Unidad III: Tiristores

Introducción
En los procesos industriales se tienen aplicaciones en las cuales se requiere que se
entregue una cantidad de potencia eléctrica variable y controlada, dentro de las cuales se
puede mencionar: iluminación, control de velocidad o par de motores eléctricos, soldadura
eléctrica y calentamiento eléctrico; siendo éstas las aplicaciones más comunes. Siempre es
posible controlar la cantidad de potencia eléctrica que se entrega a una carga. Si se utiliza
un transformador variable se obtiene una tensión de salida variable, sin embargo, para
grandes potencias y bajas tensiones, los transformadores variables son físicamente
grandes, costosos y requieren de un mantenimiento especializado; estos tres factores
hacen que los transformadores variables sean poco utilizados.
Otro método para controlar la potencia eléctrica que se entrega a una carga, es el
de emplear resistencias variables; intercalando un reóstato en serie con la carga (para así
controlar y/o limitar la corriente) o por medio de un potenciómetro (para fijar un nivel de
tensión seleccionado). Nuevamente, para grandes potencias las resistencias variables
resultan de gran tamaño, costosas, necesitan mantenimiento y además desperdician una
cantidad apreciable de energía (disipada en forma de calor).
La forma de controlar la energía y la potencia eléctrica, se ha hecho más viable a
través de los dispositivos electrónicos, en el que inicialmente se realizó con dispositivos de
vacío (poca potencia), posteriormente con dispositivos de gas (mediana potencia) y en la
actualidad con dispositivos en base a semiconductores (gran potencia).
Un tiristor es uno de los dispositivos más importantes de dispositivos
semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos
electrónicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado
no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los
tiristores son interruptores o conmutadores ideales. Aunque los tiristores prácticos exhiben
ciertas características y limitaciones.

3.1 Tipos de tiristores

El tiristor tiene dos estados estables de operación, que son el de conducción y el de

bloqueo, que depende de las retroalimentaciones de las uniones con estructura PNPN;
estas uniones pueden ser tres o más y los elementos de conexión pueden ser dos o más.
 3.2 Diodo Shockley o diodo de cuatro capas

El diodo Shockley es un diodo pnpn de cuatro capas con sólo dos terminales
externas, como se muestra en la figura 3.1 con su símbolo gráfico. Las características del

dispositivo son exactamente iguales para el SCR con IG  0 . Como indica la característica,
el dispositivo está en el estado de corte (representación en circuito abierto) hasta que se
alcanza el voltaje de ruptura, en cuyo instante la condición de avalancha se desarrollará y
el dispositivo se encenderá (representación en corto circuito).

Figura 3.1

En la representación analógica de la figura 3.1 se observa que las uniones j1, j 2 y j3

generan los diodos D1, D2 y D3 , correspondientes a las capas PN con sus ánodos y cátodos.

Si el conjunto se somete a una diferencia de potencial, operará de la siguiente

manera:
1. Con una tensión aplicada con polaridad positiva al ánodo con respecto al cátodo
(polarización directa), se observa en el circuito equivalente (figura 3.1a) que los
diodos D1 y D3 se encuentran polarizados directamente, y el diodo D2 queda
polarizado inversamente; este diodo hará que el dispositivo se encuentre
 bloqueado hasta un cierto valor de tensión, que será la tensión de bloqueo
directo.
2. Si se invierte la polaridad, ahora se encuentran polarizados los diodos D1 y D3
inversamente, y polarizado directamente el diodo D2 ; consecuentemente
aumentará la tensión de bloqueo del dispositivo que es una condición normal de
operación del mismo.
La corriente de fuga de polarización directa ( ID que permite la unión j 2 ), es de un
valor pequeño y el cual se incrementa para aumentos de tensión entre ánodo y cátodo, la
corriente se incrementa para convertirse en la corriente de ánodo ( I A ) por un proceso de
avalancha de portadores de carga, los valores de corriente de ánodo son limitados por la
resistencia de la carga (a valores nominales del diodo). La tensión que hace entrar en
conducción al diodo Shockley, es la tensión de polarización directa máxima ( VFDM ). En la
figura 3.1b se muestra el símbolo del diodo Shockley.

Una aplicación común del diodo Shockley se muestra en la figura 3.2, donde se
emplea como interruptor de disparo para un SCR. Cuando el circuito se energiza, el voltaje
en el capacitor empezará a cambiar hacia el voltaje de alimentación. A la larga, el voltaje
en el capacitor será lo bastante elevado como para disparar primero el diodo Shockley y
después el SCR.

Figura 3.2 Aplicación del diodo Shockley: interruptor de disparo para un SCR

3.2.1 Curva característica

El diodo Shockley tiene la curva característica de comportamiento mostrada en

la figura 3.3, correspondiente a sus dos terminales ánodo y cátodo.
3.2.1 Curva característica

El diodo Shockley tiene la curva característica de comportamiento mostrada en la figura

3.3, correspondiente a sus dos terminales ánodo y cátodo.

Figura 3.3 Curva característica del diodo Shockley

ID Corriente de fuga de polarización directa.

IR Corriente de fuga de polarización inversa.

VFDM Voltaje de polarización directo máximo.

VRR Voltaje inverso de ruptura.

IH Corriente de mantenimiento.

IFAV Corriente media.

La corriente de mantenimiento, también llamada hipo-estática (sostenimiento), es el

valor mínimo de corriente de ánodo que circulará por la carga y que conservará en
conducción al diodo Shockley.

3.3 Tiristor de cuatro capas y tres terminales de conexión (SCR).

Dentro de la familia de los dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio

(SCR) es incuestionablemente el de mayor interés. Se introdujo por primera vez en 1956
en los laboratorios Bell Telephone. Unas cuantas de las áreas más comunes de aplicación
para los SCR incluyen los controles de relevadores, los circuitos de retraso de tiempo, las
fuentes de alimentación reguladas, los interruptores estáticos, los controles de motores,
inversores, cicloconvertidores, cargadores de baterías, circuitos de protección, controles de
calefacción y controles de fase.
 En los últimos años, los SCR se han diseñado para controlar potencias tan altas
como 10MW con valores nominales individuales tan elevados como 2000 A a 1800V. Su
intervalo de frecuencia se ha extendido también a cerca de 50 KHz, permitiendo algunas
aplicaciones de alta frecuencia, tales como calentamiento por inducción y limpieza
ultrasónica.
Es un dispositivo semiconductor biestable (estado conmutable de bloqueo a
conducción y viceversa), pero con la particularidad de que la acción de disparo sólo puede
producirse en un solo cuadrante de la curva característica tensión contra corriente
correspondiente al ánodo-cátodo. La forma de disparar al tiristor a través de su compuerta
de mando da como resultado dos tipos de dispositivo:

1. Tiristor tipo P. El cuál tiene su terminal de control en la región P más cercana al

cátodo, teniéndose que para que entre en conducción se le aplique una señal
positiva a la compuerta referida al cátodo.
2. Tiristor tipo N. Localizándose la terminal de control en la región N más cercana al
ánodo y se dispara al estado de conducción aplicándoles una señal negativa a la
puerta referida al ánodo.

En la figura 3.4 se tienen los símbolos de ambos tipos de tiristores y su

representación analógica.

Figura 3.4

De la representación analógica se puede observar que los dos tipos de dispositivos

se asemejan al diodo Shockley a excepción del tercer electrodo de mando.
3.3.1 Operación del SCR.
 

El SCR es un dispositivo unidireccional de tres terminales que son el Ánodo (A),

Cátodo (K o C) y la terminal de control o puerta (G), pudiendo circular la corriente de ánodo
a cátodo. El funcionamiento básico del SCR es el siguiente: Con la puerta (GATE) abierta
o cortocircuitada al cátodo, el SCR es capaz de bloquear la tensión directa e inversa,
aplicada entre ánodo y cátodo hasta un cierto límite máximo: VB 0 en directo y VRSM (Reverse
Single Maximum) en inverso. Cuando se aplique por la terminal de GATE un impulso de
corriente adecuado, el SCR pasará al estado de conducción si la tensión ánodo-cátodo es
positiva. Una vez en conducción es capaz de mantener ese estado aún en ausencia de
pulsos en la puerta.
El dispositivo tiene dos condiciones de operación estables que son los estados de
bloqueo y conducción.

a) Rectificador controlado de silicio (SCR) en bloqueo, figura 3.5.

Figura 3.5

La condición de bloqueo se presenta con la polarización inversa, bajo esas

condiciones las uniones J1 y J3 están polarizadas inversamente y la unión j 2 se encuentra
polarizada directamente, el dispositivo permanece en no conducción hasta que se presenta
el voltaje inverso de ruptura. Rebasando la tensión de polarización inversa el dispositivo
entra en conducción por el fenómeno de avalancha, que ocurre en las dos uniones J1 y J3 ,
éstas rompen su estado de bloqueo y consecuentemente la corriente que es inversa se
hace muy elevada, lo que provoca la destrucción del dispositivo.

b) Rectificador controlado de silicio (SCR) en conducción, figura 3.6.

 Aplicando una tensión positiva al ánodo con respecto al cátodo, las uniones J1 y J3
se encuentran polarizadas directamente y la unión j 2 inversamente; el SCR se encuentra
en bloqueo directo y circulará una corriente de fuga poco significativa. Para que entre en
conducción se aplicará un pulso positivo a la puerta con respecto al cátodo.

Figura 3.6

El pulso positivo en la puerta produce una inyección de huecos h3 (cargas positivas)

de la capa P2 a N2 , este flujo de huecos que cruza la unión j3 produce un flujo de electrones
n3 de N2 a P2 , estos electrones ( n3 ) por efecto transistor son pasados por la unión j 2 como
n2 hasta la capa N1 . La concentración de electrones n2 alteran la distribución de portadores
de carga en la capa N1 y algunos llegan a cruzar la unión j1 ( n1 ), que a su vez provocan un
flujo de huecos h1 desde la capa P1 a la capa N1 , los cuales por efecto transistor pasan de
la capa N1 a P2 , cruzando la unión j 2 como portadores de carga positivos h2 (huecos).

Los portadores de carga h2 alteran la distribución de carga existente en la capa P2

y algunos llegan a cruzar la unión j3 convirtiéndose en portadores de carga h3 .

Lo expuesto anteriormente establece un ciclo el cual es regenerativo y hace que la

corriente aumente drásticamente a valores limitados por el circuito externo.

Una vez encendido el SCR (conducción), cualquier acción de señal sobre la puerta
(G) no influye en la operación (solo se permiten aplicar señales positivas) y la forma de
apagar el dispositivo es disminuyendo la tensión entre ánodo y cátodo, eliminando el efecto
de avalancha o simplemente disminuyendo la corriente de ánodo a un valor menor de la
corriente de sostenimiento ( IH ). La corriente inyectada por el impulso de tensión ( VG ) en la
compuerta para encender al SCR, varía con las características particulares de cada unidad
(diferentes voltajes y corrientes); pero los valores típicos son del orden de 2 a 100 mA a
una tensión de puerta no mayor de 5V (en corriente continua).