada

R3, R4 8.9520 V Encendido Con la corriente mínima obtenemos:

Vmin−V R−Vz=0
R3, R4 y R5 8.6868 V Encendido Vmin−I R (min ) R−Vz=0
Al obtener los valores respectivos del voltaje de salida Vmin−Vz
nos percatamos que el estado de diodo Zener para las tres I R ( min )=
R
configuraciones con las resistencias se encuentran
20−10
encendidos. Esto se debe a que el voltaje de salida es mayor I R ( min )= =3.03 mA
al voltaje del diodo Zener Vz. 3.3 k
Esta es la corriente mínima en R
 3.1 Segunda etapa
Ahora con la corriente máxima, obtenemos: Como ya se mencionó en la metodología la segunda
Vmáx−V R −Vz=0 parte de este informe consta de los transistores BJT nos
Vmáx−I R (máx ) R−Vz=0 importa mucho en esta sección el comportamiento de estos
dispositivos electrónicos bajo sus diferentes modos de
30−10 operación.
I R ( máx )=
3.3 k
30−10 Primeramente, vimos el efecto de la variación de β (la
I (máx )= =6.06 mA ganancia de emisor común) logramos verlo cuando
3.3 k
armamos el circuito de la figura medimos la corriente del
Esta es lacorriente minima en R emisor, la corriente del receptor y la corriente que pasa por
Por medio de la ley de Ohm, obtenemos la corriente que la base del transistor con ayuda del multímetro del
fluye en la resistencia RL de 3.3 kΩ: simulador, llegamos a la conclusión que en este circuito a
V Z 10 V una β=50 . La corriente de base es mucho menor que la
I L= = =3.03 mA
R L 3.3 kΩ corriente del colector y la corriente del emisor es mayor que
la corriente del colector, además mi voltaje de base-emisor =
Gracias al simulador procedimos a medir corrientes 0.7 V con estas condiciones podemos determinar que
mínimas y máximas en el MULTISIM, donde se logró nuestro transistor BJT está en modo de operación activo.
verificar los cálculos realizados anteriormente para el diseño
del regulador. Y también, se obtuvieron las corrientes que
fluyen en la resistencia RL presente en ambos circuitos, tanto
en el circuito de la figura No. 8 y en la figura No. 9.

En la simulación se obtuvieron siguientes los resultados:

- Con el voltaje de entrada mínima:
I R ( min )=3.0648 mA
- Con el voltaje de entrada máxima:
I R ( min )=6.0720 mA .
Figura No. 10: Circuito con transistor para β =50
Con esto, se puede notar una leve variación en los
valores calculados teóricamente como los medidos durante
Luego armamos el circuito de la figura el cual es
la simulación.
parecido al circuito de la figura pero en este caso cambia el
valor de β=100 , que podemos ver en los resultados que mi
Como en el diodo Zener puede conducir en inversa
cuando fluye una pequeña corriente conocida como la corriente Ib es menor que Ic y mi Ic es menor que Ie,
corriente de saturación (Is), está corriente permanece también vemos que mi voltaje de Base-Emisor es igual 0.7
constante mientras se va aumentando la tensión inversa V, también que mi voltaje C-E es mayor que 0.3V por lo
hasta que esté alcance un voltaje por arriba de su zona de tanto este circuito tiene un BJT que está en modo de
ruptura o voltaje Zener Vz. Para así mantener la tensión operación activa.
prácticamente constante entre sus extremos para un amplio
rango de corriente inversa[ CITATION Ano212 \l 2058 ]
[ CITATION LEC05 \l 2058 ].

Por otra parte, podemos mencionar ciertas características

que presentan y determinan el comportamiento del diodo
Zener[ CITATION Ano212 \l 2058 ][ CITATION LEC05 \l
2058 ]:
1. Presenta tensiones de polarización inversa, conocida
como Tensión Zener Vz. Figura No. 11: Circuito con transistor β=100
2. Tiene un rango de tolerancia entre ± 5% de la
Tensión Zener Vz. Luego construimos el circuito mostrado en la figura el
3. La corriente mínima de funcionamiento debe ser cual tiene como característica principal que la ganancia de
mayor a la corriente que pasa a través del diodo emisor común es β=150 .
Zener para asegurarnos que la tensión en sus ¿Qué logramos visualizar?
extremos se mantengan constantes. Logramos ver que mi voltaje C-E es igual a 0.7 V y mi
4. Presenta una potencia máxima requerida de voltaje medido en B-C es igual 0.7 V y que el producto de
disipación.
mi Ie por β=150 es mayor que nuestro Ic. Por lo tanto,
podemos concluir que mi BJT está en modo de saturación.

Figura No. 12: Circuito con transistor BJT β=150.
Por último, confeccionamos el circuito mostrado en la
figura el cual llegamos a la conclusión de que el BJT está en
modo de saturación. ¿Por qué? Esto se debe en que nuestra
corriente del colector Ic es menor al producto de β=200
por la corriente del emisor Ie y el voltaje de colector-emisor
es aproximadamente 0.2 V, por lo tanto, está en el modo de
saturación.
Figura No. 14: Modo de operación de los transistores
BJT[ CITATION Wik21 \l 2058 ].
Luego nos enfocamos en el comportamiento de los
transistores al variar la fuente de tensión V BB o fuente de
tensión en la región de la base.
Primeramente, para lograr observar estos
comportamientos en los construimos el circuito de la figura
en este circuito vemos que la corriente Ib es mucho menor a
la corriente Ic, y mi corriente de colector Ic es menor a la
corriente de Ie y como ya sabemos el voltaje Vb-e es igual
0.7 V y con estos datos podemos determinar que este
transistor está en modo de operación activa.

Figura No. 15: Circuito con transistor variando VBB=2 V

Figura No. 13: Circuito con transistor BJT con β=200 . Luego de esto construimos el circuito de la figura el cual
Los datos obtenidos a través del simulador estarán variamos el VBB=5V logramos concluir que la Ic es mayor
organizados en la tabla así: que mi corriente Ib y mi Ic es menor que mi Ie por lo tanto
Tabla No. 4: Efecto de β en un circuito con BJT llegamos a la conclusión de que está en el modo de
operación activo.
Modo de
𝛽 Ib Ic Ie Vc Vc-e operació
n

46.683 2.3341 2.3808 6.864 6.8649

50 Activa
µA mA mA V V

46.608 4.6608 4.7074 1.7462 1.7462

100 Activa
µA mA mA V V

46.592 5.3812 5.4278 161.29 161.29

150 Saturación
µA mA mA mV mV
Figura No. 16: Circuito con transistor BJT VBB=5 V
46.592 5.3883 5.4349 145.64 145.64
200
µA mA mA mV mV
Saturación Seguido de esto procedimos a construir el circuito de la
figura el cual si bien es cierto es el mismo circuito
¿Cómo logramos esto? construido desde el comienzo, pero en este caso varía la V BB
Logramos determinar los modos de operación en los que =12, lo que podemos interpretar al ver este circuito es que se
se comportan los transistores BJT de nuestros circuitos con comporta en su modo de operación activa, ya que sus
la ayuda de la figura. corrientes en el caso de la corriente Ic es mucho mayor que
mi corriente Ib y mi Ic es menor que mi corriente Ie. Es
importante mencionar que estos mismos pasos realizan para
V BB IB IC IE VC V CE Modo
la figura, la figura, figura en el cual obtuvimos los mismos 5.25 262.58 267.8 11.42 11.42
resultados el modo de operación del transistor BJT es el 2 Activa
µA µA µA V V
modo activo.
17.62 881.06 898.7 10.06 10.06
5 Activa
µA µA µA V 2V

46.68 2.3341 2.381 6.86 6.86

12 Activa
µA mA mA V V
59.16 2.9579 3.017 5.49 5.49
15 Activa
µA mA mA V V
71.64 3.5818 3.654 4.12 4.12
18 Activa
µA mA mA V V
Por último, construimos el circuito de la figura No. 20 en
Figura No. 17: Circuito con transistor BJT VBB=12V esta parte variamos la fuente de voltaje que está en la región
del colector el cual nombramos Vcc=2V, el resultado que
obtuvimos en este circuito fue que el transistor BJT está en
el modo de operación de Saturación por qué? Porque si
miramos los datos medidos obtenemos que nuestra tabla No.
6 la corriente del colector Ic es menor al producto de β por
la corriente de base Ib, esta misma situación se da al
construir el circuito de la figura No. 21 el cual también el
modo de operación del transistor BJT es el de saturación.

Figura No. 18: Circuito con transistor BJT para VBB= 15V

Figura No. 20: Circuitos con transistores BJT para Vcc= 2V

Figura No. 19: Circuitos con transistor BJT para VBB=18 V

Todos los datos medidos fueron compilados en la tabla No.
5 mencionada a continuación.
Tabla No. 5: Variación de VBB

Figura No. 21: Circuitos con transistores BJT para Vcc= 5V

Seguido de esto construimos el circuito de la figura No. 22
el cual basándonos en los datos medidos concluimos que el
transistor BJT está en modo de operación activa.
¿Por qué? Puesto que el voltaje de colector Vc-e es
mayor que 0.3 V y el producto de β por la corriente de base
Ib es igual a la corriente del colector Ic. Lo mismo pudimos
concluir del circuito de la figura No. 22, figura No. 23 y
circuito de la figura No. 24 en el que el transistor está en
modo de operación activa.
 sus terminales, se comprobó que en efecto se
comportan como reguladores de voltaje.

 La corriente mínima donde un diodo Zener

funciona debe ser mayor a la corriente que pasa a
través del diodo Zener para asegurarnos que la
tensión en sus extremos se mantengan constantes.

 Para los circuitos con transistores BJT, observamos

las distintas reacciones a la variación del valor de
Figura No. 22: Circuitos con transistores BJT para Vcc= 12V β, donde esta influye si nuestro transistor tiene un
modo de operación activo o de saturación.

 Cada uno de los elementos electrónicos

previamente mencionados, tienen un rol distinto en
los dispositivos utilizados diariamente y gracias a
el análisis de su comportamiento se puede hacer
uso de ellos a sus mejores capacidades.

REFERENCIAS
Figura No. 23: Circuitos con transistores BJT para Vcc= 15V

Figura No. 24: Circuitos con transistores BJT para Vcc= 18V
Todos estos datos medidos fueron compilados en la tabla
No. 6, mostrada a continuación.
Tabla No. 6: Variación de VCC.

4 CONCLUSIONES
Al emprender esta experiencia virtual de laboratorio
mediante el simulador en línea MULTISIM junto con los
conocimientos adquiridos en clase, concluimos:
 Teniendo en cuenta que, los diodos Zener son
eficaces con respecto a la regulación de voltaje en
5 [1] P. Hardware, «Panamá Hardware,» Panharsa, 26 Abril 2021. [En línea]. Available: http://www.panharsa.com/noticias/1193/la-importancia-de-los-
reguladores-de-voltaje-y-baterias-de-respaldo. [Último acceso: 26 Mayo 2021].
[2] M. E. Fácil, «Diodo Zener: características y funcionamiento,» MiElectrónicaFácil, [En línea]. Available:
https://mielectronicafacil.com/componentes/diodo-zener/#page-content. [Último acceso: 27 Mayo 2021].
[3] O. D. R. -. D. d. I. Eléctrica, «DIODO ZENER,» PORTAL DE RECUERSOS - División de Ingeniería Eléctrica, [En línea]. Available:
https://uapa.cuaieed.unam.mx/sites/default/files/minisite/static/4ef2347e-3bae-45a6-9919-a64c9ecd577b/Diodo-zener/index.html. [Último acceso:
27 Mayo 2021].
[4] Electromundo, «Tipos De Transistores Bipolares, Aplicaciones Y Función,» Electromundo, [En línea]. Available: https://electromundo.pro/tipos-
de-transistores-bipolares-aplicaciones. [Último acceso: 26 Mayo 2021].
[5] Anonimo, «Características del transistor bipolar,» [En línea]. Available: http://www.elo.jmc.utfsm.cl/sriquelme/apuntes/transistores%20y
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[6] A. P. HUERTAS, «Medium,» Medium, 13 Agosto 2019. [En línea]. Available: https://medium.com/@2420172011/historia-de-los-transistores-y-
su-importancia-en-el-desarrollo-tecnol%C3%B3gico-b8d2aeab5447. [Último acceso: 26 Mayo 2021].
[7] R. E. TIEMPO, «EL TIEMPO,» 17 Febrero 1997. [En línea]. Available: https://www.eltiempo.com/archivo/documento/MAM-581188. [Último
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[8] A. -. C. d. d. Zener, «Característica del diodo Zener,» [En línea]. Available: https://www.uv.es/candid/docencia/ed_prac04.pdf. [Último acceso: 26
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[9] L. D. E. -. D. ZENER, «MAS INK.es,» MAS INK, 1999- 2005. [En línea]. Available: http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp. [Último
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[10] Wikilibros, «WIKIBOOKS,» [En línea]. Available: https://es.wikibooks.org/wiki/Electr
%C3%B3nica_de_Potencia/Transistor_Bipolar_de_Potencia/Problemas_de_dise%C3%B1o. [Último acceso: 26 Mayo 2021].