Diodos y sus características
Diodos y sus Características
Investigación
Universidad el Bosque, Bogotá DC., Colombia
Octubre de 2020
Valeria Gómez Giraldo, vgomezgi@unbosque.edu.co
I. INTRODUCCIÓN
El presente documento expone diferentes tipos
de diodos y sus características. Los diodos se
encuentran entre los dispositivos más importantes
de los circuitos de potencia, aunque tienen
algunas limitaciones. En primer lugar, los diodos
son dispositivos unidireccionales, es decir, la
corriente puede circular sólo en un sentido. El
único procedimiento de control para ello es
invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. Ya que al
encontrarse polarizados de manera contraria
(mayor voltaje en el cátodo que en el ánodo), no
circulará corriente en ninguna dirección.
Entre los diodos, hay una categoría llamada
diodos de potencia, estos se caracterizan porque
en estado de conducción deben ser capaces de
soportar una alta intensidad con una pequeña
caída de tensión. En sentido inverso, deben ser
capaces de soportar una fuerte tensión negativa
de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.
Figura 1. Curva característica del diodo.
En la figura 1, VRRM es la tensión inversa máxima
y VD es la tensión de codo, que se representa con
la siguiente ecuación:
𝐼 = 𝐼𝑆 × (𝑒 𝑞𝑉𝐼𝐾𝑇 − 1)
Existen diferentes características con las cuales se
pueden identificar las diferencias entre los
diferentes diodos. Estas características son
agrupadas como se muestra a continuación:
Características estáticas
• Parámetros en bloqueo (polarización
inversa)
✓ Tensión inversa de pico de trabajo
(VRWM): es la que puede ser soportada
por el dispositivo de forma continuada,
sin peligro de entrar en ruptura por
avalancha.
✓ Tensión inversa de pico repetitivo
(VRRM): es la que puede ser soportada en
picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de
forma continuada.
✓ Tensión inversa de pico no repetitiva
(VRSM): es aquella que puede ser
soportada una sola vez durante 10ms
cada 10 minutos o más.
✓ Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza,
aunque sea una sola vez, durante 10 ms el
diodo puede destruirse o degradar las
características del mismo.
✓ Tensión inversa contínua (VR): es la
tensión continua que soporta el diodo en
estado de bloqueo.
Figura 2. Parámetros en bloqueo.
 Diodos y sus características

• Parámetros en conducción de conducción, si se desprecia la potencia

✓ Intensidad media nominal (I F(AV)): es el disipada debida a la corriente de fugas.
valor medio de la máxima intensidad de
impulsos sinusuidales de 180º que el Se define la potencia media (PAV) que puede
diodo puede soportar. disipar el dispositivo, como:
✓ Intensidad de pico repetitivo (I FRM ): es
aquella que puede ser soportada cada 20
ms, con una duración de pico a 1 ms, a
una determinada temperatura de la Si incluimos en esta expresión el modelo
cápsula (normalmente 25º).
estático, resulta:
✓ Intensidad directa de pico no repetitiva
(IFSM ): es el máximo pico de intensidad
aplicable, una vez cada 10 minutos, con
una duración de 10 ms.
✓ Intensidad directa (I F ): es la corriente
que circula por el diodo cuando se y como:
encuentra en el estado de conducción.

• Modelo estático

es la intensidad media nominal

es la intensidad eficaz al cuadrado

Figura 3. Modelos estáticos del diodo. Nos queda finalmente:

Características dinámicas
• Tiempo de recuperación inverso (t rr)
(ver capítulo IV)
• Influencia del trr en la conducción
(ver capítulo VII)
• Tiempo en recuperación directo
Potencias
• Potencia máxima disipable
Es un valor de potencia que el dispositivo
puede disipar, pero no debemos confundirlo
con la potencia que disipa el diodo durante
el funcionamiento, llamada esta potencia de
trabajo.
• Potencia inversa de pico repetitivo
• Potencia media disipada
Es la disipación de potencia resultante
cuando el dispositivo se encuentra en estado
Generalmente el fabricante integra en las
hojas de características tablas que indican
la potencia disipada por el elemento para
una intensidad conocida.
Otro dato que puede dar el fabricante es
curvas que relacionen la potencia media con
la intensidad media y el factor de forma (ya
que el factor de forma es la intensidad eficaz
dividida entre la intensidad media).
Es la máxima potencia que puede disipar el
dispositivo en estado de bloqueo.
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• Potencia inversa de pico no repetitivo

Similar a la anterior, pero dada para un • Diodos rectificadores para baja frecuencia
pulso único.
IFAV : 1A – 6000 A
Características térmicas VRRM: 400 – 3600 V
VFmax : 1,2V (a I FAVmax)
Protección contra sobreintensidades trr: 10 µs

A continuación, se presentan los capítulos. Cada Aplicaciones:

capítulo responde a una de las siguientes Rectificadores de red
preguntas: Baja frecuencia
I.
II. ¿Cuáles son los tipos de diodos de • Diodos de conmutación rápida (Fast y Ultrafast)
potencia?
IFAV : 30A – 200 A
III. ¿Qué es la corriente de fuga de los diodos?
VRRM: 400 – 1500 V
IV. ¿Qué es el tiempo de recuperación inversa VFmax : 1,2V (a I FAVmax)
de los diodos? trr: 0,1 - 10 µs
V. ¿Qué es la corriente de recuperación
inversa de los diodos? Aplicaciones:
VI. ¿Cuál es la causa del tiempo de Conmutación a alta frecuencia, mayor a 20kHz.
recuperación inversa de un diodo de unión Inversores.
PN? UPS.
Accionamiento de motores CA.
VII. ¿Cuál es el efecto del tiempo de
recuperación inversa?
• Diodos Schottky
VIII. ¿Qué es el tiempo de recuperación directo?
IX. ¿Cuáles son las diferencias principales IFAV : 1A – 120 A
entre los diodos de unión PN y los diodos VRRM: 15 – 150 V
Schottky? VFmax : 0,7V (a I FAVmax)
X. ¿Cuáles son las limitaciones de los diodos trr: 5 ns
Schottky?
Aplicaciones:
XI. ¿Cuál es el tiempo de recuperación inversa
Fuentes conmutadas.
típico de los diodos de uso general? Convertidores.
XII. ¿Cuál es el tiempo de recuperación inversa Diodos de libre circulación.
típico de los diodos de recuperación Cargadores de baterías.
rápida?
• Diodos de alta tensión

II. TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA IFAV : 0,45A – 2 A

VR: 7,5kV – 18kV
A continuación, se presentan diferentes diodos de VRRM: 20V – 100V
potencia junto con los siguientes parámetros: trr: 150ns

✓ Intensidad media nominal Aplicaciones:

✓ Tensión inversa de pico repetitivo Aplicaciones de alta tensión.
✓ Tensión máxima
✓ Tiempo de recuperación inversa (trr)
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• Diodos de alta corriente

IFAV : 50A – 7000 A

VRRM: 400V – 2500V
VFmax : 2V
trr: 10 µs

Aplicaciones:
Aplicaciones de alta corriente.

• DIAC

El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un Figura 4. Curva característica de un diodo de

dispositivo semiconductor doble de dos silicio con sus características.
conexiones. Es un diodo bidireccional
autodisparable que conduce la corriente sólo tras
haberse superado su tensión de disparo IV. TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSA DE
alternativa, y mientras la corriente circulante no LOS DIODOS
sea inferior al valor triple de voltios característico
para ese dispositivo. El tiempo de recuperación inversa de un diodo
está dado por el tiempo de almacenamiento del
• TRIAC diodo sumado al tiempo de caída. Esto se observa
en la figura 3 y es explicado luego de ella.
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un
dispositivo semiconductor, de la familia de los
tiristores. La diferencia con un tiristor
convencional es que éste es unidireccional y el
TRIAC es bidireccional. De forma coloquial
podría decirse que el TRIAC es un interruptor
capaz de conmutar la corriente alterna.

III. CORRIENTE DE FUGA DE LOS DIODOS

La corriente de fuga de un diodo es una pequeña

corriente que circula por la superficie del diodo.
Esta corriente es función del voltaje aplicado al
diodo y es directamente proporcional a él, es
decir, cuando aumenta el voltaje aplicado al
diodo, la corriente de fuga en él también aumenta.
Figura 5. Gráfica de recuperación inversa del
diodo.
El paso del estado de conducción al de bloqueo
en el diodo no se efectúa instantáneamente. Si un
diodo se encuentra conduciendo una intensidad
IF, la zona central de la unión P-N está saturada
de portadores mayoritarios con tanta mayor
densidad de éstos cuanto mayor sea I F. Si
mediante la aplicación de una tensión inversa
forzamos la anulación de la corriente con cierta
velocidad di/dt, resultará que después del paso
por cero de la corriente existe cierta cantidad de
portadores que cambian su sentido de
 Diodos y sus características

movimiento y permiten que el diodo conduzca en • Para ta = tb trr = 2ta

sentido contrario durante un instante. La tensión • Para ta = trr tb = 0
inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta
después del tiempo ta llamado tiempo de En el primer caso obtenemos:
almacenamiento, en el que los portadores
empiezan a escasear y aparece en la unión la zona
de carga espacial. La intensidad todavía tarda un
tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de
un valor de pico negativo (I RRM) a un valor
despreciable mientras van desapareciendo el
Y en el segundo caso:
exceso de portadores.

• ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo

que transcurre desde el paso por cero de la
intensidad hasta llegar al pico negativo.
• tb (tiempo de caída): es el tiempo
transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que ésta se anula, y es
debido a la descarga de la capacidad de la
unión polarizada en inverso. En la práctica
se suele medir desde el valor de pico
negativo de la intensidad hasta el 10 % de
éste.
• trr (tiempo de recuperación inversa): es la
suma de ta y tb .
V. CORRIENTE DE RECUPERACIÓN INVERSA
DE LOS DIODOS
La corriente de recuperación inversa es aquella
que fluye debido a la presencia de portadores
minoritarios cuando un diodo se encuentra
polarizado de manera inversa. Es conocido que
esta polarización se genera cuando existe mayor
voltaje en el cátodo que en el ánodo.

• Qrr : se define como la carga eléctrica VI. TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSA DE

desplazada, y representa el área negativa de
la característica de recuperación inversa del
diodo.
• di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
• Irr : es el pico negativo de la intensidad.
La relación entre tb /ta es conocida como factor de
suavizado "SF".
Si observamos la gráfica podemos considerar
Qrr por el área de un triángulo:
De donde:
UN DIODO DE UNIÓN PN
Cuando se aplica una polarización directa a una
unión p-n, la densidad de portadores minoritarios
tiene un incremento de los portadores
minoritarios en las adyacencias de la unión
provenientes de la inyección desde el otro lado de
la unión donde están en exceso por ser
mayoritarios.
Si la polarización de un circuito con un diodo
polarizado en sentido directo, pasa a ser en
sentido inverso, la corriente no podrá pasar
inmediatamente al valor que corresponde a la
polarización inversa. La corriente no puede
anularse a su valor de equilibrio hasta que la
distribución de portadores minoritarios.

Para el cálculo de los parámetros I RRM y

Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes
casos:

VII. EFECTO DEL TIEMPO DE RECUPERACIÓN
INVERSA
En el capítulo IV se entregó la definición del
tiempo de recuperación inversa. Ahora, es
importante Si el tiempo que tarda el diodo en
conmutar no es despreciable:
• Se limita la frecuencia de funcionamiento.
• Existe una disipación de potencia durante el
tiempo de recuperación inversa.
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar
diodos de recuperación rápida.
Factores de los que depende trr:
• A mayor I RRM menor trr.
• Cuanta mayor sea la intensidad principal que
atraviesa el diodo mayor será la capacidad
almacenada, y por tanto mayor será trr.
VIII. TIEMPO DE RECUPERACIÓN DIRECTO
El tiempo de recuperación en directo es aquel
tiempo que se demora el diodo en pasar de
bloqueo a conducción.
tfr (tiempo de recuperación directo): es el tiempo
que transcurre entre el instante en que la tensión
ánodo-cátodo se hace positiva y el instante en que
dicha tensión se estabiliza en el valor VF.
Este tiempo es bastante menor que el de
recuperación inversa y no suele producir pérdidas
de potencia apreciables.
Figura 6. Tiempo de recuperación en directo del
diodo.
Diodos y sus características
IX. DIFERENCIAS ENTRE LOS DIODOS DE
UNIÓN PN Y LOS DIODOS SCHOTTKY
La carga recuperada de un diodo Schottky es
mucho menor que la de un diodo equivalente de
unión PN. Un diodo de Schottky tiene una caída
de voltaje relativamente baja en sentido directo.
La corriente de fuga de un diodo Schottky es
mayor que la de un diodo de unión PN. A
diferencia del diodo semiconductor normal que
tiene una unión PN, el diodo Schottky o diodo de
barrera tiene una unión Metal-N. Estos diodos se
caracterizan por su velocidad de conmutación y
una baja caída de voltaje cuando están
polarizados en directo (típicamente de 0.25 a 0.4
voltios). Sus curvas son mostradas en la figura 7.
Figura 7. Curvas de diodo PN y diodo Schottky.
El diodo PN común tiene la curva en color rojo y
el diodo Schottky en color azul. Se observa del
diagrama que el diodo Schottky tiene una caída
de voltaje cuando está polarizado en directo
menor que la que tiene el diodo PN. También se
observa que sucede lo mismo cuando los diodos
se polarizan en inverso. El diodo Schottky o
diodo de barrera, se llama así en honor del físico
alemán Walter H. Schottky.
X. LIMITACIONES DE LOS DIODOS SCHOTTKY
A continuación, se presentan algunas
limitaciones de los diodos Schottky:
• El voltaje máximo admisible para este diodo
se limita en general a 100 V.
 Diodos y sus características

• El diodo Schottky tiene poca capacidad de [3] ¿Qué es el diodo Schottky?

conducción de corriente en directo (en https://unicrom.com/que-es-diodo-
sentido de la flecha). Esta característica no schottky/#:~:text=A%20diferencia%20d
permite que sea utilizado como diodo el%20diodo%20semiconductor,de%200.
rectificador. Hay procesos de rectificación 25%20a%200.4%20voltios
en que la cantidad de corriente que tiene que
conducir en sentido directo es bastante [4] Diodo Schottky barrera.
grande. https://www.monografias.com/trabajos-
pdf2/diodo-schottky-barrera/diodo-
schottky-barrera2.shtml
• El diodo Schottky no acepta grandes voltajes
que lo polaricen inversamente (VCRR).
[5] Corriente de recuperación en sentido
inverso.
• El proceso de rectificación antes https://www.coursehero.com/file/
mencionado también requiere que la tensión p5f5m1r/24-Qu%C3%A9-es-la-
inversa que tiene que soportar el diodo sea corriente-de-recuperaci%C3%B3n-en-
grande. sentido-inverso-de-los-diodos-Es-la
[6]
XI. TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSA [7]
TÍPICO DE LOS DIODOS DE USO GENERAL [8]
[9]
El tiempo de recuperación inversa típico de los [10]
diodos de uso general es de aproximadamente [11]
10µs. [12]
[13]
XII. TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSA [14]
TÍPICO DE LOS DIODOS DE RECUPERACIÓN
[15]
RÁPIDA
[16]
[17]
Porque los diodos de recuperación rápida tienen [18]
un tiempo de recuperación corto por lo que son [19]
buenos para conmutaciones rápidas. Los diodos
[20]
de recuperación rápida tienen tiempo de
[21]
recuperación corto, en el caso normal menor que
5μs. [22]
[23]
XIII. REFERENCIAS [24]
[25]
[1] Diodo. [26]
https://www.uv.es/~marinjl/electro/diod [27]
o.htm [28]
[29]
[2] Diodos. [30]
http://www.asifunciona.com/fisica/af_di [31]
odos/af_diodos_6.htm [32]
[33]
[34]