RESUMEN TEMA 1

 De acuerdo con el modelo clásico de Bohr, el átomo tiene una estructura tipo
planetaria con los electrones en órbita a varias distancias alrededor del núcleo
central.

 El núcleo de un átomo se compone de protones y neutrones. Los protones tienen

una carga positiva y los neutrones no tienen carga. El número de protones es el
número atómico del átomo.

 Los electrones tienen una carga negativa y giran alrededor del núcleo a distancias
que dependen de su nivel de energía. Un átomo tiene bandas discretas de energía
llamadas capas en las cuales orbitan los electrones. La estructura atómica permite
un cierto número máximo de electrones en cada capa. En su estado natural, todos
los átomos son neutros porque tienen un número igual de protones y electrones.

 La capa o banda más externa de un átomo se llama banda de valencia y los

electrones que orbitan en esta banda se llaman electrones de valencia. Estos
electrones tienen el más alto nivel de energía de todos aquellos presentes en el
átomo. Si un electrón de valencia adquiere suficiente energía de una fuente externa,
tal como calor, puede saltar de la banda de valencia y escaparse del átomo.

 Los materiales aislantes tienen muy pocos electrones libres y no conducen corriente
en absoluto en circunstancias normales.

 Los materiales que son conductores tienen un gran número de electrones libres y
conducen corriente muy bien.

 Los materiales semiconductores se encuentran entre los conductores y los aislantes

en cuanto a su capacidad para conducir corriente.

 Los átomos de los materiales semiconductores tienen cuatro átomos de valencia. El

silicio es el material semiconductor más ampliamente utilizado.

 Los átomos de los materiales semiconductores están enlazados en una configuración

simétrica para formar un material sólido llamado cristal. Los enlaces que mantienen
unido a un cristal se llaman enlaces covalentes.

 Los electrones de valencia que logran escaparse de su átomo padre se llaman

electrones de conducción o electrones libres. Tienen más energía que los electrones
presentes en la banda de valencia y están libres para andar a la deriva por todo el
material.

 Cuando un electrón se escapa y se libera, deja un hueco en la banda de valencia que

crea lo que se llama par electrón- hueco. Estos pares electrón- hueco son
 térmicamente producidos porque el electrón ha adquirido suficiente energía de una
fuente calorífica externa para escaparse de su átomo.

 Ala larga, un electrón libre pierde energía y regresa a un hueco. Esto se llama
recombinación. Los pares de electrón- hueco continuamente están siendo generados
térmicamente de tal forma que siempre hay electrones libres en el material.

 Cuando se aplica un voltaje a través del semiconductor, los electrones libres

producidos térmicamente se desplazan hacia el extremo positivo y forman la
corriente. Éste es un tipo de corriente y se llama corriente de electrones.

 Otro tipo de corriente es la corriente de huecos. Esta ocurre a medida que los
electrones de valencia se desplazan de hueco en hueco con lo se crea, en realidad,
un movimiento de huecos en la dirección opuesta.

 Se crea un semiconductor tipo n agregando átomos de impureza que tienen cinco

electrones de valencia. Estas impurezas son átomos pentavalentes. Se crea un
semiconductor tipo p agregando átomos de impureza con sólo tres electrones de
valencia. Estas impurezas son átomos trivalentes.

 El proceso de agregar impurezas pentavalentes o trivalentes a un semiconductor se

llama dopado.

 Los portadores mayoritarios de un semiconductor tipo n son electrones libres

adquiridos mediante el proceso de dopado y los portadores minoritarios son huecos
libres producidos por pares de electrón-hueco generados térmicamente.

 Se forma una unión pn cuando una parte del material se dopa con impurezas tipo n y
otra parte de él se dopa con impurezas tipo p. Se forma una región de
empobrecimiento a partir de la unión que se queda sin portadores mayoritarios. La
región de empobrecimiento se forma por ionización.

 El potencial de barrera es por lo general de 0.7 V para un diodo de silicio y de 0.3 V

para germanio.

 Existe corriente a través de un diodo sólo cuando está polarizado en directa.

Idealmente, no hay corriente cuando no hay polarización ni cuando se polariza en
inversa. En realidad, se presenta una corriente muy pequeña en la condición de
polarización en inversa debido a los portadores minoritarios generados
térmicamente, pero en general se puede despreciar.

 La situación de avalancha ocurre en un diodo polarizado en inversa si el voltaje de

polarización es igual a o excede el voltaje de ruptura.

 Un diodo conduce corriente cuando está polarizado en directa y la bloquea cuando

está polarizado en inversa.
 El voltaje de ruptura con polarización en inversa para un diodo es por lo general
mayor que 50 V.

 La curva de característica V-I muestra la corriente a través del diodo como una
función del voltaje a través de él.
 La resistencia de un diodo polarizado en directa se llama resistencia dinámica o de
ca.

 La corriente de polarización en inversa se incrementa con rapidez con el voltaje de

ruptura de polarización en inversa.

 La ruptura de polarización en inversa deberá ser evitada en la mayoría de los

diodos.

 El modelo ideal representa el diodo como un interruptor cerrado con polarización en

directa y como interruptor abierto con polarización en inversa.

 El modelo práctico representa el diodo como un interruptor en serie con el potencial

de barrera.

 El modelo completo incluye la resistencia dinámica de polarización en directa en

serie con el modelo práctico de polarización en directa y la resistencia de
polarización en inversa en paralelo con el interruptor abierto con polarización en
inversa.