1. ¿Interruptor o amplificador?

El Transistor BJT

Motivación
El crecimiento del desarrollo tecnológico ha marcado un avance importante durante las
últimas décadas en las industrias automotriz, eléctrica, electrónica y médica, lo que
aporta significativamente en la calidad de vida humana, muy especialmente por el grado
de correlación y familiaridad con los productos de estos sectores. Los avances en la
micro y nanoelectrónica han sido determinantes en esta transformación tecnológica
puesto que la integración y optimización de circuitos de propósito específico favorecen
la ergonomía y la adaptación de los sistemas electrónicos a otras interfaces. Así, la
capacidad de impactar positivamente desde la ingeniería electrónica hacia cada uno de
los sectores mencionados, depende de las competencias fundamentales que se gesten
en el desarrollo de su formación.
Los dispositivos electrónicos desempeñan un papel esencial en el contexto tecnológico
actual, puesto que conforman circuitos desarrollados para suplir alguna necesidad de la
vida diaria. Estos dispositivos brindan características que facilitan la transmisión,
recepción, generación y almacenamiento de información por medio del flujo de
electrones. Entre los dispositivos electrónicos básicos encontramos los diodos de unión
P-N, los transistores de unión bipolar BJT, los transistores de efecto de campo MOSFET
y los dispositivos de cuatro capas como los tiristores, con los cuales se debe
experimentar para que los estudiantes de ingeniería electrónica validen su
funcionamiento y curvas características, facilitando la comprensión y el desarrollo de
diferentes circuitos de aplicación. Con esta práctica se pretende que tengas un
acercamiento con el transistor BJT, en el que compararás los modelos matemáticos de
funcionamiento, su respuesta en simulación y su comportamiento real en diferentes
condiciones. Finalmente, desarrollarás competencias con base en herramientas de
análisis y nuevos conocimientos que podrán implementarse para la solución de
situaciones problema presentes en el desarrollo de tu vida profesional y/o cotidiana.

Competencias
 Implementar una metodología, basada en simulación computacional (mediante
paquete PSPICE), para comprender el comportamiento característico del
transistor BJT.
 Proponer mecanismos de experimentación para modelar el comportamiento
característico de un transistor BJT comercial en el laboratorio.
 Construir circuitos de propósito específico en los que se involucran transistores
BJT, cuestionando su actividad funcional cualitativa y cuantitativamente.
Tiempo de ejecución en el laboratorio: 6 horas (equivalente a 2 sesiones)
Número de integrantes por equipo de trabajo: 3
Consignas
1. Al ingresar al laboratorio y con base en las lecturas sugeridas debes haber
identificado previamente los siguientes aspectos relativos a los fundamentos
teóricos pre-conceptuales:
a. ¿En qué aspectos, aplicaciones y condiciones es relevante el uso de los
transistores BJT?
b. ¿Por qué es importante que el ingeniero electrónico conozca el
comportamiento funcional del transistor BJT y su relación con el modelo
analítico de Ebers Moll?
c. ¿Cuáles son los fenómenos físicos internos que caracterizan al transistor
BJT y bajo qué condiciones externas (físicas y/o circuitales) se
desenvuelven?
d. ¿Cuáles son las configuraciones de funcionamiento del transistor BJT, sus
principales características y diferencias?
2. Realiza una consulta en la que identifiques los siguientes tópicos:
a. Modelo analítico de Ebers Moll y su relación con la familia de curvas
características del transistor BJT en funcionamiento directo e inverso.
b. Modos de polarización y los efectos en el funcionamiento de los
transistores BJT.
c. Parámetros de simulación PSPICE del transistor BJT y su relación con la
familia de curvas características.
d. Circuitos básicos para la obtención de la familia de curvas características
del transistor BJT, análisis de carga y punto de operación.
e. Uso de la herramienta EDA Orcad-PSPICE para la simulación y obtención
de la familia de curvas características del transistor BJT en función de los
parámetros de su modelo.
f. Tres (3) circuitos de aplicación con transistores BJT, uno (1) de ellos como
amplificador de una señal AC y los otros dos (2) de libre selección.
3. Selecciona dos (2) circuitos eléctricos que permitan obtener la familia de curvas
características de un transistor BJT en configuración de base común y emisor
común en simulación.
4. Efectúa un análisis de los circuitos seleccionados en la consigna anterior,
obteniendo los valores de voltajes, corrientes, β y α, además de la recta de carga
del transistor BJT y su(s) punto(s) de operación.
5. Proponga un diagrama de flujo en el que muestre detalladamente la metodología
a seguir durante la simulación PSPICE, con el objetivo de obtener las formas de
onda y los valores de voltajes y corrientes, el valor de β y α, al igual que la familia
de curvas características de un transistor BJT en configuración de base común y
 uno en configuración de emisor común, cada uno en función de los parámetros
de su modelo. Esto implica la obtención de la familia de curvas características Ic-
VCB e Ic-VCE respectivamente, la recta de carga y su(s) punto(s) de operación,
para cada una de las variaciones de parámetros que considere conveniente para
su análisis posterior.
6. Realiza la simulación con la herramienta Orcad-PSPICE, siguiendo la
metodología propuesta en la consigna anterior.
7. Registra y compara los resultados obtenidos con el análisis circuital y la
simulación en PSPICE
8. Selecciona dos (2) circuitos eléctricos de polarización de los transistores BJT y
realiza un análisis circuital que te permita identificar en cual región de trabajo se
encuentra el transistor, en caso de no encontrarse en la región activa debes
realizar los cambios necesarios para que trabaje en dicha región, además,
identifica los efectos de cada polarización en el funcionamiento del transistor.
9. Para cada uno de los circuitos de polarización seleccionados, identifica los nodos
más relevantes para el registro de la actividad funcional y realiza una simulación
PSPICE, con la finalidad de obtener las formas de onda de corriente, voltaje y
potencia, los valores de β y α, y verificar su funcionamiento en la región activa.
10. Teniendo en cuenta los circuitos de aplicación seleccionados en la consigna 2.f,
identifica los nodos más relevantes para el registro de la actividad funcional de
los transistores BJT y realiza una simulación PSPICE, de manera que se
obtengan las formas de onda de corriente, voltaje, potencia y los valores de β y
α que permitan validar su comportamiento en la aplicación correspondiente.
11. Registra la información obtenida en la consigna anterior y analiza los resultados
tomando como referencia la fuente bibliográfica consultada (numeral 2.f).
12. Con base en el procedimiento y los resultados de simulación de las consignas 3
a 7, proponga un diagrama de flujo en el que muestre detalladamente la
metodología a seguir para la obtención de la familia de curvas características de
un transistor BJT en base común y emisor común en el laboratorio, además de
los valores y formas de onda de corrientes y voltajes. Considere que un transistor
BJT real tiene especificaciones técnicas de fabricación, descritas en la hoja de
datos suministrada por el fabricante, que definen limitaciones físicas de operación
como corriente máxima, voltaje de polarización, entre otras.
13. De acuerdo con la consigna anterior, realiza una lista de los materiales e
instrumentos necesarios para el desarrollo de la práctica de laboratorio. Discute
con tu tutor la metodología propuesta antes de continuar la práctica.
14. Teniendo en cuenta las sugerencias realizadas por el tutor, ejecuta tu plan de
trabajo, analizando paralelamente la coherencia de los resultados obtenidos en
cada fase.
15. Con el objetivo de validar en el laboratorio las simulaciones realizadas en las
consignas 8 a 9, implementa los circuitos de polarización BJT y obtén las formas
de onda e identifica la región de trabajo en la que se encuentra el transistor BJT,
 al igual que los valores de β y α. Registra las principales observaciones y
curiosidades encontradas.
16. Conforme a las consignas 10 y 11, implementa cuidadosamente los circuitos de
aplicación simulados y formula los criterios de comparación entre los resultados
obtenidos de manera experimental y en simulación.
17. Como resultado del proceso realizado durante la práctica de laboratorio,
construye un texto descriptivo de tipo informe, usando voz pasiva, que involucre
el contexto y motivación (marco teórico fundamental y aplicaciones), los
objetivos, la metodología, los resultados, su análisis y observaciones,
inconvenientes, conclusiones y sugerencias relativas a la ejecución de la
práctica. Debes seguir el formato suministrado por el tutor para la elaboración de
dicho informe.

Referencias
 MILLMAN J. HALKIAS C. Electrónica Integrada, Circuitos y sistemas análogos y
digitales. Prentice Hall. 1984.
 FLEEMAN S. R. ELECTRONIC DEVICES, Discrete and Integrated. Prentice Hall
International Editions. 1990.
 BOYLESTAD R. NASHELSKY L. Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos.
Octava edición. Prentice Hall.