UNIVERSIDAD DE TARAPACÁ

Departamento de Ingeniería
Eléctrica-Electrónica EIEE

PROGRAMA DE ASIGNATURA
Electrónica I
I. IDENTIFICACIÓN
NOMBRE DE LA ASIGNATURA Electrónica I
SEMESTRE CURRICULAR Cuarto Semestre
Nro. DE HORAS SEMANALES Seis (4, 0, 2)
PRE-REQUISITOS Análisis de Circuitos I

II.- OBJETIVOS GENERALES:

 Aplicar los fundamentos, modelos equivalentes, relaciones y características de dispositivos

semiconductores discretos.
 Analizar el funcionamiento de circuitos con dispositivos semiconductores en aplicaciones lineales y
no-lineales.
 Describir y aplicar los modelos adecuados de los dispositivos semiconductores para cada aplicación
específica. Explicar y comprender los rangos de validez y las limitaciones de estos.
 Desarrollar la competencia de aplicación de software especializado.

III.- OBJETIVOS ESPECÍFICOS:

o Describir el principio de funcionamiento y en aplicaciones de los dispositivos semiconductores
discretos: diodo de unión, Transistor Bipolar (BJT) y de Efecto de Campo (FET). Simbología, notación,
características, modelos en continua, alterna, frecuencias medias, baja y alta.
o Analizar circuitos que contengan diodos, BJT y FET en diferentes configuraciones. Comprobar en
laboratorio los principios teóricos.
o Comprender y aplicar correctamente el modelo circuital asociado a los dispositivos semiconductores.
Modelos lineales por tramos. Modelos de parámetros h, pi-híbrido, de baja y alta frecuencia.
o Analizar configuraciones de circuitos amplificadores lineales y no-lineales y obtener sus parámetros:
ganancia, impedancia de entrada, de salida, ancho de banda. En forma analítica y mediante simulación.
o Describir el principio de funcionamiento y los modelos de los amplificadores operacionales ideales y
reales.
o Analizar y diseñar circuitos con Amplificadores Operacionales, realizar prácticas de laboratorio.
o Obtener e interpretar la Respuesta en Frecuencia de amplificadores analíticamente y mediante
simulación.
o Comprobar en laboratorio los principios teóricos fundamentales, complementado con simulación
utilizando software especializado.

IV.- CONTENIDOS PROGRAMÁTICOS

1. Diodos. Fundamentos, modelos y aplicaciones.
Fundamentos de estructura atómica de los elementos. Modelo del átomo. Bandas de energía. Conductores,
aisladores y semiconductores. Enlace covalente. Dopado de semiconductores: tipo P y tipo N. Juntura P-
N. Polarización directa e inversa. El diodo de unión. Característica v-i del diodo. Modelo matemático (ec.
de Schockley) y modelo circuital. Modelo ideal. Modelo lineal por tramos. Equivalente de pequeña señal.
2. Introducción a los Amplificadores.
Características y modelo de un amplificador: Ganancia, impedancia de entrada y de salida. Tipos de
amplificadores: de voltaje, de corriente, de trans-resistencia y de trans-conductancia. Relaciones de
ganancias. Amplificadores en cascada.
3. Dispositivos de Amplificación. Amplificadores Multietapas.
Transistor de unión bipolar (BJT). Relaciones de corriente y voltaje en un BJT. Puerta de entrada (IB-VBE)
y de salida (IC-VCE) del BJT usado como amplificador. Características en emisor común. Modelos
circuitales del BJT (modelo en la región Activa, de Saturación, Corte y modo inverso). Análisis en continua
de circuitos con BJT. Circuitos de polarización del BJT. Modelos de pequeña señal del BJT: modelo r- y
modelo de parámetros h. Configuraciones de amplificadores con transistores. Análisis comparativo entre
configuraciones.

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 Transistor de Efecto de Campo (FET). Características del FET de Unión (JFET). Regiones de operación.
FET de Metal Oxido Semiconductor (MOSFET) de Deplexión y de Enriquecimiento. Circuitos de
polarización de FET. Circuitos equivalentes de pequeña señal del FET. Análisis comparativo entre
amplificadores con BJT y con FET. Circuitos amplificadores multi-etapas.
4. Amplificadores Operacionales. Modelos y aplicaciones lineales y no-lineales.
Característica de los Amplificadores Operacionales (AO) ideales. Modelo lineal en continua, en alterna y
macro-modelo. Análisis de circuitos con amplificadores operacionales ideales (inversor, no-inversor y
diferencial). Aplicaciones lineales (integrador, diferenciador, seguidores, convertidores, etc.). Aplicaciones
no-lineales (detectores, rectificadores de precisión, limitadores, etc.). Características de AO reales,
modelos y parámetros.
5. Comparadores principios y aplicaciones.
Diferencias entre comparadores y amplificadores operacionales. Modelo del comparador. Detector de
cruce por cero. Disparador de Schmitt. Generadores de onda cuadrada astable y mono-estable, triangular,
etc.
6. Respuesta en Frecuencia de Amplificadores.
Modelo y respuesta en frecuencia del BJT y del FET. Métodos del cortocircuito y del valor cero para
determinar las frecuencias de corte. Amplificadores de varias etapas.
7. Introducción a los amplificadores realimentados.
Concepto de retroalimentación negativa y positiva. Definición de índices de mérito de amplificadores
realimentados. Topologías de retroalimentación.

V. ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE
Se utiliza como elemento fundamental la exposición en el aula, apoyada con resolución de ejemplos y
problemas, y complementada con ejercicios y búsqueda de información por parte del alumno fuera del aula.
Estos ejercicios propenden a estimular el aprendizaje autónomo del alumno y le comprometen a buscar
información de diferentes fuentes. Como apoyo se utilizan los libros de texto, la comprobación de la teoría
utilizando simulación computacional y las informaciones técnicas de los fabricantes disponibles en Internet.
En la parte práctica:
- Clases orientada por el profesor, guiando la participación e interrogantes planteados por los alumnos.
-Talleres de resolución de problemas y simulación computacional
- Trabajo en Laboratorio y contrastación con la teoría, para aclarar los conceptos y motivar al estudiante al
aprendizaje autónomo.
- Trabajo en grupo (tareas)

VI. EVALUACIÓN
Evaluación (%)
PRUEBA 1 20
PRUEBA 2 20
EXAMEN 25
Laboratorio (100% asistencia) 15
TaCo (Tareas+Controles) 20

Por las circunstancias actuales, marzo 2020, la evaluación será consensuada con el curso.

VII.- BIBLIOGRAFÍA
Básica:
o Rashid, Muhammad H. “Circuitos microelectrónicos - Análisis y diseño”, International
Thomson, 2000. “Microelectronic Circuits”, 2nd Ed, Cengage Learning, 2011.
o Goody, R. “OrCAD PSpice para windows”, Pearson, [2004] (Tres volúmenes, Vol.I y II)

Complementaria:
o Cathey, J. - Schaums – “Electronic Devices and Circuits”, McGraw-Hill, 2002.
o R. C. Jaeger- T. N. Blalock, "Microelectronic Circuit Design", 5th E, 2016.
o Sedra, A., “Circuitos microelectrónicas”, McGraw-Hill, 2006.
o Jaeger, R. “Diseño de circuitos microelectrónicos”, McGraw-Hill, 2005.
o Horenstein, M. N, "Microelectrónica: Circuitos y dispositivos", 2da edición, Prentice Hall, 1997.
o Malik, N. R., "Circuitos Electrónicos: Análisis, simulación y diseño", Prentice Hall, 1998.
o Roberts, G; Sedra, A, "Spice", 2e, Oxford University Press, 1998.
o Scherz, P., “Practical Electronics for Inventors”, McGraw-Hill, 2000.
o Al-Hashimi, Bashir, “Art Of Simulation Using Spice: Analog & Digital”, CRC PRESS, 1995.

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 8.INFORMACIÓN ADICIONAL

Curso Interactivo de Física: http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica/

Apps de Física: https://www.walter-fendt.de/html5/phes/

ELECTRÓNICA BÁSICA:
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/default.htm

ELECTRIC CIRCUIT STUDY APPLETS: JAMES SVOBODA

http://people.clarkson.edu/~jsvoboda/eta/ecsa.html

JAVA APPLET IS AN ELECTRONIC CIRCUIT SIMULATOR

http://www.falstad.com/circuit/directions.html

ORCAD: Programa de simulación circuitos eléctricos y electrónicos:

https://www.orcad.com/resources/download-orcad-lite

DECANO DE FACULTAD / ESCUELA DIRECCIÓN DE DOCENCIA

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