PROCESO DIRECCIÓN DE FORMACIÓN PROFESIONAL INTEGRAL

FORMATO GUÍA DE APRENDIZAJE

IDENTIFICACIÓN DE LA GUIA DE APRENDIZAJE

 Denominación del Programa de Formación: Diseño e integración de automatismos mecatrónicos

 Código del Programa de Formación: 223217
 Nombre del Proyecto: Prototipo de transporte robotizado para la optimización de procesos logísticos para
empresas del departamento del Huila.
 Fase del Proyecto: Planeación
 Actividad de Proyecto:
 Competencia: Definir las alternativas de solución del automatismo del sistema mecatrónico según las
necesidades del cliente y condiciones de la empresa.
 Resultados de Aprendizaje Alcanzar: Definir las especificaciones técnicas del problema, de acuerdo con el
diagnóstico de la situación a solucionar.
 Duración de la Guía: 50 Horas

2. PRESENTACIÓN

En la presente guía encuentra diferentes elementos pedagógicos y técnicos que lo orientan en el proceso
de desarrollo de su capacidad para mantener los sistemas electrónicos análogos presentes en los equipos
industriales, mediante el análisis de las especificaciones técnicas y el reconocimiento de los diferentes
dispositivos electrónicos.

En esta guía se pretende que Ud. pueda realizar el reconocimiento técnico de un equipo electrónico,
estableciendo sus diferentes funciones, teniendo en cuenta el contexto de producción y las condiciones
ambientales. Se trata de obtener información acerca de lo que está pasando con el equipo. En las
actividades inherentes al mantenimiento es importante que procese información proporcionada por sus
sentidos y por los equipos de medida.

En la gráfica 1. Observamos una ilustración de una tarjeta electrónica que está compuesta por
componentes electrónicos.

Fuente: https://concepto.de/transistor/ GFPI-F-019 V03

3. FORMULACIÓN DE LAS ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE

Actividades de contextualización e identificación de conocimientos necesarios para el aprendizaje.

Por lo general los diferentes sistemas electrónicos requieren de tensión en corriente directa DC para su
funcionamiento. Así los primeros sistemas de alimentación fueron de corriente continua, pero debido al
auge de la electricidad, la demanda aumento considerablemente y este sistema se quedó corto. Para
solucionar este problema el físico Nicola Tesla descubrió los principios de los campos magnéticos rotativos,
dando origen a los sistemas de transmisión de corriente alterna AC.

¿Si todos los sistemas electrónicos necesitan de corriente continua porque la mayoría de estos se
alimentan de fuentes de corriente alterna?

Identificar la importancia del diodo en la transformación de la corriente alterna en corriente continua para
su aplicación en diferentes sistemas electrónicos.

Observar el video “Cómo funciona un Diodo ⚡ Que es un diodo” https://www.youtube.com/watch?v=oB-

Q89PiuKE y en equipos de tres personas, teniendo en cuenta el video observado respondan a la siguiente
pregunta: ¿Por qué razón fue necesario cambiar los sistemas de generación de corriente alterna en
continua? Se realizará un conversatorio por videoconferencia y cada grupo debe exponer las razones de la
importancia del diodo.

El instructor será el moderador del conversatorio.

Tiempo de la actividad: 2 Hora.

3.1 Actividades de apropiación del conocimiento (Conceptualización y Teorización).

3.1.1 “PRINCIPIO DE LOS SEMICONDUCTORES - Cuestionario Conceptual”

Descripción de la Actividad:

A través de una búsqueda por la internet u otro medio que su instructor le indique, responda las preguntas
planteadas en el siguiente cuestionario sobre “Conceptos Teóricos de los Semiconductores”

Cuestionario:

1. Defina el Término Semiconductor:

RTA: Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante

dependiendo de diversos factores, por ejemplo: el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación
que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.

2. Enumere de manera simple las características más relevantes de los dos tipos de
semiconductores que existen y aclare porque uno de ellos es el más utilizado actualmente para
fabricar dispositivos semiconductores.

RTA: La conductividad de los semiconductores varía en un intervalo entre 1 y 10-6 S.cm-1,

dependiendo del tipo de elemento químico empleado.
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 La conductividad de los semiconductores varía dependiendo de la proporción de impurezas o
elementos dopantes dentro de un semiconductor intrínseco.

si el semiconductor es expuesto a temperaturas elevadas, la vibración térmica puede afectar la solidez

de los enlaces covalentes de los átomos del elemento, con lo cual quedan electrones libres para la
conducción eléctrica.

El semiconductor más utilizado en la industria electrónica es el silicio (Si). Este material está presente
en los dispositivos que conforman los circuitos integrados que forman parte de nuestro día a día.

3. Cuál es la carga resultante del átomo de Silicio si pierde uno de sus electrones de valencia

RTA: el lugar que deja un electrón cuando deja la capa de valencia y se convierte en un electrón libre.
Esto es lo que se conoce como pares electrón - hueco y su generación se debe a la temperatura (como
una aplicación, al caso, de las leyes de la termodinámica) o a la luz (efecto fotoeléctrico). En un
semiconductor puro (intrínseco) se cumple que, a temperatura constante, el número de huecos es igual
al de electrones libres.

4. Explique gráfica y conceptualmente los siguientes Términos: - Cristales de Silicio, Enlaces

Covalentes, Saturación de Valencia

RTA: Los cristales de Silicio están formados a nivel atómico por una malla cristalina basada en enlace
covalente que se producen gracias a los 4 electrones de valencia del átomo de Silicio. Junto con esto
existe otro concepto que cabe mencionar: el de hueco. Los huecos, como su nombre indica, son el
lugar que deja un electrón cuando deja la capa de valencia y se convierte en un electrón libre. Esto es
lo que se conoce como pares electrón - hueco y su generación se debe a la temperatura (como una
aplicación, al caso, de las leyes de la termodinámica) o a la luz (efecto fotoeléctrico). En un
semiconductor puro (intrínseco) se cumple que, a temperatura constante, el número de huecos es igual
al de electrones libres.

5. Que puede producir una vibración de los átomos de Silicio.

RTA: El aumento de la temperatura hace que los átomos en un cristal de silicio vibren dentro de él, a
mayor temperatura mayor será la vibración. Con lo que un electrón se puede liberar de su órbita, lo que
deja un hueco, que a su vez atraerá otro electrón, etc...

6. A que se refiere el término recombinación y tiempo de vida

RTA: En un cristal de silicio puro se crea igual numero de electrones libres que de huecos debido a la
energía térmica (calor). Los electrones se mueven de forma aleatoria a través del cristal. En ocasiones,
un electrón libre se aproximará a un hueco, será atraído caerá hacia él. Esta unión de electrón libre y de
un hueco se llama Recombinación.

El tiempo que trascurre entre la creación y la desaparición de un electrón libre recibe el nombre de
Tiempo de vida. Que varia desde unos cuantos nanosegundos a varios microsegundos, según la
perfección del cristal y otros factores.

7. Hay tres puntos que resumidamente definen lo que siempre está pasando en un Cristal de
silicio. Cuáles Son.
GFPI-F-019 V03
 RTA: Dentro de un cristal en todo momento ocurre esto:
 Por la energía térmica se están creando electrones libres y huecos.
 Se recombinan otros electrones libres y huecos.
 Quedan algunos electrones libres y huecos en un estado intermedio, en el que han sido creados y
todavía no se han recombinado.

8. Defina Brevemente que es:

- Semiconductor Intrínseco.

RTA: Son aquellos elementos cuya estructura molecular está conformada por un solo tipo de átomo. Entre
este tipo de semiconductores intrínsecos se encuentra el sillico y el germanio.

- Dopaje de un Semiconductor

RTA: se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor

extremadamente puro con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas
dependen del tipo de semiconductores a dopar.

- Tipos de semiconductores extrínsecos (explique cada uno)

RTA: Semiconductor tipo n

Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como
los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores
mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".

Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del semiconductor
se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al
extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se
recombina con el hueco. Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del
cristal, donde entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batería.

Semiconductor tipo p

Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el
número de huecos supera el número de electrones libres, los huecos son los portadores
mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.

Al aplicarse una tensión, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen
hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan
con los electrones libres del circuito externo. En el circuito hay también un flujo de portadores
minoritarios. Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como
hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito.

18) Diodo No polarizado. Explique brevemente los términos:

- Unión P-N

RTA:

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 Se podría pensar que la unión se puede formar simplemente pegando un material semiconductor N
con otro P, pero esto no es así, además de estar en contacto, deben tener contacto eléctrico.

Lógicamente, como ya dijimos antes, la suma de las cargas de los dos cristales, antes de la unión,
será neutra.

Resumiendo. En la zona N tenemos electrones libres y en la zona P tenemos huecos en espera de

ser rellenados por electrones.

- Zona de Deflexión

RTA: Zona de deflexión

Al haber una repulsión mutua, los electrones libres en el lado n se dispersan en cualquier dirección.
Algunos electrones libres se difunden y atraviesan la unión, cuando un electrón libre entra en la
región p se convierte en un portador minoritario y el electrón cae en un hueco, el hueco desaparece
y el electrón libre se convierte en electrón de valencia. Cuando un electrón se difunde a través de la
unión crea un par de iones, en el lado n con carga positiva y en el p con carga negativa.

Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar los dipolos la región cerca
de la unión se vacía de portadores y se crea la llamada "Zona de deflexión".

- Barrera de Potencial.

RTA: Barrera de potencial

Los dipolos tienen un campo eléctrico entre los iones positivo y negativo, y al entrar los electrones
libres en la zona de deflexión, el campo eléctrico trata de devolverlos a la zona n. La intensidad del
campo eléctrico aumenta con cada electrón que cruza hasta llegar al equilibrio.

El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada "Barrera de
Potencial" que a 25 ºC vale:

0.3 V para diodos de Ge.

0.7 V para diodos de Si.

19) Explique claramente que es “POLARIZACIÓN DIRECTA”

RTA: Si el terminal positivo de la fuente está conectado al material tipo p y el terminal negativo de la fuente
está conectado al material tipo n, diremos que estamos en "Polarización Directa".
En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente obliga a que los
electrones libres y huecos fluyan hacia la unión. Al moverse los electrones libres hacia la unión, se crean
iones positivos en el extremo derecho de la unión que atraerán a los electrones hacia el cristal desde el
circuito externo.

Así los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir hacia el extremo derecho
del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario al del electrón.

20) Explique claramente que es “POLARIZACIÓN INVERSA”

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RTA: Cuando la capa tipo N se conecta al positivo de la batería y la capa P al negativo se dice que es una
polarización inversa, y ocurre lo siguiente a través de la juntura: Los electrones que salen del negativo de la
batería corren a llenar los vacíos o espacios de la capa P, completando todos los átomos de esta pastilla
los 8 electrones (compartidos con el visitante); a partir de este momento no reciben más corriente, dado
que presentan alta resistencia.

Tiempo de la actividad: 12 horas.

Evidencia: Elabore un informe con la resolución del cuestionario en una hoja de examen a mano.
Modalidad de trabajo: Individual

3.1.2 Conceptos de los Transistores Bipolares

Su instructor socializara la historia de los los transistores, su construcción, su funcionamiento, los tipos y
principales aplicaciones, asi como la polarizacion del tansistor y sus configuraciones en emisor común, base común,
colector común. Se explicarán las curvas características del transitor y los usos del transistor de acuerdo a sus
regiones de operación. Para la apriopiación de estos conceptos, se puede apoyar en el documento “3.3.10
transistores material de apoyo”.

Encapsulado y símbolo eléctrico

Juntura NPN y PNP

Descripción de la actividad: “Consulta de hojas de datos”

GFPI-F-019 V03
Opción 1: Puede hacerlo directamente del libro NTE (nombre anterior ECG). En este manual, aparecen todas las
referencias de semiconductores y elementos electrónicos utilizados. Si no tiene conocimiento de su utilización,
solicite la orientación necesaria al instructor para su manejo.

Opción 2: También puede consultar la página web: www.alldatasheet.com. Cuando abra el link, en la opción buscar,
digite la referencia y descargue el archivo en formato pdf de este elemento.

Haga la búsqueda de cualquiera de las dos opciones de los siguientes transistores:

- 2N3904

RTA:

- 2N3906
Extraiga en sus apuntes las características principales y a qué tipo de transistor se refiere.

Principales características:

Voltaje colector emisor en corte 40 V (Vceo)

Corriente de colector constante 200m A (Ic)
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 Potencia total disipada 625mW (Pd)
Ganancia o hfe entre 30 -300 (hfe)
Frecuencia de trabajo 300 Mhz (Ft)
Encapsulado TO-92.
Estructura NPN.
Su complementario PNP es el Transistor 2N3906.

Tiempo de la actividad: 2 horas.

3.1.3 Transistores en Conmutación

a) Diseñar un sistema electrónico a base de transistores que permita la entrada y salida de personas en un
establecimiento hospitalario.

Condiciones Generales para el diseño de los circuitos:

- Debe determinar e identificar cuáles van a ser las entradas y salidas del sistema, teniendo en cuenta como
entradas las señales tomadas del mundo físico y salidas, los diferentes actuadores que van a ser operados por el
sistema.
- Se debe realizar un diagrama de bloques del sistema a implementar.
- Se debe Diseñar sobre planos el circuito electrónico.
- El sistema debe trabajar con una fuente de alimentación de +12Vdc (si así lo desea).
- Realice la simulación del circuito en software (ISIS de PROTEUS).
- Para condiciones reales, consulte las hojas de datos de los siguientes elementos semiconductores: ref.
2N3904, 2N2222, 2N3906. Recopile de la hoja de datos, la información técnica más importante de estos
semiconductores, establezca similitudes y diferencias y defina cuales debe utilizar.

NOTA 1: Es importante tener en cuenta que la mayoría de aplicaciones de los transistores es para trabajar en
conmutación, lo que permite operar cargas en estado On/OFF que así lo requieran. También se pueden hacer
cambiar su diferencia de potencial a la salida y se pueden establecer condiciones de operación (Cambiar la región de
operación), esto se logra, poniendo a trabajar el transistor de manera adecuada.

Nota 2: Al realizar pruebas (según la configuración del circuito), se determina que la señal de un transistor afecta la
otra, puede ser que alguno de los transistores entre en una zona que no corresponde al trabajo de transistor en
conmutación (concepto tratado posteriormente). Para solucionar el problema, elevar un poco más la resistencia de
base (Este fenómeno lo puede observar en el simulador ejemplo: utilice resistencia entre 10k y 20k).

Solución 1:
Para el primer circuito, tenga en cuenta las siguientes condiciones de funcionamiento:
 Salida ocupada: activa barrera de indicadores verdes y activa la cantonera
 Entrada ocupada: activa barrera de indicadores rojos y activa la cantonera
 Paso despejado: No activa indicadores verdes, No activa los rojos ni la cantonera.
 Salida ocupada y Entrada ocupada: Activa barrera de indicadores verdes, rojos y activos la cantonera.
Solución 2:
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 Para el segundo circuito, realice los cambios necesarios en la simulación y el montaje del circuito, teniendo en
cuenta las siguientes condiciones de funcionamiento:
 Salida ocupada: activa barrera de indicadores rojos y activa la cantonera
 Entrada ocupada: activa barrera de indicadores rojos y activa la cantonera
 Paso despejado: Activa barrera de indicadores verdes, desactiva rojos y cantonera
 Salida ocupada y entrada ocupada: activa indicadores rojos y cantonera, desactiva los verdes.

Condiciones de Entrega de Evidencias Solución 1 y Solución 2:

Simulación:
- Para la simulación del circuito reemplace los sensores de entrada y salida por pulsadores, aplicando
claramente alguno de los dos tipos de configuraciones: con resistencias PULL UP y/o PULL DOWN.
- Conecte cada una de las salidas de los pulsadores (configurados adecuadamente) al circuito de operación
lógica a base de transistores correctamente diseñado y que satisfaga la solución al problema propuesto.

Montaje Circuito Electrónico (En protoboard)

- Los sensores de entrada y salida pueden ser fotorresistivos o infrarrojos. Para tal fin se debe tener en cuenta
algunos principios básicos de acondicionamiento de las señales entregadas por los sensores, que puedan
entregar a su salida, la señal deseada, eliminando si es necesario, falsos eventos:

Opción 1: Si la opción es trabajar con sensores infrarrojos, tenga en cuenta el circuito de prueba diseñado y
montado en una práctica anterior. La salida de la señal obtenida debe ir a la entrada de un circuito
antirrebotes (CD40106 - smitth trigger, consultar hoja de datos). Observará que la salida actúa como señal
on/off, para activar el circuito de operación lógica diseñado a base de transistores.

Opción 2: Si la opción es trabajar con una LDR o fotocelda, se debe acondicionar la señal a través de un
potenciómetro utilizado como punto de ajuste (Configurado como divisor de tensión). La salida de la señal
obtenida debe ir a la entrada de un circuito antirrobotes (CD40106 - smitth trigger, consultar hoja de datos).
Observará que la salida actúa como señal on/off, para activar el circuito de operación lógica diseñado a base
de transistores.

Recuerde!!!
Tenga presente que la ganancia de corriente del transistor cuando necesita manejar alguna carga, se produce es
en el colector.

b) Circuitos Inversores de Giro:

Diseñar un sistema electrónico que controle y opere la inversión de giro de un motor.
Condiciones de diseño
- La alimentación del circuito debe ser de 12Vdc.
- Debe establecerse la lógica secuencial para operar el funcionamiento y la inversión de giro del motor (el
motor es de 12Vdc).
- La operación del sistema debe ser a través de dos pulsadores de mando.

Circuito Inversor #1: Con Transistores NPN:

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Este tipo de transistor es diseñado sólo con transistores tipo NPN pero tiene un problema y es la
descompensación de corriente que puede sufrir por alguno de los transistores que tiene conectado al emisor
uno de los extremos del motor.
Simular el Circuito y verificar su funcionamiento

GFPI-F-019 V03
RTA: En este caso el motor está conectado a las dos puntas del emisor de los transistores lo cual esto genera
una menor potencia ya que la resistencia es mayor , la señal será muy débil lo cual la resistencia tendría que ser
menor para que la potencia del motor será mas efectiva y gire más rápido.

Circuito Inversor #2: Con Transistores PNP:

Este tipo de transistor es diseñado sólo con transistores tipo PNP pero tiene el mismo problema del anterior y
es la descompensación de corriente que puede sufrir por alguno de los transistores que tiene conectado al
emisor, uno de los extremos del motor.
Simular el Circuito y verificar su funcionamiento.

GFPI-F-019 V03
RTA: En este circuito es que lo que hace la resistencia es cambiar la señal al motor ya sea débil o fuerte , y el motor
va a depender del valor que tenga la resistencia porque ella es la que le da la señal suficiente al motor para que el
gire más rápido o menos lento.

Circuito Inversor #3: Con transistores NPN y PNP (Mixto): Tenga en cuenta las siguientes condiciones de
funcionamiento:
- Ninguna de las dos señales de mando pulsadas = motor detenido
- Señal de Mando1 pulsada = Giro1.
- Señal de Mando2 pulsada = Giro2 (giro invertido).
- Las dos señales de mando pulsadas = motor detenido.
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Simular y realizar el montaje del circuito. En este circuito es clave que las resistencias de base sean de un
valor alto (entre 15K y 20K)

RTA: En este circuito es que al aumentar la resistencia lo que va a pasar es que la potencia del motor va a
disminuir por tal razón que el motor va a girar más lento , y si variamos las resistencias entre 15k y 20k pues
la potencia del motor será menor , pero si le colocamos las resistencias menores pasa que va a amplificar la
señal que pasa por el pulsador haciendo que esta señal sea mayor y pueda que la potencia aumente y a su
ves haga que el motor gire más rápido según lo de la potencia que se le aplique con la resistencia.

Circuito Inversor #4: Con transistores de disparo:

En algunos circuitos inversores de giro, donde el transistor necesariamente debe trabajar como interruptor,
se debe evitar que los transistores trabajen en la Región Activa, ocasionando, de acuerdo a la configuración
del circuito, que se calienten por entrar en conmutación. Esto en ocasiones hace crítico el manejo de la
corriente del transistor a través de la base, necesitando que el circuito trabaje más por señal de tensión que
por corriente.

Para evitar este factor, se utilizan configuraciones de circuitos con señal de disparo, y se aprovecha la
característica del transistor en la zona de conducción Emisor – Base, para que sirva como señal de disparo a
otro juego de transistores conectados en la forma indicada para operar correctamente la carga, en este caso,

GFPI-F-019 V03
la correcta inversión de giro del motor. En este circuito no es tan crítica la resistencia de base y se obtiene
una mayor ganancia de corriente en la carga.

Realizar la simulación y el montaje del circuito. Cambie los valores de las resistencias de base y analice que
pasa con la potencia de giro del motor

Este circuito debe reflejar mayor potencia en el motor

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 RTA: En este circuito es que al cambiar las resistencias esto va a generar cambios en el motor que pasa que
cuando UNO coloca las resistencias menores por ejemplo de 50 en este caso el motor ampliara su potencia y
este girara más rápido, pero si coloco las resistencias mayores de 10k la potencia del motor va a ser menor y
este girara más lento.

Tiempo de la actividad: 12 horas.

Evidencia: Simulación y montaje

Modalidad de trabajo: Grupal

3.1.2 Amplificadores Transistorizados

a) Consulta conceptual
El aprendiz debe realizar una lectura del tema “Amplificadores Transistorizados” en el libro de Principios de
Electrónica para afianzar conceptos relacionados y tener la capacidad de resolver las actividades posteriores
propuestas.

b) Taller de POLARIZACIÓN Y ANÁLISIS DE AC

En los siguientes enunciados coloque V o F según sea verdadero o falso respectivamente

GFPI-F-019 V03
 1. Un transistor bipolar tiene tres junturas (F  )
2. Los terminales de un BJT se denominan Colector, Base y Emisor ( V )
3. El Beta de un transistor se define como la ganancia de tensión ( V )
4. El transistor NPN presenta portadores mayoritarios huecos en la base ( V)
5. El emisor siempre estará más dopado de electrones que el colector ( V )
6. Para un NPN se cumple Ie = Ic+Ib, para un PNP se cumple Ic = Ie+Ib ( V )
7. El transistor NPN presenta portadores mayoritarios huecos en la base ( F )
8. Para un NPN se cumple Ie = Ic+Ib, para un PNP se cumple Ic = Ie+Ib ( V )

Conteste de una manera breve y clara

9. Para qué sirve la polarización

RTA: la polarización sirve Para que la corriente pueda circular libremente por el componente y este
funcione correctamente.

10. Cuáles son las posibles zonas de trabajo de un transistor

RTA: Puede tener 3

CORTE: Aquí el transistor se comporta como un interruptor abierto y no hay paso de corriente entre el colector
y el emisor.

SATURACION: El transistor se comporta como un interruptor cerrado y hay paso de corriente entre colector y
emisor.

ACTIVA: Deja pasar más o menos corriente entre colector y emisor.

11. Cómo se determina, con ayuda de un multímetro, el tipo de transistor que se tiene

RTA: Se conecta el conector de pinza negra a la base del transistor y con el conector de pinza roja se a los pines del
emisor y colector y si marca en estos últimos quiere decir que el transistor es un NPN, y si no es un PNP.

12. Explique el procedimiento para diferenciar de una manera práctica el colector y el emisor sin
necesidad de recurrir a un manual

RTA: Colocar uno de los conectores a la base dependiendo del tipo de transistor y con el otro conector
tocar los otros pines y el que marque mayor valor será el emisor y el menor el conector.

13. Qué información importante me entrega el manual ECG sobre un transistor

RTA: Indica los parámetros eléctricos de los diferentes dispositivos semiconductores, como transistores, diodos etc.

14. Cuáles son las posibles configuraciones en las que puede trabajar un BJT

RTA: MONTAJE BASE COMUN: La señal entra por la base.

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 MONTAJE EMISOR COMUN: La señal entra por el emisor.

MONTAJE COLECTOR COMUN: La señal entra por el colector.

15. Dibuje la curva característica de un transistor bipolar

RTA:

16. A qué se le denomina saturación en un transistor

RTA: Cuando el voltaje que se aplica es mucho mayor a 0,7 esta en saturación, es decir, que se comporta
como un interruptor abierto y deja pasar corriente entre el colector y emisor.

17. Qué función cumple un transistor en cada zona de trabajo

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 RTA: ZONA ACTIVA:

El transistor en corte se puede comparar con un interruptor abierto entre colector y emisor.
La potencia que disipa el transistor tanto en corte como en saturación es mínima, ya que uno de los
coeficientes en ambos casos es prácticamente nulo.

ZONA DE CORTE:

El transistor en corte se puede comparar con un interruptor abierto entre colector y emisor.
La potencia que disipa el transistor tanto en corte como en saturación es mínima, ya que uno de los
coeficientes en ambos casos es prácticamente nulo

ZONA DE SATURACION:

Cuando el transistor está saturado, se puede comparar a un interruptor cerrado entre colector y emisor.

18. Como identifica un transistor con ayuda de un téster análogo

RTA: Se pone la pinza del conector en uno de los pines del transistor, luego con el otro conector del transistor se
tocan los otros pines, si la aguja del tester se mueve quiere decir que el pin que se toco inicialmente es la base y
dependiendo de que pinza usamos en el pin base sea negra o roja así mismo será el tipo de transistor.

19. Qué desventajas tiene el circuito de polarización fija

RTA: Este tipo de polarización no es muy estable, pues el punto de trabajo del transistor varía bastante a medida que
el transistor se encuentra trabajando más tiempo.

20. Qué es un amplificador de voltaje

RTA: Un amplificador de voltaje es un Circuito capaz de incrementar la tensión obteniendo una señal
aumentada a la salida.

21. En qué consiste la estabilidad de un circuito de polarización

RTA: la estabilidad de un circuito de polarización consiste En que el punto de trabajo del transistor se
mantenga estable mientras aumenta el tiempo de trabajando.

Tiempo de la actividad: 9 horas.

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Evidencia: Taller- simulación y montaje

Modalidad de trabajo: grupal

3.2. Actividades de Transferencia de Conocimiento

Diseñar un sistema electrónico completo con sus componentes analógicos

Para el desarrollo de esta actividad debe realizar los siguientes proyectos teniendo en cuenta las siguientes
fases:

Metodología:

1. Realizar un diagrama de bloques completo que relacione las fases del diseño electrónico.
2. Diseñar el circuito electrónico que involucre todas las fases del diagrama de bloques
3. Realice el montaje circuital completo
4. Muestre las evidencias al instructor y sustente como parte de la transferencia de conocimiento.

Descripción del proyecto tipo 1: Dos sensores diseñados con elementos semiconductores ópticos, envían una
señal digital que permitan operar una etapa analógica optoacoplada, para invertir el giro de un motor de 24Vdc.

- La alimentación de los sensores es de 5Vdc (Sensores infrarrojos).

- El motor debe trabajar con fuente independiente y debe ser operado con transistores de alta ganancia
de corriente (tipo darlington – Ver especificaciones y hoja de datos ref: TIP110 – TIP115). Utilizar para
el sistema, el circuito inversor de giro con señal de disparo (visto con anterioridad).
- En este punto el aprendiz debe tener la capacidad de analizar como modifica, adapta, reemplaza o
ajusta diseños anteriores al nuevo diseño.

Esquema de ayuda para la solución planteada: El aprendiz debe integrar este esquema a la solución total del
proyecto tipo y presentar una solución final

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Descripción del proyecto tipo 2: Diseñar un sistema electrónico que permita monitorear en un tablero digital de
indicadores luminosos, las señales enviadas por dos sensores industriales (ópticos, capacitivos o inductivos)
- Los sensores industriales son de 24Vdc.
- El tablero digital debe trabajar a 5Vdc, con 4 indicadores luminosos, dos que me indiquen la activación
de cada uno de los sensores y otros dos la desactivación.
Ejemplo: - sensor 1 activo = luz roja 1 activa y luz verde1 inactiva
- sensor 2 activo = luz roja 2 activa y luz verde2 inactiva
Referencias Optoacopladores:
- 4N25 General.
- 4N33 : Optoacoplador con fototransistor tipo Darlington

Tiempo de la actividad: 12 horas.

Evidencia: Montaje y video explicativo

Modalidad de trabajo: grupal

Descripción Proyecto tipo 3

Fuentes de Alimentación Lineal

Usted y su equipo de trabajo, debe atender la socialización del instructor y realizar la lectura del documento anexo
en formato pdf “Fuentes de Alimentación Lineal”. A partir de esta lectura puede realizar los diseños propuestos en
esta actividad.

Diseño de una Fuente de Alimentación:

Debe tener presente para el buen diseño de una fuente, la siguiente información:

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- Cómo escoger el transformador adecuado. Tenga en cuenta cuales son las tensiones que desea que le
entregue la fuente, a la hora de seleccionar el transformador.
- Consulte una información del Libro Principios de Electrónica de Malvino sobre “Como calcular los
fusibles de protección para las fuentes”, para que lo tenga en cuenta para el diseño.
- Defina cómo escoger el puente rectificador más conveniente para la fuente, que corriente debe
soportar.
- Filtro señal de rizado: Cuál es el filtro más adecuado para el diseño de su fuente. Analice del
documento, los conceptos y principios de cómo calcular el condensador de filtrado para eliminar la señal de
rizado o reducirla al mínimo (Regla del 10%).
- Consultar sobre circuitos integrados reguladores de tensión: principio de funcionamiento,
características fundamentales, ficha técnica y hoja de datos de los circuitos integrados que según lo consultado,
deba utilizar.

Descripción del Diseño:

Diseñar una Fuente de Alimentación Dual, que permita obtener los siguientes niveles de tensión fijos:+5Vdc. Además,
una fuente variable de 0 a +-17Vdc. La corriente que soporte la fuente debe ser aproximadamente entre 1 y 2 Amp.

Condiciones de Diseño:
- Se debe realizar el diagrama de bloques de la fuente
- Tener en cuenta cual es el transformador ideal a utilizar (para tensión y corriente), además de cómo
conectarlo.
- Diseñar el plano eléctrico de la fuente partiendo del diagrama de bloques.
- Se debe realizar la fase de rectificación.
- Calcular los condensadores de filtrado
- Determinar en la etapa de regulación cuáles son los circuitos integrados reguladores de tensión que se deben
utilizar.
- Debe realizar la simulación en software de la fuente (Software Proteus)
- Una vez verificado el diseño y simulación, proceda a realizar el montaje en protoboard del circuito (ANEXO
“Guía pasos importantes para montaje en protoboard”).
- Realice las pruebas necesarias para obtener los resultados esperados.
- Realice la validación y ajuste al diseño realizado, para optimizar el funcionamiento del circuito.
- Muestre todo el trabajo realizado al instructor, en la fecha establecida.

Tiempo de la actividad: 10 horas.

Evidencia: Montaje- informe del montaje y video explicativo de cada fase del proceso.

Modalidad de trabajo: grupal

GFPI-F-019 V03
 Materiales de formación AMBIENTES DE
Materiales de formación Talento Humano
devolutivos: APRENDIZAJE
(consumibles) (Instructores)
DUR (Equipos/Herramientas) TIPIFICADOS
ACTIVIDADES ACIÓ ESCENARIO (Aula,
DEL N Laboratorio, taller, unidad
PROYECTO (Hora Cantida productiva) y elementos y
s) Descripción Cantidad Descripción Cantidad Especialidad
d condiciones de seguridad
industrial, salud ocupacional
y medio ambiente
Fuente de Transistores
4
voltaje 3904 - 3906

Televisor 1 Diodo Zener

ProtoBoard. 5 C 100 nf 2
R 220Ω, 470Ω,
1KΩ,  Ing.
40 PC portátiles 5 10 1 Ambiente 219/218
Potenciometro Electrónico
s 100K, 10K
2
Potenciómetro
Osciloscopio 1
s 100k y 5k
Generador de 2
señales. 1
Led
Transformador 1 2

GFPI-F-019 V03
GFPI-F-019 V03
4. ACTIVIDADES DE EVALUACIÓN

Evidencias de Aprendizaje Criterios de Evaluación Técnicas e Instrumentos de

Evaluación

Evidencias de Conocimiento : Verifica el comportamiento  Evaluación de

 Sustentaciones. de los accesorios en el Conocimiento
 Evaluación de conocimientos. funcionamiento del Tes de conocimiento
automatismo
Evidencias de Desempeño:
Se evaluará teniendo en cuenta:  Evaluación de
 Simulación de los circuitos. Desempeño
 El uso adecuado de las herramientas Lista de chequeo
de trabajo en los montajes.
 Responsabilidad y cumplimiento en las
prácticas de laboratorio.
 Exposiciones

5. GLOSARIO DE TÉRMINOS

● Bobina: Componente de un circuito eléctrico formado por un hilo conductor aislado y arrollado
repetidamente, en forma variable según su uso.
● Capacitor o condensador: Es un dispositivo pasivo, utilizado en electricidad y electrónica, capaz de
almacenar energía sustentando un campo eléctrico.
● Conductor Eléctrico: Material que opone baja resistencia al paso de los electrones y permite fácilmente la
circulación de estos.
● Diodo rectificador: Componente electrónico formado por dos electrodos que solamente permite el paso de
la corriente en un sentido, por lo que se usa como rectificador de corriente.
● Diodo Led: Led se refiere a un componente optoelectrónico pasivo, más concretamente, un diodo que
emite luz.
● Diodo Zener: es un tipo de diodo que por lo general se utiliza como regulador de tensión siendo
conectado en directo.
● Núcleo de hierro: Genera una interacción entre los flujos magnéticos, amplificando el campo que es
generado por la corriente que pasa por el alambre, induciendo un flujo magnético y por ende corriente en el
otro alambre.
● PCB: Abreviatura en inglés para placa de circuito impreso.
● Potenciómetro: Es un resistor variable, el cual es un dispositivo pasivo que permite variar el valor de la
resistencia que circula por él.
● Proteus: Software que permite simular el comportamiento de los diferentes circuitos electrónicos.
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● Puente Rectificador: Dispositivo electrónico utilizado para rectificar señales de corriente alterna a directa.
● Rectificación: Operación que consiste en convertir la corriente alterna en corriente continua.
● Rectificación de media onda: un tipo de rectificación donde solamente se rectifica la mitad de las ondas.
● Regulador de Voltaje: Un regulador es el circuito encargado de reducir el rizado y de estabilizar la tensión
de salida exacta a la que deseemos.
● Semiconductor: es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de
diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético.
● Semiconductor tipo N: se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de
átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso
negativos o electrones).
● Semiconductor tipo P: se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de
átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso
positivos o huecos).
● Transformador: El transformador es un dispositivo capaz de transformar una corriente de alta tensión a
otra tensión, pero más baja. Está constituido por dos o más bobinas de material conductor (primario y
secundario), aisladas entre sí eléctricamente por lo general arrolladas alrededor de un mismo núcleo de
material ferro magnético.

6. REFERENTES BILBIOGRÁFICOS

[1]. Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos BOYLESTAD.

[2]. Principios de Electrónica MALVINO.
[3]. Fundamentos de Electrónica SEDRA.

7. CONTROL DEL DOCUMENTO

Nombre Cargo Dependencia Fecha

Autor Duvier Jairo lugo Instructor CIES Marzo

(es) Electrónica

8. CONTROL DE CAMBIOS (diligenciar únicamente si realiza ajustes a la guía)

Nombre Cargo Dependencia Fecha Razón del
Cambio
Autor Heidy bellanid cruz Aprendiz
(es) torres

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