TRABAJO DE LABORATORIO ° 06 - EL TRANSISTOR, SUS PRINCIPIOS Y ALGUNAS APLICACIONES FUNDAMENTALES (VF) - 28 Feb2020

U UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA
N “ANTONIO JOSÉ DE SUCRE”

E VICE-RECTORADO “LUÍS CABALLERO MEJÍAS”
X NÚCLEO CHARALLAVE
P
O
COORDINACIÓN DE INGENIERIA MECATRÓNICA CHARALLAVE, 01 Diciembre 2019
ASIGNATURA: LABORATORIO DE ELECTRONICA I / SECCIÓN: 01 TIEMPO ESTIMADO: 20 Horas ( 5 SESIONES )
PROFESOR: ANDRÉS HERRERA ULTIMA VERSION: 28 Febrero 2020
OBJETIVOS: Al finalizar este Trabajo de Laboratorio Usted estará en capacidad de:

- Identificar un Transistor y sus terminales Base, Colector y Emisor.
- Polarizar correctamente un transistor NPN y PNP.
- Obtener experimentalmente y graficar la curva característica de un transistor
- Determinar teórica y experimentalmente el Punto de Operación “ Q “ de un
transistor.
- Explicar el funcionamiento de un transistor en configuración base común, emisor
común y colector común y describir sus aplicaciones en Electrónica.
- Establecer y Analizar los Modelos Teóricos y Experimentales del Transistor.
- Modificar el Estado de Operación de un Transistor, colocándolo en la Zona de
Trabajo deseada (Corte, Activa y Saturación).
RECURSOS DE APRENDIZAJE
TRANSISTORES: BD137, BC548, BC548B, BC107B, INSTRUMENTOS Y EQUIPOS DE LABORATORIO:
BC3904, BC3906, 2N2222, 2N3055 ó Equivalentes. Multímetro, Osciloscopio, Generador de Audio
provistos de puntas de pruebas. Fuentes de Tensión
Fija ( 5V) y Variable ( 0 @ 30V).
RESISTENCIAS: 220 Ω/0.5W, 390Ω/4W, 1k/0.5W,
22Ω/ 1W, 68 KΩ/0.5W, 27KΩ/0.5W, 560Ω/0.5W,
MISCELÁNEOS: Protoboard, Pinzas para
6,8KΩ/ O.5W. POTENCIÓMETRO: 50 K
Electrónica, Cables de conexión.
Papel milimetrado
FUNDAMENTACIÓN TEÓRICA
Un Transistor es un Componente o dispositivo electrónico que permite regular el paso
del flujo de corriente o de tensión en un circuito, actuando bien sea como un interruptor
y/o Amplificador de señales eléctricas (tensiones y corrientes). Tiene muchas
aplicaciones en Electrónica de gran uso en Industrias, la Ciencia y la Tecnología.
La invención del transistor por William Bradford Shockley fue en EMISOR COLECTOR
N P N
1948 y fue galardonado con el premio Novel de física.. Su invento inició E C
una auténtica revolución en la Electrónica que ha superado cualquier B
previsión inicial. Fue durante tres décadas el dispositivo favorito en el BASE
diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso de los
transistores Bipolares (BJTs ) ha declinado en favor de la tecnología + IC COLECTOR ( C )
CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados.
BASE ( B)
Algunos historiadores lo consideran como “el mayor invento del + IB
siglo XX”. Fue un invento fundamental para el desarrollo tecnológico de - IE
nuestro tiempo. Sin los transistores el mundo tecnológico que nos rodea
EMISOR ( E )
no habría sido posible: radio, televisión, calculadoras, relojes digitales,
ordenadores, MP3, equipos de música, DVD.
Trabajo de Laboratorio N°02 “ EL TRANSISTOR, FUNDAMENTOS BASICOS Y ALGUNAS APLICACIONES”.

Principios de funcionamiento. Curvas Caracteristicas y Configuraciones Basicas. Modelos Estaticos y Dinamicos.
Regiones de Trabajo y Puntos de Operación. Lic. ANDRES HERRERA. UNEXPO – Nucleo Charallave.
Diciembre 2019. Página 1
El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo de estado sólido, que consiste en dos
uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además
de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.
El transistor está formado por la unión de tres semiconductores. Puede ser NPN o PNP. En
nuestro caso un NPN. Tiene tres patillas: Emisor, Base y Colector. Sobre su carcasa encontremos
escrito su nombre o referencia. Este es su símbolo. La intensidad entra en el transistor por el colector
( C ) y sale por el emisor ( E ). La intensidad que entra por la base (B) del transistor es la responsable
de controlar el funcionamiento del transistor, que puede funcionar como un Interruptor o como un
Amplificador. Hay que analizar cada transistor dentro del circuito en el que se encuentra, de modo
que, dependiendo de la intensidad que entra por su base (IB) se comportará como un INTERRUPTOR
( que se abre o se cierra entre colector y emisor) o como un AMPLIFICADOR (que deja pasar mas o
menos intensidad de colector a emisor dependiendo del valor de la IB)
El Transistor es un dispositivo cuya

resistencia interna puede variar en función de la
señal de entrada. Esta variación de resistencia
provoca que sea capaz de regular la corriente que
circula por el circuito en que se encuentre
conectado.
La denominación de bipolar se debe a que

la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento
de portadores de dos polaridades (huecos (+) y
electrones (-), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones.
EL TRANSISTOR SIN POLARIZAR
El transistor esta compuesto por tres zonas

de dopado, como se muestra en la figura. La zona
derecha es el "Colector", la zona central es la
"Base" y la zona izquierda es el "Emisor". El Emisor
está muy impurificado, la Base tiene una
impurificación muy baja, mientras que el Colector
posee una impurificación intermedia.
Un transistor se puede suponer similar a

dos diodos conectados como se muestra en la
figura, pero no se debe confundir esta suposición,
de que es igual a dos diodos entre si, tiene dos
uniones: una entre el emisor y la base y la otra
entre la base y el colector. El emisor y la base
forman uno de los diodos, llamado Diodo Base-
Emisor o "Diodo de emisor" mientras que el
colector y la base forman el otro, llamado Diodo FIGURA N°1: CORTES TRANSVERSALES DEL TRANSISTOR,
Base- Colector o "Diodo de colector". MOSTRANDO LAS ZONAS DE UNION DEL TRANSISTOR,
SIMBOLOS Y MODELOS SUPUESTOS

ANTES Y DESPUÉS DE LA DIFUSIÓN
Consideremos un transistor NPN sin polarizar, tal como se muestra en la Figura N° 2 ( sin
pilas y en circuito abierto ), en estas condiciones se produce un efecto llamado "Difusión" (como un
gas en una botella), donde los electrones cruzan de la zona n a la zona p, se difunden, encuentran un
hueco y se recombinan.
Esto hace que en las uniones entre las zonas n

y p se creen iones positivos y negativos. Esta difusión y
recombinación se da hasta llegar al equilibrio, ósea,
hasta conseguir una barrera de potencial de 0,7 V (para
el Si). Se crean dos zonas de deplexión ( z.c.e ), una en
la unión base – emisor E-B (WE) y otra en la unión base
– colector C-B (WC ).
FIGURA N° 2: EFECTO DE LA DIFUSIÓN EN UN
DIODO DE UNIÓN SIN POLARIZACIÓN.
EL TRANSISTOR POLARIZADO
Si se conectan fuentes de tensión externas para polarizar al transistor, se obtienen resultados

nuevos e inesperados. Hay 3 configuraciones: Base común (BC), Emisor común (EC) y Colector
común (CC). Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas diferentes, de
manera que el transistor puede trabajar de 12 formas diferentes.
FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR
La figura siguiente muestra un transistor NPN configurado en base común. Físicamente está
compuesto de tres partes, Emisor, Base y Colector, siendo la Base, la región más estrecha.
IE VBE VCB IC
IB
Base
VEE VCC
FIGURA N°3: TRANSISTOR NPN CONFIGURADO EN BASE COMUN. PROCESO DE DIFUSION DE PORTADORES DE CARGA HACIA
EL COLECTOR Y ESTABLECIMIENTO DEL SENTIDO DE CIRCULACION DE LAS CORRIENTES DE BASE, COLECTOR Y EMISOR.

La fuente de tensión VEE polariza directamente la unión PN de Base-Emisor, lo cual da lugar
a que el emisor inyecte electrones en el material tipo P de la base. La mayoría de los electrones
atraviesan la estrecha región de base, cruzan la segunda unión y llegan a la región N polarizada
positivamente ( zona derecha ), que constituye el colector. Un reducido porcentaje de estos
electrones, alrededor del 1% de los electrones son capturados por la base. Los Huecos de la base
van hacia el emisor.
Mientras que la unión Base-Emisor representa a un diodo polarizado directamente, con sus
propiedades características de baja impedancia y baja caída de tensión, la unión Base-Colector esta
inversamente polarizada debido al signo de la fuente VCC. Esta unión BC constituye en esencia un
diodo polarizado inversamente, y de impedancia muy elevada.
En un transistor NPN, la corriente media en el circuito de emisor (IE ) se toma positiva si sale
del Emisor ( E), tal lo indica el símbolo del transistor. La corriente medida en el circuito colector ( IC ),
se toma positiva entrando al Colector, mientras que la corriente de base ( IB ) es positiva si entra a la
Base del componente. En el transistor PNP, el sentido de las corrientes es opuesto al NPN.
En general, esto es relativo, no existe una regla general para adoptar el sentido positivo de
las corrientes. Por lo general, se consideran como positivas todas las corrientes que entran al
transistor y negativas, las que salen de él.
La corriente de colector ( IC ), consta de dos componentes, siendo la más importante la

debida al alto porcentaje de electrones emitidos por el Emisor y que alcanzan la zona de colector
( Electrones Rojos desde E hasta C ). Este porcentaje depende exclusivamente de los aspectos de
construcción del transistor ( tamaño y forma del material y dopado del emisor ) y puede considerarse
constante en un transistor especifico. La Constante de Proporcionalidad se le llama Alpha “ α “ ( o
hFB ), ósea la proporción de Corriente de Colector aportada entre el Emisor y el Colector es αIE ,
que representa aproximadamente un 90% al 99% de la Total. El segundo aporte a la corriente de
colector lo representa el flujo de corriente a través de la unión Colector – Base, inversamente
polarizada cuando IE = 0. A esta fracción comúnmente se le denomina ICBO (antigua Io en el
diodo). La ICBO representa entre el 1% al 10% de la Total Corriente de Colector, según sea el
aporte de la fracción EC. Ahora bien, como ambas corrientes entran al Colector, se considera a este
sentido como positivo para la Corriente de Colector y por lo tanto se debes cumplir que:
IC = αIE + ICBO ( 1 )
Si aplicamos las Leyes de Kirchhoff al circuito

siguiente tenemos que:
IE = IB + IC (2)
IE VBE VCB IC
Sustituyendo (1) en ( 2 ): IB
IE = IB + ( αIE + ICBO )
FIGURA N°4: SENTIDO DE CIRCULACION DE LAS CORRIENTES
IE ( 1 - α ) = IB + ICBO DE BASE, COLECTOR Y EMISOR EN CONFIGURACION BASE
COMUN EN UN TRANSISTOR NPN.

Si despejamos la corriente de Base IB , tenemos:
IB = IE ( 1 - α ) - ICBO , pero IE = IB + IC , luego resulta que:
IB = ( IB + IC ) ( 1 - α ) - ICBO = ( IB + IC ) - α( IB + IC ) - ICBO
IB = IB (1 - α ) + IC ( 1 - α ) - ICBO
α IB = IC ( 1 - α ) - ICBO , finalmente tenemos:
IB = [ (1 - α )/ α ] IC - ICBO / α ( 3a )
IB = IC / β - ICBO / α ( 3b )
Siendo β = α/(1 - α ), y representa una Ganancia de Corriente entre el Colector y

el Emisor. Al parámetro β también se le llama como hFE.
ANALISIS DE LA UNION BASE – EMISOR

Apliquemos ahora la Ley de Kirchhoff de las Tensiones a la malla Base – Emisor de Entrada en
el sentido de circulación de la corriente de base:
VBE + IE RE - VEE
Luego, la Corriente de Emisor será :
IE = ( VEE – VBE ) / RE ( 4 )
Donde VBE es la tensión en la unión Base – Emisor, polarizada directamente. La Figura N°5
muestra la Curva Característica Tensión Vs Corriente y el Punto de Operación ( Q ) de esta
unión BE.

Es importante tener presente que esta Curva Característica depende del estado de la unión
del Colector y de la Temperatura de Trabajo, pero en condiciones normales de Trabajo son pequeñas
y se desprecian.
De manera similar a como ocurre con los diodos, en los transistores también existe una
tensión umbral o de codo ( VBEQ ), en los de silicio es 0,7 V. La experiencia con los diodos también
nos indica que el transistor tiene un comportamiento similar, de tal manera que es posible linealizar
esta unión Base – Emisor y obtener modelos lineales aproximados de los transistores.
La resistencia rd representa la pendiente de la recta de Carga en el Punto Q. Si aplicamos

-3
la ecuación del diodo: rd = VT / IEQ , entonces rd ≈ ( 25 x 10 / IEQ ) Ω , a Temperatura
ambiente. Con VT = KT / q.
Esta resistencia suele ser relativamente pequeña y por lo tanto, la impedancia vista en el
circuito Base – Emisor es muy reducida. En los casos donde se estudia el comportamiento en gran
señal se considera esta impedancia de entrada muy pequeña y despreciable, de manera que
rd ≈ 0 Ω , también se adoptara para los transistores de silicio una tensión umbral ( o de codo ),
VBEQ = 0,7 V.
MODELO LINEALIZADO DEL TRANSISTOR POR

TRAMOS EN LA UNION BASE - EMISOR
Con la finalidad de mostrar el uso del Modelo RC

Linealizado del Transistor por Tramos consideremos
el circuito siguiente, al cual se le ha agregado una
Fuente de Tensión Variable en el tiempo de la forma
Vi (t) = Vm Cos ωt tal como muestra la Figura N°6.
FIGURA N°6: TRANSISTOR NPN EN BASE COMUN
En primer lugar debemos obtener el Circuito ALIMENTADO CON UNA SEÑAL ALTERNA QUE
Equivalente del Circuito de Entrada Base – Emisor en DC PROPORCIONA UNA ENTRADA Vi(t) = VmCosωt
(o Estática ), aplicando el Principio de Superposición. En
este caso, se elimina la Fuente de AC y se construye la
Curva Característica, y se traza la Recta de Carga del Según la Curva Característica en
Circuito de Entrada. Estática obtenida del Circuito de Entrada Base –
De acuerdo con el circuito, su Curva Emisor, el circuito equivalente por tramos será:
Característica en Estática del Circuito de
Entrada Base – Emisor será:
iE
Pendiente = 1/rd
IE
IEQ Q
Pendiente = -1/Re
VBEQ VEE vBE

0,7V
FIGURA N°7: CURVA CARACTERÍSTICAEN ESTÁTICA FIGURA N°8: CIRCUITO EQUIVALENTE POR TRAMOS
DEL CIRCUITO DE ENTRADA BASE- EMISOR Y RECTA DEL CIRCUITO DE ENTRADA BASE-EMISOR
DE CARGA DEL CIRCUITO DE ENTRADA.

Obtenido el Circuito Equivalente por Tramos en DC del Circuito de Entrada Base-Emisor, le
agregamos ahora la Fuente de AC, para así completar el Modelo por Tramos del Circuito de Entrada
Base-Emisor. La Nueva Curva Característica del Circuito de Entrada se muestra a la derecha.
FIGURA N°9: MODELO POR TRAMOS CIRCUITO FIGURA N°10: CURVA CARACTERISTICA DEL
EQUIVALENTE DEL CIRCUITO DE ENTRADA BASE-EMISOR CIRCUITO EQUIVALENTE POR TRAMOS DEL
ALIMENTADO CON UNA SEÑAL ALTERNA Y CON rd ≠ 0 CIRCUITO DE ENTRADA BASE-EMISOR CON rd ≠ 0
De acuerdo con la figura anterior, si despreciamos el valor de r,

d el circuito equivalente
quedaría tal como se muestra a continuación:
IEQ
VBEQ
FIGURA N°11: MODELO POR TRAMOS CIRCUITO FIGURA N°12: CURVA CARACTERISTICA DEL
EQUIVALENTE DEL CIRCUITO DE ENTRADA BASE-EMISOR CIRCUITO EQUIVALENTE POR TRAMOS DEL
ALIMENTADO CON UNA SEÑAL ALTERNA Y CON rd = 0 CIRCUITO DE ENTRADA BASE-EMISOR CON rd = 0
Veamos ahora como analizamos el modelo obtenido. Del grafico de la Curva Característica,
tenemos que:
VEE - Vm > VBEQ = 0,7 V
Por lo tanto, la unión esta siempre polarizada directamente y los puntos de trabajo se
encontraran por encima del codo, este nos sitúa un límite máximo para la tensión de cresta Vm que
permite trabajar en zona lineal para cualquier tensión VEE dada. Así tenemos que:
iE = (VEE + Vm Cosωt - VBEQ )/Re
Ahora bien, como iE = IEQ + ie , entonces podemos obtener la corriente de emisor en

reposo:
IEQ = (VEE - VBEQ )/Re

y su componente dinámica o en alterna será:
ie = ( Vm / Re )Cosωt
Las suposiciones impuestas para llegar a la ecuación iE = (VEE + Vm Cosωt - VBEQ )/Re ,
son que la Curva Característica Tensión – Corriente de la unión ( ver Figura N°12 ), puede ser
considerada como una línea recta vertical, esto permite suponer que rd << Re , y que por lo tanto
se cumple la inecuación VEE - Vm > VBEQ = 07 V, se cumple.
ANALISIS DE LA UNION COLECTOR - BASE

Con el objeto de completar el modelo buscado, se necesita encontrar un modelo de circuito
equivalente para la unión Colector – Base. Probablemente la forma más sencilla es considerar las
características de salida de un transistor en la Configuración Base Común que se muestra en la figura
siguiente:
Trabajando de forma normal, el diodo
Colector – Base esta polarizado inversamente, de iE
manera que vCB > - 0,5 V. Cuando se
cumple esta condición, las curvas características
Tensión – Corriente pueden ser consideradas
como una familia de líneas rectas que obedecen a
la ecuación ( 1 ) obtenida anteriormente,
IC = αIE + ICBO
Este hecho conduce al circuito equivalente

FIGURA N°13: CURVA ARACTERISTICA DE UN
de la figura siguiente. La fuente de corriente αIE TRANSISTOR EN BASE COMUN.
es una fuente dependiente controlada por la
corriente IE.
FIGURA N°14: CIRCUITOS QUIVALENTES EN BASE COMUN. (a) CIRCUITO BASICO. (b) CIRCUITO SIMPLIFICADO.

Por tal motivo la fuente de corriente αIE es el mecanismo mediante el cual, los cambios en
la corriente de emisor de transmiten al circuito de colector. Este tipo de fuente siempre estará
presente en los modelos de elementos activos. En el caso de los transistores de silicio, para los
cuales αIE >> ICBO a temperaturas de trabajo normales, el modelo se reduce al simplificado y en
el cual el diodo puede ser eliminado al tener un comportamiento ideal. Por otro lado, a fin de evitar
la región no lineal que se encuentra a la izquierda de la curva característica, se hace necesario que
siempre se cumpla la condición: vCB > - 0,5 V. Este modelo de gran señal, también es utilizable
en los cálculos para baja frecuencia.
Una vez analizada la unión Colector – Base estamos en condiciones de establecer el Modelo
Lineal por Tramos del Transistor, en nuestro caso, un NPN. Este modelo es igualmente aplicable al
transistor PNP. Ahora bien tomando como referencia el circuito de esta sección, el circuito
equivalente del Modelo Lineal por Tramos seria:
IE IC
RC
IB
FIGURA N°15: CIRCUITO ORIGINAL EN FIGURA N°16: MODELO LINEAL DEL TRANSISTOR POR TRAMOS DEL
CONFIGURACION BASE - COMUN CIRCUITO ORIGINAL EN CONFIGURACION BASE - COMUN
CONFIGURACIONES BASICAS DE UN TRANSISTOR
i) CONFIGURACIÓN BASE COMÚN ( BC)
La zona que más nos interesa es la zona activa, por lo

tanto a continuación analizaremos esta zona. La zona p de
base suele ser muy estrecha en la realidad. El negativo de la
fuente VEE repele los electrones de la zona del emisor que
cruzan la UE.
Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p

de la base sin recombinarse. Debido a la pila puede que un
electrón cruce la barrera de potencial de la UE. Después ese
electrón baja la barrera de potencial de la UC para salir por el
colector. Este es el efecto transistor de la zona n a la zona p
tiene que subir la barrera de potencial pero luego es más fácil
porque tiene que bajar la barrera.

De los electrones emitidos por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombina en la base y
un 99 % no se recombina y llega al colector, esto es el efecto transistor. De aquí la palabra Colector.
El colector "Colecta" los electrones, esto es, los recoge. La base es muy estrecha y además está muy
poco impurificada, esa es la razón de que la probabilidad de que un electrón se recombine sea muy
pequeña (por ejemplo el 1%). El emisor emite electrones, el colector los recoge, y la base es un
dispositivo de control.
CORRIENTES EN UN TRANSISTOR
En el caso de un diodo se tenía una curva característica tal como la mostrada, En el transistor
en cambio, también se pueden tomar criterios, todas la corrientes entrantes, es como un nodo.
EJEMPLO: Suponga que en un transistor IE = 100 mA. Si se recombinan el 1 % y no se

recombinan el 99 %. Por lo tanto: IB = 1 mA y IC = 99 mA. Los signos como siempre, si va a favor del
electrón es negativo y si va en contra positivo.
En los problemas por comodidad se suele cambiar de dirección a IE para que sea positivo.
ii) CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN (EC)
Esta configuración es la más utilizada. Como en

la configuración en BC solo analizaremos la zona activa.
Como en el caso anterior solo el 1 % se recombina y el
99 % no se recombina. La dirección de IE la cambiamos
como en la configuración anterior. Resultando que:

La Ganancia de Corriente ( βcc ) = IC / IB = 99 / 1 = 99
:
A veces (casi siempre) se desprecia la IB, por ser
muy pequeña, en comparación con la IC. de manera que se
cumple que:
En electrónica es muy habitual el hablar de transistores de baja potencia (pequeña señal) y

de transistores de potencia (gran señal). Es una forma muy sencilla de diferenciar a los transistores
que trabajan con potencias relativamente pequeñas de los transistores que trabajan con potencias
mayores.
TRANSISTORES DE BAJA POTENCIA: Se le llama transistor de

baja potencia, o pequeña señal, al transistor que tiene una
intensidad pequeña (IC pequeña), lo que corresponde a una
potencia menor de 0,5 W. En este tipo de transistores
interesará obtener βcc grandes ( βcc = 100 ÷ 300 ).
TRANSISTORES DE POTENCIA: Se le llama transistor de

potencia al transistor que tiene una intensidad grande (IC
grande), lo que corresponde a una potencia mayor de 0,5 W.
En este tipo de transistores la βcc que se puede obtener en su
fabricación suele ser bastante menor que en los de baja
potencia ( βcc = 20 ÷ 100 ).
CURVA CARACTERÍSTICA DE ENTRADA
Si variamos el valor de la fuente VBB de la malla de

entrada, tomando valores de IB y VBE podemos obtener la
característica de (la malla de) entrada. Asi se obtiene la curva
característica del diodo base-emisor, y tiene una forma
exponencial, similar a un diodo semiconductor.
CURVA CARACTERÍSTICA DE SALIDA
De manera parecida, si analizamos la malla de salida

y obtenemos distintas curvas para diferentes valores de IB.
Ajustando VBB fijo un valor de IB que voy a mantener
constante (por ejemplo IB = 10 μA). Ahora variando VCC mido
valores de VBE y IC y obtengo la correspondiente curva de IB =
10μ A. Hago lo mismo para IB = 20 μA, etc... Y así
sucesivamente para diferentes valores de IB.

En cada una de estas curvas hay diferentes zonas:
UE = diodo EB = Unión de Emisor.

UC = diodo CB = Unión de Colector.
 Zona entre 1 y 2: ZONA DE SATURACIÓN.

o UE directa y UC directa.
 Zona entre 2 y 3: ZONA ACTIVA.
o UE directa y UC inversa.
 Zona a partir de 3: ZONA DE RUPTURA.
o UE directa y UC muy en inversa.
Recuerde que en activa conociendo el valor de IB e puede calcular la IC ( IC = βcc · IB ).

La zona de corte es desde IB = 0 hacia abajo (zona rallada) y no conduce .
ZONA ACTIVA: Se utiliza en el diseño de ZONA DE CORTE Y SATURACIÓN: Se utiliza en el diseño

Amplificadores y demás Circuitos Lineales de circuitos de Conmutación (Corte abierto y Saturación
cerrado), para control automático o control
electrónico.
En este caso, el control del transistor es por corriente, mientras que el control en un diodo es
por tensión.
ZONA DE RUPTURA: En Avalancha, se destruye el

transistor.
Ahora veamos como pasamos de una zona a otra.

EJEMPLO: Consideremos el circuito mostrado,
donde el transistor posee un β = 100. Hallar la
zona de trabajo del transistor.
SOLUCION:
Hagamos en primer lugar el recorrido de la
malla del circuito de entrada aplicando la Ley de
Kirchhoff de la Tensiones: Hagamos ahora el recorrido de la malla de salida
o de colector. Aplicando la Ley de Kirchhoff de las
30 IB + VBE – 5 = 0 >> 30IB = 5 - VBE . Tensiones tenemos:
Despejando IB tenemos: 350 IC + VCE – 20 = 0. Luego el Voltaje Colector –
Emisor ( VCE ) será:
IB = ( 5 - VBE ) / 30 = ( 5 – 0,7 ) V /30 K
IB = 4,3 V/ 30K = 0,143 mA >>> IB =0, 143 mA. VCE = 20 – 350 IC = 20 – 350(14,3mA)
VCE = 20 - 5,005 = 14, 995 V. >> VCE =14, 995 V
De acuerdo con este resultado, el transistor
está trabajando en la Zona Activa. Ahora bien, el Voltaje Colector – Base será:
Luego, la Corriente de Colector será: VCB = VCE – VBE = 14, 995 – 0,7 = 14,295 V
IC = β IB >>> IC = 100 x 0,143mA = 14,3 mA Así resulta que: VCB ≈ 14,3 V
Una vez obtenido esto, el valor y el Para pasar de una zona a otra, de saturación a
signo de las tensiones nos dirá en que zona activa, se varía la UC de directa a inversa. Si la VCE
estamos trabajando. se encuentra entre 0 V y 0,2 V, la UC está en
directa y el transistor está en Saturación. Si VCE es
mayor o igual a 0,2 V la UC está en inversa y por lo
tanto en transistor está en Activa.
TRANSISTOR EN ESTADO DE CORTE
Analizaremos ahora lo que ocurre en Corte.

En esta situación, la corriente de base IB = 0, por lo
tanto la ecuación: IC = β IB no se cumple.

Veamos lo que ocurre internamente.
Existen "Portadores minoritarios

generados térmicamente" en la zona p de la base
RC
que crean una pequeña corriente llamada ICEo
(corriente entre colector y emisor). En este caso,
la letra "o" significa open = abierto en inglés, y VCC
quiere decir que el circuito está abierto por la
base). ICEo = Corriente de corte de minoritarios.
RC
VCC
De ese valor hacia abajo se pone una pila que polarice la UE en inversa, y por lo tanto al ser
IB = 0 , el diodo base – colector ( DBC ) no conduce, ya que esta polarizado inversamente. Por otro
lado el diodo base- emisor (DBE ) también queda polarizado inversamente y tampoco conduce, de tal
manera que la malla de salida Colector- Emisor queda abierta, tal como se muestra en la figura
siguiente.
Colector
Colector
Colector
DBC RC
Base Base
Base
VCC
DBE
Emisor
Emisor
POTENCIA DISIPADA POR EL TRANSISTOR. Emisor
La potencia se disipa en las uniones. Veamos un

POTENCIA DISIPADA EN LA UNION BASE – EMISOR.
ejemplo concreto:
Esta potencia viene determinada por la
ecuación: PBE = VBE IE
PBE = 0,7V x 100mA = 70mW

( Es posible despreciarla frente al valor de PCB )
POTENCIA DISIPADA EN LA UNION COLECTOR – BASE.

Esta Viene dada por: PCB = VCB IC
PCB = 4,3 V x 100mA = 430 mW

Entonces, el valor de la potencia total o potencia disipada, se calculara mediante la formula:
APROXIMACIONES PARA EL TRANSISTOR

Las características de entrada y salida no son lineales:
Para facilitar los cálculos usaremos las siguientes aproximaciones.
PRIMERA APROXIMACIÓN (Transistor Ideal)
Esta es la aproximación ideal, por lo tanto la menos exacta de las tres, las características de
entrada y salida son estas:
SEGUNDA APROXIMACIÓN ( Diodo BE como fuente de tensión ideal)
Esta aproximación no es tan ideal como la anterior por lo tanto se parece más al
funcionamiento real del transistor.

TERCERA APROXIMACIÓN ( Diodo BE como fuente de tensión real)
La aproximación más exacta o la que más se parece a la realidad, por lo tanto algo más
compleja que las anteriores, se gana en exactitud pero también en complejidad.
EJEMPLO ILUSTRATIVO DEL USO DE LOS MODELOS APROXIMADOS:
En este ejemplo usaremos las 3 aproximaciones para ver que error se comete en cada
una de ellas. Consideremos el circuito siguiente:
 ANALISIS EN PRIMERA APROXIMACIÓN
Para saber donde estamos hacemos

una hipótesis. Hipótesis: ACTIVA.
Vemos que la UE está en directa y la UC está en inversa por lo tanto la hipótesis es

correcta, estamos en activa.

 ANALISIS EN SEGUNDA APROXIMACIÓN
También queda demostrado que nos encontramos en activa. La mayor diferencia esta en VCE
y debido eso se recomienda usar la 2ª aproximación en vez de la 1ª aproximación.
En problemas complicados, con varios transistores, para reducir incógnitas se toma: IC = IE.
La 3ª aproximación no se suele utilizar, porque no se sabe en que punto estamos trabajando

(punto Q). En practicas se podría utilizar la 3ª aproximación midiendo la tensión V BE con el
voltímetro, pero en problemas no se usa la 3ª aproximación.
Si supiéramos su valor, aplicamos la 3ª aproximación y se ven los valores que salen:
 ANALISIS EN TERCERA APROXIMACIÓN
Por ejemplo con un voltímetro mido la tensión VBE y me sale el siguiente valor:
Como se ve los errores son mínimos comparándolos con la 2ª aproximación, por eso
usaremos la 2ª aproximación.

USO DE LA HOJA DE CARACTERÍSTICAS DE UN TRANSISTOR
Tensiones inversas de ruptura para el transistor 2N3904.
VCB....................................60 V (máximo valor en inversa)
VCEo...................................40 V (máximo valor en inversa con la base abierta)
VEB.......................................6 V (máximo valor en inversa)
En realidad en la hoja de características tenemos que diferenciar los transistores en:
 Transistores de pequeña señal (IC pequeña), por ejemplo: 2N3904.

 Transistores de potencia (IC grande), por ejemplo: 2N3055.
CORRIENTE Y POTENCIA MÁXIMAS
En las uniones del transistor se suelen dar unas temperaturas muy elevadas, siendo la unión
más problemática la unión CB, porque es la que más se calienta.
En un transistor se dan tres tipos de temperaturas:
 Tj = Temperatura de la unión.
 TC = Temperatura de la capsula.
 TA = Temperatura del ambiente.
EJEMPLO: Tj = 200 ºC
Para sacar el calor de la unión tenemos que el flujo calorífico ha de pasar de la unión al
encapsulado y posteriormente al ambiente.
Hay una resistencia térmica unión-cápsula que dificulta que el calor pase de la unión a la cápsula
(jC).
Hay una resistencia térmica cápsula-ambiente que dificulta que el calor pase de la cápsula al
ambiente (CA).
jC = 125 ºC/W, CA = 232 ºC/W, jA = 357 ºC/W
Son unas resistencias que se oponen al paso de calor.
FACTOR DE AJUSTE: Indica como disminuye la PDmáx por cada grado de aumento de temperatura
por encima de un valor determinado.

EJEMPLO: Para el 2N3904 PDmáx = 350 mW (a 25 ºC) Factor de ajuste = - 2,8 mW/ºC
Si TA aumenta a 60 ºC: PDmáx = 350 - 2,8 (60 - 25) = 252 mW. Ese factor de ajuste es el inverso de la
resistencia térmica: Factor de ajuste = 1 / jA
Otro parámetro fundamental : Es el parámetro βcc , el cual relaciona las corrientes de colector y de
base mediante la ecuación: IC = βcc · IB Zona Activa. Recuerde que: βcc = hFE
Seguimos con el ejemplo del transistor 2N3904. En el catálogo suele venir:
IC hFE
(mA) mín typ máx
0,1 40.............__...........__
1 70.............__...........__
10 100.............__...........300
50 60.............__...........__
100 30.............__...........__
Este valor es para la zona activa. Como se ve en la gráfica, existe una tolerancia de
fabricación o dispersión de valores en la fabricación que por ejemplo para IC = 10 mA va desde 100
hasta 300.
DETECCIÓN DE AVERÍAS EN CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Consideremos el siguiente circuito, aplicando los modelos del transistor.
1era aproximación:

Esto es cuando no hay averías. Dos tipos de averías comunes que podemos tener son que la base
este abierta o que la base se encuentre cortocircuitada, veamos estos dos casos:
RB abierto = RBo RB cortocircuito = RBs
En este caso de la base en cortocircuito, se puede estropear la unión BE.
BANDAS DE ENERGÍA (CONSIDERACIONES ENERGÉTICAS)

Vamos a comparar el transistor sin polarizar con el transistor polarizado en la zona activa.
Como se ve en el dibujo, las bandas de energía se han movido al polarizar el circuito en la

zona activa. La zona n del colector a bajado y la zona n del emisor a subido con respecto al caso del
circuito no polarizado. Ahora los electrones suben la barrera de potencial de la UE, un 1 % se
recombinan en la base, y el 99 % bajan la barrera de potencial de la UC cediendo una energía en
forma de calor (DE).

Si estamos en el caso en el que el 1 % se recombina y el 99 % consigue pasar la barrera:
Significado de αcc: De los electrones emitidos por el emisor, la mayoría llegan al colector, en
nuestro ejemplo un 99 %. Ese mismo valor pero expresado en tanto por uno nos da el valor de αcc
(αcc = 0,99 en nuestro caso).
Relación entre βcc y αcc:
Debemos de hacer la observación de que la proporción de recombinación en la base y recogidos

por el colector respecto a los emitidos, varía de un transistor a otro. O sea, en nuestro ejemplo era de 1
% y 99 % respectivamente (acc = 0,99). Otros transistores tendrán otras proporciones y por tanto otro
valor de acc.
EJEMPLO: Si αcc = 0,98 , entonces:
CURVAS DE ENTRADA Y EFECTO EARLY

Vamos a analizar las curvas de entrada de para 2 casos distintos:
Si se ajusta VCE a 1 V , y obtengo el punto A.
Ajusto ahora VCE2 = 20 V y obtengo otro punto de IB y VBE (punto B). Con esto la curva queda
más a la derecha. Nos da una curva distintas por el "Efecto Early". Veamos porque ocurre esto.

El emisor emite electrones libres (100 %), algunos se recombinan en la base y el resto van al
colector hacia la pila VCC.
EJEMPLO: Si el Punto A: VCE = 1 V. El 5 % se

recombina y 95 % sigue al colector.
Si se coloca el Punto B: VCE = 20 V. En este caso,

Ahora el + 20 V atrae con más fuerza a los electrones que el
+ 1 V y cruzan más rápido la base, la probabilidad de
recombinarse con un hueco es menor, con lo que llegan
más al colector y la proporción acc aumenta. Esto produce
una variación en el bcc. Al recombinarse menos electrones
en la base, la corriente de recombinación IB disminuye.
En Conclusión:
CORTE Y RUPTURA
Veamos que ocurre cuando estando en corte vamos aumentamos el valor de VCE:
Tenemos un valor en el que hay una ruptura por avalancha. Para que no ocurra la avalancha
la VCE tiene que estar por debajo de ese valor:

3ª aproximación
Normalmente usamos la 2ª aproximación, pero cuando hay errores muy grandes usaremos la
3ª aproximación.
Vamos a ver dos casos, con un transistor de pequeña señal y con uno de gran señal:
Transistor de pequeña señal : Transistor de gran señal : 2N3055
2N3904.
(Potencias > 0,5 W)
( Potencias ≤ 0,5 W ) Se trabaja con intensidades
mayores, entonces las diferencias
IC = 100 mA rBbe = 1,5 W también son mayores.
IC = 10 A rBbe = 0,09 W
Aproximamos los 0,85 a 0,7. VBE = 0,7 + 10 · 0,09 = 1,6 V
El punto de trabajo en el de gran señal esta más a la derecha que en el de pequeña señal. Las
corrientes son tan grandes que la caída IC·rBbe se hace importante, y habría que tenerla en cuenta. Si vemos la
característica de salida:

SATURACIÓN: Para el 2N3904: rBbc = 2,8 W IC = 100 mA , VCE = IC · rBbc = 0,28 V
Este valor de VCE nos aleja del ideal. Con el de gran señal (2N3055):
IC = 10 A rBbc = 0,5 W VCE = IC· rBbc = 10· 0,5 = 0,5 V
Se aparta más del ideal que el anterior, porque el valor de VCE es mayor, el de potencia tiene
una inclinación mayor.
RESISTENCIA TRANSVERSAL DE BASE
Veamos lo que ocurre en la zona

activa:
El electrón del 1 % (el que se

recombina), tiene que cruzar una distancia
muy larga para llegar a la pila. Toda zona tiene
una resistencia:
Los electrones que no se recombinan

también tienen que cruzar una sección y
longitud, entonces también hay una
resistencia, pero como el área (A) es tan
grande se desprecian esas resistencias (re y rc).
Entonces solo nos fijaremos en la "Resistencia
transversal de base", porque el área no es tan
grande en esta zona y por lo tanto esta
resistencia no se puede despreciar:
Además esto se ve acentuado si hacemos lo siguiente. Si aumenta la tensión inversa entre

colector y base.
El voltaje base-emisor ( VB'E ) vence la barrera de potencial de 0,7 V. Además de la barrera hay que
tener en cuenta la resistencia:

EL MODELO DE EBERS-MOLL
El Modelo de EBERS – MOLL propone que un Transistor se puede representar mediante una
fuente de corriente en serie con un diodo en la unión Colector- Emisor y una resistencia de base
conectada entre la fuente y el diodo, tal como lo muestra la figura.
El funcionamiento del transistor se puede explicar mediante el siguiente modelo equivalente:
Donde:
VBE': Es la tensión entre los extremos de la zona de deplexión de la unión BE. Cuando esta
tensión es mayor que aproximadamente 0,7 V, el emisor inyecta un gran número de electrones en la
base.
αcc : La corriente del diodo de emisor controla la corriente de colector. Por esta razón la
fuente de corriente de colector obliga a que fluya una corriente αcc·IE en el circuito de colector.
Luego se podrían hacer aproximaciones siguientes:
 αcc = 1, lo que implica que IC = IE

 rb' = 0, un cortocircuito
 etc...
PROBLEMA RESUELTOS
PROBLEMA 1. Diseñar un circuito en Emisor Comun ( EC ) aplicando la 2ª aproximación del

transistor, de manera que cumpla los requisitos siguientes: VBB = 5 V, VCC = 15 V, hFE = 120,
IC = 10 mA y VCE = 7,5 V.
Solución:
Colocando los datos que da el

problema en el circuito emisor común se ve
que falta por determinar los valores de RB y
RC.

Aplicando la Ley de Kirchhoff de las Tensiones en la Malla de entrada y ecuación de la
ganancia:
Malla de salida:
PROBLEMA 2. En el circuito de la figura, hallar utilizando la 1ª y 2ª aproximación: a) La corriente de

base. b) La tensión colector-emisor y c) La potencia disipada en el transistor.
Solución:
1ª Aproximación 2ª Aproximación
POLARIZACIÓN Y ESTABILIZACIÓN
Los transistores BJT son elementos muy versátiles. Se pueden conectar dentro de un circuito
de muy diferentes maneras, como ya hemos visto, obteniéndose así distintos comportamientos. Por
ejemplo se puede conseguir ganancia en tensión, en intensidad de corriente o en ambas, según la
clase configuración del transistor, emisor común, colector común o base común.
Un transistor en el seno de un circuito se ve afectado por las distintas intensidades de

corriente que lo atraviesan y por las tensiones a las que están sometidos sus terminales.

En la figura siguiente están representados estos tres tipos de circuitos, prescindiendo de
cualquier otro elemento, como pueden ser baterías, condensadores. El nombre de "común" se le da
al terminal del transistor que esta conectado a tierra y es compartido por la entrada y la salida.
BASE COMÚN ( BC ) EMISORCOMÚN ( EC ) COLECTOR COMÚN ( CC )

- VCC - VCC
RC SALIDA RBC RC SALIDA

ENTRADA ENTRADA
SALIDA
ENTRADA
RE RE
+ VCC + VCC
MODOS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR
Puesto que el transistor BJT tiene dos uniones,

existen cuatro combinaciones posibles, según estén en
polarización directa o inversa. A cada una de estas
combinaciones se les conoce como Modo de Trabajo.
De aquí se tienen por lo tanto, cuatro modos de trabajo,
según sean las polarizaciones de cada unión.
En el Modo Activo Directo, la unión emisor-base TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

está directamente polarizada y la colector-base
inversamente polarizada. En este modo, el transistor se
comporta como una fuente de corriente controlada. Se
dice, entonces, que se trata de una fuente de corriente
controlada porque es posible "controlar" las
corrientes que fluyen por el transistor.
La corriente del colector, Ic, depende del valor de la

TRANSISTOR BIPOLAR NPN, POLARIZADO
corriente del emisor, Ie, es decir, si Ie aumenta EN MODO ACTIVO DIRECTO.
también lo hará Ic y, por el contrario, una disminución
en Ie provocará una disminución en Ic. Así pues,
controlando Ie, automáticamente se controla Ic.
El control de Ie se lleva a cabo con el potencial base emisor. En la figura 3 se muestra al BJT
con el modo de polarización activa.
Este modo se podría asemejar a un grifo normal y corriente por el que fluye agua. El agua sería
la corriente de colector y abrir o cerrar un poco el grifo equivaldría a variar el potencial Vbe.
El resultado sería un aumento o disminución en el chorro de agua que en el transistor se
traduciría en un aumento o disminución de la corriente del colector, Ic. De ahí que se diga que el
transistor cuando trabaja en modo activo director se comporta como una fuente de corriente
controlada.
El segundo modo se denomina Modo de Corte, que se produce cuando las dos uniones
están polarizadas de forma inversa. Puede compararse con dos diodos colocados de forma opuesta al
paso de la corriente. Como ya se sabe, en este caso no circula corriente apreciable, razón por la que
se llama modo de corte. Se puede decir que, en este caso, el transistor se comporta como un
interruptor abierto.
Si, por el contrario, se tienen las dos polarizaciones de forma directa, se dice que el transistor
está en Modo de Saturación. Aquí, las corrientes circulan como si "prácticamente" no existiese
transistor alguno. El transistor en, este caso, se comporta como un circuito cerrado.
En los Modos de Corte y Saturación el Transistor se comportamientos como ” Interruptor "

que, serán utilizados en Electrónica Digital debido a esta cualidad.
CURVAS CARACTERÍSTICAS
Como se muestra en la figura, los transistores
tienen múltiples formas de comportarse, dependiendo de
las tensiones entre sus terminales. Cuando un usuario
adquiere un transistor, necesita saber este
comportamiento para ponerlo en práctica en su circuito y
utilizarlo como más le convenga.
Los fabricantes proporcionan esta

información para evitar que el usuario la tenga que
deducir a base de hacer medidas. Sin embargo, una forma
mucho más completa de proporcionar esta información
que consiste en dar la "curva característica" del transistor.
La curva característica de un transistor es una gráfica donde, en el eje horizontal, está

representado el valor del potencial entre el colector y el emisor, Vce y en el eje vertical el valor de la
corriente del colector, Ic. Cada línea, a su vez, corresponde a una corriente de base, Ib, distinta.
Observando pues la curva característica de un transistor se puede saber cómo funciona éste,
según las condiciones a que esté expuesto. Sin embargo, si únicamente se dispone de esta gráfica no
resultará muy útil, ya que lo que interesa de verdad es saber el comportamiento del transistor en un
circuito concreto, no en general.

Al poner un transistor en un circuito, en realidad, lo que se está haciendo es limitar los
valores posibles que pueden tomar sus terminales. Por ejemplo, si en un circuito se tiene el colector
a ocho voltios y el emisor a tierra ( 0 voltios ) la diferencia de potencial entre ambos es, como mucho,
de 8 voltios; pero nunca podrá ser mayor.
A efectos prácticos esto se traduce en que existe una recta (llamada recta de carga) que
depende del circuito en cuestión, la cual representa todos esos valores posibles. Solapando esta
recta junto con la curva característica del transistor se obtiene gráficamente la respuesta del
transistor en ese circuito.
En la figura anterior se ilustra la característica de salida generalizada de un transistor BJT. A

parte de esta curva, también es posible obtener las curvas características de entrada y de
transferencia. La corriente del colector que está totalmente relacionada con la corriente del emisor,
si Ie aumenta o disminuye, Ic hará lo mismo. Ic también se encuentra relacionada con la corriente de
la base, Ic es proporcional a Ib cuando el transistor está trabajando en modo activo.
Recuerde que la relación que existe es exactamente la siguiente: Ic = Ib, siendo  lo que se
denomina ganancia del transistor y es una característica de éste que nos da el fabricante.
Una de las curvas más importantes de un transistor es la curva del área de máxima seguridad
"SOA" (Sfae Operation Area). En el funcionamiento en continua, este área define la región de
posibles combinaciones de IC - VCE dentro de la cual el punto de trabajo puede estar sin daño y sin
disminución de la fiabilidad del transistor.
LA CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN (EC)
La configuración de emisor común, es la más usada. En él,

el transistor actúa como un amplificador de la corriente y de la
tensión, es decir, un amplificador de potencia. Aparte de los
efectos de amplificación, también invierte la tensión de señal, es
decir, si la tensión es tendente a positiva en la base pasa a ser
tendente a negativa en el colector; pero estos efectos se producen
con la corriente alterna.
Para entender las propiedades de este tipo de configuración

se analiza un transistor tipo PNP. Se tiene la unión base-emisor,
BE, polarizada directamente y la unión emisor-colector, BC,
inversamente polarizada. Se aplica una tensión a la base y otra al
colector y se tienen dos resistencias, RB conectada a la base y Rc conectada al colector.

El valor de la corriente de base va a depender del valor de la resistencia RB, la corriente que
circula por el colector, Ic, depende de la corriente de base, IB, como se indica con la formula Ic = IB,
donde  es el factor de amplificación de corriente o ganancia - corriente de colector; Ic es mucho
más grande que Ib y ese aumento viene dado por , que es un parámetro característico del transistor
operando con el modo de polarización activa.
Al pasar la corriente por Rc se va a producir una caída de potencial; luego, la tensión que se
obtiene a la salida, también va a depender del valor de esta resistencia. Es posible colocar una
resistencia en el emisor, Re, que va a perjudicar mucho la amplificación de tensión, pero va a hacer
que el transistor sea mucho más estable y no le afecten los cambios de la temperatura.
Aumentando o disminuyendo los valores de las tres resistencias es posible conseguir
corrientes y tensiones diferentes en los tres terminales. Por ejemplo, si se aumenta la resistencia de
base el valor de la corriente Ib será menor, lo que implicará que Ic también sea menor, y al pasar una
corriente de colector menor a través de Rc, el potencial que se obtendrá a la salida será mayor; pero
si se disminuye Rb aumenta Ib y con ella la corriente de colector, y la tensión de colector disminuirá.
Disminuyendo mucho la resistencia de base se puede llegar a un punto en el que se pasa de la

zona de activa a la de saturación, es decir, que la unión colector-base, que está inversamente
polarizada en activa, pase a estar directamente polarizada y, por lo tanto, en saturación. Esto se
produce porque Ib aumenta y, en consecuencia, Ic también aumenta.
Si un circuito está trabajando en zona activa, el transistor se comporta de forma lineal. Es decir,
que a iguales variaciones de la corriente de base, Ib, se producen iguales variaciones de la corriente
de colector, Ic. El primer punto en el cual al aumentar Ib ya no aumenta Ic pertenece a la zona de
saturación.
También es posible modificar los valores de la corriente de base, de colector y de la tensión de

salida "jugando" con la tensión de entrada o con la resistencia de colector.
Una característica muy importante dentro de un circuito es determinar su punto de operación.

La corriente continua, y la tensión en cada terminal del transistor determinan el punto de
funcionamiento de un circuito. Este punto, conocido también como punto de reposo, se encuentra
situado en la recta de carga.
Para saber cuál es el punto de operación de un transistor hay que determinar el valor de Vc,
potencial de colector, Vb potencial de base, e Ic corriente de colector cuando el potencial trabaja en
zona activa. Para determinarlas se puede usar las curvas características que representan a un
transistor, o también hallar el punto matemáticamente, usando dos fórmulas ya conocidas, la ley de
Ohm V=IR y la igualdad Ic=Ib. Combinando correctamente ambas fórmulas es posible determinar los
datos que se necesitan para obtener el punto de funcionamiento.

EFECTOS DE LA TEMPERATURA
Un factor muy importante, capaz de desestabilizar a los transistores y que todavía no se ha
tomado en cuenta, es la temperatura. Se sabe que los semiconductores pueden permitir el paso de
corriente, pero necesitan una pequeña ayuda; se les puede dopar, o aumentar la temperatura, para
que circulen los electrones. Pues bien, los transistores son uniones PN, y los materiales tipo P y tipo N
son semiconductores dopados, luego van a permitir el paso de la corriente. Pero, por ser
semiconductores, les va a influir mucho una variación de temperatura.
Si se tiene un circuito de emisor común "aparentemente" estable, con un punto de

funcionamiento definido, se puede producir una gran inestabilidad con un aumento de temperatura.
Esto sucede porque al aumentar la temperatura se incrementa la corriente del colector, aunque la
corriente de base permanezca constante.
Este incremento en Ic produce que la caída de potencial en la resistencia Rc sea mayor, luego la
tensión Vc va a ser menor. La consecuencia inmediata de este hecho es que el punto de
funcionamiento se va a desplazar. Esto ocurriría en el mejor de los casos porque incluso puede llegar
a producirse la destrucción del transistor.
La primera solución para evitar que se produzca un aumento de la temperatura es colocar un

ventilador, o "algo" que baje la temperatura cuando esta aumente y la mantenga siempre constante.
Pero esto tiene dos inconvenientes, el primero es que resulta muy costoso y el segundo que ocupa
mucho espacio, y al diseñar un circuito electrónico siempre se tiende a reducir el espacio al máximo.
La segunda solución es colocar una resistencia Re en el

emisor; al aumentar la corriente del colector, Ic, también se
incrementa la corriente del emisor. Si se coloca una resistencia,
se va a producir una caída del potencial, luego la tensión en el
emisor va a ser menor.
Si se tiene un circuito con PNP, que es el que se está

analizando desde el principio, cuanto más grande sea Re más
negativa va a ser la tensión Ve; hacer la tensión de emisor más
negativa es exactamente igual que hacer la tensión de base
más positiva; la unión emisor-base va a estar "menos"
directamente polarizada y esto va a producir que el transistor
conduzca menos. EMISOR COMÚN CON ESTABILIZACIÓN
ANTE LA TEMPERATURA
Luego, se compensa el aumento de la corriente de colector, debido al aumento de la

temperatura, con la disminución de esta misma corriente debida a la disminución de la corriente que
circula por el transistor al estar "menos" directamente polarizado.

El conectar Re produce una desventaja para nuestro circuito, y ésta es la disminución de la
amplificación de tensión en el transistor. Este es el precio que tenemos que pagar para que nuestro
circuito sea estable
POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE TENSIÓN
En este caso, se polarizara el transistor con

una sola fuente de alimentación, Si observamos la
siguiente figura, el transistor esta polarizado
mediante dos fuentes de alimentación, una de 5 V y
otra de 10 V, lo cual en la practica resulta muy
costoso.
En este punto se analizara el circuito de polarización de emisor ( resistencia en el emisor, R E )

polarizando el circuito de tal forma que solo se usa una fuente de alimentación. Veamos como esto puede ser
posible en el siguiente circuito. Aplicando un Thevenin al divisor formado las dos resistencias de 1K y la
fuente VBB, visto desde la base del transistor, tenemos:
RC
Ri ≈ 0
VCC
5V
VBB
5V RE
Ahora si movemos lo de la izquierda hacia arriba y como tenemos 10 V en los dos lados se
pueden unir. Así nos hemos ahorrado una fuente de alimentación, este es el "Circuito de polarización
por división de tensión".

ANÁLISIS APROXIMADO DEL CIRCUITO DE POLARIZACIÓN POR DIVISIÓN DE TENSIÓN.
Así, si despreciamos IB tenemos:
CATÁLOGO:
Vemos que, si la aproximación es buena, se tiene que cumplir la condición anterior:

EJEMPLO: Si aplicamos valores numéricos a lo que hemos hecho.
Tiene que funcionar bien para los tres valores del catálogo.
Para comprobarlo vamos a ver la recta de carga de continua:
¿Qué curva de IB pasa por ese punto Q?
Si cambiamos el transistor, Q es el mismo pero varía la IB. No cambia la recta de carga ni el

punto Q, lo que cambia es la IB, se "Auto adapta". El punto Q es muy estable, prácticamente no
cambia de sitio, para hacer los cálculos no hemos usado la b, solo para la IB.
CIRCUITO DE POLARIZACIÓN CON 2 FUENTES DE TENSIÓN.
Supongamos ahora el siguiente circuito, formado por una fuente VEE , una fuente Vcc y tres resistencias
de polarización RB , RE y RC, tal como muestra la figura:

Si despreciamos a IB con respeto a IC tenemos que:
Gráficamente tenemos:
Si el punto Q no saliese centrado, se podría cambiar la

colocación del punto Q variando los valores de las
resistencias y de las fuentes
VISUALIZACION DIRECTA Y COMPLETA DE LAS CURVAS CARACTERISTICAS,

EL PUNTO DE OPERACIÓN Y LAS ZONAS DE TRABAJO DE UN TRANSISTOR
EN LA PANTALLA DE UN OSCILOSCOPIO
Profundicemos ahora el estudio del funcionamiento de un Transistor. Veremos en esta parte

del Trabajo de Laboratorio cómo se pueden obtener y visualizar directamente en la pantalla de un
Osciloscopio las Curvas Características, el Punto de Operación y las Zonas de Trabajo del Transistor
utilizando las Técnicas de Barrido. Además, estudiaremos una de las más grandes aplicaciones del
Transistor, su uso como Amplificador en sus diferentes Clases A, B, C, AB y su Respuesta en
Frecuencia.

1. CURVAS CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR.
Desde el punto de vista experimental, es posible obtener Montajes y Experimentos de

Laboratorio que nos permitan visualizar en la pantalla de un Osciloscopio las Características del
Colector, esto es, La Corriente de Colector ( Ic ) en función de la Tensión del Colector ( VCE ) para
una Corriente de Base ( IB ) Constante de un Transistor mediante el uso de las Técnicas de Barrido.
Un Circuito Típico posible para visualizar en la pantalla de un Osciloscopio las Curvas
Características de Colector de un transistor se muestra en la figura 1 siguiente:
En este montaje Usted podrá

utilizar cualquier transistor, bien sea
PNP o NPN, con la salvedad de que
deberá tener mucho cuidado con la
Polarización del Transistor. La figura 1
muestra en primer lugar, el Circuito
Generador de Ondas y en segundo
lugar, el Circuito de Control de la
Polarización de Base. La disposición
mostrada es para analizar un
transistor PNP. Si se trata de un NPN,
solo se deberán invertir las FIGURA N° 1: CIRCUITO TÍPICO PARA VISUALIZAR EN LA PANTALLA DE UN
polaridades del diodo 1N4007 y de la OSCILOSCOPIO LAS CURVAS CARACTERÍSTICAS DE COLECTOR DE UN
TRANSISTOR PNP.
fuente VBB.
El circuito anterior puede descomponerse en tres secciones fundamentales:
a) Circuito Generador de Ondas de Colector.

b) Transistor en estudio y circuito de medida.
c) Circuito de Control de Intensidad de Corriente de Base.
a) Circuito Generador de Ondas de Colector.
La función fundamental de este circuito es aplicar una Tensión de Barrido o de

Polarización en forma continua y variable al Colector del transistor analizado. Esta tensión
permite producir un despliegue continuo de voltaje en el colector de manera que se puedan
visualizar directamente las Curvas Características del componente en la Pantalla del Osciloscopio.
b) Transistor en Estudio y Circuito de Medida.
Este circuito incluye al Transistor bajo prueba y a una resistencia R2 que permite medir la
corriente de Colector ( IC ) y visualizarla sobre el eje vertical. El Voltaje Colector-Emisor ( VCE ) se
aplica al amplificador horizontal o eje X del Osciloscopio para visualizarla sobre el eje horizontal de la
pantalla.

c) Circuito de Control de Intensidad de Corriente de Base.
Debido a que el transistor es un dispositivo de tres terminales en el que la Intensidad de

Colector ( IC ) es función de la Corriente de Base ( IB ) y de la Tensión Colector-Emisor (VCE ), se
necesita una familia de curvas para expresar las características de colector. En este sentido,
manteniendo la Corriente de Base ( IB ) en un valor constante, puede visualizarse en la pantalla del
osciloscopio una de las curvas de la familia. El circuito de Control de la Intensidad de Base, suministra
esta corriente de base constante y ajustable, de manera que la Curva IC vs VCE pueda ser visualizada
en pantalla para diferentes valores de la corriente de base (IB ).
Las Curvas Características de Colector

mostradas en la figura 2 siguiente se pueden obtener
mediante el procedimiento que a continuación se
describe.
Abra el Circuito de Control de Base de manera
que la Corriente de Base IB = 0 ( Ver Circuito Típico
figura 1). En este caso, la curva resultante es la
indicada para IB = 0, y es la medida de la Corriente de
Fuga ( ICEO ). Ajuste IB a 10 µA.
Repita el ajuste de IB para trazar las Curvas

Características que interesen en el experimento. La
Familia de Curvas Resultantes se muestra en la figura 2
de la derecha.
FIGURA N°2: CURVAS CARACTERISTICAS TIPICAS
2. OBSERVACION DE LA RECTA DE CARGA DE COLECTOR PARA UN TRANSISTOR PNP.
Inserte una resistencia de carga RL = 2 K entre los puntos A y B del circuito típico ( figura 1)
tal como se muestra en la figura 3. La corriente que atraviesa al transistor deberá estar limitada por
RL. Coloque IB = 0 y ajuste la tensión de barrido entre los puntos A y C a 10 Voltios Pico. Cuando IB
aumenta desde 0 a 40 µA, el punto extremo de la Curva Característica de Colector traza la Recta de
Carga. El recorrido resultante se muestra con una línea morada a trazos en la figura 4.
FIGURA N° 3: CIRCUITO PARA VISUALIZAR EN EL

OSCILOSCOPIO LAS CURVAS CARACTERISTICAS DE
FIGURA N°4: CURVAS CARACTERISTICAS TÍPICAS DE COLECTOR DE
COLECTOR EN UN TRANSISTOR PNP. UN TRANSISTOR PNP OBTENIDAS CON EL CIRCUITO
VISUALIZADOR. LA LINEA MORADA MUESTRA LA RECTA DE CARGA
PASANDO POR EL PUNTO DE TRABAJO, CUANDO LA CORRIENTE
DE BASE ( IB ) ES DE – 20 µA CON UNA CARGA RL = 2KΩ.

3. OBSERVACION DE LOS PUNTOS DE TRABAJO.
En el circuito típico anterior, deje RL = 2K y disponga un valor adecuado para la Corriente de

Base y la Tensión de Barrido. Por ejemplo, ajuste IB = 20 µA y fije la Tensión de Barrido entre los
puntos A y C a 10 Voltios Pico. Con estos valores, la curva resultante es la mostrada anteriormente en
la figura de la derecha, con una línea gruesa ( azul ), cuyo extremo está en el Punto de Trabajo Q, para
una Tensión de Alimentación Vcc = 10Voltios. Si desea Determinar o Visualizar en la Pantalla del
Osciloscopio la Región de Trabajo o Zona de Funcionamiento del Transistor en Estudio con el circuito
anterior, fije la Tensión de Barrido y ajuste la Corriente de Base ( IB ) en 10, 30, 40 y 50 µA.
Antes de realizar esta actividad

experimental, Usted podrá montar un Circuito de
Prueba para obtener los Puntos de Trabajo en
forma particular para cada valor de la Corriente
x x’
de Base y con un Valor fijo de la Tensión de
Alimentación ( Vcc = 10 V ).
En este caso, deberá sustituir el

Generador de Barrido por una Fuente de
FIGURA N°5: CIRCUITO DE PRUEBA PARA OBSERVAR EN PANTALLA DE UN
Corriente Continua que le proporcione la Vcc = 10 OSCILOSCOPIO EL PUNTO DE OPERACIÓN “ Q “ DE UN TRANSISTOR PNP.
V, tal como se muestra en la figura 5.
Es muy importante, antes de hacerlo, calcule teóricamente el Punto de Trabajo para caso, con
los valores a utilizar en el experimento. Obtenga en cada caso, la Curva Resultante. En el circuito de
prueba, si Usted coloca Vcc = 10 V e IB = 20 µA, aparecerá en el Osciloscopio solamente el Punto de
Trabajo que corresponde a estos valores. Si IB aumenta, entonces el Punto de Trabajo se moverá a lo
largo de la Recta de Carga para Corriente Continua, según lo indica la línea morada a trazos.
4. OBSERVACION DE LA ZONA DE TRABAJO.
Elimine la conexión entre los puntos ( x, x´)

entre el Amperímetro y la resistencia R1 en el Circuito
de Prueba anterior e inserte el Generador de Onda
mostrado en la figura 6, en serie con el terminal de la
base. De esta manera, la Corriente de Base ( IB )
FIGURA N°6: CIRCUITO GENERADOR DE ONDAS DE
puede variar alternadamente a una frecuencia de 60 CORRIENTE ALTERNA
Hz y se podrá observar en pantalla toda la zona de
trabajo del transistor en estudio.
Así, el Circuito de Prueba quedara de la manera mostrada en la figura 7. En este caso, el

Osciloscopio deberá trazar la Zona de Trabajo del Transistor, por encima y por debajo del Punto de
Funcionamiento “Q”. Si Usted aumenta la Tensión de Barrido, se podrá trazar la Recta de Carga en
Corriente Continua Completa, desde la Zona de Saturación hasta la Zona de Corte.

5. OBSERVACION DE LAS RECTAS DE CARGA EN CORRIENTE ALTERNA
En la figura 8 se muestra un circuito que

permite Comparar las Rectas de Carga en AC y DC
de un Transistor PNP, en este caso se ha
modificado ligeramente el circuito de la figura 7
incorporando una red RC, formada por RL y C en
paralelo a la serie VCC y RC , y un generador de AF
ajustado a 2KHz. En el circuito se muestra que la
resistencia de carga Rc acopla una señal alterna a
través del condensador C a una carga RL.
A los efectos del análisis desde el punto de

vista del comportamiento ante una corriente
alterna, la carga equivalente ( RLeq ) vista a la
salida del transistor es ( RLeq = Rc // RL ) igual a
1K. El Generador de Audio sustituye a la fuente
de 60Hz con la finalidad de asegurar que la
Reactancia a ofrecida por el condensador C sea
pequeña con respecto a RL.
Con el interruptor Sw abierto, se ajusta la

corriente de base IB en un punto de trabajo
centrado sobre la recta d carga en corriente
continua. Se ajusta la Ganancia del Oscilador para
visualizar en el Osciloscopio parte de la Recta de
FIGURA N°8: CIRCUITO QUE COMPARA LAS RECTAS DE
Carga en DC. Luego se cierra el interruptor Sw y se CARGA DE UN TRANSISTOR PNP EN CORRIENTE ALTERNA Y
CORRIENTE CONTINUA.
observa la Recta de Carga en AC que aparece.
La Reta de Carga en AC deberá pasar por el Punto de Trabajo o de Operación “ Q ” con una
Pendiente superior a la de la Recta de Carga en DC. Al conectar el Barrido Interno del Osciloscopio, se
deberá observar la forma de onda de la Corriente de Colector.
Luego, si Usted varia la Tensión de Polarización VBB , la señal de corriente de colector se

trasladara a lo largo de la recta de carga para corriente continua y podrá observarse el
Debilitamiento de la Señal cuando se aproxima al Punto de Corte o al de Saturación.

. El cuadro siguiente muestra un resumen de los circuitos de polarización de un transistor y
sus respectivas formulas usadas en cada tipo de polarización.

PROCEDIMIENTO A SEGUIR EN EL LABORATORIO
PROCEDIMIENTO N°01. DETERMINACIÓN DE LA CURVA CARACTERÍSTICA DE UN
TRANSISTOR
1.1 . Consulte en un manual de componentes, las características técnicas y la curva del área
de máxima seguridad "SOA" (Sfae Operation Area) de los transistores utilizados en la
practica. Anótelos en la Tabla Nº1
TABLA Nº1: CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS DE ALGUNOS TRANSISTORES DE USO GENERAL
TRANSISTOR EQUIVALENTE MATERIAL TIPO CÁPSULA VCE O VCB O VEB O IC ICM PTOT Β (HFE) VCE ( SAT)
BD137
BC548
BC548B
BC107B
BC3904
BC3906
2N2222
2N3055
1.2 Identifique en el transistor usado en la práctica, los terminales correspondientes al

emisor, base y colector usando un Multímetro en su condición de Ohmmetro. Coloque
las puntas del instrumento en los terminales del transistor. Verifique el estado de
conducción del diodo base – emisor(BE) y del diodo base-colector (BC), según sea la
polarización de sus terminales con las puntas del multímetro.
1.3 MONTE EL CIRCUITO SIGUIENTE. Ajuste la fuente Vcc = 0. Abra el interruptor S1 y cierre
el interruptor S2. Varie Vcc hasta conseguir sucesivamente los valores de VCE indicados en
la Tabla Nº2. Mida la corriente de colector ( Ic ) y anote sus valores en la Tabla Nº2.
1.4 Abra S2 y Cierre S1 . Ajuste RP hasta conseguir una lectura de 50 μA en IB. Ajuste VCC = 0 y
cierre S2.
1.5 Varie Vcc hasta conseguir cada uno de los valores VCE indicados en la Tabla Nº2. Anote
los respectivos valores de Ic obtenidos en cada caso.

1.6 Repetir los puntos 3 a 5 para cada uno de los valores restantes de IB.
1.7 De acuerdo con los datos obtenidos. Realice una representación gráfica de Ic vs VCE.
Dibuje las dos familias de curvas sobre papel milimetrado. a) Considere divisiones de Ic
de 5 mA/cm y divisiones de VCE de 2V/cm. b) Considere divisiones de Ic de 5 mA/cm y
divisiones de VCE de 100mV/cm, siendo el ultimo punto el correspondiente a VCE = 0,8 V.
TABLA Nº 2: VOLTAJE COLECTOR – EMISOR ( VCE ) Y CORRIENTE DE BASE ( IB) DEL TRANSISTOR
Corriente VOLTAJE COLECTOR-EMISOR ( VCE )

Base ( IB) μA 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.3 0.4 0.6 0.8 4 8 12 16
0
50
125
200
275
350
425
500
1000
4000
1.8 Identificar sobre las graficas obtenidas las diferentes regiones de trabajo ( Corte, Activa y
Saturación) del transistor. Determine los valores de la corriente de base ( IB ) que colocan
al transistor en corte y en saturación. Consulte en un manual de componentes la curva
de potencia del transistor utilizado en la practica. Basado en esta información de la tabla
y en los resultados experimentales, observe si en algún caso se alcanza la curva de
máxima potencia para corriente continua. Si es asi, indique sus coordenadas. Discuta con
sus compañeros y explique sus observaciones.
PROCEDIMIENTO N°02. POLARIZACIÓN Y ESTABILIZACIÓN. DETERMINACIÓN DEL

PUNTO DE OPERACIÓN “ Q “ DE UN TRANSISTOR MEDIANTE DIFERENTES TIPOS DE
POLARIZACIÓN.
ACTIVIDAD 2.1 POLARIZACIÓN FIJA.

m
2.1.1 MONTE EL CIRCUITO MOSTRADO. La A
R
Polarización Fija del circuito, también es llamada B V RC
RB 56 B
Polarización de Base. En este caso la corriente de C
D C
base la proporciona la fuente Vcc a través de RB. 1 mA
Así ambas polarizaciones ( base, colector) son 3
7 BD137
obtenidas mediante una sola fuente. Analice
mA
teóricamente el funcionamiento del circuito y
determine la corriente de base ( IB ) y de colector
( iC ). Obtenga las potencias disipadas por RB, RC y
por el transistor. Anote sus resultados teóricos en
la Tabla Nº 3.

2.1.2 Con los valores teóricos obtenidos de VCE e IB , grafique IC en función de VCE. Trace la recta
de carga y obtenga el punto de operación teórico “ QT “ del transistor. Anote sus
resultados en la Tabla Nº 3
2.1.3 Disponga el Multímetro en su condición de Amperímetro y mida las corrientes de base ,

colector y emisor. Mida el voltaje VBC, VBE y VCE Anote sus resultados en la Tabla Nº 3.
2.1.4 Deje pasar un intervalo de tiempo de 60 segundos y mida nuevamente las corrientes de
base y de colector. Anote sus resultados en la Tabla Nº 3.
2.1.5 Toque el transistor y estime aproximadamente su temperatura. Si tiene algún problema

con esta estimación, acerque un termómetro al transistor y observe su temperatura.
Anote sus resultados en la Tabla Nº 3. Obtenga el punto de operación experimental
inicial “ QEXO” y final “ QEXF “ del transistor. Refleje estos valores en la Tabla Nº3.
2.1.6 Compare sus resultados. Discuta con su equipo de trabajo y establezca sus conclusiones.
TABLA Nº 3: PARÁMETROS ELECTRICOS EN POLARIZACIÓN FIJA ( POLARIZACIÓN DE BASE)
VALOR VALOR
MAGNITUDES TEORICO EXPERIMENTAL
CORRIENTE DE BASE ( IB )
CORRIENTE COLECTOR ( IC )
CORRIENTE EMISOR ( IE )
VOLTAJE BASE-COLECTOR ( VBC )
VOLTAJE BASE-EMISOR ( VBE )
VOLTAJE COLECTOR- EMISOR ( VCE )
PUNTO OPERACIÓN QEXO:
“Q“ QEXF :
TEMPERATURA ( º C )
POTENCIA DISIPADA EN RB
POTENCIA DISIPADA EN RC
POTENCIA DISIPADA POR
EL TRANSISTOR
ACTIVIDAD 2.2 POLARIZACIÓN FIJA CON REALIMENTACIÓN DE EMISOR
2.2.1 La Realimentación se asocia con la idea de los cambios ocurridos en la señal de entrada
de un circuito causados por la señal de salida de ese mismo circuito. En nuestro caso, los
cambios sufridos por la corriente de colector provocan cambios en la corriente de base.
Básicamente el circuito es el mismo que en polarización fija, solo que a diferencia del
circuito anterior, se le añade una resistencia de emisor RE.

Analice teóricamente el funcionamiento del circuito
y determine la resistencia de emisor RE y la corriente
de colector ( iC ). Determine la recta de carga y fije el
Punto de trabajo “ Q “ para este montaje y obtenga
RB RC
la corriente de base ( IB ). Conocido Q, encuentre la
corriente de colector y el voltaje VCE
correspondientes a este punto, es decir ( ICQ y VCEQ , mA VCC
llamadas tambien, las coordenadas del punto de
operación Q . BD137
mA
A partir de aquí, calcule el voltaje de emisor ( VE ) y

la resistencia de base RB. Si los valores obtenidos de
RB y RE no son estandarizados, deberá ajustarlos a los RE
valores comerciales mas cercanos y repetir los
cálculos anteriores para estos nuevos valores.
Obtenga las potencias disipadas por RB, RC y por el
transistor. Anote sus resultados teóricos en la Tabla
Nº 4.
2.2.2 MONTE EL CIRCUITO MOSTRADO. Considerando los valores de RB y RE ajustados a los

valores comerciales. Si Usted realizo bien sus cálculos y ajustó correctamente, entonces
debe haber obtenido los valores siguientes: RE = 22 Ω y RB = 68 kΩ.

colector y emisor. Mida los voltajes VBC, VBE , VCE , VRC, VRE Anote sus resultados en la
Tabla Nº 4.
base, colector y emisor. Anote sus resultados en la Tabla Nº 4.

inicial “ QEXO” y final “ QEXF “ del transistor. Refleje estos valores en la Tabla Nº4.
2.2.6 Establezca una comparación de los resultados en Polarización Fija y Polarización con
Realimentación de emisor. Discuta con sus compañeros y lleguen a sus propias
conclusiones de equipo de trabajo.

TABLA Nº 4: PARÁMETROS ELECTRICOS EN POLARIZACIÓN FIJA CON REALIMENTACION POR EMISOR
VALOR VALOR
VOLTAJE EN RESISTENCIA DE BASE RB
VOLTAJE EN RESISTENCIA DE COLECTRO RC
VOLTAJE EN RESISTENCIA DE EMISOR RE
“Q“ QEXF :
POTENCIA DISIPADA EN RE
EL TRANSISTOR
ACTIVIDAD 2.3 POLARIZACIÓN CON REALIMENTACIÓN DE COLECTOR.
2.3.1 Analice teóricamente el funcionamiento del circuito,

Suponiendo que VCE = 10 V, determine la resistencia de
base RB y la corriente de colector ( iC ). Determine la
recta de carga y fije el Punto de trabajo “ Q “ para este
montaje y obtenga la corriente de base ( IB ). Conocido
Q, encuentre la corriente de colector ( ICQ ) y el voltaje
colector emisor (VCEQ ) correspondientes a este punto, “
Q” . Ajuste el valor obtenido de RB al valor comercial
mas próximo.
2.3.2 Determine la corriente de base ( IB ) y de colector ( iC ). Obtenga las potencias disipadas

por RB, RC y por el transistor. Anote sus resultados teóricos en la Tabla Nº 5.
2.3.3 Con los valores teóricos obtenidos de IB , grafique IC en función de VCE. Trace la recta de
carga y obtenga el punto de operación teórico “ QT “ del transistor. Anote sus resultados
en la Tabla Nº 5
2.3.4 MONTE EL CIRCUITO MOSTRADO. Considerando los valores de RB y RE ajustados a los

debe haber obtenido los valores siguientes: Valor teórico R B = 29 kΩ , Valor comercial
mas próximo 27 kΩ.

colector y emisor. Mida el voltaje VBC, VBE y VCE Anote sus resultados en la Tabla Nº 5.
base, colector y emisor. Anote sus resultados en la Tabla Nº 5.

inicial “ QEXO” y final “ QEXF “ del transistor. Refleje estos valores en la Tabla Nº 5.
2.3.8 Establezca una comparación de los resultados en Polarización Fija con Realimentación
de emisor y realimentación por colector. Discuta con sus compañeros y lleguen a sus
propias conclusiones de equipo de trabajo.
TABLA Nº 5: PARÁMETROS ELECTRICOS EN POLARIZACIÓN FIJA CON REALIMENTACION POR COLECTOR
VALOR VALOR
“Q“ QEXF :
EL TRANSISTOR
ACTIVIDAD 2.4 POLARIZACIÓN POR DIVISIÓN DE TENSIÓN O AUTOPOLARIZADO
2.4.1 Analice teóricamente el funcionamiento del circuito, Suponiendo que I ≥ 10 IB , VBE = 0,7
V y que VCE = 10 V. Determine las resistencias R1, R2 , la corriente de colector ( IC ).
2.4.2 Trace la recta de carga y fije el Punto de trabajo “ Q “ para este montaje y obtenga la
corriente de base ( IB ). Conocido Q, encuentre la corriente de colector y el voltaje VCE
correspondientes a este punto, es decir ( ICQ y VCEQ. Ajuste los valores obtenidos de R1 y R2
a los valores comerciales mas próximo. Según estos valores calcule nuevamente la
corriente de base.

2.4.3 MONTE EL CIRCUITO MOSTRADO. Considerando los valores de R1 y R2 ajustados a los
debe haber obtenido los valores siguientes: Valores teóricos de R1 = 6568 Ω y R2 = 574Ω.
Valores comerciales mas próximo R1 = 6,8 kΩ y R2 = 560 Ω respectivamente.
2.4.4 Disponga el Multímetro en su condición de

Amperímetro y mida las corrientes de base , colector
y emisor. Mida el voltaje VBC, VBE y VCE Anote sus
resultados en la Tabla Nº 6.
2.4.5 Deje pasar un intervalo de tiempo de 60 segundos y

mida nuevamente las corrientes de base, colector y
emisor. Anote sus resultados en la Tabla Nº 6.
2.4.6 Toque el transistor y estime aproximadamente su

temperatura. Si tiene algún problema con esta
estimación, acerque un termómetro al transistor y
observe su temperatura. Anote sus resultados en la
Tabla Nº 6.
2.4.7 Obtenga el punto de operación experimental inicial “ QEXO” y final “ QEXF “ del transistor.
Refleje estos valores en la Tabla Nº 6.
2.4.8 Establezca una comparación de los resultados en Polarización Fija con Realimentación
de emisor, con realimentación por colector y por división de tensión. Discuta con sus
compañeros y lleguen a sus propias conclusiones de equipo de trabajo.
TABLA Nº 6: PARÁMETROS ELECTRICOS EN POLARIZACIÓN CON DIVISOR DE TENSIÓN
VALOR VALOR
( VBC )
VOLTAJE BASE-COLECTOR
QEXO:
PUNTO OPERACIÓN “ Q “
QEXF :
POTENCIA TOTAL DISIPADA POR
EL TRANSISTOR

ACTIVIDAD 2.5 EXPERIENCIAS FINALES DE DESAFIO
2.5.1 Explique. ¿ Por qué un cambio de β provoca un desplazamiento del punto de

operación del transistor ?
2.5.2 Razone por qué las condiciones de corte y saturación determinan LA RECTA
DE CARGA para un circuito concreto.
2.5.3 ¿ Cual de los circuitos de polarización estudiados en el laboratorio resultó ser
mas inestable?
2.5.4 ¿Considera Usted que la polarización fija es inestable ? ¿ Por qué ?
2.5.5 ¿Cuál es la ventaja de la polarización por realimentación de colector ?
2.5.6 Exponga de manera resumida el comportamiento del circuito de polarización
universal ante un posible incremento de β.
PROCEDIMIENTO N°03. OBTENCION DE LAS CURVAS CARACTERISTICAS DE

COLECTOR DE UN TRANSISTOR PNP DE SILICIO.
ACTIVIDAD N°3. CURVAS CARACTERISTICAS DE COLECTOR DE UN TRANSISTOR PNP
3.1. MONTE EL CIRCUITO TIPICO DE PRUEBA DE LA FIGURA N° 1. Analice teórica y

experimentalmente el funcionamiento del circuito y obtenga las Curvas Características de
Colector, para determinados valores de la Corriente de Base ( IB ) previamente fijados por
Usted o su Grupo de Trabajo. Dibújelas en su Cuaderno de Laboratorio. Encuentre
teóricamente la Corriente de fuga ( ICEO ) y la Resistencia de Saturación( Rsat ).
3.2. A partir de la Curvas Características

obtenidas, mida la Corriente de fuga
( ICEO ) y la Resistencia de
Saturación( Rsat ). La Corriente de
Fuga es posible despreciarla en los
transistores de silicio. ¿ Por que ?.
3.3 Analice el resultado obtenido,

discuta con sus compañeros y
Justifique su respuesta. Si el
transistor es de germanio, será
justificable despreciar la corriente
de fuga ( ICEO ) ?. ¿ Por que ?.
3.4. Identifique las Regiones de Saturación, Activa y de Corte sobre su Familia de Curvas
obtenidas. Resáltelas y diferéncielas con colores diferentes a objeto de no confundirlas.
3.5. A partir de las Curvas Características encontradas, mida βF o hFE para varios Puntos de
Trabajo en la Región Activa. Calcule αF a partir de cada medida de βF.
3.6. Mida βo en los mismos Puntos de Trabajo empleados para la medida de βF.

PROCEDIMIENTO N°04. OBTENCION DE LA RECTA DE CARGA DE UN
TRANSISTOR PNP DE SILICIO.
ACTIVIDADAD N°4. RECTA DE CARGA DE

UN TRANSISTOR PNP.
4.1 Inserte una resistencia de carga

Vin
RL = 2K entre los puntos A y B en el circuito 120Sen(120π t )
anterior, tal como lo indica la figura 3 aquí
reproducida. Trace la Recta de Carga según el
procedimiento explicado en el Apartado
“2. Observación de la Recta de Carga ”.
4.2 Dibújela en su Cuaderno de Laboratorio. Repita la Actividad para Resistencias de Carga de

1K y 3K u otros valores que tenga disponibles. Observe lo que ocurre. Analice lo que ocurre y discuta
con sus compañeros el resultado de sus observaciones y establezcan sus conclusiones respectivas.
PROCEDIMIENTO N°05. OBTENCION DE LOS PUNTOS DE TRABAJO DE

UN TRANSISTOR PNP DE SILICIO.
ACTIVIDADAD N°5. PUNTOS DE TRABAJO DE UN TRANSISTOR PNP DE SILICIO.
5.1 Visualice sobre la Pantalla del Osciloscopio el mismo Punto de Trabajo obtenido
anteriormente, mediante los dos métodos expuestos en el Apartado “ 3. Observación de los
Puntos de Trabajo ”.
5.2 Varíe la Corriente de Base ( IB ) y describa lo que ocurre con el Punto de Trabajo sobre la
Recta de Carga y sobre las Curvas Características.
PROCEDIMIENTO N° 06. DETERMINACION DE LA ZONA DE TRABAJO DE

UN TRANSISTOR PNP DE SILICIO.
ACTIVIDADAD N° 6. OBTENCION DE LA ZONA DE TRABAJO DE UN TRANSISTOR PNP
6.1 MONTE CIRCUITO SIGUIENTE. Analice

teóricamente y explique detalladamente su
funcionamiento, haciendo hincapié en la función que
cumple el Oscilador de 60Hz en la respuesta del
circuito.
6.2 Explique lo que ocurre si se varía la

frecuencia y la amplitud de tensión de este
Oscilador. Realice un bosquejo teórico - grafico de
la respuesta que daría este circuito bajo estas
condiciones.

6.3 Visualice en la pantalla del Osciloscopio una Recta de Carga para una RL = 2 K. Varíe
VCC y describa lo que ocurre con el recorrido de la recta resultante.
6.4 Explique cuál es el efecto que tiene lugar en el circuito ante un aumento o una
disminución de la tensión de polarización VCC.
6.5 Fije la tensión de polarización VCC a un valor adecuado y cambie RL a 1K y después a

3K. Describa los efectos que tienen lugar en el circuito ante un aumento o una disminución de la
resistencia de carga RL. Explique cuál es el comportamiento de la Pendiente de la recta de carga
ante un aumento o una disminución de RL.
6.6 Disponga a RL = 2K y fije VCC = 10 V.

Conmute el Osciloscopio a Barrido Interno para
observar la Gráfica de la Corriente de Colector en
función del tiempo ( IC vs t ). Ajuste VBB y R3 en
el Circuito de Prueba ( figura 5 ), aquí
reproducido, de tal manera que el Punto de
Trabajo de Corriente de Colector quede hacia el
centro de la recta de Carga con un valor de VCC
/2RL ≈ 5 mA. FIGURA N°5: CIRCUITO DE PRUEBA PARA OBSERVAR EN
PANTALLA DE UN OSCILOSCOPIO EL PUNTO DE OPERACIÓN
6.7 Inserte ahora el Generador de Ondas “ Q “ DE UN TRANSISTOR PNP.
sin R1 en el circuito anterior hasta montar el
circuito mostrado en la figura 8.
6.8 Realice un análisis teórico del

funcionamiento del circuito en DC y AC con Sw
cerrado. Obtenga sus circuitos equivalentes en
cada caso y sus respectivas rectas de cargas.
6.9 Aumente la tensión de barrido para

llevar al transistor a corte y a la saturación. Dibuje
la forma de onda de corriente de Colector en
función del tiempo. Identifique en la curva
obtenida las zonas de corte y de saturación.
6.10 Abra el interruptor Sw , ajuste VBB y FIGURA N°8: CIRCUITO QUE COMPARA LAS RECTAS DE
el Oscilador de audio para visualizar la sección de CARGA DE UN TRANSISTOR PNP EN CORRIENTE
ALTERNA Y CORRIENTE CONTINUA.
curva que queda por debajo de la Recta de Carga
en Corriente Continua. Esta recta de carga debe
cortar el eje horizontal en VCE = 10 V.
6.11 Cierre el interruptor Sw y observe el giro de la recta de carga en Corriente Alterna

alrededor del punto de trabajo y en el sentido horario. Describa sus observaciones y calcule los
valores de carga en AC y DC a partir de la medición de las pendientes de las rectas de carga.

6.12 Conecte el barrido interno del Osciloscopio y observe si la amplitud de la intensidad
varía apreciablemente cuando el interruptor Sw se abre y se cierra. Basándose en sus observaciones
respecto al comportamiento de la corriente, deduzca si la tensión de salida entre colector y tierra
aumenta cuando Sw está cerrado. Explique detalladamente sus observaciones.
PROCEDIMIENTO N° 07. DISEÑO Y CONSTRUCCION DE CIRCUITOS PARA

VISUALIZAR EN EL OSCILOSCOPIO LAS CURVAS CARACTERISTICAS DE IB
vs VBE a VCE CONSTANTE e IC vs VCE a IE CONSTANTE.
ACTIVIDADAD N° 7. DISEÑO Y CONSTRUCCION DE CIRCUITOS DE VISUALIZACION EN EL

OSCILOSCOPIO.
7.1 Diseñe, construya y pruebe un circuito para visualizar en un Osciloscopio, la Corriente de Base
en función de la Tensión Base – Emisor para un valor constante de VCE. Esta actividad debe ser revisada y
evaluada por el Profesor.
7.2 Diseñe, construya y pruebe un circuito para visualizar en un Osciloscopio, las

características de salida de una configuración base común, es decir, que represente la Corriente de
Colector ( IC ) en función del Voltaje Colector - Emisor ( VCE ) para valores constantes de la Corriente
de Emisor. Esta Actividad debe ser revisada y evaluada por el Profesor.
ESTUDIO Y ANALISIS DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASES A, B y AB

FUNDAMENTACION TEORICA
En el presente artículo se describen los fundamentos básicos de los amplificadores de

potencia para audio. Estos conceptos se aplican en el diseño y construcción de un amplificador de
potencia. Por emplear componentes básicos y no hacer uso de ningún circuito integrado puede ser
considerado como un buen amplificador didáctico donde se visualizan los fundamentos básicos de la
amplificación de audio.
Una vez realizada la amplificación de tensión es necesario actuar sobre el medio acústico
para producir la sensación sonora. El elemento donde se produce la conversión de las variaciones
eléctricas en variaciones de presión es el altavoz. Si se quiere producir una gran variación acústica es
necesario disponer de altavoces con un gran cono y para mover este cono es necesario que circule
una elevada corriente. Se consigue con una etapa final.
La etapa final amplifica corriente y no

tensión. La etapa de potencia es una etapa
amplificadora de corriente. La primera aproximación
es intentar conseguirlo con un amplificador en clase
A con transistores. La primera dificultad es adaptar la
baja impedancia del altavoz con la necesaria en el
colector del transistor. Suele ser alrededor de 1.000
W. Se utiliza un trasformador para adaptar las
impedancias. El esquema se muestra en la figura 9.

En un transformador se cumple que la Relación de Transformación “ n” entre los
Arrollamientos Primario y Secundario viene dada por: n = N1 / N2 = V1 / V2 .
Donde N1 y N2, representan el número de vueltas en los arrollamientos primario y

secundario, respectivamente. V1 y V2 , representan los voltajes en los arrollamientos primario y
secundario, respectivamente. Ahora bien, como el transformador tiene un rendimiento superior al
90%, se puede considerar ideal y la potencia del primario es prácticamente igual a la potencia en el
secundario, esto es, se cumple que:
P1 = P2
Siendo: P1 = V1 I1 y P2 = V2 I2 , las Potencias para Cargas Resistivas y donde
I1 e I2 representan las corrientes en los arrollamientos primario y secundario, respectivamente.
En nuestro caso, el altavoz se considera una carga resistiva y por lo tanto se adapta
mediante la red de Zobel. Investigue que es una Red Zobel antes de realizar este Trabajo de
Laboratorio.
Según la ley de Ohm se obtiene que: V1 = Z1 I1 y V2 = Z2 I2

2
Al realizar operaciones se obtiene que: Z1 = n Z2 , donde Z1 representa la
impedancia transferida al primario de Z2 . Si Z2 es la impedancia del altavoz resulta:
Z1 = n2 RL.
El amplificador tiene dos rectas de carga distintas. La recta de carga estática y dinámica. Se
diseña para que trabaje en clase A en régimen dinámico, resultando una corriente en el punto de
funcionamiento:
ICQ = Vcc / n2RL
La potencia disipada en el transistor es el doble respecto a la disipada en el altavoz. El
rendimiento es del 50%. Siempre está conduciendo el transistor, incluso en ausencia de señal de
entrada. Además, el transformador no tiene una respuesta lineal y se pueden presentar distorsiones.
Por todas estas causas este tipo de amplificador, Clase A no es recomendable y No se usa , dando
paso así a otro tipo de configuración, el Amplificador en Clase B.
AMPLIFICADOR EN CLASE B.
El Amplificador en Clase B o en contrafase con transformador se diseñó para solucionar

los problemas que presentaba la amplificación de potencia para audio en clase A.
El esquema básico del Amplificador de Audio en Contrafase Clase B se muestra en la figura

N° 10. La señal de entrada Vin llega a un transformador con toma central en el secundario. Se
obtiene una señal con toma media respecto a masa. Para un semiciclo la polarización hace que entre
en conducción el transistor Q1 y el transistor Q2 se corte. En el siguiente semiciclo, conduce Q2 y se

corta Q1. La salida de ambos colectores va al primario de otro transformador con toma media
conectada al positivo de la fuente de alimentación.
En la salida de este transformador se

obtiene sobre la carga o altavoz, la señal
reconstruida y adaptada a la impedancia de éste. La
ventaja de este amplificador reside en el alto
rendimiento (78%) y en la ausencia de consumo sin
señal en la entrada. El principal inconveniente es la
distorsión de cruce.
Esta se produce al estar los transistores en

corte. Para que entren en conducción es necesario
superar la barrera de potencial de los diodos. Es
necesario que entre base y emisor se tengan
aproximadamente 0.7 V. Como la polarización viene
determinada por la propia señal, aparece una
distorsión denominada distorsión de cruce.
Cada transistor en reposo estará en estado

corte, respondiendo así al funcionamiento de un
amplificador en clase B mostrado en la figura N° 11.
Con el objeto de diseñar este tipo de

amplificador, se parte de la potencia deseada. Se
supone que es una carga resistiva en el altavoz, ya
que es despreciable el efecto inductivo al estar
compensado por la Red de Zobel.
Así, con estas consideraciones, se tiene que la Potencia en la Carga viene dada por la
ecuación: PL = V * I , Siendo V e I la tensión y la corriente eficaz en el altavoz.
Como I = V / RL haciendo operaciones resulta: PL = Vcc2/ 2n2RL

Y despejando Vcc: Vcc2 = 2 PL n2RL
Vcc =√2 PL n2RL = n√2 PL RL
Siendo Vcc la Tensión de Polarización de la fuente de alimentación. Está en función de la
potencia deseada ( PL ) , de la impedancia del altavoz ( RL ) y de la relación de transformación ( n
) del transformador de salida.
La potencia suministrada por la fuente es: Pcc = PL / 0,78.
“ Recuerde que la ventaja de este amplificador es que posee un Rendimiento ( η ) del 78%. ”
La potencia disipada en cada transistor es: Ptransistor = 0,2 PL.
El principal inconveniente de este circuito es la Distorsión de Cruce. La unión base
emisor no está polarizada y es la propia señal la encargada de polarizar dichas uniones. Si
los transistores estuvieran ya conduciendo, este problema no se presentaría. Sin embargo se
puede resolver al cambiar el diseño del Amplificador en Clase B por un Amplificador en Clase
AB.
AMPLIFICADOR DE POTENCIA EN CONTRAFASE SIN TRANSFORMADOR DE

SALIDA
Es importante tener presente que cuando se utilizan a la salida de un amplificador, un
transistor NPN y otro PNP no hace falta el transformador de acoplamiento a la salida del
amplificador. En las figuras siguientes se muestran algunos de los montajes más utilizados:
En el circuito de la figura 13 cada transistor conduce

durante un semiciclo. En el de la figura 14 también.
Cuando Q1 está en corte, la energía almacenada en el
condensador C1 permite la conducción de Q2. El
funcionamiento también es en clase B. Para
solucionar el problema de la distorsión de cruce se
diseñan en clase AB.
AMPLIFICADOR EN CLASE AB
Este tipo de amplificadores funcionan básicamente como los amplificadores en clase B,
excepto en el que se inyecta una pequeña corriente de polarización para que ya estén conduciendo
previamente a la llegada de la señal. No se diseñan en clase A. Se diseñan casi en corte, pero sin
llegar a estar en ese estado. De esta forma se consigue eliminar la distorsión de cruce.
La principal dificultad de un Amplificador de Audio en Clase AB, es conseguir la Estabilidad

del Punto de Funcionamiento. Esto significa que, se debe garantizar que los transistores no entrarán
en estado de corte. La mejor solución es recurrir al Espejo de Corriente.

El Espejo de Corriente, se basa en la conexión en paralelo de dos diodos iguales. Si
son iguales y tienen la misma curva característica, entonces por los dos diodos circulara la
misma corriente, ya que los puntos de funcionamiento son idénticos.
En el circuito mostrado en la figura N° 15, los dos diodos en paralelo son D1 y el diodo
Base – Emisor del Transistor Q1. Para una misma tensión ánodo - cátodo en los dos diodos se tiene
una misma corriente en cada uno de ellos. Si el diodo y el transistor son de silicio se pueden
considerar iguales la tensión en extremos del diodo y la tensión entre base y emisor.
En el siguiente esquema, la corriente que circula por el diodo es la misma que circula por la
unión base emisor. Es decir, si la corriente Io que circula por la resistencia R permite despreciar a
la corriente de base ( IB ), entonces la corriente que circule por el diodo ( iD ) será prácticamente Io.
Esto significa que se puede cumplir que: Io ≥ 10 IB
Y que la corriente de colector es

aproximadamente: Ic ≈ ( Vcc - 0,7 ) / R.
Para evitar problemas térmicos se coloca en

serie con el emisor una resistencia de potencia de 0.47
Ω. Estos conceptos se emplean en el diseño del
siguiente amplificador de potencia en clase AB.
En la figura N° 16, el transistor Q1 polarizado

por R1 y R2 se comporta como una fuente de
corriente:
Ie ≈ Ic ≈ ( VB -0,7 ) / R4
La corriente Ic en régimen estático es

constante. La corriente por los diodos D1 y D2 también
lo es. La polarización de los transistores queda
garantizada al estar los diodos en paralelo con las
uniones base emisor.
En Corriente Alterna, los diodos se comportan

como una resistencia dinámica por estar polarizados
en el primer cuadrante. Las bases para alterna están
unidas.
Con la finalidad de minimizar las diferencias puede conectarse entre ambas un condensador
en paralelo a los diodos, tal como se muestra en la figura 17.

En reposo, la tensión continua en los extremos de la carga debe ser 0 Voltios. Se ajustará
retocando ligeramente la resistencia R4 o la resistencia R3. Si se introduce una señal variable en la
entrada, Q1 la amplifica. A la salida de Q1, Q2 amplifica el semiperiodo positivo y Q3 el negativo.
En el altavoz, RL, se tiene la señal reconstruida. Para conseguir que los transistores de
potencia puedan ser del mismo tipo, se recurre a la configuración con simetría complementaria y
Darlington.
En la siguiente figura 17 se puede observar esta configuración. Se añade otro diodo, para
compensar otra unión base emisor en la configuración del espejo de corriente. Los transistores
finales son de potencia. La β de estos transistores suele ser de 20. La del resto de los transistores
suele ser de 100.
LA RED DE ZOBEL
La red de Zobel es una Red RC en Serie

compuesta por una resistencia y un condensador en
paralelo con el Altavoz, la cual es diseñada para
compensar el efecto inductivo del Altavoz. El efecto
inductivo es muy destructivo para el Amplificador,
ya que genera Corrientes Inversas de pico que se
devuelven al amplificador y pueden quemar su
etapa de salida.
El esquema es el siguiente:
La resistencia “ Ra ”,
Siendo : Z1 = r1 + 1/j(ωC) = r1 - j(1/ωC) y
representa la resistencia del
altavoz. Suele ser de 8Ω o con Za = Ra + j (ωLa)
4Ω. La Inductancia “ La “,
Luego: Z = Z1 // Za , con ω = 2π f.
representa la inductancia del
De manera que: 1 / Z = 1/ Z1 + 1 / Za
altavoz.
1 / Z = 1/ [r1 - j(1/ωC)] + 1/[ Ra + j(ωLa)]
Para que todo el conjunto sea equivalente a una
Al igualar las partes reales y las imaginarias
Impedancia Óhmica de valor Z = Ra se deben cumplir
dos condiciones: entre si , se tiene que:
1 / Z = 1/ r1 + 1/Ra
1) R1 = Ra Condiciones
de la Red de De modo que se puede justificar si: Z = Ra
2) C = La / Ra2 Zobel
Haciendo operaciones, se obtienen los valores indicados. Valores prácticos son:
Si R = 8 Ω , entonces la Capacidad será: 42 nF ≤ C ≤ 100 nF

Si R = 4 Ω , entonces la Capacidad será: 16 µF ≤ C ≤ 400 µF

PROCEDIMIENTO N° 08. ESTUDIO Y ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR DE
AUDIOFRECUENCIA
ACTIVIDAD N° 8 ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR DE AUDIOFRECUENCIA
8.1 MONTE EL CIRCUITO MOSTRADO. Analice teóricamente su funcionamiento tanto en

corriente continua como en alterna. Justifique su respuesta en ambos casos.
8.2 Obtenga el circuito equivalente en CC y en AC. Explique en cada caso la función y el

comportamiento de cada uno de los componentes del circuito.
a b d
8.3 Realice la Simulación del circuito amplificador, usando cualquier programa de

computación para la simulación de circuitos electrónicos, tales como Proteus, Liveware,
PC Word, etc. Analice el funcionamiento del circuito según la simulación obtenida.
Observe con el Osciloscopio Virtual, las formas de ondas de las tensiones y corrientes en
los puntos a, b, c y d con respecto a Tierra y con respecto a la señal de entrada V in.
Explique cómo progresa la Señal de Entrada Vin a través del circuito
8.4 Monte el circuito en el Protoboard. Analice su funcionamiento ante la excitación de una

señal de corriente continua de onda cuadrada Vin (DC) = 25mV/1KHz y una señal alterna
Vin (AC) = 25mV/1KHz en la entrada Realice un seguimiento del progreso en cada caso
de la señal de entrada Vin (DC) y Vin (AC), a través de todo el circuito, desde la entrada
hasta la salida. Obtenga en cada punto de medición la forma de onda, la amplitud y la fase
de la señal con respecto a la señal de entrada. Obtenga la forma de onda, amplitud y fase
de la señal de salida Vout . Analice, discuta, explique y establezcan sus conclusiones.
8.5 Varíe lentamente la frecuencia de la señal de entrada dentro de cierto rango y observe en
cada caso la señal de salida. Encuentre la Potencia y la Ganancia del circuito.. Con los
datos obtenidos, realice un gráfico en Papel Logarítmico de la Potencia y la Ganancia en
función de la frecuencia.

8.6 Determine el Rango de frecuencias de operación del circuito. ¿ Cual es el Margen de Fase
y el Margen de Ganancia del Amplificador en función de la frecuencia ? ¿ Que aplicaciones
le daría Usted a este circuito?.
PROCEDIMIENTO TEORICO DE DISEÑO. ¿ COMO SE PROCEDE PARA

DISEÑAR UN AMPLIFICADOR DE POTENCIA EN CLASE AB, DE ACUERDO A
CIERTAS CONSIDERACIONES DE SALIDA PREESTABLECIDAS ?.
El Diseño Electrónico es un poco complejo, según sea el caso tratado y el Área de la
Electrónica en la cual vamos a diseñar, pues las Consideraciones y Normas a aplicar varían de una a
otra.
En el caso tratado, se puede comenzar el Diseño desde la Entrada hacia la Salida, esto es,
( Condiciones de Entrada Preestablecidas ) o también, desde la Salida hacia la Entrada, ósea, (
Condiciones de Salida Preestablecidas ) y en ambos casos, las Consideraciones de Diseño impuestas
por el Diseñador serán diferentes y el procedimiento de cálculo, también será muy diferente.
ACTIVIDADES DE CALCULOS A REALIZAR.DISEÑAR UN AMPLIFICADOR DE AUDIO EN

CONTRAFASE EN CLASE AB CON UNA POTENCIA DE 30W , CON UNA FRECUENCIA DE
CORTE INFERIOR ( fc inf ) DE 20 HZ, PREVISTO DE UNA PEQUEÑA ETAPA
PREAMPLIFICADORA COMPUESTA POR UN TRANSISTOR.
El Circuito Básico elegido del Amplificador de Potencia se muestra en la figura siguiente:
FIGURA N° 19: PROTOTIPO DE AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE 30 W COMLETO, EN

CONTRAFASE EN CLASE AB CON ETAPA DE POTENCIA EN DARLINGTON PARA UNA CARGA DE 8 Ω
Con la finalidad de cumplir con las características y consideraciones del diseño, tomaremos
en cuenta en primer lugar la Potencia requerida, en nuestro caso es de 30 Watts la cual deberá
actuar sobre un Altavoz de 8Ω.
Potencia de Salida ( PL ) = 30 W
Consideraciones
impuestas por el Impedancia de la Carga ( RL ) = 8 Ω
Diseñador:
Frecuencia de Corte Inferior ( fci ) = 20 Hz

Una vez elegido el Circuito Básico a diseñar e impuestas las consideraciones del Diseño, se
comienza de derecha a izquierda ( desde la Salida hacia la Entrada ), y el primer paso a seguir es
calcular la Tensión de Alimentación.
CÁLCULO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN
Como PL = VL IL por ser carga resistiva, y como IL = VL / RL , resulta que:

PL = VL2/ RL .
Donde VL representa el valor eficaz de la Tensión en la Carga ( RL ) .
Al estar alimentado el amplificador con alimentación simétrica, la máxima desviación de la tensión en
la carga es Vcc.
Así resulta que: VL = Vmax /√2 = VP /√2 = Vcc /√2
2 2 2
Sustituyendo: PL = VL / RL = (Vcc /2 )/ RL = Vcc / 2RL .
Al despejar Vcc , resulta que: Vcc =√2 PL RL
Sustituyendo valores: Vcc = √2( 30W)(8Ω) = √2 ( 30 V2/ Ω)(8 Ω) = √480 V 2
Vcc = 21,9:8V ≈ 22 V. Tensión de Alimentación
La fuente de alimentación deberá suministrar al amplificador una tensión simétrica de ±22 Voltios.
La corriente máxima que debe suministrar cada fuente será:
Icc = Vcc /RL = 22V/8 Ω = 2,75 Amperios

Icc = 2,75 A Intensidad de Corriente Mínima de la Fuente de Alimentación
CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES

Los transistores de potencia Q5 y Q6 de acuerdo con los resultados obtenidos, deben
tener las siguientes características:
Vce ≥ 22 V , Icc = 2,75 A y β = 20 ( Transistores de Potencia )
CARACTERÍSTICAS DE LAS RESISTENCIAS R9 y R10
Las resistencias R9 y R10 se eligen de 0.47 Ω. Al ser de potencia, es necesario calcular la

potencia disipada de la manera siguiente:
PR9 = VI = Icc 2 R9 = ( 2,75A )2 x 0,47 Ω = 3,55 W.

Resultando de esta manera, una potencia disipada para R9 y R10 de 3,55 W. De tal
manera que: PR9 = 3,55 W y PR10 = 3,55 W.

Las resistencias de emisor R9 y R10 son resistencias de 0,47 Ω , con una capacidad de
disipación superior a 3.55 W ( Potencia Mínima ) que deberán disipar.
CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES Q3 y Q4.
Ahora bien, como Q4 es un transistor NPN en configuración Darlington junto con Q6.
Entonces Q3 es un transistor PNP en configuración Darlington complementario junto con Q5. De
manera que Q4 y Q5 equivalen a un transistor NPN con un β = β1 x β2.
De manera similar, Q3 y Q5 equivalen a un transistor PNP de β = β1 x β2. Los transistores de

potencia tienen una β1 aproximada de 20. Por ejemplo se elige el 2N3055. Para Q4 se elige un
transistor de β2 = 100. Por ejemplo el 2N2222A. Para Q5, un transistor PNP de β = 100, por ejemplo el
2N2905.
CÁLCULO DE R8
Para calcular R8 se necesita saber la corriente y la diferencia de potencial en extremos. En
reposo, la tensión en RL es 0V. Despreciando la caída de tensión en la resistencia de 0.47W, la
tensión en la base de Q4 es 1.4V.
El valor máximo de la corriente por la base es: Ib = IC / β1 x β2 = 2,75A/2 x 100 = 0,0014

A = 1,4mA.
Ib = 1,4 mA ( Corriente de Base )
Se toma para R4 una corriente ligeramente superior para garantizar que los diodos y el
transistor Q2 siempre estén conduciendo. Por ejemplo 5 mA.
R8 = ( Vcc – 2 Vbe ) / Ib = ( 22V – 2 x 0,7V ) / 5 mA = 4120 Ω

R8 = 412: Ω
CÁLCULO DE C3
El condensador C3 garantiza la unión eléctrica de las bases de los transistores para alterna.
Se puede realizar un cálculo aproximado para obtener el valor del mismo. No es crítica su elección.
C ≈ 1 / ( 2π fci x 3rd ) = 1 / (2π x 20Hz x 3rd ), siendo rd , la resistencia en directa de

los diodos a temperatura ambiente de 25°C.
rd = 25 mV / 5mA = 5 Ω >>> rd = 5 Ω
Luego: C3 ≈ 1 / (2π x 20 x 3 x 5 Ω ) = 530 µF >>>> C3 = 530 µF

ELECCIÓN DE LOS DIODOS D1, D2 y D3
La corriente que circula por los diodos es pequeña, 5mA. Sirve cualquier diodo de señales,
como por ejemplo el 1N4148. Por lo tanto:
D1 = D2 = D3: 1N4148
ELECCIÓN DE Q2
Como el Q2 es un transistor que funciona con una corriente y una tensión reducida.
Cualquier transistor de señales sirve para esta aplicación.
De aquí, se elige el Transistor Q2 , tipo NPN, Modelo 2N2222A y con β = 100.
CÁLCULO DE R7
La resistencia R7 debe calcularse de forma que permita el correcto funcionamiento del
transistor Q2 para cualquier variación de la señal de entrada. Se elige una caída de tensión Vcc /10,
es decir 2.2 V, de manera que:
R7 = Vcc / Ic = 2,2 V / 5 mA = 440 Ω >>> R7 = 440 Ω
CÁLCULO DE R5
Se elige una corriente que pase por R5 y R6 superior a la corriente de la base. La corriente
que circula por la base de Q2 se obtiene mediante la ecuación:
Ib2 = IC2 / β2 = 5mA / 100 = 0,05mA >>> Ib2 = 50µA.
Así, se puede elegir una corriente de 1 mA >>> 50µA. De esta forma se puede despreciar
la de base. Luego obtenemos que R5 será:
R5 = ( Vcc + 0,7 ) / 1mA = 2900 Ω >>> R5 = 2900 Ω

CÁLCULO DE R6
Ahora bien, como la corriente por R6 es de 1 mA. La diferencia de potencial en sus
extremos será: VR6 = 22 – ( - 19.1 ) = 41.1 V.
Así tendremos que R6 será: R6 = VR6 / 1 mA = 41.1 V / 1mA = 41100 Ω >>> R6 = 41.1 K Ω
ELECCIÓN DE Q1
Q1 es un transistor de señal. Se puede elegir perfectamente el 2N2222A.

Por lo tanto: Transistor Q1, tipo NPN, Modelo 2N2222A y con β = 100.
CÁLCULO DE R3 Y R4
Se elige una corriente de colector de 10 mA, un punto de funcionamiento en clase A y una
tensión de emisor de 2.2 V. A partir de estos datos se diseñan las resistencias:
R3 = Ve / IC = 2.2 V / 10 mA = 0,22 K Ω = 220 Ω >>> R3 = 220 Ω

En el colector de Q1 se tiene la siguiente tensión: VC = Ve + Vce = Ve + Vcc /2
VC = 2.2 + 22/2 = 13.2 V
De aquí, tenemos que la Resistencia R4 será:
R4 = ( Vcc – Vc ) / Ic = ( 22 – 13.2 )V / 10mA. >>>> R4 = 880 Ω.

La ganancia de la etapa amplificadora será:
A = 20 Log [(R4 // Ze2 ) / ( rd1 + R3 )] ¡¡ Demostrar !!

Suponiendo que se está trabajando a una frecuencia superior a la de corte. La impedancia de
entrada de la siguiente etapa será:
Ze2 = R5 // R6 β ( rd2 + R7 ) ¡¡ Demostrar !! >>> Ze2 = 2553 Ω

Ahora bien, la Resistencia en directo del diodo D2, será: (rd2) = 25 mV / 5 mA = 5 Ω,
y la Resistencia en directo del diodo D1, será: (rd1 ) = 25 mV / 10 mA= 2.5 Ω..
Resultando que: rd1 = 2.5 Ω y rd2 = 5 Ω

Calculando R4 // Ze2 se obtiene: R4 // Ze2 = 654 Ω..
La ganancia de esta etapa amplificadora será:
A = 20 Log (654 / 222.5 ) = 9 dB >>>>>> A = 9 dB
¡¡ Se deja al Estudiante el Cálculo de la expresión de la Ganancia Av del Amplificador. !!

La ganancia de Tensión Av será : Av = 654 / 222.5 = 2.9.
Siendo Av = V2 / V1, la Función de Transferencia del Amplificador.
CÁLCULO DE C2.
El condensador C2 se calcula a partir de la siguiente expresión: C2 = 1 / (2π fci (R4 //
Ze2). Al sustituir los valores tenemos: C2 = 1 / [2π x 20(880 + 2553)] = 2.32 µF >>>
C2 = 2.32 µF ( Valor mínimo a elegir ). Se elegirá: C2 = 10 µF
CÁLCULO DE R1 Y R2.
La corriente por la base de Q1 es Ib1 = Ic / 100 = 0.1 mA. Se toma una corriente por R2 diez
veces superior a Ib1 , a manera de que Io = 10 Ib1 hacer aproximaciones: Io = 1 mA.
La tensión en la base de Q1 es: Vb1 = Ve1 + Vbe1 = 2.2 + 0.7 = 2.9 V. Luego, la
resistencia R1 será: R1 = 2.9 / 1mA = 2900 Ω >>>> R1 = 2900 Ω

La Resistencia R2 se calcula a partir de:
R2 = ( Vcc – Vb1 ) / Io = ( 22 - 2.9 )/1 mA >>>> R2 = 19.1K Ω

CÁLCULO DE LA IMPEDANCIA DE ENTRADA ( Ze ).
La impedancia de entrada del amplificador se calcula a partir de la siguiente expresión:
Ze = R1 // R2 β ( rd1 + R3 ) ¡¡ Demostrar !! >>>>

Por lo tanto, finalmente resulta que:
Ze = 1092 Ω ( Impedancia de Entrada del Amplificador )
CÁLCULO DE C1.
El cálculo de C1 se realiza a partir de la impedancia de entrada ( Ze ) y de la frecuencia
inferior de corte ( fci ):
C1 = 1 / ( 2π . fci . Ze )= 7.2 µF ( Valor mínimo del Condensador )

Se toma uno de 10 µF. Por lo tanto: C1 = 10 µF.
Finalmente, una vez culminados los cálculos de los componentes, ajustados los valores
teóricos a los valores comerciales de las Resistencias y Condensadores, previa elección de los
transistores de acuerdo con los resultados obtenidos, se constituye el circuito definitivo, el cual se
presenta a continuación:
FIGURA N° 20: CIRCUITO DEFINITIVO DEL AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE 30 W COMLETO, EN CONTRAFASE EN CLASE AB CON
ETAPA DE POTENCIA EN DARLINGTON PARA UNA CARGA DE 8 Ω, AJUSTADO A LOS VALORES COMERCIALES DE SUS COMPONENTES.
A continuación, se procede con la Simulación del funcionamiento del circuito mediante la

utilización de cualquier Programa de Computación para Simulación de Circuitos Electrónicos, como
por ejemplo, PROTEUS.
Una vez simulado y verificado su funcionamiento, se procede al Montaje y Construcción del

Amplificador en el Protoboard , para así analizar y estudiar el funcionamiento del Amplificador en el
Laboratorio.

PROCEDIMIENTO N° 09. DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DE POTENCIA EN CLASE
AB DE ACUERDO A CIERTAS CONSIDERACIONES SALIDA.
ACTIVIDADAD N°09. DISEÑO TEORICO DEL AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE SALIDA

COMPRENDIDA ENTRE 15 W ≤ PL ≤ 25 W, SEGÚN LAS CARACTERISTICAS ASIGNADAS.
( Esta Actividad será asignada a cada Grupo de Trabajo y Evaluada por el Profesor al
culminar todo el Diseño, la Simulación, el Montaje y Elaboración para Verificar el
Funcionamiento del Amplificador )
9.1 Establezca una discusión entre sus compañeros del Grupo de Trabajo y Propongan las
Características Técnicas y Consideraciones de Diseño a imponer del Amplificador de Potencia en
Clase AB a diseñar.
Entre las Consideraciones de Diseño a imponer, cada Grupo de Trabajo deberá centrar sus
atenciones en: Potencia de Salida entre 15W ≤ PL ≤ 25 W, Frecuencia de Corte Inferior ( 10 Hz a
30 Hz ), Impedancia de la Carga RL a alimentar deberá ser de ( 4Ω u 8Ω ).
9.2 Consulte con el Profesor para que le asigne las Características del Amplificador a
diseñar, según los acuerdos del Grupo de Trabajo. Anote las Consideraciones de Diseño
establecidas.
9.3 Tomando como base del Diseño el Circuito Básico del Prototipo de la figura N° 19 y el
Procedimiento de cálculo seguido en el diseño expuesto teóricamente, Calcule la Tensión de
Polarización o Alimentación ( VCC ) y la Intensidad de la Corriente ( IC ) de la fuente de alimentación
requerida por la Carga RL elegida.
9.4 De acuerdo con los valores de VCC e IC obtenidos, seleccione los transistores Q5 y Q6
a utilizar. Anote las características de estos transistores y baje de la Web Internet, los respectivos
Datasheet de los transistores.
9.5 Elija las resistencias de potencia R9 y R10 de 0,47 Ω, y calcule la disipación de potencia
de cada una de ellas.
9.6 Establezca las Características de los transistores Q3 y Q4, los cuales estarán en
configuración Darlington conjuntamente con Q5 y Q6 respectivamente, según las consideraciones
de las β establecidas en el diseño del amplificador de 30 W expuesto anteriormente. Anote las
características de estos transistores y obtenga de la Web, los Datasheet de los transistores.
9.7 De acuerdo con las β de los transistores establecidos, encuentre la resistencia R8 y el

condensador C3.
9.8 Tomando en cuenta las consideraciones de diseño del Amplificador de 30W, seleccione
los Diodos D1, D2, D3 y el transistor Q2.

9.9 Calcule la resistencia R7, y basándose en las consideraciones de diseño preestablecidas,
calcule a posterior las resistencia R5 y R6, previo el cálculo de las corrientes respectivas. Recuerde
que la corriente que circula por R6 ( IR6 ) debe ser mucho mayor que la corriente de base ( Ib2 )
Culminados estos cálculos, elija a continuación el transistor Q1.
9.10 Elija una corriente de colector IC de modo que se cumpla la condición de que
( IC ≥ 10 IR6 ), un punto de funcionamiento en clase A y una tensión de emisor de Vcc /10. A partir
A de la etapa amplificadora,
de estos datos calcule las resistencias R3 y R4. Determine la Ganancia
calculando previamente la impedancia de entrada de la siguiente etapa Ze2.
9.11 Calcule el condensador C2 a partir de la expresión: C2 = 1/(2π fci (R4//Ze2). Obtenga

a continuación las resistencias R1 y R2. Calculando previamente la tensión Vb1 y la corriente Ib1 que
circula por la base de Q1, tomando en cuenta que la corriente que circula por R2 diez veces
superior a Ib1 .
9.12 Calcule la impedancia de entrada ( Ze ), a partir de la expresión Ze = R1 // R2 β (

rd1 + R3 ) y finalmente obtenga el valor del condensador C1 a partir de la impedancia de entrada (
Ze ) y de la frecuencia inferior de corte ( fci ).
9.13 Realizados todos los cálculos correspondientes, elegidos y ajustados los componentes
del amplificador a los valores comerciales, muestre el diagrama electrónico final del circuito.
ACTIVIDADAD N°10. SIMULACION DEL AMPLIFICADOR DE POTENCIA 15W ≤ PL ≤ 25 W

DISEÑADO.
10.1 Realice el montaje virtual del Amplificador diseñado para una Potencia de Salida
comprendida entre 15W ≤ PL ≤ 25 W, utilizando cualquier Programa de Computación para la
Simulación del funcionamiento de Circuitos electrónicos tales como Proteus, Live Ware, PCB Word,
Electronics Worbench, etc. Verifique el funcionamiento del circuito diseñado.
10.2 Realice las mediciones de las Corrientes y las Tensiones en las entradas y salidas de
cada etapa amplificadora, obteniendo en cada caso la Ganancia de cada una de ellas. Observando y
dibujando las formas de ondas en las entradas y salidas de cada una de las etapas del amplificador en
su Cuaderno de Laboratorio.
10.3 Varíe la frecuencia de la señal de entrada del amplificador y obtenga la Respuesta en

Frecuencia de su Amplificador. Realice una representación gráfica de la Amplitud en función de la
Frecuencia (Respuesta en Frecuencia) del Amplificador. ¿ Cuál es el Ancho de Banda de su
Amplificador ?
10.4 Obtenga el Margen de Ganancia y el Margen de Fase de su amplificador. Realice una

Representación en Papel Logarítmico.

10.5 Basado en los resultados teóricos y virtuales obtenidos, realice el Diagrama del
Amplificador en Lazo Cerrado, determine la Función de Transferencia F(s) del Amplificador de ser
posible y encuentre los Polos y Ceros de F(s).
ACTIVIDADAD N°11. MONTAJE, ELABORACION Y ANALISIS EXPERIMENTAL DEL

AMPLIFICADOR DE POTENCIA 15W ≤ PL ≤ 25 W DISEÑADO.
11.1 Realice el montaje del Amplificador diseñado en el Protoboard. Verifique el

funcionamiento del circuito diseñado.
11.2 Realice las mediciones de las Corrientes y las Tensiones en las entradas y salidas de
cada etapa amplificadora, obteniendo en cada caso la Ganancia de cada una de ellas. Observando y
dibujando las formas de ondas en las entradas y salidas de cada una de las etapas del amplificador en
su Cuaderno de Laboratorio.
11.3 Varíe la frecuencia de la señal de entrada del amplificador y obtenga la Respuesta en

Frecuencia de su Amplificador. Realice una representación gráfica de la Amplitud en función de la
Frecuencia (Respuesta en Frecuencia) del Amplificador. ¿ Cuál es el Ancho de Banda de su
Amplificador?
11.4 Obtenga el Margen de Ganancia y el Margen de Fase de su amplificador. Realice una

Representación en Papel Logarítmico.
11.5 Basado en los resultados experimentales obtenidos, realice el Diagrama del

Amplificador en Lazo Cerrado, determine la Función de Transferencia F(s) del Amplificador de ser
posible y encuentre los Polos y Ceros de F(s).
ACTIVIDADAD N°12. DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE ACUERDO

A CIERTAS CONSIDERACIONES DE ENTRADA PREESTABLECIDAS.
Con la finalidad de aclarar la problemática del Diseño Electrónico y mostrar las diferencias
que existen en el cálculo de os componentes cuando partimos de las Consideraciones de Diseño de
Entrada o de las Consideraciones de Diseño de Salida.
PROBLEMA A RESOLVER: SE DESEA DISEÑAR UN AMPLIFICADOR DE

POTENCIA EN CLASE AB QUE CUMPLA CON LAS SIGUIENTES ESPECIFICACIONES O
CONDICIONES DE ENTRADA:
1) Se eligen los Transistores siguientes: Q1 = Q2 = Q4 : 40408 o Equivalente,

Q 3: 2N2870 o Equivalente, Q 5 = Q6 : 2N3055 o Equivalente.
2) Temperatura: 25°C @ 50°C.
3) Impedancia de Entrada Mínima Ze = 1,5 KΩ.
4) Carga RL = 8Ω.
5) Potencia de Salida Mínima: 2,5 W.
6) Ganancia A : 25.
7) Respuesta en Frecuencia: 30 Hz a 30 KHz @ - 3dB.
8) Fuente de Alimentación: 18 V.
9) Voltaje de Entrada ( Vin ): 0,2 Vrms Mínimo.

10) Diagrama Electrónico del Prototipo del Amplificador Elegido:
12.1 Identifique cada una de las Etapas que constituyen al amplificador y analice su
funcionamiento por etapas, tanto en Corriente Continua como en Corriente Alterna. Aplique Las
Leyes, Principios y Teoremas Fundamentales de la Teoría de Circuitos y Calcule los Parámetros
Electricos que ha bien sean necesarios siguiendo el circuito Prototipo, desde la Entrada hasta la
Salida, tomando en cuenta Los Datos suministrados en las Especificaciones del Diseño.
12.2 Calcular el valor de los condensadores y resistencias para que el Amplificador funcione
de acuerdo a las especificaciones dadas anteriormente.
12.3 Ajuste los valores teóricos obtenidos de los condensadores y resistencias, y ajústelos a
los Valores Comerciales más aproximados, de manera que se cumplan las especificaciones dadas.
12.4 Calcule las Impedancias y Ganancias de cada etapa, y obtenga sus Márgenes de Fase y
de Ganancia.
12.5 Realice el Diagrama en Bloques en Lazo Cerrado y Encuentre la Función de

Transferencia F(s).
12.6 Hallar los Polos y Ceros de la Función de Transferencia y establezca su Grado de

Estabilidad.
12.7 Realice la Simulacion del Amplificador una vez culminado el Cálculo de todos los
componentes, utilizando cualquier programa de Simulacion de circuitos electrónicos como Proteus,
Live Ware, PC Word, etc.
12.8 Mida las Tensiones y Corrientes en cada etapa y determine la Potencia de Salida en
cada una de ellas. Observe en cada etapa las respectivas Formas de Ondas. Grabar en un Archivo
PDF el Resultado de su Simulacion.
12.9 Consulte al Profesor para evaluar el resultado de su Diseño y Simulacion.
12.10 Si Usted es muy Curioso, Monte Experimentalmente su Amplificador Diseñado.

ANDRES HERRERA
UNEXPO, FEB 2020


TRABAJO DE LABORATORIO ° 06 - EL TRANSISTOR, SUS PRINCIPIOS Y ALGUNAS APLICACIONES FUNDAMENTALES (VF) - 28 Feb2020

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U UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA

N “ANTONIO JOSÉ DE SUCRE”

OBJETIVOS: Al finalizar este Trabajo de Laboratorio Usted estará en capacidad de:

Trabajo de Laboratorio N°02 “ EL TRANSISTOR, FUNDAMENTOS BASICOS Y ALGUNAS APLICACIONES”.

El Transistor es un dispositivo cuya

La denominación de bipolar se debe a que

EL TRANSISTOR SIN POLARIZAR

El transistor esta compuesto por tres zonas

Un transistor se puede suponer similar a

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Esto hace que en las uniones entre las zonas n

Si se conectan fuentes de tensión externas para polarizar al transistor, se obtienen resultados

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La corriente de colector ( IC ), consta de dos componentes, siendo la más importante la

Si aplicamos las Leyes de Kirchhoff al circuito

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IB = IE ( 1 - α ) - ICBO , pero IE = IB + IC , luego resulta que:

α IB = IC ( 1 - α ) - ICBO , finalmente tenemos:

Siendo β = α/(1 - α ), y representa una Ganancia de Corriente entre el Colector y

ANALISIS DE LA UNION BASE – EMISOR

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La resistencia rd representa la pendiente de la recta de Carga en el Punto Q. Si aplicamos

MODELO LINEALIZADO DEL TRANSISTOR POR

Con la finalidad de mostrar el uso del Modelo RC

VBEQ VEE vBE

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De acuerdo con la figura anterior, si despreciamos el valor de r,

iE = (VEE + Vm Cosωt - VBEQ )/Re

Ahora bien, como iE = IEQ + ie , entonces podemos obtener la corriente de emisor en

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ANALISIS DE LA UNION COLECTOR - BASE

Este hecho conduce al circuito equivalente

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CONFIGURACIONES BASICAS DE UN TRANSISTOR

i) CONFIGURACIÓN BASE COMÚN ( BC)

La zona que más nos interesa es la zona activa, por lo

Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p

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EJEMPLO: Suponga que en un transistor IE = 100 mA. Si se recombinan el 1 % y no se

ii) CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN (EC)

Esta configuración es la más utilizada. Como en

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En electrónica es muy habitual el hablar de transistores de baja potencia (pequeña señal) y

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TRANSISTORES DE POTENCIA: Se le llama transistor de

CURVA CARACTERÍSTICA DE ENTRADA

Si variamos el valor de la fuente VBB de la malla de

CURVA CARACTERÍSTICA DE SALIDA

De manera parecida, si analizamos la malla de salida

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UE = diodo EB = Unión de Emisor.

 Zona entre 1 y 2: ZONA DE SATURACIÓN.

Recuerde que en activa conociendo el valor de IB e puede calcular la IC ( IC = βcc · IB ).

ZONA ACTIVA: Se utiliza en el diseño de ZONA DE CORTE Y SATURACIÓN: Se utiliza en el diseño

ZONA DE RUPTURA: En Avalancha, se destruye el

Ahora veamos como pasamos de una zona a otra.

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TRANSISTOR EN ESTADO DE CORTE

Analizaremos ahora lo que ocurre en Corte.

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Existen "Portadores minoritarios

La potencia se disipa en las uniones. Veamos un

PBE = 0,7V x 100mA = 70mW