SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE

(SENA)

CRISTIAN JAVIER GONZALEZ TREJOS

PROF. JOSÉ ALEXANDER CASTAÑEDA

TALLER

QUE ES UN TRANSISTOR

ANÁLOGA 2

TAI 80

2024013
ACTIVIDAD

• 1. Cuando y quienes diseñaron el primer transistor.

• 2. Para que se utiliza un transistor Bipolar?
• 3. Porque fue tan complejo el desarrollo del primer transistor.
• 4. Quien dirigió el equipo de científicos que diseño el transistor.
• Cuáles fueron los premios obtenidos en su vida por estos científicos.
• 5. Porque es importante el desarrollo del transistor en el mundo de la
electrónica.
• 6. Que partes tiene un transistor.
• 7. Cuáles son las características más relevantes de un transistor.
• 8. Describe las características de cada modelo de transistor
propuesto en el video de 9 Tipos de Transistores.
• 9. ¿Serán reemplazados los transistores por algún otro elemento
electrónico? consulta y sustenta tu respuesta.
• Participa activamente del conversatorio al respecto de la próxima
clase.

DESARROLLO

1. En diciembre de 1947, John Bardeen, Walter Houser Brattain y William

Bradford Shockley marcarían un punto de inflexión en campo de la
tecnología y la electrónica con el desarrollo del primer transistor, el
transistor bipolar; un proyecto desarrollado en los Laboratorios Bell de
Estados Unidos con el objetivo de encontrar un sustituto de las válvulas
de vacío. Por este hallazgo, los tres investigadores fueron galardonados
con el Premio Nobel de Física en el año 1956

2. Transistor Bipolar o BJT

Transistor NPN Transistor PNP

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos,

puede ser de germanio o silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la
corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo
de transistor.
6.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base
(B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que
tiene la flecha en el gráfico de transistor.
El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le
introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el
entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se
llama amplificación. Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada
transistor.
Entonces:

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el
circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente
cuando se cambia Vcc. Ver figura.

 
En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos
para poder entender que a más corriente la curva es más alta.
3.

Se buscaba un conmutador de estado sólido para ser utilizado en telefonía y

para reemplazar tanto a los relés como a los sistemas de barras. Luego se
contempla la posibilidad de obtener el reemplazo de la válvula (o tubo) de
vacío. Quentin Kaiser escribió: "Si no hubiese sido por las microondas o
el radar de UHF, probablemente nunca hubiéramos tenido la necesidad de
detectores de cristal. Si no hubiéramos obtenido detectores de cristal,
probablemente no habríamos tenido el transistor, salvo que hubiera sido
desarrollado de algún modo completamente diferente". (Citado en “Revolución
en miniatura” de E. Braun y S. Macdonald).
Se sabía que el contacto entre un alambre metálico y la galena (sulfuro de
plomo II) permitía el paso de corriente en una sola dirección, tal como lo
revelaron los trabajos de Carl Ferdinand Braun. El radar, por otra parte, al
emplear frecuencias elevadas, debía utilizar un detector eficaz, con muy poca
capacidad eléctrica, por lo que no era conveniente el uso de los diodos de
vacío. El diodo de estado sólido era esencial para esa finalidad. En la década
de los cuarenta estaba completo el estudio teórico de los contactos
semiconductor-metal.
Uno de los inventores del transistor, Walter Brattain, escribió: "Ninguno en la
profesión estaba seguro de la analogía entre un rectificador de óxido de cobre y
un tubo diodo de vacío y muchos tenían la idea de cómo conseguir poner una
rejilla, un tercer electrodo, para hacer un amplificador".
Para modificar la conductividad de algunos semiconductores, se tuvo en cuenta
los niveles de energía cuantificados de los átomos, que dan lugar a las bandas
de energía cuando existen átomos distribuidos regularmente. El estudio del
movimiento de los electrones en estas bandas, vislumbró la posibilidad de
cambiar la conductividad eléctrica de algunos semiconductores agregando
impurezas controladas adecuadamente, surgiendo así los materiales de tipo N
y de tipo P.

4.
El elegido para guiar la investigación fue William Shockley
Investigador que ya había demostrado su valía en el terreno de los
semiconductores en la II Guerra Mundial, donde éstos fueron claves para el
desarrollo del radar. Shockley había estado presente en las investigaciones
militares y, al ser elegido como líder del equipo por Bell Labs, tuvo muy claro
que quería perfiles muy distintos trabajando a la vez, pero de manera
independiente, en un objetivo común.
5.
Gracias a la miniaturización que permitió el descubrimiento del transistor se
desarrolló la informática. El propio Bill Gates señaló no hace mucho que el
PC no hubiera sido posible sin el invento de Bell Labs. 
El transistor y su aplicación en electrónica: el transistor dio vida a la
expansión de la cultura juvenil a finales de los 50. Decíamos que hizo
historia, sí, incluida esa parte que explotó a finales de los 50: sin él (y sin
Sony, como Ian Ross, presidente de Bell Labs, reconoció), no habría sido
posible la revolución pop, el rock’n‘roll, y el estilo de vida de una generación
dispuesta a consumir además este dispositivo poseía enormes ventajas,
como eran su reducido tamaño y su fiabilidad; con el transistor nació
también una nueva era, que después hemos llamado la de las Tecnologías
de la Información y las Comunicaciones (TICs). Los Bell Labs dieron a
conocer la invención el 30 de junio de 1948 y decidieron llamarlo
"transistor", nueva palabra que resulta de la contracción de otras dos:
"TRANsfer" y "reSISTOR", trans-resistencia, una peculiaridad del
dispositivo. A propósito del descubrimiento, los Bell Labs emitieron una nota
de prensa en la que se indicaba:
"[El transistor] es un dispositivo increíblemente simple, capaz de realizar
eficientemente casi todas las funciones de una válvula de vacío. Se
demostró por primera vez en los Bell Telephon Laboratories donde se
inventó. Conocido como el transistor, el dispositivo funciona basado en un
principio físico totalmente nuevo descubierto por los Laboratorios en el
curso de una investigación fundamental en las propiedades eléctricas de los
sólidos. Aunque el dispositivo está todavía en fase experimental, los
científicos e ingenieros de Bell esperan que tenga una importancia
trascendental en la electrónica de las comunicaciones".

7.

El transistor convencional o bipolar se denomina así porque en su

funcionamiento intervienen corrientes de huecos, o de carga positiva, y de
electrones, o de carga negativa. Otros dispositivos como los FET se denominan
mono polar porque sólo hay corrientes de un tipo.
Los terminales del transistor reciben el nombre de emisor, colector y base. La
base es el terminal que está unido a la zona intermedia del transistor. Las tres
partes del transistor se diferencian por el distinto nivel de dopaje; la zona de
menor dopaje es la base, a continuación se encuentra el colector y por último el
emisor.
Estudio de las corrientes
El análisis del transistor se realizará para una estructura NPN, y es análogo
para el PNP.
Un transistor sin polarizar se comporta como dos diodos en contraposición, y
no existen corrientes notables circulantes por él. Si se polariza, aparecen tres
corrientes distintas, la corriente de base, IB, corriente de emisor, IE, y por
último la corriente de colector, IC. En la figura siguiente están dibuja-das estas
corrientes según convenio, positivas hacia adentro:

8.
TRANSISTORES UNIPOLARES

El funcionamiento de los transistores bipolares expuesto anteriormente está

basado en el movimiento de dos tipos de cargas, electrones y huecos, de
ahí el prefijo ´bi-´; además, las uniones PN se polarizan en sentido directo e
inverso. Otro tipo de transistores muy importante son los unipolares que se
basan en el movimiento de un solo tipo de cargas, electrones o huecos, por
ello el prefijo ´uni-´. En este tipo de transistor, las uniones PN se polarizan
siempre en inverso. El funcionamiento de estos transistores es
significativamente diferente a los bipolares.
Los transistores unipolares se dividen en dos grupos, los transistores de
unión de efecto de campo, JFET o FET, que a su vez se dividen en
transistores de canal N y transistores de canal P, y los transistores metal-
óxido-semiconductor de efecto de campo o MOSFET. Dentro de este grupo
se distinguen dos subgrupos, MOSFET de enriquecimiento y MOSFET de
empobrecimiento, que se dividen al igual que los FET en canal N y canal P.
La figura a continuación muestra la simbología para los diferentes tipos de
transistores.
 

Símbolos de diferentes transistores de efecto de campo.

Transistores JFET

Este transistor está formado por una pastilla de semiconductor tipo N, en la

cual se difunden dos zonas de semiconductor tipo P. La difusión puede
hacerse utilizando una sola cara, o bien, utilizando ambas. En la figura
siguiente se observa la estructura esquemática de este transistor. Si en
lugar de utilizar una pastilla de semiconductor tipo N se utiliza una de P y se
difunden dos zonas N, se obtiene un transistor FET de canal P.

Esquema de un transistor de efecto de campo.

Este transistor posee, al igual que el bipolar, 3 terminales, que se
denominan fuente (source), dre-naje (drain) y puerta (gate).
Drenaje y fuente: Son los terminales que están unidos a la pastilla de
semiconductor (N o P). Los portadores mayoritarios salen por el drenaje y
entran por la fuente. Se denominan por las letras D y S respectivamente. La
conducción entre estos dos terminales se comporta como la de una
resistencia cuyo valor está controlado por la tensión de puerta.
Puerta: Se corresponde con las zonas difundidas. Se comporta como la de
un diodo polarizado en inverso, por lo tanto presenta una alta resistencia de
entrada y casi no circula corriente por ella. Si están las dos unidas
interiormente y se tiene accesible un solo terminal, se tiene un FET de una
puerta, y si están separadas, un transistor FET de dos puertas. La puerta se
representa por la letra G del inglés gate.

Los transistores FET

Tienen un comportamiento muy similar a las válvulas de vacío; se suele
decir que son dispositivos de transconductancia en los que la corriente está
controlada por la tensión de puerta. Los componentes discretos se emplean
en etapas de entrada de amplificadores operacionales por su alta
impedancia de entrada, linealidad y bajo ruido. Los dispositivos de potencia
se usan ventajosamente para sustituir transistores convencionales en las
etapas de potencia ya que son más rápidos, más robustos y carentes de
fenómenos de embalsamiento térmico. Se emplean en conmutación de
potencia debido a sus bajas resistencias internas de conducción.

Transistores MOSFET
La construcción y estructura de estos dispositivos es muy similar al FET e
igualmente sus electrodos se denominan puerta, drenaje y fuente. La
diferencia se encuentra en que la puerta está aislada del canal mediante
una capa de óxido de silicio (SiO2). Estos transistores reciben, también, el
nombre de IGFET (del inglés insulated gate, “puerta aislada”).
MOSFET de empobrecimiento. La estructura de este tipo de MOSFET está
representada en la siguiente figura. En una pastilla de material N, se difunde
una zona p denominada sustrato. En este caso se tiene un MOSFET canal
P, si se hace a la inversa se obtendrá un MOSFET canal N. Este tipo de
transistor apenas se utiliza, pero su importancia radica en que fue el primer
paso para el MOSFET de enriquecimiento, de gran importancia en
electrónica digital y en los ordenadores.
 

Mosfet de empobrecimiento.

MOSFET de enriquecimiento. La diferencia con el transistor de

empobrecimiento está en que en la pastilla de semiconductor N se difunden
dos zonas tipo P, para el transistor de canal P.

Corte esquemático de un transistor Mosfet.

Los transistores MOSFET, se emplean ventajosamente en etapas
amplificadoras y mezcladoras de radiofrecuencia. Dispositivos construidos
con arseniuro de galio como material base se emplean en amplificadores de
potencia en radiofrecuencia hasta frecuencias de más de 35 Ghz. Los pares
complementarios CMOS constituyen el elemento básico de los circuitos
integrados digitales de la familia lógica CMOS. Con esta tecnología se
fabrican actualmente la mayoría de los circuitos digitales de los ordenadores
personales.
Transistor Darlington

Diagrama de una configuración Darlington con transistores NPN.

Módulo de potencia MP4503 de Toshiba, con 4 transistores Darlington, dos

en NPN y dos en PNP, para aplicaciones como por ejemplo el control de
motores en un circuito de puente H.
En electrónica, el transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que
combina dos transistores bipolares en una configuración tipo Darlington en
un único dispositivo (a veces llamado par Darlington). Esta conexión permite
que la corriente amplificada por el primer transistor ingrese a la base del
segundo transistor y sea nuevamente amplificada.
La configuración (originalmente realizada con dos transistores separados)
fue inventada por el ingeniero de los Laboratorios Bell, Sídney Darlington
quien solicitó la patente el 9 de mayo de 1952 2. La idea de colocar dos o
tres transistores sobre un chip fue patentada por el ingeniero Darlington, sin
embargo, no fue así con la idea de colocar un número arbitrario de
transistores sobre un mismo chip.
Comportamiento
Un transistor Darlington se comporta como un transistor ordinario, es decir,
posee base, colector y emisor y puede ser considerado como un único
transistor con una ganancia de corriente equivalente βDarlington. Generalmente
suele considerarse que la ganancia de un transistor Darlington es
aproximadamente el producto de las ganancias de los transistores que lo
componen.

TRANSISTOR IGBT

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés
Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que se
aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.
Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo
voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada
FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un
solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las características de conducción son como las del BJT.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables
hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en
las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia,
domótica y Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras
aplicaciones.

Fototransistor
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región
de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el
transistor al estado de conducción.1El fototransistor es más sensible que el
fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el
primero puede trabajar de 2 formas:

Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. Ip (modo de iluminación).
Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el
fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.

En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexión de base

como sin ella y tanto en cápsulas plásticas como metálicas (TO-72, TO-5)
provistas de una lente.

Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos,

etc. Para comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con
fotodiodos p-i-n. También se pueden utilizar en la detección de objetos
cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad.

Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED,

formando interruptores ópticos (opto-switch), que detectan la interrupción
del haz de luz por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisión y de
reflexión.

Para obtener un circuito equivalente de un fototransistor, basta agregar a un

transistor común un fotodiodo, conectando en el colector del transistor el
cátodo del fotodiodo y el ánodo a la base.

El transistor cuántico semiconductor

abre la puerta a la computación basada en fotones; Las computadoras
cuánticas necesitarán hardware análogo para manipular la información
cuántica. Pero las limitaciones de diseño de esta nueva tecnología son
estrictas y los procesadores más avanzados de la actualidad no se pueden
reutilizar como dispositivos cuánticos. Eso es porque los portadores de
información cuántica, llamados qubits, tienen que seguir diferentes reglas
establecidas por la física cuántica.
Los científicos pueden usar muchos tipos de partículas cuánticas como
qubits, incluso los fotones que forman la luz. Los fotones tienen un atractivo
adicional porque pueden transportar información rápidamente a largas
distancias y son compatibles con chips fabricados. Sin embargo, hacer un
transistor cuántico activado por luz ha sido un desafío porque requiere que
los fotones interactúen entre sí, algo que normalmente no sucede por sí
solo.

Ahora, los investigadores de la Escuela de Ingeniería A. James Clark de la

Universidad de Maryland y el Joint Quantum Institute (JQI), dirigido por el
profesor de ingeniería eléctrica e informática, miembro de JQI y el afiliado
del Instituto de Investigación en Electrónica y Física Aplicada Edo Waks,
han aprobado este obstáculo y demostró el primer transistor de fotón único
que utiliza un chip semiconductor. El dispositivo, descrito en la edición del 6
de julio de Science , es compacto; aproximadamente un millón de estos
nuevos transistores podrían caber dentro de un solo grano de sal. También
es rápido y capaz de procesar 10 mil millones de qubits fotónicos por
segundo.

"Utilizando nuestro transistor, deberíamos poder realizar puertas cuánticas

entre fotones", dice Waks. "El software que se ejecuta en una computadora
cuántica utilizaría una serie de tales operaciones para lograr una
aceleración exponencial para ciertos problemas computacionales.

El chip fotónicos está hecho de un semiconductor con numerosos agujeros,

por lo que parece un panal de abejas. La luz que entra en la viruta rebota y
queda atrapada por el patrón de agujeros; un pequeño cristal llamado punto
cuántico se encuentra dentro del área donde la intensidad de la luz es más
fuerte. De manera análoga a la memoria de computadora convencional, el
punto almacena información sobre los fotones cuando ingresan al
dispositivo. El punto puede acceder efectivamente a esa memoria para
mediar en las interacciones de los fotones, lo que significa que las acciones
de un fotón afectan a otros que luego llegan al chip.

"En un transistor de fotón único, la memoria de puntos cuánticos debe

persistir el tiempo suficiente para interactuar con cada qubit fotónicos", dice
Shuo Sun, autor principal del nuevo trabajo e investigador postdoctoral en la
Universidad de Stanford, que era estudiante de posgrado de la UMD en el
momento de la investigación. "Esto permite que un solo fotón cambie un
flujo de fotones más grande, lo cual es esencial para que nuestro dispositivo
se considere un transistor".
 Para probar que el chip funcionaba como un transistor, los investigadores
examinaron cómo respondía el dispositivo a pulsos de luz débiles que
generalmente contenían solo un fotón. En un entorno normal, una luz tan
tenue apenas se registra. Sin embargo, en este dispositivo, un solo fotón
queda atrapado durante mucho tiempo, registrando su presencia en el
punto cercano.

El equipo observó que un solo fotón podría, al interactuar con el punto,

controlar la transmisión de un segundo pulso de luz a través del dispositivo.
El primer pulso de luz actúa como una llave, abriendo la puerta para que el
segundo fotón ingrese al chip. Si el primer pulso no contenía fotones, el
punto impedía que pasaran los fotones posteriores. Este comportamiento es
similar a un transistor convencional donde un pequeño voltaje controla el
paso de corriente a través de sus terminales. Aquí, los investigadores
reemplazaron con éxito el voltaje con un solo fotón y demostraron que su
transistor cuántico podía cambiar un pulso de luz que contenía alrededor de
30 fotones antes de que se agotara la memoria del punto cuántico.

Waks dice que su equipo tuvo que probar diferentes aspectos del
rendimiento del dispositivo antes de que el transistor funcionara. "Hasta
ahora, teníamos los componentes individuales necesarios para hacer un
solo transistor de fotón, pero aquí combinamos todos los pasos en un solo
chip", dice.

Sun dice que con mejoras de ingeniería realistas, su enfoque podría permitir
que muchos transistores de luz cuántica se vinculen entre sí. El equipo
espera que dispositivos tan rápidos y altamente conectados eventualmente
conduzcan a computadoras cuánticas compactas que procesen una gran
cantidad de qubits fotónicos.

9. Transistores inversores

El mundo de la electrónica parece abocado a experimentar un cambio con

una envergadura equiparable a la del que se produjo hace algo más de
setenta años, cuando los transistores irrumpieron para poner fin al reinado
de las válvulas de vacío. A los fabricantes de semiconductores cada vez les
cuesta más continuar mejorando su tecnología de fabricación porque cada
paso que dan les acerca más al límite físico impuesto por el silicio. Pero,
afortunadamente, parece que estamos rozando con la punta de los dedos la
solución a este problema.
Sungsik Lee, un profesor de ingeniería electrónica de la Universidad
Nacional de Pusan, en Corea del Sur, y antiguo investigador de la
Universidad de Cambridge, en Reino Unido, ha publicado una investigación
en la que describe en el plano teórico un nuevo tipo de dispositivo
electrónico capaz de llevar a cabo la función inversa de un transistor.

Pero lo realmente interesante es que en su estudio defiende que estos

«transistores inversos» nos permitirán fabricar circuitos integrados más
simples, más rápidos y con un consumo inferior, por lo que se postula como
la tecnología que podría evitar el estancamiento de los semiconductores.
Tanto es así que en su artículo, que ha sido publicado en el diario de IEEE y
ha tenido eco en la revista del MIT y el repositorio de la Universidad de
Cornell (Estados Unidos), Lee habla de un «nuevo paradigma» del mundo
de la electrónica.

Por el momento todo lo que propone Sungsik Lee en su investigación queda

circunscrito al ámbito teórico y es difícil prever cuándo conseguiremos
fabricar los primeros ‘trancitores’. El motivo es bastante contundente.
Sabemos cómo deberían funcionar y cuáles serán sus propiedades.
También sabemos qué efecto tendría su introducción en los circuitos
integrados que diseñamos y fabricamos actualmente. Pero aún no
sabemos cómo podemos obtenerlos.
Lee propone la posibilidad de fabricar los ‘trancitores’ aprovechando el
perfectamente conocido «efecto Hall», que es un fenómeno que provoca la
generación de un campo eléctrico en el interior de un conductor por el que
circula una corriente cuando está sometido a un campo magnético en
dirección perpendicular al movimiento de las cargas. Pero hay un problema
que todavía no ha sido resuelto: los científicos no saben cómo aprovechar
este efecto en los circuitos CMOS a escala nanométrica.
 En la
sección A de este diagrama del «efecto Hall» podemos ver cómo el flujo de
electrones atraviesa la sonda Hall, en el centro del esquema. En las
secciones B y C los campos eléctrico o magnético están invertidos.
Este es el reto que es necesario resolver para que la tecnología que
propone Lee en su investigación llegue a buen puerto. Si queréis conocer lo
que defiende este investigador con más detalle y el inglés no os intimida, os
sugiero que echéis un vistazo al artículo que ha publicado, y en el que
describe con todo lujo de detalles los fundamentos físicos de su innovación.
Es evidente que queda mucho por hacer, pero al menos tener opciones con
un fundamento sólido nos permite entrever el futuro de la electrónica digital
con cierto optimismo.