PRACTICA 2.

CARACTERIZACIÓN DEL DIODO

LUIS EDUARDO ORTIZ LÓPEZ – 42161075

NICOLÁS CERINZA RODRÍGUEZ – 42141049

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

INGENIERO
HENRY RONCANCIO

UNIVERSIDAD DE LA SALLE
FACULTAD DE INGENIERÍA
PROGRAMA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
BOGOTÁ - COLOMBIA
AGOSTO DE 2019
 INTRODUCCIÓN

En el presente trabajo, se hace la caracterización del comportamiento de tres diodos distintos

comerciales. Estos se evalúan primero en el régimen dinámico, con el fin de observar el
comportamiento del diodo a ciertas frecuencias y hallar el tiempo de recuperación inversa de
cada diodo y compararlo con el dato suministrado por el fabricante. Luego, se plantea un
circuito sencillo para analizar las características del diodo en el régimen estático y obtener de
esa manera la curva característica del diodo que relaciona la corriente y la caída de tensión en
el mismo.
Para lograr lo anterior, se plantea una metodología en donde lo primero que se menciona es la
consulta de aspectos teóricos acerca del diodo así como su funcionamiento. Luego, se encamina
el trabajo hacia temas más específicos como lo es el tiempo de recuperación inversa del diodo
y lo que sucede realmente cuando el diodo pasa del estado de conducción al estado de bloqueo.
En ese intervalo de tiempo el diodo conduce una corriente inversa (negativa) hasta que el
tiempo de caída termina. Con dicha información, se plantean circuitos para la práctica, estos se
simulan y con base en las mediciones se ajustan los parámetros de cada circuito.
Después de la simulación se procede con la práctica y la parte experimental. En una sección se
muestran los resultados obtenidos y en la siguiente se analizan estos datos para de esa manera,
plantear unas conclusiones en donde se resumen algunos puntos y se presentan algunas
recomendaciones.
Con este trabajo se logra entender el funcionamiento del diodo y además presenta al lector
herramientas técnicas que se deben tener en cuenta a la hora de escoger un diodo para
diferentes aplicaciones.
 Tabla de contenido
INTRODUCCIÓN............................................................................................................................................................. 2
1. CARACTERIZACIÓN DEL DIODO................................................................................................................... 4
1.1. Marco teórico .............................................................................................................................................. 4
1.1.1. Tiempo de recuperación inverso ................................................................................................... 5
2. METODOLOGÍA .................................................................................................................................................... 6
3. SIMULACIÓN ......................................................................................................................................................... 6
1.1. Régimen dinámico..................................................................................................................................... 6
3.1. Régimen estático........................................................................................................................................ 7
4. RESULTADOS ........................................................................................................................................................ 8
4.1. Régimen dinámico..................................................................................................................................... 8
4.1.1. Diodo MR851 ..................................................................................................................................... 8
4.1.2. Diodo 1N5822 (Schottky) ............................................................................................................ 9
4.1.3. Diodo 1N4007 (Slow Recovery) ............................................................................................. 10
4.2. Régimen estático..................................................................................................................................... 10
5. ANÁLISIS DE RESULTADOS ......................................................................................................................... 12
5.1. Análisis del régimen dinámico .......................................................................................................... 12
5.2. Análisis del régimen estático ............................................................................................................. 12
CONCLUSIONES .......................................................................................................................................................... 13
REFERENCIAS ............................................................................................................................................................. 13
 1. CARACTERIZACIÓN DEL DIODO

1.1. Marco teórico

Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque
tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo
circular la corriente en sentido contrario al de conducción. El único procedimiento de control
es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. [3]
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de
soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser
capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de
fugas.[3]

Figura 1 Curva característica del diodo [3]

VRRM: tensión inversa máxima

VD: tensión de codo.

a) Características estáticas:
- Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
- Parámetros en conducción.
- Modelo estático.

b) Características dinámicas:
- Tiempo de recuperación inverso (trr).
- Influencia del trr en la conmutación.
- Tiempo de recuperación directo.

c) Potencias:
- Potencia máxima disipable.
- Potencia media disipada.
1.1.1. Tiempo de recuperación inverso

El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente. Si

un diodo se encuentra conduciendo una intensidad 𝑰𝒇 , la zona central de la unión P-N está
saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea 𝑰𝒇 .
Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta
velocidad di/dt, resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad
de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en
sentido contrario durante un instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece
hasta después del tiempo 𝒕𝒂 llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores
empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda
un tiempo 𝒕𝒃 (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor
despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores. [3]

Figura 2 Recuperación inversa del diodo [3]

- 𝒕𝒂 (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de

la intensidad hasta llegar al pico negativo.
- 𝒕𝒃 (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad
hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada
en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad
hasta el 10 % de éste.
- 𝒕𝒓𝒓 (tiempo de recuperación inversa): es la suma de 𝒕𝒂 y 𝒕𝒃 .

𝑡𝑟𝑟 = 𝑡𝑎 + 𝑡𝑏 (1)
 - 𝑸𝒓𝒓 : se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área negativa de la
característica de recuperación inversa del diodo.
- di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
- 𝑰𝒓𝒓 : es el pico negativo de la intensidad.
La relación entre 𝒕𝒃 /𝒕𝒂 es conocida como factor de suavizado "SF".

2. METODOLOGÍA

Para llevar a cabo esta práctica de laboratorio, se comenzó haciendo una caracterización del
diodo, en donde se expone el comportamiento del diodo junto a características estáticas y
dinámicas. Luego, se adentra en el tema en el tema central de la práctica, el cual tiene que ver
con la recuperación inversa de los diodos. Aquí se expone dicha teoría y se establecen las pautas
para hacer las respectivas mediciones con osciloscopio.
Posteriormente, se plantean simulaciones para llevar a cabo el análisis en el régimen dinámico
y estático. Los valores de los elementos de los circuitos se ajustan y se tiene en cuenta que en el
momento de la práctica estos funcionen normalmente. Seguido a esto, se hacen los respectivos
montajes, se hacen las mediciones con multímetros y el osciloscopio y con base en estos
resultados se plantea un análisis que lleva a establecer unas consideraciones finales.

3. SIMULACIÓN

1.1. Régimen dinámico

Debido a que en un diodo, el paso del estado de conducción al de bloqueo no se efectúa

instantáneamente, es necesario llevar a cabo un análisis dinámico para poder visualizar este
fenómeno. La idea es observar ese instante en el que el diodo cambia de estado, para ello, se
realizó el montaje del circuito 1.

Circuito 1 Esquemático para análisis en régimen dinámico

El valor de la fuente V2 depende de las amplitudes del pulso V3. Se debe garantizar que la
corriente que circula por la resistencia R3 al momento del bloqueo del diodo sea
aproximadamente cero. La frecuencia del pulso no debe estar muy alejada de 1 kHz, ya que, si
es mayor, en la práctica el diodo se empezaría a comportar como un capacitor.
Al observar la corriente que circula por la rama del diodo en función del tiempo se obtiene el
gráfico 1.

Gráfico 1 Corriente de la rama D1 en función del tiempo

Como se esperaba, se presenta un tiempo en el que el diodo conduce en polarización inversa.

Este tiempo es conocido como tiempo de recuperación inversa 𝑡𝑟𝑟 (time reverse recovery), y es
la diferencia entre el instante en que la amplitud es cero y el instante en que la amplitud del
transitorio llega a ser un 25 %.
3.1. Régimen estático

Para el análisis en régimen estático, se llevó a cabo el circuito 2. La idea es observar el

comportamiento del voltaje del diodo 𝑉𝑓 (voltage forward) y la corriente de la rama serie del
circuito.

Circuito 2 Esquemático para análisis en régimen estático

Para la práctica es necesario monitorear constantemente la potencia disipada por el resistor.

Como es necesario llegar cerca a los 3 A de corriente (para graficar If vs Vf) la potencia que
disipará la resistencia de 10 Ohm será cercana a los 84 Watts. Si por ejemplo, se tiene una
resistencia cerámica de 20 W, para llegar a los 3 A es necesario enviar pulsos y observar
rápidamente las variables de interés.

4. RESULTADOS

Como es bien sabido, la práctica se dividió en dos análisis: el régimen dinámico y el régimen
estático. En esta sección se mostrarán los resultados obtenidos con cada tipo de diodo y el
análisis de estos se llevará a cabo en la siguiente sección.
4.1. Régimen dinámico

El circuito 1 se llevó a cabo con diferentes tipos de diodos con el fin de comprobar las
especificaciones técnicas que suministran los fabricantes.
4.1.1. Diodo MR851

De acuerdo con el datasheet del diodo [4], este hace parte de una línea completa de
rectificadores de recuperación rápida que tienen un tiempo de recuperación típico de 100
nanosegundos y que proporciona eficiencia a frecuencias de 250 kHz. Es un rectificador de
potencia de 3 A y tiene un voltaje inverso pico de trabajo de 100 V.
En la figura 3 se muestra el comportamiento de la corriente que circula por el diodo cuando se
hace el cambio del semiciclo positivo al semiciclo negativo de la señal de entrada. En ese
instante, el diodo conduce un tiempo en sentido inverso.

Figura 3 Tiempo de recuperación diodo MR851

Para hallar el tiempo de recuperación inversa 𝑡𝑟𝑟 utilizamos la ecuación (1). Es decir, la suma
del tiempo de almacenamiento y la suma del tiempo de caída hasta alcanzar un 25% de la
corriente inversa.
Al colocar los cursores del osciloscopio cercanos a los tiempos mencionados obtenemos que el
tiempo de recuperación inversa (𝐵𝑋 − 𝐴𝑋) en la práctica fue de 𝟓𝟔 𝒏𝒔.
4.1.2. Diodo 1N5822 (Schottky)

Es un diodo Schottky con recuperación rápida (<= 500 𝑛𝑠) según el fabricante MCC (Micro
Comercial Component) [5]. Es un rectificador de barrera de 20 – 40 V y puede trabajar con una
corriente directa de hasta 3 A.

Figura 4 Tiempo de recuperación de diodo 1N5822

En la figura 4 se observa que el tiempo de recuperación inversa aproximado (𝐵𝑋 − 𝐴𝑋) es de

𝟓𝟕𝟎 𝒏𝒔.
Del mismo modo, se observa que la amplitud de la corriente de conducción inversa tiene un
pico muy grande y si se es estricto, el 25 % de esa amplitud no es exactamente donde se
encuentra el cursor B sino un poco más hacia la izquierda, por lo cual, el tiempo de recuperación
inversa disminuye.
 4.1.3. Diodo 1N4007 (Slow Recovery)

El semiconductor 1N4007 es un diodo de recuperación lenta con una corriente de salida media
rectificada de máximo 1 A. El voltaje inverso máximo de operación es de 1000 V. Según el
fabricante Censa.mx, [6] este diodo tiene una recuperación estándar mayor a 500 ns y un
tiempo de recuperación inversa de 2 𝜇𝑠.

Figura 5 Tiempo de recuperación inversa diodo 1N4007

En la figura 5 se observa la medición del tiempo de recuperación inversa efectuada con el

osciloscopio. Al colocar los cursores cercanos a los tiempos de interés obtenemos que el tiempo
de recuperación inversa (𝐵𝑋 − 𝐴𝑋) en la práctica fue de 𝟓𝟖𝟒 𝒏𝒔.
4.2. Régimen estático

Teniendo como base el circuito 2, se hicieron las mediciones de corriente y caída de tensión en
el diodo (Voltaje Forward) para cada uno de los diodos. La idea era llegar hasta los 3 A, sin
embargo, debido a las limitaciones de la resistencia cerámica utilizada, la máxima corriente fue
de 2,5 Amperios.
Los datos recopilados se organizaron en un archivo Excel y se obtuvieron las siguientes gráficas
de corriente versus voltaje en el diodo.
 Gráfica 1. Régimen estático para diodo 1N5822

Característica del diodo 1N5822

3,000
2,500
CORRIENTE [A]

2,000
1,500
1,000
0,500
0,000
-0,030 0,020 0,070 0,120 0,170 0,220 0,270 0,320 0,370 0,420
FORWARD VOLTAGE [V]

Gráfica 2 Régimen estático para diodo MR851

Característica del diodo MR851

1,5
CORRIENTE [A]

0,5

0
0,00 0,10 0,20 0,30 0,40 0,50 0,60 0,70 0,80
-0,5
FORWARD VOLTAGE [V]

Gráfica 3 Régimen estático para diodo 1N4007

Característica del diodo 1N4007

2,50

2,00
CORRIENTE [A]

1,50

1,00

0,50

0,00
0,00 0,20 0,40 0,60 0,80 1,00
FORWARD VOLTAGE [V]
Vemos que el voltaje forward no es el mismo para todos los diodos, por ejemplo, para el diodo
1N5822 es cercano a los 0,45 V, sin embargo, para el diodo 1N4007 es cercano a 0,95 V.

5. ANÁLISIS DE RESULTADOS
5.1. Análisis del régimen dinámico

En la tabla 1 se colocan los tiempos de recuperación inversa suministrados por los fabricantes
y estos se comparan con los tiempos obtenidos experimentalmente.

Tabla 1 Tiempos de recuperación inversa

Diodo 𝑡𝑟𝑟 dado por fabricante 𝑡𝑟𝑟 obtenido en la práctica
MR851 ≈ 100 𝑛𝑠 56 𝑛𝑠
1N5822 ≤ 500 𝑛𝑠 570 𝑛𝑠
1N4007 ≥ 500 𝑛𝑠 584 𝑛𝑠

Para el diodo MR851 (de recuperación rápida) vemos que los tiempos son muy cercanos. El
fabricante especifica que dicho valor es la recuperación típica, sin embargo, no establece un
valor mínimo de recuperación, por lo que se puede decir que es un valor aceptable que se
encuentra dentro del rango esperado.
Para el diodo 1N5822 (de recuperación rápida), el valor de 𝑡𝑟𝑟 obtenido experimentalmente es
superior al valor límite fijado por el fabricante. Una de las razones por la que se presentó esta
irregularidad fue por la toma del dato. De acuerdo a la teoría, el tiempo debe medirse desde el
instante en que la amplitud es cero hasta el tiempo en que la amplitud de la corriente inversa
es aproximadamente el 25 %. En la figura 4 se presenta el comportamiento de la corriente y se
observa que la amplitud de esta corriente negativa es grande, por lo cual el 25 % de esta
amplitud es un tiempo considerable hasta que cruza por cero, es decir que, si se hubiera hecho
la medición correctamente, el tiempo de recuperación hubiera sido menor al valor límite fijado
por el fabricante. El error en la medición se produjo al colocar el segundo cursor (final del
tiempo de caída) en aproximadamente cero A (véase figura 4).
En cuanto al tiempo de recuperación del diodo 1N4007, se puede decir que es un valor
aceptable a pesar de que este diodo sea de recuperación lenta. Este valor se encuentra dentro
del rango mínimo que proporciona el fabricante.
Cabe decir que el tiempo de recuperación depende de muchos factores, entre los más
importantes se encuentra la amplitud de la corriente de conducción inversa, la temperatura del
diodo, la corriente que circula por este y además de las características constructivas del diodo.
Es tiempo no es un valor exacto sino un rango de valores, por tal motivo, en las hojas de datos
aparece el tiempo mínimo de recuperación, el tiempo típico y el tiempo máximo.
5.2. Análisis del régimen estático

Como se había mencionado anteriormente, la diferencia entre las tres gráficas radica
principalmente en el eje de las abscisas donde se encuentra el voltaje del diodo. Vemos que para
el diodo de recuperación rápida MR851 este valor llega hasta aproximadamente los 0,45 V. Para
el diodo 1N5822 este voltaje es cercano a los 0,83 V y para el diodo 1N4007, que es de
recuperación lenta este valor llega hasta 0,95 V. Y este último trabaja con una corriente de
rectificación de 1 Amperio.
Lo que se puede decir de lo anterior, es que, dependiendo del tiempo de recuperación del diodo,
el voltaje forward es mayor o menor. Al diseñarse un diodo para aplicaciones de alta frecuencia,
este debe reaccionar rápidamente lo que implica una mayor rapidez de activación de las zonas
de bloqueo y conducción. Por otro lado, hay diodos que se calientan más que otros y esta
temperatura depende de la caída de tensión en el diodo. Entre mayor sea la caída de tensión en
el diodo, mayor será la potencia disipada y por tanto, mayor será su temperatura de operación.

CONCLUSIONES

En esta práctica se logró conocer el funcionamiento del diodo en diferentes situaciones. La

primera situación fue en función de la frecuencia. Se evidenció que dependiendo de la
frecuencia de operación, el diodo puede o no puede trabajar correctamente. Esto depende del
tiempo de recuperación inversa del diodo, ya que si no se tiene en cuenta este tiempo, a ciertas
frecuencias el diodo puede perder su capacidad de bloqueo de corriente y actuar simplemente
como un interruptor cerrado. Del mismo modo, se evidenció que el tiempo de recuperación
inversa depende del tipo de diodo, de la corriente que circula por este, de su corriente inversa
y de su temperatura de operación. Una consideración importante a tener en cuenta es que
cuando se esté hallando experimentalmente el tiempo 𝑡𝑟𝑟 se debe prestar atención a la amplitud
de la corriente de conducción inversa, ya que el 25 % de este valor puede ser un tiempo
considerable.
La segunda situación consistió en conocer cuál era la caída de tensión (voltage forward) en cada
uno de los diodos. Se evidenció que este valor depende del tipo de diodo, de la corriente que
circula por él y que presenta un punto de saturación en todas las gráficas. La implicación que
tiene la caída de tensión del diodo es que entre mayor sea este valor mayor será la potencia
disipada por el diodo y mayor será su temperatura de operación. Así que, cuando se valla a
operar un diodo con corrientes altas es importante saber cual es su caída de tensión porque si
no se dimensiona bien, la temperatura que puede llegar a tener el diodo puede ser superior a la
temperatura de trabajo del mismo.

REFERENCIAS

[1] Rashid, M. H. (2004). Electrónica de potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones. Pearson

Educación.

[2] Debnath, S. (2015). Power Electronics Simulation using PSPICE.

[3] Universidad de Valencia. (n.d.). Diodos de potencia. [online] Available at:

https://www.uv.es/~marinjl/electro/diodo.html [Accessed 17 Aug. 2019].

[4] On Semiconductor. (2011). [ebook] MR850, MR851, MR852, MR854, MR856, Available at:
https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/174284/ONSEMI/MR851.html [Accessed 18 Aug.
2019].
[5] Micro Comercial Components (2013). [ebook] 1N5820 THRU 1N5822, Available at:
https://www.mccsemi.com/pdf/Products/1N5820-1N5822(DO-201AD).pdf [Accessed 18 Aug. 2019].

[6] Censa.mx (2019).

http://www.censa.mx/producto.php?codigo=24001280&origen=TAGS&etq=4007&fbclid=IwAR1CEi
mxiW8sGH5Hz3jTcZA7b4VZXzeGbwTS9vBDncEhPQzFPRTNX0nVNDE [Accessed 18 Aug. 2019].