Unive

Manu
rsida
al
de
d
prcti
cas
Electr
nica
Anal
gica
Mantenimiento rea
Industrial

Electrnica Analgica

ndice
Introduccin
Conductores, Aislantes y Semicoductores
Tipos de materiales dopantes

Unidad I.- Diodos

1.1 Diodos semiconductores
1.1.1 La resistencia como dispositivo lineal
1.1.2 La curva caracterstica del diodo
1.1.3 El diodo como dispositivo no lineal
1.1.4 La zona directa
1.1.4.1 Disipacin mxima de potencia
1.1.5 La zona inversa
1.1.6 Modelos equivalentes lineales aproximados del diodo
1.1.6.1 1 Aproximacin
1.1.6.2 2 Aproximacin
1.1.6.3 3 Aproximacin
1.1.6.4 Como elegir una aproximacin
1.1.7 Variables dependientes e independientes
1.1.8 Hoja de caractersticas de un diodo
1.1.8.1 Tensin inversa de ruptura
1.1.8.2 Corriente mxima con polarizacin directa
1.1.8.3 Cada de tensin con polarizacin directa
1.1.8.4 Corriente inversa mxima
1.1.9 Comprobacin y deteccin de averas
1.1.10 Cmo calcular la resistencia interna rB
1.1.11 Resistencia en continua de un diodo
1.1.11.1 Resistencia con polarizacin directa

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1.1.11.2 Resistencia con polarizacin inversa

1.1.12 Rectas de carga
1.2 Prcticas de la unidad I
1.2.1. Primera prctica, Polarizacin directa de un diodo
1.2.2. Segunda prctica, Polarizacin inversa de un diodo
1.2.3. Tercera prctica, Rectificador de media onda en corriente alterna
1.2.4. Cuarta prctica, Rectificador de onda completa
1.2.5. Quinta prctica, Rectificacin con capacitor
1.2.6. Sexta prctica, Rectificador de onda completa con un puente de diodos
1.2.7. Sptima prctica, fuente de voltaje de regulada

Unidad II.- Transistores

2.1 Historia
2.1.1 Tipos de transistores
2.1.2 Transistor de contacto puntual
2.1.3 Transistores de unin bipolar o de efecto de campo
2.1.4 Fototransistores
2.1.5 Transistores y electrnica de potencia
2.2 Seguridad en el manejo de laboratorio
2.3 Prcticas de la unidad II
2.3.1 Primera prctica, Polarizacin de un Transistor NPN
2.3.1.1 Potencimetro
2.3.1.2 Fotorresistencia LDR
2.3.2 Segunda prctica, Polarizacin de un Transistor PNP
2.3.3 Tercera prctica, encender una lmpara con control remoto infrarrojo
2.3.4 Cuarta prctica, sensor de presencia
2.3.5 Quinta prctica, sensor de barrera

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2.3.6 Sexta prctica, luz nocturna automtica

2.3.7 Sptima prctica, amplificador de audio

Unidad III.- Tiristores

3.1 Caractersticas de los tiristores
3.1.1 Activacin del tiristor
3.1.2 Tipos de tiristores
3.1.3 Tiristores de control de fase de conmutacin rpida (SCR)
3.1.4 Tiristores de trodo bidireccional
3.2 Seguridad en el manejo de equipo de laboratorio
3.3 Prcticas de la unidad III
3.3.1 Primera prctica, funcionamiento del SCR
3.3.1.1 Botn (dispositivo)
3.3.2 Segunda prctica, circuito de alarma con SCR
3.3.3 Tercera prctica, suiche de toque muy sensible
3.3.4 Cuarta prctica, temporizador de arranque
3.3.5 Quinta prctica, alarma activada por sobra
3.3.6 Sexta prctica, control de humedad
3.3.6.1 Motor de corriente contina
3.3.7 Sptima practica alarma de arranque de un motor con CD
3.3.8 Octava prctica, temporizador con luz
3.3.9 Novena prctica, control de velocidad de un motor de corriente alterna utilizando un triac

Unidad IV.- Amplificador Operacional

4.1 Comparador
4.1.1 Seguidor
4.1.2 Circuito integrador 741
4.1.3 Dispositivo TDA2002

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4.1.4 Termistores
4.2 Prcticas de la unidad IV
4.2.1 Primera prctica, circuito inversor
4.2.2 Segunda prctica, circuito no inversor
4.2.3 Tercera prctica, circuito derivador
4.2.4 Cuarta prctica, circuito integrador
4.2.5 Quinta prctica, indicador de temperatura
4.2.6 Sexta prctica, voltmetro de Led
4.2.7 Sptima prctica, amplificador ICW8

Conclusiones y recomendaciones
Falt la bibliografa.

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INTRODUCCIN

La electrnica ejerce una enorme influencia en casi todos los aspectos de nuestra vida cotidiana. En
inconcebible la vida moderna sin los medios de comunicacin (televisin, radio, telefona, internet),
sin los sistemas de manejo de informacin (ordenadores), sin la electrnica de consumo en el hogar,
sin los avances de la medicina auxiliada con la tcnica. Todo esto ha sido posible gracias a los
trabajos de investigacin y desarrollo tecnolgico, los cuales se vieron acelerados a partir de la
inversin del pilar bsico constructivo en la electrnica; EL TRANSISTOR, dispositivo inventado a
mediados del siglo XX.
A partir de la dcada de 1950, los dispositivos semiconductores (conocidos tambin como
dispositivos de estado slido) reemplazaron a las vlvulas de vaco de la industria tradicional. Por
enorme reduccin de tamao, consumo de energa y costo, acompaada de una mucha mayor
durabilidad y fiabilidad, los dispositivos semiconductores significaron un camino revolucionario en las
telecomunicaciones, la automatizacin, el almacenamiento de informacin, etc.
Los transistores, fabricados a partir de materiales semiconductores, son los elementos que se utilizan
como componente bsico para producir prcticamente todos los sistemas electrnicos actuales. La
tecnologa de los semiconductores es un factor bsico en las economas de los pases desarrollados.

CONDUCTORES; AISLANTES Y SEMICODUCTORES

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En funcin de la capacidad que tenga un material para conducir la corriente elctrica puede ser:

AISLANTE
CONDUCTOR
SEMICONDUCTOR

CONDUCTOR ELCTRICO:
Se dice que un cuerpo es conductor cuando puesto en contacto con un cuerpo cargado de
electricidad trasmite est a todos los puntos de su superficie.
Generalmente es un elemento metlico capaz de conducir electricidad cuando es sometido a una
diferencia de potencial elctrico. Para que sea efectuado eficientemente se requiere que posea una
baja resistencia para evitar prdidas por efecto Joule y cada de tensin.
AISLANTE ELCTRICO:
Material con escasa conductividad elctrica, utilizado para separar conductores elctricos, as
evitando un corto circuito y as mantener alejadas del usuario determinadas partes de los sistemas
elctricos que; de tocarse accidentalmente cuando se encuentran en tensin, pueden producir una
descarga. Los ms frecuentemente usados son los materiales plsticos y las cermicas.
El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se establece entre las
bandas de valencia y conduccin, que dificulta la existencia de electrones libres, capaces de conducir
electricidad a travs del material.
SEMICONDUCTOR:
Un material semiconductor es capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante pero peor que
un metal. La conductividad elctrica, que es la capacidad de conducir la corriente elctrica cuando se
aplica una diferencia de potencial, es una de las propiedades fsicas ms importantes. Ciertos
metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes conductores; por otro lado, el vidrio o el
diamante son malos conductores de electricidad. A temperaturas muy bajas, los semiconductores
puros se comportan como aislantes. Sometidos a temperaturas muy altas, mezclados con impurezas
o en presencia de luz, la conductividad de los semiconductores puede aumentar considerablemente.
Las propiedades de los semiconductores se estudian en la fsica del estado slido.

ELECTRONES DE CONDUCCIN Y HUECOS

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Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos qumicos y compuestos, como el

silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el telurio de plomo. El
incremento de la conductividad provocado por los cambios de temperatura, la luz o las impurezas se
debe al aumento del nmero de electrones conductores que transportan la corriente elctrica. En un
semiconductor caracterstico o puro como el silicio, los electrones de valencia (o electrones
exteriores) de un tomo estn emparejados y son compartidos por otros tomos para formar un
enlace covalente que mantiene al cristal unido. Estos electrones de valencia no estn libres para
transportar corriente elctrica. Para producir electrones de conduccin, se utiliza la luz o la
temperatura, que excita los electrones de valencia y provoca su liberacin de los enlaces, de manera
que pueden transmitir la corriente. Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la
electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). ste es el origen fsico del
incremento de la conductividad elctrica de los semiconductores a causa de la temperatura.
Otro mtodo para obtener electrones para el transporte de electricidad consiste en aadir impurezas
al semiconductor o doparlo. La diferencia del nmero de electrones de valencia entre el material
dopante (tanto si acepta como si confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el
nmero de electrones de conduccin negativos (tipo n) o positivos (tipo p). Este concepto se ilustra
en el diagrama que se muestra a continuacin, que representa un cristal de silicio dopado:

Cada tomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia (representados mediante puntos). Se
requieren dos para formar el enlace covalente. En el silicio tipo n, un tomo como el del fsforo (P),
con cinco electrones de valencia, reemplaza al silicio y proporciona electrones adicionales. En el
silicio tipo p, los tomos de tres electrones de valencia como el aluminio (Al) provocan una
deficiencia de electrones o huecos que se comportan como electrones positivos. Los electrones o los
huecos pueden conducir la electricidad.
Cuando ciertas capas de semiconductores tipo p y tipo n son adyacentes, forman un diodo de
semiconductor, y la regin de contacto se llama unin pn. Un diodo es un dispositivo de dos

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terminales que tiene una gran resistencia al paso de la corriente elctrica en una direccin y una baja
resistencia en la otra. Las propiedades de conductividad de la unin pn dependen de la direccin del
voltaje, que puede a su vez utilizarse para controlar la naturaleza elctrica del dispositivo. Algunas
series de estas uniones se usan para hacer transistores y otros dispositivos semiconductores como
clulas solares, lseres de unin pn y rectificadores.
Los dispositivos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la ingeniera elctrica. Los ltimos
avances de la ingeniera han producido pequeos chips semiconductores que contienen cientos de
miles de transistores. Estos chips han hecho posible un enorme grado de miniaturizacin en los
dispositivos electrnicos. La aplicacin ms eficiente de este tipo de chips es la fabricacin de
circuitos de semiconductores de metal-xido complementario o CMOS, que estn formados por
parejas de transistores de canal p y n controladas por un solo circuito. Adems, se estn fabricando
dispositivos extremadamente pequeos utilizando la tcnica epitaxia de haz molecular.

Tipos de materiales dopantes

Tipo N
Se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas que permiten la aparicin de electrones
sin huecos asociados a los mismos. Los tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o
entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsnico y el Fsforo. De esta forma, no
se ha desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el tomo introducido al semiconductor es
neutro, pero posee un electrn no ligado, a diferencia de los tomos que conforman la estructura
original, por lo que la energa necesaria para separarlo del tomo ser menor que la necesitada para
romper una ligadura en el cristal de silicio (o del semiconductor original). Finalmente, existirn ms
electrones que huecos, por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los ltimos los
minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos
de impurezas introducidos.

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El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fsforo (dopaje N). En el caso del Fsforo, se
dona un electrn.

Dopaje de tipo N

Tipo P
Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin de huecos sin que
aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los tomos de
este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn. Suelen ser de valencia tres,
como el Aluminio, el indio o el Galio. Nuevamente, el tomo introducido es neutro, por lo que no
modificar la neutralidad elctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su
ltima capa de valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a tomar electrones de los tomos
prximos, generando finalmente ms huecos que electrones, por lo que los primeros sern los
portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios. Al igual que en el material tipo N, la cantidad
de portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un
electrn y, por tanto, es donado un hueco de electrn.

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Dopaje de tipo P

SIMBOLOGA ELECTRNICA
NOMBRE
Resistor

Potencimetro

Fotorresistencia

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SIMBOLO O SIMBOLOS

DESCRIPCION
Tiene dos terminales y no
tiene polaridad.
Tiene tres terminales, dos
de los cuales son los
extremos y uno central
que es el que vara hacia
los extremos.
Este es un tipo de
resistencia especial ya
que su valor varia a la luz
que indique sobre su
cuerpo, no tiene
polaridad.

Capacitor

Capacitor
electroltico

Capacitor
variable

Transformador

Diodo

Diodo Zener

Led

Transistor NPN

Transistor PNP

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Este capacitor no posee

polaridad, puede ser
cermico, de mica o de
tantalio.
Este es un capacitor que
si tiene polaridad por
tanto se debe tener
mucho cuidado. Tiene dos
terminales.
En muchos de los casos
se conoce como
sintonizador, tiene un eje
que hace variar su
capacidad, no tiene
polaridad.
En muchos de los casos el
transformador tiene
varias terminales pero no
posee polaridad.
Tiene dos terminales pero
posee polaridad, el
positivo es el nodo y el
negativo es el ctodo.
Tambin tiene polaridad,
el positivo es el nodo y
el negativo es el ctodo.
Este es el smbolo de un
led, tiene polaridad, el
positivo es el nodo y el
negativo es el ctodo.
Este en el transistor
bipolar NPN, tiene 3
terminales, uno es la
base, el otro es el colector
y el ltimo es el emisor.
Para determinar el emisor
es necesario identificar la
flecha.
Este en el transistor
bipolar NPN, tiene 3
terminales, uno es la
base, el otro es el colector
y el ltimo es el emisor.
Para determinar el emisor
es necesario identificar la
flecha.

TRIAC

Tiristor SCR
(Silicn Control
led Rectifier)
Pulsador
contactor abierto

Pulsador
contactor cerrado

Batera

Parlante

Opto acoplador

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Tiene tres terminales. Dos

son por donde la corriente
pasa (AC). Esta no tiene
polaridad. La restante es
la de control. Su posicin
y encapsulado vara
segn el dispositivo.
Posee tres terminales,
uno es el nodo, el otro es
el ctodo y el ltimo es la
compuerta.
El pulsador tiene 2
terminales, no tiene
polaridad pero solo
conducir electricidad
cuando se pulse el botn.
El pulsador tiene 2
terminales, no tiene
polaridad pero solo
conducir electricidad
cuando no se pulse el
botn.
Tiene dos terminales,
posee polaridad, el signo
(+) es positivo y el signo
(-) negativo.
Posee dos terminales, si
tiene polaridad el signo
(+) es positivo y se
representa con el color
rojo y el signo (-)
negativo, que se
representa con el color
negro.
El opto acoplador es muy
similar a un circuito
integrado pero
interiormente se
encuentra conectado a un
led, un elemento
fotosensible, como el
fototransistor.

Electrnica Analgica

DIODOS SEMICONDUCTORES
La resistencia como dispositivo lineal
Antes de ver el diodo vamos a repasar las caractersticas de la resistencia.
La resistencia de carbn tpica est formada por polvo de carbn machacado. Son importantes las dimensiones del carbn.

Para analizar el comportamiento de esa resistencia la polarizaremos primero en directa y luego en inversa. Se toman los valores con un
Ampermetro y un Voltmetro y se representa la I en funcin de V, con lo que tendremos el comportamiento de la resistencia.

Si polarizo al revs las ecuaciones son las mismas, pero las corrientes y las tensiones son negativas.

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Entonces al final nos quedar de la siguiente forma:

A esta representacin se le llama "Curva Caracterstica" y es una recta, por ello se dice que la resistencia es un "Elemento Lineal". Es ms
fcil trabajar con los elementos lineales porque sus ecuaciones son muy simples.

La Curva Caracterstica Del Diodo

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Analizamos de la misma forma el diodo:

Se le van dando distintos valores a la pila y se miden las tensiones y corrientes por el diodo, tanto en directa como en inversa (variando la
polarizacin de la pila). Y as obtenemos una tabla que al ponerla de forma grfica sale algo as:

El diodo como dispositivo no lineal

Esta es la curva caracterstica del diodo (un diodo se comporta de esa forma). Como no es una lnea recta, al diodo se le llama "Elemento
No Lineal" o "Dispositivo No Lineal", y este es el gran problema de los diodos, que es muy difcil trabajar en las mallas con ellos debido a
que sus ecuaciones son bastante complicadas.
La ecuacin matemtica de esta curva es:

'

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En directa, a partir de 0.7 V la corriente aumenta mucho, conduce mucho el diodo y las corrientes son muy grandes. Debido a estas
corrientes grandes el diodo podra romperse, por eso hay que tener cuidado con eso (como mximo se tomar 0.8 V o 0.9 V).
En inversa tenemos corrientes negativas y pequeas.

A partir de -1 V se puede despreciar la

corriente de fugas, con ella sera:

y queda aproximadamente I = -Is, que es muy pequea aunque no se ha tenido en cuenta la

I = -( Is + If )
A partir de -1 V si no hubiera I f tendramos una corriente pequea y horizontal pero como hay fugas que son proporcionales a la tensin
inversa, bajando poco a poco.

Si sigo aumentando la tensin inversa puede ocurrir la ruptura a la tensin de ruptura, en este ejemplo a VR = -50 V aparece la avalancha
y ya la ecuacin no vale, es otra distinta:

Y aqu el diodo se destruye a no ser que sea uno preparado (un diodo zener).
Al punto en el que se vence la barrera de potencial se le llama codo. La "Barrera de Potencial" "Tensin Umbral" es el comienzo del codo,
a partir de ah conduce mucho el diodo en directa.

La zona directa
En la zona directa tenemos dos caractersticas importantes:

Hay que vencer la barrera de potencial (superar la tensin umbral V ) para que conduzca bien en polarizacin directa (zona
directa).

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Aparece una resistencia interna (el diodo se comporta aproximadamente como una resistencia).

Tensin Umbral
Como ya se ha dicho antes es el valor de la tensin a partir del cual el diodo conduce mucho. A partir de la Tensin Umbral Barrera de
Potencial la intensidad aumenta mucho variando muy poco el valor de la tensin.

Resistencia Interna
A partir de la tensin umbral se puede aproximar, esto es, se puede decir que se comporta como una resistencia.

La zona n tiene una resistencia y la zona p otra resistencia diferente:

Electrnica Analgica

Ejemplo: 1N4001

rp= 0.13

rn = 0.1

La resistencia interna es la suma de la resistencia en la zona n y la resistencia en la zona p.

Y la pendiente de esa recta ser el inverso de esta resistencia interna.

Como la resistencia interna es pequea, la pendiente es muy grande, con lo que es casi una vertical, esto es, conduce mucho.
Resumiendo hemos visto que tenemos:

Mxima corriente contina en polarizacin directa

Es el mayor valor de corriente permitido en la caracterstica del diodo:

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Ejemplo: 1N4001

IFmx = 1 A (F = forward (directa))

Resistencia para limitacin de corriente

En circuitos como el de la figura, hay que poner una resistencia porque sino el diodo se estropeara fcilmente.

Esto se ve dndole valores a la pila, y viendo las intensidades que salen, que a partir de 0.7 V (suponiendo que el diodo es de silicio)
aumentan mucho como se ve claramente en la grfica de la caracterstica del diodo.

Entonces se pone una resistencia para limitar esa corriente que pasa por el diodo, como se ve en la figura:

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Se calcula la resistencia para limitar la corriente, para que no aumente a partir de 1 A por ejemplo.

Disipacin mxima de potencia

La mxima corriente y la mxima potencia estn relacionadas. Como ocurre con una resistencia, un diodo tiene una limitacin de potencia
que indica cuanta potencia puede disipar el diodo sin peligro de acortar su vida ni degradar sus propiedades. Con corriente continua, el
producto de la tensin en el diodo y la corriente en el diodo es igual a la potencia disipada por ste.
Normalmente en diodos rectificadores no se suele emplear la limitacin mxima de potencia, ya que toda la informacin acerca de la
destruccin del diodo (por calor) ya esta contenida en el lmite mximo de corriente.
Ejemplo: 1N4001
En la hoja de caractersticas indica una corriente mxima con polarizacin directa I o de 1 A. Siempre que la corriente mxima con
polarizacin directa sea menor que 1 A, el diodo no se quemar.

La potencia que se disipa en el diodo en forma de calor.

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Como ya se ha dicho no se debe pasar de ese valor de potencia.

La zona inversa
En polarizacin inversa tenamos una corriente que estaba formada por la suma de los valores de la corriente I s y la corriente de fugas If:

Hay que tener cuidado, no hay que llegar a VR porque el diodo se rompe por avalancha (excepto si es un Zener).

Modelos equivalentes lineales aproximados del diodo

Existen tres aproximaciones muy usadas para los diodos de silicio, y cada una de ellas es til en ciertas condiciones.
1 Aproximacin
La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que pasan por el origen de coordenadas. Este diodo ideal no existe en la
realidad, no se puede fabricar por eso es ideal.

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Polarizacin directa: Es como sustituir un diodo por un interruptor cerrado.

Polarizacin inversa: Es como sustituir el diodo por un interruptor abierto.

Como se ha visto, el diodo acta como un interruptor abrindose o cerrndose dependiendo si esta en inversa o en directa. Para ver los
diferentes errores que cometeremos con las distintas aproximaciones vamos a ir analizando cada aproximacin.
Ejemplo:

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En polarizacin directa:

2 Aproximacin
La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por 0,7 V (este valor es el valor de la tensin umbral para el
silicio, porque suponemos que el diodo es de silicio, si fuera de germanio se tomara el valor de 0,2 V).

El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad polarizacin directa, pero como a efectos prcticos no conduce, se toma como inversa.
Con esta segunda aproximacin el error es menor que en la aproximacin anterior.
Polarizacin directa: La vertical es equivalente a una pila de 0,7 V.

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Polarizacin inversa: Es un interruptor abierto.

Ejemplo: Resolveremos el mismo circuito de antes pero utilizando la segunda aproximacin que se ha visto ahora. Como en el caso
anterior lo analizamos en polarizacin directa:

Como se ve estos valores son distintos a los de la anterior aproximacin, esta segunda aproximacin es menos ideal que la anterior, por lo
tanto es ms exacta, esto es, se parece ms al valor que tendra en la prctica ese circuito.
3 Aproximacin
La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y tiene una pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia interna.

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El estudio es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es cuando se analiza la polarizacin directa:

Ejemplo: En el ejemplo anterior usando la 3 aproximacin, tomamos 0,23 como valor de la resistencia interna.

Esta tercera aproximacin no merece la pena usarla porque el error que se comete, con respecto a la segunda aproximacin, es mnimo.
Por ello se usar la segunda aproximacin en lugar de la tercera excepto en algn caso especial.
Como elegir una aproximacin

Electrnica Analgica

Para elegir que aproximacin se va a usar se tiene que tener en cuenta, por ejemplo, si son aceptables los errores grandes, ya que si la
respuesta es afirmativa se podra usar la primera aproximacin. Por el contrario, si el circuito contiene resistencias de precisin de una
tolerancia de 1 por 100, puede ser necesario utilizar la tercera aproximacin. Pero en la mayora de los casos la segunda aproximacin ser
la mejor opcin.
La ecuacin que utilizaremos para saber que aproximacin se debe utilizar es esta:

Fijndonos en el numerador se ve que se compara la V S con 0.7 V. Si VS es igual a 7 V, al ignorar la barrera de potencial se produce un
error en los clculos del 10 %, si VS es 14 V un error del 5 %, etc...

Si se ve el denominador, si la resistencia de carga es 10 veces la resistencia interna, al ignorar la resistencia interna se produce un error
del 10 % en los clculos. Cuando la resistencia de carga es 20 veces mayor el error baje al 5 %, etc...

En la mayora de los diodos rectificadores la resistencia interna es menor que 1 , lo que significa que la segunda aproximacin produce un
error menor que el 5 % con resistencias de carga mayores de 20 . Por eso la segunda aproximacin es una buena opcin si hay dudas
sobre la aproximacin a utilizar. Ahora veremos una simulacin para un ejemplo concreto de uso de estas aproximaciones.

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Variables dependientes e independientes

Cualquier circuito tiene variables independientes (como tensiones de alimentacin y resistencias en las ramas) y variables dependientes
(tensiones en las resistencias, corrientes, potencias, etc.). Cuando una variable independiente aumenta, cada una de las variables
dependientes responder, normalmente, aumentando o disminuyendo. Si se entiende cmo funciona el circuito, entonces se ser capaz de
predecir si una variable aumentar o disminuir.
Ejemplo:

Si se analiza la resistencia R L y la tensin VS, se ve que los valores que se desean son de 1 k y 10 V en este caso, a estos se les llama
"valores nominales", pero los valores reales se rigen por unas tolerancias, que son unos rangos de valores no un valor fijo. El diodo
tambin puede variar su valor de tensin umbral.
Pero estas tres variables (RL, VS y Vj) dependen de la fabricacin, estos es dependen de si mismas, son "variables independientes". Por otro
lado estn las "variables dependientes", que dependen de las tres variables anteriores, que son: V L, IL, PD, PL y PT. Estos que da reflejado
en la siguiente tabla:

Hoja de caractersticas de un diodo

La mayor parte de la informacin que facilita el fabricante en las hojas de caractersticas es solamente til para los que disean circuitos,
nosotros solamente estudiaremos aquella informacin de la hoja de caractersticas que describe parmetros que aparecen en este texto.
Tensin inversa de ruptura
Estudiaremos la hoja de caractersticas del diodo 1N4001, un diodo rectificador empleado en fuentes de alimentacin (circuitos que
convierten una tensin alterna en una tensin continua).
La serie de diodos del 1N4001 al 1N4007 son siete diodos que tienen las mismas caractersticas con polarizacin directa, pero en
polarizacin inversa sus caractersticas son distintas.
Primeramente analizaremos las "Limitaciones mximas" que son estas:

Electrnica Analgica

Estos tres valores especifican la ruptura en ciertas condiciones de funcionamiento. Lo importante es saber que la tensin de ruptura para el
diodo es de 50 V, independientemente de cmo se use el diodo. Esta ruptura se produce por la avalancha y en el 1N4001 esta ruptura es
normalmente destructiva.
Corriente mxima con polarizacin directa
Un dato interesante es la corriente media con polarizacin directa, que aparece as en la hoja de caractersticas:

Indica que el 1N4001 puede soportar hasta 1 A con polarizacin directa cuando se le emplea como rectificador. Esto es, 1 A es el nivel de
corriente con polarizacin directa para el cual el diodo se quema debido a una disipacin excesiva de potencia. Un diseo fiable, con factor
de seguridad 1, debe garantizar que la corriente con polarizacin directa sea menor de 0,5 A en cualquier condicin de funcionamiento.
Los estudios de las averas de los dispositivos muestran que la vida de stos es tanto ms corta cuanto ms cerca trabajen de las
limitaciones mximas. Por esta razn, algunos diseadores emplean factores de seguridad hasta de 10:1, para 1N4001 ser de 0,1 A o
menos.
Cada de tensin con polarizacin directa
Otro dato importante es la cada de tensin con polarizacin directa:

Estos valores estn medidos en alterna, y por ello aparece la palabra instantneo en la especificacin. El 1N4001 tiene una cada de
tensin tpica con polarizacin directa de 0,93 V cuando la corriente es de 1 A y la temperatura de la unin es de 25 C.
Corriente inversa mxima
En esta tabla esta la corriente con polarizacin inversa a la tensin continua indicada (50 V para un 1N4001).

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Esta corriente inversa incluye la corriente producida trmicamente y la corriente de fugas superficial. De esto deducimos que la
temperatura puede ser importante a la hora del diseo, ya que un diseo basado en una corriente inversa de 0,05 A trabajar muy bien a
25 C con un 1N4001 tpico, pero puede fallar si tiene que funcionar en medios donde la temperatura de la unin alcance los 100 C.

Comprobacin y deteccin de averas

El hmetro es la herramienta adecuada para saber el estado de un diodo. Se mide la resistencia en continua del diodo en cualquier
direccin y despus se invierten los terminales efectundose la misma medicin. La corriente con polarizacin directa depender de la
escala en la que se emplee el ohmetro, lo que significa que se obtendrn distintas lecturas en intervalos diferentes. Sin embargo, lo que
hay que buscar principalmente es una diferencia de resistencia inversa a directa muy alta. Para los diodos de silicio comnmente
empleados en la electrnica la razn debe ser mayor que 1.000:1.
En el uso del hmetro para probar diodos lo nico que se desea saber es si el diodo tiene una resistencia pequea con polarizacin directa
y grande con polarizacin inversa. Los problemas que pueden surgir son:

Resistencia muy pequea en ambas direcciones: diodo en cortocircuito.

Resistencia muy grande en ambas direcciones: diodo en circuito abierto.

Resistencia pequea en inversa: diodo con fugas

Cmo calcular la resistencia interna rB

Para analizar con precisin un circuito con diodos se necesita saber la resistencia interna del diodo. Este valor generalmente no viene dado
por separado en las hojas de caractersticas, pero traen informacin suficiente para calcularla. La formula para calcular la resistencia
interna es:

El punto 1 puede ser el punto umbral.

Ejemplo: 1N4001

Electrnica Analgica

De la hoja de caractersticas conseguimos los valores de la tensin con polarizacin directa (0,93 V) para un valor de la corriente de 1 A y
la tensin umbral es de 0,7 V para una corriente aproximadamente cero.

Resistencia en continua de un diodo

Siempre que se habla de continua, se quiere decir que es esttica, que nunca cambia, es una "Resistencia Esttica". En la zona de
polarizacin directa se simboliza con RF y en la zona de polarizacin inversa con RR.
Lo estudiaremos para el diodo 1N914:

Resistencia con polarizacin directa

En cada punto tenemos una resistencia distinta, esa resistencia es el equivalente del diodo en polarizacin directa para esos valores
concretos de intensidad y tensin.

Electrnica Analgica

Si comparamos este valor de resistencia con la resistencia interna:

Como los 3 puntos tiene la misma pendiente quiere decir que para los 3 puntos el modelo es el mismo. Entonces la R F anterior no es til
porque vara, pero la rB no vara y por eso esta es la resistencia que se utiliza.
Resistencia con polarizacin inversa
Exageramos la curva de la grfica para verlo mejor:

Como en el caso anterior en cada punto tenemos una recta, por lo tanto un R R (R = Reverse, inversa) para cada punto.

Electrnica Analgica

Como es un valor muy grande, ms o menos se puede considerar infinito (idealmente circuito abierto).
Este valor no es til, no se utiliza para hacer modelos o mallas, pero de forma prctica en el laboratorio puede ser til (el polmetro marca
la resistencia esttica y se puede utilizar para detectar averas).

Rectas de carga
La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la corriente y la tensin del diodo. Las rectas de carga son
especialmente tiles para los transistores, por lo que ms adelante se dar una explicacin ms detallada acerca de ellas.
Estas son las distintas formas de analizar los circuitos con diodos:

Exacta por tanteo: Ecuacin del diodo exponencial y ecuacin de la malla.

Modelos equivalentes aproximados: 1 aproximacin, 2 aproximacin y 3 aproximacin.

de forma grfica: Recta de carga.

Hasta ahora hemos visto las 2 primeras, la tercera forma de analizarlos es de forma grfica, esto es calculando su recta de carga.

Si de la ecuacin de la malla, despejamos la intensidad tenemos la ecuacin de una recta, que en forma de grfica sera:

Electrnica Analgica

A esa recta se le llama "recta de carga" y tiene una pendiente negativa.

El punto de corte de la recta de carga con la exponencial es la solucin, el punto Q, tambin llamado "punto de trabajo" o "punto de
funcionamiento". Este punto Q se controla variando VS y RS.
Al punto de corte con el eje X se le llama "Corte" y al punto de corte con el eje Y se le llama "Saturacin".

PRIMERA PRCTICA
POLARIZACION DIRECTA:
Permite el paso de corriente por medio del circuito. Consiste en conectar un diodo, un led y un
resistor de 320, en este caso, el ctodo (carga negativa) del diodo esta conectado con el nodo
(carga positiva) del led, el ctodo (carga negativa) del led esta conectado con la resistencia, Para
identificar que este circuito esta funcionando, basta con observar al led.
COMPONENTES:
1 Diodo 1N4001
1 Led
1 Resistencia de 320 , 2 W
1 Transformador 127/24 vca

1
V1
9V

D1
1N4001GP

R1
320

Electrnica Analgica

LED1
3

Figura 1. Polarizacin directa en el programa de simulacin Multisim

SEGUNDA PRCTICA
POLARIZACION INVERSA:
No permite el paso de corriente en el circuito. En esta ocasin, el nodo (carga positiva) del diodo,
esta conectado con el nodo (carga positiva) del led. En este circuito, el led no funciona como en el
circuito anterior.
D2

1N4001GP

V2
9V
0

R2

LED2
7

320

Figura 2. Polarizacin inversa en el programa de simulacin Multisim

Paso

VAK

ID

Resistencia del
diodo

2
3, 4
5

0.7 V
V
X

11

Directa:
Inversa:
rB:

Paso 7
VAK, 7

Polarizacin
inversa ID, A

Tabla 1.- Mediciones del diodo

Paso 6
VAK, V
0
0.1
0.2

Electrnica Analgica

Polarizacin
directa ID, mA

0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
Tabla 2.- Caractersticas voltaje-corriente

Autoevaluacin.
1. El material semiconductor ms comn es: el silicio.

2. El germanio y el silicio, en forma pura, son aisladores.

3. El silicio contaminado con impurezas como el arsnico hay una cantidad mayor de portadores de carga
negativos y el material es tipo N

4. El diodo de unin puede compararse con una resistencia ya que permite el flujo de la corriente en ambas
direcciones.
Falso

5. Para polarizar directamente un diodo de unin, conecte la punta positiva de una batera con la terminal tipo P
del diodo y la punta negativa con la terminal tipo N.

6. El voltaje de polarizacin directa de un diodo de silicio debe ser igual o mayor que 0.7 V para que el diodo
pueda conducir de manera apreciable.

7. La caracterstica voltaje- corriente de un diodo de unin es la grfica de voltaje en funcin de la corriente.

8. Una vez que se activa un diodo, al aumentar el voltaje en el diodo se produce una mayor circulacin de
corriente del diodo.

9. La resistencia directa de un diodo de silicio es muy baja; la resistencia inversa es muy alta.

Electrnica Analgica

10. La resistencia directa de un diodo se puede verificar, de manera aproximada utilizando un hmetro.

11. La primera aproximacin de un diodo conocida tambin como el diodo ideal sirve cuando se quiere realizar un
anlisis preliminar. De acuerdo con ella, el diodo es un conductor perfecto o un aislante perfecto.

12. Un diodo ideal se comporta como un interruptor cerrado cuando tiene polarizacin directa y como un interruptor
abierto cuando tiene polarizacin inversa.

13. El voltaje de barrera de un diodo de silicio es de 0.7 V

14. En la segunda aproximacin en el circuito externo se debe aplicar por lo menos 0.7V para que el diodo de
silicio se active entonces, sin importa la cantidad de corriente presente, la cada en el diodo es 0.7V.

15. La resistencia msica es la resistencia de la regin P y N eso impide que haya corriente una vez rebasado el
voltaje de contratensin.

16. En la tercera aproximacin de un diodo de silicio, se considera que hay un interruptor conectado en serie con
una batera de 0.7 V y una resistencia msica.

Preguntas

1. En el paso 5, Cmo decidi que valor de resistencia era la resistencia directa y la resistencia inversa?
El valor de resistencia muy alto corresponde a la resistencia inversa ya que el diodo en esa posicin se opone al
flujo de electricidad casi como un aislante. En caso contrario, cuando el valor de la resistencia es muy bajo, el
diodo est en posicin directa y se comporta como un perfecto conductor.

2. Compare las resistencias medidas en el paso 5 con las calculadas en el paso 4.

El valor de la resistencia del diodo en posicin directa es despreciable en comparacin con el alto valor obtenido en
una posicin inversa.

Electrnica Analgica

3. En qu condiciones se activa un diodo de unin? Explique. Consulte las mediciones realizadas y anotadas en
la tabla 1-2.
Despus de haber alcanzado los 0.7V

4. Hay mucha variacin en las corrientes inversas de la tabla1-2? Comente qu dio lugar a los resultados
obtenidos.
Si, en la corriente inversa las lecturas de corriente son casi una diezmilsima parte de las que se obtuvieron con la
polarizacin directa.

5. Cules son las limitaciones, en caso de haberlas de: a) la polarizacin directa y b) la polarizacin inversa?
en este experimento se rebasaron las limitaciones? Haga referencia a las mediciones para apoyar su
respuesta.
a) En polarizacin directa, segn los datos del fabricante, no tiene lmite en voltaje, pero en corriente es de
1Amp.
b) En polarizacin inversa tenemos un lmite de 50 V y una corriente mxima de 10 A.

6. Cmo podra identificar el nodo de un diodo que no est marcado?

Con un hmetro

7. Cmo podra determinar cul es la punta de conexin positiva de hmetro no elctrico y cul es la negativa?
Utilizando un diodo, podremos decir que cuando una punta toque el ctodo y el diodo de una lectura baja,
entonces esa ser la punta positiva y viceversa.

Aproximaciones

En la grfica que obtuvo en el paso 8, dibuje con varios colores, las curvas de la primera, segunda y tercera
aproximaciones para su diodo.
Calcule la resistencia msica (rB) de su diodo mediante dos puntos localizados en la parte lineal de la
porcin de polarizacin directa de la curva obtenida para los valores V aky ID. Sustituya estos valores en la
frmula:

Electrnica Analgica

rB=

V AK
ID

Despeje rB, anote en la tabla 1 el valor de rB.

a) Primera aproximacin:

I=

4.4V
=13 . 4546 mAmp
327
b) Segunda aproximacin:

I=

4 . 4 V 0 . 7 V
=11 .3149 mAmp
327

Resistencia msica:

RB =

0 .3 V
0 . 3V
=
=0 . 3
IF
1. 01 Amp
c) Tercera aproximacin

I=

4 . 4 V 0 . 7 V
=0 .0113 Amp
327 +0 . 3

I= 13.4546 mAmp (ideal)

I= 11.3149 mAmp (Segunda)
I= 11.30 mAmp (tercera)

Electrnica Analgica

TERCERA PRCTICA
(RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA EN CORRIENTE ALTERNA)
COMPONENTES:
1 Transformador reductor 127/24 Vca, 1 A
1 Diodo 1N4004
1 Resistencia de 800 , 2W
D1

1N4004GP
3
V1

120 Vrms
60 Hz
0
2

T1

R1
800

0
5
TS_PQ4_12

Diagrama 1.- Rectificacin de media onda

Forma de onda

V
pp

Vent (A a
C)

Vent (B a
C)

Vsal (D1)

Vsal (D2)

Vsal (onda
completa)
Resistencia directa (ohms)
Tabla 3.- Representaciones de ondas
Autoevaluacin.

Electrnica Analgica

D1:

D2:

CD,
V

1. Debido a que la energa elctrica de cd se utiliza principalmente en electrnica, las empresas que suministran
energa elctrica distribuyen energa de cd.
Falso
2. Rectificacin es el procedimiento mediante el cual la ca se convierte en cd.
3. Un rectificador de media onda, como el de la figura 6-3, recibe una entrada de 60 V pp. La onda de salida en
RL, punto D respecto al punto C, es:
a) Positivo
b) En fase con el semiciclo positivo del voltaje de entrada.
c) Alrededor de 60 Vpp.
4. Para invertir la polaridad de la onda de salida en un rectificador de media onda es necesario invertir el diodo
rectificador la polaridad de la fuente del circuito.
5. En el rectificador de onda completa de la figura 6-8, el diodo D 1 conduce cuando se corta D2 y viceversa
(Suponga que tanto S2 y S3 estn cerrados).
6. Si la frecuencia de la fuente de la que el transformador T 1 en la figura 6-8 recibe su alimentacin de 60 Hz, la
frecuencia de la onda de salida es 60 Hz (Si S2 y S3 estn cerrados).
7. En la figura 6-8 el interruptor S 2 est abierto y S3 est cerrado. El circuito funciona como un rectificador de
media onda.
8. Para las mismas condiciones que en la pregunta 7, se produce un pulso de salida para cada semiciclo de onda
senoidal de entrada.
Verdadero.
9. En la figura 6-8 cuando los interruptores S2 y S3 estn abiertos, no hay salida en RL.
Verdadero
10. Las relaciones de fase entre las ondas de entrada y de salida en la figura 6-8 se pueden observar mediante
sincronizacin

PREGUNTAS
1. En el paso 2 qu tipo de rectificacin se obtiene?
Rectificacin de Media onda
2. En qu difieren los resultados del paso 8 y el del paso 5?
En la forma de la onda
Por qu se produce esta diferencia?
Porque en el paso 5 estamos midiendo la onda que entra al diodo y en el paso 8 observamos la media onda o
medio ciclo que sale del diodo.
Electrnica Analgica

3. qu tipo de rectificacin se obtiene en el paso 9?

Rectificacin de onda completa
4. Compare en relacin con la frecuencia de entrada la frecuencia del voltaje de salida de:
a) Un rectificador de media onda
Solo sale media onda por unidad de tiempo (medio ciclo por unidad de tiempo)
b) Un rectificador de onda completa (tome como referencia las ondas de la tabla 6-1)
Salen dos onda continuas en el eje positivo, es decir, dos medias ondas por unidad de tiempo.
En otras palabras sale la onda completa por unidad de tiempo.
5. A partir de los datos obtenidos qu concluye acerca de la relacin entre el voltaje en cd en R L y el voltaje de
entrada pico en:
a) Un rectificador de media onda
b) Un rectificador de onda completa
Son casi iguales, presentan una leve cada de tensin en los de onda completa.
Si es posible de una expresin matemtica para esta relacin.
6. Segn sus datos explique el funcionamiento de un:
a) Rectificador de media onda
Regula el paso de corriente en un solo sentido pero en pulsos con menos frecuencia
b) Rectificador de onda completa
Regula el paso de corriente pero con pulsos constantes (uno tras otro)
7. Explique de que manera puede aprovecharse el procedimiento de ese experimento para localizar fallas en un
rectificador de onda completa qu tipos de problemas pone en evidencia la apertura y el cierre de S1 y S2?
Podemos identificar problemas en la frecuencia.

Electrnica Analgica

CUARTA PRCTICA
(RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON DOS DIODOS)
COMPONENTES:
1 Trasformador de 110 v a 24 o 12 vca.
2 Diodos 1N4004
1 Resistencia de 330
D1
1N4004GP
V1

6
120 Vrms
60 Hz 5
0

T1

1
3

TS_PQ4_12

R1
330
D2
1N4004GP

Diagrama 2.- Rectificacin de onda completa

En este circuito; el diodo D1 conduce durante el semiciclo positivo 2 (abajo), mientas que el diodo D2
no conduce. Durante el semiciclo negativo se invierten los papeles, conduciendo el diodo D2
mientras que D1 no conduce. Ntese que la tensin pico sobre la carga ser igual a 0,7v.
Obviamente, al tener rectificacin de onda completa, la componente de corriente continua presente
sobre la carga, es superior a la que se observa en el caso de la rectificacin de media onda. No
obstante, la seal presente sobre la carga dista mucho al parecerse a una tensin constante
regulada, la requerida usualmente para alimentar a equipos electrnicos.

Electrnica Analgica

XSC1
XSC2

Ext Trig
+
_

D1

A
+

Ext Trig
+
_

1N4004GP
V1

6
120 Vrms
60 Hz 5
0

T1

TS_PQ4_12

1
3

R1

A
_

330
D2

1N4004GP

Diagrama 3.- Equipo de medicin en el rectificador de onda completa

D1
1N4001GP
4
V1

T1

3
120 Vrms
60 Hz
0
TS_AUDIO_100_TO_1
2
6

Electrnica Analgica

R1

1k

D2
1N4001GP

Diagrama 4.- Representacin del rectificador de onda completa

Autoevaluacin
Responda las siguientes preguntas para evaluar su aprendizaje:
1. La salida no filtrada del rectificador de onda completa en la figura 7-1 es positiva.
2. El voltaje en cd promedio en la salida de la figura 7-1 es alrededor de 100%-90% del Vmax.
3. En la figura 7-2 a), la salida de cd pura es aproximadamente igual a la que sale de los diodos
.
4. El filtro en la salida de la figura 7-3 es un filtro tipo

5. El resistor RB en la figura 7-4 obtiene entre 15% y 20% de la corriente total que suministra el rectificador. Este
resistor, que est conectado en forma permanente en el circuito, se llama resistor de drenaje.
6. Dos funciones que cumple el resistor, R B, en la figura 7-4 son: mejorar la regulacin de voltaje y descargar con
rapidez los capacitores C1 y C2 cuando se elimina la corriente del circuito.
7. Si en la figura 7-4 se abre el diodo D 1, el voltaje de salida V sera ms bajo que el voltaje de salida si ambos
diodos estuvieran en el circuito.
Preguntas
Las siguientes preguntas se refieren a los datos en las tablas 7-1, 7-2. 7-3. Identifique la tabla y los datos en los
que se basa su respuesta.
1. qu valor de capacitor es ms efectivo como elemento de filtrado, ms grande o ms pequeo? El ms
grande
Por qu? Porque la efectividad de un capacitor como filtro est en funcin de su capacitancia y reactancia
2. en qu punto de entrada o salida, en un filtro de tipo

, es ms alto el voltaje de rizo? En VPG

3. En el rectificador de onda completa (figura 7-4) qu capacitor abierto redujo ms el voltaje de salida de cd, C 1
o C2? por qu? C1

4. En el rectificador de onda completa (figura 7-4), qu capacitor aumenta ms el voltaje de salida de cd, C 1 o
C2? por qu?
Electrnica Analgica

5. Compare un filtro capacitivo (figura 7-2) con un filtro tipo

, para un rectificador de onda completa con

carga, en cuanto a:
a) La salida de cd.
A diferencia del filtro capacitivo, en el filtro tipo , el voltaje de salida es sin rizo, es decir, es ms
efectivo el tipo .
b) El rizo, explique su respuesta. En el filtro tipo no hay rizo debido a la inductancia que se opone a los
cambios de corriente lo que permite tener siempre cargados los capacitores.
6. Compare la alimentacin de onda completa y de media onda con un filtro tipo

con una carga de 250

Ohms, en cuanto a:
a) El voltaje en cd en la entrada y en la salida del filtro
b) El voltaje de rizo en la entrada y en la salida del filtro
En ambos casos es mejor en el filtro tipo
7. Explique cualquier diferencia en el voltaje de salida entre los rectificadores de onda completa y de media onda
con carga:
El voltaje ser menor en un rectificador de media onda.
8. Explique la diferencia, si la hay, en el voltaje de rizo entre la salida de los rectificadores de onda completa y
media onda con carga.
Es ms pronunciado el rizo en los rectificadores de media onda.

QUINTA PRCTICA
(RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON UN PUENTE DE DIODOS)
1 Transformador de 120v a 12v.
4 Diodos 1N4001.
1 Resistencia de 1K.

V1 2

T1

120 Vrms
60 Hz
0
TS_PQ4_12
3

Diagrama 5.- Rectificador tipo puente

Electrnica Analgica

1
D1
1

1B4B42

R1
1k

Durante el semiciclo positivo de la seal, los diodos 2 y 3 estn polarizados en directo, mientras que
1 y 4 estn en circuito completo. Durante los semicilos negativos de los diodos 1 y 4 estn
polarizados en directo, mientas que 2 y 3 estn en circuito abierto. La tensin pico sobre la carga
tambin presenta una cada de 1,4V.
Como todo tipo de semiconductor, un puente rectificador viene identificado mediante una referencia,
con el fin de poder comprobar sus especificaciones en el manual del fabricante.
En caso de utilizar un filtraje capacitivo en este montaje, con totalmente validas las consideraciones
realizadas en apartados anteriores, siempre recordando que el voltaje pico condensador es 1,4
inferior al pico en el secundario.

Electrnica Analgica

XSC1
Ext T rig
+
_
B

A
_

2
3

XSC2
V1

T1

Ext Trig
+

120 Vrms
60 Hz
0
TS_PQ4_12

D1

_
+

R1
1k

A
_

1B4B42

Diagrama 6.- Equipo de medicin en el rectificador tipo puente

Paso
9

4
5
6
7

Posicin del interruptor

Onda / Referencia

S1

S2

S3

S4

S6

abiert
o
Cerrad
o
Cerrad
o
Cerrad
o

Abiert
o
Abiert
o
Cerrad
o
Cerrad
o

abiert
o
Abiert
o
Abiert
o
cerrad
o

Abiert
o
Abiert
o
Abiert
o
cerrad
o

+0
0

Paso

Sin carga
CD
mA

10

V+

11

11

V+

CD
V

Con carga (500 ohms)

Rizo
Ond
a

V pp

CD
mA

Tabla 4.- Datos del puente rectificador

Autoevaluacin
Responda a las siguientes preguntas para evaluar su aprendizaje:

Electrnica Analgica

Voltaj
e pico

CD
V

Rizo
Ond
a

V pp

1. En la figura 9-1, un rectificador abierto D1 abierto dar como resultado una rectificacin de onda completa
2. En la figura 9-1, un D2 produce un voltaje en RL, pero slo si C es positivo en relacin con D.
Verdadero
3. Si el voltaje rms del secundario de T es de 50 V, el pico del semiciclo positivo en RL es 25V (aproximadamente)
4. Cul es la frecuencia del rizo presente en RL en la figura 9-1?
60 Hz.
Preguntas
1. cul es la frecuencia de rizo del rectificado en puente? Para justificar su respuesta, utilice los datos
obtenidos.
Es similar al del transformador
2. Explique las diferencias que existan entre el voltaje de cd y de rizo en V sal para el rectificador de media onda
(paso 5), el rectificador de onda completa (paso 6) y el rectificador en puente (paso 7).
En el paso 5 y 6 los voltajes son idnticos a diferencia de su posicin con respecto al eje horizontal.
El voltaje en el punto 7 es menor que en los puntos anteriores.
3. Compare los resultados del rectificador en puente en el paso 7 y los resultados del rectificador con filtro en el
paso 10.

SEXTA PRCTICA
(CARACTERSTICAS DEL DIODO ZENER)

Las caractersticas de un diodo de estado slido dependen del material semiconductor del cual est hecho el
diodo, del tipo y grado de contaminacin de dicho material y de la construccin fsica y dimensiones del
dispositivo.
El diodo semiconductor que estudi en el experimento 1 funciona dentro de los valores caractersticos de su
polarizacin directa. Existe otro tipo de diodos conocidos como diodos Zener, cuyas caractersticas especiales de
corriente y voltaje en la polarizacin inversa se utiliza en aplicaciones del todo diferentes de las del diodo de cristal.
En la figura se muestra el smbolo de un diodo Zener

Electrnica Analgica

COMPONENTES:
1 Fuente de alimentacin
1 Multmetro digital
1 Resistencia de 3300 a 1 W
1 Resistencia 500, a 5W
1 Diodo zener 1N3020, o cualquier diodo zener de 10V y 1W
Diagrama de conexiones

Tabla de datos

SPTIMA PRCTICA (EXAMEN)

(FUENTE DE VOLTAJE REGULADA)
COMPONENTES:
4 diodos 1N4001 (pueden ser de otra numeracin, pero los cuatro deben ser iguales)
1 capacitor electroltico de 4700 F, a 50 volts
1 Resistencia de 330
1 Resistencia de 220
1 Led
1 Potencimetro de 5k
1 Regulador LM 317
1 Capacitor cermico de 1 F

Electrnica Analgica

U1
LM317LM

3
V1 1
120 Vrms
60 Hz
0
2

T1
0

D1
1

TS_PQ4_12
4

R1
330

C1
4.7uF

1B4B42

LINE
VOLTAGE

VREG

COMMON

C2
1uF

R2
9

8
R3
220

5k
50%
Key=A

LED1
10

El regulador de voltaje es un dispositivo electrnico diseado con el objetivo de proteger aparatos

elctricos y electrnicos sensibles a variaciones de diferencia de potencial o voltaje y ruido existente
en la corriente alterna de la distribucin elctrica.
Los reguladores de tensin estn presentes en las fuentes de alimentacin de corriente continua
reguladas, cuya misin es la de proporcionar una tensin constante a su salida. Un regulador de
tensin eleva o disminuye la corriente para que el voltaje sea estable, es decir, para que el flujo de
voltaje llegue a un aparato sin irregularidades. Esto, a diferencia de un "supresor de picos" el cual
nicamente evita los sobre voltajes repentinos (picos). Un regulador de voltaje puede o no incluir un
supresor de picos.

XMM1

U1
LM317LM

3
V1 1
120 Vrms
60 Hz
0
2

T1
0

D1
1

TS_PQ4_12
4

1B4B42

C1
4.7uF

R1
330
7

LINE
VOLTAGE

COMMON

C2
1uF

R2
9

8
R3
220

5k
50%
Key=A

LED1
10

Electrnica Analgica

VREG

SEGUNDA UNIDAD
TRANSISTORES
OBJETIVO DE LA UNIDAD: El alumno construir circuitos amplificadores y conmutadores, mediante el
uso de los principios de operacin de los transistores, para mantener los equipos en funcionamiento.
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer
resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los
aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video,
hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo,
ordenadores, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos,
ecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles, etc.
Historia
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John
Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el
Premio Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo.
El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontr
una aplicacin til ni se dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de
efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje
(drain) se controla mediante el campo elctrico establecido en el canal. Por ltimo, apareci el
MOSFET (transistor FET de tipo Metal-xido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseo
extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI).
Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La tecnologa CMOS
(Complementary MOS MOS Complementario) es un diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET de
canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un
funcionamiento sin carga.
Tipos de transistor

Electrnica Analgica

Transistor de contacto puntual

Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio,
semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que
se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de
base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer
resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas
se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi
con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad
ha desaparecido.
Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un
monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores,
estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el
sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del
mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o
"huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In),
Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector
que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre
ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas
contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin
gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.
Transistor de unin unipolar o de efecto de campo
El transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer
transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio
de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un
transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una
barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el
surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos
corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos
tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin
de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.

Electrnica Analgica

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla

del canal mediante un dielctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-Semiconductor,

en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa
de xido.

Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la
luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un
fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2
maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn).

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de
base. (IP) (modo de iluminacin).

Transistores y electrnica de potencia

Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos
semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso
en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados en conversores
estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores),
aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.

Seguridad en el manejo del equipo de laboratorio

OBJETIVO:
Interpretara las reglas bsicas de seguridad que requiere su persona y el equipo de laboratorio, sobre las instrucciones del profesor.
Identificara los interruptores, controles, instrumentos de medicin y terminales de salida del panel de la fuente de energa.
Interpretara la funcin y operacin de los instrumentos de medicin de corriente continua sobre la base de los mdulos con voltmetro,
ampermetro y hmetro
Manejar la fuente de energa y los instrumentos de medicin, sin cometer error.
Recomendaciones generales:
Cuando trabaje con equipo elctrico procure REFLEXIONAR antes de llevarlo a cabo cualquier operacin y no efectuarla hasta que este
seguro que ser correcta y segura.
Un comportamiento juicioso y el habito de trabajar aplicando las reglas bsicas de seguridad son para protegerle a usted y al equipo
Nunca opere el equipo e instrumento si desconoce el funcionamiento. Consulte a su profesor.
Asegrese de identificar los dispositivos de proteccin, que sean los indicados. Operar el interruptor de seguridad en una emergencia.

Electrnica Analgica

Nunca trabaje sobre pisos mojados, trabaje sobre pisos aislados.

No permita que le distraigan cuando trabaja y no masque chicle o cualquier otro objeto. Dificulta las labores de auxilio.
Asegrese estrictamente, que la fuente de energa debe estar desconectada cuando realice conexiones.
Cercirese siempre que los cables de conexin estn bien conectados.
Siempre al final de cada medicin reduzca la tensin y desconecte la fuente de energa.
Nunca trate de adivinar si un circuito tiene corriente o no, considrese energizado hasta que se demuestre otra cosa.
Siempre inspeccione el circuito armado antes de alimentarlo.
Previa revisin de los circuitos armados, el profesor autorizara el encendido de la fuente de energa
Sobre la base de la explicacin del profesor, identifique y anote el nombre de los elementos del panel de la fuente de energa creando un
esquema de dicha fuente
Uso obligatorio de bata de algodn.

PRIMERA PRCTICA
(POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR, BJT, BC337, NPN)
COMPONENTES:
1 Fuente de tensin variable
1 Resistencia de 220, 1 w
1 Resistencia de 36 K, 1w
2 leds
1 Transistor 2N3904 equivalente (BC337)

LED1
9

R1

10

220
LED2

J1
7
8

Key = A
V1
12 V

Electrnica Analgica

R2
1k

12

Q1
11
2N3904

Para determinar la RB (Resistencia B) se tiene que hacer clculos, aqu se explica el procedimiento:

DATOS :

Vcc=12V

R1=220

Hay que recordar que el amperaje de un led de color rojo es:

3

Led ROJO =2010

Obtenemos el valor hmico del led:

Led rojo=

1. 6 v
=80
201 03

Sumamos el valor hmico del led con la resistencia 1:

RT=220+ 80=300
Obtenemos la corriente del colector del circuito:

IC=

121.60.3
=0 . 0 4 5 A
220

Para determinar la corriente de la base primero se obtiene la ganancia, medimos la ganancia del
transistor con el multmetro en la escala de h FE, la cantidad que obtengamos (160) es la que ira
debajo de la corriente del colector:

I=

0.045 A
=2 . 8104 A
160

Electrnica Analgica

Para obtener el resultado de R B; restamos del voltaje total de la fuente con la que trabajara el circuito
y le restamos el voltaje del led y la cada del transistor V CE (0.3). El resultado obtenido ser el valor
hmico de la resistencia RB.

R=

121.60.3
=36071
4
2 . 810

SEGUNDA PRCTICA
(POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR, BJT,BC 327, PNP)
COMPONENTES
1 Resistencia de 220, 1w
1 Resistencia de 36 k, 1w
2 Leds
1 Transistor 2N3906, equivalente (BC327)

Electrnica Analgica

LED4

R3
220

10
8
J2
7
Key = A
V2
12 V

Potencimetro

TIPO:

PASIVO

PRINCIPIO DE
FUNCIONALID

RESISTIVIDAD

Electrnica Analgica

R4
1.87k

12

LED3

Q2
11
2N3906

AD:
FECHA
DE
INVENSIN:

1904 POR JOHN AMBROSE FLEMING

Un potencimetro es un resistor cuyo valor de resistencia es variable. De esta manera,

indirectamente, se puede controlar la intensidad de corriente que fluye por un circuito si se conecta
en paralelo, o la diferencia de potencial al conectarlo en serie.
Normalmente, los potencimetros se utilizan en circuitos de poca corriente. Para circuitos de
corrientes mayores, se utilizan los restatos, que pueden disipar ms potencia.
Construccin
Existen dos tipos de potencimetros:

Potencimetros impresos, realizados con una pista de carbn o de cermet sobre un soporte
duro como papel baquelizado, fibra, almina, etc. La pista tiene sendos contactos en sus
extremos y un cursor conectado a un patn que se desliza por la pista resistiva.

Potencimetros petados. Consiste en un arrollamiento toroidal de un hilo resistivo (por

ejemplo, constatan) con un cursor que mueve un patn sobre el mismo.

Tipos

Electrnica Analgica

Potencimetros rotatorios multivuelta utilizados en electrnica. Estos potencimetros permiten un

mejor ajuste que los rotatorios normales.

Potencimetros deslizantes.
Segn su aplicacin se distinguen varios tipos:

Potencimetros de mando. Son adecuados para su uso como elemento de control en los
aparatos electrnicos. El usuario acciona sobre ellos para variar los parmetros normales de
funcionamiento. Por ejemplo, el volumen de una radio.

Potencimetros de ajuste. Controlan parmetros pre ajustados, normalmente en fbrica, que el

usuario no suele tener que retocar, por lo que no suelen ser accesibles desde el exterior.
Existen tanto encapsulados en plstico como sin cpsula, y se suelen distinguir
potencimetros de ajuste vertical, cuyo eje de giro es vertical, y potencimetros de ajuste
horizontal, con el eje de giro paralelo al circuito impreso.

Segn la ley de variacin de la resistencia R = ():

Potencimetros lineales. La resistencia es proporcional al ngulo de giro.

Logartmicos. La resistencia depende logartmicamente del ngulo de giro.

Senoidales. La resistencia es proporcional al seno del ngulo de giro. Dos potencimetros

senoidales solidarios y girados 90 proporcionan el seno y el coseno del ngulo de giro. Pueden
tener topes de fin de carrera o no.

Anti logartmicos (exponenciales?)...

En los potencimetros impresos la ley de resistencia se consigue variando la anchura de la pista

resistiva, mientras que en los bobinados se ajusta la curva a tramos, con hilos de distinto grosor.
Potencimetros multivuelta. Para un ajuste fino de la resistencia existen potencimetros multivuelta,
en los que el cursor va unido a un tornillo desmultiplicado, de modo que para completar el recorrido
necesita varias vueltas del rgano de mando.

Electrnica Analgica

Tipos de potencimetros de mando

Potencimetros rotatorios. Se controlan girando su eje. Son los ms habituales pues son de
larga duracin y ocupan poco espacio.

Potencimetros deslizantes. La pista resistiva es recta, de modo que el recorrido del cursor
tambin lo es. Han estado de moda hace unos aos y se usa, sobre todo, en ecualizadores
grficos, pues la posicin de sus cursores representa la respuesta del ecualizador. Son ms
frgiles que los rotatorios y ocupan ms espacio. Adems suelen ser ms sensibles al polvo.

Potencimetros mltiples. Son varios potencimetros con sus ejes coaxiales, de modo que
ocupan muy poco espacio. Se utilizaban en instrumentacin, autorradios, etc.

Potencimetros digitales
Se llama potencimetro digital a un circuito integrado cuyo funcionamiento simula el de un
potencimetro Analgico. Se componen de un divisor resistivo de n+1 resistencias, con sus n puntos
intermedios conectados a un multiplexor analgico que selecciona la salida. Se manejan a travs de
una interfaz serie (SPI, I2C, Microwire, o similar). Suelen tener una tolerancia en torno al 20% y a esto
hay que aadirle la resistencia debida a los switches internos, conocida como Rwiper. Los valores
mas comunes son de 10K y 100K aunque varia en funcin del fabricante con 32, 64, 128, 512 y 1024
posiciones en escala logartmica o lineal. Los principales fabricantes son Maxim, Intersil y Analog
Devices. Estos dispositivos poseen las mismas limitaciones que los conversores DAC como son la
corriente mxima que pueden drenar, que esta en el orden de los mA, la INL y la DNL, aunque
generalmente son monotnicos

TERCERA PRCTICA
(Encender una lmpara con control remoto infrarrojo)
Objetivo: El alumno armar en la protoboard un circuito para encender una lmpara a travs de un
control remoto infrarrojo y de esta manera comprobar el funcionamiento de los componentes
electrnicos para el diseo de circuitos.

Marco terico:
Diodo emisor de luz infrarroja (LED IR).

Diodo Emisor de Luz Infrarroja El diodo IRLED (del ingls Infrared Light Emitting Diode), es un emisor
de rayos infrarrojos (la luz emitida por el no es visible para el ojo humano) ubicado en el espectro
electromagntico en el intervalo que va desde la luz visible a las microondas. Los diodos infrarrojos

Electrnica Analgica

se emplean desde mediados del siglo XX en mandos a distancia de televisores, en otros

electrodomsticos como equipos de aire acondicionado, equipos de msica, etc.

Este LED emite un tipo de radiacin electromagntica llamada infrarroja, que es invisible para el ojo humano porque su
longitud de onda es mayor a la del espectro visible.

Ya que no podremos ver a simple vista si nuestro emisor esta funcionando (al polarizarlo), tendremos que comprobarlo
utilizando alguna cmara de fotografa o video digital, como la de nuestro celular.

Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar
maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn)

Como

fototransistor,

de corriente de base.

Electrnica Analgica

cuando

la luz que

incide

en

este elemento hace

las

veces

Este dispositivo se diferencia de un transistor comn por que su base ha sido sustituida por un cristal
fotosensible que regula el flujo de corriente colector emisor de acuerdo a la luz incidente sobre l
(en nuestro caso luz infrarroja).
El fototransistor, aunque con la apariencia de un LED comn, debe conectarse con la patilla larga a
negativo y la corta a voltaje positivo.

COMPONENTES:

Una fuente de 12 vcd

Una fuente de 3 vcd
Un botn pulsador Normalmente abierto
Una resistencia de 75 , 1w
Led infrarrojo (IR 333C) Diodo emisor de luz (LED) infrarrojo, color azul transparente, de 5
mm de dimetro, longitud de onda de 940 nm, 1,3 V tpicos en polarizacin directa, 1,7 V
mximos, 20 mW y ngulo de 12 para transmisin a mayor distancia.
Fototransistor PT331C de 5 mm, transparente (receptor del modelo IR333C), 1,3 V de
colector a emisor, ngulo de captacin de 32 mximo y longitud de onda de 940
nanmetros.
Dos transistores NPN, 2N3904, si no hay entonces el equivalente es BC337
Una resistencia de 100 K, 1 w
Una resistencia de 1 K, 1w
Un led de cualquier color
Un relevador de 12 vcd
Una lmpara de 127 Vca
Una clavija
Cable para la clavija (2 metros calibre 14)

Electrnica Analgica

DIAGRAMA ESQUEMTICO

CUARTA PRCTICA
(SENSOR DE PRESENCIA)

Objetivo: El alumno construir un circuito electrnico en su protoboard, demostrando su

funcionamiento, utilizando los componentes electrnicos necesarios para utilizarlo como sensor de
presencia.

Marco Terico:
Fotorresistencia

Electrnica Analgica

LDR

Fotocelda

Una fotorresistencia es un componente electrnico cuya resistencia disminuye con el aumento de

intensidad de luz incidente. Puede tambin ser llamado concha de day coronel fotorresistor,
fotoconductor, clula fotoelctrica o resistor dependiente de la luz, cuyas siglas, LDR, se originan de
su nombre en ingls light-dependent resistor. Su cuerpo est formado por una clula o celda y dos
patillas. En la siguiente imagen se muestra su smbolo elctrico.

El valor de resistencia elctrica de un LDR es bajo cuando hay luz incidiendo en l (puede descender
hasta 50 ohm) y muy alto cuando est a oscuras (varios megohmios).

Caractersticas
Un foto resistor est hecho de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio, CdS.
Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por la
elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energa para saltar la banda de
conduccin. El electrn libre que resulta, y su hueco asociado, conducen la electricidad, de tal modo
que disminuye la resistencia. Los valores tpicos varan entre 1 M, o ms, en la oscuridad y 100
con luz brillante.
Las clulas de sulfuro del cadmio se basan en la capacidad del cadmio de variar su resistencia segn
la cantidad de luz que incide la clula. Cuanta ms luz incide, ms baja es la resistencia. Las clulas
son tambin capaces de reaccionar a una amplia gama de frecuencias, incluyendo infrarrojo (IR), luz
visible, y ultravioleta (UV).
La variacin del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa de oscuro a iluminado
o de iluminado a oscuro. Esto limita a no usar los LDR en aplicaciones en las que la seal luminosa
vara con rapidez. El tiempo de respuesta tpico de un LDR est en el orden de una dcima de
segundo. Esta lentitud da ventaja en algunas aplicaciones, ya que se filtran variaciones rpidas de
iluminacin que podran hacer inestable un sensor (ej. tubo fluorescente alimentado por corriente
alterna). En otras aplicaciones (saber si es de da o es de noche) la lentitud de la deteccin no es
importante.
Se fabrican en diversos tipos y pueden encontrarse en muchos artculos de consumo, como por
ejemplo en cmaras, medidores de luz, relojes con radio, alarmas de seguridad o sistemas de
encendido y apagado del alumbrado de calles.
Tambin se fabrican fotoconductores de Ge:Cu que funcionan dentro de la gama ms baja "radiacin
infrarroja".

Electrnica Analgica

El Rel es un interruptor operado magnticamente. El rel se activa o desactiva (dependiendo de la

conexin) cuando el electroimn (que forma parte del rel) es energizado (le ponemos un voltaje
entre sus terminales para que funcione). Esta operacin causa que exista conexin o no, entre dos
o ms terminales del dispositivo (el rel). Esta conexin se logra con la atraccin o repulsin de un
pequeo brazo, llamado armadura, por el electroimn. Este pequeo brazo conecta o desconecta los
terminales antes mencionados.

Es importante saber cual es la resistencia del bobinado del electroimn (lo que est entre los
terminales A y B) que activa el rel y con cuanto voltaje este se activa. Este voltaje y
esta resistencia nos informan que magnitud debe de tener la seal que activar el rel y
cuanta corriente se debe suministrar a ste.
La corriente se obtiene con ayuda de la Ley de Ohm: I = V / R. donde:

I es la corriente necesaria para activar el rel

V es el voltaje para activar el rel
R es la resistencia del bobinado del rel

Electrnica Analgica

Zumbador, buzzer en ingls, es un transductor electroacstico que produce un sonido o

zumbido continuo o intermitente de un mismo tono (generalmente agudo). Sirve como
mecanismo de sealizacin o aviso y se utiliza en mltiples sistemas, como en automviles o
en electrodomsticos, incluidos los despertadores.

Electrnica Analgica

COMPONENTES:
1 Transistor 2N3904 el equivalente BC337.
1 Resistencia de 10 k, 1 w
1 Resistencia de 2 K, 1w
1 Resistencia de 330 , 1w
1 Diodo 1N4007
1 Capacitor Electroltico de 2200 F a 25 V
1 Led
1 Relevador de 12 Vcd
1 Zumbador de 12 Vcd
1 Fotorresistencia (LDR) 1 M

DIAGRAMA ESQUEMTICO

Electrnica Analgica

QUINTA PRCTICA
(SENSOR DE BARRERA)

Objetivo: El alumno construir en su protoboard un circuito electrnico, que permita detectar un

objeto o cuerpo en la cercana de un lugar que se quiere proteger.

Marco Terico:

Electrnica Analgica

Componentes:
1 Fuente de tensin variable
1 Transistor 2N2222 equivalente
1 Fotorresistencia.
1 Resistencia de 15K.
1 Resistencia de 1 K.
1 Resistencia de 330.
1 Led, (el color de acuerdo a la necesidad de deteccin), puede ser infrarrojo, rojo o verde.
Cables de conexin
1 Protoboard

Diagrama Esquemtico:

Electrnica Analgica

FUNCIONAMIENTO: Al energizar el circuito, el Led enciende proyectando la luz a la fotorresistencia la

cual tiene una baja resistencia debido a la incidencia de luz, pero cuando uno interrumpe la luz por
medio de una barrera la resistencia aumenta demasiado con lo cual se hace llegar un pulso positivo a
la base del transistor NPN el cual se activa y permite que se energice el relevador que a su vez
energiza una lmpara indicadora.

SEXTA PRCTICA
(LUZ NOCTURNA AUTOMATICA)
COMPONENTES:
1 Transistor 2N3904 337.
1 Fotorresistencia.
1 Potencimetro de 100K.
1 Resistencia de 220
1 Resistencia de 100K
1 Led.

Electrnica Analgica

FUNCIONAMIENTO: La fotorresistencia se activa cuando llega la obscuridad, permitiendo que la

corriente fluya hacia el transistor, y este a su vez, mande la seal directo al led, el cual se mantendr
encendido mientras no este la fotorresistencia en contacto con la luz, la sensibilidad de esta es
determinada por la regulacin de la resistencia del potencimetro.

Electrnica Analgica

TERCERA UNIDAD
TIRISTORES
OBJETVO DE LA UNIDAD: El alumno diseara circuitos electrnicos que involucren el uso de tiristores,
acompaados de un reporte de incluya mediciones, diagramas de conexin y diagnostico de los
parmetros electrnicos de estos.

Tiristores
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los
tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como
conmutadores bi-estables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas
aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque
los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.
Caractersticas de los tiristores:
Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnp con tres uniones npn
tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo del tiristor y una
seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J 1 y J3 tienen
polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea
corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo
directo o en estado desactivado llamndose a la corriente fuga corriente de estado inactivo I D. Si el
voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande la unin J 2 polarizada
inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje
correspondiente se llama voltaje de ruptura directa V BO. Dado que las uniones J 1 y J3 ya tienen
polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones que
provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o

activado.

Activacin del tiristor:

Electrnica Analgica

Un tiristor se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una
de las siguientes formas:
TERMICA. Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de pares electrnhueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har que a 1 y a2
aumenten. Debido a la accin regenerativa (a 1 + a2) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera
activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general se evita.
LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrn-hueco
pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a
los discos de silicio.
ALTO VOLTAJE. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo V BO,
fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de activacin
puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.
dv/dt. Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las
uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga
puede daar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes
especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores.
CORRIENTE DE COMPUERTA. Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de
compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del ctodo
activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo
directo, tal y como aparece en la fig.4

Tipos de tiristores:
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un
tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta
cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de
activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.

Electrnica Analgica

Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin, en

general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.

Tiristores de control de fase o de conmutacin rpida (SCR).

Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
Tiristores de conduccin inversa (RTC).
Tiristores de induccin esttica (SITH).
Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR).
Tiristores controlados por FET (FET-CTH).
Tiristores controlados por MOS (MCT).

Tiristores de control de fase o de conmutacin rpida (SCR).

El miembro ms importante de la familia de los tiristores es el tiristor de tres terminales, conocido
tambin como el rectificador controlado de silicio o SCR. Este dispositivo lo desarroll la General
Electric en 1958 y lo denomin SCR. El nombre de tiristor lo adopt posteriormente la Comisin
Electrotcnica Internacional (CEI). En la figura siguiente se muestra el smbolo de un tiristor de tres
terminales o SCR.
Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o diodo. Su caracterstica voltajecorriente, con la compuerta de entrada en circuito abierto, es la misma que la del diodo PNPN.
Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus aplicaciones es que el
voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse por medio de una corriente que fluye hacia su
compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta, tanto menor se vuelve V BO. Si
se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura, sin seal de compuerta, sea mayor que el
mayor voltaje en el circuito, entonces, solamente puede activarse mediante la aplicacin de una
corriente a la compuerta. Una vez activado, el dispositivo permanece as hasta que su corriente caiga
por debajo de IH. Adems, una vez que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse,
sin que afecte su estado activo. En este estado, la cada de voltaje directo a travs del SCR es cerca
de 1.2 a 1.5 veces mayor que la cada de voltaje a travs de un diodo directo-oblicuo comn.

Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas, los dispositivos de uso ms comn en
los circuitos de control de potencia. Se utilizan ampliamente para cambiar o rectificar aplicaciones y
actualmente se encuentran en clasificaciones que van desde unos pocos amperios hasta un mximo
de 3,000 A.
Un SCR.
1. Se activa cuando el voltaje VD que lo alimenta excede VBO

Electrnica Analgica

2. Tiene un voltaje de ruptura VBO, cuyo nivel se controla por la cantidad de corriente i G, presente
en el SCR
3. Se desactiva cuando la corriente iD que fluye por l cae por debajo de I H
4. Detiene todo flujo de corriente en direccin inversa, hasta que se supere el voltaje mximo
inverso.
Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposicin, con una compuerta
de paso comn; puede ir en cualquier direccin desde el momento en que el voltaje de ruptura se
sobrepasa. El smbolo del TRIAC se ilustra en la figura siguiente y su caracterstica corriente-voltaje
en la figura contigua. El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de
compuerta, en la misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde tanto
a los impulsos positivos como a los negativos de su compuerta. Una vez encendido, un TRIAC
permanece as hasta que su corriente cae por debajo de I H.

Seguridad en el manejo del equipo de laboratorio

OBJETIVO:
Interpretara las reglas bsicas de seguridad que requiere su persona y el equipo de laboratorio, sobre las instrucciones del profesor.
Identificara los interruptores, controles, instrumentos de medicin y terminales de salida del panel de la fuente de energa.
Interpretara la funcin y operacin de los instrumentos de medicin de corriente continua sobre la base de los mdulos con voltmetro,
ampermetro y hmetro
Manejar la fuente de energa y los instrumentos de medicin, sin cometer error.
Recomendaciones generales:
Cuando trabaje con equipo elctrico procure REFLEXIONAR antes de llevarlo a cabo cualquier operacin y no efectuarla hasta que este
seguro que ser correcta y segura.

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Un comportamiento juicioso y el habito de trabajar aplicando las reglas bsicas de seguridad son para protegerle a usted y al equipo
Nunca opere el equipo e instrumento si desconoce el funcionamiento. Consulte a su profesor.
Asegrese de identificar los dispositivos de proteccin, que sean los indicados. Operar el interruptor de seguridad en una emergencia.
Nunca trabaje sobre pisos mojados, trabaje sobre pisos aislados.
No permita que le distraigan cuando trabaja y no masque chicle o cualquier otro objeto. Dificulta las labores de auxilio.
Asegrese estrictamente, que la fuente de energa debe estar desconectada cuando realice conexiones.
Cercirese siempre que los cables de conexin estn bien conectados.
Siempre al final de cada medicin reduzca la tensin y desconecte la fuente de energa.
Nunca trate de adivinar si un circuito tiene corriente o no, considrese energizado hasta que se demuestre otra cosa.
Siempre inspeccione el circuito armado antes de alimentarlo.
Previa revisin de los circuitos armados, el profesor autorizara el encendido de la fuente de energa
Sobre la base de la explicacin del profesor, identifique y anote el nombre de los elementos del panel de la fuente de energa creando un
esquema de dicha fuente
Uso obligatorio de bata de algodn.

PRIMERA PRCTICA
(FUNCIONAMIENTO DEL SCR)
COMPONENTES:
1 SCR C106.
1 Resistencia 1K.
1 Resistencia 330.
1 Led.
LED1
R1

330
R2

3 1k
V1
12 V
5

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D1
2N1599

FUNCIONAMIENTO: En este circuito, el SCR se activa cuando la pata de la resistencia toca la terminal
de la puerta del SCR, mandando el pulso necesario para que el LED encienda, mantenindose as
hasta que la alimentacin de la fuente este desconectada.

Botn (dispositivo)

Un botn o pulsador es un dispositivo utilizado para activar alguna funcin. Los botones son de
diversa forma y tamao y se encuentran en todo tipo de dispositivos, aunque principalmente en
aparatos elctricos o electrnicos. Los botones son por lo general activados al ser pulsados,
normalmente con un dedo.
Un botn de un dispositivo electrnico, funciona por lo general como un interruptor elctrico, es decir
en su interior tiene dos contactos, uno, si es un dispositivo NA (normalmente abierto) o NC
(normalmente cerrado), con lo que al pulsarlo se activar la funcin inversa de la que en ese
momento este realizando.
Hay que tener en cuenta, a la hora de disear circuitos electrnicos, que la excesiva acumulacin de
botones, puede confundir al usuario, por lo que se tender a su uso ms imprescindible.

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Tambin existen "botones virtuales", cuyo funcionamiento debe ser igual al de los "fsicos"; su uso
queda restringido para pantallas tctiles o gobernadas por otros dispositivos electrnicos.

SEGUNDA PRCTICA
(CIRCUITO DE ALARMA CON SCR)
COMPONENTES:
1SCR C106.
1 Capacitor electroltico de 0.1 F.
1 Resistencia de 33 K.
1 Resistencia de 22K.
1 Resistencia de 330.
1 Diodo 1N4001.
1 Botn pulsador NO, (open)
1 Botn pulsador NC, (close)
1 Led.

FUNCIONAMIENTO: El led se enciende solamente cuando cualquiera de los botones sea presionado,
mandando la seal al SCR, el cual queda activado y mantiene encendido al Led hasta que la
alimentacin de la fuente sea desconectada.

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TERCERA PRCTICA
(SUICHE DE TOQUE MUY SENCIBLE)
COMPONENTES:
1 SCR C106
1 Transistor 2N3904.
1 Resistencia de 100K
1 Resistencia de 1K.
2 Resistencias de 220.
1 Led.

FUNCIONAMIENTO: Al tocar las puntas del sensor, se emite un pulso a la base del transistor, est a su
vez manda una seal a la base del SCR activndolo, y con ello el led se encender.

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CUARTA PRCTICA
(TEMPORIZADOR DE ARRANQUE)
COMPONENTES:
1 SCR C106.
1 Potencimetro de 100K.
1 Resistencia de 220.
1 Resistencia de 100K.
1 Capacitor electroltico de 100F a 25V.
1 Led.

FUNCIONAMIENTO: Al energizar este circuito, el led tardara en encender unos segundos debido a la
influencia del potencimetro sobre el SCR, el cual, cuando es activado, permite que la corriente fluya
hacia el led, y as logre encender.

QUINTA PRCTICA
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(ALARMA ACTIVADA POR SOMBRA)

COMPONENTES:
1 Transistor 2N3904.
1 SCR C106.
1 Potencimetro de 100K.
1 Fotorresistencia.
1 Resistencia de 1K.
1 Resistencia de 6.8K.
1 Resistencia de 220.
1 Resistencia de 2.2K.
1 Led.

FUNCIONAMIENTO: Al llegar la sombra y tapar la fotorresistencia, esta cierra el circuito y enva la

seal al led permitiendo su encendido, la sensibilidad de la fotorresistencia la determina la regulacin
de la resistencia del potencimetro.

SEXTA PRCTICA
(CONTROL DE HUMEDAD)
COMPONENTES:
1 Transistor 2N3906.

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1 SCR C106.
1 Resistencia de 33K.
1 Resistencia de 330.
1 Resistencia de 220.
1 Resistencia de 1K.
1 Led.
1 Capacitor cermico de 0.1 F.
1 botn pulsador N.O. (OPEN)

FUNCIONAMIENTO: Al detectar la humedad, el sensor cierra el circuito y automticamente manda la

seal al Led, este automticamente se enciende y solamente se apaga cuando se pulsa el suiche.

Motor de corriente continua

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El motor de corriente continua es una mquina que convierte la energa elctrica en mecnica,
principalmente mediante el movimiento rotatorio. En la actualidad existen nuevas aplicaciones con
motores elctricos que no producen movimiento rotatorio, sino que con algunas modificaciones,
ejercen traccin sobre un riel. Estos motores se conocen como motores lineales.
Esta mquina de corriente continua es una de las ms verstiles en la industria. Su fcil control de
posicin, paro y velocidad la han convertido en una de las mejores opciones en aplicaciones de
control y automatizacin de procesos. Pero con la llegada de la electrnica su uso ha disminuido en
gran medida, pues los motores de corriente alterna, del tipo asncrono, pueden ser controlados de
igual forma a precios ms accesibles para el consumidor medio de la industria. A pesar de esto los
motores de corriente continua se siguen utilizando en muchas aplicaciones de potencia (trenes y
tranvas) o de precisin (mquinas, micro motor, etc.)
La principal caracterstica del motor de corriente continua es la posibilidad de regular la velocidad
desde vaco a plena carga.
Su principal inconveniente, el mantenimiento, muy caro y laborioso.
Una mquina de corriente continua (generador o motor) se compone principalmente de dos partes,
un estator que da soporte mecnico al aparato y tiene un hueco en el centro generalmente de forma
cilndrica. En el estator adems se encuentran los polos, que pueden ser de imanes permanentes o
devanados con hilo de cobre sobre ncleo de hierro. El rotor es generalmente de forma cilndrica,
tambin devanado y con ncleo, al que llega la corriente mediante dos escobillas.
Tambin se construyen motores de CC con el rotor de imanes permanentes para aplicaciones
especiales.

SEPTIMA PRCTICA
(ALARMA DE ARRANQUE DE UN MOTOR DE CD)
COMPONENTES:
1 SRC C106.
3 Capacitores electrolticos de 100F a 25V.
1 Fotorresistencia.
2 Potencimetros de 100K.

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1 Motor de 5V.
1 Resistencia de 27K.
2 Resistencias de 100K.
1 Resistencia de 220.
1 Resistencia de 330.
1 Resistencia de 33K.
2 Led.

FUNCIONAMIENTO: Al faltarle iluminacin a la fotorresistencia, las luces intermitentes entraran en

funcionamiento advirtiendo que el motor va a entrar en funcionamiento en unos cuantos segundos,
el tiempo que tardar en encender es regulado mediante el potencimetro.

OCTAVA PRCTICA
(TEMPORIZADOR CON LUZ)
COMPONENTES:

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