Rincón Ingenieril. Laboratorio transistores.

Imagen 1: Conexión
Laboratorio Transistores transistor

(Abril 2021)
M. C. Andres Juan, C. L. Brayan Ricardo, R. E. Juan
Sebastian

I. PREGUNTAS PREVIAS AL DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

¿POR QUÉ SE HACE NECESARIO USAR MÉTODOS DE POLARIZACIÓN

EN CIRCUITOS CON TRANSISTORES?

El objetivo de la polarización del transistor es establecer un

punto Q conocido para que el transistor funcione
eficientemente y produzca una señal de salida no
distorsionada. La correcta polarización del transistor también
establece su región operativa de CA inicial con circuitos de
polarización prácticos utilizando una red de polarización de
dos o cuatro resistencias.

¿CUÁL ES LA PRINCIPAL VENTAJA DE POLARIZAR MEDIANTE AUTO

POLARIZACIÓN?

La característica principal del circuito autopolarizado es que

la corriente que circula por el emisor es fijada en función de la
resistencia que se conecte a él.

La corriente que circula por el emisor es a su vez la que

circula por la resistencia del emisor. Considera por el
momento que la tensión en el emisor es 1.9v y que la corriente
que debe circular por el colector es de 0.5mA. Al aplicar la ley
de Ohm en la resistencia del emisor, obtenemos que su valor
será

𝑉𝑒 1.9 𝑉
𝑅𝑒 = 𝐼𝑒
= 0.5 𝑚𝐴
= 3𝐾8 Ω

Por tanto si usamos una resistencia de emisor con un valor

de 3K8Ω y la tensión de emisor es 1.9 V por el emisor
circularán 0.5mA. En una primera aproximación también se
puede considerar este valor para el colector.
¿EN UNMOSFET DE AGOTAMIENTO ES POSIBLE GARANTIZAR UNA ¿CUALES CONFIGURACIONES BÁSICAS DE AMPLIFICADORES CON
TENSIÓN PUERTA-SURTIDOR IGUAL A CERO MEDIANTE LOS MÉTODOS TRANSISTORES MOSFET TIENEN GANANCIA EQUIVALENTE EN
DE POLARIZACIÓN PRESENTADOS? JUSTIFICAR. MAGNITUD? DEDUCIR Y REPORTAR LAS EXPRESIONES PARA LA
TRANSCONDUCTANCIA DE LOS DIFERENTES TRANSISTORES ESTUDIADOS
Ya que un mosfet del tipo de agotamiento puede operar , ya DEPENDIENTES SOLO DE LA CORRIENTE DE POLARIZACIÓN Y
sea en el modo de empobrecimiento en el de enriquecimiento, PARÁMETROS DEL TRANSISTOR (NO DEBEN DEPENDER DE TENSIONES
pueden fijarse en el punto de carga en VGS=0 .por lo tanto ENTRE TERMINALES DEL TRANSISTOR).
una señal de corriente de entrada aplicada en la base produce
variaciones en el punto de Q. 𝑍𝑖𝑛 = ∞

Si tenemos una tensión puerta-surtidor igual a cero genera 1

una ventaja cuando se trata de polarizar ya que no se le aplica 𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐿|| 𝑔𝑚
voltaje a la base no al colector .
𝑔𝑚1𝑅𝐿
La polarización en cero es una característica peculiar de los 𝐴𝑣 = 1+𝑔𝑚1𝑅𝐿
MOSFET, no es aplicable en transistores bipolares o en
JFETS.
Allí se puede observar que la ganancia de tensión es inferior
La transconductancia (gm) es la capacidad que tiene un a uno . Se conoce también como seguidor porque en el mejor
transistor para convertir la tensión aplicada en corriente y está de los casos la ganancia se aproxima a uno y por lo tanto la
directamente relacionada a la capacidad de amplificar señales entrada y salida serían iguales.
de este. La transconductancia entonces se define como la
I. PROCEDIMIENTO
variación de la corriente que circula a través de los terminales
del transistor debido a una variación de la tensión que la
genera.

¿DESCRIBIR UNA APLICACIÓN PARA EL AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE

SURTIDOR?

A pesar de no tener ganancia es muy útil como una etapa de

acople de impedancias o buffer.

¿CUAL DE LAS CONFIGURACIONES DE AMPLIFICADORES CON

TRANSISTORES MOSFET INVIERTE LA SEÑAL DE ENTRADA?

Amplificador CS (amplificador surtidor-común) con

polarización .
A. En primer lugar, se realiza el montaje como se
observa en la imagen 3. Luego de ello se toman las
mediciones del valor real de cada resistencia utilizada y se
procede a hacer los cálculos pertinentes.

Revistas unimilitar. Laboratorio transistores. Imagen 2:Divisor

resistivo con inversión de señal
 Laboratorio transistores. Imagen 3:Montaje polarizacion BJT montaje el 𝐼𝐶 = 12. 6 𝑚𝐴 y β = 170. 27, por consiguiente,
se dice que beta se encuentra en el rango especificado del
𝑅1 = 83. 6 𝐾Ω
datasheet.

𝑅2 = 45. 9 𝐾Ω

𝑅𝐶 = 332 Ω

𝑅𝐸 = 48. 2 Ω

𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉

𝐼𝐶 = 12. 6 𝑚𝐴

Alldatasheet. Laboratorio transistores. Imagen 4:Datasheet transistor

𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐶 = 12. 6 𝑚𝐴 2N3904

En cuanto a la 𝐼𝑆, se puede decir que es la corriente de

𝐼𝐶 = 0. 074 𝑚𝐴 saturación y esta se da cuando se obtiene la máxima corriente
en colector, para calcular eso se tiene que poner en circuito
𝑅1 83.6 𝐾Ω
cerrado las partes del transistor, es decir se quita el transistor y
𝑉𝐵 = 𝑅1+𝑅2
𝑉𝐶𝐶 = 83.6 𝐾Ω + 45.9 𝐾Ω
10 𝑉 = 3. 5 𝑉 se conecta todo. Por tanto el voltaje 𝑉𝐶𝐸 = 0𝑉, teniendo en
cuenta lo anterior se puede hallar 𝐼𝑆 de la siguiente manera:
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 0. 7 𝑉 = 3. 5 𝑉 − 0. 7 𝑉 = 2. 8 𝑉
𝐼𝑆 = 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑅𝐶 = 10 𝑉 − (12. 6 𝑚𝐴)(332 Ω) = 5. 8 𝑉 1+β

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶(𝑅𝐶 + β
𝑅𝐸)

1+170.27
0 = 10 𝑉 − 𝐼𝐶(332 Ω + 170.27
48. 2 Ω)

0 = 10 𝑉 − 𝐼𝐶(380. 48 Ω)

Laboratorio transistores. Tabla 1: Compilación de resultados calculados. 10 𝑉

𝐼𝐶 = 380.48 Ω
= 26. 3 𝑚𝐴

La ganancia de corriente se puede hallar despejando la

fórmula 𝐼𝐶 = β𝐼𝐵, debido a que se tiene conocimiento de los
valores 𝐼𝐶 y 𝐼𝐵 porque se midieron en el montaje de la imagen
3, se calcula de la siguiente manera:
β = 𝐺𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒
𝐼𝐶 12.6 𝑚𝐴
β= = = 170. 27
𝐼𝐵 0.074 𝑚𝐴
Se puede observar en la imagen 4 la parte del datasheet que
indica los rangos de beta en el transistor 2N3904 según
diversas condiciones, en este caso se debe visualizar en el
apartado “DC current gain” que significa ganancia de
corriente DC, y en la parte que indica que al estar con un
valor de aproximadamente 10 𝑚𝐴 entonces el rango de β iría
desde 100 a 400, por tanto, si se observan los datos del
Entonces 𝐼𝑆 va a ser igual a 26. 3 𝑚𝐴, Sabiendo que
𝐼𝑆 = 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥. Seguidamente, con el fin de poder observar la
región de operación del transistor se realiza la recta de carga
del transistor en la aplicación Geogebra, teniendo en cuenta en
el eje Y se encontrara 𝐼𝐶, referente a la corriente del colector, y
en X va a estar 𝑉𝐶𝐸 que hace referencia a el voltaje colector-
emisor. Asimismo, se debe tener en cuenta la máxima 𝐼𝐶 que
corresponde a la corriente de saturación anteriormente hallada
y la máxima 𝑉𝐶𝐸 que hace referencia al punto de corte, para
hallar el punto de corte se utiliza la fórmula anterior sabiendo
que en ese punto 𝐼𝐶 = 0 𝑚𝐴, entonces:
1+β
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶(𝑅𝐶 + β
𝑅𝐸)
 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉

Ahora para saber el punto de operación en el que se

encuentra el transistor se debe de hallar la 𝐼𝐶 y el 𝑉𝐶𝐸 en el que
se encuentra funcionando, según las mediciones realizadas se
sabe que 𝐼𝐶 = 12. 6 𝑚𝐴. Por consiguiente, se vuelve a aplicar
la fórmula anterior para saber el valor de 𝑉𝐶𝐸.

1+β
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶(𝑅𝐶 + β
𝑅𝐸)

1+170.27
𝑉𝐶𝐸 = 10 𝑉 − 12. 6𝑚𝐴(332 Ω + 170.27
48. 2 Ω) = 5. 2 𝑉

Entonces se procede a realizar la gráfica mencionada

anteriormente con los datos ya calculados y se obtiene la Proteus. Laboratorio transistores. Imagen 6: Simulación Proteus.
imagen 5, en la cual se muestra la gráfica de recta de carga
para el transistor 2N3904.

Laboratorio transistores. Tabla 2: Compilación de resultados medidos en

simulación.

La ganancia de corriente se puede hallar despejando la

fórmula hallada anteriormente, esta corresponde a:

β = 𝐺𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒

𝐼𝐶 13 𝑚𝐴
β= 𝐼𝐵
= 0.077 𝑚𝐴
= 168. 83

Geogebra. Laboratorio transistores. Imagen 5:Recta de carga del Como se observó en la parte A, para hallar la corriente de
transistor. saturación 𝑉𝐶𝐸 = 0𝑉, entonces se aplica la fórmula utilizada
anteriormente teniendo en cuenta los valores de cada variable
Se puede observar en la imagen 5 que el transistor, así como que hay en la fórmula.
se observa en el montaje de la imagen 3, se encuentra en la
región de operación directa activa, por tanto, está trabajando 𝐼𝑆 = 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛
cerca de un estado óptimo y eficaz.
1+β
B. Ahora bien, se procede a realizar los mismos cálculos 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶(𝑅𝐶 + β
𝑅𝐸)
que se realizaron con el montaje anterior, pero a nivel de
simulación para poder observar y comparar. Esta simulación 1+168.83
se realizó en la plataforma Proteus y se puede visualizar en la 0 = 10 𝑉 − 𝐼𝐶(330 Ω + 168.83
47 Ω)
imagen 6.
0 = 10 𝑉 − 𝐼𝐶(377. 28 Ω)

10 𝑉
𝐼𝐶 = 377.28 Ω
= 26. 5 𝑚𝐴

Entonces 𝐼𝑆 va a ser igual a 26. 5 𝑚𝐴. Y se puede comprobar

en la imagen 7 donde se pone el circuito simulado en circuito
cerrado.
 Seguidamente, se procede a simular en Proteus el circuito
propuesto con el método de polarización fija, este se puede
observar en la imagen 8, en donde se visualiza que los
resultados de los cálculos se dan perfectamente, acorde a lo
propuesto. Por otro lado, con el fin corroborar que
𝐼𝑆 = 26. 5 𝑚𝐴 se pone el montaje expuesto en la imagen 8 en
un circuito cerrado quitando el transistor, esto se admira en la
imagen 9.

Proteus. Laboratorio transistores. Imagen 7: Simulación Proteus circuito

cerrado.

C. En cuanto a esta tercera sección del primer ejercicio

se procede a realizar dos distintos circuitos en donde se
obtenga la misma 𝐼𝑆 que se obtuvo anteriormente y el mismo β
también, para ello, en el primer circuito se utiliza una
polarización fija, así que se procede a realizar los cálculos Proteus. Laboratorio transistores. Imagen 8: Simulación Proteus circuito
polarización fija.
respectivos para obtener el circuito con la misma 𝐼𝑆 y β.

𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉

𝑅𝐵 = 82 𝐾Ω

𝑉𝐵𝐵−0.7 𝑉 10 𝑉−0.7 𝑉
𝐼𝐵 = 𝑅𝐵
= 82 𝐾Ω
= 0. 11 𝑚𝐴

𝐼𝐶 = β𝐼𝐵 = (168. 83)(0. 11𝑚𝐴) = 18. 6 𝑚𝐴

Una vez realizados los cálculos se observa que el beta es

igual al obtenido del método de polarización anterior
correspondiente a divisor de tensión, ahora bien para asegurar Proteus. Laboratorio transistores. Imagen 9: Simulación Proteus circuito
cerrado polarización fija.
que 𝐼𝑆 sea igual al anterior ejercicio, se debe tener en cuenta
que 𝑉𝐶𝐸 = 0𝑉y hallar el valor de la resistencia de colector. En segundo lugar, se propone un circuito de polarización con
retroalimentación del colector, para ello se procede a calcular
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑅𝐶 los datos respectivos de manera que se obtenga la misma 𝐼𝑆
que se obtuvo anteriormente y el mismo β también.
0 = 10 𝑉 − (26. 5 𝑚𝐴)𝑅𝐶
𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉
10 𝑉
𝑅𝐶 = 26.5 𝑚𝐴
= 377. 4 Ω
𝑅𝐵 = 82 𝐾Ω

Ahora bien, se calcula el 𝑉𝐶𝐸 en el que se encuentra trabajando

Para hallar el valor de 𝑅𝐶 manteniendo que el 𝐼𝑆 = 26. 5𝑚𝐴
el transistor 2N3904 con este método de polarización fija.
entonces se despeja la ecuación:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑅𝐶
𝐼𝐶 26.5 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = β
= 168.83
= 0. 16 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 10 𝑉 − (26. 5 𝑚𝐴)(377. 4 Ω) = 3 𝑉
 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝐼𝐵 + 𝐼𝐶)𝑅𝐶

0 = 10 𝑉 − (0. 16 𝑚𝐴 + 26. 5 𝑚𝐴)𝑅𝐶

0 = 10 𝑉 − (26. 66 𝑚𝐴)𝑅𝐶

10 𝑉
𝑅𝐶 = 26.66 𝑚𝐴
= 375. 09 Ω

Para hallar la corriente que pasa por la base del transistor, la

corriente de colector y la corriente que pasa por la resistencia
de colector en el funcionamiento del 2N3904 polarizado en
retroalimentación de colector se hacen los siguientes cálculos:

𝑉𝐶𝐶 − 0.7 𝑉
𝐼𝐵 = 𝑅𝐶(1+β)+𝑅𝐵 Proteus. Laboratorio transistores. Imagen 11: Simulación Proteus circuito
cerrado polarización de retroalimentación a colector.
10 𝑉− 0.7 𝑉
𝐼𝐵 = (375.09 Ω)(1+168.83)+82 𝐾Ω
= 0. 064 𝑚𝐴

𝐼𝐶 = β𝐼𝐵 = (168. 83)(0. 064 𝑚𝐴) = 10. 8 𝑚𝐴

𝐼𝑅𝐶 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 0. 064 𝑚𝐴 + 10. 8 𝑚𝐴 = 10. 9 𝑚𝐴

A continuación, se comprueba que los cálculos elaborados

anteriormente se cumplan con el circuito propuesto, para ello
se realiza el montaje en Proteus expuesto en la imagen 10. Se
afirmó que los cálculos son correctos y van según la
simulación del montaje. Ahora, para comprobar que
𝐼𝑆 = 26. 5 𝑚𝐴 se quita el transistor y se coloca el circuito
mostrado en la imagen 10 en circuito cerrado, como se
muestra en la imagen 11, y se aseguró que cumple con la
corriente de colector máxima.

A. Al realizar la primera parte se realiza el circuito

pedido y se miden los voltajes y las corrientes de todos los
terminales con el fin de poder observar lo que pasa y calcular
el que 𝑉𝐺𝑆, este circuito se puede observar en la imagen 12.

Proteus. Laboratorio transistores. Imagen 10: Simulación Proteus

circuito polarización de retroalimentación a colector.

Proteus. Laboratorio transistores. Imagen 12: Simulación Proteus

circuito con corto en terminales D y G.
 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆

𝑉𝐺𝑆 = 2. 6 𝑉 − 0 𝑉 = 2. 6 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 2. 88 𝑉 − 0 𝑉 = 2. 88 𝑉

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷 − 𝑉𝑆 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷 − 𝑉𝑆

𝑉𝐷𝑆 = 2. 6 𝑉 − 0 𝑉 = 2. 6 𝑉 𝑉𝐷𝑆 = 3. 25 𝑉 − 0 𝑉 = 3. 25 𝑉

Ahora bien, si se observa el datasheet del 2N7000, se 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻

observará en la imagen 13 la parte donde dice que cuando
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆y que 𝐼𝐷 = 0. 1 𝑚𝐴 entonces el voltaje 𝑉𝐺𝑆(𝑇𝐻)
3. 25 𝑉 ≥ 2. 88 𝑉 − 2. 6 𝑉
estará en el rango de 0.8 V hasta 3 V, teniendo en cuenta que
al poner el circuito de la manera en que se propone en la 3. 25 𝑉 ≥ 0. 28 𝑉
imagen 12, se puede decir que 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆(𝑇𝐻) = 𝑉𝑇𝐻 y dado
que el 𝑉𝐺𝑆 = 2. 6𝑉 entonces se puede decir que el valor Como se observó según los cálculos, al ser 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻
obtenido se encuentra en el rango especificado en el datasheet entonces se dice que el transistor se encuentra trabajando en la
del 2N7000. región de saturación.

C. Seguidamente, teniendo en cuenta las mediciones

mostradas en la imagen 14 se procede a obtener la constante
K, la cual es una constante que se encuentra en función de la
fabricación del MOSFET, para ello se utiliza la fórmula:

𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻)²
Alldatasheet. Laboratorio transistores. Imagen 13:Datasheet MOSFET
2N7000 𝐼𝐷
𝐾= (𝑉𝐺𝑆− 𝑉𝑇𝐻)²
B. Por otro lado, se realiza el circuito propuesto para el
punto B en Proteus y se expone en la imagen 14, en donde se 𝐾=
20 𝑚𝐴
= 0. 26
𝐴
miden los voltajes y las corrientes en cada entrada del (2.88 𝑉− 2.6 𝑉)² 𝑉²

transistor con el fin de poder realizar los cálculos necesarios

para determinar la región de operación en que se encuentra el
transistor 2N7000, teniendo en cuenta que el 𝑉𝑇𝐻 = 2. 6 𝑉 y
se obtuvo por la gráfica del datasheet.

Proteus. Laboratorio transistores. Imagen 14: Simulación Proteus

circuito MOSFET ejercicio 2.B.

𝑉𝑇𝐻 = 2. 6 𝑉
 A. Tiene 2 etapas para M1 es surtidor común y para M2 𝐴 =𝐴 ·𝐴 → donde 𝐴 está afectada por 𝑍
𝑉𝑇 𝑉1 𝑉2 𝑉1 𝐼𝑁2
es drenador común y estos poseen un acople RC. 𝑍 = 29. 8𝐾Ω
𝐼𝑁2
B. Cálculos teóricos
𝑔𝑚1 = 2 𝑘 · 𝐼𝑑1 = 94. 74𝑚𝐴/𝑉
𝑃𝐷 = 𝑉 𝐷𝐷
(𝐼 𝐷1
+ 𝐼 𝑅
+𝐼 𝐷2
)
𝐴 𝑉1
=− 0. 09474 · 384. 96 =− 36. 47𝑉/𝑉
𝑉 𝐷𝐷
𝐼𝑅 = 150𝐾
= 100𝑢𝐴 𝑔𝑚2·𝑅𝑙
𝐴 𝑉2
= 1+𝑔𝑚2·𝑅𝑙
donde Rl=93.75Ω y gm2=0.11A/V
𝑉 𝐷2
=𝑉 𝐷𝐷
=15V
𝐴 𝑉2
= 0. 91𝑉/𝑉
15·109𝑘
𝑉 𝐺2
= 150𝑘
= 10. 9𝑣
𝐴 𝑉𝑇
=− 36. 47 · 0. 91 =− 33. 2𝑉/𝑉
𝑉 𝐺𝑠1
=𝑉 𝐺1
−𝑉 𝑠1
=𝑉 𝐷1
−𝑉 𝑠1
=𝑉 𝐷𝐷
− 390𝐼 𝐷1
−
C. La siguiente imagen es la simulación con transistores
𝑉 𝐺𝑠1
=𝑉 𝐷𝐷
− 490𝐼 𝐷1 2N7000 que es el M1 y el transistor 2N7002 es el M2.

15 −𝑉
𝐼 𝐷1
= 490
𝐺𝑠1
(1)
2
𝐼 𝐷1
= 𝑘(𝑉 𝐺𝑠1
−𝑉 𝑇𝐻
) (2)

1 en 2
15 −𝑉 𝐺𝑠1 2
490
= 0. 085(𝑉 𝐺𝑠1
− 1. 68)

2
15 − 𝑉 𝐺𝑠1
= 41. 65(𝑉 𝐺𝑠1
− 3. 36𝑉 𝐺𝑠1
+ 2. 28)

2
41. 65𝑉 𝐺𝑠1
− 138. 94 + 102. 45 = 0

𝑉 𝐺𝑠1
= 2. 24 ≥ 𝑉 𝑇𝐻

𝑉 =1.1V Proteus. Laboratorio transistores. Imagen 14: Simulación Proteus

𝐺𝑠1 circuito Amplificador multi-etapa cerrado.

𝐼 =
15 −2.24
= 26. 4 𝑚𝐴 La siguiente gráfica es de la tensión de entrada sinusoidal de
𝐷1 490
10m𝑉 𝑝 y una amplitud de 5 hz en esta la tensión de entrada
𝑉 V(in) es baja y como va aumentando hasta la salida del
𝐺𝑠2
circuito V(out).
𝑉 𝐺𝑠2
=𝑉 𝐺2
−𝑉 𝑠2
= 10. 9 − 250𝐼 𝐷2

10.9− 𝑉 𝐺𝑠2 2
𝐼 𝐷2
= 250
, 𝐼 𝐷2
= 𝑘(𝑉 𝐺𝑠1
− 3. 36𝑉 𝐺𝑠1
+ 2. 28)

𝑉 𝐺𝑠2
= 2. 31 ≥ 𝑉 𝑇𝐻

𝑉 𝐺𝑠1
=1

10.7−2.31
𝐼 𝐷2
= 250
= 34. 36𝑚𝐴

𝑃𝐷 = 15(26. 4𝑚 + 0. 1𝑚 + 34. 36𝑚) = 912. 9𝑚𝑊

 Simulink. Laboratorio transistores. Imagen 15: Vin contra vout
simulación.

La siguiente imagen es el punto de operación del circuito

Laboratorio transistores. Imagen 18:Montaje circuito puente H

REFERENCES

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Ingenieril, 2021. [Online]. Available:
https://www.rinconingenieril.es/transistor-bjt-autopolarizado/.
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Simulink. Laboratorio transistores. Imagen 16: punto de operación de
Vin y Vout [2] S. Chaparro and O. Aviles, Revistas.unimilitar.edu.co, 2021. [Online].
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𝐴
𝐼𝐷 = 1. 23 (6. 45 𝑉 − 7. 39 𝑉)² = 1. 087 𝐴 Available:
𝑉²
https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/2842/MOTOROLA/2
N7000.html. [Accessed: 12- Apr- 2021].
∂𝐼𝐷
𝑔𝑚 = ∂𝑉𝐺𝑆
= 2𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻)

𝐴 𝐴
𝑔𝑚 = 2(1. 23 𝑉²
)(6. 45 𝑉 − 7. 39 𝑉) = 2. 31 𝑉

2𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆− 𝑉𝑇𝐻

2 𝐾𝐼𝐷

Proteus. Laboratorio transistores. Imagen 17: Simulación circuito Puente

H